JP2012159822A - 光導波路およびそれを含む熱アシスト磁気記録ヘッド - Google Patents

光導波路およびそれを含む熱アシスト磁気記録ヘッド Download PDF

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Abstract

【課題】アスペクト比が非常に大きい部分を有する必要がなく、入射光に比べて伝播光の径を小さくすることができ、且つ入射部に対する入射光の位置ずれの許容誤差を大きくすることができるようにした光導波路を実現する。
【解決手段】光導波路のコア３２は、伝播部３２１，３２２，３２３と、これらを結合する結合部３２４を有している。伝播部３２１は、入射光の一部が入射される入射端面３２１ａと、第１の伝播光を出射する出射部３２１ｂを有している。伝播部３２２は、入射光の他の一部が入射される入射端面３２２ａと、第２の伝播光を出射する出射部３２２ｂを有している。結合部３２４内では、第１の伝播光に起因した第１の光波と、第２の伝播光に起因した第２の光波とが発生すると共に、第１および第２の光波が干渉することによって第３の伝播光が発生する。第３の伝播部３２３は、第３の伝播光を伝播させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、入射光に比べて伝播光の径を小さくする機能を有する光導波路およびそれを含む熱アシスト磁気記録ヘッドに関する。
近年、磁気ディスク装置等の磁気記録装置では、高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドおよび磁気記録媒体の性能向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、基板に対して、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。磁気ディスク装置において、薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体の表面からわずかに浮上するスライダに設けられる。
磁気記録媒体は、磁性微粒子が集合した不連続媒体であり、各磁性微粒子は単磁区構造となっている。この磁気記録媒体において、１つの記録ビットは、複数の磁性微粒子によって構成される。記録密度を高めるためには、隣接する記録ビットの境界の凹凸を小さくしなければならない。そのためには、磁性微粒子を小さくしなくてはならない。しかし、磁性微粒子を小さくすると、磁性微粒子の体積の減少に伴って、磁性微粒子の磁化の熱安定性が低下するという問題が発生する。この問題を解消するには、磁性微粒子の異方性エネルギーを大きくすることが効果的である。しかし、磁性微粒子の異方性エネルギーを大きくすると、磁気記録媒体の保磁力が大きくなって、既存の磁気ヘッドでは情報の記録が困難になるという問題が発生する。
上述のような問題を解決する方法として、いわゆる熱アシスト磁気記録という方法が提案されている。この方法では、保磁力の大きな磁気記録媒体を使用し、情報の記録時には、磁気記録媒体のうち情報が記録される部分に対して磁界と同時に熱も加えて、その部分の温度を上昇させ保磁力を低下させて情報の記録を行う。以下、熱アシスト磁気記録に用いられる磁気ヘッドを、熱アシスト磁気記録ヘッドと呼ぶ。
熱アシスト磁気記録では、磁気記録媒体に対して熱を加える方法としては、近接場光を用いる方法が一般的である。近接場光を発生させる方法としては、レーザ光によって励起されたプラズモンから近接場光を発生する金属片であるプラズモンジェネレータを用いる方法が知られている。また、一般的に、近接場光の発生に利用されるレーザ光は、スライダに設けられた光導波路によって、スライダの媒体対向面の近傍に設けられたプラズモンジェネレータに導かれる。
特許文献１には、光導波路を伝播する光を、プラズモンジェネレータに対して、緩衝部を介して表面プラズモンモードで結合させて、プラズモンジェネレータに表面プラズモンを励起させる技術が開示されている。
上記技術を用いる場合、プラズモンジェネレータに表面プラズモンを効率よく励起させるためには、プラズモンジェネレータの近傍において、光導波路を伝播する光がシングルモードになっていることが好ましい。一方、光導波路には、入射部に対する入射光の位置ずれの許容誤差が大きく、且つ入射光を効率よく伝播できることが求められる。
ここで、光導波路の入射部に対する入射光の位置ずれの許容誤差を大きくし、且つ光導波路が入射光を効率よく伝播できるようにするために、光導波路を伝播する光の進行方向に直交する光導波路の断面の面積を大きくすることが考えられる。しかし、そうすると、光導波路を伝播する光がマルチモードになってしまい、プラズモンジェネレータに表面プラズモンを効率よく励起させることができなくなってしまう。
そこで、光導波路の少なくとも一部として、入射光のスポットサイズよりも出射光のスポットサイズを小さくするスポットサイズコンバータを用いることが考えられる。このようなスポットサイズコンバータは、例えば、非特許文献１に開示されている。
特開２０１０−１０８５８４号公報
"Optical Technologies and Applications," Intel Technology Journal,Vol.8,Issue 2,p153-156,May 10,2004
入射光のスポットサイズよりも出射光のスポットサイズを小さくするスポットサイズコンバータとしては、非特許文献１に開示されているような、第１の入射端面と出射端面を有する第１の導波路部に、第２の入射端面を有するくさび形の第２の導波路部を積層した構造のものがある。以下、この構造のスポットサイズコンバータを積層型スポットサイズコンバータと呼ぶ。
積層型スポットサイズコンバータでは、光は、第１および第２の入射端面に入射して、第１および第２の導波路部を伝播する。光の進行方向に直交する第２の導波路部の断面の面積は、第２の入射端面からの距離が大きくなるに従って小さくなるため、第２の導波路部を伝播する光は、第２の導波路部に存在することができなくなり、やがて第１の導波路部に移動する。
積層型スポットサイズコンバータにおいて、第２の導波路部を伝播する光を第１の導波路部に効率よく移動させるためには、第２の導波路部の先端側（第２の入射端面とは反対側）を鋭く尖った形状にする必要がある。例えば、第２の導波路部の先端の曲率半径は０．１μｍ程度である。
以下、積層型スポットサイズコンバータにおける問題点について説明する。第２の入射端面において、第２の導波路部の厚みと幅は、それぞれ、例えば数μｍである。第２の導波路部の長さは、例えば数十ないし数百μｍである。この場合、第２の導波路部の幅は、数十ないし数百μｍの長さにわたって、数μｍからほぼ０まで、徐々に小さくなる。従って、第２の導波路部の特に先端に近い部分では、幅に対する厚みの比率（アスペクト比）が非常に大きくなる。このような形状の第２の導波路部を形成することは、非常に難しい。例えば、第２の導波路部の形成方法としては、誘電体層の上にフォトリソグラフィを用いてフォトレジストよりなるエッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを用いてエッチングによって誘電体層をパターニングする方法がある。この場合、エッチングマスクは、アスペクト比が非常に大きい部分を有するため、倒壊しやすい。また、第２の導波路部も、アスペクト比が非常に大きい部分を有するため、一部が欠けるおそれがある。
また、積層型スポットサイズコンバータでは、第１および第２の入射端面は、合わさって１つの面からなる入射部を構成する。この場合、入射光のスポットサイズを、上記の入射部の大きさと同程度とすると、入射部に対する入射光の位置ずれの許容誤差は、あまり大きくならない。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、アスペクト比が非常に大きい部分を有する必要がなく、入射光に比べて伝播光の径を小さくすることができ、且つ入射部に対する入射光の位置ずれの許容誤差を大きくすることができるようにした光導波路を提供することにある。
本発明の第２の目的は、上述のような光導波路を含む熱アシスト磁気記録ヘッド、ならびに、この熱アシスト磁気記録ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリおよび磁気記録装置を提供することにある。
本発明の光導波路は、コアとクラッドとを備え、入射光が入射されるものである。コアは、第１の伝播部と、第２の伝播部と、第３の伝播部と、第１ないし第３の伝播部を結合する結合部とを有している。第１の伝播部は、入射光の一部が入射される第１の入射端面と、第１の入射端面に入射し第１の伝播部を伝播した光である第１の伝播光を出射する第１の出射部とを有している。第２の伝播部は、入射光の他の一部が入射される第２の入射端面と、第２の入射端面に入射し第２の伝播部を伝播した光である第２の伝播光を出射する第２の出射部とを有している。第１の伝播部と第２の伝播部は、間隔をあけて配置されている。
結合部は、第１の出射部より出射される第１の伝播光が入射される第１の入射部と、第２の出射部より出射される第２の伝播光が入射される第２の入射部と、第３の出射部とを有している。結合部内において、第１の入射部に入射した第１の伝播光に起因した第１の光波と、第２の入射部に入射した第２の伝播光に起因した第２の光波とが発生すると共に、第１および第２の光波が干渉することによって、第３の出射部より出射される光である第３の伝播光が発生する。第３の伝播部は、第３の出射部より出射される第３の伝播光が入射される第３の入射部を有し、第３の伝播光を伝播させる。
本発明の光導波路では、入射光の一部が第１の伝播部の第１の入射端面に入射し、入射光の他の一部が第２の伝播部の第２の入射端面に入射する。第１の伝播部を伝播した第１の伝播光は、第１の出射部より出射され、結合部の第１の入射部に入射する。第２の伝播部を伝播した第２の伝播光は、第２の出射部より出射され、結合部の第２の入射部に入射する。結合部内では、第１の入射部に入射した第１の伝播光に起因した第１の光波と、第２の入射部に入射した第２の伝播光に起因した第２の光波とが発生すると共に、第１および第２の光波が干渉することによって、第３の出射部より出射される光である第３の伝播光が発生する。そして、この第３の伝播光が、第３の伝播部の第３の入射部に入射し、第３の伝播部を伝播する。
本発明の光導波路において、第３の伝播部は、第３の伝播光をシングルモードで伝播させるものであってもよい。
また、本発明の光導波路において、第１の光波は、それぞれ第１の入射部に入射した第１の伝播光に起因すると共に結合部の外周における反射回数（０回を含む）が互いに異なる複数の光波の干渉によって発生してもよい。また、第２の光波は、それぞれ第２の入射部に入射した第２の伝播光に起因すると共に結合部の外周における反射回数（０回を含む）が互いに異なる複数の光波の干渉によって発生してもよい。
また、本発明の光導波路において、第１の伝播部と第２伝播部は、同じ形状を有していてもよい。
また、本発明の光導波路において、第１の伝播部は、第１の出射部に近づくに従って第１の伝播光の進行方向に直交する断面の面積が減少する第１のテーパー部分を含んでいてもよい。また、第２の伝播部は、第２の出射部に近づくに従って第２の伝播光の進行方向に直交する断面の面積が減少する第２のテーパー部分を含んでいてもよい。
また、本発明の光導波路において、第１の伝播部は、更に、第１のテーパー部分と第１の出射部との間に位置し、第１の出射部からの距離に関わらずに第１の伝播光の進行方向に直交する断面の面積が一定である第１のストレート部分を含んでいてもよい。また、第２の伝播部は、更に、第２のテーパー部分と第２の出射部との間に位置し、第２の出射部からの距離に関わらずに第２の伝播光の進行方向に直交する断面の面積が一定である第２のストレート部分を含んでいてもよい。この場合、第１のストレート部分は、第１の伝播光をシングルモードで伝播させ、第２のストレート部分は、第２の伝播光をシングルモードで伝播させるものであってもよい。
本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、本発明の光導波路と、情報を磁気記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極とを備え、光導波路は、熱アシスト磁気記録に用いられる光を伝播させるものである。
本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、光導波路を伝播する光に基づいて表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンに基づいて近接場光を発生するプラズモンジェネレータを備えていてもよい。
本発明のヘッドジンバルアセンブリは、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドと、熱アシスト磁気記録ヘッドを支持するサスペンションとを備えている。本発明の磁気記録装置は、磁気記録媒体と、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドと、熱アシスト磁気記録ヘッドを支持すると共に磁気記録媒体に対して位置決めする位置決め装置とを備えている。
本発明の光導波路によれば、第１および第２の入射端面にまたがって入射する入射光を、１つの第３の伝播部を伝播する第３の伝播光に変換することができることから、入射光に比べて第３の伝播光の径を小さくすることが可能になる。また、本発明の光導波路では、第１の伝播部と第２の伝播部が間隔をあけて配置されていることから、第１の入射端面と第２の入射端面も間隔をあけて配置されている。これにより、本発明の光導波路によれば、１つの面からなる入射部を有するスポットサイズコンバータに比べて、第１および第２の入射端面を含む入射部に対する入射光の位置ずれの許容誤差を大きくすることができる。また、本発明の光導波路は、積層型スポットサイズコンバータと異なり、アスペクト比が非常に大きい部分を有する必要がない。以上のことから、本発明の光導波路によれば、アスペクト比が非常に大きい部分を有する必要がなく、入射光に比べて伝播光の径を小さくすることができ、且つ入射部に対する入射光の位置ずれの許容誤差を大きくすることが可能になるという効果を奏する。また、本発明の光導波路を含む熱アシスト磁気記録ヘッド、ならびに、この熱アシスト磁気記録ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリおよび磁気記録装置によっても、上記の効果を得ることができる。
本発明の一実施の形態に係る光導波路のコアを示す斜視図である。 本発明の一実施の形態に係る光導波路のコアを示す平面図である。 本発明の一実施の形態に係る光導波路のコアを示す側面図である。 本発明の一実施の形態に係る光導波路のコアを示す断面図である。 図３に示したコアの結合部の近傍を示す断面図である。 本発明の一実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドにおけるコア、プラズモンジェネレータおよび磁極を示す断面図である。 本発明の一実施の形態に係る磁気記録装置を示す斜視図である。 本発明の一実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリを示す斜視図である。 本発明の一実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドを示す斜視図である。 図９における１０−１０線断面図である。 本発明の一実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドにおけるヘッド部の一部を示す平面図である。 本発明の一実施の形態に係る磁気記録装置の回路構成を示すブロック図である。 本発明の一実施の形態に係る光導波路の製造方法における一工程を示す斜視図である。 図１３に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 図１４に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 図１５に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 図１６に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 図１７に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 図１８に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 図１９に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 図２０に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 比較例の光導波路のコアを示す斜視図である。 本発明の一実施の形態の形態に係る光導波路のコアとレーザ光との結合効率、および比較例の光導波路のコアとレーザ光との結合効率を説明するための概念図である。 実施例のモデルと比較例のモデルの光利用効率を示す特性図である。 実施例のモデルと比較例のモデルの規格化光利用効率を示す特性図である。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図７を参照して、本発明の一実施の形態に係る磁気記録装置としての磁気ディスク装置について説明する。図７に示したように、磁気ディスク装置は、複数の磁気記録媒体としての複数の磁気ディスク２０１と、この複数の磁気ディスク２０１を回転させるスピンドルモータ２０２とを備えている。本実施の形態における磁気ディスク２０１は、垂直磁気記録用であり、ディスク基板上に、軟磁性裏打ち層、中間層および磁気記録層（垂直磁化層）が順次積層された構造を有している。
磁気ディスク装置は、更に、複数の駆動アーム２１１を有するアセンブリキャリッジ装置２１０と、複数の駆動アーム２１１の先端部に取り付けられた複数のヘッドジンバルアセンブリ２１２とを備えている。ヘッドジンバルアセンブリ２１２は、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド１と、この熱アシスト磁気記録ヘッド１を支持するサスペンション２２０とを備えている。
アセンブリキャリッジ装置２１０は、熱アシスト磁気記録ヘッド１を、磁気ディスク２０１の磁気記録層に形成され、記録ビットが並ぶトラック上に位置決めするための装置である。アセンブリキャリッジ装置２１０は、更に、ピボットベアリング軸２１３と、ボイスコイルモータ２１４とを有している。複数の駆動アーム２１１は、ピボットベアリング軸２１３に沿った方向にスタックされ、ボイスコイルモータ２１４によって駆動されて、軸２１３を中心として揺動可能になっている。なお、本発明の磁気記録装置の構造は、以上説明した構成の磁気ディスク装置に限定されるものではない。例えば、本発明の磁気記録装置は、それぞれ１つの磁気ディスク２０１、駆動アーム２１１、ヘッドジンバルアセンブリ２１２および熱アシスト磁気記録ヘッド１を備えたものであってもよい。
磁気ディスク装置は、更に、熱アシスト磁気記録ヘッド１の記録動作および再生動作を制御すると共に、後述する熱アシスト磁気記録用のレーザ光を発生させる光源であるレーザダイオードの発光動作を制御する制御回路２３０を備えている。
図８は、図７におけるヘッドジンバルアセンブリ２１２を示す斜視図である。前述のように、ヘッドジンバルアセンブリ２１２は、熱アシスト磁気記録ヘッド１とサスペンション２２０とを備えている。サスペンション２２０は、ロードビーム２２１と、このロードビーム２２１に固着され、弾性を有するフレクシャ２２２と、ロードビーム２２１の基部に設けられたベースプレート２２３と、ロードビーム２２１およびフレクシャ２２２の上に設けられた配線部材２２４とを有している。配線部材２２４は、複数のリードを含んでいる。熱アシスト磁気記録ヘッド１は、磁気ディスク２０１の表面に対して所定の間隔（浮上量）をもって対向するように、サスペンション２２０の先端部においてフレクシャ２２２に固着されている。配線部材２２４の一端部は、熱アシスト磁気記録ヘッド１の複数の端子に電気的に接続されている。配線部材２２４の他端部には、ロードビーム２２１の基部に配置された複数のパッド状端子が設けられている。
アセンブリキャリッジ装置２１０およびサスペンション２２０は、本発明における位置決め装置に対応する。なお、本発明のヘッドジンバルアセンブリは、図８に示した構成のものに限定されるものではない。例えば、本発明のヘッドジンバルアセンブリは、サスペンション２２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップが装着されたものであってもよい。
次に、図９ないし図１１を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド１の構成について説明する。図９は、熱アシスト磁気記録ヘッド１を示す斜視図である。図１０は、図９における１０−１０線断面図である。図１１は、熱アシスト磁気記録ヘッドにおけるヘッド部の一部を示す平面図である。熱アシスト磁気記録ヘッド１は、スライダ１０と光源ユニット５０とを備えている。図１０は、スライダ１０と光源ユニット５０を分離した状態を表している。
スライダ１０は、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる直方体形状のスライダ基板１１と、ヘッド部１２とを備えている。スライダ基板１１は、磁気ディスク２０１に対向する媒体対向面１１ａと、この媒体対向面１１ａとは反対側の背面１１ｂと、媒体対向面１１ａと背面１１ｂとを連結する４つの面とを有している。媒体対向面１１ａと背面１１ｂとを連結する４つの面のうちの１つは素子形成面１１ｃである。素子形成面１１ｃは、媒体対向面１１ａに垂直である。ヘッド部１２は、素子形成面１１ｃの上に配置されている。媒体対向面１１ａは、磁気ディスク２０１に対するスライダ１０の適切な浮上量が得られるように加工されている。ヘッド部１２は、磁気ディスク２０１に対向する媒体対向面１２ａと、この媒体対向面１２ａとは反対側の背面１２ｂとを有している。媒体対向面１２ａは、スライダ基板１１の媒体対向面１１ａと平行である。
ここで、ヘッド部１２の構成要素に関して、基準の位置に対して、素子形成面１１ｃに垂直で、且つ素子形成面１１ｃから遠ざかる方向にある位置を「上方」と定義し、その反対方向にある位置を「下方」と定義する。また、ヘッド部１２に含まれる任意の層に関して、素子形成面１１ｃにより近い面を「下面」と定義し、素子形成面１１ｃからより遠い面を「上面」と定義する。
また、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、−Ｘ方向、−Ｙ方向、−Ｚ方向を以下のように定義する。Ｘ方向は、媒体対向面１１ａに垂直で、且つ媒体対向面１１ａから背面１１ｂに向かう方向である。Ｙ方向は、媒体対向面１１ａおよび素子形成面１１ｃに平行な方向であって、図１０における奥から手前に向かう方向である。Ｚ方向は、素子形成面１１ｃに垂直な方向であって、素子形成面１１ｃから離れる方向である。−Ｘ方向、−Ｙ方向、−Ｚ方向は、それぞれ、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とは反対方向である。スライダ１０から見た磁気ディスク２０１の進行方向はＺ方向である。スライダ１０における空気流入端（リーディング端）は、媒体対向面１１ａの−Ｚ方向における端部である。スライダ１０における空気流出端（トレーリング端）は、媒体対向面１２ａのＺ方向における端部である。また、トラック幅方向ＴＷは、Ｙ方向に平行な方向である。
光源ユニット５０は、レーザ光を出射する光源としてのレーザダイオード６０と、このレーザダイオード６０を支持する直方体形状の支持部材５１とを備えている。支持部材５１は、例えば、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料によって形成されている。支持部材５１は、接着面５１ａと、この接着面５１ａとは反対側の背面５１ｂと、接着面５１ａと背面５１ｂとを連結する４つの面とを有している。接着面５１ａと背面５１ｂとを連結する４つの面のうちの１つは光源設置面５１ｃである。接着面５１ａは、スライダ基板１１の背面１１ｂに接着される面である。光源設置面５１ｃは、接着面５１ａに垂直であり、素子形成面１１ｃに平行である。レーザダイオード６０は、光源設置面５１ｃに搭載されている。支持部材５１は、レーザダイオード６０を支持する機能の他に、レーザダイオード６０によって発生される熱を放散させるヒートシンクの機能を有していてもよい。
図１０に示したように、ヘッド部１２は、素子形成面１１ｃの上に配置された絶縁層１３と、この絶縁層１３の上に順に積層された再生ヘッド１４、記録ヘッド１６および保護層１７を備えている。絶縁層１３と保護層１７は、Ａｌ2Ｏ3（以下、アルミナとも記す。）等の絶縁材料によって形成されている。
再生ヘッド１４は、絶縁層１３の上に配置された下部シールド層２１と、この下部シールド層２１の上に配置されたＭＲ素子２２と、このＭＲ素子２２の上に配置された上部シールド層２３と、ＭＲ素子２２の周囲において下部シールド層２１と上部シールド層２３の間に配置された絶縁層２４とを有している。下部シールド層２１と上部シールド層２３は、軟磁性材料によって形成されている。絶縁層２４は、アルミナ等の絶縁材料によって形成されている。
ＭＲ素子２２の一端部は、媒体対向面１２ａに配置されている。ＭＲ素子としては、例えば、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子またはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用のセンス電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、センス電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。ＭＲ素子２２がＴＭＲ素子またはＣＰＰタイプのＧＭＲ素子の場合には、下部シールド層２１と上部シールド層２３は、センス電流をＭＲ素子２２に流すための電極を兼ねていてもよい。ＭＲ素子２２がＣＩＰタイプのＧＭＲ素子の場合には、ＭＲ素子２２と下部シールド層２１の間と、ＭＲ素子２２と上部シールド層２３の間に、それぞれ絶縁膜が設けられ、これらの絶縁膜の間に、センス電流をＭＲ素子２２に流すための２つのリードが設けられる。
ヘッド部１２は、更に、上部シールド層２３の上に配置された絶縁層２５と、この絶縁層２５の上に配置された中間シールド層２６と、この中間シールド層２６の上に配置された絶縁層２７とを備えている。中間シールド層２６は、記録ヘッド１６で発生する磁界からＭＲ素子２２をシールドする機能を有している。絶縁層２５，２７は、アルミナ等の絶縁材料によって形成されている。中間シールド層２６は、軟磁性材料によって形成されている。絶縁層２５と中間シールド層２６は、省略してもよい。
本実施の形態における記録ヘッド１６は、垂直磁気記録用である。記録ヘッド１６は、絶縁層２７の上に配置された下部ヨーク層２８と、媒体対向面１２ａの近傍において、下部ヨーク層２８の上に配置された下部シールド層２９と、媒体対向面１２ａから離れた位置において下部ヨーク層２８の上に配置された連結層３０を備えている。下部ヨーク層２８、下部シールド層２９および連結層３０は、軟磁性材料によって形成されている。
記録ヘッド１６は、更に、本実施の形態に係る光導波路を備えている。この光導波路は、熱アシスト磁気記録に用いられる光を伝播させるものである。光導波路は、コア３２とクラッドとを備えている。クラッドは、クラッド層３１とクラッド層３３を有している。クラッド層３１は、下部ヨーク層２８、下部シールド層２９および連結層３０を覆っている。コア３２は、クラッド層３１の上に配置されている。クラッド層３３は、クラッド層３１とコア３２を覆っている。コア３２は、媒体対向面１２ａに垂直な方向（Ｘ方向）に延びている。コア３２は、入射部３２ａと、その反対側の前端面とを有している。コア３２は、レーザダイオード６０より出射されて、入射部３２ａに入射されたレーザ光を伝播させる。
コア３２は、レーザ光を通過させる誘電体材料または半導体材料によって形成されている。クラッド層３１，３３は、誘電体材料によって形成され、且つコア３２の屈折率よりも小さい屈折率を有している。コア３２の屈折率は、例えば１．５〜３．５の範囲内である。クラッド層３１，３３の屈折率は、例えば１．４〜２．０の範囲内である。コア３２の材料としては、例えば、酸化タンタル、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、ケイ素のいずれかを用いることができる。クラッド層３１，３３の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、酸化窒化アルミニウムのいずれかを用いることができる。
記録ヘッド１６は、更に、媒体対向面１２ａの近傍において、コア３２の上方に配置されたプラズモンジェネレータ３４と、コア３２との間にプラズモンジェネレータ３４を挟む位置に配置された磁極３５とを備えている。プラズモンジェネレータ３４は、金属等の導電材料によって形成されている。プラズモンジェネレータ３４は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｒｈ、ＩｒおよびＲｕのうちの１つによって、またはこれらのうちの２つ以上からなる合金によって形成されていてもよい。磁極３５は、軟磁性材料、特に金属磁性材料によって形成されている。なお、コア３２、プラズモンジェネレータ３４および磁極３５の形状および配置については、後で詳しく説明する。
記録ヘッド１６は、更に、媒体対向面１２ａから離れた位置において、クラッド層３３に埋め込まれた連結層３６と、この連結層３６の上に配置された連結層３７とを備えている。連結層３６，３７は、連結層３０の上方の位置に配置されている。また、連結層３６，３７は、軟磁性材料によって形成されている。
図１１に示したように、記録ヘッド１６は、更に、クラッド層３１，３３に埋め込まれた２つの連結部４０Ａ，４０Ｂを備えている。連結部４０Ａ，４０Ｂは、軟磁性材料によって形成されている。連結部４０Ａ，４０Ｂは、コア３２のトラック幅方向ＴＷの両側において、コア３２に対して間隔をあけて配置されている。連結部４０Ａ，４０Ｂの下面は連結層３０の上面に接し、連結部４０Ａ，４０Ｂの上面は連結層３６の下面に接している。
記録ヘッド１６は、更に、磁極３５と連結層３７の周囲に配置された絶縁層３８と、この絶縁層３８の上に配置された絶縁層３９と、この絶縁層３９の上に配置されたコイル４１と、コイル４１を覆う絶縁層４２とを備えている。絶縁層３８，３９は、アルミナ等の絶縁材料によって形成されている。コイル４１は、連結層３７を中心として巻回された平面渦巻き形状を有している。コイル４１は、磁気ディスク２０１に記録する情報に応じた磁界を発生する。コイル４１は、銅等の導電材料によって形成されている。絶縁層４２は、例えばフォトレジストによって形成されている。
記録ヘッド１６は、更に、上部ヨーク層４３を備えている。上部ヨーク層４３は、磁極３５、絶縁層４２および連結層３７の上に配置され、媒体対向面１２ａの近傍において磁極３５の上面に接し、媒体対向面１２ａから離れた位置で連結層３７の上面に接している。上部ヨーク層４３は、軟磁性材料によって形成されている。
記録ヘッド１６において、下部シールド層２９、下部ヨーク層２８、連結層３０、連結部４０Ａ，４０Ｂ、連結層３６，３７、上部ヨーク層４３および磁極３５は、コイル４１によって発生された磁界に対応する磁束を通過させる磁路を構成している。磁極３５は、媒体対向面１２ａに配置された端面を有し、コイル４１によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を磁気ディスク２０１に記録するための記録磁界を発生する。下部シールド層２９は、磁極３５の端面より発生されて磁気ディスク２０１の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込むことにより、この磁束が磁気ディスク２０１に達することを阻止する。
図１０に示したように、保護層１７は、記録ヘッド１６を覆うように配置されている。図９に示したように、ヘッド部１２は、更に、保護層１７の上面に配置され、ＭＲ素子２２に電気的に接続された一対の端子１８と、保護層１７の上面に配置され、コイル４１に電気的に接続された一対の端子１９とを備えている。これらの端子１８，１９は、図８に示した配線部材２２４の複数のパッド状端子のうちの４つに電気的に接続されている。
レーザダイオード６０としては、ＩｎＰ系、ＧａＡｓ系、ＧａＮ系等の、通信用、光学系ディスクストレージ用または材料分析用等として通常用いられているものが使用可能である。レーザダイオード６０が出射するレーザ光の波長は、４００〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、６００〜８５０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
図１０に示したように、レーザダイオード６０は、下部電極６１と活性層６２と上部電極６３とを含む多層構造を有している。この多層構造における２つの劈開面には、光を全反射して発振を励起するためのＳｉＯ２、Ａｌ2Ｏ3等からなる反射層６４が設けられている。反射層６４には、発光中心６２ａを含む活性層６２の位置において、レーザ光を出射するための開口が設けられている。レーザダイオード６０の厚みＴＬＡは、例えば、６０〜２００μｍ程度である。
光源ユニット５０は、更に、光源設置面５１ｃに配置され、下部電極６１に電気的に接続された端子５２と、光源設置面５１ｃに配置され、上部電極６３に電気的に接続された端子５３とを備えている。これらの端子５２，５３は、図９に示した配線部材２２４の複数のパッド状端子のうちの２つに電気的に接続されている。端子５２，５３を介してレーザダイオード６０に所定の電圧を印加すると、レーザダイオード６０の発光中心６２ａからレーザ光が出射される。レーザダイオード６０より出射されるレーザ光は、電界の振動方向が活性層６２の面に対して垂直なＴＭモードの偏光であることが好ましい。
レーザダイオード６０の駆動には、磁気ディスク装置内の電源を使用することが可能である。磁気ディスク装置は、通常、例えば２Ｖ程度の電圧を発生する電源を備えており、この電源の電圧はレーザダイオード６０を駆動するのに十分である。また、レーザダイオード６０の消費電力は、例えば数十ｍＷ程度であり、これは、磁気ディスク装置内の電源で十分に賄うことができる。
図１０に示したように、光源ユニット５０は、支持部材５１の接着面５１ａがスライダ基板１１の背面１１ｂに接着されることによって、スライダ１０に対して固着される。レーザダイオード６０とコア３２は、レーザダイオード６０から出射されたレーザ光がコア３２の入射部３２ａに入射するように位置決めされている。
次に、図１ないし図５を参照して、コア３２について詳しく説明する。図１は、コア３２を示す斜視図である。図２は、コア３２を示す平面図である。図３は、コア３２を示す側面図である。図４は、光導波路の一部を示す断面図である。図５は、コア３２の結合部の近傍を示す断面図である。図１ないし図５には、図１０に示したＸ，Ｙ，Ｚの各方向も示している。
コア３２は、第１の伝播部３２１と、第２の伝播部３２２と、第３の伝播部３２３と、第１ないし第３の伝播部３２１，３２２，３２３を結合する結合部３２４とを有している。第１および第２の伝播部３２１，３２２は、それぞれ、背面１２ｂから−Ｘ方向に、媒体対向面１２ａに達しない所定の位置まで延びている。第３の伝播部３２３は、上記の所定の位置よりも媒体対向面１２ａに近い位置から−Ｘ方向に延びている。
第１の伝播部３２１と第２の伝播部３２２は、素子形成面１１ｃに垂直な方向（Ｚ方向）に間隔をあけて配置されている。図１ないし図５に示した例では、第１の伝播部３２１は、第２の伝播部３２２の上方に配置されている。ここで、図２および図４に示したように、入射光の中心を含み、素子形成面１１ｃに垂直な仮想の平面を記号Ｐで表す。第１の伝播部３２１と第２の伝播部３２２は、いずれも仮想の平面Ｐに対称な形状であって、且つ同じ形状を有している。
第１の伝播部３２１は、レーザダイオード６０から出射され、コア３２に入射されるレーザ光（以下、入射光と言う。）の一部が入射される第１の入射端面３２１ａと、第１の入射端面３２１ａに入射し第１の伝播部３２１を伝播した光である第１の伝播光を出射する第１の出射部３２１ｂと、２つの側面３２１ｃ，３２１ｄと、上面と、下面とを有している。第１の入射端面３２１ａは、コア３２の入射部３２ａの一部を構成する。第１の入射端面３２１ａおよび第１の出射部３２１ｂの形状は、いずれも、例えば矩形である。側面３２１ｃ，３２１ｄは、素子形成面１１ｃに対して垂直であってもよいし、素子形成面１１ｃに垂直な方向に対して傾いていてもよい。第１の伝播部３２１では、第１の伝播光は、第１の伝播部３２１が延びる方向、すなわち−Ｘ方向に進行する。
第１の伝播部３２１は、第１の導入部分３２１１と、第１のテーパー部分３２１２と、第１のストレート部分３２１３とを含んでいる。図１および図２では、これらの部分の境界を点線で示している。第１の導入部分３２１１、第１のテーパー部分３２１２および第１のストレート部分３２１３において、第１の伝播光の進行方向（−Ｘ方向）に直交する断面の形状は、いずれも、例えば矩形である。
第１のテーパー部分３２１２では、第１の出射部３２１ｂに近づくに従って第１の伝播光の進行方向に直交する断面の面積が減少している。図１ないし図３に示した例では、第１のテーパー部分３２１２のＺ方向の厚みは、第１の出射部３２１ｂからの距離に関わらずに一定であり、第１のテーパー部分３２１２のＹ方向の幅は、第１の出射部３２１ｂに近づくに従って小さくなっている。
第１の導入部分３２１１は、第１のテーパー部分３２１２と第１の入射端面３２１ａとの間に位置している。第１の伝播光の進行方向に直交する第１の導入部分３２１１の断面の面積および形状は、第１の入射端面３２１ａからの距離に関わらずに一定である。第１の伝播光の進行方向に直交する第１の導入部分３２１１と第１のテーパー部分３２１２の断面の形状は、第１の導入部分３２１１と第１のテーパー部分３２１２の境界において等しい。
第１のストレート部分３２１３は、第１のテーパー部分３２１２と第１の出射部３２１ｂとの間に位置している。第１の伝播光の進行方向に直交する第１のストレート部分３２１３の断面の面積および形状は、第１の出射部３２１ｂからの距離に関わらずに一定である。第１の伝播光の進行方向に直交する第１のテーパー部分３２１２と第１のストレート部分３２１３の断面の形状は、第１のテーパー部分３２１２と第１のストレート部分３２１３の境界において等しい。
第２の伝播部３２２は、入射光の他の一部が入射される第２の入射端面３２２ａと、第２の入射端面３２２ａに入射し第２の伝播部３２２を伝播した光である第２の伝播光を出射する第２の出射部３２２ｂと、第１および第２の側面と、上面と、下面とを有している。第２の入射端面３２２ａは、コア３２の入射部３２ａの他の一部を構成する。第２の入射端面３２２ａおよび第２の出射部３２２ｂの形状は、いずれも、例えば矩形である。第１および第２の側面は、素子形成面１１ｃに対して垂直であってもよいし、素子形成面１１ｃに垂直な方向に対して傾いていてもよい。第２の伝播部３２２では、第２の伝播光は、第２の伝播部３２２が延びる方向、すなわち−Ｘ方向に進行する。
第２の伝播部３２２は、第２の導入部分３２２１と、第２のテーパー部分３２２２と、第２のストレート部分３２２３とを含んでいる。図１では、これらの部分の境界を点線で示している。第２の導入部分３２２１、第２のテーパー部分３２２２および第２のストレート部分３２２３の形状は、それぞれ、第１の導入部分３２１１、第１のテーパー部分３２１２および第１のストレート部分３２１３と同じある。
ここで、図２に示したように、第１および第２の導入部分３２１１，３２２１のＹ方向の幅を記号ＷＷＧＡで表す。ＷＷＧＡは、０．３〜６μｍの範囲内であることが好ましく、１〜５μｍの範囲内であることがより好ましい。また、図３に示したように、第１および第２の導入部分３２１１，３２２１のＺ方向の厚みを記号ＴＷＧＡで表す。ＴＷＧＡは、０．２５〜０．９５μｍの範囲内であることが好ましく、０．３５〜０．８μｍの範囲内であることがより好ましい。また、図２に示したように、第１および第２の導入部分３２１１，３２２１のＸ方向の長さを記号ＨＷＧＡで表す。ＨＷＧＡは、例えば０〜２００μｍの範囲内である。ＨＷＧＡが０の場合は、第１および第２の導入部分３２１１，３２２１がなく、第１および第２のテーパー部分３２１２，３２２２の各端面が背面１２ｂに配置される。また、この場合、第１および第２の入射端面３２１ａ，３２２ａは、それぞれ、第１および第２のテーパー部分３２１２，３２２２の各端面によって構成される。
また、図３に示したように、第１および第２のテーパー部分３２１２，３２２２のＺ方向の厚みを記号ＴＷＧＢで表す。ＴＷＧＢは、０．２５〜０．９５μｍの範囲内であることが好ましく、０．３５〜０．８μｍの範囲内であることがより好ましい。また、図２に示したように、第１および第２のテーパー部分３２１２，３２２２のＸ方向の長さを記号ＨＷＧＢで表す。ＨＷＧＢは、例えば１０〜２００μｍの範囲内である。
また、図２に示したように、第１および第２のストレート部分３２１３，３２２３のＹ方向の幅を記号ＷＷＧＣで表す。また、図３に示したように、第１および第２のストレート部分３２１３，３２２３のＺ方向の厚みを記号ＴＷＧＣで表す。本実施の形態では、第１のストレート部分３２１３は、第１の伝播光をシングルモードで伝播させるものであり、第２のストレート部分３２２３は、第２の伝播光をシングルモードで伝播させるものである。これを実現するために、ＷＷＧＣは、０．３〜１μｍの範囲内であることが好ましく、０．３５〜０．６μｍの範囲内であることがより好ましい。また、ＴＷＧＣは、０．２５〜０．９５μｍの範囲内であることが好ましく、０．３５〜０．８μｍの範囲内であることがより好ましい。また、図２に示したように、第１および第２のストレート部分３２１３，３２２３のＸ方向の長さを記号ＨＷＧＣで表す。ＨＷＧＣは、例えば１０〜１００μｍの範囲内である。
また、図３に示したように、第１の伝播部３２１と第２の伝播部３２２との間の間隔は、背面１２ｂからの距離に関わらずに一定である。以下、この間隔を記号ＤＷＧで表す。コア３２の入射部３２ａを構成する第１の入射端面３２１ａと第２の入射端面３２２ａとの間の間隔は、ＤＷＧと等しい。ＤＷＧは、第１の入射端面３２１ａと第２の入射端面３２２ａの両方に入射光が当たるような大きさであることが好ましい。具体的には、ＤＷＧは、１．７μｍ以下であることが好ましく、１．３μｍ以下であることがより好ましい。
一方、ＤＷＧが小さくなると、第１の伝播部３２１を伝播する第１の伝播光と、第２の伝播部３２２を伝播する第２の伝播光との間で相互作用が生じる。具体的には、ＤＷＧが小さくなると、第１の伝播部３２１と第２の伝播部３２２との間で光のエネルギーが往来するようになる。この往来するエネルギーの量が多くなると、第１および第２の出射部３２１ｂ，３２２ｂにおける第１および第２の伝播光のエネルギーのバランスが悪くなるおそれがある。そのため、上記の相互作用が大きくならないように、ＤＷＧはある程度大きいことが好ましい。ここで、第１および第２の伝播光の波長を記号λで表し、第１の伝播部３２１と第２の伝播部３２２との間に存在するクラッド（クラッド層３３）の屈折率を記号ｎＣＬで表す。ＤＷＧは、λ／（２・ｎＣＬ）以上であることが好ましく、λ／ｎＣＬ以上であることがより好ましい。
なお、ＤＷＧは、上記のλ、ｎＣＬの他に、入射光のスポット径や、第１および第２の入射端面３２１ａ，３２２ａの寸法および配置を考慮して決定される。これらのパラメータの関係については、後で詳しく説明する。
結合部３２４は、例えば直方体形状をなしている。結合部３２４の外周は、第１および第２の伝播部３２１，３２２に向いた第１の部分３２４ａと、第３の伝播部３２３に向いた第２の部分３２４ｂと、上面と、下面と、２つの側面とを含んでいる。結合部３２４の２つの側面は、素子形成面１１ｃに対して垂直であってもよいし、素子形成面１１ｃに垂直な方向に対して傾いている部分を含んでいてもよい。第１の部分３２４ａには、第１の伝播部３２１の第１の出射部３２１ｂと第２の伝播部３２２の第２の出射部３２２ｂが連結されている。第１の出射部３２１ｂは、第１の部分３２４ａの上下方向（Ｚ方向）の中央よりも上の部分に連結されている。第２の出射部３２２ｂは、第１の部分３２４ａの上下方向（Ｚ方向）の中央よりも下の部分に連結されている。第２の部分３２４ｂには、第３の伝播部３２３が連結されている。
図５に示したように、第１の部分３２４ａは、第１の出射部３２１ｂから出射される第１の伝播光が入射される第１の入射部３２４ａ１と、第２の出射部３２２ｂから出射される第２の伝播光が入射される第２の入射部３２４ａ２とを含んでいる。第１の入射部３２４ａ１は、第１の部分３２４ａのうち、第１の出射部３２１ｂが連結された部分によって構成されている。第２の入射部３２４ａ２は、第１の部分３２４ａのうち、第２の出射部３２２ｂが連結された部分によって構成されている。
後で詳しく説明するが、結合部３２４内では、第１の伝播光と第２の伝播光に基づいて、第３の伝播光が発生する。第２の部分３２４ｂは、第３の伝播光を出射する第３の出射部３２４ｂ１を含んでいる。第３の出射部３２４ｂ１は、第２の部分３２４ｂのうち、第３の伝播部３２３が連結された部分によって構成されている。
ここで、図２に示したように、結合部３２４のＹ方向の幅を記号ＷＷＧ４で表す。ＷＷＧ４は、０．３〜１μｍの範囲内であることが好ましく、０．３５〜０．６μｍの範囲内であることがより好ましい。また、図５に示したように、結合部３２４のＺ方向の厚みを記号ＴＷＧ４で表す。ＴＷＧ４は、０．８〜２．２μｍの範囲内であることが好ましく、１．０〜２．０μｍの範囲内であることがより好ましい。
また、図５に示したように、結合部３２４のＸ方向の長さを記号ＨＷＧ４で表す。ＨＷＧ４は、第３の伝播光を第３の伝播部３２３に入射させるためのパラメータである。ＨＷＧ４については、後で詳しく説明する。
第３の伝播部３２３は、第３の出射部３２４ｂ１より出射される第３の伝播光が入射される第３の入射部３２３ａと、その反対側の前端面３２３ｂと、上面であるエバネッセント光発生面３２３ｃと、下面３２３ｄと、２つの側面３２３ｅ，３２３ｆとを有している。前端面３２３ｂは、コア３２の前端面でもある。第３の入射部３２３ａは、結合部３２４の第２の部分３２４ｂの上下方向（Ｚ方向）の中央部分に連結されている。第３の入射部３２３ａおよび前端面３２３ｂの形状は、いずれも、例えば矩形である。側面３２３ｅ，３２３ｆは、素子形成面１１ｃに対して垂直であってもよいし、素子形成面１１ｃに垂直な方向に対して傾いていてもよい。第３の伝播部３２３では、第３の伝播光は、第３の伝播部３２３が延びる方向、すなわち−Ｘ方向に進行する。エバネッセント光発生面３２３ｃは、第３の伝播光に基づいてエバネッセント光を発生する。
第３の伝播光の進行方向（−Ｘ方向）に直交する第３の伝播部３２３の断面の形状は、例えば矩形である。第３の伝播部３２３の上記断面の面積は、第１の入射端面３２１ａと第２の入射端面３２２ａの面積の合計よりも小さい。図１ないし図３に示した例では、第３の伝播部３２３の上記断面の面積および形状は、結合部３２４からの距離に関わらずに一定である。
ここで、図２に示したように、第３の伝播部３２３のＹ方向の幅を記号ＷＷＧ３で表す。また、図３に示したように、第３の伝播部３２３のＺ方向の厚みを記号ＴＷＧ３で表す。本実施の形態では、第３の伝播部３２３は、第３の伝播光をシングルモードで伝播させるものである。これを実現するために、ＷＷＧ３は、０．２５〜１μｍの範囲内であることが好ましく、０．３５〜０．６μｍの範囲内であることがより好ましい。また、ＴＷＧ３は、０．３〜１μｍの範囲内であることが好ましく、０．３５〜０．６μｍの範囲内であることがより好ましい。なお、ＴＷＧ３は、第１の伝播部３２１と第２の伝播部３２２との間の間隔ＤＷＧと等しくてもよいし、ＤＷＧよりも小さくてもよいし、大きくてもよい。ここで、入射部３２ａのＺ方向の寸法を、第１の入射端面３２１ａの上端から第２の入射端面３２２ａの下端までの距離と定義する。ＴＷＧ３は、入射部３２ａのＺ方向の寸法よりも小さい。
また、図２に示したように、第３の伝播部３２３のＸ方向の長さを記号ＨＷＧ３で表す。ＨＷＧ３は、例えば１０〜１００μｍの範囲内である。
次に、図６を参照して、プラズモンジェネレータ３４および磁極３５の形状および配置の一例について説明する。図６は、コア３２（第３の伝播部３２３）、プラズモンジェネレータ３４および磁極３５を示す断面図である。
図６に示した例では、プラズモンジェネレータ３４は、媒体対向面１２ａに配置された近接場光発生エッジ３４ｇを有している。また、プラズモンジェネレータ３４は、以下のような外面を有する三角柱形状を有している。プラズモンジェネレータ３４の外面は、エバネッセント光発生面３２３ｃに対して所定の間隔をもって対向して媒体対向面１２ａに垂直な方向に延びる伝播エッジ３４ａと、上面３４ｂと、第１および第２の斜面（図示せず）とを含んでいる。後で説明するように、伝播エッジ３４ａはプラズモンを伝播させる。近接場光発生エッジ３４ｇは、伝播エッジ３４ａの端に位置している。図示しないが、第１および第２の斜面は、それぞれ伝播エッジ３４ａに連結され伝播エッジ３４ａから離れるに従って互いの距離が大きくなっている。上面３４ｂは、第１の斜面と第２の斜面の上端同士を接続している。第１の斜面と第２の斜面がなす角度は、例えば３０度から１２０度の範囲内である。
プラズモンジェネレータ３４の外面は、更に、媒体対向面１２ａに配置された前端面３４ｃと、その反対側の後端面３４ｄとを含んでいる。前端面３４ｃと後端面３４ｄは、それぞれ、第１の斜面、第２の斜面および上面３４ｂを接続している。前端面３４ｃの形状は、三角形である。前端面３４ｃの頂点の１つは、伝播エッジ３４ａの端に位置する。この頂点は、近接場光発生エッジ３４ｇを形成する。
図６に示した例では、伝播エッジ３４ａと上面３４ｂとの間の距離は、媒体対向面１２ａからの距離によらずに一定またはほぼ一定である。また、Ｙ方向についての上面３４ｂの幅は、媒体対向面１２ａからの距離によらずに一定またはほぼ一定である。
図６に示したように、クラッド層３３のうち、エバネッセント光発生面３２３ｃと伝播エッジ３４ａとの間に配置された部分は、コア３２の屈折率よりも小さい屈折率を有する緩衝部３３Ａを構成している。
図６に示した例では、磁極３５は、第３の伝播部３２３との間にプラズモンジェネレータ３４を挟む位置に配置されている。磁極３５は、媒体対向面１２ａに配置された端面３５ａを有している。端面３５ａの形状は、例えば矩形である。また、磁極３５の下面は、プラズモンジェネレータ３４の上面３４ｂに接している。
媒体対向面１２ａにおけるプラズモンジェネレータ３４のトラック幅方向ＴＷ（Ｙ方向）の寸法と、媒体対向面１２ａにおけるプラズモンジェネレータ３４のＺ方向の寸法は、いずれも、コア３２を伝播するレーザ光の波長よりも十分に小さい。これらの寸法は、いずれも、例えば１０〜１００ｎｍの範囲内である。また、図６に示したように、プラズモンジェネレータ３４のＸ方向の長さを記号ＨＰＧで表す。ＨＰＧは、例えば０．６〜４．０μｍの範囲内である。
また、図６に示したように、プラズモンジェネレータ３４の伝播エッジ３４ａのうちエバネッセント光発生面３２３ｃと対向する部分のＸ方向の長さを記号ＨＢＦで表す。また、図６に示したように、伝播エッジ３４ａとエバネッセント光発生面３２３ｃとの間隔を記号ＴＢＦで表す。ＨＢＦとＴＢＦは、いずれも、表面プラズモンの適切な励起、伝播を実現するための重要なパラメータである。ＨＢＦは、０．６〜４．０μｍの範囲内であることが好ましく、コア３２を伝播するレーザ光の波長よりも大きいことが好ましい。なお、図６に示した例では、第３の伝播部３２３の前端面３２３ｂが媒体対向面１２ａに露出しているため、ＨＢＦは、ＨＰＧと等しくなっている。ＴＢＦは、１０〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましい。プラズモンジェネレータ３４の近接場光発生エッジ３４ｇと第３の伝播部３２３の前端面３２３ｂとの間の距離は、ＴＢＦと等しい。
なお、プラズモンジェネレータ３４および磁極３５の形状および配置は、図６を参照して説明した上記の例に限られない。
次に、図３、図５および図１０を参照して、コア３２を伝播する光について説明する。コア３２の入射部３２ａに入射する入射光４４は、レーザダイオード６０の発光中心６２ａから出射される。
入射光４４は、発散する光である。入射光４４の中心４４Ｃは、素子形成面１１ｃに平行である。前述の仮想の平面Ｐ（図２および図４参照）は、中心４４Ｃを含んでいる。通常用いられる定義と同様に、入射光４４のビームの形状を、放射強度が中心４４Ｃにおける放射強度の１／ｅ２となる面の形状とする。入射光４４のビームの形状は、発光中心６２ａからの距離が大きくなるに従って、発光中心６２ａの近傍における、中心４４Ｃを含む仮想の直線上の点を頂点とする円錐または楕円錐に漸近していく。ここで、上記円錐または楕円錐の側面と中心４４Ｃとがなす角度を発散角と呼ぶ。中心４４Ｃを含み素子形成面１１ｃに平行な仮想の平面における発散角（以下、水平発散角という。）と、中心４４Ｃを含み素子形成面１１ｃに垂直な仮想の平面Ｐにおける発散角（以下、垂直発散角という。）は、等しくてもよいし、異なっていてもよい。
本実施の形態では、レーザダイオード６０は、Ｚ方向に積層された多層構造を有している（図１０参照）。この場合、レーザダイオード６０の出射光の、Ｘ方向に垂直な断面の形状は、出射直後はＹ方向に長い形状であるが、その後、急激にＺ方向に広がる。そのため、入射光４４の垂直発散角は水平発散角よりも大きくなりやすく、入射部３２ａに入射する際の入射光４４のスポットの形状は、Ｚ方向に長い形状になりやすい。水平発散角は例えば６度から２０度の範囲内であり、垂直発散角は例えば２０度から６０の範囲内である。
入射部３２ａは、第１の伝播部３２１の第１の入射端面３２１ａと第２の伝播部３２２の第２の入射端面３２２ａによって構成されている。入射光４４は、第１の入射端面３２１ａと第２の入射端面３２２ａにまたがって入射する。
入射部３２ａに入射する際の入射光４４のスポット径（放射強度がスポット中心における放射強度の１／ｅ２となる放射強度等高線の径）は、少なくとも、第１の入射端面３２１ａと第２の入射端面３２２ａの両方に入射光４４が当たるような大きさである必要がある。一方、入射光４４のスポット径が必要以上に大きくなると、入射部３２ａ（第１および第２の入射端面３２１ａ，３２２ａ）以外の部分に当たる入射光４４の割合が大きくなり、コア３２に入射する入射光４４の光量が少なくなる。これらのことから、入射光４４のスポット径には、好ましい範囲が存在する。この範囲は、入射部３２ａの寸法、より具体的には、第１および第２の入射端面３２１ａ，３２２ａの寸法および配置によって決まる。なお、第１および第２の入射端面３２１ａ，３２２ａのＹ方向の寸法は、図２に示したＷＷＧＡと等しい。また、第１および第２の入射端面３２１ａ，３２２ａのＺ方向の寸法は、図３に示したＴＷＧＡと等しい。また、第１の入射端面３２１ａと第２の入射端面３２２ａとの間の間隔は、図３および図４に示したＤＷＧと等しい。以下、第１および第２の入射端面３２１ａ，３２２ａの寸法および配置について、ＷＷＧＡ，ＴＷＧＡ，ＤＷＧを用いて説明する。
まず、入射部３２ａに入射する際の入射光４４のスポットのＹ方向の径（直径）を、入射光４４のＹ方向のスポット径と定義し、入射部３２ａに入射する際の入射光４４のスポットのＺ方向の径（直径）を、入射光４４のＺ方向のスポット径と定義する。
入射部３２ａのＹ方向の寸法は、第１および第２の入射端面３２１ａ，３２２ａのＹ方向の寸法ＷＷＧＡと等しい。入射光４４のＹ方向のスポット径に対する入射部３２ａのＹ方向の寸法ＷＷＧＡの割合は、０．４〜１．６の範囲内であることが好ましく、０．６〜１．４の範囲内であることがより好ましい。
先に定義した入射部３２ａのＺ方向の寸法は、２ＴＷＧＡ＋ＤＷＧで表される。入射光４４のＺ方向のスポット径に対する入射部３２ａのＺ方向の寸法（２ＴＷＧＡ＋ＤＷＧ）の割合は、０．５５〜１．６の範囲内であることが好ましく、０．６〜１．４の範囲内であることがより好ましい。
次に、本実施の形態に係る光導波路の作用について説明する。入射光４４の一部は、第１の伝播部３２１の第１の入射端面３２１ａに入射し、第１の伝播光４５１として第１の伝播部３２１を伝播する。入射光４４の他の一部は、第２の伝播部３２２の第２の入射端面３２２ａに入射し、第２の伝播光４５２として第２の伝播部３２２を伝播する。第１の伝播光４５１の径は、第１のテーパー部分３２１２中を伝播するに従って小さくなる。同様に、第２の伝播光４５２の径は、第２のテーパー部分３２２２中を伝播するに従って小さくなる。
第１の伝播部３２１を伝播した第１の伝播光４５１は、第１の出射部３２１ｂより出射され、結合部３２４の第１の入射部３２４ａ１に入射する。第２の伝播部３２２を伝播した第２の伝播光４５２は、第２の出射部３２２ｂより出射され、結合部３２４の第２の入射部３２４ａ２に入射する。第１の伝播部３２１と第２の伝播部３２２の形状が同じであることと、第１および第２のストレート部分３２１３，３２２３がそれぞれ伝播光をシングルモードで伝播させることから、第１の入射部３２４ａ１における第１の伝播光４５１の位相と、第２の入射部３２４ａ２における第２の伝播光４５２の位相は等しいか、ほぼ等しい。
結合部３２４内では、第１の入射部３２４ａ１に入射した第１の伝播光４５１に起因した第１の光波４５３と、第２の入射部３２４ａ２に入射した第２の伝播光４５２に起因した第２の光波４５４とが発生する。
第１の光波４５３は、例えば、それぞれ第１の入射部３２４ａ１に入射した第１の伝播光４５１に起因すると共に結合部３２４の外周（第１および第２の入射部３２４ａ１，３２４ａ２と第３の出射部３２４ｂ１を除く）における反射回数（０回を含む）が互いに異なる複数の光波の干渉によって発生する。
ここで、図５を参照して、第１の光波４５３の態様の一例について詳しく説明する。図５において、符号４５３ａは第１の伝播光４５１に起因すると共に反射回数が０回の光波を示し、符号４５３ｂは第１の伝播光４５１に起因すると共に反射回数が２回の光波を示している。また、符号４５３ａ１を付した破線は光波４５３ａの経路を示し、符号４５３ｂ１を付した破線は光波４５３ｂの経路を示している。図５に示したように、光波４５３ａは、結合部３２４の外周で反射されずに、直接、第３の出射部３２４ｂ１に向かって進行する。また、光波４５３ｂは、第２の部分３２４ｂ（第３の出射部３２４ｂ１を除く）と第１の部分３２４ａ（第１および第２の入射部３２４ａ１，３２４ａ２を除く）とで２回反射されて、第３の出射部３２４ｂ１に向かって進行する。光波４５３ａと、第１の部分３２４ａで反射された後の光波４５３ｂは、互いに干渉する。第１の光波４５３は、例えば、光波４５３ａと光波４５３ｂが干渉することによって発生した光波を含む。図５に示した結合部３２４内の実線の直線は、上記の光波４５３ａ，４５３ｂのような複数の光波が干渉して、強め合った部分（明線）を示している。
第１の光波４５３と同様に、第２の光波４５４は、例えば、それぞれ第２の入射部３２４ａ２に入射した第２の伝播光４５２に起因すると共に結合部３２４の外周（第１および第２の入射部３２４ａ１，３２４ａ２と第３の出射部３２４ｂ１を除く）における反射回数（０回を含む）が互いに異なる複数の光波の干渉によって発生する。第２の光波４５４の発生の原理は、第１の光波４５３と同じである。図５において、符号４５４ａは第２の伝播光４５２に起因すると共に反射回数が０回の光波を示し、符号４５４ｂは第２の伝播光４５２に起因すると共に反射回数が２回の光波を示している。また、符号４５４ａ１を付した破線は光波４５４ａの経路を示し、符号４５４ｂ１を付した破線は光波４５４ｂの経路を示している。
結合部３２４内では、第１の光波４５３と第２の光波４５４が干渉することによって、第３の伝播光４６が発生する。第３の伝播光４６は、特に、第１の光波４５３と第２の光波４５４が干渉して強め合った光であることが好ましい。第３の伝播光４６は、第３の出射部３２４ｂ１より出射され、第３の伝播部３２３の第３の入射部３２３ａに入射し、第３の伝播部３２３を伝播する。
結合部３２４のＸ方向の長さＨＷＧ４は、第３の出射部３２４ｂ１より出射される第３の伝播光４６の強度が大きくなるように設定される。具体的には、例えば、第１の光波４５３における明線と第２の光波４５４における明線とが交差する位置またはその近傍に、第３の出射部３２４ｂ１が位置するように、長さＨＷＧ４が設定される。なお、長さＨＷＧ４が変わると、光波４５３，４５４における明線の位置も変わる。長さＨＷＧ４は、シミュレーションや実験に基づいて設定してもよい。長さＨＷＧ４は、例えば、第３の伝播光４６の強度が極大値をとるときの値を中心とし、第３の伝播光４６の強度の極大値からの低下量が許容範囲内となるような値の範囲内に設定される。
ここで、ＨＷＧ４の具体例を挙げる。ここでは、入射光４４（第１および第２の伝播光４５１，４５２）の波長が８００ｎｍであり、コア３２（結合部３２４）の屈折率が２．０８であり、クラッド（クラッド層３１，３３）の屈折率が１．６７であるとする。この場合、第３の伝播光４６の強度が極大値をとるときのＨＷＧ４は、例えば２．４μｍ、７．２μｍまたは１２．０μｍである。
次に、図６を参照して、本実施の形態における近接場光発生の原理と、近接場光を用いた熱アシスト磁気記録の原理について説明する。第３の伝播光４６は、第３の伝播部３２３を伝播して、緩衝部３３Ａの近傍に達する。ここで、第３の伝播部３２３と緩衝部３３Ａとの界面において、第３の伝播光４６が全反射することによって、緩衝部３３Ａ内にしみ出すエバネッセント光４７が発生する。次に、このエバネッセント光４７と、プラズモンジェネレータ３４の外面のうちの少なくとも伝播エッジ３４ａにおける電荷のゆらぎとが結合する形で表面プラズモンポラリトンモードが誘起される。このようにして、少なくとも伝播エッジ３４ａにおいて、エバネッセント光発生面３２３ｃより発生するエバネッセント光４７と結合することによって表面プラズモン４８が励起される。ここで、第３の伝播光４６がＴＭモードの偏光であると、第３の伝播光４６における電界の振動方向が、伝播エッジ３４ａに対向するエバネッセント光発生面３２３ｃに対して垂直になり、プラズモンジェネレータ３４において大きな強度の表面プラズモンを発生させることが可能になる。
プラズモンジェネレータ３４の外面のうちの少なくとも伝播エッジ３４ａに励起された表面プラズモン４８は、エッジプラズモンの形態となって、伝播エッジ３４ａに沿って近接場光発生エッジ３４ｇに伝播される。その結果、近接場光発生エッジ３４ｇにおいてエッジプラズモンが集中し、このエッジプラズモンに基づいて、近接場光発生エッジ３４ｇから近接場光４９が発生する。この近接場光４９は、磁気ディスク２０１に向けて照射され、磁気ディスク２０１の表面に達し、磁気ディスク２０１の磁気記録層の一部を加熱する。これにより、その磁気記録層の一部の保磁力が低下する。熱アシスト磁気記録では、このようにして保磁力が低下した磁気記録層の一部に対して、磁極３５より発生される記録磁界を印加することによってデータの記録が行われる。
次に、図１２を参照して、図７における制御回路２３０の回路構成と、熱アシスト磁気記録ヘッド１の動作について説明する。制御回路２３０は、制御ＬＳＩ（大規模集積回路）１００と、制御ＬＳＩ１００に接続されたＲＯＭ（リード・オンリ・メモリ）１０１と、制御ＬＳＩ１００に接続されたライトゲート１１１と、ライトゲート１１１とコイル４１とに接続されたライト回路１１２とを備えている。
制御回路２３０は、更に、ＭＲ素子２２と制御ＬＳＩ１００とに接続された定電流回路１２１と、ＭＲ素子２２に接続された増幅器１２２と、この増幅器１２２の出力端と制御ＬＳＩ１００とに接続された復調回路１２３とを備えている。
制御回路２３０は、更に、レーザダイオード６０と制御ＬＳＩ１００とに接続されたレーザ制御回路１３１と、制御ＬＳＩ１００に接続された温度検出器１３２とを備えている。
制御ＬＳＩ１００は、ライトゲート１１１に、記録データを供給すると共に記録制御信号を与える。また、制御ＬＳＩ１００は、定電流回路１２１と復調回路１２３に再生制御信号を与えると共に、復調回路１２３から出力される再生データを受け取る。また、制御ＬＳＩ１００は、レーザ制御回路１３１に、レーザＯＮ／ＯＦＦ信号と動作電流制御信号とを与える。温度検出器１３２は、磁気ディスク２０１の磁気記録層の温度を検出し、この温度の情報は制御ＬＳＩ１００に与えられる。ＲＯＭ１０１は、レーザダイオード６０に供給する動作電流の値を制御するため制御テーブル等を格納している。
記録動作時には、制御ＬＳＩ１００は、ライトゲート１１１に記録データを供給する。ライトゲート１１１は、記録制御信号が記録動作を指示するときのみ、記録データをライト回路１１２へ供給する。ライト回路１１２は、この記録データに従ってコイル４１に記録電流を流す。これにより、磁極３５より記録磁界が発生され、この記録磁界によって、磁気ディスク２０１の磁気記録層にデータが記録される。
再生動作時には、定電流回路１２１は、再生制御信号が再生動作を指示するときのみ、ＭＲ素子２２に一定のセンス電流を供給する。ＭＲ素子２２の出力電圧は、増幅器１２２によって増幅され、復調回路１２３に入力される。再生制御信号が再生動作を指示するとき、復調回路１２３は、増幅器１２２の出力を復調して再生データを生成し、制御ＬＳＩ１００に与える。
レーザ制御回路１３１は、レーザＯＮ／ＯＦＦ信号に基づいてレーザダイオード６０に対する動作電流の供給を制御すると共に、動作電流制御信号に基づいてレーザダイオード６０に供給される動作電流の値を制御する。レーザＯＮ／ＯＦＦ信号がオン動作を指示する場合、レーザ制御回路１３１の制御により、発振しきい値以上の動作電流がレーザダイオード６０に供給される。これにより、レーザダイオード６０よりレーザ光が出射され、このレーザ光がコア３２を伝播する。そして、前述の近接場光発生の原理により、プラズモンジェネレータ３４の近接場光発生エッジ３４ｇから近接場光４９が発生し、この近接場光４９によって、磁気ディスク２０１の磁気記録層の一部が加熱されて、その一部の保磁力が低下する。記録時には、この保磁力が低下した磁気記録層の一部に対して、磁極３５より発生される記録磁界を印加することによってデータの記録が行われる。
制御ＬＳＩ１００は、温度検出器１３２によって測定された磁気ディスク２０１の磁気記録層の温度等に基づいて、ＲＯＭ１０１内に格納された制御テーブルを参照して、レーザダイオード６０の動作電流の値を決定し、その値の動作電流がレーザダイオード６０に供給されるように動作電流制御信号によってレーザ制御回路１３１を制御する。制御テーブルは、例えば、レーザダイオード６０の発振しきい値および光出力−動作電流特性の温度依存性を表すデータを含んでいる。制御テーブルは、更に、動作電流値と、近接場光４９によって加熱された磁気記録層の温度上昇分との関係を表すデータや、磁気記録層の保磁力の温度依存性を表すデータも含んでいてもよい。
図１２に示したように、制御回路２３０が、記録／再生動作の制御信号系とは独立して、レーザダイオード６０を制御するための信号系すなわちレーザＯＮ／ＯＦＦ信号および動作電流制御信号の信号系を有することによって、単純に記録動作に連動したレーザダイオード６０への通電のみならず、より多様なレーザダイオード６０への通電のモードを実現することができる。なお、制御回路２３０の回路構成は、図１２に示したものに限定されるものではない。
次に、本実施の形態におけるスライダ１０の製造方法について簡単に説明する。スライダ１０の製造方法は、複数のスライダ１０のスライダ基板１１となる部分を含む基板上に、複数のスライダ１０におけるスライダ基板１１以外の構成要素を形成して、それぞれ後にスライダ１０となるスライダ予定部が複数列に配列された基礎構造物を作製する工程と、この基礎構造物を切断することによって複数のスライダ予定部を互いに分離して、複数のスライダ１０を形成する工程とを備えている。複数のスライダ１０を形成する工程では、切断によって形成された面を研磨して媒体対向面１１ａ，１２ａを形成する。
次に、図１３ないし図２１を参照して、本実施の形態に係る光導波路の製造方法について詳しく説明する。図１３ないし図２１は、光導波路の製造過程における積層体の一部を示す斜視図である。本実施の形態に係る光導波路の製造方法は、コア３２を形成する工程と、クラッドを形成する工程とを備えている。クラッドを形成する工程は、クラッド層３１を形成する工程と、クラッド層３３を形成する工程とを含んでいる。本実施の形態に係る光導波路の製造方法では、まず、図１３に示したように、クラッド層３１と同じ誘電体材料よりなるクラッド材料層３１１を形成する。
図１４は、次の工程を示す。この工程では、クラッド材料層３１１の上に、誘電体材料よりなり、後にコア３２の一部となるコア材料層７１を形成する。
図１５は、次の工程を示す。この工程では、コア材料層７１の上に、第２の伝播部３２２および結合部３２４の平面形状（上方から見た形状）に対応した平面形状を有するフォトレジストマスク７６を形成する。フォトレジストマスク７６は、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。
図１６は、次の工程を示す。この工程では、まず、イオンミリング等のエッチングによって、コア材料層７１のうち、フォトレジストマスク７６によって覆われていない部分を除去する。これにより、コア材料層７１は、コア３２の一部である第１の部分３２０Ａとなる。第１の部分３２０Ａは、第２の伝播部３２２と、結合部３２４の一部とを含んでいる。次に、フォトレジストマスク７６を除去する。次に、積層体の上面全体の上に、クラッド層３１と同じ誘電体材料よりなるクラッド材料層３１２を形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、第１の部分３２０Ａの上面が露出するまで、クラッド材料層３１２を研磨して、第１の部分３２０Ａおよびクラッド材料層３１２の上面を平坦化する。クラッド層３１は、クラッド材料層３１１，３１２によって構成される。
図１７は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、誘電体材料よりなり、後にコア３２の他の一部となるコア材料層７２を形成する。次に、コア材料層７２の上に、第３の伝播部３２３および結合部３２４の平面形状に対応した平面形状を有するフォトレジストマスク７７を形成する。フォトレジストマスク７７は、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。
図１８は、次の工程を示す。この工程では、まず、イオンミリング等のエッチングによって、コア材料層７２のうち、フォトレジストマスク７７によって覆われていない部分を除去する。これにより、コア材料層７２は、コア３２の他の一部である第２の部分３２０Ｂとなる。第２の部分３２０Ｂは、第３の伝播部３２３と、結合部３２４の他の一部とを含んでいる。次に、フォトレジストマスク７７を除去する。次に、積層体の上面全体の上に、クラッド層３３と同じ誘電体材料よりなるクラッド材料層３３１を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２の部分３２０Ｂの上面が露出するまで、クラッド材料層３３１を研磨して、第２の部分３２０Ｂおよびクラッド材料層３３１の上面を平坦化する。
図１９は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、誘電体材料よりなり、後にコア３２の更に他の一部となるコア材料層７３を形成する。次に、コア材料層７３の上に、第１の伝播部３２１および結合部３２４の平面形状に対応した平面形状を有するフォトレジストマスク７８を形成する。フォトレジストマスク７８の形状は、フォトレジストマスク７６の形状と同じである。フォトレジストマスク７８は、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。
図２０は、次の工程を示す。この工程では、まず、イオンミリング等のエッチングによって、コア材料層７３のうち、フォトレジストマスク７８によって覆われていない部分を除去する。これにより、コア材料層７３は、コア３２の更に他の一部である第３の部分３２０Ｃとなる。第３の部分３２０Ｃは、第１の伝播部３２１と、結合部３２４の更に他の一部とを含んでいる。コア３２は、第１ないし第３の部分３２０Ａ，３２０Ｂ，３２０Ｃによって構成される。次に、フォトレジストマスク７８を除去する。次に、積層体の上面全体の上に、クラッド層３３と同じ誘電体材料よりなるクラッド材料層３３２を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第３の部分３２０Ｃの上面が露出するまで、クラッド材料層３３２を研磨して、第３の部分３２０Ｃおよびクラッド材料層３３２の上面を平坦化する。
図２１は、次の工程を示す。この工程では、積層体の上面全体の上に、クラッド層３３と同じ誘電体材料よりなるクラッド材料層３３３を形成する。クラッド層３３は、クラッド材料層３３１，３３２，３３３によって構成される。
以下、本実施の形態に係る光導波路および熱アシスト磁気記録ヘッド１の効果について説明する。本実施の形態に係る光導波路によれば、第１および第２の入射端面３２１ａ，３２２ａにまたがって入射する入射光４４を、１つの第３の伝播部３２３を伝播する第３の伝播光４６に変換することができる。そのため、本実施の形態によれば、入射光４４に比べて第３の伝播光４６の径を小さくすることが可能になる。本実施の形態では、特に、第３の伝播光４６の進行方向（−Ｘ方向）に直交する第３の伝播部３２３の断面の面積は、第１の入射端面３２１ａと第２の入射端面３２２ａの面積の合計よりも小さい。また、第３の伝播部３２３のＺ方向の厚みＴＷＧ３は、入射部３２ａのＺ方向の寸法（２ＴＷＧＡ＋ＤＷＧ）よりも小さい。これらのことから、本実施の形態によれば、入射光４４に比べて第３の伝播光４６の径は、確実に小さくなる。このように、本実施の形態に係る光導波路は、入射光に比べて第３の伝播光４６の径を小さくするスポットサイズコンバータとしての機能を有している。
また、第１のテーパー部分３２１２では、第１の出射部３２１ｂに近づくに従って第１の伝播光４５１の進行方向（−Ｘ方向）に直交する断面の面積が減少している。そのため、第１の伝播光４５１の径は、第１のテーパー部分３２１２中を伝播するに従って小さくなる。同様に、第２のテーパー部分３２２２では、第２の出射部３２２ｂに近づくに従って第２の伝播光４５２の進行方向（−Ｘ方向）に直交する断面の面積が減少している。そのため、第２の伝播光４５２の径は、第２のテーパー部分３２２２中を伝播するに従って小さくなる。これらのことから、本実施の形態によれば、第１および第２の伝播光４５１，４５２に比べて第３の伝播光４６の径を、より一層縮小することができる。
ここで、本実施の形態におけるコア３２の代りに、第１の伝播部３２１、第２の伝播部３２２および結合部３２４を有さず、第３の伝播部３２３のみによって構成された仮想のコアを用いた場合について考える。この仮想のコアでは、第３の伝播部３２３の第３の入射部３２３ａが入射端面になる。この入射端面の面積は、伝播光の進行方向（−Ｘ方向）に直交する第３の伝播部３２３の断面の面積と等しい。第３の伝播部３２３の上記断面の面積は、伝播光がシングルモードになるように、ある程度小さくする必要がある。その結果、入射端面の面積は、入射光のスポット径に比べて小さくなる。そのため、この場合には、入射端面に対する入射光の位置ずれの許容誤差は小さくなる。また、この場合には、入射端面以外の部分に当たる入射光の割合が大きくなり、コアを伝播する光の光量が少なくなる。
上記の仮想のコアにおいて、入射端面に対する入射光の位置ずれの許容誤差を大きくし、且つコアを伝播する光の光量を多くするために、伝播光の進行方向（−Ｘ方向）に直交する第３の伝播部３２３の断面の面積を大きくすることが考えられる。しかし、そうすると、第３の伝播部３２３を伝播する光は、マルチモードになりやすくなる。熱アシスト磁気記録ヘッド１では、第３の伝播部３２３を伝播する光がマルチモードになると、プラズモンジェネレータ３４の伝播エッジ３４ａにおける表面プラズモンの励起に寄与するモードが少なくなって、プラズモンジェネレータ３４に表面プラズモンを効率よく励起させることができなくなってしまう。
これに対し、本実施の形態におけるコア３２では、第１の伝播部３２１と第２の伝播部３２２がＺ方向に間隔をあけて配置されていることから、第１の入射端面３２１ａと第２の入射端面３２２ａもＺ方向に間隔をあけて配置されている。そのため、本実施の形態では、第３の伝播光４６の進行方向に直交する第３の伝播部３２３の断面の面積を大きくすることなく、コア３２の入射部３２ａの寸法（Ｚ方向の寸法）を大きくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、上記の仮想のコアを用いた場合に比べて、入射部３２ａに対する入射光４４の位置ずれの許容誤差を大きくすることができ、且つコア３２を伝播する光の光量を多くすることが可能になる。
ところで、本実施の形態では、前述のように、レーザダイオード６０がＺ方向に積層された多層構造を有することから、入射光４４の垂直発散角は水平発散角よりも大きくなりやすい。ここで、入射光４４の垂直発散角が水平発散角よりも大きい場合において、前述の仮想のコアを用いた場合について考える。この場合、入射端面に対する入射光４４の位置ずれの大きさがＺ方向とＹ方向とで同じと仮定すると、入射光４４の位置ずれに伴って生じる入射端面に対する入射光４４の入射角度の変化量は、Ｙ方向の位置ずれの場合よりもＺ方向の位置ずれの場合の方が大きくなる。その結果、入射光４４の位置ずれに伴って生じるコアと入射光４４との結合効率の変化量は、Ｙ方向の位置ずれの場合よりもＺ方向の位置ずれの場合の方が大きくなる。従って、この場合には、入射端面に対する入射光４４のＺ方向の位置ずれの許容誤差は、Ｙ方向の位置ずれの許容誤差に比べて小さくなる。
また、Ｚ方向についてのレーザダイオード６０の発光中心６２ａとコアの入射部との位置合わせは、Ｙ方向についてのレーザダイオード６０の発光中心６２ａとコアの入射部との位置合わせに比べて難しい。それは、Ｚ方向についての位置合わせでは、レーザダイオード６０、コアならびにそれらを支持する部分に含まれる複数の層の位置の誤差が積み重なるためである。
これらのことから、レーザダイオード６０がＺ方向に積層された多層構造を有する場合、特に、コアの入射部に対する入射光４４のＺ方向の位置ずれの許容誤差を大きくすることが望まれる。本実施の形態に係る光導波路では、コア３２が、レーザダイオード６０の積層方向（Ｚ方向）に間隔をあけて並ぶ２つの入射端面３２１ａ，３２２ａを有することにより、入射部３２ａに対する入射光４４のＺ方向の位置ずれの許容誤差を大きくすることができる。これについては、後で、シミュレーションの結果を参照して、更に詳しく説明する。
また、本実施の形態では、第１のテーパー部分３２１２のＺ方向の厚みは、第１の出射部３２１ｂからの距離に関わらずに一定であり、第１のテーパー部分３２１２のＹ方向の幅は、第１の出射部３２１ｂに近づくに従って小さくなっている。また、第２のテーパー部分３２２２のＺ方向の厚みは、第２の出射部３２２ｂからの距離に関わらずに一定であり、第２のテーパー部分３２２２のＹ方向の幅は、第２の出射部３２２ｂに近づくに従って小さくなっている。これらのことから、本実施の形態によれば、第１および第２の入射端面３２１ａ，３２２ａのＹ方向の寸法ＷＷＧＡ、すなわちコア３２の入射部３２ａのＹ方向の寸法を大きくすることができる。その結果、本実施の形態によれば、入射部３２ａに対する入射光４４のＹ方向の位置ずれの許容誤差を大きくすることができる。
また、本実施の形態では、第１のストレート部分３２１３は、第１の伝播光４５１をシングルモードで伝播させるものであり、第２のストレート部分３２２３は、第２の伝播光４５２をシングルモードで伝播させるものである。これにより、本実施の形態によれば、第１の入射部３２４ａ１における第１の伝播光４５１の位相と、第２の入射部３２４ａ２における第２の伝播光４５２の位相を合わせることが容易になる。また、これにより、結合部３２４の設計が容易になる。
次に、比較例の光導波路と比較しながら、本実施の形態の効果について更に詳しく説明する。比較例の光導波路は、積層型スポットサイズコンバータである。始めに、図２２を参照して、比較例の光導波路の構成について説明する。図２２は、比較例の光導波路のコアを示す斜視図である。なお、図２２には、図１ないし図５に示したＸ，Ｙ，Ｚの各方向も示している。
比較例の光導波路は、図２２に示したコア８２と、図示しないクラッドとを備えている。コア８２は、入射部８２ａと、その反対側の前端面８２ｂとを有している。また、コア８２は、第１の伝播部８２１と、第１の伝播部８２１の上に積層された第２の伝播部８２２とを有している。第１および第２の伝播部８２１，８２２は、それぞれ、図２２における−Ｘ方向に延びている。
第１の伝播部８２１は、入射光の一部が入射される第１の入射端面８２１ａと、その反対側の前端面８２１ｂとを有している。前端面８２１ｂは、コア８２の前端面８２ｂでもある。第１の伝播部８２１の形状は、基本的には、図１ないし図３に示した本実施の形態における第１の伝播部３２１と同じである。
第２の伝播部８２２は、入射光の他の一部が入射される第２の入射端面８２２ａと、その反対側の先端８２２ｂとを有し、先端８２２ｂが−Ｘ方向に向いたくさび形をなしている。第２の入射端面８２２ａの形状は矩形である。第１および第２の入射端面８２１ａ，８２２ａは、合わさって１つの面からなる入射部８２ａを構成する。第１および第２の入射端面８２１ａ，８２２ａに入射した光は、第１および第２の伝播部８２１，８２２が延びる方向、すなわち−Ｘ方向に進行する。
光の進行方向（−Ｘ方向）に直交する第２の伝播部８２２の断面の形状は矩形である。この断面の面積は、第２の入射端面８２２ａから離れるに従って減少している。第２の伝播部８２２のＺ方向の厚みは、第２の入射端面８２２ａからの距離に関わらずに一定であり、第２の伝播部８２２のＹ方向の幅は、第２の入射端面８２２ａから離れるに従って小さくなっている。
次に、コア８２を伝播する光について説明する。入射光の一部は、第１の入射端面８２１ａに入射し、第１の伝播光として第１の伝播部８２１を伝播する。入射光の他の一部は、第２の入射端面８２２ａに入射し、第２の伝播光として第２の伝播部８２２を伝播する。第２の伝播光の進行方向（−Ｘ方向）に直交する第２の伝播部８２２の断面の面積は、第２の入射端面８２２ａから離れるに従って減少するため、第２の伝播光は、第２の伝播部８２２に存在することができなくなり、やがて第１の伝播部８２１に移動する。第１および第２の伝播光の径は、第１および第２の伝播部８２１，８２２中を伝播するに従って小さくなる。比較例の光導波路において、第２の伝播光を第１の伝播部８２１に効率よく移動させるためには、第２の伝播部８２２の先端８２２ｂ側を鋭く尖った形状にする必要がある。例えば、ＸＹ平面に平行な断面における先端８２２ｂの曲率半径は０．１μｍ程度である。
次に、比較例の光導波路と比較しながら、本実施の形態の効果について説明する。比較例の光導波路では、第２の入射端面８２２ａにおいて、第２の伝播部８２２のＺ方向の厚みとＹ方向の幅は、それぞれ、例えば数μｍである。第２の伝播部８２２のＸ方向の長さは、例えば数十ないし数百μｍである。この場合、第２の伝播部８２２のＹ方向の幅は、数十ないし数百μｍの長さにわたって、数μｍからほぼ０まで、徐々に小さくなる。従って、第２の伝播部８２２の特に先端８２２ｂに近い部分では、Ｙ方向の幅に対するＺ方向の厚みの比率（アスペクト比）が非常に大きくなる。このような形状の第２の伝播部８２２を形成することは、非常に難しい。例えば、第２の伝播部８２２の形成方法としては、誘電体層の上にフォトリソグラフィを用いてフォトレジストよりなるエッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを用いてエッチングによって誘電体層をパターニングする方法がある。この場合、エッチングマスクは、アスペクト比が非常に大きい部分を有するため、倒壊しやすい。また、第２の伝播部８２２も、アスペクト比が非常に大きい部分を有するため、一部が欠けるおそれがある。
これに対し、本実施の形態に係る光導波路のコア３２は、比較例の光導波路のコア８２と異なり、アスペクト比が非常に大きい部分を有する必要がない。従って、本実施の形態によれば、比較例の光導波路のコア８２を作製する上での上述の問題が発生せず、比較例の光導波路に比べて、光導波路（コア３２）を容易に形成することができる。
また、比較例の光導波路では、第１の入射端面８２１ａと第２の入射端面８２２ａは、合わさって１つの面からなる入射部８２ａを構成する。入射部８２ａのＺ方向の寸法は、第１の入射端面８２１ａと第２の入射端面８２２ａのＺ方向の寸法の合計と等しくなる。比較例の光導波路では、第１および第２の伝播光がマルチモードになることを防止する必要があることから、第１の伝播部８２１と第２の伝播部８２２のＺ方向の厚みを、あまり大きくすることができない。そのため、比較例の光導波路では、第１の入射端面８２１ａと第２の入射端面８２２ａのＺ方向の寸法をあまり大きくすることができず、入射部８２ａのＺ方向の寸法もあまり大きくすることができない。その結果、比較例の光導波路では、入射部８２ａに対する入射光の位置ずれの許容誤差を大きくすることが難しい。
これに対し、本実施の形態では、コア３２の入射部３２ａを構成する第１の入射端面３２１ａと第２の入射端面３２２ａは、Ｚ方向に間隔をあけて配置されている。これにより、本実施の形態によれば、後でシミュレーションの結果を参照して詳しく説明するように、比較例の光導波路に比べて、入射部３２ａに対する入射光４４の位置ずれの許容誤差を大きくすることができる。
以下、本実施の形態によれば、比較例の光導波路に比べて、入射部３２ａに対する入射光４４の位置ずれの許容誤差を大きくすることができることについて詳しく説明する。入射光４４の位置が所望の位置からずれると、コア３２を伝播する光の光量が少なくなる。伝播光の光量は、光利用効率（Optical Power Efficiency）で表される。光利用効率とは、コアと入射光との結合効率（Coupling Efficiency）と、伝播光の導波効率（Propagative Efficiency）との積である。
前述のように、レーザダイオード６０がＺ方向に積層された多層構造を有する場合、特に、コアの入射部に対する入射光４４のＺ方向の位置ずれの許容誤差を大きくすることが望まれる。そこで、以下の説明では、Ｚ方向の位置ずれについて説明する。
まず、図２３を参照して、結合効率について説明する。図２３は、本実施の形態に係る光導波路のコア３２と入射光４４との結合効率、および比較例の光導波路のコア８２と入射光との結合効率を説明するための概念図である。図２３は、入射光の入射位置と結合効率との関係を模式的に示している。図２３において、符号９１は、コア３２と入射光４４との結合効率（以下、コア３２の結合効率と言う。）を示している。また、符号９２は、第１の伝播部３２１と入射光４４のとの結合効率（以下、第１の伝播部３２１の結合効率と言う。）を示している。また、符号９３は、第２の伝播部３２２と入射光４４との結合効率（以下、第２の伝播部３２２の結合効率と言う。）を示している。また、符号９４は、コア８２とコア８２に入射する入射光との結合効率（以下、コア８２の結合効率と言う。）を示している。なお、図２３では、各結合効率の最大値がほぼ等しくなるように、結合効率の大きさを調整している。
図２３に示したように、コア８２の結合効率（符号９４）は、単峰性分布になる。一方、コア３２の結合効率（符号９１）は、第１の伝播部３２１の結合効率（符号９２）と、第２の伝播部３２２の結合効率（符号９３）とを合わせた分布になる。この分布の形状は、第１および第２の入射端面３２１ａ，３２２ａの形状および配置によって変化するが、コア８２の結合効率（符号９４）に比べて、結合効率がある程度大きい部分がＺ方向に広がった形状になる。特に、第１および第２の入射端面３２１ａ，３２２ａがある程度離れている場合には、コア３２の結合効率（符号９１）は、図２３に示したような二峰性分布になる。
次に、シミュレーションの結果を参照しながら、コア３２とコア８２のそれぞれの光利用効率について説明する。まず、コア３２とコア８２のそれぞれの光利用効率を求めたシミュレーションについて説明する。シミュレーションでは、以下で説明する実施例のモデルと比較例のモデルを用いた。また、シミュレーションでは、コア３２，８２に入射される入射光の波長を８００ｎｍとした。
実施例のモデルは、本実施の形態に係る光導波路を含んでいる。実施例のモデルでは、コア３２として屈折率が２．０８の酸化タンタルを用い、クラッド（クラッド層３１，３３）として屈折率が１．６７の酸化アルミニウムを用いた。また、図２に示したＷＷＧＡを４μｍとした。また、図２に示したＷＷＧＣ，ＷＷＧ４，ＷＷＧ３を、いずれも０．５μｍとした。また、図２に示したＨＷＧＡ，ＨＷＧＢ，ＨＷＧＣ，ＨＷＧ３を、それぞれ、５０μｍ、１００μｍ、１０μｍ、１７．６μｍとした。また、図３に示したＴＷＧＡ，ＴＷＧＢ，ＴＷＧＣ，ＴＷＧ３，ＤＷＧを、いずれも０．４μｍとした。また、図５に示したＨＷＧ４，ＴＷＧ４を、それぞれ、２．４μｍ、１．２μｍとした。
比較例のモデルは、比較例の光導波路を含んでいる。比較例のモデルでは、コア８２として屈折率が２．０８の酸化タンタルを用い、クラッドとして屈折率が１．６７の酸化アルミニウムを用いた。また、第１の伝播部８２１の寸法を、実施例のモデルにおける第１の伝播部３２１の寸法と同じにした。また、第２の伝播部８２２のＺ方向の厚み、Ｘ方向の長さを、それぞれ、０．８μｍ、１５０μｍとした。また、第２の入射端面８２２ａにおける第２の伝播部８２２のＹ方向の幅を４μｍとした。また、ＸＹ平面に平行な断面における第２の伝播部８２２の先端８２２ｂの曲率半径を０．１μｍとした。
図２４は、実施例のモデルと比較例のモデルの光利用効率を示す特性図である。図２５は、実施例のモデルと比較例のモデルの規格化光利用効率を示す特性図である。なお、規格化光利用効率とは、入射光の入射位置毎の光利用効率を、光利用効率の最大値で割った値である。図２４において、横軸は入射光のＺ方向の入射位置を示し、縦軸は光利用効率を示している。また、図２５において、横軸は入射光のＺ方向の入射位置を示し、縦軸は規格化光利用効率を示している。図２４および図２５において、位置が０というのは、入射光の中心が、入射部３２ａ，８２ａのＺ方向の中心に一致していることを表す。図２４に示したように、実施例のモデルにおける光利用効率の最大値は、比較例のモデルよりも小さくなる。
また、図２４および図２５に示したように、実施例のモデルにおける光利用効率の分布の形状および規格化光利用効率の分布の形状は、比較例のモデルに比べて、光利用効率または規格化光利用効率がある程度大きい部分が横軸方向（Ｚ方向）に広がった形状になる。これは、図２３を参照して説明したように、コア３２の結合効率の分布の形状が、コア８２の結合効率に比べて、結合効率がある程度大きい部分がＺ方向に広がった形状になるためである。なお、実施例のモデルの場合には、図２４および図２５に示したように、光利用効率および規格化光利用効率は単峰性分布になっている。しかし、第１および第２の入射端面３２１ａ，３２２ａの形状および配置によっては、光利用効率および規格化光利用効率は二峰性分布にもなり得る。
ところで、入射部３２ａに対する入射光４４の位置ずれの許容誤差は、例えば、規格化光利用効率における許容できる下限値によって規定することができる。この場合、規格化光利用効率の分布における下限値の２点間の距離は、位置ずれの許容誤差を示す。図２５に示したように、実施例のモデルにおける位置ずれの許容誤差は、比較例のモデルよりも大きくなる。
上記のシミュレーションの結果から理解されるように、本実施の形態によれば、比較例の光導波路に比べて、入射部３２ａに対する入射光４４の位置ずれの許容誤差を大きくすることができる。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、コア３２は、更に、第３の伝播部３２３に連続するように媒体対向面１２ａに向かって延びる他の伝播部を有していてもよい。
また、第１の伝播部３２１において、第１の導入部分３２１１および第１のテーパー部分３２１２の厚みは、第１のストレート部分３２１３の厚みよりも大きくてもよい。同様に、第２の伝播部３２２において、第２の導入部分３２２１および第２のテーパー部分３２２２の厚みは、第２のストレート部分３２２３の厚みよりも大きくてもよい。
また、実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドでは、レーザダイオード６０を含む光源ユニット５０が、光導波路を含むスライダ１０と一体化され、レーザダイオード６０の出射光を直接、コア３２に入射させる構成になっている。しかし、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、上記の構成に限らず、スライダ１０から離れた位置に配置された光源からの光を、光ファイバ等の光学素子を介してコア３２に入射させる構成であってもよい。
また、本発明の光導波路は、熱アシスト磁気記録ヘッドに限らず、光伝送部品に用いられる光集積回路等に適用することができる。
３２…コア、３２ａ…入射部、３２１…第１の伝播部、３２１ａ…第１の入射端面、３２１ｂ…第１の出射部、３２１１…第１の導入部分、３２１２…第１のテーパー部分、３２１３…第１のストレート部分、３２２…第２の伝播部、３２２ａ…第２の入射端面、３２２ｂ…第２の出射部、３２２１…第２の導入部分、３２２２…第２のテーパー部分、３２２３…第２のストレート部分、３２３…第３の伝播部、３２３ａ…第３の入射部、３２４…結合部。

Claims (11)

  1. コアとクラッドとを備え、入射光が入射される光導波路であって、
    前記コアは、第１の伝播部と、第２の伝播部と、第３の伝播部と、第１ないし第３の伝播部を結合する結合部とを有し、
    前記第１の伝播部は、前記入射光の一部が入射される第１の入射端面と、前記第１の入射端面に入射し第１の伝播部を伝播した光である第１の伝播光を出射する第１の出射部とを有し、
    前記第２の伝播部は、前記入射光の他の一部が入射される第２の入射端面と、前記第２の入射端面に入射し第２の伝播部を伝播した光である第２の伝播光を出射する第２の出射部とを有し、
    前記第１の伝播部と第２の伝播部は、間隔をあけて配置され、
    前記結合部は、前記第１の出射部より出射される前記第１の伝播光が入射される第１の入射部と、前記第２の出射部より出射される前記第２の伝播光が入射される第２の入射部と、第３の出射部とを有し、
    前記結合部内において、前記第１の入射部に入射した前記第１の伝播光に起因した第１の光波と、前記第２の入射部に入射した前記第２の伝播光に起因した第２の光波とが発生すると共に、前記第１および第２の光波が干渉することによって、前記第３の出射部より出射される光である第３の伝播光が発生し、
    前記第３の伝播部は、前記第３の出射部より出射される前記第３の伝播光が入射される第３の入射部を有し、前記第３の伝播光を伝播させることを特徴とする光導波路。
  2. 前記第３の伝播部は、前記第３の伝播光をシングルモードで伝播させることを特徴とする請求項１記載の光導波路。
  3. 前記第１の光波は、それぞれ前記第１の入射部に入射した前記第１の伝播光に起因すると共に前記結合部の外周における反射回数が互いに異なる複数の光波の干渉によって発生し、
    前記第２の光波は、それぞれ前記第２の入射部に入射した前記第２の伝播光に起因すると共に前記結合部の外周における反射回数が互いに異なる複数の光波の干渉によって発生することを請求項１記載の光導波路。
  4. 前記第１の伝播部と第２伝播部は、同じ形状を有していることを特徴とする請求項１記載の光導波路。
  5. 前記第１の伝播部は、前記第１の出射部に近づくに従って前記第１の伝播光の進行方向に直交する断面の面積が減少する第１のテーパー部分を含み、
    前記第２の伝播部は、前記第２の出射部に近づくに従って前記第２の伝播光の進行方向に直交する断面の面積が減少する第２のテーパー部分を含むことを特徴とする請求項１記載の光導波路。
  6. 前記第１の伝播部は、更に、前記第１のテーパー部分と前記第１の出射部との間に位置し、前記第１の出射部からの距離に関わらずに前記第１の伝播光の進行方向に直交する断面の面積が一定である第１のストレート部分を含み、
    前記第２の伝播部は、更に、前記第２のテーパー部分と前記第２の出射部との間に位置し、前記第２の出射部からの距離に関わらずに前記第２の伝播光の進行方向に直交する断面の面積が一定である第２のストレート部分を含むことを特徴とする請求項５記載の光導波路。
  7. 前記第１のストレート部分は、前記第１の伝播光をシングルモードで伝播させ、前記第２のストレート部分は、前記第２の伝播光をシングルモードで伝播させることを特徴とする請求項６記載の光導波路。
  8. 請求項１記載の光導波路と、
    情報を磁気記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極とを備え、
    前記光導波路は、熱アシスト磁気記録に用いられる光を伝播させることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
  9. 更に、前記光導波路を伝播する光に基づいて表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンに基づいて近接場光を発生するプラズモンジェネレータを備えていることを特徴とする請求項８記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
  10. 請求項８記載の熱アシスト磁気記録ヘッドと、前記熱アシスト磁気記録ヘッドを支持するサスペンションとを備えたヘッドジンバルアセンブリ。
  11. 磁気記録媒体と、請求項８記載の熱アシスト磁気記録ヘッドと、前記熱アシスト磁気記録ヘッドを支持すると共に前記磁気記録媒体に対して位置決めする位置決め装置とを備えた磁気記録装置。
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