JP2012203084A - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】フリッカの発生を低減した液晶装置を提供する。
【解決手段】素子基板２と対向基板３との間に液晶層４が挟持された液晶装置１において、素子基板２の液晶層４と対向する側の面には、少なくとも複数の画素電極１７と、これら複数の画素電極１７が形成された面上を覆う絶縁膜１８と、液晶層４を配向させる配向膜１９とが設けられ、対向基板３の液晶層４と対向する側の面には、少なくとも共通電極２０と、この共通電極２０が形成された面上を覆う絶縁膜２１と、液晶層４を配向させる配向膜２２とが設けられ、液晶層４と絶縁膜１８，２１との抵抗比が面内で均一となるように、液晶層４の厚みに応じて絶縁膜１８，２１のうち何れか一方又は両方の厚みを部分的に調整してなる。
【選択図】図４

Description

本発明は、液晶装置及び電子機器に関する。

一般に、液晶装置では、画面の焼付き等を防ぐため、画像信号の極性をフレーム周期毎に反転させる交流駆動を行っている。しかしながら、このような液晶装置の交流駆動では、液晶層に印加される電圧値が正極性時と負極性時で異なる場合に、フリッカと呼ばれる画面のチラツキが発生することがある。

そこで、液晶装置では、上述したフリッカの発生を抑制するため、正極性時と負極性時で液晶層に印加される電圧値が等しくなるように、共通電極電位のレベルを調整することが行われている（例えば、特許文献１〜３を参照。）。

特開２００９−２１６９８０号公報 特開２０１０−１５２１４１号公報 特開２０１０−１９７８０７号公報

しかしながら、従来の液晶装置では、上述したフリッカが最小となるように共通電極電位のレベルを調整した場合であっても、通電時に共通電極電位が変動してしまい、フリッカが発生することがあった。また、この共通電極電位の変動量は、表示領域内の場所によって異なっている。

このため、共通電極電位の変動量が面内で均一であれば、その変動量に合わせて共通電極電位のレベルを調整し、フリッカの発生を抑制できるものの、共通電極電位の変動量が面内で不均一となる場合には、共通電極電位のレベルを調整しただけでは、面内の何れかの箇所でフリッカが発生してしまう。

本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、フリッカの発生を低減した液晶装置、並びにそのような液晶装置を備えた高品質の電子機器を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係る液晶装置は、素子基板と対向基板との間に液晶層が挟持された液晶装置において、素子基板の液晶層と対向する側の面には、少なくとも複数の画素電極と、これら複数の画素電極が形成された面上を覆う絶縁膜と、液晶層を配向させる配向膜とが設けられ、対向基板の液晶層と対向する側の面には、少なくとも共通電極と、この共通電極が形成された面上を覆う絶縁膜と、液晶層を配向させる配向膜とが設けられ、液晶層と絶縁膜との抵抗比が面内で均一となるように、液晶層の厚みに応じて絶縁膜のうち何れか一方又は両方の厚みを部分的に調整してなることを特徴とする。
これにより、共通電極電位の変動量を面内で均一とし、フリッカの発生を低減した液晶装置を提供することが可能である。

また、絶縁膜の厚みは、液晶層の厚みが相対的に厚くなる箇所において、その厚みに応じて当該絶縁膜の厚みを厚くする、若しくは、液晶層の厚みが相対的に薄くなる箇所において、その厚みに応じて当該絶縁膜の厚みを薄くするように調整することが好ましい。
これにより、液晶層と絶縁膜との抵抗比を面内で均一とし、共通電極電位の変動量を面内で均一とすることが可能である。

また、素子基板と対向基板との間の周縁部がシール部材により封止され、このシール部材の一部を開放する注入口から液晶を注入する構成において、注入口を取り囲む領域内で絶縁膜の厚みが調整されていることが好ましい。
これにより、液晶層と絶縁膜との抵抗比を面内で均一とし、共通電極電位の変動量を面内で均一とすることが可能である。

また、素子基板と対向基板との何れか一方の対向面の周縁部を取り囲むシール部材の内側に液晶を滴下した後、素子基板と対向基板とをシール部材を介して貼り合わせる構成において、シール部材の内側中央部分を取り囲む領域内で絶縁膜の厚みが調整されていることが好ましい。
これにより、液晶層と絶縁膜との抵抗比を面内で均一とし、共通電極電位の変動量を面内で均一とすることが可能である。

また、本発明に係る電子機器は、上記何れかの液晶装置を備えることを特徴とする。
これにより、フリッカの発生を低減した液晶装置を備えた高品質の電子機器を提供することが可能である。

第１の実施形態として示す液晶装置の平面図である。 図１中に示す線分Ｈ_１−Ｈ_１’による液晶装置の断面図である。 抵抗値の異なる液晶層について、絶縁膜の抵抗値を変化させたときのフリッカが最小となる１Ｖ当たりの共通電極電位を測定した結果を示すグラフである。 （ａ）は、図１に示す液晶装置の注入口を取り囲む領域の断面図、（ｂ）は、のその他の部分の断面図である。 第２の実施形態として示す液晶装置の平面図である。 図５中に示す線分Ｈ_２−Ｈ_２’による液晶装置の断面図である。 （ａ）は、図５に示す液晶装置のシール部材の内側中央部分を取り囲む領域の断面図、（ｂ）は、その他の部分の断面図である。 本発明を適用した電子機器の一例として示すプロジェクターの構成図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。

（第１の実施形態）
先ず、第１の実施形態として図１及び図２に示す液晶装置１について説明する。
なお、図１は、この液晶表示装置１の構造を模式的に示す平面図であり、図２は、図１中に示す線分Ｈ_１−Ｈ_１’による断面図である。

図１及び図２に示す液晶装置１は、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin-Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス型の反射型液晶装置であり、初期配向状態が垂直配向となるＶＡ（Vertical Alignment）型の液晶モードを採用したものを例示している。

具体的に、この液晶装置１は、図１及び図２に示すように、矩形平板状の素子基板（一方の基板）２と、この素子基板２よりも小さい矩形平板状の対向基板（他方の基板）３と、これら素子基板２と対向基板３との間に挟持された液晶層４とを備えている。

この液晶装置１は、互いに対向配置された素子基板２と対向基板３との間の周縁部が平面視で略矩形枠状を為すシール部材５により封止されると共に、このシール部材５を介して素子基板２と対向基板３とが貼り合わされた構造を有している。

液晶層４は、シール部材５の一部を開放する注入口６から液晶を注入した後、この注入口６を封止部材７で封止することによって、これらシール部材５及び封止部材７の内側にセルギャップに応じた厚みで形成されている。さらに、これらシール部材５及び封止部材７の内側には、平面視で矩形枠状を為す額縁８が形成されており、この額縁８によって区画された内側の領域が表示領域９となっている。

一方、素子基板２の対向基板３よりも外側の領域は、周辺回路領域１０となっており、この周辺回路領域１０には、データ線駆動回路１１及び一対の走査線駆動回路１２ａ，１２ｂと、複数の外部接続用端子１３と、これらデータ線駆動回路１１及び一対の走査線駆動回路１２ａ，１２ｂと複数の外部接続用端子１３との間で引き回された複数の引回し配線１４と、一対の走査線駆動回路１２ａ，１２ｂの間で引き回された複数の引回し配線１５とが設けられている。また、対向基板３の四隅の角部には、素子基板２側と電気的に接続される導通部材１６が設けられている。

また、素子基板２の液晶層４と対向する側の面には、複数の画素電極１７と、これら複数の画素電極１７が形成された面上を覆う絶縁膜１８と、液晶層４を配向させる配向膜１９とが設けられている。

このうち、複数の画素電極１７は、ＡｌやＡｇ等の反射性の高い導電性材料からなる反射電極であり、上記表示領域９内にマトリックス状に並んで設けられている。また、素子基板２の液晶層４と対向する側の面には、図示を省略するものの、上記画素電極１７と電気的に接続されて、上記画素電極１７をスイッチング制御する複数のＴＦＴ素子と、ＴＦＴ素子のソース及び上記データ線駆動回路１１と電気的に接続されて、ＴＦＴ素子を介して上記画素電極１７にデータ信号を供給する複数のデータ線と、ＴＦＴ素子のゲート及び一対の走査線駆動回路１２ａ，１２ｂと電気的に接続されて、ＴＦＴ素子に走査信号を供給する複数の走査線とが設けられている。

一方、絶縁膜１８は、パッシベーション膜として機能するものであり、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）（ｘ、ｙは正の整数。）などからなり、真空蒸着法やスパッタ法（ＤＣスパッタ）などのＰＶＤ法又はＣＶＤ法を用いて上記画素電極１７を覆うのに十分な厚みで形成されている。

一方、配向膜１９は、例えば耐光性や耐熱性に優れた無機配向材料からなり、絶縁膜１８上に形成されて液晶層４と接しながら、初期配向状態が垂直配向となるように、液晶層４の液晶分子に所定方向へのプレチルト角を付与している。

これに対して、対向基板３の液晶層４と対向する側の面には、共通電極２０と、この共通電極２０が形成された面上を覆う絶縁膜２１と、液晶層４を配向させる配向膜２２とが設けられている。

このうち、共通電極２０は、ＩＴＯ等の透明導電性材料からなり、上記表示領域９内の全面に亘ってベタ電極を形成している。

一方、絶縁膜２１は、パッシベーション膜として機能するものであり、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）（ｘ、ｙは正の整数。）などからなり、真空蒸着法やスパッタ法（ＤＣスパッタ）などのＰＶＤ法又はＣＶＤ法を用いて上記共通電極２０を覆うのに十分な厚みで形成されている。

一方、配向膜２２は、例えば耐光性や耐熱性に優れた無機配向材料からなり、絶縁膜２１上に形成されて液晶層４と接しながら、初期配向状態が垂直配向となるように、液晶層４の液晶分子に所定方向へのプレチルト角を付与している。

以上のような構造を有する液晶装置１では、表示すべき画像の画像信号が、この液晶装置１の外部から外部接続用端子１３を介してデータ線駆動回路１１に供給されると、このデータ線駆動回路１１が、画像信号に含まれる画素電極１７毎の階調値を示すデータ信号を生成し、このデータ信号に基づいて、液晶層４を駆動する駆動電圧波形を各画素電極１７に対応したＴＦＴ素子に出力する。また、一対の走査線駆動回路１２ａ，１２ｂは、画像信号に含まれる画素の表示タイミングを示す走査信号を生成し、この走査信号に基づいて、ＴＦＴ素子のゲートに電圧を印加し、各画素電極１７に対応したＴＦＴ素子のオン／オフを制御する。

そして、ＴＦＴ素子がオンになった画素電極１７には、上記データ信号に基づく駆動電圧が印加される一方、共通電極２０には、共通の電位が印加されることで、液晶層４には、これら画素電極１７と共通電極２０との間の電位差に相当する電圧が印加される。これにより、液晶層４は、配向状態が変化し、対向基板３側から入射した光を、画素電極１７で反射されて対向基板３側から出射される間に、画像信号に応じて変調することになる。

そして、この液晶装置１では、上述した変調された光を対向基板３の外側に設けられた偏光板（図示せず。）により選択的に透過しながら、画像信号に応じた画像を表示することが可能となっている。

ところで、この液晶装置１では、画面の焼付き等を防ぐため、画像信号の極性をフレーム周期毎に反転させる交流駆動を行っている。また、フリッカの発生を抑制するため、正極性時と負極性時で液晶層４に印加される電圧値が等しくなるように、共通電極２０の電位（共通電極電位）のレベル調整を行っている。

しかしながら、従来の液晶装置では、上述したフリッカが最小となるように共通電極電位のレベルを調整した場合であっても、通電時に共通電極電位が変動してしまい、フリッカが発生することがあった。

そこで、本発明者らは、このような課題を解決するため鋭意検討を行った結果、共通電極電位の変動量が上記液晶層４と上記絶縁膜１８，２１との抵抗比によって決まることを見出した。

ここで、液晶層の抵抗値が６００ＭΩとなる場合と、液晶層の抵抗値が６６０ＭΩとなる場合について、絶縁膜の抵抗値（Ｒｐｓｖ［ＧΩ］）を変化させたときのフリッカが最小となる１Ｖ当たりの共通電極電位（Ｖｃｏｍ／Ｖ）について測定した結果を図３に示す。

図３に示すように、液晶層の抵抗値が６００ＭΩから６６０ＭΩへと１０％増加したときの共通電極電位は、絶縁膜の抵抗値を１０％増加させたときの値にほぼ等しく、共通電極電位の変動量が液晶層と絶縁膜との抵抗比によって決まることがわかる。

そこで、本発明では、液晶層４と絶縁膜１８，２１との抵抗比が面内で均一となるように、液晶層４の厚みに応じて絶縁膜１８，２１のうち何れか一方又は両方の厚みを部分的に調整することで、共通電極電位の変動量を面内で均一とし、フリッカの発生を低減できることを見出し、本発明を完成するに至った。

具体的に、上記液晶装置１では、上述した注入口６から液晶を注入する工程によって上記液晶層４の厚みが不均一となり、特に図１中に示す注入口６を取り囲む領域Ｓ_１において、液晶層４の厚みが厚くなり易い。

そこで、本発明では、この注入口６を取り囲む領域Ｓ_１内で上記絶縁膜１８，２１の何れかの厚みを調整する。ここで、上記絶縁膜１８，２１の抵抗値は膜厚に比例することから、上記液晶層４の厚みが相対的に厚くなる箇所においては、その厚みに応じて上記絶縁膜１８，２１の何れかの厚みを厚くする。

例えば、第１の実施形態では、図４（ａ）に示す注入口６を取り囲む領域Ｓ_１の液晶層４の厚みが、図４（ｂ）に示す他の部分の液晶層４の厚みよりも厚くなる。このため、図４（ａ）に示す注入口６を取り囲む領域Ｓ_１の絶縁膜１８の厚みを図４（ｂ）に示す他の部分の絶縁膜１８の厚みよりも液晶層４の厚みに応じて厚くしている。

これにより、上記液晶層４と上記絶縁膜１８，２１との抵抗比を面内で均一とし、共通電極電位の変動量を面内で均一とすることができる。なお、上記液晶層４の厚みが相対的に薄くなる箇所においては、その厚みに応じて上記絶縁膜１８，２１の何れかの厚みを薄くすればよい。

以上のようにして、本発明では、共通電極電位の変動量を面内で均一とし、フリッカの発生を低減した液晶装置１を得ることが可能である。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態として図５及び図６に示す液晶装置５０について説明する。
なお、図５は、この液晶表示装置５０の構造を模式的に示す平面図であり、図６は、図５中に示す線分Ｈ_２−Ｈ_２’による断面図である。また、以下の説明では、上記図１及び図２に示す液晶装置１と同等の部位については、図面において同じ符号を付すものとする。

図５及び図６に示す液晶装置５０は、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin-Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス型の反射型液晶装置であり、初期配向状態が垂直配向となるＶＡ（Vertical Alignment）型の液晶モードを採用したものを例示している。

具体的に、この液晶装置５０は、図３及び図４に示すように、矩形平板状の素子基板（一方の基板）２と、この素子基板２よりも小さい矩形平板状の対向基板（他方の基板）３と、これら素子基板２と対向基板３との間に挟持された液晶層４とを備えている。

この液晶装置１は、互いに対向配置された素子基板２と対向基板３との間の周縁部が平面視で略矩形枠状を為すシール部材５により封止されると共に、このシール部材５を介して素子基板２と対向基板３とが貼り合わされた構造を有している。

液晶層４は、素子基板２と対向基板３との何れか一方の対向面の周縁部を取り囲むシール部材５の内側に液晶を滴下した後、これら素子基板２と対向基板３とをシール部材５を介して貼り合わせることで、このシール部材５の内側にセルギャップに応じた厚みで形成されている。さらに、このシール部材５の内側には、平面視で矩形枠状を為す額縁８が形成されており、この額縁８によって区画された内側の領域が表示領域９となっている。

一方、素子基板２の対向基板３よりも外側の領域は、周辺回路領域１０となっており、この周辺回路領域１０には、データ線駆動回路１１及び一対の走査線駆動回路１２ａ，１２ｂと、複数の外部接続用端子１３と、これらデータ線駆動回路１１及び一対の走査線駆動回路１２ａ，１２ｂと複数の外部接続用端子１３との間で引き回された複数の引回し配線１４と、一対の走査線駆動回路１２ａ，１２ｂの間で引き回された複数の引回し配線１５とが設けられている。また、対向基板３の四隅の角部には、素子基板２側と電気的に接続される導通部材１６が設けられている。

また、素子基板２の液晶層４と対向する側の面には、複数の画素電極１７と、これら複数の画素電極１７が形成された面上を覆う絶縁膜１８と、液晶層４を配向させる配向膜１９とが設けられている。

このうち、複数の画素電極１７は、ＡｌやＡｇ等の反射性の高い導電性材料からなる反射電極であり、上記表示領域９内にマトリックス状に並んで設けられている。また、素子基板２の液晶層４と対向する側の面には、図示を省略するものの、上記画素電極１７と電気的に接続されて、上記画素電極１７をスイッチング制御する複数のＴＦＴ素子と、ＴＦＴ素子のソース及び上記データ線駆動回路１１と電気的に接続されて、ＴＦＴ素子を介して上記画素電極１７にデータ信号を供給する複数のデータ線と、ＴＦＴ素子のゲート及び一対の走査線駆動回路１２ａ，１２ｂと電気的に接続されて、ＴＦＴ素子に走査信号を供給する複数の走査線とが設けられている。

一方、絶縁膜１８は、パッシベーション膜として機能するものであり、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）（ｘ、ｙは正の整数。）などからなり、真空蒸着法やスパッタ法（ＤＣスパッタ）などのＰＶＤ法又はＣＶＤ法を用いて上記画素電極１７を覆うのに十分な厚みで形成されている。

一方、配向膜１９は、例えば耐光性や耐熱性に優れた無機配向材料からなり、絶縁膜１８上に形成されて液晶層４と接しながら、初期配向状態が垂直配向となるように、液晶層４の液晶分子に所定方向へのプレチルト角を付与している。

これに対して、対向基板３の液晶層４と対向する側の面には、共通電極２０と、この共通電極２０が形成された面上を覆う絶縁膜２１と、液晶層４を配向させる配向膜２２とが設けられている。

このうち、共通電極２０は、ＩＴＯ等の透明導電性材料からなり、上記表示領域９内の全面に亘ってベタ電極を形成している。

一方、絶縁膜２１は、パッシベーション膜として機能するものであり、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）（ｘ、ｙは正の整数。）などからなり、真空蒸着法やスパッタ法（ＤＣスパッタ）などのＰＶＤ法又はＣＶＤ法を用いて上記共通電極２０を覆うのに十分な厚みで形成されている。

一方、配向膜２２は、例えば耐光性や耐熱性に優れた無機配向材料からなり、絶縁膜２１上に形成されて液晶層４と接しながら、初期配向状態が垂直配向となるように、液晶層４の液晶分子に所定方向へのプレチルト角を付与している。

以上のような構造を有する液晶装置５０では、表示すべき画像の画像信号が、この液晶装置１の外部から外部接続用端子１３を介してデータ線駆動回路１１に供給されると、このデータ線駆動回路１１が、画像信号に含まれる画素電極１７毎の階調値を示すデータ信号を生成し、このデータ信号に基づいて、液晶層４を駆動する駆動電圧波形を各画素電極１７に対応したＴＦＴ素子に出力する。また、一対の走査線駆動回路１２ａ，１２ｂは、画像信号に含まれる画素の表示タイミングを示す走査信号を生成し、この走査信号に基づいて、ＴＦＴ素子のゲートに電圧を印加し、各画素電極１７に対応したＴＦＴ素子のオン／オフを制御する。

そして、ＴＦＴ素子がオンになった画素電極１７には、上記データ信号に基づく駆動電圧が印加される一方、共通電極２０には、共通の電位が印加されることで、液晶層４には、これら画素電極１７と共通電極２０との間の電位差に相当する電圧が印加される。これにより、液晶層４は、配向状態が変化し、対向基板３側から入射した光を、画素電極１７で反射されて対向基板３側から出射される間に、画像信号に応じて変調することになる。

そして、この液晶装置５０では、上述した変調された光を対向基板３の外側に設けられた偏光板（図示せず。）により選択的に透過しながら、画像信号に応じた画像を表示することが可能となっている。

ところで、この液晶装置５０では、上述したシール部材５の内側に液晶を滴下した後、素子基板２と対向基板３とをシール部材５を介して貼り合わせる工程によって、上記液晶層４の厚みが不均一となり、特に図３中に示すシール部材５の内側中央部分を取り囲む領域Ｓ_２において、液晶層４の厚みが厚くなり易い。

そこで、本発明では、このシール部材５の内側中央部分を取り囲む領域Ｓ_２内で上記絶縁膜１８，２１の何れかの厚みを調整する。ここで、上記絶縁膜１８，２１の抵抗値は膜厚に比例することから、上記液晶層４の厚みが相対的に厚くなる箇所においては、その厚みに応じて上記絶縁膜１８，２１の何れかの厚みを厚くする。

例えば、第２の実施形態では、図７（ａ）に示すシール部材５の内側中央部分を取り囲む領域Ｓ_２の液晶層４の厚みが、図７（ｂ）に示す他の部分の液晶層４の厚みよりも厚くなる。このため、図７（ａ）に示すシール部材５の内側中央部分を取り囲む領域Ｓ_２の絶縁膜１８の厚みを図７（ｂ）に示す他の部分の絶縁膜１８の厚みよりも液晶層４の厚みに応じて厚くしている。

これにより、上記液晶層４と上記絶縁膜１８，２１との抵抗比を面内で均一とし、共通電極電位の変動量を面内で均一とすることができる。なお、上記液晶層４の厚みが相対的に薄くなる箇所においては、その厚みに応じて上記絶縁膜１８，２１の何れかの厚みを薄くすればよい。

以上のようにして、本発明では、共通電極電位の変動量を面内で均一とし、フリッカの発生を低減した液晶装置５０を得ることが可能である。

なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
具体的に、上記第１及び第２の実施形態では、上記絶縁膜１８，２１の何れかの厚みを調整することによって、上記絶縁膜１８，２１の抵抗値を調整する方法について例示したが、上記絶縁膜１８，２１の抵抗値を調整する方法としては、それ以外にも上記絶縁膜１８，２１に不純物をドープすることによって、その抵抗値を調整することも可能である。また、液晶層４と絶縁膜１８，２１との抵抗比を調整する方法としては、絶縁膜１８，２１側の厚み（抵抗値）を調整する以外にも、液晶層４側の厚み（抵抗値）を調整することも可能である。

なお、上記第１及び第２の実施形態では、反射型液晶装置に本発明を適用した場合について例示したが、このような反射型液晶装置に限らず、透過型液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、液晶モードについても、特に限定されるものではなく、上述したＶＡ型以外の液晶モードを採用することが可能である。

（電子機器）
次に、本発明を適用した電子機器の一例として、例えば図８に示す本発明の液晶装置を備えたプロジェクター８００について説明する。
なお、図５は、このプロジェクター８００の構成を示す模式図である。

このプロジェクター８００は、図５に示すように、光源８１０、ダイクロイックミラー８１３、８１４、反射ミラー８１５、８１６、８１７、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９、射出レンズ８２０、光変調部８２２、８２３、８２４、クロスダイクロイックプリズム８２５、投射レンズ８２６、を有している。

光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。なお、光源８１０としては、メタルハライド以外にも超高圧水銀ランプ、フラッシュ水銀ランプ、高圧水銀ランプ、Ｄｅｅｐ ＵＶランプ、キセノンランプ、キセノンフラッシュランプ等を用いることも可能である。

ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、赤色光用の光変調部８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光と緑色光のうち、緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、緑色光用光変調部８２３に入射される。青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過し、長い光路による光損失を防ぐために設けられた入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９及び射出レンズ８２０を含むリレー光学系８２１を介して、青色光が光変調部８２４に入射される。

光変調部８２２〜８２４は、液晶ライトバルブ８３０を挟んで両側に、入射側偏光素子８４０と射出側偏光素子部８５０と、が配置されている。液晶ライトバルブ８３０には、上記本発明を適用した液晶装置１，５０を用いることができる。入射側偏光素子８４０と射出側偏光素子部８５０とは、互いの透過軸が直交して（クロスニコル配置）配置されている。

入射側偏光素子８４０は反射型の偏光素子であり、透過軸と直交する振動方向の光を反射させる。

一方、射出側偏光素子部８５０は、第１偏光素子（プリ偏光板、プリポラライザー）８５２と、第２偏光素子８５４と、を有している。第１偏光素子８５２には、耐熱性が高い偏光素子を用いる。また、第２偏光素子８５４は、有機材料を形成材料とする偏光素子である。射出側偏光素子部８５０は、いずれも透過軸と直交する偏光方向の光を吸収する吸収型の偏光素子である。

各光変調部８２２〜８２４により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投射され、画像が拡大されて表示される。

以上のような構成のプロジェクター８００は、液晶ライトバルブ８３０に、上記本発明を適用した液晶装置１，５を用いることで、表示品質が高く、信頼性に優れたプロジェクター８００を提供することが可能である。

なお、本発明は、投写画像を観察する側から投写するフロント投写型プロジェクターと、投写画像を観察する側とは反対の側から投写するリア投写型プロジェクターとの何れの場合にも適用可能である。

なお、上記本発明を適用した液晶装置１，５０は、上記プロジェクター８００の液晶ライトバルブ８３０に好適に用いられるものの、本発明を適用した液晶装置は、上述したプロジェクターに限らず、例えば、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段としても用いることができ、何れにおいても信頼性が高く表示品質に優れた電子機器を提供することが可能である。

１，５０…液晶装置 ２…素子基板 ３…対向基板 ４…液晶層 ５…シール部材 １７…画素電極 １８…絶縁膜 １９…配向膜 ２０…共通電極 ２１…絶縁膜 ２２…配向膜 ８００…プロジェクター（電子機器） ８３０…液晶ライトバルブ（液晶装置）

Claims (5)

1. 素子基板と対向基板との間に液晶層が挟持された液晶装置において、
   前記素子基板の前記液晶層と対向する側の面には、少なくとも複数の画素電極と、これら複数の画素電極が形成された面上を覆う絶縁膜と、前記液晶層を配向させる配向膜とが設けられ、
   前記対向基板の前記液晶層と対向する側の面には、少なくとも共通電極と、この共通電極が形成された面上を覆う絶縁膜と、前記液晶層を配向させる配向膜とが設けられ、
   前記液晶層と前記絶縁膜との抵抗比が面内で均一となるように、前記液晶層の厚みに応じて前記絶縁膜のうち何れか一方又は両方の厚みを部分的に調整してなることを特徴とする液晶装置。
2. 前記絶縁膜の厚みは、前記液晶層の厚みが相対的に厚くなる箇所において、その厚みに応じて当該絶縁膜の厚みを厚くする、若しくは、前記液晶層の厚みが相対的に薄くなる箇所において、その厚みに応じて当該絶縁膜の厚みを薄くするように調整されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記素子基板と前記対向基板との間の周縁部がシール部材により封止され、このシール部材の一部を開放する注入口から液晶を注入する構成において、前記注入口を取り囲む領域内で前記絶縁膜の厚みが調整されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
4. 前記素子基板と前記対向基板との何れか一方の対向面の周縁部を取り囲むシール部材の内側に液晶を滴下した後、前記素子基板と前記対向基板とを前記シール部材を介して貼り合わせる構成において、前記シール部材の内側中央部分を取り囲む領域内で前記絶縁膜の厚みが調整されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
5. 請求項１〜４の何れか一項に記載の液晶装置を備える電子機器。

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