JP2012166999A - Method for manufacturing glass substrate for interposer, method for manufacturing interposer, glass substrate for interposer, and interposer - Google Patents

Method for manufacturing glass substrate for interposer, method for manufacturing interposer, glass substrate for interposer, and interposer Download PDF

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Kenji Kitaoka
賢治 北岡
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a glass substrate for an interposer, easily handleable of the glass substrate, and furthermore, formable of fine through-holes in the glass substrate.SOLUTION: The method for manufacturing a glass substrate for an interposer having at least one through-hole includes: (a) a process of preparing a glass substrate having a first surface and a second surface, and having a first thickness; (b) a process of forming a thin-walled part thinner than the thickness of the first thickness on the first surface of the glass substrate, and thereby, forming the thin-walled part, and a thick-walled part surrounding the thin-walled part; and (c) a process of forming at least one through-hole in a region within the thin-walled part.

Description

本発明は、インターポーザ用のガラス基板およびインターポーザ、ならびにこれらの製造方法に関する。   The present invention relates to a glass substrate and an interposer for an interposer, and a manufacturing method thereof.

一般に、レーザアブレーション法では、被加工対象となる基板材料に微細パターンを形成することができるため、レーザアブレーション法は、小型化や高密度実装化の必要な半導体素子製造分野において、広く利用されている(例えば特許文献1、2)。   In general, the laser ablation method can form a fine pattern on a substrate material to be processed. Therefore, the laser ablation method is widely used in the field of semiconductor element manufacturing that requires miniaturization and high-density mounting. (For example, Patent Documents 1 and 2).

最近では、ガラス基板のような透明基板に対しても、エキシマレーザのようなレーザ光を用いたレーザアブレーション法により、微細パターンおよびビア用の貫通孔のような構造物を形成できることが明らかになっている。   Recently, it has become clear that structures such as through holes for fine patterns and vias can be formed on transparent substrates such as glass substrates by laser ablation using laser light such as excimer lasers. ing.

例えば、特許文献3には、板状ガラスにレーザ光を照射することにより、複数の貫通孔(ビア)を形成して、インターポーザ用ガラス基板を製造する方法が開示されている。   For example, Patent Document 3 discloses a method of manufacturing a glass substrate for an interposer by forming a plurality of through holes (vias) by irradiating a plate glass with laser light.

特開2005−88045号公報JP 2005-88045 A 特開2002−126886号公報JP 2002-126886 A 国際公開第WO2010/087483号パンフレットInternational Publication No. WO2010 / 087483 Pamphlet

半導体素子製造の分野では、素子のさらなる微細化および高密度化が要求されており、インターポーザ用ガラス基板に対しても、貫通孔(ビア)の微細化に対するニーズは、今後益々高まっていくものと予想される。   In the field of semiconductor element manufacturing, further miniaturization and higher density of elements are required, and the need for miniaturization of through-holes (vias) will increase further in the future for glass substrates for interposers. is expected.

ここで、特許文献3におけるインターポーザ用ガラス基板を製造する方法では、厚さが0.05mm以上0.4mm以下の板状ガラスの表面にレーザ光を照射することにより、貫通孔が形成されることが示されている。   Here, in the method for producing a glass substrate for interposer in Patent Document 3, a through hole is formed by irradiating the surface of a plate glass having a thickness of 0.05 mm or more and 0.4 mm or less with laser light. It is shown.

しかしながら、このような方法では、以下の理由から、微細な貫通孔(例えば、直径10μmφ以下の貫通孔)を適正に形成することは難しいという問題がある。   However, in such a method, there is a problem that it is difficult to properly form a fine through hole (for example, a through hole having a diameter of 10 μmφ or less) for the following reason.

通常、レーザアブレーション法により形成された貫通孔は、ガラス基板の第1の表面(レーザ光から近い側)から第2の表面(レーザ光から遠い側)に向かって直径が減少したテーパ形状を有する。そのため、第1の表面側からレーザ光を照射して、微細な貫通孔を形成しようとした場合、第2の表面側まで穴が進展せず、第2の表面に開口が形成されない場合が生じ得るからである。   Usually, the through-hole formed by the laser ablation method has a tapered shape with a diameter decreasing from the first surface (side closer to the laser beam) to the second surface (side farther from the laser beam) of the glass substrate. . Therefore, when a fine through-hole is formed by irradiating laser light from the first surface side, the hole does not extend to the second surface side, and an opening may not be formed on the second surface. Because you get.

このように、通常のレーザアブレーション法では、貫通孔の直径をある程度(例えば、直径10μmφ)以下まで減少させることは難しく、このため、通常の方法では、微細な貫通孔を高密度で配置することには限界がある。   As described above, in the normal laser ablation method, it is difficult to reduce the diameter of the through hole to a certain extent (for example, a diameter of 10 μmφ) or less. For this reason, in the normal method, fine through holes are arranged at a high density. Has its limits.

また、この問題に対処するため、ガラス基板の厚さを薄くした場合、加工工程および搬送工程など、ガラス基板の取扱の際に、ガラス基板が破損したり、ガラス基板に欠けが生じたりするおそれが高くなる。すなわち、薄いガラス基板では、強度が低下し、ガラス基板のハンドリングが難しくなるという問題が生じ得る。   In addition, in order to deal with this problem, when the thickness of the glass substrate is reduced, the glass substrate may be damaged or the glass substrate may be chipped during handling of the glass substrate such as a processing step and a conveyance step. Becomes higher. That is, in a thin glass substrate, the strength is lowered, and it may be difficult to handle the glass substrate.

本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、ハンドリングが容易な上、微細な貫通孔を形成できる、インターポーザ用のガラス基板の製造方法の提供を目的とする。また、本発明では、そのような特徴を有するインターポーザの製造方法、インターポーザ用のガラス基板、およびそのようなガラス基板を含むインターポーザを提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of such a background, and this invention aims at provision of the manufacturing method of the glass substrate for interposers which can form a fine through-hole while being easy to handle. Another object of the present invention is to provide a method for producing an interposer having such characteristics, a glass substrate for an interposer, and an interposer including such a glass substrate.

本発明(第1発明)では、
少なくとも一つの貫通孔を有するインターポーザ用ガラス基板の製造方法であって、
(a)第1の表面および第2の表面を有し、第1の厚さを有するガラス基板を準備する工程と、
(b)前記ガラス基板の前記第1の表面に、前記第1の厚さより薄い薄肉部を形成する工程であって、これにより、前記薄肉部と、該薄肉部を取り囲む厚肉部とが形成される工程と、
(c)前記薄肉部内の領域に、少なくとも一つの貫通孔を形成する工程と、
を含む製造方法が提供される。
In the present invention (first invention)
A method for producing a glass substrate for an interposer having at least one through hole,
(A) preparing a glass substrate having a first surface and a second surface and having a first thickness;
(B) forming a thin portion thinner than the first thickness on the first surface of the glass substrate, thereby forming the thin portion and the thick portion surrounding the thin portion; A process to be performed;
(C) forming at least one through hole in the region within the thin portion;
A manufacturing method is provided.

ここで、本発明によるインターポーザ用ガラス基板の製造方法において、前記薄肉部は、前記ガラス基板の周縁部を除く領域に形成されても良い。   Here, in the manufacturing method of the glass substrate for interposers by this invention, the said thin part may be formed in the area | region except the peripheral part of the said glass substrate.

また、本発明によるインターポーザ用ガラス基板の製造方法において、前記薄肉部は、前記ガラス基板の前記第1の表面に、複数形成されても良い。   In the method for manufacturing a glass substrate for an interposer according to the present invention, a plurality of the thin portions may be formed on the first surface of the glass substrate.

また、本発明によるインターポーザ用ガラス基板の製造方法において、前記第1の厚さは、0.1mm〜5mmの範囲であっても良い。   In the method for manufacturing a glass substrate for an interposer according to the present invention, the first thickness may be in a range of 0.1 mm to 5 mm.

また、本発明によるインターポーザ用ガラス基板の製造方法において、前記薄肉部の厚さは、5μm以上100μm未満であっても良い。   Moreover, in the manufacturing method of the glass substrate for interposers by this invention, the thickness of the said thin part may be 5 micrometers or more and less than 100 micrometers.

また、本発明によるインターポーザ用ガラス基板の製造方法において、前記貫通孔の直径は、5μm〜100μmの範囲であっても良い。   In the method for manufacturing a glass substrate for an interposer according to the present invention, the diameter of the through hole may be in the range of 5 μm to 100 μm.

また、本発明によるインターポーザ用ガラス基板の製造方法において、前記(b)の工程は、前記ガラス基板をエッチングして、前記薄肉部を形成する工程を有しても良い。   Moreover, in the manufacturing method of the glass substrate for interposers by this invention, the process of said (b) may have a process of etching the said glass substrate and forming the said thin part.

また、本発明によるインターポーザ用ガラス基板の製造方法において、前記(c)の工程は、前記薄肉部内の領域にレーザ光を照射する工程を有しても良い。   Moreover, in the manufacturing method of the glass substrate for interposers by this invention, the process of said (c) may have the process of irradiating a laser beam to the area | region in the said thin part.

また、本発明によるインターポーザ用ガラス基板の製造方法において、前記レーザ光は、エキシマレーザ光、YAGレーザ光、またはCOレーザ光であっても良い。 In the method of manufacturing a glass substrate for an interposer according to the present invention, the laser light may be excimer laser light, YAG laser light, or CO 2 laser light.

また、本発明によるインターポーザ用ガラス基板の製造方法において、前記(b)の工程は、さらに、前記ガラス基板の前記第2の表面に、第2の薄肉部を形成する工程を有しても良い。   In the method for manufacturing a glass substrate for an interposer according to the present invention, the step (b) may further include a step of forming a second thin portion on the second surface of the glass substrate. .

また、本発明によるインターポーザ用ガラス基板の製造方法は、さらに、
(d)前記ガラス基板を切断する工程
を有しても良い。
The method for producing a glass substrate for an interposer according to the present invention further comprises:
(D) You may have the process of cut | disconnecting the said glass substrate.

この場合、前記(d)の工程は、前記ガラス基板を前記厚肉部に沿って切断する工程を有しても良い。   In this case, the step (d) may include a step of cutting the glass substrate along the thick portion.

また、本発明(第2発明)では、
インターポーザの製造方法であって、
(A)貫通孔を有するガラス基板を準備する工程であって、前記ガラス基板は、前述の第1発明のような特徴を有する、インターポーザ用ガラス基板の製造方法によって製造されたガラス基板である工程と、
(B)前記ガラス基板の前記第2の表面に、前記貫通孔と対応するように設置された貫通開口を有する絶縁層を形成する工程と、
(C)前記絶縁層の上部に、導電性材料の導電層を設置する工程であって、前記導電性材料は、前記貫通孔および前記貫通開口を充填する工程と、
(D)前記導電層の上部に、樹脂層を設置する工程と、
を有することを特徴とするインターポーザの製造方法が提供される。
In the present invention (second invention),
An interposer manufacturing method comprising:
(A) A step of preparing a glass substrate having a through-hole, wherein the glass substrate is a glass substrate manufactured by the method for manufacturing a glass substrate for an interposer having the characteristics as described in the first invention. When,
(B) forming an insulating layer having a through-opening installed on the second surface of the glass substrate so as to correspond to the through-hole;
(C) a step of installing a conductive layer of a conductive material on the insulating layer, the conductive material filling the through hole and the through opening;
(D) installing a resin layer on top of the conductive layer;
A method for manufacturing an interposer is provided.

また、本発明(第3発明)では、
インターポーザの製造方法であって、
(i)第1の表面および第2の表面を有するガラス基板を準備する工程であって、前記ガラス基板は、前記第1の表面に、厚肉部に取り囲まれた薄肉部を有する工程と、
(ii)前記ガラス基板の前記第2の表面に、絶縁層を設置する工程と、
(iii)前記絶縁層から前記ガラス基板の前記薄肉部までを貫通する、少なくとも一つの貫通孔を形成する工程と、
(iv)前記絶縁層上の少なくとも一部に、導電性材料の導電層を設置する工程であって、前記導電性材料は、前記貫通孔を充填する工程と、
(v)前記導電層の上部に、樹脂層を設置するステップと、
を有するインターポーザの製造方法が提供される。
In the present invention (third invention),
An interposer manufacturing method comprising:
(I) a step of preparing a glass substrate having a first surface and a second surface, wherein the glass substrate has a thin portion surrounded by a thick portion on the first surface;
(Ii) installing an insulating layer on the second surface of the glass substrate;
(Iii) forming at least one through hole penetrating from the insulating layer to the thin portion of the glass substrate;
(Iv) a step of installing a conductive layer of a conductive material on at least a part of the insulating layer, the conductive material filling the through hole;
(V) installing a resin layer on top of the conductive layer;
An interposer manufacturing method is provided.

また、本発明(第4発明)では、
少なくとも一つの貫通孔を有するインターポーザ用ガラス基板であって、
薄肉部と、該薄肉部を取り囲む厚肉部とを有し、
前記貫通孔は、前記薄肉部の領域に形成されていることを特徴とするインターポーザ用ガラス基板が提供される。
In the present invention (fourth invention),
An interposer glass substrate having at least one through hole,
A thin portion and a thick portion surrounding the thin portion;
An interposer glass substrate is provided in which the through hole is formed in a region of the thin portion.

ここで、本発明によるインターポーザ用ガラス基板において、前記厚肉部の厚さは、0.1mm〜5mmの範囲であっても良い。   Here, in the glass substrate for an interposer according to the present invention, the thickness of the thick portion may be in a range of 0.1 mm to 5 mm.

また、本発明によるインターポーザ用ガラス基板において、前記薄肉部の厚さは、5μm以上100μm未満であっても良い。   In the glass substrate for an interposer according to the present invention, the thin portion may have a thickness of 5 μm or more and less than 100 μm.

また、本発明によるインターポーザ用ガラス基板において、前記貫通孔の直径は、
5μm〜100μmの範囲であっても良い。
In the glass substrate for an interposer according to the present invention, the diameter of the through hole is
It may be in the range of 5 μm to 100 μm.

また、本発明(第5発明)では、
ガラス層内に形成され導電性材料が充填された少なくとも一つのビアと、前記導電性材料と電気的に接続された配線層と、該配線層の上部に配置された樹脂層とを有するインターポーザであって、
前記ビアは、前述の第4発明のようなインターポーザ用ガラス基板の前記貫通孔で構成されることを特徴とするインターポーザが提供される。
In the present invention (the fifth invention),
An interposer having at least one via formed in a glass layer and filled with a conductive material, a wiring layer electrically connected to the conductive material, and a resin layer disposed on the wiring layer There,
The via is constituted by the through hole of the glass substrate for interposer as in the fourth invention described above.

本発明ではハンドリングが容易な上、微細な貫通孔を形成できる、インターポーザ用のガラス基板の製造方法を提供することができる。また、本発明では、そのような特徴を有するインターポーザの製造方法、インターポーザ用のガラス基板、およびそのようなガラス基板を含むインターポーザを提供できる。   The present invention can provide a method for producing a glass substrate for an interposer that is easy to handle and can form fine through holes. Moreover, in this invention, the manufacturing method of the interposer which has such a characteristic, the glass substrate for interposers, and the interposer containing such a glass substrate can be provided.

本発明によるインターポーザ用ガラス基板の製造方法のフローの一例を概略的に示した図である。It is the figure which showed roughly an example of the flow of the manufacturing method of the glass substrate for interposers by this invention. 薄肉部および厚肉部の配置形態の一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the arrangement | positioning form of a thin part and a thick part. 薄肉部および厚肉部の配置形態の一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the arrangement | positioning form of a thin part and a thick part. 薄肉部および厚肉部の配置形態の一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the arrangement | positioning form of a thin part and a thick part. 薄肉部および厚肉部の配置形態の一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the arrangement | positioning form of a thin part and a thick part. レーザアブレーション法により、ガラス基板の薄肉部に貫通孔を形成する際に使用される装置構成の一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the apparatus structure used when forming a through-hole in the thin part of a glass substrate by the laser ablation method. ガラス基板の切断位置を概略的に示した図である。It is the figure which showed the cutting position of the glass substrate roughly. ガラス基板の切断位置を概略的に示した図である。It is the figure which showed the cutting position of the glass substrate roughly. 本発明によるインターポーザの製造方法の各工程における構成部材の一例を示した断面図である。It is sectional drawing which showed an example of the structural member in each process of the manufacturing method of the interposer by this invention. インターポーザの第2の製造方法のフローの一例を概略的に示した図である。It is the figure which showed roughly an example of the flow of the 2nd manufacturing method of an interposer. 図10の各工程における構成部材の構成の一例を概略的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed roughly an example of the structure of the structural member in each process of FIG. 複数の薄肉部が形成された板ガラスの上面図を示した図である。It is the figure which showed the upper side figure of the plate glass in which the some thin part was formed. 図12の板ガラスのA−A線での断面図を示した図である。It is the figure which showed sectional drawing in the AA of the plate glass of FIG.

前述のように、一般に、レーザアブレーション法を利用した、貫通孔を有するインターポーザ用ガラス基板の製造方法では、形成される貫通孔は、ガラス基板の第1の表面(レーザ光から近い側)から第2の表面(レーザ光から遠い側)に向かって直径が減少したテーパ形状となる傾向にある。従って、これまでのような方法では、厚さが100μmを上回るようなガラス基板の場合、貫通孔の直径をある程度(例えば、直径10μmφ)以下まで減少させることは難しく、このため、通常の方法では、ガラス基板内に微細な貫通孔を高密度で配置することには限界がある。   As described above, in general, in a method for manufacturing a glass substrate for an interposer having a through hole using a laser ablation method, the through hole to be formed is first from the first surface (side closer to the laser beam) of the glass substrate. It tends to become a tapered shape with a diameter decreasing toward the surface of 2 (the side far from the laser beam). Therefore, in the conventional method, in the case of a glass substrate having a thickness exceeding 100 μm, it is difficult to reduce the diameter of the through hole to a certain extent (for example, a diameter of 10 μmφ) or less. There is a limit to disposing fine through holes at high density in a glass substrate.

また、この問題に対処するため、ガラス基板の厚さを薄くした場合、加工工程および搬送工程など、ガラス基板のハンドリングの際に、ガラス基板が破損したり、ガラス基板に欠けが生じたりするおそれが高くなる。すなわち、薄いガラス基板では、強度が低下し、ガラス基板のハンドリング性が難しくなるという問題が生じ得る。   In addition, in order to cope with this problem, when the thickness of the glass substrate is reduced, the glass substrate may be damaged or the glass substrate may be chipped during handling of the glass substrate such as a processing step and a conveyance step. Becomes higher. That is, in a thin glass substrate, a problem may arise that strength is lowered and handling of the glass substrate becomes difficult.

これに対して、本発明では、
少なくとも一つの貫通孔を有するインターポーザ用ガラス基板の製造方法であって、
(a)第1の表面および第2の表面を有し、第1の厚さを有するガラス基板を準備する工程と、
(b)前記ガラス基板の前記第1の表面に、前記第1の厚さより薄い薄肉部を形成する工程であって、これにより、前記薄肉部と、該薄肉部を取り囲む厚肉部とが形成される工程と、
(c)前記薄肉部内の領域に、少なくとも一つの貫通孔を形成する工程と、
を含むことを特徴とする製造方法が提供される。
In contrast, in the present invention,
A method for producing a glass substrate for an interposer having at least one through hole,
(A) preparing a glass substrate having a first surface and a second surface and having a first thickness;
(B) forming a thin portion thinner than the first thickness on the first surface of the glass substrate, thereby forming the thin portion and the thick portion surrounding the thin portion; A process to be performed;
(C) forming at least one through hole in the region within the thin portion;
The manufacturing method characterized by including is provided.

ここで、本願において、ガラス基板の「第1の厚さ」とは、第1の表面および第2の表面を有するガラス基板において、第1の表面と第2の表面が略平行な場合、第1の表面と第2の表面の間の距離を意味する。略平行とは、目視で並行であることを意味する。一方、ガラス基板の第1の表面と第2の表面が相互に平行ではない場合、ガラス基板の「第1の厚さ」は、ガラス基板の第1の表面と第2の表面の間の距離のうち、最も小さい値を意味するものとする。   Here, in the present application, the “first thickness” of the glass substrate means that in the glass substrate having the first surface and the second surface, when the first surface and the second surface are substantially parallel, It means the distance between the surface of one and the second surface. “Substantially parallel” means that they are visually parallel. On the other hand, when the first surface and the second surface of the glass substrate are not parallel to each other, the “first thickness” of the glass substrate is the distance between the first surface and the second surface of the glass substrate. Of these, the smallest value is meant.

本発明の製造方法では、ガラス基板は、薄肉部および厚肉部を有し、これらの部分がそれぞれ、ガラス基板の貫通孔形成部およびガラス基板の強度確保部としての役割を有する。すなわち、本発明では、ガラス基板の薄肉部を貫通孔を形成する領域として使用し、ガラス基板の厚肉部をガラス基板の強度を高め、ガラス基板を補強するための領域として使用することができる。   In the manufacturing method of this invention, a glass substrate has a thin part and a thick part, and these parts have a role as a through-hole formation part of a glass substrate, and the intensity | strength ensuring part of a glass substrate, respectively. That is, in the present invention, the thin portion of the glass substrate can be used as a region for forming a through hole, and the thick portion of the glass substrate can be used as a region for increasing the strength of the glass substrate and reinforcing the glass substrate. .

本発明の製造方法では、ガラス基板の薄肉部を貫通孔を形成する領域として使用するため、例えばレーザアブレーション法のようなテーパ形状の貫通孔が形成されやすい方法を使用した場合であっても、微細な貫通孔を容易に形成できる。従って、本発明の製造方法では、ガラス基板内に、インターポーザのビアに相当する微細な貫通孔を高密度で多数形成できる。   In the manufacturing method of the present invention, since the thin portion of the glass substrate is used as a region for forming a through hole, even when a method in which a tapered through hole is easily formed, such as a laser ablation method, is used. Fine through holes can be easily formed. Therefore, in the manufacturing method of the present invention, a large number of fine through holes corresponding to the vias of the interposer can be formed in the glass substrate at a high density.

また、本発明の製造方法では、ガラス基板は、厚肉部を有し、この部分は、ガラス基板の補強部材として機能する。従って、ガラス基板のハンドリングの際に、ガラス基板にワレが生じたり、ガラス基板が破損したりすることが有意に抑制される。   Moreover, in the manufacturing method of this invention, a glass substrate has a thick part and this part functions as a reinforcement member of a glass substrate. Accordingly, cracking of the glass substrate or breakage of the glass substrate during handling of the glass substrate is significantly suppressed.

(本発明の具体的構成)
以下、図面を参照して、本発明をより詳しく説明する。
(Specific configuration of the present invention)
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

図1には、本発明によるインターポーザ用ガラス基板の製造方法のフローの一例を概略的に示す。   In FIG. 1, an example of the flow of the manufacturing method of the glass substrate for interposers by this invention is shown roughly.

図1に示すように、本発明によるインターポーザ用ガラス基板の製造方法は、
(a)第1の表面および第2の表面を有し、第1の厚さを有するガラス基板を準備する工程(ステップ110)と、
(b)前記ガラス基板の前記第1の表面に、前記第1の厚さより薄い薄肉部を形成する工程であって、これにより、前記薄肉部と、該薄肉部を取り囲む厚肉部とが形成される工程(ステップ120)と、
(c)前記薄肉部内の領域に、少なくとも一つの貫通孔を形成する工程(ステップ130)と、を有する。
As shown in FIG. 1, the manufacturing method of the glass substrate for interposers by this invention is the following.
(A) preparing a glass substrate having a first surface and a second surface and having a first thickness (step 110);
(B) forming a thin portion thinner than the first thickness on the first surface of the glass substrate, thereby forming the thin portion and the thick portion surrounding the thin portion; A process to be performed (step 120);
(C) including a step of forming at least one through hole in the region within the thin wall portion (step 130).

なお、本発明によるインターポーザ用ガラス基板の製造方法は、必要な場合、さらに、
(d)前記ガラス基板を切断する工程(ステップS140)を有しても良い。以下、各工程について、詳しく説明する。
In addition, the manufacturing method of the glass substrate for interposers according to the present invention, if necessary,
(D) You may have the process (step S140) which cut | disconnects the said glass substrate. Hereinafter, each step will be described in detail.

(ステップS110)
まず最初に、被加工体となるガラス基板が準備される。
(Step S110)
First, a glass substrate to be processed is prepared.

ガラス基板の形状は、特に限られず、ガラス基板は、矩形状またはディスク状等であっても良い。   The shape of the glass substrate is not particularly limited, and the glass substrate may be rectangular or disk-shaped.

ガラス基板の材質は、ガラスである限り、特に限られない。ガラス基板は、例えば、シリカガラス、ソーダライムガラス、アルミノボロシリケート無アルカリガラス、またはリン酸塩ガラスであっても良い。   The material of the glass substrate is not particularly limited as long as it is glass. The glass substrate may be, for example, silica glass, soda lime glass, aluminoborosilicate alkali-free glass, or phosphate glass.

ガラス基板の厚さ(第1の厚さ)は、特に限られないが、本発明は、厚いガラス基板に対しても適用することができることに留意する必要がある。ガラス基板の第1の厚さは、例えば、100μm〜5mmの範囲である。   The thickness of the glass substrate (first thickness) is not particularly limited, but it should be noted that the present invention can also be applied to a thick glass substrate. The 1st thickness of a glass substrate is the range of 100 micrometers-5 mm, for example.

(ステップS120)
次に、ステップS110で準備したガラス基板を用いて、ガラス基板の一方の表面(例えば、第1の表面)に、薄肉部が形成される。また、この薄肉部を取り囲む厚肉部が形成される。
(Step S120)
Next, a thin part is formed on one surface (for example, the first surface) of the glass substrate using the glass substrate prepared in step S110. Moreover, the thick part surrounding this thin part is formed.

ガラス基板に薄肉部を形成する方法は、特に限られない。薄肉部を形成する方法は、例えば、湿式または乾式エッチング法、サンドブラスト法、機械研磨法、および加圧成形法等である。ただし、サンドブラスト法では、得られる薄肉部の一方の表面が粗くなるので、平坦な表面が必要な場合、サンドブラスト処理以外の方法が使用されることが好ましい。この中では、特に、湿式エッチング法が好ましい。湿式エッチング法では、処理中にガラス基板にワレやクラックが生じるおそれが抑制されるからである。   The method for forming the thin portion on the glass substrate is not particularly limited. Examples of the method for forming the thin-walled portion include a wet or dry etching method, a sand blast method, a mechanical polishing method, and a pressure molding method. However, in the sand blasting method, one surface of the thin part to be obtained becomes rough, so that a method other than sand blasting is preferably used when a flat surface is required. Among these, the wet etching method is particularly preferable. This is because the wet etching method suppresses the possibility of cracks and cracks occurring in the glass substrate during processing.

薄肉部の厚さは、例えば、5μm以上100μm未満である。薄肉部の厚さは、1種類に限られるものではなく、多種類の厚さの薄肉部を有しても良い。   The thickness of the thin portion is, for example, not less than 5 μm and less than 100 μm. The thickness of the thin-walled portion is not limited to one type, and may have a thin-walled portion having various thicknesses.

薄肉部(および厚肉部)の形成位置は、特に限られないが、通常の場合、薄肉部は、ガラス基板の周縁部を除く部分に形成される(この場合、ガラス基板の周縁部は、厚肉部となる)。なお、薄肉部(および厚肉部)の形状、数、および配置形態等は、特に限られず、用途に応じて、自由に決定することができる。   The formation position of the thin-walled portion (and thick-walled portion) is not particularly limited, but in a normal case, the thin-walled portion is formed in a portion other than the peripheral portion of the glass substrate (in this case, the peripheral portion of the glass substrate is It becomes a thick part). In addition, the shape, the number, the arrangement form, and the like of the thin-walled portion (and the thick-walled portion) are not particularly limited and can be freely determined according to the application.

図2〜図5には、薄肉部(および厚肉部)の配置形態の一例を示す。   2-5 shows an example of the arrangement | positioning form of a thin part (and thick part).

図2に示す配置形態の例では、薄肉部110は、矩形状のガラス基板100の第1の表面105において、周縁部を除く全領域に形成されている。このため、ガラス基板100の周縁部が厚肉部120となる。   In the example of the arrangement form shown in FIG. 2, the thin portion 110 is formed in the entire region except for the peripheral portion on the first surface 105 of the rectangular glass substrate 100. For this reason, the peripheral part of the glass substrate 100 becomes the thick part 120.

図3に示す配置形態の例では、薄肉部210は、ディスク状のガラス基板200の第1の表面205のうち、周縁部を除く全領域に形成されている。このため、ガラス基板200の周縁部が厚肉部220となる。   In the example of the arrangement form shown in FIG. 3, the thin portion 210 is formed in the entire region of the first surface 205 of the disk-shaped glass substrate 200 except the peripheral portion. For this reason, the peripheral part of the glass substrate 200 becomes the thick part 220.

図4に示す配置形態の例では、矩形状のガラス基板300の第1の表面305内に、長辺方向(X方向)および短辺方向(Y方向)に沿って、複数の矩形状の薄肉部310が規則的に配列されている。また、厚肉部320は、ガラス基板300の周縁部に加えて、周縁部以外の領域にも、X方向およびY方向のそれぞれに沿うようにして、格子状に形成されている。   In the example of the arrangement form illustrated in FIG. 4, a plurality of rectangular thin walls are formed in the first surface 305 of the rectangular glass substrate 300 along the long side direction (X direction) and the short side direction (Y direction). The parts 310 are regularly arranged. In addition to the peripheral edge of the glass substrate 300, the thick part 320 is also formed in a lattice shape along the X direction and the Y direction in regions other than the peripheral part.

以上の例では、ガラス基板(100、200、300)の第1の表面(105、205、305)にのみ、薄肉部(110、210、310)が形成される場合について説明した。従って、ガラス基板の第2の表面(106、206、306)は、実質的に平坦なままである。しかしながら、本発明は、このような構成に限られず、ガラス基板の第2の表面にも、薄肉部(および厚肉部)が形成されても良い。   In the above example, the case where the thin part (110, 210, 310) is formed only on the first surface (105, 205, 305) of the glass substrate (100, 200, 300) has been described. Accordingly, the second surface (106, 206, 306) of the glass substrate remains substantially flat. However, the present invention is not limited to such a configuration, and a thin portion (and a thick portion) may also be formed on the second surface of the glass substrate.

図5には、ガラス基板の第2の表面にも薄肉部(および厚肉部)が形成されたガラス基板の断面図の一例を示す。   FIG. 5 shows an example of a cross-sectional view of a glass substrate in which a thin portion (and a thick portion) is also formed on the second surface of the glass substrate.

図5に示すように、このガラス基板400では、第1の表面405に、複数の薄肉部410および厚肉部420が形成されているとともに、第2の表面406の側にも、複数の薄肉部450および厚肉部460が形成されている。また、第2の表面406における薄肉部450および厚肉部460の垂直方向(Z方向)の位置は、それぞれ、第1の表面405に形成された薄肉部410および厚肉部420の位置と対応している。薄肉部(および厚肉部)は、このようにガラス基板の両表面に配置されても良い。   As shown in FIG. 5, in the glass substrate 400, a plurality of thin portions 410 and a thick portion 420 are formed on the first surface 405, and a plurality of thin walls are also formed on the second surface 406 side. A part 450 and a thick part 460 are formed. Further, the positions in the vertical direction (Z direction) of the thin portion 450 and the thick portion 460 on the second surface 406 correspond to the positions of the thin portion 410 and the thick portion 420 formed on the first surface 405, respectively. is doing. The thin part (and thick part) may be arranged on both surfaces of the glass substrate in this way.

なお、図2〜図5に示した薄肉部110、210、310、410、450、および厚肉部120、220、320、420、460の配置形態は、単なる一例に過ぎず、この他にも様々な配置で、薄肉部および厚肉部を形成することができることは、当業者には明らかであろう。   The arrangement of the thin portions 110, 210, 310, 410, 450 and the thick portions 120, 220, 320, 420, and 460 shown in FIGS. 2 to 5 is merely an example, and other than this, It will be apparent to those skilled in the art that thin and thick portions can be formed in various arrangements.

(ステップS130)
次に、前述の工程で形成された薄肉部内の領域に、少なくとも一つの貫通孔が形成される。
(Step S130)
Next, at least one through hole is formed in the region within the thin portion formed in the above-described step.

前述のように、薄肉部では、厚肉部に比べてガラス基板の厚さが有意に低減されている。このため、貫通孔は、薄肉部内の領域に、比較的容易に、比較的短時間で形成することができる。特に、このような構造では、従来のような(例えば、レーザアブレーション法において顕著に認められるような)テーパ形状の貫通孔が形成され、第1の表面側と第2の表面側とで、貫通孔の直径が大きく異なってしまうという問題が軽減されるため、微細な貫通孔を適正に形成することができるようになる。さらに、ガラス基板には、厚肉部120が存在するため、強度不足等により、ガラス基板100がハンドリングの際に破損したり、ワレたりすることも有意に抑制される。   As described above, the thickness of the glass substrate is significantly reduced in the thin portion compared to the thick portion. For this reason, a through-hole can be formed in the area | region in a thin part comparatively easily in a comparatively short time. In particular, in such a structure, a through-hole having a tapered shape as in the conventional case (for example, noticeable in the laser ablation method) is formed, and the first surface side and the second surface side are penetrated. Since the problem that the diameters of the holes are greatly different is reduced, fine through holes can be appropriately formed. Furthermore, since the thick portion 120 exists in the glass substrate, the glass substrate 100 is also significantly suppressed from being broken or cracked during handling due to insufficient strength or the like.

貫通孔の直径は、例えば、5μm〜100μmの範囲、好ましくは5μm〜30μmの範囲であっても良い。   The diameter of the through hole may be, for example, in the range of 5 μm to 100 μm, preferably in the range of 5 μm to 30 μm.

貫通孔の形成方法は、特に限られない。貫通孔は、例えば、レーザアブレーション法、サンドブラスト法、メカニカルドリリング法、エッチング法、放電加工法、またはこれらの組み合わせにより、形成されても良い。レーザアブレーション法の場合、使用されるレーザ光は、特に限られず、レーザ光は、例えば、エキシマレーザ光、YAGレーザ光、およびCOレーザ光等であっても良い。 The method for forming the through hole is not particularly limited. The through hole may be formed by, for example, a laser ablation method, a sand blast method, a mechanical drilling method, an etching method, an electric discharge machining method, or a combination thereof. In the case of the laser ablation method, the laser light used is not particularly limited, and the laser light may be, for example, excimer laser light, YAG laser light, CO 2 laser light, or the like.

図6には、レーザアブレーション法により、ガラス基板の薄肉部に貫通孔を形成する際に使用される装置構成の一例を示す。   FIG. 6 shows an example of an apparatus configuration used when a through hole is formed in a thin portion of a glass substrate by a laser ablation method.

図6に示すように、この装置600は、レーザ光用の光源611と、ホモジナイザー616と、複数の貫通孔を有するマスク613と、投影レンズ617と、ステージ614とを備える。この他、装置600は、レーザ光用の光源611から放射されたレーザ光621を所望の位置に誘導するための、複数のミラー615を有する。ステージ614上には、前述の方法で薄肉部および厚肉部が形成されたガラス基板612が置載される。   As shown in FIG. 6, the apparatus 600 includes a light source 611 for laser light, a homogenizer 616, a mask 613 having a plurality of through holes, a projection lens 617, and a stage 614. In addition, the apparatus 600 includes a plurality of mirrors 615 for guiding the laser light 621 emitted from the laser light source 611 to a desired position. On the stage 614, the glass substrate 612 on which the thin portion and the thick portion are formed by the above-described method is placed.

このような装置600の構成において、レーザ光用の光源611からレーザ光621が放射されると、このレーザ光621は、ホモジナイザー616内に誘導され、ここで均一な強度を有するレーザ光622に調節される。レーザ光622は、ミラー615等により、マスク613の方に誘導される。マスク613は、前述のように多数の貫通孔を有するため、レーザ光622の一部は、これらの貫通孔を通り、投影レンズ617まで誘導される。さらに、投影レンズ617に到達したレーザ光623は、縮小投影された状態で、ガラス基板612の薄肉部650に照射される。これにより、ガラス基板612の薄肉部650に、1または2以上の貫通孔が形成される。   In such a configuration of the apparatus 600, when the laser light 621 is emitted from the light source 611 for laser light, the laser light 621 is guided into the homogenizer 616, where it is adjusted to the laser light 622 having uniform intensity. Is done. The laser beam 622 is guided toward the mask 613 by a mirror 615 or the like. Since the mask 613 has a large number of through holes as described above, a part of the laser light 622 is guided to the projection lens 617 through the through holes. Further, the laser light 623 that has reached the projection lens 617 is irradiated onto the thin portion 650 of the glass substrate 612 in a reduced projection state. Thereby, one or two or more through holes are formed in the thin portion 650 of the glass substrate 612.

なお、ガラス基板612の薄肉部650のより広い領域わたって、複数の貫通孔を形成する場合、例えば、以上の操作の後、光源611からのレーザ光621の放射を一旦停止し、ステージ614に対してガラス基板612を動かしても良い。その後、再度、光源611からレーザ光621を放射して、同様のことを行っても良い。あるいは、その他の方法で、より広い領域わたって、複数の貫通孔を形成できることは、当業者には明らかである。   In the case where a plurality of through holes are formed over a wider area of the thin portion 650 of the glass substrate 612, for example, after the above operation, the emission of the laser light 621 from the light source 611 is temporarily stopped and the stage 614 On the other hand, the glass substrate 612 may be moved. Thereafter, the laser beam 621 may be emitted again from the light source 611 to perform the same thing. Alternatively, it will be apparent to those skilled in the art that a plurality of through-holes can be formed over a wider area by other methods.

なお、図6の装置構成は、一例であって、他の装置を用いて、ガラス基板の薄肉部に貫通孔を形成しても良いことは、当業者には明らかであろう。   6 is merely an example, and it will be apparent to those skilled in the art that through holes may be formed in the thin portion of the glass substrate using another device.

(ステップS140)
以上の工程により、ガラス基板の薄肉部に必要な数の貫通孔を形成することができるが必要な場合、さらに、ガラス基板を必要な位置で切断する工程を実施しても良い。
(Step S140)
Although the necessary number of through holes can be formed in the thin portion of the glass substrate by the above steps, a step of cutting the glass substrate at a necessary position may be performed if necessary.

図7および図8には、ガラス基板の切断位置の一例を概略的に示す。これらの図では、ガラス基板700は、図4に示すような形態の薄肉部および厚肉部を有するものと仮定している。   7 and 8 schematically show an example of the cutting position of the glass substrate. In these drawings, it is assumed that the glass substrate 700 has a thin portion and a thick portion having a form as shown in FIG.

例えば、図7に示すように、ガラス基板700は、切断線P−P、すなわち厚肉部720に沿って切断されても良い。この場合、切断された各ピース790は、切断端面に厚肉部720(の一部)を有する形態となる。あるいは、厚肉部720の幅(X方向の長さ)が切断時の切りしろと等しい寸法の場合、切断後の各ピース790は、端面に実質的に厚肉部720を有さない(すなわち薄肉部710のみで構成される)場合もある。   For example, as shown in FIG. 7, the glass substrate 700 may be cut along the cutting line PP, that is, along the thick portion 720. In this case, each piece 790 cut has a form having a thick portion 720 (a part thereof) on the cut end face. Alternatively, when the width of the thick portion 720 (the length in the X direction) is equal to the cutting margin at the time of cutting, each piece 790 after cutting does not substantially have the thick portion 720 on the end surface (that is, In some cases, it is composed of only the thin portion 710.

一方、これとは別に、ガラス基板700は、図8に示すように、切断線Q−Qに沿って、すなわち予め薄肉部710のみを含むようにして、切断されても良い。   On the other hand, the glass substrate 700 may be cut along the cutting line QQ, that is, including only the thin portion 710 in advance, as shown in FIG.

この他にも、様々な形態で、ガラス基板を切断して、少なくとも一つの貫通孔770を有するピース790を採取しても良い。   In addition, the glass substrate may be cut in various forms, and the piece 790 having at least one through hole 770 may be collected.

前述のように、本発明による製造方法では、ガラス基板は、各工程(ステップS120〜ステップS140)の間、常に厚肉部を有するため、ガラス基板の強度が低下し、ガラス基板のハンドリングが煩雑になったり、ガラス基板が破損したりする問題を有意に抑制することができる。また、本発明による製造方法では、貫通孔は、ガラス基板の薄肉部内に形成される。このため、例えば、レーザアブレーション法のようなテーパ形状の貫通孔が形成されやすい方法を使用しても、厚いガラス板を使用した場合のような、微細な貫通孔を形成することが難しくなるという問題を有意に軽減することができる。   As described above, in the manufacturing method according to the present invention, the glass substrate always has a thick portion during each step (step S120 to step S140), so that the strength of the glass substrate is lowered and the handling of the glass substrate is complicated. Or the problem that the glass substrate is broken can be significantly suppressed. In the manufacturing method according to the present invention, the through-hole is formed in the thin portion of the glass substrate. For this reason, for example, it is difficult to form a fine through hole as in the case of using a thick glass plate even if a method such as a laser ablation method in which a tapered through hole is easily formed is used. The problem can be significantly reduced.

(インターポーザの製造方法)
次に、図9を参照して、本発明によるインターポーザの製造方法について説明する。図9には、本発明によるインターポーザの製造方法の各工程における構成部材の断面図の一例を示す。
(Interposer manufacturing method)
Next, with reference to FIG. 9, the manufacturing method of the interposer by this invention is demonstrated. In FIG. 9, an example of sectional drawing of the structural member in each process of the manufacturing method of the interposer by this invention is shown.

まず、図9(a)に示すように、第1の表面1005および第2の表面1006を有するガラス基板1000が準備される。   First, as shown in FIG. 9A, a glass substrate 1000 having a first surface 1005 and a second surface 1006 is prepared.

このガラス基板1000は、第1の表面1005に、薄肉部1010および厚肉部1020を有し、薄肉部1010の領域内には、少なくとも一つの(図9の例では2つの)貫通孔1050が設置されている。このようなガラス基板1000は、前述のような本発明によるインターポーザ用のガラス基板の製造方法を用いて、準備されても良い。   The glass substrate 1000 has a thin portion 1010 and a thick portion 1020 on the first surface 1005, and at least one (two in the example of FIG. 9) through-holes 1050 is formed in the region of the thin portion 1010. is set up. Such a glass substrate 1000 may be prepared using the method for manufacturing a glass substrate for an interposer according to the present invention as described above.

次に、図9(b)に示すように、ガラス基板1000の貫通孔1050に、導電性材料1060が充填される。導電性材料1060は、例えば銅のような高導電性金属であっても良い。   Next, as shown in FIG. 9B, the conductive material 1060 is filled into the through hole 1050 of the glass substrate 1000. The conductive material 1060 may be a highly conductive metal such as copper.

導電性材料の設置方法は、特に限られず、導電性材料1060は、例えば、無電解めっき、電解めっき等により形成される。   The installation method of the conductive material is not particularly limited, and the conductive material 1060 is formed by, for example, electroless plating or electrolytic plating.

次に、図9(c)に示すように、ガラス基板1000の第2の表面1006上に、絶縁層1070が設置される。絶縁層1070の材質は、絶縁体である限り、特に限られず、絶縁層1070は、例えば無機材料または樹脂等で構成されても良い。   Next, as illustrated in FIG. 9C, the insulating layer 1070 is provided on the second surface 1006 of the glass substrate 1000. The material of the insulating layer 1070 is not particularly limited as long as it is an insulator, and the insulating layer 1070 may be made of, for example, an inorganic material or a resin.

また、絶縁層1070の設置方法は、特に限られない。例えば、絶縁層1070が樹脂で構成される場合、絶縁層1070は、塗布法等により設置しても良い。また、例えば、絶縁層1070が無機材料で構成される場合、絶縁層1070は、スパッタリング法等により設置しても良い。   Moreover, the installation method of the insulating layer 1070 is not particularly limited. For example, when the insulating layer 1070 is made of a resin, the insulating layer 1070 may be installed by a coating method or the like. For example, when the insulating layer 1070 is made of an inorganic material, the insulating layer 1070 may be provided by a sputtering method or the like.

その後、絶縁層1070には、ガラス基板1000に充填された導電性材料1060と対応する位置に、貫通開口1075が形成される。このような貫通開口1075は、例えばフォトリソグラフィ等の技術により、容易に形成することができる。あるいは、例えばマスクを使用することにより、最初から、ガラス基板1000の第2の表面1006上に、貫通開口1075を有する絶縁層1070を形成しても良い。   Thereafter, a through-opening 1075 is formed in the insulating layer 1070 at a position corresponding to the conductive material 1060 filled in the glass substrate 1000. Such a through-opening 1075 can be easily formed by a technique such as photolithography. Or you may form the insulating layer 1070 which has the through-opening 1075 on the 2nd surface 1006 of the glass substrate 1000 from the beginning, for example by using a mask.

なお、図には示していないが、絶縁層は、さらに、ガラス基板1000の第1の表面1005側に設置されても良い。   Although not shown in the drawing, the insulating layer may be further provided on the first surface 1005 side of the glass substrate 1000.

次に、図9(d)に示すように、絶縁層1070の上部に、導電層1080が設置される。導電層1080は、絶縁層1070の貫通開口1075を充填し、導電層1080と、ガラス基板1000の貫通孔1050内の導電性材料1060とが電気的に接続されるように設置される。   Next, as illustrated in FIG. 9D, the conductive layer 1080 is provided on the insulating layer 1070. The conductive layer 1080 fills the through-opening 1075 of the insulating layer 1070 and is installed so that the conductive layer 1080 and the conductive material 1060 in the through-hole 1050 of the glass substrate 1000 are electrically connected.

導電層1080の設置方法は、特に限られない。導電層1080は、例えば、スパッタリング法を用いて設置されても良い。   The installation method of the conductive layer 1080 is not particularly limited. The conductive layer 1080 may be installed using a sputtering method, for example.

なお、必要な場合、導電層1080は、所望の配線パターンが得られるように、パターン化されても良い。パターン化の方法は、特に限られず、導電層1080は、例えば、マスクを用いたフォトリソグラフィ処理により、パターン化されても良い。   If necessary, the conductive layer 1080 may be patterned so as to obtain a desired wiring pattern. The patterning method is not particularly limited, and the conductive layer 1080 may be patterned by, for example, a photolithography process using a mask.

次に、図9(e)に示すように、導電層1080の上部に、樹脂層1090が設置される。また、樹脂層1090には、必要に応じて、導電層1080に至る貫通溝が形成される。   Next, as illustrated in FIG. 9E, a resin layer 1090 is provided on the conductive layer 1080. In addition, a through groove reaching the conductive layer 1080 is formed in the resin layer 1090 as necessary.

以上の工程により、微細なビアを有するインターポーザ1095を製造することができる。なお、必要な場合、ガラス基板1000の厚肉部1020は、最終的に切断されても良い。これにより、平坦な形状のインターポーザを提供することができる。あるいは、薄肉部1010に形成されたビアの数が多過ぎる場合、あるいは、インターポーザの寸法を小さくしたい場合は、ガラス基板1000を薄肉部1010内のビアとビアの間等で切断しても良い。   Through the above steps, the interposer 1095 having fine vias can be manufactured. If necessary, the thick portion 1020 of the glass substrate 1000 may be finally cut. Thereby, a flat-shaped interposer can be provided. Alternatively, when the number of vias formed in the thin portion 1010 is too large, or when it is desired to reduce the size of the interposer, the glass substrate 1000 may be cut between vias in the thin portion 1010 or the like.

なお、前述の方法では、図9(b)〜図9(c)に示すように、絶縁層1070は、貫通孔1050が導電性材料1060で充填された後に、設置される。しかしながら、これとは異なり、ガラス基板1000の第2の表面1006に、貫通開口1075を有する絶縁層1070を設置しておき、導電層1080を設置する工程において、貫通孔1050および貫通開口1075の双方に、導電性材料を一度に充填しても良い。この場合、ガラス基板1000の貫通孔1060に予め導電性材料1060を設置する工程を省略することができる。   In the above-described method, as shown in FIGS. 9B to 9C, the insulating layer 1070 is installed after the through hole 1050 is filled with the conductive material 1060. However, unlike this, in the step of installing the insulating layer 1070 having the through opening 1075 on the second surface 1006 of the glass substrate 1000 and installing the conductive layer 1080, both the through hole 1050 and the through opening 1075 are provided. In addition, the conductive material may be filled at a time. In this case, the step of previously installing the conductive material 1060 in the through hole 1060 of the glass substrate 1000 can be omitted.

(インターポーザの別の製造方法)
次に、図10および図11を参照して、本発明によるインターポーザの別の製造方法(第2の製造方法)について説明する。図10には、インターポーザの第2の製造方法のフローの一例を概略的に示す。また、図11には、図10の各工程における構成部材の断面図の一例を示す。
(Another method for manufacturing interposers)
Next, another method for manufacturing the interposer (second manufacturing method) according to the present invention will be described with reference to FIGS. In FIG. 10, an example of the flow of the 2nd manufacturing method of an interposer is shown roughly. FIG. 11 shows an example of a cross-sectional view of the constituent members in each step of FIG.

図10に示すように、本発明によるインターポーザの製造方法は、
(i)第1の表面および第2の表面を有するガラス基板を準備する工程であって、前記ガラス基板は、前記第1の表面に、厚肉部に取り囲まれた薄肉部を有する工程(ステップS310)と、
(ii)前記ガラス基板の前記第2の表面に、絶縁層を設置する工程(ステップS320)と、
(iii)前記絶縁層から前記ガラス基板の前記薄肉部までを貫通する、少なくとも一つの貫通孔を形成する工程(ステップS330)と、
(iv)前記絶縁層上の少なくとも一部に、導電性材料の導電層を設置する工程であって、前記導電性材料は、前記貫通孔を充填する工程(ステップS340)と、
(v)前記導電層の上部に、樹脂層を設置するステップ(ステップS350)と、
を有する。
As shown in FIG. 10, the manufacturing method of the interposer according to the present invention includes
(I) A step of preparing a glass substrate having a first surface and a second surface, wherein the glass substrate has a thin portion surrounded by a thick portion on the first surface (step) S310)
(Ii) a step of installing an insulating layer on the second surface of the glass substrate (step S320);
(Iii) forming at least one through hole penetrating from the insulating layer to the thin portion of the glass substrate (step S330);
(Iv) a step of installing a conductive layer of a conductive material on at least a part of the insulating layer, the conductive material filling the through hole (step S340);
(V) installing a resin layer on top of the conductive layer (step S350);
Have

以下、図11も参照しながら、各工程について、詳しく説明する。   Hereinafter, each step will be described in detail with reference to FIG.

(ステップS310)
まず、図11(a)に示すように、第1の表面1105および第2の表面1106を有するガラス基板1100が準備される。このガラス基板1100は、第1の表面1105側に、薄肉部1110および厚肉部1120を有する。
(Step S310)
First, as shown in FIG. 11A, a glass substrate 1100 having a first surface 1105 and a second surface 1106 is prepared. The glass substrate 1100 has a thin portion 1110 and a thick portion 1120 on the first surface 1105 side.

このようなガラス基板は、例えば、前述のガラス基板の製造方法のステップS110〜ステップS120に示したような工程により、準備することができる。   Such a glass substrate can be prepared, for example, by the processes shown in Steps S110 to S120 of the above-described glass substrate manufacturing method.

なお、以降の記載では、ガラス基板1100の第1の表面1105の周縁部にのみ厚肉部1120が形成されたガラス基板1100を例に、本発明によるインターポーザの第2の製造方法を説明する。しかしながら、ガラス基板の形態は、例えば、図2〜図5に示したガラス基板100、200、300、400などであっても良く、すなわち、ガラス基板は、薄肉部と厚肉部を有する限り、いかなる形態であっても良いことは当業者には明らかである。   In the following description, the second method for manufacturing an interposer according to the present invention will be described by taking as an example the glass substrate 1100 in which the thick portion 1120 is formed only at the peripheral portion of the first surface 1105 of the glass substrate 1100. However, the form of the glass substrate may be, for example, the glass substrate 100, 200, 300, 400 or the like shown in FIGS. 2 to 5, that is, as long as the glass substrate has a thin part and a thick part. It will be apparent to those skilled in the art that any form may be used.

(ステップS320)
次に、図11(b)に示すように、ガラス基板1100の前記第2の表面1106の側に、絶縁層1170Aが設置される。また、ガラス基板1100の前記第1の表面1105の側に、絶縁層1170Bが設置される。ただし、絶縁層1170Bは、省略しても良い。
(Step S320)
Next, as illustrated in FIG. 11B, an insulating layer 1170 </ b> A is provided on the second surface 1106 side of the glass substrate 1100. Further, an insulating layer 1170B is provided on the first surface 1105 side of the glass substrate 1100. However, the insulating layer 1170B may be omitted.

絶縁層1170A、1170Bの材質は、絶縁体である限り、特に限られず、絶縁層1170A、1170Bは、例えば無機材料または樹脂等で構成されても良い。   The material of the insulating layers 1170A and 1170B is not particularly limited as long as it is an insulator, and the insulating layers 1170A and 1170B may be made of, for example, an inorganic material or a resin.

また、絶縁層1170A、1170Bの設置方法は、特に限られない。例えば、絶縁層1170A、1170Bが樹脂で構成される場合、絶縁層1170A、1170Bは、塗布法等により設置しても良い。また、例えば、絶縁層1170A、1170Bが無機材料で構成される場合、絶縁層1170A、1170Bは、スパッタリング法等により設置しても良い。   Moreover, the installation method of the insulating layers 1170A and 1170B is not particularly limited. For example, when the insulating layers 1170A and 1170B are made of resin, the insulating layers 1170A and 1170B may be installed by a coating method or the like. For example, when the insulating layers 1170A and 1170B are made of an inorganic material, the insulating layers 1170A and 1170B may be provided by a sputtering method or the like.

(ステップS330)
次に、図11(c)に示すように、絶縁層1170Aの表面から前記ガラス基板1100の薄肉部1110を通り、絶縁層1170Bに至る、少なくとも一つの貫通孔1175が形成される。
(Step S330)
Next, as shown in FIG. 11C, at least one through-hole 1175 from the surface of the insulating layer 1170A through the thin portion 1110 of the glass substrate 1100 to the insulating layer 1170B is formed.

このような貫通孔1175は、例えば、レーザアブレーション法、サンドブラスト法、メカニカルドリリング法、エッチング法、放電加工法、またはこれらの組み合わせにより、形成されても良い。レーザアブレーション法の場合、使用されるレーザ光は、特に限られず、レーザ光は、例えば、エキシマレーザ光、YAGレーザ光、およびCOレーザ光等であっても良い。 Such a through hole 1175 may be formed by, for example, a laser ablation method, a sand blast method, a mechanical drilling method, an etching method, an electric discharge machining method, or a combination thereof. In the case of the laser ablation method, the laser light used is not particularly limited, and the laser light may be, for example, excimer laser light, YAG laser light, CO 2 laser light, or the like.

ここで、本発明による製造方法では、貫通孔1175は、ガラス基板1100の薄肉部1110の領域に形成されるため、微細な直径を有する貫通孔1175を、比較的容易に形成することができることに留意する必要がある。貫通孔1175の直径は、例えば、5μm〜100μmの範囲、好ましくは5μm〜30μmの範囲であっても良い。   Here, in the manufacturing method according to the present invention, since the through hole 1175 is formed in the region of the thin portion 1110 of the glass substrate 1100, the through hole 1175 having a fine diameter can be formed relatively easily. It is necessary to keep in mind. The diameter of the through hole 1175 may be, for example, in the range of 5 μm to 100 μm, preferably in the range of 5 μm to 30 μm.

(ステップS340)
次に、図11(d)に示すように、絶縁層1170A上の少なくとも一部に、導電性材料の導電層1180が設置される。導電性材料1180は、貫通孔1175を充填するように設置される。
(Step S340)
Next, as shown in FIG. 11D, a conductive layer 1180 made of a conductive material is provided on at least part of the insulating layer 1170A. The conductive material 1180 is installed so as to fill the through hole 1175.

導電層1180の設置方法は、特に限られず、導電層1180は、スパッタリング法、電解めっき法等により、形成されても良い。   The installation method of the conductive layer 1180 is not particularly limited, and the conductive layer 1180 may be formed by a sputtering method, an electrolytic plating method, or the like.

必要に応じて、導電層1180は、所望の配線パターンが得られるように、パターン化されても良い。パターン化の方法は、特に限られず、例えば、導電層1180は、マスクを用いたフォトリソグラフィ処理により、パターン化されても良い。   If necessary, the conductive layer 1180 may be patterned so as to obtain a desired wiring pattern. The patterning method is not particularly limited. For example, the conductive layer 1180 may be patterned by photolithography using a mask.

(ステップS350)
次に、図11(e)に示すように、導電層1180の上部に、樹脂層1190が設置される。また、樹脂層1190には、必要に応じて、導電層1180に至る貫通溝が形成される。
(Step S350)
Next, as illustrated in FIG. 11E, a resin layer 1190 is provided on the conductive layer 1180. In addition, a through groove reaching the conductive layer 1180 is formed in the resin layer 1190 as necessary.

以上の工程により、微細なビアを有するインターポーザ1195を製造できる。   Through the above steps, an interposer 1195 having fine vias can be manufactured.

なお、必要な場合、ガラス基板1100の厚肉部1120は、最終的に切断されても良い。これにより、平坦な形状のインターポーザを提供できる。あるいは、薄肉部1110に形成されたビアの数が多過ぎる場合、あるいは、インターポーザの寸法を小さくしたい場合は、ガラス基板1100を薄肉部1110内のビアとビアの間等で切断しても良い。   If necessary, the thick part 1120 of the glass substrate 1100 may be finally cut. Thereby, a flat-shaped interposer can be provided. Alternatively, when the number of vias formed in the thin part 1110 is too large, or when it is desired to reduce the size of the interposer, the glass substrate 1100 may be cut between vias and vias in the thin part 1110.

以下、本発明の実施例について説明する。   Examples of the present invention will be described below.

(実施例1)
以下の方法により、多数の微細な貫通孔を有するガラス基板を製作した。
Example 1
A glass substrate having a large number of fine through holes was produced by the following method.

(薄肉部の形成)
まず、縦600mm、横400mm、および厚さが180μmの無アルカリガラスからなる板ガラス(旭硝子株式会社製、ENA1)を準備した。
(Formation of thin part)
First, plate glass (ENA1 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) made of alkali-free glass having a length of 600 mm, a width of 400 mm, and a thickness of 180 μm was prepared.

次に、この板ガラスの一つの表面(第1の表面)の内側部分に、複数の薄肉部を形成した。薄肉部は、ガラス材のエッチングの際に使用される、一般的な湿式エッチング法により形成した。薄肉部の厚さは、30μmとした。   Next, a plurality of thin portions were formed on the inner portion of one surface (first surface) of the plate glass. The thin-walled portion was formed by a general wet etching method used for etching a glass material. The thickness of the thin portion was 30 μm.

図12には、複数の薄肉部が形成された板ガラスの上面図を示す。この図は、板ガラス1200を第1の表面1205側から見た図である。また、図13には、この板ガラスのA−A線での断面図を示す。   In FIG. 12, the top view of the plate glass in which the several thin part was formed is shown. This figure is a view of the plate glass 1200 as viewed from the first surface 1205 side. Moreover, in FIG. 13, sectional drawing in the AA of this plate glass is shown.

図12および図13に示すように、板ガラス1200は、相互に平行な第1の表面1205および第2の表面1206を有する。また、板ガラス1200は、第1の表面1205側に、板ガラス1200の外周縁に沿って形成された厚肉部1220Aを有するとともに、長辺方向(X方向)および短辺方向(Y方向)に沿って格子状に延在する、厚肉部1220Bを有する。また、板ガラス1200の第1の表面1205には、これらの厚肉部1220A、1220Bに取り囲まれた、正方形状の多数の薄肉部1210が形成されている。   As shown in FIGS. 12 and 13, the glass sheet 1200 has a first surface 1205 and a second surface 1206 that are parallel to each other. Further, the plate glass 1200 has a thick portion 1220A formed along the outer peripheral edge of the plate glass 1200 on the first surface 1205 side, and along the long side direction (X direction) and the short side direction (Y direction). And a thick portion 1220B extending in a lattice shape. In addition, on the first surface 1205 of the plate glass 1200, a large number of square-shaped thin portions 1210 surrounded by the thick portions 1220A and 1220B are formed.

図12において、厚肉部1220AのX方向の幅L1、L2は、いずれも30mmとし、厚肉部1220AのY方向の幅W1、W2は、いずれも30mmとした。また、厚肉部1220BのX方向の幅P1およびY方向の幅P2は、いずれも2mmとした。薄肉部1210において、X方向の長さS1およびY方向の長さS2は、いずれも6mmとした。   In FIG. 12, the widths L1 and L2 in the X direction of the thick portion 1220A are both 30 mm, and the widths W1 and W2 in the Y direction of the thick portion 1220A are both 30 mm. Further, the width P1 in the X direction and the width P2 in the Y direction of the thick portion 1220B are both 2 mm. In the thin portion 1210, the length S1 in the X direction and the length S2 in the Y direction are both 6 mm.

(貫通孔の形成)
次に、前述の形態の厚肉部1220A、1220B、および薄肉部1210を有する板ガラス1200の各薄肉部1210に、貫通孔を形成した。
(Formation of through holes)
Next, through holes were formed in each thin portion 1210 of the plate glass 1200 having the thick portions 1220A, 1220B and the thin portion 1210 of the above-described form.

貫通孔は、図6に示した構成の装置600を用いて、レーザアブレーション法により形成した。レーザ光源611には、ArFレーザ光源を使用した。このレーザ光の波長は、193nmである。マスク613には、厚さ0.4mmのステンレス製で直径80μmの穴が複数個形成されたものを使用した。レーザ光の照射フルエンスは、板ガラス1200の薄肉部1210の位置において、5J/cmとなるように調節した。レーザ光は、板ガラス1200の第1の表面1205側から照射した。貫通孔のピッチは、板ガラス1200の長辺方向(X方向)および短辺方向(Y方向)とも20μmとした。 The through hole was formed by a laser ablation method using the apparatus 600 having the configuration shown in FIG. An ArF laser light source was used as the laser light source 611. The wavelength of this laser beam is 193 nm. The mask 613 was made of stainless steel having a thickness of 0.4 mm and having a plurality of holes having a diameter of 80 μm. The irradiation fluence of the laser beam was adjusted to 5 J / cm 2 at the position of the thin portion 1210 of the plate glass 1200. Laser light was irradiated from the first surface 1205 side of the plate glass 1200. The pitch of the through holes was 20 μm in both the long side direction (X direction) and the short side direction (Y direction) of the plate glass 1200.

なお、貫通孔形成処理の際には、1回のレーザアブレーション処理が完了の都度、板ガラス1200をX方向および/またはY方向に2mmだけずらすことを繰り返すことにより、各薄肉部1210の全体にわたって貫通孔を形成した。   In the case of the through hole forming process, each time the laser ablation process is completed, the thin glass part 1210 is penetrated throughout by repeatedly shifting the plate glass 1200 by 2 mm in the X direction and / or the Y direction. A hole was formed.

貫通孔の形成準備の際、および貫通孔の形成処理中に、板ガラス1200には、特に破損等の問題は生じなかった。   During the formation of the through holes and during the formation of the through holes, the plate glass 1200 did not have any problems such as breakage.

処理後、貫通孔の形態を光学顕微鏡で観察したところ、貫通孔の直径は、第1の表面1205側では、約8μmφであり、第2の表面1206側では、約6μmφであった。従って、テーパ角度≒1.9゜である。また、板ガラスには、クラックやチッピング等の損傷は、特に認められなかった。   When the shape of the through hole was observed with an optical microscope after the treatment, the diameter of the through hole was about 8 μmφ on the first surface 1205 side and about 6 μmφ on the second surface 1206 side. Therefore, the taper angle ≈ 1.9 °. Further, no damage such as cracking or chipping was observed in the plate glass.

(実施例2)
実施例1と同様の方法により、複数の微細な貫通孔を有するガラス基板を製作した。
(Example 2)
A glass substrate having a plurality of fine through holes was produced in the same manner as in Example 1.

ただし、実施例2では、ガラスの材質は、ソーダライムガラス(旭硝子株式会社製)とし、ガラスの形状は、直径300mm、厚さ500μmのディスク状とした。   However, in Example 2, the glass material was soda lime glass (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), and the glass shape was a disk shape having a diameter of 300 mm and a thickness of 500 μm.

また、厚肉部は、ガラスディスクの第1の表面の周囲にのみ形成し、第1の表面のその他の領域は単一の薄肉部とした。厚肉部の幅は、20mmとし、薄肉部の厚さは、30μmとした。   The thick portion was formed only around the first surface of the glass disk, and the other region of the first surface was a single thin portion. The width of the thick part was 20 mm, and the thickness of the thin part was 30 μm.

さらに、貫通孔は、縦横に沿って規則的に配置し、貫通孔のピッチは、縦方向、横方向とも30μmとした。   Further, the through holes are regularly arranged along the vertical and horizontal directions, and the pitch of the through holes is set to 30 μm in both the vertical and horizontal directions.

貫通孔の形成準備の際、および貫通孔の形成処理中に、ガラスディスクには、特に破損等の問題は生じなかった。   During the preparation of the formation of the through hole and during the formation process of the through hole, the glass disk had no problem such as breakage.

光学顕微鏡観察の結果、得られた貫通孔の第1の表面側の直径は、約5μmであり、第2の表面側の直径は、約4μmであった。従って、テーパ角度≒1.0゜である。また、ガラスディスクには、クラックやチッピング等の損傷は、特に認められなかった。   As a result of optical microscope observation, the diameter of the first surface side of the obtained through-hole was about 5 μm, and the diameter of the second surface side was about 4 μm. Therefore, the taper angle is approximately 1.0 °. Further, no damage such as cracking or chipping was observed in the glass disk.

本発明は、半導体素子用の部材、より詳しくは、多層回路基板の絶縁層、ウエハレベルパッケージ、電極取り出し用の貫通孔、およびインターポーザなどの用途に好適に使用できる。   The present invention can be suitably used for applications such as members for semiconductor elements, more specifically, insulating layers of multilayer circuit boards, wafer level packages, through holes for extracting electrodes, and interposers.

100 ガラス基板
105 第1の表面
106 第2の表面
110 薄肉部
120 厚肉部
200 ガラス基板
205 第1の表面
206 第2の表面
210 薄肉部
220 厚肉部
300 ガラス基板
305 第1の表面
306 第2の表面
310 薄肉部
320 厚肉部
400 ガラス基板
405 第1の表面
406 第2の表面
410 薄肉部
420 厚肉部
450 薄肉部
460 厚肉部
600 装置
611 光源
612 ガラス基板
613 マスク
614 ステージ
615 ミラー
616 ホモジナイザー
617 投影レンズ
621、622、623 レーザ光
650 薄肉部
700 ガラス基板
710 薄肉部
720 厚肉部
770 貫通孔
790 ピース
1000 ガラス基板
1005 第1の表面
1006 第2の表面
1010 薄肉部
1020 厚肉部
1050 貫通孔
1060 導電性材料
1070 絶縁層
1075 貫通開口
1080 導電層
1090 樹脂層
1095 インターポーザ
1100 ガラス基板
1105 第1の表面
1106 第2の表面
1110 薄肉部
1120 厚肉部
1170A、1170B 絶縁層
1175 貫通孔
1180 導電層
1190 樹脂層
1195 インターポーザ
1200 板ガラス
1205 第1の表面
1206 第2の表面
1210 薄肉部
1220A、1220B 厚肉部。
100 glass substrate 105 first surface 106 second surface 110 thin portion 120 thick portion 200 glass substrate 205 first surface 206 second surface 210 thin portion 220 thick portion 300 glass substrate 305 first surface 306 first 2 surface 310 thin part 320 thick part 400 glass substrate 405 first surface 406 second surface 410 thin part 420 thick part 450 thin part 460 thick part 600 device 611 light source 612 glass substrate 613 mask 614 stage 615 mirror 616 Homogenizer 617 Projection lens 621, 622, 623 Laser light 650 Thin part 700 Glass substrate 710 Thin part 720 Thick part 770 Through hole 790 Piece 1000 Glass substrate 1005 First surface 1006 Second surface 1010 Thin part 1020 Thick part 050 Through-hole 1060 Conductive material 1070 Insulating layer 1075 Through-opening 1080 Conductive layer 1090 Resin layer 1095 Interposer 1100 Glass substrate 1105 First surface 1106 Second surface 1110 Thin portion 1120 Thick portion 1170A, 1170B Insulating layer 1175 Through-hole 1180 Conductive layer 1190 Resin layer 1195 Interposer 1200 Sheet glass 1205 First surface 1206 Second surface 1210 Thin portion 1220A, 1220B Thick portion.

Claims (19)

少なくとも一つの貫通孔を有するインターポーザ用ガラス基板の製造方法であって、
(a)第1の表面および第2の表面を有し、第1の厚さを有するガラス基板を準備する工程と、
(b)前記ガラス基板の前記第1の表面に、前記第1の厚さよりも薄い薄肉部を形成する工程であって、これにより、前記薄肉部と、該薄肉部を取り囲む厚肉部とが形成される工程と、
(c)前記薄肉部内の領域に、少なくとも一つの貫通孔を形成する工程と、
を含む製造方法。
A method for producing a glass substrate for an interposer having at least one through hole,
(A) preparing a glass substrate having a first surface and a second surface and having a first thickness;
(B) forming a thin portion thinner than the first thickness on the first surface of the glass substrate, whereby the thin portion and the thick portion surrounding the thin portion are formed. A process to be formed;
(C) forming at least one through hole in the region within the thin portion;
Manufacturing method.
前記薄肉部は、前記ガラス基板の周縁部を除く領域に形成されることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。   The said thin part is formed in the area | region except the peripheral part of the said glass substrate, The manufacturing method of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 前記薄肉部は、前記ガラス基板の前記第1の表面に、複数形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 1, wherein a plurality of the thin-walled portions are formed on the first surface of the glass substrate. 前記第1の厚さは、0.1mm〜5mmの範囲であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一つに記載の製造方法。   The manufacturing method according to any one of claims 1 to 3, wherein the first thickness is in a range of 0.1 mm to 5 mm. 前記薄肉部の厚さは、5μm以上100μm未満であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一つに記載の製造方法。   5. The manufacturing method according to claim 1, wherein a thickness of the thin portion is not less than 5 μm and less than 100 μm. 前記貫通孔の直径は、5μm〜100μmの範囲であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一つに記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 1, wherein a diameter of the through hole is in a range of 5 μm to 100 μm. 前記(b)の工程は、前記ガラス基板をエッチングして、前記薄肉部を形成する工程を有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一つに記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 1, wherein the step (b) includes a step of etching the glass substrate to form the thin portion. 前記(c)の工程は、前記薄肉部内の領域にレーザ光を照射する工程を有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一つに記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 1, wherein the step (c) includes a step of irradiating a region in the thin portion with a laser beam. 前記レーザ光は、エキシマレーザ光、YAGレーザ光、またはCOレーザ光であることを特徴とする請求項8に記載の製造方法。 The manufacturing method according to claim 8, wherein the laser light is excimer laser light, YAG laser light, or CO 2 laser light. 前記(b)の工程は、さらに、前記ガラス基板の前記第2の表面に、第2の薄肉部を形成する工程を有することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一つに記載の製造方法。   10. The method according to claim 1, wherein the step (b) further includes a step of forming a second thin portion on the second surface of the glass substrate. 11. Production method. さらに、
(d)前記ガラス基板を切断する工程
を有することを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一つに記載の製造方法。
further,
(D) The process which cut | disconnects the said glass substrate. The manufacturing method as described in any one of the Claims 1 thru | or 10 characterized by the above-mentioned.
前記(d)の工程は、前記ガラス基板を前記厚肉部に沿って切断する工程を有することを特徴とする請求項11に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 11, wherein the step (d) includes a step of cutting the glass substrate along the thick portion. インターポーザの製造方法であって、
(A)貫通孔を有するガラス基板を準備する工程であって、前記ガラス基板は、請求項1乃至11のいずれか一つに記載の製造方法によって製造されたガラス基板である工程と、
(B)前記ガラス基板の前記第2の表面に、前記貫通孔と対応するように設置された貫通開口を有する絶縁層を形成する工程と、
(C)前記絶縁層の上部に、導電性材料の導電層を設置する工程であって、前記導電性材料は、前記貫通孔および前記貫通開口を充填する工程と、
(D)前記導電層の上部に、樹脂層を設置する工程と、
を有することを特徴とするインターポーザの製造方法。
An interposer manufacturing method comprising:
(A) A step of preparing a glass substrate having a through hole, wherein the glass substrate is a glass substrate manufactured by the manufacturing method according to any one of claims 1 to 11,
(B) forming an insulating layer having a through-opening installed on the second surface of the glass substrate so as to correspond to the through-hole;
(C) a step of installing a conductive layer of a conductive material on the insulating layer, the conductive material filling the through hole and the through opening;
(D) installing a resin layer on top of the conductive layer;
A method of manufacturing an interposer, comprising:
インターポーザの製造方法であって、
(i)第1の表面および第2の表面を有するガラス基板を準備する工程であって、前記ガラス基板は、前記第1の表面に、厚肉部に取り囲まれた薄肉部を有する工程と、
(ii)前記ガラス基板の前記第2の表面に、絶縁層を設置する工程と、
(iii)前記絶縁層から前記ガラス基板の前記薄肉部までを貫通する、少なくとも一つの貫通孔を形成する工程と、
(iv)前記絶縁層上の少なくとも一部に、導電性材料の導電層を設置する工程であって、前記導電性材料は、前記貫通孔を充填する工程と、
(v)前記導電層の上部に、樹脂層を設置するステップと、
を有するインターポーザの製造方法。
An interposer manufacturing method comprising:
(I) a step of preparing a glass substrate having a first surface and a second surface, wherein the glass substrate has a thin portion surrounded by a thick portion on the first surface;
(Ii) installing an insulating layer on the second surface of the glass substrate;
(Iii) forming at least one through hole penetrating from the insulating layer to the thin portion of the glass substrate;
(Iv) a step of installing a conductive layer of a conductive material on at least a part of the insulating layer, the conductive material filling the through hole;
(V) installing a resin layer on top of the conductive layer;
A method of manufacturing an interposer having
少なくとも一つの貫通孔を有するインターポーザ用ガラス基板であって、
薄肉部と、該薄肉部を取り囲む厚肉部とを有し、
前記貫通孔は、前記薄肉部の領域に形成されていることを特徴とするインターポーザ用ガラス基板。
An interposer glass substrate having at least one through hole,
A thin portion and a thick portion surrounding the thin portion;
The glass substrate for an interposer, wherein the through hole is formed in the region of the thin portion.
前記厚肉部の厚さは、0.1mm〜5mmの範囲であることを特徴とする請求項15に記載のインターポーザ用ガラス基板。   The glass substrate for an interposer according to claim 15, wherein a thickness of the thick part is in a range of 0.1 mm to 5 mm. 前記薄肉部の厚さは、5μm以上100μm未満であることを特徴とする請求項15または16に記載のインターポーザ用ガラス基板。   The thickness of the said thin part is 5 micrometers or more and less than 100 micrometers, The glass substrate for interposers of Claim 15 or 16 characterized by the above-mentioned. 前記貫通孔の直径は、5μm〜100μmの範囲であることを特徴とする請求項15乃至17のいずれか一つに記載のインターポーザ用ガラス基板。   The diameter of the said through-hole is the range of 5 micrometers-100 micrometers, The glass substrate for interposers as described in any one of Claims 15 thru | or 17 characterized by the above-mentioned. ガラス層内に形成され導電性材料が充填された少なくとも一つのビアと、前記導電性材料と電気的に接続された配線層と、該配線層の上部に配置された樹脂層とを有するインターポーザであって、
前記ビアは、請求項15乃至18のいずれか一つに記載のインターポーザ用ガラス基板の前記貫通孔で構成されることを特徴とするインターポーザ。
An interposer having at least one via formed in a glass layer and filled with a conductive material, a wiring layer electrically connected to the conductive material, and a resin layer disposed on the wiring layer There,
The interposer is constituted by the through hole of the glass substrate for interposer according to any one of claims 15 to 18.
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