JP2012134143A - ガス放電ベースの高周波高電流放電により短波長放射線を発生するための方法および装置 - Google Patents
ガス放電ベースの高周波高電流放電により短波長放射線を発生するための方法および装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】エミッタが、真空チャンバ1に配置された2つの電極2間のパルス状電流によってイオン化および圧縮され、放出プラズマ3を形成する。プラズマ3は、パルス状電流のパルス繰り返し周期が、プラズマ3の寿命より短く調整され、パルス状電流の高周波数シーケンスによって、プラズマ3が、放出圧縮プラズマ31の高エネルギ状態と緩和プラズマ32の低エネルギ状態との間で周期的に交替しながら維持される。圧縮プラズマ31を発生するための緩和プラズマ32の励起用に、パルス繰り返し周期と等しいパルス幅を備えた50kHz〜4MHzのパルス繰り返し周波数fがパルス状電流用に用いられ、励起エネルギが、緩和プラズマ32に結合される。
【選択図】図1
Description
− プラズマの存在期間に対応するプラズマの寿命より短いパルス状電流のパルス繰り返し周期を設定することによって、プラズマが、パルス状電流の高周波シーケンスにより連続的に維持されて、プラズマが、放出圧縮プラズマの高エネルギ状態と、緩和プラズマの低エネルギ状態との間で周期的に交替しながら維持されるようにすることと、
− 圧縮プラズマを発生するために緩和プラズマを励起するために、パルス繰り返し周期と等しいパルス幅を備えた50kHz〜4MHzのパルス繰り返し周波数が、パルス状電流用に用いられるという点で、励起エネルギが、緩和プラズマに結合されることと、
において達成される。
− コンデンサCは、300nF〜600nFの電気容量を有し、
− ピーキング回路は、20nH〜30nHのインダクタンスLを有し、
− ピーキング回路は、0.025Ω〜0.05Ωの電気抵抗Rを有する。
− 共振回路と、共振回路の誘導励起用の高周波発生器と、少なくとも1つのコンデンサと、を含むピーキング回路が、パルス状電流の発生用の手段として設けられ、第1のコンデンサ、抵抗器、インダクタL、および第2のコンデンサが、共振回路に連続的に配置され、かつ上記のシーケンスで互いに導電接続され、第1のコンデンサが、第2のコンデンサに導電接続されることと、
− 第1のコンデンサを再充電するための充電回路が設けられることと、
− ピーキング回路が、第1のコンデンサと抵抗器との間で充電回路の線路を通して電気的に接触され、スイッチが、充電回路の線路を切り替えるために充電回路の線路に配置されることと、
− 別のスイッチが、コンデンサのタイミングを合わせた再充電を可能にするように、コンデンサと抵抗器との間で導電性接続を切り替えるためにコンデンサと抵抗器との間に設けられることと、
を特徴とする装置によってさらに達成される。
これは、パルス状電流の周波数に依存しない。したがって、所与の最大電力Pにおいて電流強度を最大限にするために、プラズマ3の低い抵抗R’が望ましい。
PEUV=hυA21ni(lπr2)(Ω/4π)temifr (3)
によって与えられ、式中、ni *は、励起されたXeイオンの数密度であり、A21は、アインシュタインの自然放出係数であり、(lπr2)は、放出体積であり、長さl=1mmであり、ピンチ半径r=0.5mm(リソグラフィにおける特定の用途からのエタンデュ制限によって与えられる)であり、temiは、放出期間≒50nsであり、fは、パルス繰り返し周波数≒1MHzであり、hυは、92eVの光子エネルギ(=13.5nm波長)である。
dni */dt=W12ni−A21ni *≒0(定常) (4)
であり、式中、niは、基底状態におけるXeイオンの数密度であり、W12は、電子衝撃を通した励起確率1→2であり、(3)から、EUV放射線出力は、
PEUV=hυ・W12・ni *(lπr2)・(Ω/4π)temif (5)
となり、式中、W12=2・10−5g・f[exp(−hυ/kT]/(hυ(kT)0.5)neであり、neは、電子密度−(Z+1)niであり、Zは、例として、キセノンのイオン化状態≒10であり、gは0.2であり、fは0.8であり、kTは30eV(プラズマ温度)である。
(lπr2)(Z+1)・nikT=3.12・1015I2,
kT=30eV,I(kA) (6)
上記で明記したデータを用いれば、I≒5kAの電流が結果として得られる。この電流強度は、ピンチゾーンの通常の電流よりはるかに低い。
σ(1/Ωm)=19200(kT)1.5/(Z0.8InΛ)
kT=30eV,InΛ≒10 (7)
によって与えられる。
(L/C)0.5≒5RPeak=0.25Ω (8)
と仮定される。
C=C1・C2/(C1+C2) (9)
として、共振回路の合計キャパシタンスを提供する。
I(t)=[U0/(ωL)]*[exp(−αt)]*sin(ωt) (10)
式中、α=R/2Lであり、ω=[(1/LC)−α2]05である。
U0>ωL*5kA≒(L/C)0.5・5kA=1.25kV (11)
の電圧に充電されなければならない。
2 放電ギャップ
21 電極
22 電極
3 プラズマ
31 圧縮プラズマ
32 緩和プラズマ
4 エミッタ送出ユニット
41 ガス入口
42 ガス供給部
5 ピーキング回路
51 共振回路
52 高周波発生器
6 放出放射線
L インダクタ
C コンデンサ
R (ピーキング回路の)電気抵抗
R’ (プラズマ3の)電気抵抗
R3 抵抗器
C1 第1のコンデンサ
C2 第2のコンデンサ
I(t) 電流
U1(t) 電圧
U2(t) 電圧
S1 スイッチ
S2 スイッチ
Claims (10)
- 短波長放射線を放出するガス放電ベースの放射線源を励起するための方法であって、真空チャンバに配置された2つの電極間のパルス状電流により、エミッタが、電極間でイオン化されて周期的に圧縮され、かつ励起されて、放出期間にわたって各パルスにより所望の短波長放射線を放出するパルス状放出プラズマを形成する、方法において、
− 前記プラズマ(3)の存在期間に対応する前記プラズマ(3)の寿命より短い前記パルス状電流のパルス繰り返し周期を設定することによって、前記プラズマ(3)が、パルス状電流高周波シーケンスにより連続的に維持されて、前記プラズマ(3)が、放出圧縮プラズマ(31)の高エネルギ状態と、緩和プラズマ(32)の低エネルギ状態との間で周期的に交替しながら維持されることと、
− 前記圧縮プラズマ(31)の発生用に前記緩和プラズマ(32)を励起するために、前記パルス繰り返し周期と等しいパルス幅を備えた50kHz〜4MHzのパルス繰り返し周波数(f)が、前記パルス状電流用に用いられるという点で、励起エネルギが、緩和プラズマに結合されること、
を特徴とする方法。 - 50kHz〜2MHzの周波数を備えたAC電流が、パルス状電流として用いられることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 100kHz〜4MHzの周波数を備えたパルスDC電流が、パルス状電流として用いられることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 正弦関数、三角形関数、および矩形関数を含む群からの関数が、パルス状電流の形状として用いられることを特徴とする、請求項2または3に記載の方法。
- 1ジュール以下の励起エネルギが、前記圧縮プラズマ(31)の発生のために、前記緩和プラズマ(32)の全ての励起用に前記緩和プラズマ(32)に結合されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記パルス繰り返し周波数(f)が、共振回路(51)の固有周波数(f0)に適合されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記放出期間(temi)が、前記パルス繰り返し周期の少なくとも1%であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 共振回路(51)と、前記共振回路(51)の誘導励起用の高周波発生器(52)と、コンデンサCと、を有する、ピーキング回路(5)が、前記パルス状電流を供給するために用いられ、
− 前記コンデンサ(C)が、300nF〜600nFの電気容量を有し、
− 前記ピーキング回路(5)が、20nH〜30nHのインダクタンス(L)を有し、
− 前記ピーキング回路(5)が、0.025Ω〜0.05Ωの電気抵抗を備えた抵抗器(R)有することを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。 - 前記コンデンサ(C)が、そこに元々蓄積されたエネルギの或る部分が前記プラズマ(3)にて消費された場合に、タイミングを合わせた電力供給によって再充電されることを特徴とする、請求項8に記載の方法。
- 短波長放射線を放出するガス放電ベースの放射線源を励起するための装置であって、少なくとも2つの電極が真空チャンバ内に設けられ、その中でエミッタが前記電極間に位置し、かつ高いパルス繰り返し周波数で前記電極間にパルス状電流を発生するための手段が設けられた、装置において、
− 共振回路(51)と、前記共振回路(51)の誘導励起用の高周波発生器(52)と、少なくとも1つのコンデンサ(C)と、を備えて構成されるピーキング回路(5)が、パルス状電流の発生用の手段として設けられ、第1のコンデンサ(C1)、抵抗器(R3)、インダクタ(L)、および第2のコンデンサ(C2)が、前記共振回路(51)に連続的に配置され、かつ上記の順番で互いに導電接続され、前記第1のコンデンサ(C1)が、前記第2のコンデンサ(C2)に導電接続されることと、
− 前記第1のコンデンサ(C1)を再充電するために充電回路が設けられることと、
− 前記ピーキング回路(5)が、前記第1のコンデンサ(C1)と前記抵抗器(R3)の間で前記充電回路の線路を通して電気的に接触され、前記充電回路の前記線路を切り替えるために前記充電回路の前記線路にスイッチ(S1)が配置されることと、
− 前記コンデンサ(C1)のタイミングを合わせた再充電を可能にするように、前記コンデンサ(C1)と前記抵抗器(R3)の間で導電性接続を切り替えるために、前記コンデンサ(C1)と前記抵抗器(R3)の間に別のスイッチ(S2)が設けられること
を特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010055889.3A DE102010055889B4 (de) | 2010-12-21 | 2010-12-21 | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung kurzwelliger Strahlung mittels einer gasentladungsbasierten Hochfrequenzhochstromentladung |
DE102010055889.3 | 2010-12-21 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012134143A true JP2012134143A (ja) | 2012-07-12 |
Family
ID=45615015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011273343A Pending JP2012134143A (ja) | 2010-12-21 | 2011-12-14 | ガス放電ベースの高周波高電流放電により短波長放射線を発生するための方法および装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8610354B2 (ja) |
JP (1) | JP2012134143A (ja) |
DE (1) | DE102010055889B4 (ja) |
NL (1) | NL2007740C2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10672590B2 (en) * | 2018-03-14 | 2020-06-02 | Lam Research Corporation | Frequency tuning for a matchless plasma source |
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Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61101942A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-20 | Hitachi Ltd | X線源 |
DE3708716C2 (de) * | 1987-03-18 | 1993-11-04 | Hans Prof Dr Rer Nat Oechsner | Hochfrequenz-ionenquelle |
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US6815700B2 (en) * | 1997-05-12 | 2004-11-09 | Cymer, Inc. | Plasma focus light source with improved pulse power system |
US6744060B2 (en) * | 1997-05-12 | 2004-06-01 | Cymer, Inc. | Pulse power system for extreme ultraviolet and x-ray sources |
US6566667B1 (en) | 1997-05-12 | 2003-05-20 | Cymer, Inc. | Plasma focus light source with improved pulse power system |
US6667484B2 (en) * | 2000-07-03 | 2003-12-23 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
CN100594428C (zh) * | 2002-09-19 | 2010-03-17 | Asml荷兰有限公司 | 辐射源、光刻装置和器件的制造方法 |
DE10260458B3 (de) * | 2002-12-19 | 2004-07-22 | Xtreme Technologies Gmbh | Strahlungsquelle mit hoher durchschnittlicher EUV-Strahlungsleistung |
DE10361908B4 (de) | 2003-12-23 | 2013-04-11 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Erzeugung impulsförmiger Ströme hoher Repetitionsrate und hoher Stromstärke für gasentladungsgepumpte Strahlungsquellen |
DE102004005242B4 (de) * | 2004-01-30 | 2006-04-20 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur plasmabasierten Erzeugung intensiver kurzwelliger Strahlung |
WO2006015125A2 (en) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | BOARD OF REGENTS OF THE UNIVERSITY & COMMUNITY COLLEGE SYSTEM OF NEVADA on Behalf OF THE UNIVERSITY OF NEVADA | Electrode-less discharge extreme ultraviolet light source |
US7180083B2 (en) * | 2005-06-27 | 2007-02-20 | Cymer, Inc. | EUV light source collector erosion mitigation |
JP4578412B2 (ja) * | 2006-01-20 | 2010-11-10 | 日本碍子株式会社 | 放電プラズマ発生方法 |
US7914692B2 (en) * | 2006-08-29 | 2011-03-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Methods of generating plasma, of etching an organic material film, of generating minus ions, of oxidation and nitriding |
-
2010
- 2010-12-21 DE DE102010055889.3A patent/DE102010055889B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-11-08 NL NL2007740A patent/NL2007740C2/en not_active IP Right Cessation
- 2011-12-05 US US13/311,023 patent/US8610354B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-14 JP JP2011273343A patent/JP2012134143A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005353736A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | プラズマx線発生装置 |
JP2009512173A (ja) * | 2005-10-18 | 2009-03-19 | アルフト インコーポレイテッド | 軟x線発生器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL2007740C2 (en) | 2014-01-14 |
US8610354B2 (en) | 2013-12-17 |
DE102010055889B4 (de) | 2014-04-30 |
US20120153829A1 (en) | 2012-06-21 |
NL2007740A (en) | 2012-06-25 |
DE102010055889A1 (de) | 2012-06-21 |
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A621 | Written request for application examination |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140827 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
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