JP2012174736A - プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法 - Google Patents
プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】プラズマ成膜装置は、真空チャンバと第1の電極とで成膜室が形成され、前記成膜室内に前記第1の電極に対向して配置された第2の電極上に被成膜基板が載置され、前記第1の電極と前記第2の電極との間に発生させたプラズマを用いて成膜をおこなうプラズマ成膜装置であって、前記第1の電極における前記第2の電極に対向する第1の主面の反対側の第2の主面は複数の給電点を有し、前記複数の給電点のそれぞれには、パルス変調された高周波電力が給電され、前記高周波におけるパルスは、on時間における第1の期間に第1の電力を有し、前記on時間における前記第1の期間に続く第2の期間に第2の電力を有し、前記第1の電力は、前記第2の電力より5%以上高い。
【選択図】図5
Description
実施の形態にかかるプラズマ成膜装置100の構成について図1を用いて説明する。図1は、実施の形態にかかるプラズマ成膜装置100の構成を概略的に示す断面図である。
2 ステージ
3 排気口
4 絶縁フランジ
5 電極
5a 第1の主面
5b 第2の主面
5b1、5b2 短辺
6 ガス供給口
7 シャワープレート
8 成膜室
9 被成膜基板
10a、10b、10c、10d 高周波電源
21 信号発生器
22 分配器
23 位相器
23a、23b、23c、23d 位相調整部
24a、24b、24c、24d オン/オフ切り替え器
25a、25b、25c、25d 高周波アンプ
26a、26b、26c、26d マッチャー
27a、27b、27c、27d 給電点
100 プラズマ成膜装置
Claims (5)
- 真空チャンバと第1の電極とで成膜室が形成され、前記成膜室内に前記第1の電極に対向して配置された第2の電極上に被成膜基板が載置され、前記第1の電極と前記第2の電極との間に発生させたプラズマを用いて成膜をおこなうプラズマ成膜装置であって、
前記第1の電極における前記第2の電極に対向する第1の主面の反対側の第2の主面は複数の給電点を有し、
前記複数の給電点のそれぞれには、パルス変調された高周波電力が給電され、
前記高周波におけるパルスは、on時間における第1の期間に第1の電力を有し、前記on時間における前記第1の期間に続く第2の期間に第2の電力を有し、
前記第1の電力は、前記第2の電力より5%以上高い
ことを特徴とするプラズマ成膜装置。 - 前記第1の期間は、前記on時間における最初の5%以上20%以下の期間であり、
前記第2の期間は、前記on時間における残りの期間である
ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ成膜装置。 - 前記複数の給電点は、
第1の給電点と、
前記第1の給電点より大きな高周波電力が給電される第2の給電点と、
を有し、
前記第1の給電点における前記第1の電力の前記第2の電力に対する割合は、前記第2の給電点における前記第1の電力の前記第2の電力に対する割合より大きい
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ成膜装置。 - 真空チャンバと第1の電極とで成膜室が形成され、前記成膜室内に前記第1の電極に対向して配置された第2の電極上に被成膜基板が載置され、前記第1の電極と前記第2の電極との間に発生させたプラズマを用いて成膜をおこなうプラズマ成膜方法であって、
前記第1の電極における前記第2の電極に対向する第1の主面の反対側の第2の主面は複数の給電点を有し、
前記プラズマ成膜方法は、前記複数の給電点のそれぞれに、パルス変調された高周波電力が給電される給電工程を含み、
前記給電工程は、
前記複数の給電点のそれぞれに第1の電力を給電する第1の工程と、
前記第1の工程に続いて、前記複数の給電点のそれぞれに第2の電力を給電する第2の工程と、
を含み、
前記第1の電力は、前記第2の電力より5%以上高い
ことを特徴とするプラズマ成膜方法。 - 前記第1の工程は、パルスのon時間における最初の5%乃至20%の期間に行われ、
前記第2の工程は、前記on時間における残りの期間に行われる
ことを特徴とする請求項4に記載のプラズマ成膜方法。
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