JP2012169269A - 荷電粒子顕微鏡に用いられる検出方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】粒子光学鏡筒を用いて、荷電粒子の結像ビームを試料へ案内する手順、前記結像ビームを前記試料へ照射することで、前記試料から出力放射線束を放出させる手順、検出器を用いて前記出力放射線の少なくとも一部を検査する手順に加え、調節可能な電気バイアスを供する電源と接続する固体光電子増倍管を有するように前記検出器を実装する手順、前記固体光電子増倍管の利得値を調節するように前記バイアスを調節する手順、前記固体光電子増倍管が、該固体光電子増倍管の飽和閾値未満で動作するように、前記利得値を、前記放射線束の大きさに一致させる手順である。
【選択図】図1
Description
− 調節可能な電気バイアスを供する電源と接続する固体光電子増倍管を有するように前記検出器を実装する手順、
− 前記固体光電子増倍管の利得値を調節するように前記バイアスを調節する手順、
− 前記固体光電子増倍管が、該固体光電子増倍管の飽和閾値未満で動作するように、前記利得値を、前記放射線束の大きさに一致させる手順、
によって特徴付けられる。
− 多画素光子計測器の温度を可能な限り安定に保つ努力をすることによる予防;
− 多画素光子計測器(で)の温度を連続的に監視し、かつ、その変化を、印加されたバイアス値への適切な(微)調整によって補償する補正;
である。
− 多画素光子計測器は、本発明に従って、入射光放射線−たとえばCL放射線−を直接測定するのに用いられて良い。係る測定は、シンチレータのような中間変換素子を必要としない。
− 多画素光子計測器は、本発明に従って、粒子束(たとえば2次若しくは後方散乱電子又はイオン)を光子に変換するシンチレータを用いることによって、入射粒子放射線を間接的に測定するのに用いられて良い。変換された光子はその後多画素光子計測器に衝突する。
− バイアス/利得曲線における様々な地点で、多画素光子計測器が生成する利得の機構が変化する。
− 74V以上のバイアス値では、当該装置は、製造者が開発したように、公称光子計数モードをとる。
− 74V以下−たとえば70〜74V−のバイアス値では、アバランシェ放出の確率が減少し、アバランシェは低い利得を有し、かつ、回復時間は短くなる。その結果当該装置は、飽和することなく、低利得で高い入射放射線量を処理することができる。
− さらに低い−たとえば40〜70Vの−バイアス値では、当該装置は、もはやガイガーモードでは動作せず、その代わりに通常のAPD特性を示す。つまり飽和効果を示さず、内部利得は10〜100である(2次電子は生成されるが、降伏効果からは電子は生成されない)。
− またさらに低い−たとえば0〜40Vの−バイアス値では、内部利得は存在しない。当該装置は通常のフォトダイオードとして機能する。つまり1つの光子が1つの電子正孔対を生成する。
3 シンチレータ
5 介装層
7 絶縁ジャケット
9 信号ケーブル
100 粒子光学軸
101 電子銃
102 偏向器
103 アパーチャ
104 磁気レンズ
105 対物レンズ
106 レンズ
107 蛍光スクリーン
108 窓
109 蝶番
111 試料
112 試料ホルダ
120 真空筐体
121 管
122 真空ポンプ
130 補助検出器
151 1次検出器
400 SEM
402 SEM鏡筒
404 結像ビーム
406 真空チャンバ
408 試料台
410 試料
412 電子源
414 電磁レンズ
416 電磁レンズ
418 偏向ユニット
420 検出器
422 電源
424 制御装置
426 ディスプレイ
430 センサ
432 中心アパーチャ
500 集束イオンビーム(FIB)装置
502 真空チャンバ
504 加工片(試料)
506 加工片(試料)ホルダ
508 FIB
510 FIB鏡筒
512 イオン源
514 光軸
516a,b 電磁レンズ
518 偏向器
520 気体注入システム(GIS)
522 キャピラリ
524 貯蔵室
526 バルブ
530 検出器
532 制御装置
534 モニタ
Claims (9)
- 荷電粒子顕微鏡を用いた試料の調査方法であって:
粒子光学鏡筒を有する荷電粒子顕微鏡を供する手順;
前記粒子光学鏡筒を用いて、荷電粒子の結像ビームを前記試料へ案内する手順;
前記結像ビームを前記試料へ照射することで、前記試料から出力放射線束を放出させる手順;
検出器を用いて前記出力放射線の少なくとも一部を検査する手順;
調節可能な電気バイアスを供する電源と接続する固体光電子増倍管を有するように前記検出器を実装する手順;
前記固体光電子増倍管の利得値を調節するように前記バイアスを調節する手順;
前記固体光電子増倍管が、該固体光電子増倍管の飽和閾値未満で動作するように、前記利得値を、前記放射線束の大きさに一致させる手順;
を有する方法。 - 前記出力放射線の少なくとも一部が粒子放射線を有し、
シンチレータが、前記出力放射線の少なくとも一部を光放射線に変換するのに用いられ、かつ
前記光放射線は、前記固体光電子増倍管へ導光される、
請求項1に記載の方法。 - 前記シンチレータ及び固体光電子増倍管が、介装された光学的に透明な分離層と共に、積層構造中においてサンドイッチ状態で設けられ、かつ、
前記積層構造が、絶縁材料のジャケット内で部分的に封止されることで、前記シンチレータの少なくとも一部が曝露される、
請求項2に記載の方法。 - 前記検出器が、前記結像ビーム及び試料の交差点の周りに設けられた複数の固体光電子増倍管を有する空間的に分布した構造である、請求項1乃至3のいずれかに記載の方法。
- 前記検出器が、前記粒子光学鏡筒内部に設けられている、請求項1乃至4のいずれかに記載の方法。
- 前記試料ホルダが、前記粒子光学鏡筒の電磁場内部に前記試料を設けるように実装される、請求項5に記載の方法。
- 前記荷電粒子顕微鏡が、走査型電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡、走査型透過電子顕微鏡、集束イオンビーム装置、電子ビーム誘起堆積装置、イオンビーム誘起堆積装置、デュアルビーム荷電粒子顕微鏡、限界寸法顕微鏡、及び/又はリソグラフィ装置からなる群から選ばれる、請求項1乃至6のいずれかに記載の方法。
- 前記検出器が、固体光電子増倍管、オンチップの画素化されたアバランシェフォトダイオードアレイ、多画素光子計測器からなる群から選ばれる、請求項1乃至7のいずれかに記載の方法。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載の方法を実行するように構築及び配備された荷電粒子顕微鏡。
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