JP2018022899A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
チャンバ内圧力:5.32Pa(40mTorr)
処理ガス:C4F8/C4F6/Ar/O2=35/10/400/20sccm
第1の高周波:周波数100MHz、電力300W、パルス周期50kHz、デューティー比20%
第2の高周波:周波数3.2MHzMHz、電力10000W
処理時間:60秒
[他の実施形態または変形例]
12 チャンバ(処理容器)
14 載置台
26 上部電極
18 (プラズマ生成用)の第1の高周波電源
20 (イオン引き込み用)の第2の高周波電源
32 電磁石
34 ヨーク部材
36,38,40,42 コイル
44 柱状部
46,48,50,52 円筒部
54 バックプレート部
56 コイル励起回路
60 制御部
Claims (5)
- 被処理基板に処理ガスのプラズマを作用させて処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記被処理基板を出し入れ可能に収容する処理容器と、
前記処理容器内に配設され、前記被処理基板が載置される下部電極と、
前記処理容器内に配設され、プラズマ生成空間を介して前記下部電極と対向する上部電極と、
前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電力を印加する高周波電源と、
前記処理容器の上部または上方で前記下部電極の中心を上下方向に通過する中心軸線を中心とする1つまたは複数の環状コイルを有する電磁石と、
前記電磁石の各環状コイルに励起電流を供給するための電磁石励起回路と、
前記被処理基板の上に形成されるイオンシースとバルクプラズマとの界面の勾配を制御するために、前記電磁石励起回路を通じて前記電磁石のいずれかの環状コイルを選択的に通電してその周囲に磁界を発生させる制御部と
を有し、
前記電磁石の環状コイルの1つが、半径方向において前記被処理基板の周辺部と外側とに跨るように配設されている、
プラズマ処理装置。 - 複数の前記環状コイルは、同じ面内で同心状に配置される、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電磁石は、各々の前記コイルの下面を除いてその内周面、外周面および上面を覆うヨークを有する、請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記上部電極と前記下部電極との間の電極間ギャップが、前記下部電極の中心を通る鉛直の中心軸線に対して軸対称のプロファイルを有し、半径方向において前記中心軸線から前記下部電極上に載置される前記被処理基板のエッジの位置に対応する第1の位置まで延びる第1の領域では均一な第1のギャップ幅を有し、前記第1の位置からそれより半径方向外側の第2の位置まで延びる第2の領域では前記第1のギャップ幅より小さい均一な第2のギャップ幅を有し、
前記被処理基板の周辺部の上でイオンシースとバルクプラズマとの界面の勾配を平坦化するために、前記被処理基板の周辺部と外側とに跨る環状コイルを選択的に通電させる、
請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置を用いて被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記被処理基板の上でイオンシースとバルクプラズマとの界面の勾配を平坦化することによって、プラズマエッチングにより前記被処理基板上の被エッチング材に形成されるパターンにチルティングが発生することを抑制することを特徴とするプラズマ処理方法。
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