JP2012191119A - 原子発振器用の光学モジュールおよび原子発振器 - Google Patents
原子発振器用の光学モジュールおよび原子発振器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012191119A JP2012191119A JP2011055432A JP2011055432A JP2012191119A JP 2012191119 A JP2012191119 A JP 2012191119A JP 2011055432 A JP2011055432 A JP 2011055432A JP 2011055432 A JP2011055432 A JP 2011055432A JP 2012191119 A JP2012191119 A JP 2012191119A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- optical filter
- atomic oscillator
- optical module
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 202
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 80
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 44
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 32
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 83
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000005699 Stark effect Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/26—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using energy levels of molecules, atoms, or subatomic particles as a frequency reference
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04F—TIME-INTERVAL MEASURING
- G04F5/00—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards
- G04F5/14—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards using atomic clocks
- G04F5/145—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards using atomic clocks using Coherent Population Trapping
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Ecology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
【解決手段】光学モジュール2は、量子干渉効果を利用する原子発振器用の光学モジュール2であって、所定の波長を有する基本波F、当該基本波の側帯波W1,W2、を含む光L1を出射する光源10と、光源10からの光が入射し、当該入射した光のうち側帯波W1,W2を透過させる波長選択部20と、アルカリ金属ガスを封入し、波長選択部20を透過した光L2が照射されるガスセル30と、ガスセル30に照射された光のうちガスセル30を透過した光の強度を検出する光検出部40と、を含み、波長選択部20は、所定の波長範囲の光を透過させる光フィルター部20aと、光フィルター部20aが透過させる光の波長範囲を変化させる光フィルター特性制御部20bと、を有する。
【選択図】図1
Description
量子干渉効果を利用する原子発振器用の光学モジュールであって、
所定の波長を有する基本波、当該基本波の側帯波、を含む光を出射する光源と、
前記光源からの光が入射し、当該入射した光のうち前記側帯波を透過させる波長選択部と、
アルカリ金属ガスを封入し、前記波長選択部を透過した光が照射されるガスセルと、
前記ガスセルに照射された光のうち前記ガスセルを透過した光の強度を検出する光検出部と、
を含み、
前記波長選択部は、
所定の波長範囲の光を透過させる光フィルター部と、
前記光フィルター部が透過させる光の波長範囲を変化させる光フィルター特性制御部と、
を有する。
前記光フィルター部は、エタロンであり、
前記光フィルター特性制御部は、電気光学効果によって、前記光フィルター部が透過させる光の波長範囲を変化させることができる。
前記光フィルター部は、
前記波長選択部に入射した光を反射させ、互いに対向する第1ミラーおよび第2ミラーと、
前記第1ミラーと前記第2ミラーとの間に配置された基板と、
を有し、
前記基板の材質は、化合物半導体であることができる。
前記光フィルター特性制御部は、前記基板に電圧を印加する第1電極および第2電極を有することができる。
さらに、化合物半導体の基体を含み、
前記光源は、半導体レーザーであり、
前記光フィルター部および前記光源は、前記基体上に位置し、
前記第1電極は、前記基体の前記光フィルター部が位置する側と反対側に位置し、
前記第2電極は、前記光フィルター部の前記基体が位置する側と反対側に位置することができる。
前記光フィルター部の前記基板は、前記基体側から積層された第1層、第2層、および第3層を有し、
前記第1層の屈折率および前記第3層の屈折率は、前記第2層の屈折率より小さく、
前記第2層は、前記光源から出射した光を伝播させることができる。
前記光源は、端面発光型レーザーであることができる。
前記光源は、面発光型レーザーであることができる。
本発明に係る原子発振器用の光学モジュールを含む。
量子干渉効果を利用する原子発振器用であって、
所定の波長を有する基本波、当該基本波の側帯波、を含む光を出射する光源と、
前記光源からの光が入射し、当該入射した光のうち前記側帯波を透過する波長選択部と、
アルカリ金属ガスを封入し、前記波長選択部を透過した光が照射されるガスセルと、
前記ガスセルに照射された光のうち前記ガスセルを透過した光の強度を検出する光検出部と、
を含み、
前記波長選択部は、
所定の波長範囲の光を選択して射出する光フィルター部と、
前記光フィルター部が選択する波長範囲を変化させる光フィルター特性制御部と、
を有する。
20a 光フィルター部、20b 光フィルター特性制御部、
30 ガスセル、40 光検出部、50 制御部、110 半導体レーザー、
112 第1半導体層、114 活性層、116 第2半導体層、
118,119 電極、120 波長選択装置、120a 光フィルター素子、
120b 光フィルター特性制御装置、121 第1ミラー、122 第2ミラー、
123 基板、124 第1層、125 第2層、126 第3層、
128 第1電極、129 第2電極、130 ガスセル、
140 光検出器、150 電流駆動回路、160 変調回路、170 基体、
180 プリズム
Claims (10)
- 量子干渉効果を利用する原子発振器用の光学モジュールであって、
所定の波長を有する基本波、当該基本波の側帯波、を含む光を出射する光源と、
前記光源からの光が入射し、当該入射した光のうち前記側帯波を透過させる波長選択部と、
アルカリ金属ガスを封入し、前記波長選択部を透過した光が照射されるガスセルと、
前記ガスセルに照射された光のうち前記ガスセルを透過した光の強度を検出する光検出部と、
を含み、
前記波長選択部は、
所定の波長範囲の光を透過させる光フィルター部と、
前記光フィルター部が透過させる光の波長範囲を変化させる光フィルター特性制御部と、
を有する、ことを特徴とする原子発振器用の光学モジュール。 - 前記光フィルター部は、エタロンであり、
前記光フィルター特性制御部は、電気光学効果によって、前記光フィルター部が透過させる光の波長範囲を変化させる、ことを特徴とする請求項1に記載の原子発振器用の光学モジュール。 - 前記光フィルター部は、
前記波長選択部に入射した光を反射させ、互いに対向する第1ミラーおよび第2ミラーと、
前記第1ミラーと前記第2ミラーとの間に配置された基板と、
を有し、
前記基板の材質は、化合物半導体である、ことを特徴とする請求項2に記載の原子発振器用の光学モジュール。 - 前記光フィルター特性制御部は、前記基板に電圧を印加する第1電極および第2電極を有する、ことを特徴とする請求項3に記載の原子発振器用の光学モジュール。
- さらに、化合物半導体の基体を含み、
前記光源は、半導体レーザーであり、
前記光フィルター部および前記光源は、前記基体上に位置し、
前記第1電極は、前記基体の前記光フィルター部が位置する側と反対側に位置し、
前記第2電極は、前記光フィルター部の前記基体が位置する側と反対側に位置する、ことを特徴とする請求項4に記載の原子発振器用の光学モジュール。 - 前記光フィルター部の前記基板は、前記基体側から積層された第1層、第2層、および第3層を有し、
前記第1層の屈折率および前記第3層の屈折率は、前記第2層の屈折率より小さく、
前記第2層は、前記光源から出射した光を伝播させる、ことを特徴とする請求項5に記載の原子発振器用の光学モジュール。 - 前記光源は、端面発光型レーザーである、ことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の原子発振器用の光学モジュール。
- 前記光源は、面発光型レーザーである、ことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の原子発振器用の光学モジュール。
- 請求項1ないし8のいずれか1項に記載の原子発振器用の光学モジュールを含む、ことを特徴とする原子発振器。
- 量子干渉効果を利用する原子発振器であって、
所定の波長を有する基本波、当該基本波の側帯波、を含む光を出射する光源と、
前記光源からの光が入射し、当該入射した光のうち前記側帯波を透過させる波長選択部と、
アルカリ金属ガスを封入し、前記波長選択部を透過した光が照射されるガスセルと、
前記ガスセルに照射された光のうち前記ガスセルを透過した光の強度を検出する光検出部と、
を含み、
前記波長選択部は、
所定の波長範囲の光を透過させる光フィルター部と、
前記光フィルター部が透過させる光の波長範囲を変化させる光フィルター特性制御部と、
を有する、ことを特徴とする原子発振器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011055432A JP5910806B2 (ja) | 2011-03-14 | 2011-03-14 | 原子発振器用の光学モジュールおよび原子発振器 |
EP12159014.5A EP2501044B1 (en) | 2011-03-14 | 2012-03-12 | Optical module for atomic oscillator and atomic oscillator |
CN201210064106.9A CN102684694B (zh) | 2011-03-14 | 2012-03-12 | 原子振荡器用光学模块以及原子振荡器 |
US13/418,688 US8638177B2 (en) | 2011-03-14 | 2012-03-13 | Optical module for atomic oscillator and atomic oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011055432A JP5910806B2 (ja) | 2011-03-14 | 2011-03-14 | 原子発振器用の光学モジュールおよび原子発振器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012191119A true JP2012191119A (ja) | 2012-10-04 |
JP2012191119A5 JP2012191119A5 (ja) | 2014-04-10 |
JP5910806B2 JP5910806B2 (ja) | 2016-04-27 |
Family
ID=45977171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011055432A Active JP5910806B2 (ja) | 2011-03-14 | 2011-03-14 | 原子発振器用の光学モジュールおよび原子発振器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8638177B2 (ja) |
EP (1) | EP2501044B1 (ja) |
JP (1) | JP5910806B2 (ja) |
CN (1) | CN102684694B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012199492A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Seiko Epson Corp | 光学モジュール及び原子発振器 |
JP2014157915A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Seiko Epson Corp | 量子干渉装置および原子発振器 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103454902B (zh) * | 2013-06-24 | 2015-12-09 | 苏州大学 | 一种原子钟 |
JP6234090B2 (ja) * | 2013-07-09 | 2017-11-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US9442293B2 (en) | 2014-05-06 | 2016-09-13 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Composite variable light attenuator |
US9746739B2 (en) | 2014-06-05 | 2017-08-29 | Microsoft Technology Licensing, Llc | See-through dimming panel |
WO2016205330A1 (en) | 2015-06-15 | 2016-12-22 | The Regents Of The University Of Michigan | Atom-based electromagnetic radiation electric-field sensor |
CN107579409B (zh) * | 2017-09-22 | 2019-06-18 | 合肥工业大学 | 一种明亮压缩态光场产生装置 |
US10823775B2 (en) | 2017-12-18 | 2020-11-03 | Rydberg Technologies Inc. | Atom-based electromagnetic field sensing element and measurement system |
US10656405B2 (en) * | 2018-01-20 | 2020-05-19 | International Business Machines Corporation | Color image capture under controlled environment for mobile devices |
CN110333651B (zh) * | 2019-07-15 | 2021-04-02 | 温州激光与光电子协同创新中心 | 基于相干布居数囚禁模式锁定的激光原子钟 |
CN110361604B (zh) * | 2019-07-23 | 2021-08-13 | 北京无线电计量测试研究所 | 电场探测量子组件和制备方法以及量子场强传感器 |
CN117269935B (zh) * | 2023-11-21 | 2024-03-29 | 中国科学技术大学 | 共振荧光激光雷达小口径单原子滤波器全接收光路 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004111717A1 (ja) * | 2003-06-13 | 2004-12-23 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | 波長可変光フィルタ |
JP2005037762A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Sun Tec Kk | 光学素子、波長可変光フィルタ、光アドドロップモジュールおよび波長可変光源 |
JP2010050162A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体波長可変レーザ |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6201821B1 (en) | 2000-06-05 | 2001-03-13 | Agilent Technologies, Inc. | Coherent population trapping-based frequency standard having a reduced magnitude of total a.c. stark shift |
US6806784B2 (en) * | 2001-07-09 | 2004-10-19 | The National Institute Of Standards And Technology | Miniature frequency standard based on all-optical excitation and a micro-machined containment vessel |
US6570459B1 (en) | 2001-10-29 | 2003-05-27 | Northrop Grumman Corporation | Physics package apparatus for an atomic clock |
AU2003224911A1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-10-27 | California Institute Of Technology | Atomic clock based on an opto-electronic oscillator |
US6900702B2 (en) | 2002-08-14 | 2005-05-31 | Honeywell International Inc. | MEMS frequency standard for devices such as atomic clock |
US6993058B2 (en) * | 2003-04-28 | 2006-01-31 | Agilent Technologies, Inc. | Coherent population trapping detector |
CN2664290Y (zh) * | 2003-06-24 | 2004-12-15 | 深圳市东方汉华软件技术有限公司 | 一种对振荡频率源进行温度补偿和频率校正的电路结构 |
JP4720635B2 (ja) | 2006-06-14 | 2011-07-13 | エプソントヨコム株式会社 | 原子発振器、受動形原子発振器、原子発振器の温度制御方法及び受動形原子発振器の温度制御方法 |
JP2009089116A (ja) | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Epson Toyocom Corp | 原子発振器用の光学モジュール |
JP5343356B2 (ja) | 2008-01-07 | 2013-11-13 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器 |
JP4952603B2 (ja) | 2008-02-05 | 2012-06-13 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器 |
US7944317B2 (en) * | 2008-08-11 | 2011-05-17 | Honeywell International Inc. | Cold atom micro primary standard |
JP5256999B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2013-08-07 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器の物理部 |
JP5429469B2 (ja) * | 2009-09-07 | 2014-02-26 | セイコーエプソン株式会社 | 量子干渉装置、原子発振器及び磁気センサー |
-
2011
- 2011-03-14 JP JP2011055432A patent/JP5910806B2/ja active Active
-
2012
- 2012-03-12 CN CN201210064106.9A patent/CN102684694B/zh active Active
- 2012-03-12 EP EP12159014.5A patent/EP2501044B1/en not_active Not-in-force
- 2012-03-13 US US13/418,688 patent/US8638177B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004111717A1 (ja) * | 2003-06-13 | 2004-12-23 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | 波長可変光フィルタ |
JP2005037762A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Sun Tec Kk | 光学素子、波長可変光フィルタ、光アドドロップモジュールおよび波長可変光源 |
JP2010050162A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体波長可変レーザ |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
I.H.CHOI, ET AL.: ""Carrier suppression of phase modulated beam using optical cavity for coherent population trapping c", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 49, no. 11, JPN6015003288, November 2010 (2010-11-01), pages 112801 - 1, ISSN: 0002994003 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012199492A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Seiko Epson Corp | 光学モジュール及び原子発振器 |
JP2014157915A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Seiko Epson Corp | 量子干渉装置および原子発振器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102684694A (zh) | 2012-09-19 |
CN102684694B (zh) | 2017-04-12 |
US20120235756A1 (en) | 2012-09-20 |
US8638177B2 (en) | 2014-01-28 |
EP2501044B1 (en) | 2014-02-26 |
EP2501044A1 (en) | 2012-09-19 |
JP5910806B2 (ja) | 2016-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5910806B2 (ja) | 原子発振器用の光学モジュールおよび原子発振器 | |
JP5699467B2 (ja) | 光学モジュールおよび原子発振器 | |
JP5910808B2 (ja) | 原子発振器用の光学モジュールおよび原子発振器 | |
JP5910807B2 (ja) | 原子発振器用の光学モジュールおよび原子発振器 | |
JP6056118B2 (ja) | 光学モジュール及び原子発振器 | |
JP2019062036A (ja) | 変調光源 | |
JP5700056B2 (ja) | 光学モジュールおよび原子発振器 | |
JP2015128172A (ja) | 光学モジュールおよび原子発振器 | |
JP2015082763A (ja) | 光学モジュールおよび原子発振器 | |
JP2010102045A (ja) | モード同期半導体レーザ | |
US20130044773A1 (en) | Optical sources having proximity coupled laser source and waveguide | |
JP2016072371A (ja) | 原子発振器 | |
JP2013229357A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ及びotdr装置 | |
Angstrom | Alexandrite A synthetic crystal doped with chromium to form a tunable solid-state laser that emits near-infrared light. Amplifier An optical device that increases the power of an input optical signal by stimulated emission, but which lacks res-onator mirrors. | |
JP2015079886A (ja) | 光学モジュールおよび原子発振器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140226 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140226 |
|
RD07 | Notification of extinguishment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7427 Effective date: 20140619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150327 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151029 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160302 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160315 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5910806 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |