JP2012128070A - 電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 画像を表示でき、精細度を低下させること無しに画素の開口率の低下を抑制することができ、かつ入力手段にて接触される個所の位置情報を精度良く抽出することができる電子機器を提供する。
【解決手段】 電子機器は、表示パネルと、表示パネルに設けられたセンサモジュールMとを備える。センサモジュールMは、複数のセンサ回路SNと、複数の容量カップリング線cupと、複数のプリチャージ線preと、複数のプリチャージ制御線pregと、複数の出力線outと、複数の出力制御線outgとを有している。センサ回路SNは、それぞれ隣合う複数の画素PXが設けられた領域内に1つの割合で配置され、行方向Xに延在し、入力手段による入力動作に応じて静電容量結合の強弱が生じる検知電極Cfを具備している。
【選択図】図2
【解決手段】 電子機器は、表示パネルと、表示パネルに設けられたセンサモジュールMとを備える。センサモジュールMは、複数のセンサ回路SNと、複数の容量カップリング線cupと、複数のプリチャージ線preと、複数のプリチャージ制御線pregと、複数の出力線outと、複数の出力制御線outgとを有している。センサ回路SNは、それぞれ隣合う複数の画素PXが設けられた領域内に1つの割合で配置され、行方向Xに延在し、入力手段による入力動作に応じて静電容量結合の強弱が生じる検知電極Cfを具備している。
【選択図】図2
Description
本発明の実施形態は、電子機器に関する。
一般に、PDA(パーソナル・デジタル・アシスタント)及びタブレットPC(パーソナルコンピュータ)のような電子機器は、ペン等を用いて表示画面から直接データを入力可能に構成されている。上記電子機器は、画像を表示する表示領域内に静電容量の変化を検出するセンサ回路を備えている。このため、電子機器は、センサ回路の静電容量の変化を取り出すことで、入力手段にて接触される個所の位置情報を抽出することができる。
ところで、表示領域内にセンサ回路を設けた場合、画素の開口率が低下する問題がある。特に、センサ感度を向上させるためにセンサ回路のサイズを大きくすると、画素の開口率は大幅に低下してしまう。このため、画像を表示でき、精細度を低下させること無しに画素の開口率の低下を抑制することができ、かつ入力手段にて接触される個所の位置情報を精度良く抽出することができる電子機器が求められている。
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、画像を表示でき、精細度を低下させること無しに画素の開口率の低下を抑制することができ、かつ入力手段にて接触される個所の位置情報を精度良く抽出することができる電子機器を提供することにある。
一実施形態に係る電子機器は、
画像を表示し、入力手段にて接触される個所の位置情報を抽出する電子機器において、
列方向に延在した複数の信号線と、行方向に延在した複数の走査線及び複数の補助容量線と、前記複数の信号線並びに前記複数の走査線及び前記複数の補助容量線の交差部近傍に設けられた複数の画素と、を有したアレイ基板を備えた表示パネルと、
前記表示パネルに設けられたセンサモジュールと、を備え、
前記センサモジュールは、
それぞれ隣合う前記複数の画素が設けられた領域内に1つの割合で配置され、前記行方向に延在し、前記入力手段による入力動作に応じて静電容量結合の強弱が生じる検知電極と、前記検知電極に接続されたプリチャージ制御スイッチ及び出力制御スイッチと、を具備した複数のセンサ回路と、
前記複数のセンサ回路の検知電極との間に容量を形成し、前記複数のセンサ回路の検知電極の電圧をプルアップ又はプルダウンする複数の容量カップリング線と、
前記複数のセンサ回路のプリチャージ制御スイッチに接続され、プリチャージ電圧が与えられる複数のプリチャージ線と、
前記複数のセンサ回路のプリチャージ制御スイッチに接続され、プリチャージ制御信号が与えられる複数のプリチャージ制御線と、
前記複数のセンサ回路の出力制御スイッチに接続された複数の出力線と、
前記複数のセンサ回路の出力制御スイッチに接続され、出力制御信号が与えられる複数の出力制御線と、を有し、
前記プリチャージ制御スイッチは、前記プリチャージ制御信号に応じて前記プリチャージ電圧を前記センサ回路の検知電極に出力するかどうかを切替え、
前記出力制御スイッチは、前記出力制御信号に応じて前記検知電極の電圧値を前記出力線に出力するかどうかを切替えることを特徴としている。
画像を表示し、入力手段にて接触される個所の位置情報を抽出する電子機器において、
列方向に延在した複数の信号線と、行方向に延在した複数の走査線及び複数の補助容量線と、前記複数の信号線並びに前記複数の走査線及び前記複数の補助容量線の交差部近傍に設けられた複数の画素と、を有したアレイ基板を備えた表示パネルと、
前記表示パネルに設けられたセンサモジュールと、を備え、
前記センサモジュールは、
それぞれ隣合う前記複数の画素が設けられた領域内に1つの割合で配置され、前記行方向に延在し、前記入力手段による入力動作に応じて静電容量結合の強弱が生じる検知電極と、前記検知電極に接続されたプリチャージ制御スイッチ及び出力制御スイッチと、を具備した複数のセンサ回路と、
前記複数のセンサ回路の検知電極との間に容量を形成し、前記複数のセンサ回路の検知電極の電圧をプルアップ又はプルダウンする複数の容量カップリング線と、
前記複数のセンサ回路のプリチャージ制御スイッチに接続され、プリチャージ電圧が与えられる複数のプリチャージ線と、
前記複数のセンサ回路のプリチャージ制御スイッチに接続され、プリチャージ制御信号が与えられる複数のプリチャージ制御線と、
前記複数のセンサ回路の出力制御スイッチに接続された複数の出力線と、
前記複数のセンサ回路の出力制御スイッチに接続され、出力制御信号が与えられる複数の出力制御線と、を有し、
前記プリチャージ制御スイッチは、前記プリチャージ制御信号に応じて前記プリチャージ電圧を前記センサ回路の検知電極に出力するかどうかを切替え、
前記出力制御スイッチは、前記出力制御信号に応じて前記検知電極の電圧値を前記出力線に出力するかどうかを切替えることを特徴としている。
以下、図面を参照しながら一実施形態に係る電子機器について詳細に説明する。
図1乃至図4に示すように、電子機器は、画像を表示する表示パネルとしての液晶表示パネルPと、液晶表示パネルPに設けられたセンサモジュールMと、バックライトユニットBとを備えている。
図1乃至図4に示すように、電子機器は、画像を表示する表示パネルとしての液晶表示パネルPと、液晶表示パネルPに設けられたセンサモジュールMと、バックライトユニットBとを備えている。
図1及び図4に示すように、液晶表示パネルPは、アレイ基板ASと、対向基板OSと、液晶層LCとを備えている。アレイ基板AS及び対向基板OSは、それぞれ矩形状に形成されている。アレイ基板ASは、対向基板OSよりも大きな寸法に形成されている。アレイ基板AS及び対向基板OSは、各々の3辺がほぼ重なるように配置されている。
図示しないが、アレイ基板ASの残る一辺において、アレイ基板ASは対向基板OSよりも外側へ延出している。アレイ基板ASの延出部には図示しない駆動回路が実装されている。液晶表示パネルPは、アレイ基板AS及び対向基板OSに重なった矩形状の表示領域R1を有している。なお、後述する入力領域R2は表示領域R1に重なっている。
アレイ基板AS及び対向基板OSは、図示しない複数本の柱状スペーサにより所定の隙間を保持して対向配置されている。アレイ基板AS及び対向基板OSは、表示領域R1の周縁部である両基板の周縁部に配置された矩形枠状のシール材21により互いに接合されている。
液晶層LCは、アレイ基板AS及び対向基板OS間に挟持され、シール材21で囲まれている。シール材21の一部に形成された液晶注入口22は、封止材23により封止されている。この実施形態において、アレイ基板ASは、表示面Scを有している。また、表示面Scは入力面としても機能している。
バックライトユニットBは、対向基板OSに対してアレイ基板ASの反対側に配置されている。バックライトユニットBは、対向基板OSに対向配置された導光板と、導光板の一側縁に対向配置された光源及び反射板とを備えている。バックライトユニットBは、対向基板OSに向けて光を放出する。
液晶表示パネルPは、入射されるバックライトを透過させるかどうか制御される。液晶表示パネルPは、対向基板OSの外面側に光を放射させることにより、表示領域R1に画像を表示する。
図2に示すように、アレイ基板ASは、互いに直交する行方向X及び列方向Yに沿ってマトリクス状に設けられた複数の画素PXを有している。複数の画素PXは、表示領域R1に重なっている。画素PXの数はm×nである(m,n:自然数)。
画素PXは、赤色、緑色及び青色の何れかを表示する。この実施形態において、赤色の画素PX、緑色の画素PX及び青色の画素PXは、行方向Xに繰返し並べられている。赤色の画素PXは後述する赤色の着色層に、緑色の画素PXは後述する緑色の着色層に、青色の画素PXは後述する青色の着色層に、それぞれ重なっている。
アレイ基板ASは、複数の信号線s(s1乃至sm)と、複数の走査線g(g1乃至gn)と、複数の補助容量線c(c1乃至cn)とを有している。信号線sは、列方向Yに延在し、行方向Xに間隔を置いて並んでいる。
走査線gは、行方向Xに延在し、列方向Yに間隔を置いて並んでいる。補助容量線cは、走査線gに間隔を置いて並べられている。補助容量線cは、走査線gと同様、行方向Xに延在し、列方向Yに間隔を置いて並んでいる。水平走査期間中や垂直走査期間中、複数の信号線sには、映像信号が与えられる。
複数の画素PXは、複数の信号線s並びに複数の走査線g及び複数の補助容量線cの交差部近傍に設けられている。画素PXは、信号線s、走査線g及び補助容量線cに接続されている。画素PXは、スイッチング素子GSWと、画素電極PEと、補助容量Csとを有している。
スイッチング素子GSWは、走査線g及び信号線sに電気的に接続され、TFT(薄膜トランジスタ)で形成されている。画素電極PEは、スイッチング素子GSWに電気的に接続されている。補助容量Csは、画素電極PEに電気的に接続されている。後述するが、補助容量Csは、補助容量電極cse及び補助容量線cslを有し、容量を形成する。
センサモジュールMは、複数のセンサ回路SNと、複数の容量カップリング線cup(cup1乃至cupm/9)と、複数のプリチャージ線pre(pre1乃至prem/9)と、複数のプリチャージ制御線preg(preg1乃至pregn/2)と、複数の出力線out(out1乃至outm/9)と、複数の出力制御線outg(outg1乃至outgn/2)と、を有している。
センサ回路SNは、それぞれ隣合う複数の画素PXが設けられた領域内に1つの割合で配置されている。この実施形態において、センサ回路SNは、18画素PX(2行×9列)毎に1つ配置されている。センサ回路SNの数は(n/2)×(m/9)である。
プリチャージ制御線pregは、走査線g及び補助容量線cに間隔を置いて並べられている。プリチャージ制御線pregは、行方向Xに延在し、列方向Yに間隔を置いて並んでいる。プリチャージ制御線pregには、プリチャージ制御信号が与えられる。出力制御線outgは、走査線g、補助容量線c及びプリチャージ制御線pregに間隔を置いて並べられている。出力制御線outgは、行方向Xに延在し、列方向Yに間隔を置いて並んでいる。出力制御線outgには、出力制御信号が与えられる。プリチャージ制御線preg及び出力制御線outgの数は、それぞれn/2本である。
プリチャージ線preは、列方向Yに延在し、行方向Xに間隔を置いて並んでいる。出力線outは、プリチャージ線preに間隔を置いて並べられている。プリチャージ線preには、プリチャージ電圧が与えられる。出力線outは、列方向Yに延在し、行方向Xに間隔を置いて並んでいる。プリチャージ線pre及び出力線outの数は、それぞれm/9本である。
容量カップリング線cupは、プリチャージ線pre及び出力線outに間隔を置いて並べられている。容量カップリング線cupは、列方向Yに延在し、行方向Xに間隔を置いて並んでいる。容量カップリング線cupは、1つのセンサ回路SN毎に7本ずつ配置されている。容量カップリング線cupの数は、7×m/9本である。容量カップリング線cupは、後述する検知電極Cfとの間に容量を形成し、検知電極Cfの電圧をプルアップ又はプルダウンする。
センサ回路SNは、検知電極Cfと、プリチャージ制御スイッチPSWと、アンプAMPと、出力制御スイッチOSWとを有している。検知電極Cfは、行方向Xに延在し、入力手段30による入力動作に応じて静電容量結合の強弱が生じるものである。
プリチャージ制御スイッチPSWは、TFTで形成され、ここでは、NMOS型のTFTで形成されている。プリチャージ制御スイッチPSWは、プリチャージ線pre及び検知電極Cf間に接続され、プリチャージ線preを介して入力されるプリチャージ電圧を検知電極Cfに与えるかどうか切替える。
詳しくは、プリチャージ制御スイッチPSWにおいて、ゲート電極はプリチャージ制御線pregに接続され、ソース電極はプリチャージ線preに接続され、ドレイン電極は検知電極Cfに接続されている。プリチャージ制御スイッチPSWは、プリチャージ制御信号に応じてプリチャージ電圧を検知電極Cfに出力するのかどうか切替える。
プリチャージ制御スイッチPSWは、プリチャージ制御線pregを介してゲート電極にハイ(H)レベルのプリチャージ制御信号が与えられるタイミングで、プリチャージ電圧を検知電極Cfに与える。
アンプAMPは、TFTで形成され、ここでは、NMOS型のTFTで形成されている。アンプAMPにおいて、ゲート電極は検知電極Cfに接続され、ソース電極は容量カップリング線cup(信号線s8、sm−1等)に接続されている。アンプAMPは、検知電極Cfに与えられたプリチャージ電圧の減衰量が少ない場合に導通状態(オン)となり、検知電極Cfに与えられたプリチャージ電圧の減衰量が多い場合に非導通状態(オフ)となる。
出力制御スイッチOSWは、TFTで形成され、ここでは、NMOS型のTFTで形成されている。出力制御スイッチOSWは、アンプAMPを介して検知電極Cfに接続されている。出力制御スイッチOSWは、アンプAMPのドレイン電極及び出力線out間に接続され、検知電極Cfの静電容量変動を読み取る際に導通状態に切替えられる。
詳しくは、出力制御スイッチOSWにおいて、ゲート電極は出力制御線outgに接続され、ソース電極はアンプAMPのドレイン電極に接続され、ドレイン電極は出力線outに接続されている。出力線outには他のプリチャージ電圧が与えられる。出力制御スイッチOSWは、出力制御信号に応じて検知電極Cfの電圧値を出力線outに出力するのかどうか切替える。
出力制御スイッチOSWは、出力制御線outgを介してゲート電極にハイ(H)レベルの出力制御信号が与えられるタイミングで導通状態に切替えられる。その際、出力線outの電位は、検知電極Cfの静電容量変動に応じて変動することになる。すなわち、出力線outの電位の変動を取得することにより、入力手段30にて接触される個所の位置情報を抽出することができる。
なお、センサモジュールMを用いた入力手段30にて接触される個所の位置情報の抽出は、映像信号の書込みをしていない水平ブランキング期間中や垂直ブランキング期間中等に行われる。
検知電極Cfにおいて、信号線sと交差する個所の幅は、信号線s間に位置する個所の幅より小さい。各検知電極Cfは、7本の容量カップリング線cupと交差し、これら容量カップリング線cupとの間に容量Ccを形成している。
複数の容量カップリング線cup、複数のプリチャージ線pre及び複数の出力線outは、互いに独立し、複数の信号線sと共用している。
複数の容量カップリング線cup、複数のプリチャージ線pre及び複数の出力線outは、互いに独立し、複数の信号線sと共用している。
図3に示すように、容量カップリング線cupは、行方向Xに突き出た複数のシールド電極SLDを有している。検知電極Cfは、複数のシールド電極SLDで囲まれている。検知電極Cfは、複数の容量カップリング線cup(複数のシールド電極SLD)で静電遮蔽されている。このため、検知電極Cfが各々の配線や電極との間に形成する恐れのある寄生容量を抑制することができる。
複数の画素PXは、行方向Xに沿って一様に並べられ、列方向Yに沿って1行毎に反転して並べられている。
列方向Yにおいて、補助容量部の幅w1は、センサ部の幅w2と同一である。
列方向Yにおいて、補助容量部の幅w1は、センサ部の幅w2と同一である。
図4に示すように、アレイ基板ASは、透明な絶縁基板として、矩形状のガラス基板1を有している。ガラス基板1上に、アンダーコート絶縁膜2が成膜されている。アンダーコート絶縁膜2上には、半導体層3が形成されている。半導体層3が形成されたアンダーコート絶縁膜2は、ゲート絶縁膜4で覆われている。
ゲート絶縁膜4上には導電膜5が形成され、導電膜5が形成されたゲート絶縁膜4は、層間絶縁膜6で覆われている。層間絶縁膜6上には導電膜7が形成されている。導電膜7は、ゲート絶縁膜4と層間絶縁膜6を貫通するコンタクトホールCH1を通って半導体層3に接続されている。導電膜7が形成された層間絶縁膜6は、有機絶縁膜8で覆われている。
有機絶縁膜8の上には透明電極膜9が形成されている。透明電極膜9は、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明な導電材料で形成されている。透明電極膜9は、有機絶縁膜8を貫通するコンタクトホールCH2を通って導電膜7に接続されている。透明電極膜9が形成された有機絶縁膜8は、配向膜10で覆われている。
対向基板OSは、透明な絶縁基板として、矩形状のガラス基板11を有している。ガラス基板11上に、カラーフィルタ層12及びブラックマトリクス層13が形成されている。カラーフィルタ層12及びブラックマトリクス層13が形成されたガラス基板11は、オーバーコート層14で覆われている。オーバーコート層14上には対向電極15が形成されている。対向電極15は、ITO等の透明な導電材料で形成されている。対向電極15は、配向膜16で覆われている。
上記走査線g、補助容量線csl、プリチャージ制御線preg、出力制御線outg、及び検知電極Cfは、導電膜5で形成されている。信号線s及びシールド電極SLDは導電膜7で形成されている。
複数の画素電極PEは、検知電極Cfから外れて位置している。対向電極15は、検知電極Cfに対向した複数の欠落部15aを有している。
複数の画素電極PEは、検知電極Cfから外れて位置している。対向電極15は、検知電極Cfに対向した複数の欠落部15aを有している。
以上のように構成された一実施形態に係る電子機器によれば、電子機器は、画像を表示し、入力手段30にて接触される個所の位置情報を抽出するものである。電子機器は、液晶表示パネルPと、液晶表示パネルPに設けられたセンサモジュールMとを備えている。
センサモジュールMは、複数のセンサ回路SNと、複数の容量カップリング線cupと、複数のプリチャージ線preと、複数のプリチャージ制御線pregと、複数の出力線outと、複数の出力制御線outgとを有している。センサ回路SNは、それぞれ隣合う複数の画素PXが設けられた領域内に1つの割合で配置され、行方向Xに延在し、入力手段30による入力動作に応じて静電容量結合の強弱が生じる検知電極Cfと、検知電極Cfに接続されたプリチャージ制御スイッチPSW及び出力制御スイッチOSWとを備えている。
容量カップリング線cupは、検知電極Cfの電圧をプルアップ又はプルダウンするものである。検知電極Cfは、複数の画素PXが設けられた領域内に1つの割合で配置されている。検知電極Cfを行方向Xに延在させることで列方向Yの幅が狭くとも検知電極Cfの十分な面積を確保することができる。列方向Yの画素の開口部の幅w3の低下を抑制することができるため、精細度を低下させること無しに画素の開口率の低下を抑制することができ、かつ入力手段にて接触される個所の位置情報を精度良く抽出することができる。
複数の容量カップリング線cup、複数のプリチャージ線pre及び複数の出力線outは、互いに独立し、複数の信号線sと共用している。このため、画素の開口率の低下を一層抑制することができる。
検知電極Cfは、複数の容量カップリング線cup(複数のシールド電極SLD)で静電遮蔽されている。複数の画素電極PEは、検知電極Cfから外れて位置している。対向電極15は、複数の検知電極Cfに対向した複数の欠落部15aを有している。検知電極Cfが各々の配線や電極との間に形成する恐れのある寄生容量を抑制することができるため、入力手段30にて接触される個所の位置情報を一層精度良く抽出することができる。
複数の画素PXは、行方向Xに沿って一様に並べられ、列方向Yに沿って1行毎に反転して並べられている。補助容量部の幅w1と、センサ部の幅w2を同一にすることができるため、画素ピッチを等しくすることができ、表示品位の低下を抑制することができる。さらに、画素PXの開口率の低下を抑えてセンサ回路SN配置するスペースを確保することができるため、入力手段30にて接触される個所の位置情報を一層精度良く抽出することができる。
上記のことから、画像を表示でき、精細度を低下させること無しに画素の開口率の低下を抑制することができ、かつ入力手段30にて接触される個所の位置情報を精度良く抽出することができる電子機器を得ることができる。
なお、この発明は上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。
例えば、センサ回路SNは、18個の画素PXが設けられた領域内に1つの割合で配置されているが、これに限定されるものではなく、種々変形可能であり、センサ回路SNは、隣合う2以上の画素PXが設けられた領域内に1つの割合で配置されていればよい。
入力手段30は、導体であればよい。
入力手段30は、導体であればよい。
上記実施形態では、アレイ基板AS側からの(入力)接触を想定しているため、より入力手段30との距離が近くなるように検知電極Cfは導電膜5で形成しているが、これに限らず、種々変形可能である。例えば、検知電極Cfは導電膜7や透明電極膜9を利用してもよい。対向基板OS側からの(入力)接触を想定した場合、検知電極Cfは透明電極膜9で形成したほうが望ましい。
表示パネルは、液晶表示パネルPに限定されるものではなく、画像を表示領域R1に表示するように構成されたものであれば良い。
この発明は、上記電子機器に限定されるものではなく、各種の電子機器に適応可能である。
この発明は、上記電子機器に限定されるものではなく、各種の電子機器に適応可能である。
15…対向電極、15a…欠落部、30…入力手段、P…液晶表示パネル、M…センサモジュール、AS…アレイ基板、OS…対向基板、LC…液晶層、Sc…表示面、PX…画素、s…信号線、g…走査線、c…補助容量線、GSW…スイッチング素子、PE…画素電極、Cs…補助容量、SN…センサ回路、cup…容量カップリング線、pre…プリチャージ線、preg…プリチャージ制御線、out…出力線、outg…出力制御線、Cf…検知電極、PSW…プリチャージ制御スイッチ、AMP…アンプ、OSW…出力制御スイッチ、SLD…シールド電極、Cc…容量、R1…表示領域、R2…入力領域、X…行方向、Y…列方向。
Claims (6)
- 画像を表示し、入力手段にて接触される個所の位置情報を抽出する電子機器において、
列方向に延在した複数の信号線と、行方向に延在した複数の走査線及び複数の補助容量線と、前記複数の信号線並びに前記複数の走査線及び前記複数の補助容量線の交差部近傍に設けられた複数の画素と、を有したアレイ基板を備えた表示パネルと、
前記表示パネルに設けられたセンサモジュールと、を備え、
前記センサモジュールは、
それぞれ隣合う前記複数の画素が設けられた領域内に1つの割合で配置され、前記行方向に延在し、前記入力手段による入力動作に応じて静電容量結合の強弱が生じる検知電極と、前記検知電極に接続されたプリチャージ制御スイッチ及び出力制御スイッチと、を具備した複数のセンサ回路と、
前記複数のセンサ回路の検知電極との間に容量を形成し、前記複数のセンサ回路の検知電極の電圧をプルアップ又はプルダウンする複数の容量カップリング線と、
前記複数のセンサ回路のプリチャージ制御スイッチに接続され、プリチャージ電圧が与えられる複数のプリチャージ線と、
前記複数のセンサ回路のプリチャージ制御スイッチに接続され、プリチャージ制御信号が与えられる複数のプリチャージ制御線と、
前記複数のセンサ回路の出力制御スイッチに接続された複数の出力線と、
前記複数のセンサ回路の出力制御スイッチに接続され、出力制御信号が与えられる複数の出力制御線と、を有し、
前記プリチャージ制御スイッチは、前記プリチャージ制御信号に応じて前記プリチャージ電圧を前記センサ回路の検知電極に出力するかどうかを切替え、
前記出力制御スイッチは、前記出力制御信号に応じて前記検知電極の電圧値を前記出力線に出力するかどうかを切替えることを特徴とする電子機器。 - 前記複数の容量カップリング線、複数のプリチャージ線及び複数の出力線は、互いに独立し、前記複数の信号線と共用していることを特徴とする請求項1に記載の電子機器。
- 前記センサ回路の検知電極は、それぞれ前記複数の容量カップリング線との間に容量を形成し、
前記複数の容量カップリング線は、前記複数の信号線と共用していることを特徴とする請求項1に記載の電子機器。 - 前記複数のセンサ回路の検知電極は、前記複数の容量カップリング線で静電遮蔽されていることを特徴とする請求項1に記載の電子機器。
- 前記複数の画素は、それぞれ画素電極を含み、
前記表示パネルは、前記アレイ基板に隙間を置いて対向配置され、前記複数の画素の画素電極に対向した対向電極を有した対向基板をさらに備え、
前記複数の画素電極は、前記複数のセンサ回路の検知電極から外れて位置し、
前記対向電極は、前記複数のセンサ回路の検知電極に対向した複数の欠落部を有していることを特徴とする請求項1に記載の電子機器。 - 前記複数の画素は、前記行方向に沿って一様に並べられ、前記列方向に沿って1行毎に反転して並べられていることを特徴とする請求項1に記載の電子機器。
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JP2014074734A (ja) * | 2012-10-02 | 2014-04-24 | Japan Display Inc | 液晶表示装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20130711 |
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20140304 |