JP2012199376A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012199376A JP2012199376A JP2011062299A JP2011062299A JP2012199376A JP 2012199376 A JP2012199376 A JP 2012199376A JP 2011062299 A JP2011062299 A JP 2011062299A JP 2011062299 A JP2011062299 A JP 2011062299A JP 2012199376 A JP2012199376 A JP 2012199376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic force
- generation unit
- plasma
- processing apparatus
- line generation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003491 array Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 3
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 164
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 16
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】プラズマ処理装置10は、サセプタ12と対向して配置されるシャワーヘッド13の上面13aに配置される8つの磁石列27a〜30bを備え、該磁石列27a〜30bはシャワーヘッド13の上面13aにおいて同心円状に配置されるとともに、隣接する2つの磁石列からなる磁力線生成ユニット27〜30に分けられ、磁力線生成ユニット27〜30では、ヨーク27c〜30cが隣接する2つの磁石列の処理空間S側と反対側の各端部を互いに接続し、各磁力線生成ユニット27〜30が独立して処理空間Sに対して近接及び離脱自在である。
【選択図】図1
Description
S 処理空間
W ウエハ
10,31,36 プラズマ処理装置
12 サセプタ
13 シャワーヘッド
13a 上面
23 上部電極板
27,28,29,30,32,33,34,35,37,38,42 磁力線生成ユニット
27a,27b,28a,28b,29a,29b,30a,30b,42a,42b 磁石列
27c,28c,29c,30c,42c ヨーク
37a,38a 電磁石列
39 第2の直流電源
40 第3の高周波電源
Claims (13)
- 下部電極と、該下部電極と対向して配置される上部電極との間の処理空間においてプラズマを生じさせて前記下部電極に載置された基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記上部電極に関して前記処理空間とは反対側に配置される複数の磁石列を備え、
前記複数の磁石列の各々は前記上部電極の前記処理空間とは反対側の面において環状に配置され、且つ前記複数の磁石列の各々は平面視において1つ内側に配置された前記磁石列を囲むように配置され、
前記複数の磁石列は、隣接する2つの前記磁石列からなる少なくとも1つの磁力線生成ユニットに分けられ、前記少なくとも1つの磁力線生成ユニットでは、前記隣接する2つの前記磁石列の前記処理空間側とは反対側の各端部が互いに磁界的に接続され、
前記少なくとも1つの磁力線生成ユニットは、前記隣接する2つの前記磁石列の前記処理空間側の各端部の間において前記処理空間に進入する磁力線を生じさせ、さらに、前記処理空間において前記磁力線に起因する磁界の磁束密度を変化させることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記少なくとも1つの磁力線生成ユニットが前記処理空間に対して近接及び離脱自在であることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記少なくとも1つの磁力線生成ユニットが含む隣接する2つの磁石列のうち1つの磁石列が独立して前記処理空間に対して近接及び離脱自在であることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記少なくとも1つの磁力線生成ユニットにおいて、前記ヨークが前記隣接する2つの前記磁石列の前記処理空間側とは反対側の各端部の少なくとも1つと当接及び離脱自在であることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 少なくとも1つの前記環状に配置された磁石列が、当該磁石列の中心を中心として前記上部電極の面に沿って旋回することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記少なくとも1つの磁力線生成ユニットにおいて、前記隣接する2つの前記磁石列のうち少なくとも一方を電磁石によって構成することを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記上部電極に追加の直流電源又は追加の高周波電源を接続することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記磁力線生成ユニットは、1つの前記磁石列と、一端が該磁石列の前記処理空間側とは反対側の端部と接続し且つ他端が前記処理空間を指向するヨークとからなることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記磁力線生成ユニットは、前記処理空間側が開放された断面逆U字状の永久磁石の列からなることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記磁力線生成ユニットでは、前記隣接する2つの前記磁石列の前記処理空間側とは反対側の各端部が空間を介することなく互いに磁界的に接続されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記磁力線生成ユニットでは、前記隣接する2つの前記磁石列の前記処理空間側とは反対側の各端部が空間を介して互いに磁界的に接続されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記磁力線生成ユニットは前記空間の大きさを変化させることを特徴とする請求項11記載のプラズマ処理装置。
- 前記少なくとも1つの磁石列の中心が前記上部電極の面に沿う所定の領域内を移動可能に構成されていることを特徴とする請求項5記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011062299A JP5890609B2 (ja) | 2011-03-22 | 2011-03-22 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011062299A JP5890609B2 (ja) | 2011-03-22 | 2011-03-22 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012199376A true JP2012199376A (ja) | 2012-10-18 |
JP5890609B2 JP5890609B2 (ja) | 2016-03-22 |
Family
ID=47181315
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011062299A Active JP5890609B2 (ja) | 2011-03-22 | 2011-03-22 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5890609B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015220352A (ja) * | 2014-05-19 | 2015-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2016104076A1 (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 旭硝子株式会社 | プラズマcvd装置 |
JP2019186487A (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理装置の制御方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7091196B2 (ja) | 2018-09-04 | 2022-06-27 | キオクシア株式会社 | プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09186000A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JPH09263949A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-07 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JP2001196358A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Anelva Corp | プラズマエッチング装置 |
JP2002093784A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-29 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2004111432A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2005220368A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Ulvac Japan Ltd | プラズマcvd装置及び成膜方法 |
JP2006286813A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2008514810A (ja) * | 2004-09-28 | 2008-05-08 | オー・ツェー・エリコン・バルザース・アクチェンゲゼルシャフト | マグネトロンで成膜された基板を製造する方法、およびマグネトロンスパッタ源 |
WO2008108213A1 (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-12 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および記憶媒体 |
US20090205949A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Oerlikon Trading Ag, Truebbach | Magnetron sputtering source and arrangement with adjustable secondary magnet arrangement |
-
2011
- 2011-03-22 JP JP2011062299A patent/JP5890609B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09186000A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JPH09263949A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-07 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JP2001196358A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Anelva Corp | プラズマエッチング装置 |
JP2002093784A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-29 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2004111432A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2005220368A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Ulvac Japan Ltd | プラズマcvd装置及び成膜方法 |
JP2008514810A (ja) * | 2004-09-28 | 2008-05-08 | オー・ツェー・エリコン・バルザース・アクチェンゲゼルシャフト | マグネトロンで成膜された基板を製造する方法、およびマグネトロンスパッタ源 |
JP2006286813A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
WO2008108213A1 (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-12 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および記憶媒体 |
US20090205949A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Oerlikon Trading Ag, Truebbach | Magnetron sputtering source and arrangement with adjustable secondary magnet arrangement |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015220352A (ja) * | 2014-05-19 | 2015-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2016104076A1 (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 旭硝子株式会社 | プラズマcvd装置 |
EA034615B1 (ru) * | 2014-12-22 | 2020-02-27 | ЭйДжиСи Инк. | Аппарат для плазменного cvd |
JP2019186487A (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理装置の制御方法 |
JP7038593B2 (ja) | 2018-04-16 | 2022-03-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理装置の制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5890609B2 (ja) | 2016-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10651012B2 (en) | Substrate processing method | |
KR100781030B1 (ko) | 마그네트론 플라즈마용 자장 발생 장치 | |
KR102434088B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
TW521298B (en) | Method and apparatus for plasma forming inner magnetic bucket to control a volume of a plasma | |
JP2006114767A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2006511945A (ja) | 容量結合型プラズマを増強して局在化させるための方法および装置ならびに磁石アセンブリ | |
WO2004019398A1 (ja) | マグネトロンプラズマ用磁場発生装置 | |
JP5890609B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US9236226B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
US10699882B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
KR100844150B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 방법 | |
JP5650281B2 (ja) | プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置 | |
JP2011034705A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR100980288B1 (ko) | 자기 조절 메커니즘을 구비한 플라즈마 처리 장치 | |
JP5306425B2 (ja) | マグネトロンプラズマ用磁場発生装置 | |
KR100735747B1 (ko) | 플라즈마를 이용한 반도체 제조장치 | |
JP5306425B6 (ja) | マグネトロンプラズマ用磁場発生装置 | |
JP4123495B2 (ja) | マグネトロンプラズマ用磁場発生装置 | |
JP2018022899A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2004079915A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2004165266A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
KR20050008066A (ko) | 반도체 소자 제조용 플라즈마 반응기 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140314 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141009 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141021 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150421 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150603 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160209 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160219 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5890609 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |