JP2012138406A - 材料ガス制御システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】収容室10と、キャリアガスを導入する導入管20と、材料ガス及びキャリアガスからなる混合ガスを導出する導出管30と、第1調整バルブ45と、材料ガスの濃度又は流量を測定する測定計と、測定計で測定した測定濃度値又は測定流量値が、予め定められた設定値となるように、第1調整バルブ45に開度制御信号を出力する第1バルブ制御部46と、収容室10内の圧力を測定する圧力計44と、開度制御信号の値の時間変化量及び圧力計44で測定した測定圧力値の時間変化量が、所定条件を満たす場合に、前記材料ガスの濃度又は流量の制御状態が異常であると診断する診断部47とを具備するようにした。
【選択図】図1
Description
C=Pz/Pt ・・・(1)
但し、Cは材料ガスの濃度、Pzは材料ガスの分圧、Ptは収容室10の全圧である。
Pt=Pz/C ・・・(2)
但し、Cは材料ガスの濃度、Pzは材料ガスの分圧、Ptは収容室10の全圧である。
C=Pz/Pt=Qz/(Qc+Qz) ・・・(3)
Qz=QcC/(1−C) ・・・(4)
但し、Cは材料ガスの濃度、Pzは材料ガスの分圧、Ptは収容室の全圧、Qzは材料ガスの流量、Qcはキャリアガスの流量である。
10・・・収容室
20・・・導入管
30・・・導出管
40・・・材料ガス制御器(濃度制御器)
44・・・圧力計
45・・・第1調整バルブ
46・・・第1バルブ制御部
47・・・診断部
49・・・測定計(濃度計)
M・・・材料
Claims (7)
- 材料を収容する収容室と、
前記収容室に一端が開口して、前記収容室にキャリアガスを導入する導入管と、
前記収容室に一端が開口して、前記収容室から前記材料が気化した材料ガス及び前記キャリアガスからなる混合ガスを導出する導出管と、
前記導出管に設けられた第1調整バルブと、
前記導出管を流通する前記混合ガス中の前記材料ガスの濃度又は流量を測定する測定計と、
前記測定計で測定した測定濃度値又は測定流量値が、予め定められた設定値となるように、前記第1調整バルブに開度制御信号を出力する第1バルブ制御部とを具備する材料ガス制御システムであって、
前記収容室内の圧力を測定する圧力計と、
前記開度制御信号の値の時間変化量と、前記圧力計で測定した測定圧力値の時間変化量とが、予め定められた所定条件を満たす場合に、前記材料ガスの濃度又は流量の制御状態が異常であると診断する診断部とを具備することを特徴とする材料ガス制御システム。 - 前記診断部が、前記開度制御信号の値が単位時間あたりで実質的に変化しており、かつ、前記測定圧力値の時間変化量が実質的に0である場合に、前記制御状態が異常であると診断する請求項1記載の材料ガス制御システム。
- 前記診断部が、前記制御状態が異常であると診断した場合に、前記収容室内を加熱又は冷却する温度制御部を具備する請求項1又は2記載の材料ガス制御システム。
- 前記導入管に設けられた第2調整バルブと、
前記診断部が、前記制御状態が異常であると診断した場合に、第2調整バルブの開度を制御して、前記収容室内に導入されるキャリアガスの流量を増加又は減少させる第2バルブ制御部とを具備する請求項1乃至3いずれかに記載の材料ガス制御システム。 - 材料を収容する収容室と、
前記収容室に一端が開口して、前記収容室にキャリアガスを導入する導入管と、
前記収容室に一端が開口して、前記収容室から前記材料が気化した材料ガス及び前記キャリアガスからなる混合ガスを導出する導出管とを具備する材料ガス制御システムに用いられて、材料ガスの濃度又は流量を制御する材料ガス制御器であって、
前記導出管に設けられた第1調整バルブと、
前記導出管を流通する前記混合ガス中の前記材料ガスの濃度又は流量を測定する測定計と、
前記測定計で測定した測定濃度値又は測定流量値が、予め定められた設定値となるように、前記第1調整バルブに開度制御信号を出力する第1バルブ制御部と、
前記収容室内の圧力を測定する圧力計と、
前記開度制御信号の値の時間変化量と、前記圧力計で測定した測定圧力値の時間変化量とが、予め定められた所定条件を満たす場合に、前記材料ガスの濃度又は流量の制御状態が異常であると診断する診断部とを具備することを特徴とする材料ガス制御器。 - 材料を収容する収容室と、
前記収容室に一端が開口して、前記収容室にキャリアガスを導入する導入管と、
前記収容室に一端が開口して、前記収容室から前記材料が気化した材料ガス及び前記キャリアガスからなる混合ガスを導出する導出管と、
前記導出管に設けられた第1調整バルブとを具備する材料ガス制御システムの制御方法であって、
前記導出管に流通する前記混合ガス中の前記材料ガスの濃度又は流量を測定する材料ガス測定ステップと、
前記材料ガス測定ステップで測定した測定濃度値又は測定流量値が、予め定められた設定値となるように、前記第1調整バルブに開度制御信号を出力する第1バルブ制御ステップと、
前記収容室内の圧力を測定する圧力測定ステップと、
前記開度制御信号の値の時間変化量と、前記圧力測定ステップで測定した測定圧力値の時間変化量とが、予め定められた所定条件を満たす場合に、前記材料ガスの濃度又は流量の制御状態が異常であると診断する診断ステップとを具備することを特徴とする材料ガス制御方法。 - 材料を収容する収容室と、
前記収容室に一端が開口して、前記収容室にキャリアガスを導入する導入管と、
前記収容室に一端が開口して、前記収容室から前記材料が気化した材料ガス及び前記キャリアガスからなる混合ガスを導出する導出管と、
前記導出管に設けられた第1調整バルブと、
前記導出管を流通する前記混合ガス中の前記材料ガスの濃度又は流量を測定する測定計と、
前記測定計で測定した測定濃度値又は測定流量値が、予め定められた設定値となるように、前記第1調整バルブに開度制御信号を出力する第1バルブ制御部と、
前記収容室内の圧力を測定する圧力計とを具備する材料ガス制御システムに用いられるプログラムであって、
前記開度制御信号の値の時間変化量と、前記圧力計で測定した測定圧力値の時間変化量とが、予め定められた所定条件を満たす場合に、前記材料ガスの濃度又は流量の制御状態が異常であると診断する診断部としての機能をコンピュータに発揮させることを特徴とするプログラム。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018025713A1 (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 株式会社堀場エステック | ガス制御システム及び該ガス制御システムを備えた成膜装置 |
JP2019153805A (ja) * | 2012-07-18 | 2019-09-12 | ケレス テクノロジーズ インコーポレイテッド | 蒸気送達装置、その製造方法およびその使用方法 |
US11365480B2 (en) | 2019-01-28 | 2022-06-21 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Concentration control apparatus, zero point adjustment method, and program recording medium recorded with concentration control apparatus program |
KR20230047971A (ko) * | 2017-04-03 | 2023-04-10 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 액체 공급장치 및 액체 공급 방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113161265B (zh) * | 2021-04-16 | 2024-04-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气体浓度控制方法、气体浓度控制装置及半导体设备 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01152734A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Fujitsu Ltd | 蒸発器 |
JP2006018767A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Ckd Corp | 真空圧力制御システム |
JP2010109305A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Horiba Ltd | 材料ガス濃度制御システム |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2797943B2 (ja) * | 1993-12-27 | 1998-09-17 | 住友金属工業株式会社 | 混合ガスのカロリー制御装置 |
TW512071B (en) * | 2000-07-31 | 2002-12-01 | Kinetics Chempure Systems Inc | Method and apparatus for blending process materials |
JP4454964B2 (ja) * | 2003-06-09 | 2010-04-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 分圧制御システム及び流量制御システム |
KR101578220B1 (ko) * | 2008-10-31 | 2015-12-16 | 가부시키가이샤 호리바 세이샤쿠쇼 | 재료가스 농도 제어 시스템 |
CN101493703A (zh) * | 2009-02-19 | 2009-07-29 | 苏州市兴业铸造材料有限公司 | 智能液态原料配比控制系统 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01152734A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Fujitsu Ltd | 蒸発器 |
JP2006018767A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Ckd Corp | 真空圧力制御システム |
JP2010109305A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Horiba Ltd | 材料ガス濃度制御システム |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019153805A (ja) * | 2012-07-18 | 2019-09-12 | ケレス テクノロジーズ インコーポレイテッド | 蒸気送達装置、その製造方法およびその使用方法 |
WO2018025713A1 (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 株式会社堀場エステック | ガス制御システム及び該ガス制御システムを備えた成膜装置 |
CN109715851A (zh) * | 2016-08-05 | 2019-05-03 | 株式会社堀场Stec | 气体控制系统以及具备该气体控制系统的成膜装置 |
US10927462B2 (en) | 2016-08-05 | 2021-02-23 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Gas control system and film formation apparatus provided with gas control system |
CN109715851B (zh) * | 2016-08-05 | 2021-07-09 | 株式会社堀场Stec | 气体控制系统、具备该气体控制系统的成膜装置、检测方法以及存储介质 |
KR20230047971A (ko) * | 2017-04-03 | 2023-04-10 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 액체 공급장치 및 액체 공급 방법 |
KR102555758B1 (ko) | 2017-04-03 | 2023-07-17 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 액체 공급장치 및 액체 공급 방법 |
US11365480B2 (en) | 2019-01-28 | 2022-06-21 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Concentration control apparatus, zero point adjustment method, and program recording medium recorded with concentration control apparatus program |
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