JP2012149016A - 3−(4−アミノフェニル)−6,7−ジフルオロ−1h−キナゾリン−2,4−ジオンおよびその塩の製造方法、その製造方法に有用なキナゾリンジオン誘導体の製造方法ならびにキナゾリンジオン誘導体の製造方法に有用なイミン誘導体 - Google Patents

3−(4−アミノフェニル)−6,7−ジフルオロ−1h−キナゾリン−2,4−ジオンおよびその塩の製造方法、その製造方法に有用なキナゾリンジオン誘導体の製造方法ならびにキナゾリンジオン誘導体の製造方法に有用なイミン誘導体 Download PDF

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秀三 佐竹
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Abstract

【課題】重要な医薬の製造中間体として使用されるアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体を安価に、かつ安全に製造する方法を提供する。
【解決手段】新規イミン誘導体である、5,6−ジフルオロ−3−(4−アミノフェニルイミノ)−1,3−ジヒドロ−インドール−2−オンのアミノ基保護誘導体を原料として、下記式で表されるアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体を製造する。
Figure 2012149016

【選択図】なし

Description

本発明は、概略、3−(4−アミノフェニル)−6,7−ジフルオロ−1H−キナゾリン−2,4−ジオンおよびその塩(以下、総称して、「APFD」という。)を代表とする重要な医薬中間体の製造方法においてその前駆体として使用されるキナゾリンジオン誘導体の製造方法および前記前駆体の製造方法に有用な新規イミン誘導体を提供する。
重要な医薬中間体であるAPFDの製造前駆体として使用されるキナゾリンジオン誘導体として、アミノ基保護キナゾリンジオン誘導体が挙げられる。この製造前駆体の製造方法としては、種々の方法が知られている。
例えば、2−アミノ−4,5−ジフルオロ安息香酸メチルとトリホスゲンとを反応させた後、アニリン誘導体と反応させ、次いで環化させて製造する方法、2−アミノ−4,5−ジフルオロ安息香酸メチルとクロロギ酸ニトロフェニルとを反応させた後、アニリン誘導体と反応させ、次いで環化させて製造する方法(以上特許文献1)等が知られている。
国際公開第07/056219号パンフレット
特許文献1に記載されている製造方法によると、原料である2−アミノ−4,5−ジフルオロ安息香酸メチルは比較的高価な化合物であることから、この化合物を原料に用いた製造方法は、経済的に有利な合成方法とはいえない。また、反応試剤としてトリホスゲン用いた製造方法は、反応系内に猛毒性のホスゲンを発生させることから、特殊な製造設備を必要とする等、工業的生産において有利な製造方法ではなかった。
また、反応試剤としてクロロギ酸ニトロフェニルを用いた製造方法は、クロロギ酸ニトロフェニルが比較的高価な上、反応の際に、廃棄において煩雑な工程を必要とするp−ニトロフェノールが副生する等、工業的生産において、有利な製造方法ではなかった。
かくして、本発明は、医薬中間体の前駆体として有用な化合物であるアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体を工業的に安価に、かつ容易に製造する方法、およびその製造方法に用いられる原料を提供することにある。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、有用なアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体の原料として、新規イミン誘導体である5,6−ジフルオロ−3−(4−アミノフェニルイミノ)−1,3−ジヒドロ−インドール−2−オンのアミノ基保護誘導体が有用であることを見いだした。
これらの新規イミン誘導体を、酸化剤を用いて酸化することによって、有用なアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体を工業的に安価に、かつ容易に製造することができる。
本発明は、重要な医薬中間体である3−(4−アミノフェニル)−6,7−ジフルオロ−1H−キナゾリン−2,4−ジオンおよびその塩の製造方法、ならびに、その有用な製造前駆体であるアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体:[4−(6,7−ジフルオロ−2,4−ジオキソ−1,3−ジヒドロ−キナゾリン−3−イル)−フェニル]−カルバミン酸 tert−ブチルまたはN−[4−(6,7−ジフルオロ−2,4−ジオキソ−1,4−ジヒドロ−2H−キナゾリン−3−イル)−フェニル]−アセトアミド、ならびに、それらの製造に有用な新規イミン誘導体:[4−(5,6−ジフルオロ−2−オキソ−1,2−ジヒドロ−インドール−3−イリデンアミノ)−フェニル]−カルバミン酸 tert−ブチルまたはN−[4−(5,6−ジフルオロ−2−オキソ−1,2−ジヒドロ−インドール−3−イリデンアミノ)−フェニル]−アセトアミドを提供する。
すなわち、本発明は、
[項1]
式(1):
Figure 2012149016
(式中、Rはtert−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、アセチル基、ホルミル基、ベンゾイル基またはトリフルオロアセチル基を示す。)で表されるイミン誘導体を酸化剤と反応させて、式(2):
Figure 2012149016
(式中、Rは、式(1)で定義されたRと同じである。)で表されるアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体を得;ついで、式(2)で表されるアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体を脱保護することを特徴とする、式(3):
Figure 2012149016
で表される3−(4−アミノフェニル)−6,7−ジフルオロ−1H−キナゾリン−2,4−ジオンまたは、その塩の製造方法;
[項2]
酸化剤が過酢酸である項1の製造方法;
[項3]
式(1):
Figure 2012149016
(式中、Rはtert−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、アセチル基、ホルミル基、ベンゾイル基またはトリフルオロアセチル基を示す。)で表されるイミン誘導体を酸化剤と反応させることを特徴とする、式(2):
Figure 2012149016
で表されるアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体の製造方法;
[項4]
酸化剤が過酢酸である項3の製造方法;
[項5]
式(1):
Figure 2012149016
(式中、Rはtert−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、アセチル基、ホルミル基、ベンゾイル基またはトリフルオロアセチル基を表す。)で表されるイミン誘導体;
[項6]
式(1)におけるRが、tert−ブトキシカルボニル基であって、式(1a):
Figure 2012149016
(式中、Bocはtert−ブトキシカルボニル基を示す。)で表される[4−(5,6−ジフルオロ−2−オキソ−1,2−ジヒドロ−インドール−3−イリデンアミノ)−フェニル]−カルバミン酸 tert−ブチル エステルである、項5のイミン誘導体;および
[項7]
式(1)におけるRがアセチル基であって、式(1b):
Figure 2012149016
で表されるN−[4−(5,6−ジフルオロ−2−オキソ−1,2−ジヒドロ−インドール−3−イリデンアミノ)−フェニル]−アセトアミドである、項5のイミン誘導体を提供する。
本発明によれば、重要な医薬中間体等の製造前駆体として有用なアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体を工業的に安価に、かつ容易に製造することができる。
本発明にかかる新規物質は、式(1):
Figure 2012149016
(式中、Rはtert−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、アセチル基、ホルミル基、ベンゾイル基またはトリフルオロアセチル基を表す。)で表される、5,6−ジフルオロ−3−(4−アミノフェニルイミノ)−1,3−ジヒドロ−インドール−2−オンのアミノ基を保護したイミン誘導体である。
式(1)で表されるイミン誘導体は、例えば、以下の方法により製造することができる。すなわち、式(5):
Figure 2012149016
で表される5,6−ジフルオロ−1H−インドール−2,3−ジオンと、式(6):
Figure 2012149016
(式中、Rはtert−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、アセチル基、ホルミル基、ベンゾイル基またはトリフルオロアセチル基を示す。)で表されるアニリン誘導体とを反応させることによって、式(1)で表されるイミン誘導体を製造することができる。
式(5)で表される5,6−ジフルオロ−1H−インドール−2,3−ジオンは、いずれの製造方法によって得られたものでも良いが、例えばJournal of Organic Chemistry,1958,vol.23,p1858−1860に記載の方法等によれば、比較的容易に製造することができる。
本発明にかかる新規イミン誘導体にはE体およびZ体の異性体が存在し、立体選択的合成方法を用いて製造しなければ、E体およびZ体の混合物として得られる。本発明において、混合物中のE体とZ体との存在比は限定されない。
式(6)で表されるアニリン誘導体において、Rは、tert−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、アセチル基、ホルミル基、ベンゾイル基またはトリフルオロアセチル基を示す。これらの中でも、入手容易性の観点等から、Rは、tert−ブトキシカルボニル基、アセチル基であることが好ましい。また、これらアニリン誘導体は市販のものを使用してもよいし、種々の公知の方法によって得られたものを使用してもよい。
本発明において、5,6−ジフルオロ−1H−インドール−2,3−ジオンとアニリン誘導体とを反応させる際、アニリン誘導体の使用量は、特に限定されないが、5,6−ジフルオロ−1H−インドール−2,3−ジオン1モルに対して、1.0〜3.0モル使用することが好ましい。
前記反応は、例えば、溶媒の存在下にて行われ、かかる溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサンおよびヘプタン等の脂肪族炭化水素類;ベンゼン、トルエン、キシレンおよびクロロベンゼン等の芳香族炭化水素類;ジエチルエーテル、テトラヒドロフランおよびジオキサン等のエーテル類;メタノールおよびエタノール等のアルコール類;酢酸メチル、酢酸エチルおよび酢酸ブチル等のエステル類等が挙げられる。これらの中でも、ベンゼン、トルエン、キシレンおよびクロロベンゼン等の芳香族炭化水素類、とりわけトルエンが好適に用いられる。
前記溶媒の使用量としては、特に限定されないが、5,6−ジフルオロ−1H−インドール−2,3−ジオン100重量部に対して100〜3000重量部であることが好ましく、1000〜1500重量部であることがより好ましい。溶媒の使用量が100重量部未満の場合、攪拌が困難になるおそれがあり、3000重量部を超える場合、それに見合う効果がなく経済的でない。
前記反応温度は室温から使用溶媒の沸点の範囲であればよい。反応の際、使用する溶媒によっては還流条件下に水分を反応系外に除去することにより反応の進行を速めることもできる。また、必要に応じ、モレキュラーシーブ、塩化カルシウム等の脱水剤、ならびに硫酸、塩酸、酢酸、p−トルエンスルホン酸、ピペリジンおよびピリジン等の酸塩基触媒を用いることもできる。
反応時間は、反応温度により異なるが通常1〜20時間である。
反応終了後、イミン誘導体を含む反応液を冷却し、析出した結晶をろ過することにより、イミン誘導体を単離することができる。
かくして得られたイミン誘導体を、酸化剤と反応させることによって、式(2):
Figure 2012149016
で表されるアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体を製造することができる。式中、Rは、tert−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、アセチル基、ホルミル基、ベンゾイル基またはトリフルオロアセチル基を示す。
本発明にかかるイミン誘導体にはE体およびZ体の異性体が存在し、E体およびZ体の混合物からアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体を得ることができる。酸化反応において、E体とZ体とで反応性が異なることなく、混合物中のE体とZ体との存在比にかかわらず、いずれの異性体からも同一のアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体が得られる。したがって、本発明にかかるイミン誘導体からアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体を得るためには、E体またはZ体いずれか一方の異性体を用いても、混合物を用いてもよい。
前記酸化剤は、過酸化物が好ましく、例えば、過酸化水素および有機過酸化物等が挙げられる。
有機過酸化物としては、例えば、tert−ブチルヒドロペルオキシド、ジ−tert−ブチルペルオキシド、tert−アミルヒドロペルオキシド、クメンヒドロペルオキシド、メチルシクロヘキシルヒドロペルオキシド、テトラリンヒドロペルオキシド、イソブチルベンゼンヒドロペルオキシド、エチルナフタレンヒドロペルオキシド、メタクロロ過安息香酸および過酢酸等が挙げられる。なお、これらの酸化剤は、それぞれ単独で使用してもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらの中でも、過酢酸を使用することが好ましく、通常、0.0001重量%〜100重量%の濃度範囲の過酢酸溶液が用いられる。過酢酸は、市販のものを用いてもよいし、種々の公知の方法によって得られたものを用いてもよい。
酸化剤の使用量としては、特に限定されないが、イミン誘導体1モルに対して、0.5〜3.0モル使用することが好ましく、1.0〜2.0モルを使用することがより好ましい。
前記酸化反応は、例えば、溶媒の存在下にて行われ、かかる溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサンおよびヘプタン等の脂肪族炭化水素類;ベンゼン、トルエン、キシレンおよびクロロベンゼン等の芳香族炭化水素類;メタノール、エタノール等のアルコール類;酢酸メチル、酢酸エチルおよび酢酸ブチル等のエステル類;塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒;ならびに、酢酸等の極性プロトン溶媒が挙げられる。これらの中でも、酢酸等の極性プロトン溶媒が好適に用いられる。
前記溶媒の使用量としては、特に限定されないが、イミン誘導体100重量部に対して100〜3000重量部であることが好ましく、1000〜2000重量部であることがより好ましい。溶媒の使用量が100重量部未満の場合、攪拌が困難になるおそれがある。また、溶媒の使用量が3000重量部を超える場合、それに見合う効果がなく、経済的でない。
前記酸化反応の反応温度は、特に限定されないが通常−10℃〜50℃で行なうことが好ましい。−10℃より低いと反応速度が遅く反応に長時間を要するおそれがあり、50℃より高いと、副反応が起こり、その結果として収率が低下するおそれがある。反応時間は、反応温度により異なるが通常0.5〜3時間である。
反応終了後、アミノ基保護キナゾリンジオン誘導体を含む反応液に、貧溶媒として水を添加し、析出した結晶をろ過することによりアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体を単離することができる。
かくして得られたアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体は、式(2):
Figure 2012149016
で表される化合物である。
このようなアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体として、Rがtert−ブトキシカルボニル基であって、式(2a):
Figure 2012149016
(式中、Bocはtert−ブトキシカルボニル基を示す。)で表される[4−(6,7−ジフルオロ−2,4−ジオキソ−1,4−ジヒドロ−2H−キナゾリン−3−イル)−フェニル]−カルバミン酸 tert−ブチル エステルおよび、Rがアセチル基であって、式(2b):
Figure 2012149016
で表されるN−[4−(6,7−ジフルオロ−2,4−ジオキソ−1,4−ジヒドロ−2H−キナゾリン−3−イル)−フェニル]−アセトアミドが挙げられる。
かくして得られたアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体を脱保護することにより、種々の医薬中間体の製造前駆体として有用な化合物である、式(3):
Figure 2012149016
で表される3−(4−アミノフェニル)−6,7−ジフルオロ−1H−キナゾリン−2,4−ジオンまたはその塩を製造することができる。
本発明にかかる3−(4−アミノフェニル)−6,7−ジフルオロ−1H−キナゾリン−2,4−ジオンまたはその塩は、医薬品の製造工程の条件等により、その形態は選択されるものであり、その形態によって、物質の安定性等に影響せず、有用性が変わるものではない。
前記塩としては、医薬的に許容される塩であればよく、かかる塩としては、例えば塩酸、硫酸、酢酸等よりなる群から選択される酸との塩が挙げられる。
これらの中でも、式(4):
Figure 2012149016
で表される3−(4−アミノフェニル)−6,7−ジフルオロ−1H−キナゾリン−2,4−ジオン塩酸塩が好適である。
本発明において、アミノ基保護キナゾリンジオン誘導体の脱保護は、いずれの方法によって行われても良いが、Protective Groups in Organic Synthesisに記載の方法、具体的には、脱保護剤により脱保護する方法等により、比較的容易に製造することができる。
脱保護剤としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、ナトリウムメトキシド、カリウムエトキシド等のアルカリ;塩酸、硫酸、酢酸等の酸等が挙げられる。脱保護剤がアルカリの場合、3−(4−アミノフェニル)−6,7−ジフルオロ−1H−キナゾリン−2,4−ジオンを得ることができる。脱保護剤が酸の場合、3−(4−アミノフェニル)−6,7−ジフルオロ−1H−キナゾリン−2,4−ジオンの塩を得ることができる。これらの中でも、不純物の生成が少ない等の観点から、塩酸、硫酸、酢酸等の酸、とりわけ、塩酸が好適に用いられる。
前記脱保護剤の使用量は、使用する脱保護剤によって異なり、一概に言えないが、アミノ基保護キナゾリンジオン誘導体1モルに対し、2モル〜50モルで使用することが好ましく、10〜30モルで使用することがより好ましい。
前記脱保護反応は、溶媒の存在下に行われ、かかる溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサンおよびヘプタン等の脂肪族炭化水素類;ベンゼン、トルエン、キシレンおよびクロロベンゼン等の芳香族炭化水素類;ジエチルエーテル、tert−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフランおよびジオキサン等のエーテル類;メタノール、エタノールおよびイソプロパノール等のアルコール類;酢酸メチル、酢酸エチルおよび酢酸ブチル等のエステル;水等が挙げられる。これらの中でも、エーテル類および水が好適に用いられる。
前記溶媒の使用量は、特に限定されないが、アミノ基保護キナゾリンジオン誘導体100重量部に対して300〜4000重量部であることが好ましく、より好ましくは300〜2500重量部である。溶媒の使用量が300重量部未満の場合、攪拌が困難になるおそれがあり、4000重量部を超える場合、それに見合う効果がなく、経済的でない。
反応温度は、特に限定されないが、通常20〜100℃で行なうことが好ましい。20℃より低いと反応速度が遅く反応に長時間を要するおそれがあり、100℃より高いと、副反応が起こり、その結果として収率が低下するおそれがある。
反応時間は、反応温度により異なるが、通常5〜24時間である。
脱保護終了後、反応液を冷却した後、ろ過することにより単離することができる。
[実施例1]
攪拌機、冷却管、温度計および滴下ロートを備え付けた3L容の4つ口フラスコに、5,6−ジフルオロ−1H−インドール−2,3−ジオン91.6g(0.50モル)、tert−ブチル−4−アミノフェニルカルバメート104.13g(0.50モル)および、トルエン1374gを仕込み、還流させながら4時間攪拌した。
反応終了後、冷却し、析出した結晶をろ過し、得られた結晶を、トルエン100gで2回洗浄して、乾燥して、[4−(5,6−ジフルオロ−2−オキソ−1,2−ジヒドロ−インドール−3−イリデンアミノ)−フェニル]−カルバミン酸 tert−ブチル エステル168.0g(0.45モル)を得た。得られた[4−(5,6−ジフルオロ−2−オキソ−1,2−ジヒドロ−インドール−3−イリデンアミノ)−フェニル]−カルバミン酸 tert−ブチル エステルの収率は、5,6−ジフルオロ−1H−インドール−2,3−ジオンに対して90.0%であった。なお、NMRにおけるE/Z比は2/1であった。
得られた[4−(5,6−ジフルオロ−2−オキソ−1,2−ジヒドロ−インドール−3−イリデンアミノ)−フェニル]−カルバミン酸 tert−ブチル エステルは、下記の物性を示すことから同定することができた。
融点:258−260℃
H−核磁気共鳴スペクトル(CDCOCD、TMS基準)E体:δ(ppm):8.60(s、1H)、7.96(s、1H)、7.70(d、2H)、7.00(m、2H)、6.93(m、1H)、6.70(m、1H)、1.50(s、9H)
H−核磁気共鳴スペクトル(CDCOCD、TMS基準)Z体:δ(ppm):8.55(s、1H)、7.93(s、1H)、7.67(m、1H)、7.57(dd、2H)、7.28(m、2H)、6.93(m、1H)、1.49(s、9H)
[実施例2]
実施例1において、tert−ブチル−4−アミノフェニルカルバメート104.13g(0.50モル)をN−(4−アミノフェニル)−アセトアミド150.18g(0.50モル)に代えて用いた以外は、実施例1と同様にして、N−[4−(5,6−ジフルオロ−2−オキソ−1,2−ジヒドロ−インドール−3−イリデンアミノ)−フェニル]−アセトアミド143.4g(0.46モル)を得た。得られたN−[4−(5,6−ジフルオロ−2−オキソ−1,2−ジヒドロ−インドール−3−イリデンアミノ)−フェニル]−アセトアミドの収率は、5,6−ジフルオロ−1H−インドール−2,3−ジオンに対して91.0%であった。
得られたN−[4−(5,6−ジフルオロ−2−オキソ−1,2−ジヒドロ−インドール−3−イリデンアミノ)−フェニル]−アセトアミドは、下記の物性を示すことから同定することができた。なお、NMRにおけるE/Z比は2/1であった。
融点:260−262℃
H−核磁気共鳴スペクトル(CDCOCD、TMS基準)E体:δ(ppm):10.04(S、1H)、9.30(S、1H)、7.79(d、2H)、6.99(m、2H)、6.95(m、1H)、6.63(dd、1H)、2.11(m、1H)
H−核磁気共鳴スペクトル(CDCOCD、TMS基準)Z体:δ(ppm):9.97(S、1H)、9.27(S、1H)、7.63(d、2H)、7.54(m、1H)、6.93(m、1H)、2.08(m、1H)
[実施例3]
攪拌機、冷却管、温度計および滴下ロートを備え付けた1000mL容の4つ口フラスコに、実施例1と同じ方法で得られた[4−(5,6−ジフルオロ−2−オキソ−1,2−ジヒドロ−インドール−3−イリデンアミノ)−フェニル]−カルバミン酸 tert−ブチル エステル37.3g(0.1モル)、酢酸373gを仕込み、10℃に冷却した。次いで、同温度にて39重量%過酢酸溶液29.3g(0.15モル)を1時間かけて滴下し、10〜15℃で2時間攪拌した。
反応終了後、反応液に、水100gを添加して、析出した結晶をろ過した。得られた結晶を、水で洗浄、乾燥して、[4−(6,7−ジフルオロ−2,4−ジオキソ−1,4−ジヒドロ−2H−キナゾリン−3−イル)−フェニル]−カルバミン酸 tert−ブチル エステル29.2g(0.075モル)を得た。得られた[4−(6,7−ジフルオロ−2,4−ジオキソ−1,4−ジヒドロ−2H−キナゾリン−3−イル)−フェニル]−カルバミン酸 tert−ブチル エステルの収率は、[4−(5,6−ジフルオロ−2−オキソ−1,2−ジヒドロ−インドール−3−イリデンアミノ)−フェニル]−カルバミン酸 tert−ブチル エステルに対して75.0%であった。
得られた[4−(6,7−ジフルオロ−2,4−ジオキソ−1,4−ジヒドロ−2H−キナゾリン−3−イル)−フェニル]−カルバミン酸 tert−ブチル エステルは、下記の物性を示すことから同定することができた。
H−核磁気共鳴スペクトル(DMSO−d、TMS基準)δ(ppm):7.21(dd、1H)、7.32(m、4H)、7.88(dd、1H)、11.75(s、1H)
[実施例4]
攪拌機、冷却管、温度計および滴下ロートを備え付けた1000mL容の4つ口フラスコに、実施例2と同じ方法で得られたN−[4−(5,6−ジフルオロ−2−オキソ−1,2−ジヒドロ−インドール−3−イリデンアミノ)−フェニル]−アセトアミド31.5g(0.10モル)、酢酸473gを仕込み、10℃に冷却した。次いで、同温度にて39重量%過酢酸溶液21.5g(0.11モル)を1時間かけて滴下し、10〜15℃で2時間攪拌した。
反応終了後、反応液に、水100gを添加して、析出した結晶をろ過した。得られた結晶を、メタノールで洗浄、乾燥して、N−[4−(6,7−ジフルオロ−2,4−ジオキソ−1,4−ジヒドロ−2H−キナゾリン−3−イル)−フェニル]−アセトアミド24.8g(0.75モル)を得た。得られたN−[4−(6,7−ジフルオロ−2,4−ジオキソ−1,4−ジヒドロ−2H−キナゾリン−3−イル)−フェニル]−アセトアミドの収率は、N−[4−(5,6−ジフルオロ−2−オキソ−1,2−ジヒドロ−インドール−3−イリデンアミノ)−フェニル]−アセトアミドに対して75.0%であった。
得られたN−[4−(6,7−ジフルオロ−2,4−ジオキソ−1,4−ジヒドロ−2H−キナゾリン−3−イル)−フェニル]−アセトアミドは、下記の物性を示すことから同定することができた。
H−核磁気共鳴スペクトル(DMSO−d、TMS基準)δ(ppm):2.07(s、3H)、7.16(q、1H)、7.21(d、2H)、7.64(d、2H)、7.90(dd、1H)、10.10(s、1H)、11.70(s、1H)
[実施例5]
攪拌機、冷却管、温度計および滴下ロートを備え付けた3L容の4つ口フラスコに、実施例3と同じ方法で得られた[4−(6,7−ジフルオロ−2,4−ジオキソ−1,4−ジヒドロ−2H−キナゾリン−3−イル)−フェニル]−カルバミン酸 tert−ブチル エステル194.7g(0.5モル)、ジオキサン1300gを仕込み、塩酸ガス164g(4.5モル)を吹き込んだ後、25℃にて10時間攪拌した。析出している結晶をろ過、乾燥して、3−(4−アミノフェニル)−6,7−ジフルオロ−1H−キナゾリン−2,4−ジオン塩酸塩149.8g(0.46モル)を得た。得られた3−(4−アミノフェニル)−6,7−ジフルオロ−1H−キナゾリン−2,4−ジオン塩酸塩の収率は、N−[4−(6,7−ジフルオロ−2,4−ジオキソ−1,4−ジヒドロ−2H−キナゾリン−3−イル)−フェニル]−アセトアミドに対して92%であった。
得られた3−(4−アミノフェニル)−6,7−ジフルオロ−1H−キナゾリン−2,4−ジオン塩酸塩はMSスペクトルで確認した。
[実施例6]
攪拌機、冷却管、温度計および滴下ロートを備え付けた1000mL容の4つ口フラスコに、実施例4と同じ方法で得られたN−[4−(6,7−ジフルオロ−2,4−ジオキソ−1,4−ジヒドロ−2H−キナゾリン−3−イル)−フェニル]−アセトアミド33.1g(0.10モル)、ジオキサン400gを仕込み、塩酸ガス65.6g(1.8モル)を吹き込んだ後、80℃にて12時間攪拌した。室温に冷却後、析出している結晶をろ過、乾燥して、3−(4−アミノフェニル)−6,7−ジフルオロ−1H−キナゾリン−2,4−ジオン塩酸塩30.94g(0.095モル)を得た。得られた3−(4−アミノフェニル)−6,7−ジフルオロ−1H−キナゾリン−2,4−ジオン塩酸塩の収率は、N−[4−(6,7−ジフルオロ−2,4−ジオキソ−1,4−ジヒドロ−2H−キナゾリン−3−イル)−フェニル]−アセトアミドに対して95%であった。
得られた3−(4−アミノフェニル)−6,7−ジフルオロ−1H−キナゾリン−2,4−ジオン塩酸塩はMSスペクトルで確認した。
本発明によれば、重要な医薬の製造中間体として使用されるアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体を安価に、かつ安全に製造することができる。

Claims (7)

  1. 式(1):
    Figure 2012149016
    (式中、Rはtert−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、アセチル基、ホルミル基、ベンゾイル基またはトリフルオロアセチル基を示す。)で表されるイミン誘導体を酸化剤と反応させて、式(2):
    Figure 2012149016
    (式中、Rは、式(1)で定義されたRと同じである。)で表されるアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体を得;ついで、式(2)で表されるアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体を脱保護することを特徴とする、式(3):
    Figure 2012149016
    で表される3−(4−アミノフェニル)−6,7−ジフルオロ−1H−キナゾリン−2,4−ジオンまたは、その塩の製造方法。
  2. 酸化剤が過酢酸である請求項1の製造方法。
  3. 式(1):
    Figure 2012149016
    (式中、Rはtert−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、アセチル基、ホルミル基、ベンゾイル基またはトリフルオロアセチル基を示す。)で表されるイミン誘導体を酸化剤と反応させることを特徴とする、式(2):
    Figure 2012149016
    で表されるアミノ基保護キナゾリンジオン誘導体の製造方法。
  4. 酸化剤が過酢酸である請求項3の製造方法。
  5. 式(1):
    Figure 2012149016
    (式中、Rはtert−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、アセチル基、ホルミル基、ベンゾイル基またはトリフルオロアセチル基を表す。)で表されるイミン誘導体。
  6. 式(1)におけるRが、tert−ブトキシカルボニル基であって、式(1a):
    Figure 2012149016
    (式中、Bocはtert−ブトキシカルボニル基を示す。)で表される[4−(5,6−ジフルオロ−2−オキソ−1,2−ジヒドロ−インドール−3−イリデンアミノ)−フェニル]−カルバミン酸 tert−ブチル エステルである、請求項5のイミン誘導体。
  7. 式(1)におけるRがアセチル基であって、式(1b):
    Figure 2012149016
    で表されるN-[4-(5,6-ジフルオロ-2-オキソ-1,2-ジヒドロ-インドール-3-イリデンアミノ)-フェニル]-アセトアミドである、請求項5のイミン誘導体。
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