JP2012160684A - Substrate joining apparatus and substrate joining method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、接合基板を移動自在に支持して基礎基板の粘着性の樹脂が塗布されている表面に接合させる基板接合装置および方法に関する。 The present invention relates to a substrate bonding apparatus and method for supporting a bonded substrate in a movable manner and bonding the bonded substrate to a surface of a base substrate to which an adhesive resin is applied.
従来、基礎基板の粘着性の樹脂が塗布されている表面に、接合基板を移動自在に支持して接合させる基板接合装置がある。例えば、半導体素子を形成した半導体ウエハを薄層化する際に、半導体ウエハを支持基板に接着剤にて貼着する方法に関し、接着剤中に気泡が残留しない状態で半導体ウエハと支持基板が貼着する提案がある(特許文献1)。 2. Description of the Related Art Conventionally, there is a substrate bonding apparatus that supports and bonds a bonded substrate to a surface of a base substrate on which an adhesive resin is applied. For example, when thinning a semiconductor wafer on which a semiconductor element is formed, the semiconductor wafer is attached to a support substrate with an adhesive, and the semiconductor wafer and the support substrate are attached with no bubbles remaining in the adhesive. There is a proposal to wear (Patent Document 1).
その技術では、表面に半導体素子を形成した半導体ウエハの表面側を支持基板に接着剤にて接着し、半導体ウエハの裏面側を研磨する工程を有する半導体装置の製造に於いて、接着剤を被着した支持基板を加熱して接着剤を溶融しながら、支持基板上に半導体ウエハを接着するとともに、半導体ウエハ上に薄層シートで支持した重りを、半導体ウエハ上で回転移動させながら載置して半導体ウエハを押圧し、接着剤中に含有されている気泡を除去しながら半導体ウエハと支持基板とを接着する。 In the technology, in the manufacture of a semiconductor device including a step of bonding a front surface side of a semiconductor wafer having a semiconductor element formed on the surface thereof to a support substrate with an adhesive and polishing a back surface side of the semiconductor wafer, the adhesive is applied. While the attached support substrate is heated to melt the adhesive, the semiconductor wafer is bonded onto the support substrate, and the weight supported by the thin layer sheet is placed on the semiconductor wafer while rotating on the semiconductor wafer. The semiconductor wafer is pressed to bond the semiconductor wafer and the support substrate while removing bubbles contained in the adhesive.
また、作業工数が少なく、良品率が高く、安全性に優れた陽極接合装置の提案もある(特許文献2)。その技術では、接合対象基板であるガラス基板やシリコンウェハを保持・位置決めするための部材として、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素を主成分とする機械加工性の良いセラミックスからなるベースプレートを備える。ベースプレートは、接合対象基板を搭載する保持板および接合対象基板を位置決めするワークガイドで構成される。加熱ヒータの表面に、上記のセラミックスからなる加熱プレートを取り付けるのも有効であり、この場合には、保持板にガイド孔を、加熱プレートにベースプレートガイドを設ける
。
There is also a proposal of an anodic bonding apparatus with a small number of work steps, a high yield rate, and excellent safety (Patent Document 2). In this technique, a base plate made of ceramics having high machinability, which is mainly composed of aluminum nitride and boron nitride, is provided as a member for holding and positioning a glass substrate or silicon wafer as a bonding target substrate. The base plate includes a holding plate on which the bonding target substrate is mounted and a work guide that positions the bonding target substrate. It is also effective to attach a heating plate made of the above ceramics to the surface of the heater. In this case, a guide hole is provided in the holding plate and a base plate guide is provided in the heating plate.
しかし、特許文献1の基板接合装置は、二枚の半導体ウェハを接着した接着剤から気泡を排除するものでしかなく、上位の半導体ウェハを移動自在に支持して下位の半導体ウェハに適切に接合させるものではない。また、特許文献2の装置は陽極接合装置であり、基礎基板の表面に接合基板を粘着性の樹脂で接続する基板接合装置には利用できない。 However, the substrate bonding apparatus disclosed in Patent Document 1 only removes air bubbles from the adhesive obtained by bonding two semiconductor wafers, and supports the upper semiconductor wafer movably and appropriately bonds it to the lower semiconductor wafer. It doesn't let you. Moreover, the apparatus of patent document 2 is an anodic bonding apparatus, and cannot be used for a substrate bonding apparatus in which a bonding substrate is connected to the surface of a base substrate with an adhesive resin.
そこで、上述のような課題を解決した基板接合装置としては、詳細には後述するが、図3ないし図6に例示するような装置が想定できる。接合基板を裏面外周で支持する細長形状のスペーサと、表面外周で接離自在に保持するクランプとが、円環状のフィクスチャに搭載されている。 Therefore, as a substrate bonding apparatus that solves the above-described problems, an apparatus illustrated in FIGS. 3 to 6 can be assumed, as will be described in detail later. An elongated spacer that supports the bonded substrate on the outer periphery of the back surface and a clamp that holds the bonded substrate on the outer periphery of the front surface are mounted on the annular fixture.
このような基板接合装置では、接合基板がフィクスチャのスペーサとクランプとで、例えば、三点保持される。このような状態で、フィクスチャに基礎基板とスペーサとを介して接合基板が上方に配置される。そして、スペーサがフィクスチャの内部に変位すると、接合基板は樹脂が塗布されている基礎基板の表面に落下し、それぞれの基板が加温された上下のプレートで加圧されることで接合される。 In such a substrate bonding apparatus, for example, the bonding substrate is held at three points by the spacer and the clamp of the fixture. In such a state, the bonding substrate is disposed above the fixture via the base substrate and the spacer. Then, when the spacer is displaced inside the fixture, the bonding substrate falls onto the surface of the base substrate on which the resin is applied, and each substrate is bonded by being pressed by the heated upper and lower plates. .
しかし、上述のような基板接合装置では、接合基板をスペーサとクランプとで上下方向に挟持するため、このクランプの位置で接合基板にクラックが発生することがあった。これは、接合基板の表面がクランプで上方から下方に押圧されていることに起因する。 However, in the substrate bonding apparatus as described above, since the bonded substrate is sandwiched in the vertical direction by the spacer and the clamp, a crack may occur in the bonded substrate at the position of the clamp. This is due to the fact that the surface of the bonding substrate is pressed downward from above by the clamp.
本発明は上述のような課題に鑑みてなされたものであり、基礎基板の粘着性の樹脂が塗布されている表面に接合させる接合基板にクラックを発生させることを防止できる基板接合装置を提供するものである。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and provides a substrate bonding apparatus capable of preventing the occurrence of cracks in a bonding substrate bonded to the surface of the base substrate on which the adhesive resin is applied. Is.
本発明の基板接合装置は、接合基板を移動自在に支持して基礎基板の粘着性の樹脂が塗布されている表面に接合させる基板接合装置であって、接合基板を裏面で支持するスペーサと、接合基板および基礎基板の外周部に立設されていて接合基板および基礎基板の外周面と対向して位置を規制する位置規制部材と、を有する。 The substrate bonding apparatus of the present invention is a substrate bonding apparatus that supports a bonded substrate in a movable manner and bonds the bonded substrate to the surface of the base substrate to which the adhesive resin is applied, a spacer that supports the bonded substrate on the back surface, A position restricting member that is erected on the outer peripheral portion of the bonding substrate and the base substrate and that controls the position opposite to the outer peripheral surfaces of the bonding substrate and the base substrate.
従って、本発明の基板接合装置では、接合基板をクランプで上方から押圧しないので、この押圧に起因したクラックが接合基板に発生することを防止できる。しかし、基礎基板の外周部に位置規制部材が立設されているので、基礎基板に接合される接合基板の位置が適切に規制される。 Therefore, in the substrate bonding apparatus of the present invention, since the bonded substrate is not pressed from above with the clamp, it is possible to prevent a crack caused by this pressing from occurring in the bonded substrate. However, since the position restricting member is erected on the outer peripheral portion of the basic substrate, the position of the bonded substrate bonded to the basic substrate is appropriately restricted.
なお、上述のような基板接合装置において、スペーサを変位自在に支持して接合基板を保持する環状の移動自在なフィクスチャを、さらに有し、位置規制部材は、フィクスチャに立設されていてもよい。 The above-described substrate bonding apparatus further includes an annular movable fixture that holds the bonding substrate by supporting the spacer in a displaceable manner, and the position regulating member is erected on the fixture. Also good.
また、上述のような基板接合装置において、略円形の基礎基板の外周部に略均等な配置で三本の位置規制部材が立設されていてもよい。 Further, in the substrate bonding apparatus as described above, the three position regulating members may be erected in a substantially uniform arrangement on the outer periphery of the substantially circular base substrate.
また、上述のような基板接合装置において、位置規制部材は、軸心方向が接合基板と基礎基板との接合方向と略平行な円筒状のガイドピンからなってもよい。 In the substrate bonding apparatus as described above, the position regulating member may be formed of a cylindrical guide pin whose axial direction is substantially parallel to the bonding direction between the bonding substrate and the base substrate.
本発明の基板接合方法は、本発明の基板接合装置を使用した基板接合方法であって、表面に粘着性の樹脂が塗布されている基礎基板を位置規制部材の内側に配置し、接合基板をスペーサにより裏面で支持して位置規制部材の内側に配置し、スペーサを接合基板の裏面から退避させ、接合基板を樹脂が塗布されている基礎基板の表面に落下させて接合する。 The substrate bonding method of the present invention is a substrate bonding method using the substrate bonding apparatus of the present invention, in which a base substrate whose surface is coated with an adhesive resin is disposed inside a position regulating member, and the bonding substrate is The spacer is supported on the back surface and arranged inside the position regulating member, the spacer is retracted from the back surface of the bonding substrate, and the bonding substrate is dropped onto the surface of the base substrate on which the resin is applied and bonded.
また、上述のような基板接合方法において、樹脂がフォトリソグラフィ法によりパターニングされている基礎基板を接合基板に接合してもよい。 In the substrate bonding method as described above, a base substrate on which a resin is patterned by a photolithography method may be bonded to the bonding substrate.
また、上述のような基板接合方法において、下方に配置した接合基板に基礎基板を上方から接合してもよい。 In the substrate bonding method as described above, the base substrate may be bonded from above to the bonding substrate disposed below.
なお、本発明の各種の構成要素は、必ずしも個々に独立した存在である必要はなく、複数の構成要素が一個の部材として形成されていること、一つの構成要素が複数の部材で形成されていること、ある構成要素が他の構成要素の一部であること、ある構成要素の一部と他の構成要素の一部とが重複していること、等でもよい。 The various components of the present invention do not necessarily have to be independent of each other. A plurality of components are formed as a single member, and a single component is formed of a plurality of members. It may be that a certain component is a part of another component, a part of a certain component overlaps with a part of another component, or the like.
本発明の基板接合装置では、接合基板をクランプで上方から押圧しないので、この押圧に起因したクラックが接合基板に発生することを防止できる。しかし、基礎基板および接合基板の外周部に位置規制部材が立設されているので、基礎基板に接合される接合基板の位置を適切に規制することができ、基礎基板と接合基板とを適切に接合させることができる。 In the substrate bonding apparatus of the present invention, the bonded substrate is not pressed from above with a clamp, so that it is possible to prevent a crack caused by the pressing from occurring in the bonded substrate. However, since the position restricting member is erected on the outer periphery of the basic substrate and the bonded substrate, the position of the bonded substrate bonded to the basic substrate can be appropriately controlled, and the basic substrate and the bonded substrate are properly positioned. Can be joined.
本発明の実施の一形態を図面を参照して以下に説明する。図1に示すように、本実施の形態の基板接合装置300は、粘着性の樹脂211が表面に塗布されているシリコン基板などの基礎基板である下位基板210を基板保持部の表面で支持する円環状のフィクスチャ120を有する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the
また、ガラス基板などの接合基板である上位基板220を裏面外周で支持する細長形状のスペーサ121が、円環状のフィクスチャ120の内周面に出没自在に支持されている。フィクスチャ120により下位基板210の上方に空間を形成して上位基板220を配置する。基板接合装置300には、内部の大気を排気するチャンバがある。
In addition, an
また、上位基板220を下位基板210に押圧する上部プレート130が上下方向に変位自在に配置されており、下位基板210を上位基板220に押圧する下部プレート110が支持されている。
Further, an
そして、本実施の形態の基板接合装置300は、図1および図2に示すように、下位基板210の外周部に位置規制部材であるガイドピン310がフィクスチャ120の外周部に立設されていて下位基板210と上位基板220との位置を規制する。
In the
そのガイドピン310は、軸心方向が上位基板220と下位基板210との接合方向である上下方向と略平行な、円筒状に形成されている。さらに、ガイドピン310は、図3に示すように、略円形の下位基板210の外周部に略均等な配置で三本が立設されている。
The
上述のような構成において、本実施の形態の基板接合方法は、本実施の形態の基板接合装置300を使用した基板接合方法であって、表面に粘着性の樹脂211が塗布されている下位基板210と、その上方にスペーサ121を介して上位基板220とを、三本のガイドピン310の内側に配置し、フィクスチャ120ごとチャンバ内の下部プレート110上に移動する。
In the configuration as described above, the substrate bonding method of the present embodiment is a substrate bonding method using the
つぎに、上部プレート130と下部プレート110とを所望の温度に加温し、チャンバ内を所望の圧力まで排気した後、スペーサ121を上位基板220の裏面から退避させ、上位基板220を樹脂211が塗布されている下位基板210の表面に落下させて加温および加圧することにより接合する。
Next, the
より詳細には、本実施の形態の基板接合装置300を利用した基板接合方法では、下位基板210をフィクスチャ120の基板保持部で保持する。つぎに、スペーサ121を下位基板210の上方に移動させ、下位基板210に接触しない高さに保持する。つぎに、スペーサ121の表面に上位基板220をセットする。このとき、上位基板220はフィクスチャ120に接合されているガイドピン310で位置合わせされる。
More specifically, in the substrate bonding method using the
このフィクスチャ120を基板接合装置300のチャンバ内に移動させて下部プレート110上に搭載する。このとき、フィクスチャ120の基板保持部が接触しないように下部プレート110には切り欠きが形成されている。さらに、上位基板220は下方のスペーサ121と外周面上のガイドピン310とで保持されているので、フィクスチャ120から変位することが防止される。
The
そして、スペーサ121により設けられた上位/下位基板220,210の間隙の空気を排気して所望の圧力にした後、スペーサ121がフィクスチャ120の内部に変位すると、上位基板220は樹脂211が塗布されている下位基板210の表面に落下する。
Then, after the air in the gap between the upper /
さらに、温度が設定された上部プレート130が上位基板220を上方から、温度が設定された下部プレート110が下位基板210を下方から押圧することで、下位基板210と上位基板220とが樹脂211で接合される。
Furthermore, the
本実施の形態の基板接合装置300では、上位基板220をクランプで上方から押圧しないので、この押圧に起因したクラックが上位基板220に発生することを防止できる。
In the
しかし、フィクスチャ120にガイドピン310が立設されているので、下位基板210に接合される上位基板220の位置を適切に規制することができ、下位基板210と上位基板220とを適切に接合させることができる。
However, since the guide pins 310 are erected on the
また、三本のガイドピン310が上位/下位基板220,210の外周部に均等に配置されているので、上位基板220の位置を必要最小限のガイドピン310で正確に規制することができる。なお、樹脂211が形成されている基板を上位基板220の位置、基礎基板を下位基板210の位置、に配置することもできる。
Further, since the three
[実施例]
まず、本発明者は、実際に上述のような基板接合装置300を試作して実験した。その実験結果を実施例として以下に説明する。まず、本発明の基板接合装置300では、フィクスチャ120は5〜15mmの板厚に形成されており、スペーサ121は100〜500μmの板厚に形成されている。ガイドピン310の全高は3〜6mmであり、直径は2〜6mmである。ガイドピン310と上位基板220および下位基板210とのクリアランスは0.2〜1.0mmである。
[Example]
First, the inventor actually experimented by making a prototype of the above-described
ガラス基板からなる上位基板220は、例えば、100〜1000μmの板厚に形成されている。シリコンウェハからなる下位基板210は、例えば、400〜1000μmの板厚に形成されており、その表面に樹脂211は5〜100μmの厚さに形成されており、例えば、50μmの厚さに形成され、フォトリソグラフィ法によりパターニングされている。
The
このような基板接合装置300で下位基板210に上位基板220を接合させたところ、上位基板220にクラックが発生することがなく、上位基板220を下位基板210に適切に接合できることが確認された。また、ガラス基板を下位基板210、樹脂パターン付きシリコンウェハを上位基板220としてセットしても、同様に接合できることが確認された。
When the
[比較例]
つぎに、本発明者が比較例として実施した基板接合装置100を図4ないし図6を参照して以下に説明する。
[Comparative example]
Next, a
この基板接合装置100は、粘着性の樹脂211が表面に塗布されているシリコン基板などの下位基板210と、ガラス基板などの上位基板220を裏面外周で支持する細長形状のスペーサ121が、円環状のフィクスチャ120の内周面に出没自在に支持されている。このフィクスチャ120の上部には、上位基板220を表面で接離自在に保持するクランプ122が変位自在に装着されている。
In this
上述のような構成において、まず、粘着性の樹脂211が表面に塗布されている下位基板210がフィクスチャ120のスペーサ121を介して上位基板220に配置され、上位基板220の上部をクランプ122で、例えば、三点保持される。
In the configuration as described above, first, the
このような状態で、フィクスチャ120が移動して基板接合装置100にあるチャンバ内の下部プレート110上に配置される。このとき、上位基板220は下方のスペーサ121と上方のクランプ122とで保持されているので、フィクスチャ120から変位することが防止される。
In this state, the
そして、上位/下位基板220,210の間隙の空気を排気した後、クランプ122を外し、スペーサ121がフィクスチャ120の内部に変位すると、上位基板220は樹脂211が塗布されている下位基板210の表面に落下する。さらに、上部プレート130が上位基板220を上方から、下部プレート110が下位基板210を下方から、押圧することで、下位基板210と上位基板220とが樹脂211で接合される。
Then, after the air in the gap between the upper /
しかし、上述のような基板接合装置100では、上位基板220をスペーサ121とクランプ122で上下方向に挟持するため、このクランプ122の位置で上位基板220にクラックが発生することがあった。
However, in the
なお、本発明は本実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許容する。 The present invention is not limited to the present embodiment, and various modifications are allowed without departing from the scope of the present invention.
100 従来の基板接合装置
110 下部プレート
120 フィクスチャ
121 スペーサ
122 クランプ
130 上部プレート
210 下位基板
211 樹脂
220 上位基板
300 本実施の形態の基板接合装置
310 ガイドピン
100 Conventional
Claims (7)
前記接合基板を裏面で支持するスペーサと、
前記接合基板および前記基礎基板の外周部に立設されていて前記接合基板および前記基礎基板の外周面と対向して位置を規制する位置規制部材と、
を有する基板接合装置。 A substrate bonding apparatus for supporting a bonded substrate in a movable manner and bonding the bonded substrate to the surface of the base substrate to which the adhesive resin is applied,
A spacer for supporting the bonding substrate on the back surface;
A position restricting member that is erected on the outer peripheral portion of the bonded substrate and the base substrate and restricts the position facing the outer peripheral surface of the bonded substrate and the basic substrate;
A substrate bonding apparatus.
前記位置規制部材は、前記フィクスチャに立設されている請求項1に記載の基板接合装置。 An annular movable fixture for holding the bonding substrate by supporting the spacer in a displaceable manner, further comprising:
The substrate bonding apparatus according to claim 1, wherein the position restricting member is erected on the fixture.
表面に粘着性の前記樹脂が塗布されている前記基礎基板を前記位置規制部材の内側に配置し、
前記接合基板を前記スペーサにより裏面で支持して前記位置規制部材の内側に配置し、
前記スペーサを前記接合基板の裏面から退避させ、
前記接合基板を前記樹脂が塗布されている前記基礎基板の表面に落下させて接合する基板接合方法。 A substrate bonding method using the substrate bonding apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The base substrate on which the adhesive resin is applied on the surface is disposed inside the position regulating member,
The bonding substrate is supported on the back surface by the spacer and arranged inside the position regulating member,
Retreating the spacer from the back surface of the bonding substrate;
A substrate bonding method in which the bonding substrate is dropped and bonded to the surface of the base substrate on which the resin is applied.
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