JP2012138384A - 有機el装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素電極を形成する工程と、画素電極の表面を洗浄する第1洗浄工程と、第1洗浄工程によって除去し切れなかった異物もしくは第1洗浄工程の際に付着した異物が画素電極の上に存在している状態で、画素電極の上に無機化合物からなるホール輸送性を有する材料により第1酸化物層を形成する工程と、第1酸化物層の表面を洗浄し画素電極の上に存在した異物を除去する第2洗浄工程と、第2洗浄工程の後に、第1酸化物層の上及び第1酸化物層から露出していた画素電極の上に無機化合物からなるホール輸送性を有しその抵抗率が第1酸化物層の抵抗率よりも小さい材料により第2酸化物層を形成する工程と、第2酸化物層の上に有機層を形成する工程と、有機層の上に対向電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする有機EL装置の製造方法。
【選択図】 図2
Description
本実施形態によれば、画素電極を形成する工程と、前記画素電極の表面を洗浄する第1洗浄工程と、前記第1洗浄工程によって除去し切れなかった異物もしくは前記第1洗浄工程の際に付着した異物が前記画素電極の上に存在している状態で、前記画素電極の上に無機化合物からなるホール輸送性を有する材料により第1酸化物層を形成する工程と、前記第1酸化物層の表面を洗浄し前記画素電極の上に存在した異物を除去する第2洗浄工程と、前記第2洗浄工程の後に、前記第1酸化物層の上及び前記第1酸化物層から露出していた前記画素電極の上に無機化合物からなるホール輸送性を有する材料により第2酸化物層を形成する工程と、前記第2酸化物層の上に有機層を形成する工程と、前記有機層の上に対向電極を形成する工程と、を備え、前記第1酸化物層は酸化モリブデンの薄膜であり、前記第2酸化物層は酸化モリブデンにマグネシウムをドープした薄膜であることを特徴とする有機EL装置の製造方法が提供される。
本実施形態によれば、画素電極を形成する工程と、前記画素電極の表面を洗浄する第1洗浄工程と、前記第1洗浄工程によって除去し切れなかった異物もしくは前記第1洗浄工程の際に付着した異物が前記画素電極の上に存在している状態で、前記画素電極の上にホール輸送性を有する第1抵抗率の材料により第1酸化物層を形成する工程と、前記第1酸化物層の表面を洗浄し前記画素電極の上に存在した異物を除去する第2洗浄工程と、前記第2洗浄工程の後に、前記第1酸化物層の上及び前記第1酸化物層から露出していた前記画素電極の上にホール輸送性を有し第1抵抗率よりも小さい第2抵抗率の材料により第2酸化物層を形成する工程と、前記第2酸化物層の上に有機層を形成する工程と、前記有機層の上に対向電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする有機EL装置の製造方法が提供される。
100…アレイ基板
OLED…有機EL素子
PE…画素電極
CE…対向電極
ORG…有機層
120…酸化物層 121…第1酸化物層 122…第2酸化物層
Claims (5)
- 画素電極を形成する工程と、
前記画素電極の表面を洗浄する第1洗浄工程と、
前記第1洗浄工程によって除去し切れなかった異物もしくは前記第1洗浄工程の際に付着した異物が前記画素電極の上に存在している状態で、前記画素電極の上に無機化合物からなるホール輸送性を有する材料により第1酸化物層を形成する工程と、
前記第1酸化物層の表面を洗浄し前記画素電極の上に存在した異物を除去する第2洗浄工程と、
前記第2洗浄工程の後に、前記第1酸化物層の上及び前記第1酸化物層から露出していた前記画素電極の上に無機化合物からなるホール輸送性を有しその抵抗率が前記第1酸化物層の抵抗率よりも小さい材料により第2酸化物層を形成する工程と、
前記第2酸化物層の上に有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に対向電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 画素電極を形成する工程と、
前記画素電極の表面を洗浄する第1洗浄工程と、
前記第1洗浄工程によって除去し切れなかった異物もしくは前記第1洗浄工程の際に付着した異物が前記画素電極の上に存在している状態で、前記画素電極の上に無機化合物からなるホール輸送性を有する材料により第1酸化物層を形成する工程と、
前記第1酸化物層の表面を洗浄し前記画素電極の上に存在した異物を除去する第2洗浄工程と、
前記第2洗浄工程の後に、前記第1酸化物層の上及び前記第1酸化物層から露出していた前記画素電極の上に無機化合物からなるホール輸送性を有する材料により第2酸化物層を形成する工程と、
前記第2酸化物層の上に有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に対向電極を形成する工程と、
を備え、
前記第1酸化物層は酸化モリブデンの薄膜であり、前記第2酸化物層は酸化モリブデンにマグネシウムをドープした薄膜であることを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 前記第1洗浄工程及び前記第2洗浄工程は、純水またはアルコール類を用いて行うことを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL装置の製造方法。
- 画素電極を形成する工程と、
前記画素電極の表面を洗浄する第1洗浄工程と、
前記第1洗浄工程によって除去し切れなかった異物もしくは前記第1洗浄工程の際に付着した異物が前記画素電極の上に存在している状態で、前記画素電極の上にホール輸送性を有する第1抵抗率の材料により第1酸化物層を形成する工程と、
前記第1酸化物層の表面を洗浄し前記画素電極の上に存在した異物を除去する第2洗浄工程と、
前記第2洗浄工程の後に、前記第1酸化物層の上及び前記第1酸化物層から露出していた前記画素電極の上にホール輸送性を有し第1抵抗率よりも小さい第2抵抗率の材料により第2酸化物層を形成する工程と、
前記第2酸化物層の上に有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に対向電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 前記第1酸化物層は酸化モリブデンの薄膜であり、前記第2酸化物層は酸化モリブデンにマグネシウムをドープした薄膜であることを特徴とする請求項4に記載の有機EL装置の製造方法。
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JP2000223274A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-08-11 | Tdk Corp | 有機el素子 |
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JP2009044101A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 金属ドープモリブデン酸化物層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子及び製造方法 |
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