JP2012132815A - Apdの自動調整機能を備えた光パルス試験器またはその方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光パルスではなくタイミング制御不要な連続光を試験対象の光ファイバを接続するための外部接続部に向けて射出し、当該連続光の後方散乱光よりレベル大きい反射光をアバランシェフォトダイオード(APD)で受光し、APDの増倍率を決定するAPDバイアス電圧を変化させ、APDの増倍率とAPDバイアス電圧の組み合わせを複数検出することによってAPDの増倍率の補正を行う。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施形態の光パルス試験器のブロック図を示している。なお、図4に示した従来の光パルス試験器のブロック図と同一番号の機能ブロックについては、同一の機能を有するため説明は一部省略する。
Vβ(33)の時:Nβ=Lβ(0.288)/Ls(0.2)=1.44
Vγ(35)の時:Nγ=Lγ(0.344)/Ls(0.2)=1.72
この求めた結果と、増倍率Nの許容誤差±0.05を考慮すると、増倍率N=1.4に対応するAPDバイアス電圧は、Vβ(33)ボルトであると言える。さらに前記APDバイアス電圧を変化させ、同様にして複数の異なる増倍率Nに対応したAPDバイアス電圧をそれぞれ検出する。
まず、APDに設計値等で想定される増倍率安定領域近傍に対応するAPDバイアス電圧Vaボルトを印加し、(15ボルトの逆バイアス)そのときの外部接続部Aで反射した連続光による反射光をAPDで受光し、受光信号Laのレベルを測定する。次に、APDバイアス電圧を所定量δボルト(0.2ボルト)だけ変化させ、Vbボルトに変更し(10.2ボルト)、受光信号Lbのレベルを測定し(ステップS3)、先に測定した受光信号LaとLbのレベルの差を求める。さらに先ほどと同じ所定量δボルト(0.2ボルト)だけAPDバイアス電圧を変化させVcボルトに変更する(10.4ボルト)。そのときの受光信号Lcを求め、LbとLcのレベル差を比較する。以降同様にAPDバイアス電圧(Vd、Ve・・・)を変更して受光信号レベル(Ld、Le・・・)を求め、LcとLd、LdとLe・・・・のレベル差を求める。
2:光源
3:方向性結合器
4:受光部(APD)
5:増幅回路
6:A/D変換器
7:APD特性制御部
71:基準受光信号レベル検出部
72:増倍率対応バイアス電圧検出部
73:APDバイアス電圧記憶部
8: バイアス印加部
9:光源駆動部
91:連続光発生制御部
10:表示部
11:基準ファイバ
12:光ファイバ
101: 光パルス試験器(従来)
102:光源
104:受光部(APD)
107:処理部
109:光源駆動部
Claims (2)
- 光源駆動部(9)の駆動信号によって光パルスを射出する光源(2)と、
試験対象の光ファイバ(12)を接続するための外部接続部(A)と、
前記光パルスを前記外部接続部を介して前記光ファイバに入射して得られる戻り光を受光し受光信号に変換するアバランシェフォトダイオード(4)と、
前記アバランシェフォトダイオードの増倍率を変化させる前記アバランシェフォトダイオードに印加するAPDバイアス電圧を制御するAPD特性制御部(7)を備え、前記受光信号に所定の演算処理を施し前記光ファイバの距離方向の伝送特性を試験するための光パルス試験器において、
前記光源駆動部は、所定の一定レベルの連続光を前記外部接続部に向けて射出可能となるように前記光源を駆動可能とされ、
前記アバランシェフォトダイオードは、前記連続光が前記外部接続部で反射した反射光を受光し、受光信号に変換可能とされ、
前記APD特性制御部は、前記アバランシェフォトダイオードが前記反射光を受光しているとき前記APDバイアス電圧を所定の間隔で変化させ、異なる前記APDバイアス電圧ごとに前記受光信号のレベルを検出し、前記APDバイアス電圧の変化に対し前記受光信号のレベルの変動が少ない安定領域における基準受光信号レベル(LS)を検出する基準受光信号レベル検出部(71)と、
前記受光信号のレベルが前記基準受光信号レベルを基準としたとき所定の増倍率となるように、さらに前記APDバイアス電圧を所定の間隔で変化させ、前記所定の増倍率に対応したAPDバイアス電圧を検出し、異なる前記所定の増倍率それぞれに対応する前記APDバイアス電圧の組み合わせを複数検出する増倍率対応バイアス電圧検出部(72)と、
前記所定の増倍率と前記所定の増倍率に対応したAPDバイアス電圧の組み合わせを増倍率設定データとして記憶するAPDバイアス電圧記憶部(73)とを有し、
前記増倍率設定データに基づいて、前記所定の増倍率に対応した前記APDバイアス電圧を前記アバランシェフォトダイオードに印加することによって前記試験を行うことを特徴とした光パルス試験器。 - 試験対象の光ファイバを接続する外部接続部を介して当該光ファイバに光パルスを入射して得られる戻り光をアバランシェフォトダイオードで受光し、受光信号に変換し、前記受光信号を受け所定の演算処理を施し前記光ファイバの距離方向の伝送特性を試験する光パルス試験器の前記アバランシェフォトダイオードの増倍率を変化させる前記アバランシェフォトダイオードに印加するAPDバイアス電圧を制御する光パルス試験器の補正方法であって、
前記アバランシェフォトダイオードを初期動作させるために前記APDバイアス電圧を所定の電圧に設定するステップ(S1)と、
所定の一定レベルの連続光を前記外部接続部に向けて射出するステップ(S2)と、
前記アバランシェフォトダイオードに印加する前記APDバイアス電圧を所定の間隔で変化させ、異なる前記APDバイアス電圧ごとに前記外部接続部で反射した反射光による前記受光信号のレベルを測定し、前記APDバイアス電圧の変化に対し前記受光信号のレベルの変動が所定の範囲内となる安定領域における基準受光信号レベル(LS)を検出する基準受光信号レベル検出ステップ(S3、S4、S5、S6)と、
前記受光信号のレベルが前記基準受光信号レベルを基準としたとき所定の増倍率となるように、さらに前記APDバイアス電圧を所定の間隔で変化させ、前記所定の増倍率に対応したAPDバイアス電圧を検出し、異なる前記所定の増倍率それぞれに対応する前記APDバイアス電圧の組み合わせを複数検出する増倍率検出ステップ(S7、S8、S9、S10、S11)と、
前記増倍率検出ステップで求めた前記所定の増倍率と、当該増倍率に対応した前記APDバイアス電圧との複数の組み合わせを増倍率設定データとして記憶するAPDバイアス電圧記憶ステップ(S12)と、
前記増倍率設定データに基づいて前記アバランシェフォトダイオードのAPDバイアス電圧を制御する光パルス試験器の補正方法。
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CN103969027A (zh) * | 2014-05-14 | 2014-08-06 | 东南大学 | 一种光纤内部损耗/反射点简易检测与定位方法及装置 |
JP2018125754A (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 沖電気工業株式会社 | 伝送制御装置、光信号伝送システム及び印加電圧調整方法 |
CN110118599A (zh) * | 2018-02-07 | 2019-08-13 | 科大国盾量子技术股份有限公司 | 一种集成化单光子检测装置 |
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