JP2012124376A - Method of forming functional membrane, laminate structure, multilayer wiring board, active matrix substrate, image display unit, drawing preparing apparatus, inkjet device, and laminate structure manufacturing apparatus - Google Patents

Method of forming functional membrane, laminate structure, multilayer wiring board, active matrix substrate, image display unit, drawing preparing apparatus, inkjet device, and laminate structure manufacturing apparatus Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming a functional membrane capable of forming a functional membrane without causing a short in a fine pattern by an inkjet method.SOLUTION: On the surface of a printed surface which contains high surface energy regions 231 and 241, adjoining each other with a low surface energy region in between, a droplet tolerable range 231A (241A) which allows a functional liquid to contact only to the high surface energy region 231 (241) when the functional liquid is supplied to the high surface energy region 231 (241) is determined based on the shapes of the high surface energy regions 231 and 241 and a fitting range of the functional liquid. Then, an arbitrary position in the droplet tolerable range 231A (241A) is determined as a droplet position 231C (241C) of the functional liquid on the high surface energy region 231 (241). The functional liquid is selectively supplied using an inkjet method to the droplet position 231C (241C) of the high surface energy region 231 (241), so that a functional membrane of a predetermined pattern is formed.

Description

本発明は、所定パターンの機能性膜を形成する機能性膜の形成方法、積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリクス基板及び画像表示装置、並びに図面製造装置、インクジェット装置、積層構造体製造装置に関するものである。   The present invention relates to a functional film forming method for forming a functional film having a predetermined pattern, a laminated structure, a multilayer wiring board, an active matrix substrate, an image display apparatus, a drawing manufacturing apparatus, an inkjet apparatus, and a laminated structure manufacturing apparatus. Is.

電気回路等で用いられる電極、絶縁体、半導体などの機能性膜パターンの形成方法として、これらの機能性材料を含有する機能液を基板上の所定位置に必要量だけ供給するインクジェット法がある。インクジェット法は、露光装置を用いるフォトリソグラフィー法に比べて、高価な装置や設備を必要とすることなく、工程数も少なく、材料利用効率が高いといった利点を有している。しかし一方で、1pL以下の液滴の制御が困難であり液滴の大きさに下限が存在する、複数のノズルを用いた際に機能液の着弾位置のばらつきが生じる、着弾後被印刷面で濡れ広がる、などといった理由で、一般に線幅50μm以下といった微細パターンを形成することが困難であった。   As a method for forming functional film patterns such as electrodes, insulators, and semiconductors used in electric circuits and the like, there is an ink jet method that supplies a necessary amount of a functional liquid containing these functional materials to a predetermined position on a substrate. The ink-jet method has advantages in that the number of steps is small and the material utilization efficiency is high, without requiring expensive equipment and equipment, compared to the photolithography method using an exposure apparatus. However, on the other hand, it is difficult to control droplets of 1 pL or less, and there is a lower limit on the size of the droplets. When a plurality of nozzles are used, the landing position of the functional liquid varies. In general, it has been difficult to form a fine pattern having a line width of 50 μm or less because of wet spreading.

これに対して特許文献1では、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する濡れ性変化層を用いた積層構造体の製造方法が開示されている。濡れ性変化層へエネルギーを付与し、機能液に対して親水的な高表面エネルギー部と、機能液に対して疎水的な低表面エネルギー部を形成することで、高表面エネルギー部に選択的に導電性材料を含有する機能液を滴下した場合に、微細な導電層を備える積層構造体が形成可能となる。   On the other hand, Patent Document 1 discloses a method for manufacturing a laminated structure using a wettability changing layer in which surface energy changes due to energy application. By applying energy to the wettability changing layer and forming a high surface energy part that is hydrophilic to the functional liquid and a low surface energy part that is hydrophobic to the functional liquid, the high surface energy part is selectively used. When a functional liquid containing a conductive material is dropped, a laminated structure including a fine conductive layer can be formed.

また、特許文献2では、基板上にあらかじめ機能液に対する障壁としてのバンクを形成し、バンク間の溝に機能液を供給することで機能液の濡れ広がりを防ぐ方法が開示されている。さらに前処理として、バンク間の溝上に高表面エネルギー部を形成し、バンク上に低表面エネルギー部を形成することで、機能液を効率良くバンク間の溝に流動させ、微細かつ均一な機能性材料パターン形成を可能としている。   Patent Document 2 discloses a method of preventing a functional liquid from spreading by forming a bank as a barrier against the functional liquid in advance on a substrate and supplying the functional liquid to a groove between the banks. Furthermore, as a pre-treatment, a high surface energy part is formed on the groove between the banks, and a low surface energy part is formed on the bank, so that the functional liquid efficiently flows into the groove between the banks, and the fine and uniform functionality. The material pattern can be formed.

特許文献1および2に開示されている製造方法は、非印刷面に低表面エネルギー領域と高表面エネルギー領域とからなる表面エネルギーの異なる領域を形成し、高表面エネルギー領域に選択的に機能液を供給するため、機能性膜パターンの微細化が可能である。しかしながら、高表面エネルギー領域にショート無く機能性膜パターンを形成したり、機能性膜パターンの膜厚を精密に制御したりするためには、被印刷面に対して機能液を正確に供給する必要があった。   In the manufacturing methods disclosed in Patent Documents 1 and 2, regions having different surface energies composed of a low surface energy region and a high surface energy region are formed on a non-printing surface, and a functional liquid is selectively applied to the high surface energy region. Therefore, the functional film pattern can be miniaturized. However, in order to form a functional film pattern without a short in the high surface energy region and to precisely control the film thickness of the functional film pattern, it is necessary to supply the functional liquid accurately to the printing surface. was there.

本発明は、以上の従来技術における課題に鑑みてなされたものであり、インクジェット法により微細なパターンでショートさせることなく機能性膜を形成することができる機能性膜の形成方法、該機能性膜の形成方法により製造される積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリクス基板及び画像表示装置、並びに前記機能性膜の形成方法を実現する図面製造装置、インクジェット装置、積層構造体製造装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems in the prior art, and a functional film forming method capable of forming a functional film without causing a short-circuit in a fine pattern by an inkjet method, the functional film Provided are a laminated structure manufactured by the forming method, a multilayer wiring board, an active matrix substrate, an image display device, a drawing manufacturing apparatus, an ink jet apparatus, and a laminated structure manufacturing apparatus that realize the functional film forming method. With the goal.

前記課題を解決するために提供する本発明は、以下の通りである。なお、カッコ内に本発明を実施するための形態において対応する部位及び符号等を示す。
〔1〕 低表面エネルギー領域を隔てて互いに繋がっていない複数の高表面エネルギー領域の上に所定パターンの機能性膜を形成する機能性膜の形成方法であって、被印刷面上に、予め低表面エネルギー領域(低表面エネルギー領域50)と、前記低表面エネルギー領域を隔てて隣接する複数の高表面エネルギー領域(高表面エネルギー領域41,42)とを形成する第1の工程(図2,図3)と、前記被印刷面上に形成された前記複数の高表面エネルギー領域にインクジェット法を用いて選択的に機能液(機能液61)を供給する第2の工程(図4)と、前記複数の高表面エネルギー領域に供給された機能液を乾燥・固化させて所定パターンの機能性膜(導電層71)を形成する第3の工程(図5)と、を有し、前記第2の工程は、前記複数の高表面エネルギー領域の中から選択される機能液の滴下対象となる第1の高表面エネルギー領域(第1の高表面エネルギー領域43、231(または241))及び前記低表面エネルギー領域を隔てて前記第1の高表面エネルギー領域に隣接する1又は複数の第2の高表面エネルギー領域(第2の高表面エネルギー領域44、241(または231))の形状と、前記機能液の着弾範囲(仮想着弾範囲62E)とに基づいて、前記第1の高表面エネルギー領域に機能液を供給する際に該機能液が前記1又は複数の第2の高表面エネルギー領域には触れずに第1の高表面エネルギー領域のみに触れるための滴下許容範囲(滴下許容範囲61F,61G、231A(または241A))を決定する第1手順(図6、図16(a),(b))と、ついで該滴下許容範囲内の任意の位置を前記第1の高表面エネルギー領域に対する機能液の滴下位置(滴下位置61C、231C(または241C))として決定する第2手順(図7、図16(c))と、を有し、前記複数の高表面エネルギー領域それぞれについて前記第1手順及び第2手順を実行してそれぞれの機能液の滴下位置を決定することを特徴とする機能性膜の形成方法(図2〜図7,図16,図22)。
〔2〕 前記滴下許容範囲内であって、前記第1の高表面エネルギー領域の所定方向における中心位置を前記機能液の滴下位置として決定することを特徴とする前記〔1〕に記載の機能性膜の形成方法。
〔3〕 前記滴下許容範囲内であって、前記第1の高表面エネルギー領域における前記第2の高表面エネルギー領域と隣接する方向の中心位置を前記機能液の滴下位置として決定することを特徴とする前記〔2〕に記載の機能性膜の形成方法。
〔4〕 前記滴下許容範囲内であって、前記第1の高表面エネルギー領域における前記第2の高表面エネルギー領域と隣接する方向に対して直交する方向の中心位置を前記機能液の滴下位置として決定することを特徴とする前記〔2〕または〔3〕に記載の機能性膜の形成方法。
〔5〕 前記第2の工程において、前記複数の高表面エネルギー領域のうち、隣接する高表面エネルギー領域(高表面エネルギー領域43,44)同士におけるそれぞれの機能液の滴下位置(滴下位置61C,61D)から算出される着弾範囲(着弾範囲61E,61E’)が互いに重ならないように、前記機能液の滴下位置を決定することを特徴とする前記〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載の機能性膜の形成方法(図8)。
〔6〕 前記第2の工程において、前記被印刷面を複数の区画に分割し、区画ごとに前記複数の高表面エネルギー領域それぞれについて前記第1手順及び第2手順を実行してそれぞれの機能液の滴下位置を決定することを特徴とする前記〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の機能性膜の形成方法(図9,図10)。
〔7〕 前記第1の工程は、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料を含む濡れ性変化層(濡れ性変化層30)を前記被印刷面上に形成する第1手順(図2)と、低表面エネルギー領域と高表面エネルギー領域とを表現した2つの異なる領域が区画図示された図面をもとにして前記被印刷面の一部に選択的にエネルギーを付与することで高表面エネルギー領域(高表面エネルギー領域41,42)を形成する第2手順(図3)と、からなることを特徴とする前記〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載の機能性膜の形成方法。
〔8〕 エネルギーの付与が光(紫外線92)を用いて行われることを特徴とする前記〔7〕に記載の機能性膜の形成方法(図3)。
〔9〕 低表面エネルギー領域と高表面エネルギー領域とを表現した2つの異なる領域が区画図示された図面をもとにしてフォトマスク(フォトマスク91)を作製し、該フォトマスクを介した光照射により高表面エネルギー領域を形成することを特徴とする前記〔8〕に記載の機能性膜の形成方法(図3)。
〔10〕 エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料を含み、低表面エネルギー領域(低表面エネルギー領域50)と高表面エネルギー領域(高表面エネルギー領域41,42)とからなる表面エネルギーの異なる領域を有する濡れ性変化層(濡れ性変化層30)と、前記濡れ性変化層の高表面エネルギー領域上に形成された導電層(導電層71)とを備える積層構造体であって、前記導電層が前記〔1〕〜〔9〕のいずれかに記載の機能性膜の形成方法を用いて形成されてなることを特徴とする積層構造体(積層構造体10,10A、図1,図20)。
〔11〕 少なくとも基板と、絶縁層と、電極層とを有する多層配線基板において、
前記〔10〕に記載の積層構造体を有し、該積層構造体の前記高表面エネルギー領域上に形成された前記導電層は、前記電極層の少なくとも一部として利用されることを特徴とする多層配線基板。
〔12〕 ゲート電極(ゲート電極210)、ゲート絶縁層(ゲート絶縁層220)、ソース電極(ソース電極230)、ドレイン電極(ドレイン電極240)、保持容量電極(保持容量電極250)、及び半導体層(半導体層260)を含むトランジスタ(トランジスタ270,270A)と、前記ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、保持容量電極のいずれかに接続する配線(配線140)と、配線と接続する電極PAD(電極PAD150)を備えるアクティブマトリクス基板において、前記〔10〕に記載の積層構造体を有し、該積層構造体の前記高表面エネルギー領域上に形成された前記導電層は、前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記保持容量電極、前記配線、前記電極PADのうち少なくともいずれか1つとして利用されることを特徴とするアクティブマトリクス基板(アクティブマトリクス基板120,120A、図11,図12,図21)。
〔13〕 画像表示素子と、前記〔12〕に記載のアクティブマトリクス基板と、を有することを特徴とする画像表示装置。
〔14〕 インクジェット装置における機能液の滴下位置を記載するインクジェット印刷図面を製造するための図面製造装置であって、低表面エネルギー領域(低表面エネルギー領域50S)と複数の高表面エネルギー領域(高表面エネルギー領域43S,44S)とを表現した2種類の異なる領域が区画図示されたベクターデータで表現された図面を作製する機構(機構m1)と、図面から前記複数の高表面エネルギー領域の形状を抽出し、前記複数の高表面エネルギー領域の中から選択される機能液の滴下対象となる第1の高表面エネルギー領域及び前記低表面エネルギー領域を隔てて前記第1の高表面エネルギー領域に隣接する1又は複数の第2の高表面エネルギー領域の形状と、前記機能液の着弾範囲とに基づいて、前記第1の高表面エネルギー領域にのみ選択的に機能液が触れるための滴下許容範囲(滴下許容範囲43A,44A)の自動計算を行い図示する機構(機構m2)と、前記滴下許容範囲内の任意の位置を前記第1の高表面エネルギー領域に対する機能液の滴下位置(滴下位置43P,44P)として決定し図示する機構(機構m3)と、滴下位置が記載されたベクターデータをラスターデータに変換、出力する機構(機構m4)と、を有することを特徴とする図面製造装置(図17)。
〔15〕 基板(基板20)を支持するステージ(ステージ102)と、液滴吐出ヘッド(液滴吐出ヘッド103)と、ステージに接続された移動・回転機構(Y軸方向移動機構105)と、液滴吐出ヘッドに接続された移動・回転機構(X軸方向移動機構104)と、制御装置(制御装置106)とを備えたインクジェット装置であって、前記〔14〕に記載の図面製造装置から出力される機能液の滴下位置が記載されたラスターデータをもとに、前記制御装置から機能液の吐出制御用信号およびステージ駆動信号が供給されることを特徴とするインクジェット装置(インクジェット装置100、図18)。
〔16〕 基板搬送機構と、被印刷面に低表面エネルギー領域と高表面エネルギー領域とからなる表面エネルギーの異なる領域からなる濡れ性変化層(濡れ性変化層30)を形成する機構(濡れ性変化層作製機構)と、前記〔15〕に記載のインクジェット装置からなり、前記濡れ性変化層表面の所定位置に機能液(機能液61)を選択的に滴下するインクジェット印刷機構と、前記機能液を乾燥・固化する機構(乾燥・固化機構)と、を備えることを特徴とする積層構造体製造装置(図19)。
The present invention provided to solve the above problems is as follows. In addition, the site | part and code | symbol etc. which respond | correspond in the form for implementing this invention in a parenthesis are shown.
[1] A functional film forming method for forming a functional film having a predetermined pattern on a plurality of high surface energy regions that are not connected to each other across a low surface energy region. A first step of forming a surface energy region (low surface energy region 50) and a plurality of high surface energy regions (high surface energy regions 41, 42) adjacent to each other across the low surface energy region (FIGS. 2 and 2) 3) and a second step (FIG. 4) for selectively supplying a functional liquid (functional liquid 61) to the plurality of high surface energy regions formed on the printing surface using an inkjet method, And a third step (FIG. 5) for forming a functional film (conductive layer 71) having a predetermined pattern by drying and solidifying the functional liquid supplied to the plurality of high surface energy regions. The plurality of steps A first high surface energy region (first high surface energy region 43, 231 (or 241)) to be dropped with the functional liquid selected from the high surface energy region is separated from the low surface energy region. The shape of one or a plurality of second high surface energy regions (second high surface energy regions 44, 241 (or 231)) adjacent to the first high surface energy region and the landing range (virtual) of the functional liquid On the basis of the landing range 62E), when the functional liquid is supplied to the first high surface energy region, the functional liquid does not touch the one or more second high surface energy regions and does not touch the first high surface energy region. A first procedure (FIG. 6, FIG. 16 (a), (b)) for determining a drop allowable range (drop allowable range 61 F, 61 G, 231 A (or 241 A)) for touching only the surface energy region; In the second procedure (FIG. 7, FIG. 16 (c), an arbitrary position within the permissible drop range is determined as a drop position (drop position 61C, 231C (or 241C)) of the functional liquid with respect to the first high surface energy region. And a step of determining the dropping position of each functional liquid by executing the first procedure and the second procedure for each of the plurality of high surface energy regions. (FIGS. 2 to 7, FIG. 16, FIG. 22).
[2] The functionality according to [1], wherein a center position in a predetermined direction of the first high surface energy region is determined as a dripping position of the functional liquid within the dripping allowable range. Method for forming a film.
[3] The center position of the first high surface energy region in the direction adjacent to the second high surface energy region is determined as the dropping position of the functional liquid within the allowable drop range. The method for forming a functional film according to [2].
[4] The functional liquid dropping position is a center position in a direction perpendicular to a direction adjacent to the second high surface energy area in the first high surface energy area within the allowable dropping range. The method for forming a functional film according to the above [2] or [3], wherein the functional film is determined.
[5] In the second step, among the plurality of high surface energy regions, the dropping positions (dropping positions 61C and 61D) of the respective functional liquids in adjacent high surface energy regions (high surface energy regions 43 and 44). The functional liquid dropping position is determined so that the landing ranges (landing ranges 61E and 61E ′) calculated from (1) are not overlapped with each other, according to any one of [1] to [4], Method for forming functional film (FIG. 8).
[6] In the second step, the printing surface is divided into a plurality of sections, and the first procedure and the second procedure are executed for each of the plurality of high surface energy regions for each section, and each functional liquid is obtained. The method for forming a functional film according to any one of the above [1] to [5], wherein the dropping position is determined (FIGS. 9 and 10).
[7] The first step includes a first procedure (FIG. 2) for forming a wettability changing layer (wetability changing layer 30) including a material whose surface energy is changed by energy application on the printing surface. The high surface energy region is obtained by selectively applying energy to a part of the printed surface based on a drawing in which two different regions representing a low surface energy region and a high surface energy region are partitioned. The method for forming a functional film according to any one of [1] to [6], comprising: a second procedure (FIG. 3) for forming (high surface energy regions 41, 42).
[8] The method for forming a functional film according to [7] (FIG. 3), wherein the energy is applied using light (ultraviolet ray 92).
[9] A photomask (photomask 91) is produced based on a drawing in which two different regions representing a low surface energy region and a high surface energy region are partitioned, and light irradiation through the photomask is performed. The method for forming a functional film as described in [8] above, wherein a high surface energy region is formed by the method (FIG. 3).
[10] A region having a surface energy different from that of a low surface energy region (low surface energy region 50) and a high surface energy region (high surface energy regions 41, 42) is included. A laminated structure including a wettability changing layer (wetting change layer 30) and a conductive layer (conductive layer 71) formed on a high surface energy region of the wettability changing layer, wherein the conductive layer is A laminated structure (laminated structure 10, 10A, FIG. 1, FIG. 20) formed by using the method for forming a functional film according to any one of [1] to [9].
[11] In a multilayer wiring board having at least a substrate, an insulating layer, and an electrode layer,
The laminated structure according to [10], wherein the conductive layer formed on the high surface energy region of the laminated structure is used as at least a part of the electrode layer. Multilayer wiring board.
[12] Gate electrode (gate electrode 210), gate insulating layer (gate insulating layer 220), source electrode (source electrode 230), drain electrode (drain electrode 240), storage capacitor electrode (storage capacitor electrode 250), and semiconductor layer (Semiconductor layer 260) including transistors (transistors 270 and 270A), a wiring (wiring 140) connected to any of the gate electrode, source electrode, drain electrode, and storage capacitor electrode, and an electrode PAD (electrode) connected to the wiring An active matrix substrate having a PAD150) includes the stacked structure according to [10], wherein the conductive layer formed on the high surface energy region of the stacked structure includes the gate electrode and the source electrode. , At least one of the drain electrode, the storage capacitor electrode, the wiring, and the electrode PAD An active matrix substrate (active matrix substrates 120 and 120A, FIGS. 11, 12, and 21) characterized by being used as one.
[13] An image display device comprising: an image display element; and the active matrix substrate according to [12].
[14] A drawing manufacturing apparatus for manufacturing an ink jet printing drawing that describes a dropping position of a functional liquid in an ink jet device, and includes a low surface energy region (low surface energy region 50S) and a plurality of high surface energy regions (high surface). A mechanism (mechanism m1) for creating a drawing in which two different regions representing the energy regions 43S, 44S) are represented by vector data in which the regions are shown in sections, and the shapes of the plurality of high surface energy regions are extracted from the drawings. And 1 adjacent to the first high surface energy region across the first high surface energy region and the low surface energy region to be dropped from the plurality of high surface energy regions. Or based on the shape of the plurality of second high surface energy regions and the landing range of the functional liquid, the first high surface A mechanism (mechanism m2) for automatically calculating a dripping allowable range (dropping allowable range 43A, 44A) for allowing the functional liquid to selectively touch only the energy region and an arbitrary position within the dripping allowable range are shown in FIG. A mechanism (mechanism m3) which is determined and illustrated as the dropping position (dropping position 43P, 44P) of the functional liquid for one high surface energy region, and a mechanism (mechanism) which converts vector data describing the dropping position into raster data and outputs it m4), and a drawing manufacturing apparatus (FIG. 17).
[15] A stage (stage 102) for supporting the substrate (substrate 20), a droplet discharge head (droplet discharge head 103), a moving / rotating mechanism (Y-axis direction moving mechanism 105) connected to the stage, An inkjet apparatus including a movement / rotation mechanism (X-axis direction movement mechanism 104) connected to a droplet discharge head, and a control device (control device 106), the drawing manufacturing apparatus according to [14] above Based on the raster data describing the output position of the functional liquid that is output, the control apparatus supplies a functional liquid ejection control signal and a stage drive signal (inkjet apparatus 100, FIG. 18).
[16] Substrate transport mechanism and mechanism (wetability change layer) for forming a wettability changing layer (wetability changing layer 30) composed of regions having different surface energies consisting of a low surface energy region and a high surface energy region on the printing surface Layer manufacturing mechanism), an inkjet printing mechanism that selectively drops functional liquid (functional liquid 61) onto a predetermined position on the surface of the wettability changing layer, and the functional liquid. A laminated structure manufacturing apparatus (FIG. 19) comprising a mechanism for drying and solidifying (drying and solidifying mechanism).

本発明の機能性膜の形成方法によれば、第2の工程は、前記複数の高表面エネルギー領域の中から選択される機能液の滴下対象となる第1の高表面エネルギー領域及び前記低表面エネルギー領域を隔てて前記第1の高表面エネルギー領域に隣接する1又は複数の第2の高表面エネルギー領域の形状と、前記機能液の着弾範囲とに基づいて、前記第1の高表面エネルギー領域に機能液を供給する際に該機能液が前記1又は複数の第2の高表面エネルギー領域には触れずに第1の高表面エネルギー領域のみに触れるための滴下許容範囲を決定する第1手順と、ついで該滴下許容範囲内の任意の位置を前記第1の高表面エネルギー領域に対する機能液の滴下位置として決定する第2手順と、を有し、前記複数の高表面エネルギー領域それぞれについて前記第1手順及び第2手順を実行してそれぞれの機能液の滴下位置を決定するので、インクジェット法により機能液が目的の高表面エネルギー領域に対して、隣接する高表面エネルギー領域に接することなく適切に着弾し、微細なパターンでショートさせることなく機能性膜を形成することができる。
また、本発明の積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリクス基板及び画像表示装置は、本発明の機能性膜の形成方法により機能性膜(導電層、電極層あるいはゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、保持容量電極、配線、電極PADの少なくともいずれか)が形成されるので、歩留よく所望のものを製造することができる。
また、本発明の図面製造装置、インクジェット装置、積層構造体製造装置によれば、本発明の機能性膜の形成方法を実現することができる。
According to the method for forming a functional film of the present invention, the second step includes the first high surface energy region and the low surface to be dropped with the functional liquid selected from the plurality of high surface energy regions. The first high surface energy region based on the shape of one or more second high surface energy regions adjacent to the first high surface energy region across the energy region and the landing range of the functional liquid A first procedure for determining a permissible dropping range for the functional liquid to touch only the first high surface energy area without touching the one or more second high surface energy areas when supplying the functional liquid to And a second procedure for determining an arbitrary position within the permissible dropping range as a dropping position of the functional liquid with respect to the first high surface energy area, and for each of the plurality of high surface energy areas. Since the dropping position of each functional liquid is determined by executing the first procedure and the second procedure, the functional liquid is not in contact with the adjacent high surface energy region with respect to the target high surface energy region by the inkjet method. It is possible to form a functional film without landing shortly with a fine pattern.
In addition, the laminated structure, multilayer wiring board, active matrix substrate, and image display device of the present invention can be obtained by the functional film (conductive layer, electrode layer or gate electrode, source electrode, drain electrode) by the functional film forming method of the present invention. , At least one of a storage capacitor electrode, a wiring, and an electrode PAD) is formed, so that a desired one can be manufactured with a high yield.
Moreover, according to the drawing manufacturing apparatus, ink jet apparatus, and laminated structure manufacturing apparatus of the present invention, the functional film forming method of the present invention can be realized.

本発明に係る積層構造体を例示する断面図である。It is sectional drawing which illustrates the laminated structure which concerns on this invention. 本発明に係る機能性膜の形成方法を例示する図(その1)である。FIG. 2 is a diagram (part 1) illustrating a method for forming a functional film according to the invention. 本発明に係る機能性膜の形成方法を例示する図(その2)である。It is FIG. (The 2) which illustrates the formation method of the functional film which concerns on this invention. 本発明に係る機能性膜の形成方法を例示する図(その3)である。It is FIG. (The 3) which illustrates the formation method of the functional film which concerns on this invention. 本発明に係る機能性膜の形成方法を例示する図(その4)である。It is FIG. (The 4) which illustrates the formation method of the functional film which concerns on this invention. 機能液の滴下位置の決定方法における第1手順の説明図である。It is explanatory drawing of the 1st procedure in the determination method of the dripping position of a functional liquid. 機能液の滴下位置の決定方法における第2手順の説明図である。It is explanatory drawing of the 2nd procedure in the determination method of the dripping position of a functional liquid. 第1の高表面エネルギー領域と第2の高表面エネルギー領域の両方に機能液を滴下する場合の滴下位置の決定方法の説明図である。It is explanatory drawing of the determination method of the dripping position in the case of dripping a functional liquid to both the 1st high surface energy area | region and a 2nd high surface energy area | region. 高表面エネルギー領域が形成される被印刷面の区画例(1)を示す平面図である。It is a top view which shows the example (1) of division of the to-be-printed surface in which a high surface energy area | region is formed. 高表面エネルギー領域が形成される被印刷面の区画例(2)を示す平面図である。It is a top view which shows the example of a partition (2) of the to-be-printed surface in which a high surface energy area | region is formed. 本発明に係るアクティブマトリクス基板を例示する平面図である。1 is a plan view illustrating an active matrix substrate according to the present invention. 図11のアクティブマトリクス基板における画素回路の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the pixel circuit in the active matrix substrate of FIG. 本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を例示する図(その1)である。FIG. 2 is a diagram (No. 1) illustrating a method for manufacturing an active matrix substrate according to the present invention; 本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を例示する図(その2)である。FIG. 6 is a second diagram illustrating the method for manufacturing the active matrix substrate according to the invention; 図14に示す工程における機能液の滴下位置の決定方法の説明図である。It is explanatory drawing of the determination method of the dripping position of a functional liquid in the process shown in FIG. 図14に示す工程における画素回路の区画に対する機能液の滴下位置の決定方法の説明図である。It is explanatory drawing of the determination method of the dripping position of a functional liquid with respect to the division of the pixel circuit in the process shown in FIG. 本発明に係る図面製造装置の機構を例示する概略図である。It is the schematic which illustrates the mechanism of the drawing manufacturing apparatus which concerns on this invention. 本発明に係るインクジェット装置の構造を例示する概略図である。It is the schematic which illustrates the structure of the inkjet apparatus which concerns on this invention. 本発明に係る積層構造体製造装置の構造を例示する概略図である。It is the schematic which illustrates the structure of the laminated structure manufacturing apparatus which concerns on this invention. 実施例1の積層構造体の製造方法を例示する図である。3 is a diagram illustrating a method for manufacturing a laminated structure according to Example 1. FIG. 実施例3のアクティブマトリクス基板の構成を示す図である。6 is a diagram illustrating a configuration of an active matrix substrate of Example 3. FIG. 実施例3のアクティブマトリクス基板におけるソース電極、ドレイン電極及びソース信号線を形成する際の機能液の滴下位置の例を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a dropping position of a functional liquid when forming a source electrode, a drain electrode, and a source signal line on an active matrix substrate of Example 3.

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態の説明を行う。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and the overlapping description may be abbreviate | omitted.

[積層構造体の構造]
初めに、本発明に係る積層構造体の概略の構造について説明する。
図1は、本発明に係る積層構造体を例示する断面図である。
図1を参照するに、本発明に係る積層構造体10は、基板20上に濡れ性変化層30及び導電層71が積層された構造を有する。
[Structure of laminated structure]
First, the schematic structure of the laminated structure according to the present invention will be described.
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a laminated structure according to the present invention.
Referring to FIG. 1, a laminated structure 10 according to the present invention has a structure in which a wettability changing layer 30 and a conductive layer 71 are laminated on a substrate 20.

基板20としては、例えばガラス基板、シリコン基板、ステンレス基板、フィルム基板等を用いることができる。このうち、フィルム基板としては、例えばポリイミド(PI)基板、ポリエーテルサルホン(PES)基板、ポリエチレンテレフタレート(PET)基板、ポリエチレンナフタレート(PEN)基板等を用いることができる。   As the substrate 20, for example, a glass substrate, a silicon substrate, a stainless steel substrate, a film substrate, or the like can be used. Among these, as the film substrate, for example, a polyimide (PI) substrate, a polyethersulfone (PES) substrate, a polyethylene terephthalate (PET) substrate, a polyethylene naphthalate (PEN) substrate, or the like can be used.

濡れ性変化層30は、熱、電子線、紫外線、プラズマ等のエネルギーの付与により表面エネルギー(臨界表面張力)が変化する濡れ性変化材料を含む。この濡れ性変化材料には、側鎖に疎水性基を有する高分子材料を用いることができる。高分子材料としては、具体的には、ポリイミドや(メタ)アクリルレート等の骨格を有する主鎖に直接或いは結合基を介して疎水性基を有する側鎖が結合しているものを用いることができる。疎水基としては、フッ素原子を含むフルオロアルキル基やフッ素元素を含まない炭化水素基を用いることができる。   The wettability changing layer 30 includes a wettability changing material whose surface energy (critical surface tension) is changed by application of energy such as heat, electron beam, ultraviolet light, and plasma. As this wettability changing material, a polymer material having a hydrophobic group in the side chain can be used. As the polymer material, specifically, a material in which a side chain having a hydrophobic group is bonded to a main chain having a skeleton such as polyimide or (meth) acrylate directly or via a bonding group is used. it can. As the hydrophobic group, a fluoroalkyl group containing a fluorine atom or a hydrocarbon group containing no fluorine element can be used.

また、濡れ性変化層30の表面近傍には、低表面エネルギー領域50と、第1の高表面エネルギー領域41と、低表面エネルギー領域を隔てて第1の高表面エネルギー領域41に近接(隣接)する第2の高表面エネルギー領域42とが形成されている。図1では、第1の高表面エネルギー領域41の左右両側に第2の高表面エネルギー領域42が形成されている。   Further, in the vicinity of the surface of the wettability changing layer 30, the low surface energy region 50, the first high surface energy region 41, and the first high surface energy region 41 are adjacent (adjacent) across the low surface energy region. And a second high surface energy region 42 is formed. In FIG. 1, second high surface energy regions 42 are formed on both the left and right sides of the first high surface energy region 41.

また、濡れ性変化層30を構成する第1の高表面エネルギー領域41及び第2の高表面エネルギー領域42上には、導電層71が形成されている。
導電層71としては、例えばAu、Ag、Cu、Pt、Al、Ni、Pd、Pb、In、Sn、Zn、Tiやこれらの合金、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ガリウム等の透明導電体等からなる金属原料を含む材料や、ドープドPANI(ポリアニリン)やPEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)にPSS(ポリエチレンスルホン酸)をドープした導電性高分子を含む材料等を用いることができる。
In addition, a conductive layer 71 is formed on the first high surface energy region 41 and the second high surface energy region 42 constituting the wettability changing layer 30.
As the conductive layer 71, for example, transparent conductive materials such as Au, Ag, Cu, Pt, Al, Ni, Pd, Pb, In, Sn, Zn, Ti and alloys thereof, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, gallium oxide, and the like. A material containing a metal raw material composed of a body or the like, or a material containing a conductive polymer in which PSS (polyethylenesulfonic acid) is doped into doped PANI (polyaniline) or PEDOT (polyethylenedioxythiophene) can be used.

本発明に係る積層構造体は、例えば、基板と、基板上に形成された濡れ性変化層である絶縁体層と、濡れ性変化層である絶縁体層の高表面エネルギー部上に形成された導電層である電極層とを有する多層配線基板に適用することができる。又、本発明に係る積層構造体であるトランジスタを有するアクティブマトリクス基板等に適用することができる。本発明に係るアクティブマトリクス基板を用いることにより、安価かつ高性能な画像表示装置を実現することができる。   The laminated structure according to the present invention is formed on, for example, a substrate, an insulator layer that is a wettability changing layer formed on the substrate, and a high surface energy portion of the insulator layer that is a wettability changing layer. The present invention can be applied to a multilayer wiring board having an electrode layer which is a conductive layer. Further, the present invention can be applied to an active matrix substrate having a transistor which is a stacked structure according to the present invention. By using the active matrix substrate according to the present invention, an inexpensive and high-performance image display device can be realized.

[積層構造体の製造方法]
次に、本発明に係る積層構造体の製造方法について説明する。詳しくは、所定パターンの機能性膜を形成するための機能性膜の形成方法について説明する。
図2〜図5は、本発明に係る機能性膜の形成方法を例示する図である。なお、図2(a)〜図5(a)は平面図であり、図2(b)〜図5(b)は、図2(a)〜図5(a)のA−A線に沿う断面図である。
[Manufacturing method of laminated structure]
Next, the manufacturing method of the laminated structure which concerns on this invention is demonstrated. Specifically, a method for forming a functional film for forming a functional film having a predetermined pattern will be described.
2-5 is a figure which illustrates the formation method of the functional film which concerns on this invention. 2A to FIG. 5A are plan views, and FIG. 2B to FIG. 5B are along the line AA in FIG. 2A to FIG. 5A. It is sectional drawing.

本発明に係る機能性膜の形成方法は、基板上に濡れ性変化層30を形成し(図2)、さらに濡れ性変化層30の一部に紫外線等のエネルギーを付与し濡れ性変化層30に低表面エネルギー領域50と、第1の高表面エネルギー領域41と、低表面エネルギー領域50を隔てて第1の高表面エネルギー領域41に近接する第2の高表面エネルギー領域42とを形成する第1の工程(図3)と、導電性材料を含有する機能液61を高表面エネルギー部の第1の高表面エネルギー領域41及び第2の高表面エネルギー領域42上へ選択的に滴下する第2の工程(図4)と、機能液61を乾燥させて導電層71を形成する第3の工程(図5)と、を有する。
以下、図2〜図5を参照しながら、各工程について詳説する。
In the method for forming a functional film according to the present invention, a wettability changing layer 30 is formed on a substrate (FIG. 2), and energy such as ultraviolet rays is applied to a part of the wettability changing layer 30 to thereby change the wettability changing layer 30. Forming a low surface energy region 50, a first high surface energy region 41, and a second high surface energy region 42 adjacent to the first high surface energy region 41 across the low surface energy region 50. Step 2 (FIG. 3) and a second step of selectively dropping the functional liquid 61 containing a conductive material onto the first high surface energy region 41 and the second high surface energy region 42 of the high surface energy part. And the third step (FIG. 5) for drying the functional liquid 61 to form the conductive layer 71.
Hereinafter, each process will be described in detail with reference to FIGS.

図2、図3に示す第1の工程では、はじめに前述の濡れ性変化材料を含む溶液を、スピンコート法等により基板20上に塗布し、乾燥させて、濡れ性変化層30を形成する。例えば濡れ性変化材料として、側鎖に疎水基を有する構造の高分子材料を用いた場合、低表面エネルギー領域50を有する濡れ性変化層30が基板20上に形成される(図2)。   In the first step shown in FIGS. 2 and 3, first, a solution containing the wettability changing material is applied onto the substrate 20 by spin coating or the like and dried to form the wettability changing layer 30. For example, when a polymer material having a structure having a hydrophobic group in the side chain is used as the wettability changing material, the wettability changing layer 30 having the low surface energy region 50 is formed on the substrate 20 (FIG. 2).

次に図3に示すように、フォトマスク91を用いて、紫外線92を濡れ性変化層30上の一部へ露光する。紫外線を露光した部分の濡れ性変化層30は、疎水基の結合が切断され低表面エネルギー(疎水性)から高表面エネルギー(親水性)に変化する。このため、濡れ性変化層30上に低表面エネルギー領域50と、第1の高表面エネルギー領域41と、低表面エネルギー領域50を隔てて第1の高表面エネルギー領域41に近接する第2の高表面エネルギー領域42とからなるパターンを形成することができる。   Next, as shown in FIG. 3, using a photomask 91, ultraviolet rays 92 are exposed on a part of the wettability changing layer 30. The wettability changing layer 30 in the portion exposed to the ultraviolet rays is changed from a low surface energy (hydrophobic) to a high surface energy (hydrophilicity) by breaking a hydrophobic group bond. Therefore, the low surface energy region 50, the first high surface energy region 41, and the second high energy adjacent to the first high surface energy region 41 across the low surface energy region 50 on the wettability changing layer 30. A pattern comprising the surface energy region 42 can be formed.

図4に示す第2の工程では、液滴吐出ノズル93から、導電性材料を含む機能液61を高表面エネルギー部の第1の高表面エネルギー領域41及び第2の高表面エネルギー領域42上へ選択的に配置する。   In the second step shown in FIG. 4, the functional liquid 61 containing a conductive material is transferred from the droplet discharge nozzle 93 onto the first high surface energy region 41 and the second high surface energy region 42 of the high surface energy portion. Selective placement.

機能液61の配置手段としては、微小液滴を1滴ずつ精度よく滴下可能であるという特徴を有するインクジェット法が好適である。導電性材料を含む機能液61は、Au、Ag、Cu、Pt、Al、Ni、Pd、Pb、In、Sn、Zn、Tiやこれらの合金、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ガリウム等の透明導電体、等からなる金属原料を、微粒子や錯体などの形態で有機溶媒や水に分散あるいは溶解させたインクや、ドープドPANI(ポリアニリン)やPEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)にPSS(ポリエチレンスルホン酸)をドープした導電性高分子の水溶液などが挙げられる。   As the arrangement means for the functional liquid 61, an ink jet method having a feature that fine droplets can be accurately dropped one by one is suitable. The functional liquid 61 containing a conductive material includes Au, Ag, Cu, Pt, Al, Ni, Pd, Pb, In, Sn, Zn, Ti, and alloys thereof, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, gallium oxide, and the like. Ink dispersed in or dissolved in an organic solvent or water in the form of fine particles, complexes, or the like, or doped PANI (polyaniline) or PEDOT (polyethylenedioxythiophene) and PSS (polyethylenesulfone). Examples thereof include an aqueous solution of a conductive polymer doped with (acid).

インクジェット法で用いるために、機能液61の表面張力は20mN/m以上、50mN/m以下であることが望ましく、又、粘度は2mPa・s以上50mPa・s以下であることが望ましい。   In order to be used in the inkjet method, the surface tension of the functional liquid 61 is desirably 20 mN / m or more and 50 mN / m or less, and the viscosity is desirably 2 mPa · s or more and 50 mPa · s or less.

図5に示す第3の工程では、機能液61を乾燥・固化させて導電層71を形成する。
乾燥方法としては、オーブン等を利用した対流伝熱方式、ホットプレート等を利用した伝導伝熱方式、遠赤外線やマイクロ波を利用した輻射伝熱方式を用いることができる。又、必ずしも大気圧で行う必要はなく、必要に応じて減圧するなどの工夫を加えても良い。又、乾燥・固化させた導電層71に追加で熱処理等を加えてよい。特に、機能液61として上述のナノメタルインクを用いた場合、乾燥・固化させただけでは十分な導電性を実現し難いため、ナノ粒子同士を融着させるための熱処理等が必要になる。
このように、図2〜図5に示す工程により、図1に示す積層構造体10が製造される。
In the third step shown in FIG. 5, the functional liquid 61 is dried and solidified to form the conductive layer 71.
As a drying method, a convection heat transfer method using an oven or the like, a conductive heat transfer method using a hot plate or the like, or a radiant heat transfer method using far infrared rays or microwaves can be used. Moreover, it is not always necessary to carry out at atmospheric pressure, and a device such as depressurization may be added if necessary. Further, an additional heat treatment or the like may be applied to the dried and solidified conductive layer 71. In particular, when the above-described nanometal ink is used as the functional liquid 61, it is difficult to achieve sufficient conductivity simply by drying and solidifying, and thus heat treatment for fusing the nanoparticles together is required.
Thus, the laminated structure 10 shown in FIG. 1 is manufactured by the steps shown in FIGS.

次に、図4に示す第2の工程のうち機能液61の滴下位置の決定に関して、図6〜図8を参照しながら、より詳細な説明を行う。
図6、図7は、一定方向に延在する線形状の高表面エネルギー領域に機能液を供給する場合に、機能液の滴下位置を決定する方法の説明図である。図6、図7において、43は矩形の第1の高表面エネルギー領域を、44は第1の高表面エネルギー領域43の図中左右両側に隣接して配置される矩形の第2の高表面エネルギー領域を示しており、これらの周囲は低表面エネルギー領域となっている。またLは第1の高表面エネルギー領域43の幅を、Sは第1の高表面エネルギー領域43と第2の高表面エネルギー領域44との間隔を、Xは第1の高表面エネルギー領域43の中心からの線幅方向(図中左右方向)の距離をそれぞれ表している。
Next, the determination of the dropping position of the functional liquid 61 in the second step shown in FIG. 4 will be described in more detail with reference to FIGS.
6 and 7 are explanatory diagrams of a method for determining the dropping position of the functional liquid when supplying the functional liquid to a linear high surface energy region extending in a certain direction. 6 and 7, reference numeral 43 denotes a rectangular first high surface energy region, and reference numeral 44 denotes a rectangular second high surface energy region disposed adjacent to both the left and right sides of the first high surface energy region 43 in the drawing. Regions are shown, and their surroundings are low surface energy regions. L is the width of the first high surface energy region 43, S is the interval between the first high surface energy region 43 and the second high surface energy region 44, and X is the first high surface energy region 43. Each distance in the line width direction (left and right direction in the figure) from the center is shown.

第2の工程における機能液の滴下位置の決定は、図6に示す滴下許容範囲を決定するステップ(第1手順)と、図7に示す滴下位置を決定するステップ(第2手順)とからなる。   The determination of the dropping position of the functional liquid in the second step includes a step (first procedure) for determining the allowable dropping range shown in FIG. 6 and a step (second procedure) for determining the dropping position shown in FIG. .

(第1手順)
はじめのステップ(第1手順)は、複数の高表面エネルギー領域の中から選択される機能液の滴下対象となる第1の高表面エネルギー領域43及び低表面エネルギー領域を隔てて第1の高表面エネルギー領域43に隣接する1又は複数の第2の高表面エネルギー領域44の形状と、機能液の着弾範囲とに基づいて、第1の高表面エネルギー領域43に機能液を供給する際に該機能液が前記1又は複数の第2の高表面エネルギー領域44には触れずに第1の高表面エネルギー領域43のみに触れるための滴下許容範囲を決定するものである。なお、第1の高表面エネルギー領域43及び1又は複数の第2の高表面エネルギー領域44の形状とは、例えば第1の高表面エネルギー領域43の寸法、該第1の高表面エネルギー領域43と1又は複数の第2の高表面エネルギー領域44との間隔である。
(First procedure)
In the first step (first procedure), the first high surface is separated from the first high surface energy region 43 and the low surface energy region to be dropped by the functional liquid selected from the plurality of high surface energy regions. Based on the shape of one or a plurality of second high surface energy regions 44 adjacent to the energy region 43 and the landing range of the functional fluid, the function liquid is supplied to the first high surface energy region 43. The permissible dripping range for the liquid to touch only the first high surface energy region 43 without touching the one or more second high surface energy regions 44 is determined. The shapes of the first high surface energy region 43 and the one or more second high surface energy regions 44 are, for example, the dimensions of the first high surface energy region 43, the first high surface energy region 43, The distance from one or more second high surface energy regions 44.

すなわち、第1手順では、図6に示すように、機能液62を滴下した場合を仮想し、その仮想滴下位置62Cを決める。ここで機能液62の液滴径Dおよび着弾位置ばらつきをαとすると、仮想着弾範囲62Eが仮想滴下位置62Cを中心とした直径D+2αからなる円として決まる。ここで仮想着弾範囲62Eとは、仮想滴下位置62Cの位置に機能液を滴下した際に仮想着弾範囲62Eの範囲内に機能液が着弾することを意味する。なお機能液の液滴径Dおよび着弾位置ばらつきαは調整可能であり、具体的に液滴径はインクジェットヘッドの吐出条件(駆動波形)によって、また着弾位置ばらつきαは使用するヘッドの種類やノズルの数等によって変えることができる。   That is, in the first procedure, as shown in FIG. 6, the case where the functional liquid 62 is dropped is virtually assumed, and the virtual dropping position 62C is determined. Here, if the droplet diameter D and landing position variation of the functional liquid 62 are α, the virtual landing range 62E is determined as a circle having a diameter D + 2α with the virtual dropping position 62C as the center. Here, the virtual landing range 62E means that the functional liquid lands within the virtual landing range 62E when the functional liquid is dropped onto the virtual dropping position 62C. The droplet diameter D and landing position variation α of the functional liquid can be adjusted. Specifically, the droplet diameter depends on the ejection conditions (driving waveform) of the inkjet head, and the landing position variation α depends on the type of head and nozzle used. It can be changed depending on the number of

今、第1の高表面エネルギー領域43に選択的に導電層を形成するためには、第2の高表面エネルギー領域44に触れないように機能液61を滴下すること(第1の条件)と、第1の高表面エネルギー領域43に触れるように機能液61を滴下すること(第2の条件)が必要である。これを言い換えると、第2の高表面エネルギー領域44に対して機能液62の仮想着弾範囲62Eが触れないように仮想滴下位置62Cを決定すること(第1の条件)と、仮想着弾範囲62E内で仮想滴下位置62Cからもっとも離れた位置に着弾する場合でも機能液61が第1の高表面エネルギー領域43に触れること(第2の条件)となり、以下の式(1)、式(2)のように滴下許容範囲が表現できる。   Now, in order to selectively form a conductive layer in the first high surface energy region 43, the functional liquid 61 is dropped so as not to touch the second high surface energy region 44 (first condition); It is necessary to drop the functional liquid 61 so as to touch the first high surface energy region 43 (second condition). In other words, the virtual drop position 62C is determined so that the virtual landing range 62E of the functional liquid 62 does not touch the second high surface energy region 44 (first condition), and the virtual landing range 62E is within the virtual landing range 62E. Even when landing at the position farthest from the virtual dripping position 62C, the functional liquid 61 touches the first high surface energy region 43 (second condition), and the following equations (1) and (2) Thus, a dripping tolerance range can be expressed.

滴下許容範囲61F:X<±(L+2S−D−2α)/2 ・・・式(1)
滴下許容範囲61G:X<±(L+D−2α)/2 ・・・式(2)
Allowable dropping range 61F: X <± (L + 2S−D−2α) / 2 Formula (1)
Allowable drop 61G: X <± (L + D-2α) / 2 Formula (2)

ここで、X:第1の高表面エネルギー領域43の中心位置43Cと機能液61の滴下中心位置61Cとの距離、D:機能液61の飛翔時の直径、α:機能液61の着弾位置ばらつき、L:第1の高表面エネルギー領域43の線幅、S:第1の高表面エネルギー領域43と第2の高表面エネルギー領域44との間隔である。   Here, X: distance between the center position 43C of the first high surface energy region 43 and the dropping center position 61C of the functional liquid 61, D: diameter at the time of flight of the functional liquid 61, α: landing position variation of the functional liquid 61 , L: line width of the first high surface energy region 43, S: distance between the first high surface energy region 43 and the second high surface energy region 44.

ついで、式(1)と式(2)をまとると、滴下許容範囲61Hは次式(3)のようになる。
S≦Dの場合:X<±(L+2S−D−2α)/2
S>Dの場合:X<±(L+D−2α)/2 ・・・式(3)
Next, when formulas (1) and (2) are put together, the allowable dropping range 61H is expressed by the following formula (3).
When S ≦ D: X <± (L + 2S−D−2α) / 2
In the case of S> D: X <± (L + D-2α) / 2 Formula (3)

このように高表面エネルギー領域の形状(詳しくは、第1の高表面エネルギー領域43における第2の高表面エネルギー領域44と隣接する方向の線幅Lや第1の高表面エネルギー領域43と第2の高表面エネルギー領域44との間隔S)および機能液の着弾範囲を考慮することで滴下許容範囲61Hが定まる。   Thus, the shape of the high surface energy region (specifically, the line width L in the direction adjacent to the second high surface energy region 44 in the first high surface energy region 43 or the first high surface energy region 43 and the second The permissible drop 61H is determined by taking into account the distance S) of the high surface energy region 44 and the landing range of the functional liquid.

(第2手順)
次のステップ(第2手順)は、第1手順で決められた滴下許容範囲内の任意の位置を第1の高表面エネルギー領域43に対する機能液の滴下位置として決定するものである。
(Second procedure)
In the next step (second procedure), an arbitrary position within the permissible dropping range determined in the first procedure is determined as the dropping position of the functional liquid with respect to the first high surface energy region 43.

すなわち、第2手順では、図7に示すように、滴下許容範囲61Hの内側に収まるように、機能液61の滴下位置を決定する。
滴下許容範囲内に収まるように機能液61の滴下位置を決定しているため、第1の高表面エネルギー領域43に選択的に機能液を供給でき、従って第1の高表面エネルギー領域43に選択的に導電層71を形成することができる。機能液の滴下位置は滴下許容範囲内で自由に決定することができるが、第1の高表面エネルギー領域の中心位置(X軸方向におけるX=0の位置)とすることを優先することが好ましい。第1の高表面エネルギー領域43の中心位置に機能液を滴下した場合には、第1の高表面エネルギー領域43に均一な導電層71を形成することができる。
That is, in the second procedure, as shown in FIG. 7, the dropping position of the functional liquid 61 is determined so as to be within the dripping allowable range 61H.
Since the dropping position of the functional liquid 61 is determined so as to be within the dripping allowable range, the functional liquid can be selectively supplied to the first high surface energy region 43, and therefore the first high surface energy region 43 is selected. Thus, the conductive layer 71 can be formed. Although the dropping position of the functional liquid can be freely determined within the allowable dropping range, it is preferable to give priority to the center position of the first high surface energy region (X = 0 position in the X-axis direction). . When the functional liquid is dropped at the center position of the first high surface energy region 43, the uniform conductive layer 71 can be formed in the first high surface energy region 43.

なおここでは、簡単のため一定方向に延在する線形状の高表面エネルギー領域に機能液を供給する場合を考えたが、高表面エネルギーの形状はこれに限定されるものではなく、正多角形、多角形、真円、楕円等を含む任意の形状であってよい。   Here, for the sake of simplicity, the case where the functional liquid is supplied to a linear high surface energy region extending in a certain direction was considered, but the shape of the high surface energy is not limited to this, and is a regular polygon. Any shape including a polygon, a perfect circle, an ellipse and the like may be used.

また本発明では、複数の高表面エネルギー領域それぞれについて前記第1手順及び第2手順を実行してそれぞれの機能液の滴下位置を決定することを行う。すなわち、第2の高表面エネルギー領域44に導電層を形成する場合にも、同様の考え方を用いることができる。   Moreover, in this invention, the said 1st procedure and 2nd procedure are performed about each of several high surface energy area | regions, and the dripping position of each functional liquid is determined. In other words, the same concept can be used when a conductive layer is formed in the second high surface energy region 44.

図8は、第1の高表面エネルギー領域43と第2の高表面エネルギー領域44の両方に機能液61を滴下する場合の滴下位置の決定方法を示している。
ここでは、まず第1の高表面エネルギー領域43および第2の高表面エネルギー領域44のそれぞれに対して滴下許容範囲61Hと61Iをはじめに決定する(第1手順)。次に、第1の高表面エネルギー領域43および第2の高表面エネルギー領域44のそれぞれに対して滴下位置61Cと61Dを決定するが、この際に滴下位置61Cおよび61Dにより決まる着弾範囲61Eおよび61E’が互いに重なることの無いよう、滴下位置61Cおよび61Dを決定する(第2手順)。
FIG. 8 shows a method for determining the dropping position when the functional liquid 61 is dropped on both the first high surface energy region 43 and the second high surface energy region 44.
Here, first, the permissible drop ranges 61H and 61I are first determined for each of the first high surface energy region 43 and the second high surface energy region 44 (first procedure). Next, dropping positions 61C and 61D are determined for each of the first high surface energy region 43 and the second high surface energy region 44. At this time, landing ranges 61E and 61E determined by the dropping positions 61C and 61D are determined. The dropping positions 61C and 61D are determined so that 'does not overlap each other (second procedure).

このようにすることで、第1の高表面エネルギー領域43および第2の高表面エネルギー領域44の両方に跨ることなく各高表面エネルギー領域43,44上に均一な導電層71を形成することができる。   By doing in this way, the uniform conductive layer 71 can be formed on each of the high surface energy regions 43 and 44 without straddling both the first high surface energy region 43 and the second high surface energy region 44. it can.

以上説明したように、機能液の滴下位置は高表面エネルギー領域の形状をもとに決定するが、高表面エネルギー領域が形成される被印刷面全体を複数の区画に分割し、区画ごとに滴下位置を決定することが好ましい。区画の仕方は任意であるが、例えば、図9のような高表面エネルギー領域の幅が変化する所(図中点線部分)や、図10のような高表面エネルギー領域の密度が変化する所(図中点線部分)などで区画することができる。   As described above, the dropping position of the functional liquid is determined based on the shape of the high surface energy region, but the entire printing surface on which the high surface energy region is formed is divided into a plurality of sections, and the dropping is performed for each section. Preferably the position is determined. The method of partitioning is arbitrary, but for example, a place where the width of the high surface energy region as shown in FIG. 9 changes (dotted line portion in the figure) or a place where the density of the high surface energy region as shown in FIG. 10 changes ( It can be partitioned by a dotted line portion in the figure.

[アクティブマトリクス基板の構造]
次に、本発明に係るアクティブマトリクス基板の概略の構造について説明する。
図11は、本発明に係るアクティブマトリクス基板を例示する図である。
アクティブマトリクス基板120は、基板20の上に形成された画素回路130と、画素回路130と接続する配線140と、からなる。必要に応じて配線に接続した電極PAD150を設けても良い。なお、図11には図示していないが、画素回路に信号あるいは電力を供給するために、配線140あるいは電極PAD150は駆動回路と接続している。
[Structure of active matrix substrate]
Next, the schematic structure of the active matrix substrate according to the present invention will be described.
FIG. 11 is a diagram illustrating an active matrix substrate according to the present invention.
The active matrix substrate 120 includes a pixel circuit 130 formed on the substrate 20 and a wiring 140 connected to the pixel circuit 130. An electrode PAD150 connected to the wiring may be provided as necessary. Although not shown in FIG. 11, the wiring 140 or the electrode PAD 150 is connected to the drive circuit in order to supply a signal or power to the pixel circuit.

図12は、画素回路130を例示する図であり、図12(a)は上面図(上から見た平面図)、図12(b)は図12(a)のA−A線に沿う断面図である。なお、図12(b)は、画素回路に含まれるトランジスタの部分を示している。
図12(a)及び図12(b)を参照するに、本発明に係るアクティブマトリクス基板120は、トランジスタ270と、ゲート信号線280と、ソース信号線290と、共通信号線300とを有する。
12A and 12B are diagrams illustrating the pixel circuit 130. FIG. 12A is a top view (a plan view seen from above), and FIG. 12B is a cross section taken along line AA in FIG. FIG. Note that FIG. 12B shows a portion of a transistor included in the pixel circuit.
Referring to FIGS. 12A and 12B, the active matrix substrate 120 according to the present invention includes a transistor 270, a gate signal line 280, a source signal line 290, and a common signal line 300.

トランジスタ270は、基板20上に、濡れ性変化層31、ゲート電極210及び保持容量電極250、濡れ性変化層32、ソース電極230及びドレイン電極240、及び半導体層260が順次積層された積層構造体である。なお、濡れ性変化層32において表層以外の厚さ領域がゲート絶縁層220となる。   The transistor 270 is a stacked structure in which the wettability changing layer 31, the gate electrode 210 and the storage capacitor electrode 250, the wettability changing layer 32, the source electrode 230 and the drain electrode 240, and the semiconductor layer 260 are sequentially stacked on the substrate 20. It is. In the wettability changing layer 32, the thickness region other than the surface layer becomes the gate insulating layer 220.

より詳しく説明すると、基板20上には、表面近傍に高表面エネルギー部201及び低表面エネルギー部202が形成された濡れ性変化層31が積層されている。また、濡れ性変化層31の高表面エネルギー部201上には導電層であるゲート電極210及び保持容量電極250が形成されている。また、濡れ性変化層31上には、ゲート電極210及び保持容量電極250を覆うように濡れ性変化層32(ゲート絶縁層220)が積層されている。   More specifically, the wettability changing layer 31 in which the high surface energy part 201 and the low surface energy part 202 are formed in the vicinity of the surface is laminated on the substrate 20. Further, a gate electrode 210 and a storage capacitor electrode 250 which are conductive layers are formed on the high surface energy portion 201 of the wettability changing layer 31. On the wettability changing layer 31, a wettability changing layer 32 (gate insulating layer 220) is laminated so as to cover the gate electrode 210 and the storage capacitor electrode 250.

また、濡れ性変化層32の表面近傍には高表面エネルギー部221と低表面エネルギー部222が形成され、高表面エネルギー部221上には導電層であるソース電極230及びドレイン電極240が形成されている。ソース電極230とドレイン電極240との間には間隙が設けられており、ソース電極230及びドレイン電極240上には、この間隙を埋めるように半導体層260が形成されている。   Further, a high surface energy part 221 and a low surface energy part 222 are formed in the vicinity of the surface of the wettability changing layer 32, and a source electrode 230 and a drain electrode 240 that are conductive layers are formed on the high surface energy part 221. Yes. A gap is provided between the source electrode 230 and the drain electrode 240, and a semiconductor layer 260 is formed on the source electrode 230 and the drain electrode 240 so as to fill the gap.

導電層であるゲート信号線280は、ゲート電極210から一方向(図12(a)において上下方向)に延設されている。また、導電層であるソース信号線290は、ゲート信号線280の延設方向に対して略直交する方向(図12(a)において左右方向)に延設されている。また、導電層である共通信号線300は、保持容量電極250からゲート信号線280又はソース信号線290の延設方向(図12(a)においてはゲート信号線280の延設方向)に対して略平行に延設されている。   The gate signal line 280, which is a conductive layer, extends from the gate electrode 210 in one direction (the vertical direction in FIG. 12A). Further, the source signal line 290 that is a conductive layer is extended in a direction substantially orthogonal to the extending direction of the gate signal line 280 (left and right direction in FIG. 12A). In addition, the common signal line 300 which is a conductive layer extends with respect to the extending direction of the gate signal line 280 or the source signal line 290 from the storage capacitor electrode 250 (the extending direction of the gate signal line 280 in FIG. 12A). It extends substantially in parallel.

ゲート信号線280及び共通信号線300は、濡れ性変化層31の高表面エネルギー部201上に形成されている。また、ソース信号線290は、濡れ性変化層32の高表面エネルギー部221上に形成されている。なお、本構成においては、濡れ性変化層32がゲート絶縁層220の機能を兼ねており、又、ソース信号線290がソース電極230の機能を兼ねている。   The gate signal line 280 and the common signal line 300 are formed on the high surface energy part 201 of the wettability changing layer 31. The source signal line 290 is formed on the high surface energy portion 221 of the wettability changing layer 32. In this configuration, the wettability changing layer 32 also functions as the gate insulating layer 220, and the source signal line 290 also functions as the source electrode 230.

このように、画素回路130は、本発明に係る積層構造体を有し、その積層構造体の導電層として、ゲート電極210、ソース電極230、ドレイン電極240、保持容量電極250、ゲート信号線280、ソース信号線290、及び共通信号線300が設けられており、これらの全てが濡れ性変化層の高表面エネルギー部上に形成されている。但し、これらの全てを濡れ性変化層31,32の高表面エネルギー部上に形成する必要はなく、少なくともと何れか一つを濡れ性変化層31,32の高表面エネルギー部上に形成することにより、本実施の形態の所定の効果を奏する。   As described above, the pixel circuit 130 includes the stacked structure according to the present invention, and the gate electrode 210, the source electrode 230, the drain electrode 240, the storage capacitor electrode 250, and the gate signal line 280 are used as the conductive layers of the stacked structure. The source signal line 290 and the common signal line 300 are provided, and all of these are formed on the high surface energy portion of the wettability changing layer. However, it is not necessary to form all of these on the high surface energy part of the wettability changing layers 31 and 32, and at least one of them should be formed on the high surface energy part of the wettability changing layers 31 and 32. Thus, the predetermined effect of the present embodiment is achieved.

[アクティブマトリクス基板の製造方法]
次に、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法について説明する。
図13及び図14は、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を例示する図である。図13(a)及び図14(a)はアクティブマトリクス基板を、図13(b)及び図14(b)は画素回路の上面図(上から見た平面図)であり、図13(c)及び図14(c)は図13(b)及び図14(b)のA−A’線に沿う断面図である。
[Method for manufacturing active matrix substrate]
Next, a method for manufacturing an active matrix substrate according to the present invention will be described.
13 and 14 are views illustrating a method for manufacturing an active matrix substrate according to the present invention. 13 (a) and 14 (a) are active matrix substrates, and FIGS. 13 (b) and 14 (b) are top views (plan views from above) of the pixel circuit, FIG. 13 (c). 14C is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIGS. 13B and 14B.

まず初めに、図13に示す工程では、図2を用いて説明した方法により、基板20上に濡れ性変化層31を積層形成する。そして、図3を用いて説明した方法により、濡れ性変化層200の表面近傍に高表面エネルギー部201及び低表面エネルギー部202を形成する。更に、図4及び図5を用いて説明した方法により、濡れ性変化層200の高表面エネルギー部201上に、ゲート電極210、保持容量電極250、ゲート信号線280、及び共通信号線300を形成する。   First, in the step shown in FIG. 13, the wettability changing layer 31 is formed on the substrate 20 by the method described with reference to FIG. And the high surface energy part 201 and the low surface energy part 202 are formed in the surface vicinity of the wettability change layer 200 by the method demonstrated using FIG. Furthermore, the gate electrode 210, the storage capacitor electrode 250, the gate signal line 280, and the common signal line 300 are formed on the high surface energy portion 201 of the wettability changing layer 200 by the method described with reference to FIGS. To do.

ついで、図14に示す工程では、図2を用いて説明した方法により、濡れ性変化層31上に、ゲート電極210、保持容量電極250、ゲート信号線280、及び共通信号線300を覆うように濡れ性変化層32(ゲート絶縁層220)を積層形成する。そして、図3を用いて説明した方法により、濡れ性変化層32の表面近傍に高表面エネルギー部221及び低表面エネルギー部222を形成する。更に、図4及び図5を用いて説明した方法により、濡れ性変化層32の高表面エネルギー部221上に、ソース電極230、ドレイン電極240、及びソース信号線290を形成する。   Next, in the step shown in FIG. 14, the gate electrode 210, the storage capacitor electrode 250, the gate signal line 280, and the common signal line 300 are covered on the wettability changing layer 31 by the method described with reference to FIG. The wettability changing layer 32 (gate insulating layer 220) is stacked. And the high surface energy part 221 and the low surface energy part 222 are formed in the surface vicinity of the wettability change layer 32 by the method demonstrated using FIG. Further, the source electrode 230, the drain electrode 240, and the source signal line 290 are formed on the high surface energy portion 221 of the wettability changing layer 32 by the method described with reference to FIGS. 4 and 5.

ついで、図14に示す工程の後、ソース電極230及びドレイン電極240の両方に接するように半導体層260を形成することで、図11に示すアクティブマトリクス基板120が完成する。   Next, after the step shown in FIG. 14, the semiconductor layer 260 is formed so as to be in contact with both the source electrode 230 and the drain electrode 240, whereby the active matrix substrate 120 shown in FIG. 11 is completed.

次に、より詳細な説明として、図15を用いて、図14に示す工程における、機能液の滴下位置の決定方法に関して述べる。
図15(a)は機能液が滴下される被印刷面を示した図、図15(b)は画素回路の上面図であり、図15(c)は図15(b)のA−A’線に沿う断面図である。
Next, as a more detailed explanation, a method for determining the dropping position of the functional liquid in the step shown in FIG. 14 will be described with reference to FIG.
FIG. 15A is a view showing a printing surface onto which the functional liquid is dropped, FIG. 15B is a top view of the pixel circuit, and FIG. 15C is AA ′ in FIG. It is sectional drawing which follows a line.

まず初めに、図15(a)に示すように被印刷面を、電極PAD、配線、および画素回路の3つの区画(区画I,II,III)に分ける。これら区画は機能が異なるため、一般に高表面エネルギー領域の幅、あるいは密度等が異なる場合が多い。そこで、3つの区画にわけることで、区画毎に機能液の滴下位置や滴下量などを最適化することが好ましい。例えば相対的に高表面エネルギー領域の幅が太くなる電極PAD区画(区画I)では相対的に液滴体積を大きし、また一方で高表面エネルギー領域の密度が高くなる画素回路区画(区画III)では相対的に液滴体積を小さくすることで、アクティブマトリクス基板の被印刷面に効率的に機能液を供給することができる。   First, as shown in FIG. 15A, the printing surface is divided into three sections (sections I, II, and III) of an electrode PAD, a wiring, and a pixel circuit. Since these sections have different functions, in general, the width or density of the high surface energy region is often different. Therefore, it is preferable to optimize the dropping position and the dropping amount of the functional liquid for each section by dividing the section into three sections. For example, in the electrode PAD section (section I) where the width of the high surface energy region is relatively large, the pixel circuit section (section III) where the droplet volume is relatively large and the density of the high surface energy region is high Then, the functional liquid can be efficiently supplied to the printing surface of the active matrix substrate by relatively reducing the droplet volume.

次に、図16を用いて画素回路131の区画IIIに対する機能液の滴下位置の決定方法について述べる。
画素回路131の区画IIIはトランジスタを含む回路要素が1画素ごとに周期的に配列された区画である。ここでは縦2画素・横2画素の領域に対して考えている。
Next, a method for determining the dropping position of the functional liquid with respect to the section III of the pixel circuit 131 will be described with reference to FIG.
A section III of the pixel circuit 131 is a section in which circuit elements including transistors are periodically arranged for each pixel. Here, an area of 2 vertical pixels and 2 horizontal pixels is considered.

図16(a)は、ソース電極形成領域に相当する高表面エネルギー領域231に対しての滴下許容範囲231Aを算出した図であり、高表面エネルギー領域241に対して機能液の仮想着弾範囲が触れないように、かつ仮想着弾範囲内で仮想滴下位置より最も離れた位置に機能液が着弾する場合でも機能液が高表面エネルギー領域231に触れるようにして、高表面エネルギー領域231に対する滴下許容範囲が決まる。   FIG. 16A is a diagram in which a drop allowable range 231A for the high surface energy region 231 corresponding to the source electrode formation region is calculated. The virtual liquid landing range of the functional liquid touches the high surface energy region 241. FIG. Even when the functional liquid lands on the position farthest from the virtual dripping position within the virtual landing range, the functional liquid touches the high surface energy region 231 so that the dripping allowable range for the high surface energy region 231 is Determined.

また図16(b)は、ソース電極形成領域に相当する高表面エネルギー領域241に対しての滴下許容範囲241Aを算出した図であり、高表面エネルギー領域231に対して機能液の仮想着弾範囲が触れないように、かつ仮想着弾範囲内で仮想滴下位置より最も離れた位置に機能液が着弾する場合でも機能液が高表面エネルギー領域241に触れるようにして、高表面エネルギー領域241に対する滴下許容範囲が決まる。   FIG. 16B is a diagram in which a dripping allowable range 241A for the high surface energy region 241 corresponding to the source electrode formation region is calculated. The virtual liquid landing range of the functional liquid is in the high surface energy region 231. Even when the functional liquid is landed at a position farthest from the virtual dropping position within the virtual landing range so as not to touch, the dripping allowable range with respect to the high surface energy area 241 is ensured so that the functional liquid touches the high surface energy area 241. Is decided.

得られた滴下許容範囲をもとに、図16(c)に示すように滴下位置を決定する。
ここで、本発明の機能性膜の形成方法では、前記滴下許容範囲内であって、第1の高表面エネルギー領域の所定方向における中心位置を機能液の滴下位置として決定することが好ましい。また、前記滴下許容範囲内であって、前記第1の高表面エネルギー領域における前記第2の高表面エネルギー領域と隣接する方向の中心位置を機能液の滴下位置として決定するとよく、さらに前記滴下許容範囲内であって、前記第1の高表面エネルギー領域における前記第2の高表面エネルギー領域と隣接する方向に対して直交する方向の中心位置を前記機能液の滴下位置として決定することが好適である。
Based on the obtained drop allowable range, the drop position is determined as shown in FIG.
Here, in the method for forming a functional film of the present invention, it is preferable that the center position in the predetermined direction of the first high surface energy region is determined as the dropping position of the functional liquid within the drop allowable range. Further, it is preferable to determine a center position of the first high surface energy region in a direction adjacent to the second high surface energy region as a dropping position of the functional liquid, and further, the dropping allowance. It is preferable that a center position in a direction perpendicular to a direction adjacent to the second high surface energy region in the first high surface energy region is determined as the dropping position of the functional liquid. is there.

例えば、図16(c)において、各高表面エネルギー領域231,241に対する機能液の滴下位置231C,241Cは、滴下許容範囲231A,241A内であって、高表面エネルギー領域の中心(ソース電極(高表面エネルギー領域241)であれば線幅方向(図中左右方向)の中心、ドレイン電極(高表面エネルギー領域231)であればパターンの短辺方向(図中上下方向)の中心)としている。また、2つの高表面エネルギー領域231,241に対する滴下位置231C.241Cより算出される2つの着弾範囲が互いに重なることがないようにしている。   For example, in FIG. 16C, the dropping positions 231C and 241C of the functional liquid with respect to the high surface energy regions 231 and 241 are within the drop allowable ranges 231A and 241A, and the center of the high surface energy region (source electrode (high The surface energy region 241) is the center in the line width direction (horizontal direction in the figure), and the drain electrode (high surface energy region 231) is the center in the short side direction (vertical direction in the figure). Further, the dropping positions 231C. The two landing ranges calculated from 241C do not overlap each other.

なお機能液の滴下数は、1画素に1滴である必要は無く、上記条件を満たす範囲で1画素に対して複数滴でも良いし、また、複数画素に対して1滴でも良い。   The number of functional liquid drops need not be one drop per pixel, and may be a plurality of drops per pixel within the range satisfying the above conditions, or may be one drop per plurality of pixels.

[図面製造装置]
次に、本発明に係る図面製造装置について説明する。
図17は、本発明に係る図面製造装置の機構を例示する概略図である。
本発明に係る図面製造装置は、ベクターデータで図面を描画する機構を備えており、インクジェット装置における機能液の滴下位置を記載するインクジェット印刷図面を製造する。詳しくは次の機構を順次実行してインクジェット印刷図面を製造する。
[Drawing production equipment]
Next, a drawing manufacturing apparatus according to the present invention will be described.
FIG. 17 is a schematic view illustrating the mechanism of the drawing manufacturing apparatus according to the present invention.
The drawing manufacturing apparatus according to the present invention includes a mechanism for drawing a drawing with vector data, and manufactures an inkjet printing drawing that describes a dropping position of a functional liquid in the inkjet device. Specifically, the following mechanism is sequentially executed to manufacture an ink jet printed drawing.

(機構m1) まず、低表面エネルギー領域50Sと複数の高表面エネルギー領域43S,44Sとを表現した2種類の異なる領域が区画図示されたベクターデータで表現された図面を作製する。 (Mechanism m1) First, a drawing is created in which two different regions representing the low surface energy region 50S and the plurality of high surface energy regions 43S, 44S are represented by vector data in a compartmentalized manner.

(機構m2) 機構m1で作製した図面から複数の高表面エネルギー領域43S,44Sの形状を自動抽出し、前記複数の高表面エネルギー領域43S,44Sの中から選択される機能液の滴下対象となる第1の高表面エネルギー領域43Sの寸法、該第1の高表面エネルギー領域43Sと2つの第2の高表面エネルギー領域44Sとの間隔、前記機能液の着弾範囲とに基づいて、第1の高表面エネルギー領域43Sにのみ選択的に機能液が触れるための滴下許容範囲43Aの自動計算を行い図示する。ついで、複数の高表面エネルギー領域43S,44Sの中から選択される機能液の滴下対象となる第1の高表面エネルギー領域44Sの寸法、該第1の高表面エネルギー領域44Sと2つの第2の高表面エネルギー領域43Sとの間隔、前記機能液の着弾範囲とに基づいて、第1の高表面エネルギー領域44Sにのみ選択的に機能液が触れるための滴下許容範囲44Aの自動計算を行い図示する。なお、機能液の着弾範囲は、入力される機能液の径Dおよび着弾ばらつきαに基づき求められる。 (Mechanism m2) The shape of the plurality of high surface energy regions 43S, 44S is automatically extracted from the drawing produced by the mechanism m1, and becomes a target for dropping the functional liquid selected from the plurality of high surface energy regions 43S, 44S. Based on the dimensions of the first high surface energy region 43S, the distance between the first high surface energy region 43S and the two second high surface energy regions 44S, and the landing range of the functional liquid, An automatic calculation of the dripping allowable range 43A for allowing the functional liquid to selectively touch only the surface energy region 43S is shown in the figure. Next, the size of the first high surface energy region 44S to be dropped with the functional liquid selected from the plurality of high surface energy regions 43S and 44S, the first high surface energy region 44S and the two second surface energy regions 44S. Based on the distance from the high surface energy region 43S and the landing range of the functional liquid, the dripping allowable range 44A for allowing the functional liquid to selectively touch only the first high surface energy area 44S is automatically calculated and illustrated. . The landing range of the functional fluid is obtained based on the diameter D of the functional fluid and the landing variation α.

(機構m3) 機構m2で作製した滴下許容範囲43A内の任意の位置を第1の高表面エネルギー領域43Sに対する機能液の滴下位置43Pとして決定し図示する。ついで、機構m2で作製した滴下許容範囲44A内の任意の位置を第1の高表面エネルギー領域44Sに対する機能液の滴下位置44Pとして決定し図示する。なお、ここでいう任意の位置とは、例えば図示された滴下許容範囲を参考に入力される滴下位置である。あるいは、滴下液滴数のみを入力することで滴下許容範囲を参考に滴下位置を自動計算する機構を備えていても良い。 (Mechanism m3) An arbitrary position within the allowable dropping range 43A produced by the mechanism m2 is determined and illustrated as a dropping position 43P of the functional liquid with respect to the first high surface energy region 43S. Next, an arbitrary position within the allowable drop range 44A produced by the mechanism m2 is determined and illustrated as a functional liquid dropping position 44P with respect to the first high surface energy region 44S. In addition, the arbitrary position here is a dripping position input with reference to the illustrated dripping allowable range, for example. Alternatively, a mechanism for automatically calculating the dropping position with reference to the allowable dropping range by inputting only the number of dropped droplets may be provided.

(機構m4) 機構m3で作製した滴下位置43P,44Pが記載されたベクターデータをラスターデータに変換、出力する。
このようにして、インクジェット装置における機能液の滴下位置を記載するインクジェット印刷図面を得ることができる。
(Mechanism m4) Vector data in which the dropping positions 43P and 44P prepared by the mechanism m3 are described is converted into raster data and output.
In this way, it is possible to obtain an ink jet printing drawing that describes the dropping position of the functional liquid in the ink jet device.

[インクジェット装置]
次に、本発明に係る図面製造装置について説明する。
図18は、本発明に係るインクジェット装置の構造を例示する概略図である。
図18に示すインクジェット装置100は、定盤101と、ステージ102と、液滴吐出ヘッド103と、液滴吐出ヘッド103に接続されたX軸方向移動機構104と、ステージ102に接続されたY軸方向移動機構105と、制御装置106とを備えている。
ステージ102は、基板20を支持する目的で備えられており、基板20を吸着する吸着機構(図示せず)等の固定機構を備えている。又、基板20上に滴下された機能液61を乾燥させるための熱処理機構を備えて良い。
[Inkjet device]
Next, a drawing manufacturing apparatus according to the present invention will be described.
FIG. 18 is a schematic view illustrating the structure of an inkjet apparatus according to the present invention.
18 includes a surface plate 101, a stage 102, a droplet discharge head 103, an X-axis direction moving mechanism 104 connected to the droplet discharge head 103, and a Y-axis connected to the stage 102. A direction moving mechanism 105 and a control device 106 are provided.
The stage 102 is provided for the purpose of supporting the substrate 20, and includes a fixing mechanism such as an adsorption mechanism (not shown) that adsorbs the substrate 20. Further, a heat treatment mechanism for drying the functional liquid 61 dropped on the substrate 20 may be provided.

液滴吐出ヘッド103は、複数の液滴吐出ノズル(図4に示す液滴吐出ノズル93)を備えたヘッドであり、複数の液滴吐出ノズルが液滴吐出ヘッド103の下面に、X軸方向に沿って一定間隔で並んでいる。この液滴吐出ノズルからステージ102に支持されている基板20に対して機能液61が吐出される。液滴吐出ヘッド103の液滴吐出機構には、例えばピエゾ方式を用いることができ、この場合、液滴吐出ヘッド103内のピエゾ素子に電圧を印加することで液滴が吐出する。   The droplet discharge head 103 is a head including a plurality of droplet discharge nozzles (droplet discharge nozzle 93 shown in FIG. 4), and the plurality of droplet discharge nozzles are placed on the lower surface of the droplet discharge head 103 in the X-axis direction. Are lined up at regular intervals. The functional liquid 61 is discharged from the droplet discharge nozzle to the substrate 20 supported by the stage 102. For example, a piezo method can be used as a droplet discharge mechanism of the droplet discharge head 103. In this case, a droplet is discharged by applying a voltage to a piezo element in the droplet discharge head 103.

X軸方向移動機構104は、X軸方向駆動軸107、及びX軸方向駆動モータ108で構成される。X軸方向駆動モータ108はステッピングモータ等であり、制御装置106からX軸方向の駆動信号が供給されると、X軸駆動軸107を動作させ、液滴吐出ヘッド103がX軸方向に移動する。   The X-axis direction moving mechanism 104 includes an X-axis direction drive shaft 107 and an X-axis direction drive motor 108. The X-axis direction drive motor 108 is a stepping motor or the like. When a drive signal in the X-axis direction is supplied from the control device 106, the X-axis direction drive shaft 107 is operated and the droplet discharge head 103 moves in the X-axis direction. .

Y軸方向移動機構105は、Y軸方向駆動軸109およびY軸方向駆動モータ110で構成される。制御装置106からX軸方向の駆動信号が供給されるとステージ102がY軸方向に移動する。   The Y-axis direction moving mechanism 105 includes a Y-axis direction drive shaft 109 and a Y-axis direction drive motor 110. When a drive signal in the X-axis direction is supplied from the control device 106, the stage 102 moves in the Y-axis direction.

制御装置106は、液滴吐出ヘッド103に吐出制御用の信号を供給する。又、X軸方向駆動モータ108にX軸方向の駆動信号を、Y軸方向駆動モータ110にY軸方向の駆動信号をそれぞれ供給する。なお、制御装置106は、液滴吐出ヘッド103、X軸方向駆動モータ108、Y軸方向駆動モータ110とそれぞれ電気的に接続されているが、その配線は図示していない。また、制御装置106からの吐出制御用の信号の供給あるいはX軸・Y軸駆動信号の供給は、機能液の滴下位置が記載されたラスターデータをもとに行われる。このラスターデータは図17の図面製造装置で作製されるが、この作製機能がインクジェット装置100自体に内蔵されていてもかまわない。   The control device 106 supplies a discharge control signal to the droplet discharge head 103. Further, a drive signal in the X-axis direction is supplied to the X-axis direction drive motor 108, and a drive signal in the Y-axis direction is supplied to the Y-axis direction drive motor 110, respectively. The control device 106 is electrically connected to the droplet discharge head 103, the X-axis direction drive motor 108, and the Y-axis direction drive motor 110, but the wiring is not shown. Further, the supply of the discharge control signal or the X-axis / Y-axis drive signal from the control device 106 is performed based on the raster data describing the dropping position of the functional liquid. This raster data is produced by the drawing production apparatus of FIG. 17, but this production function may be built in the inkjet apparatus 100 itself.

インクジェット装置100は、液滴吐出ヘッド103とステージ102とを相対的に走査させながらステージ102上に固定された基板20に対して機能液61の液滴を吐出する。   The inkjet apparatus 100 discharges droplets of the functional liquid 61 onto the substrate 20 fixed on the stage 102 while relatively scanning the droplet discharge head 103 and the stage 102.

なお、液滴吐出ヘッド103とX軸方向移動機構104の間には、X軸方向移動機構104と独立動作する回転機構を備え付けても良い。回転機構を動作させて液滴吐出ヘッド103とステージ102との相対角度を変化させることで、液滴吐出ノズル間ピッチを調節できる。また、液滴吐出ヘッド103とX軸方向移動機構104の間には、X軸方向移動機構104と独立動作するZ軸方向移動機構を備え付けても良い。Z軸方向に液滴吐出ヘッド103を移動させることで、基板20とノズル面との距離を任意に調節可能である。また、ステージ102とY軸方向移動機構105の間には、Y軸方向移動機構105と独立動作する回転機構を備え付けても良い。回転機構を動作させることで、ステージ102上に固定された基板20を任意の角度に回転させた状態で、基板20に対して液滴を吐出できる。   A rotating mechanism that operates independently of the X-axis direction moving mechanism 104 may be provided between the droplet discharge head 103 and the X-axis direction moving mechanism 104. By operating the rotation mechanism to change the relative angle between the droplet discharge head 103 and the stage 102, the pitch between the droplet discharge nozzles can be adjusted. Further, a Z-axis direction moving mechanism that operates independently of the X-axis direction moving mechanism 104 may be provided between the droplet discharge head 103 and the X-axis direction moving mechanism 104. By moving the droplet discharge head 103 in the Z-axis direction, the distance between the substrate 20 and the nozzle surface can be arbitrarily adjusted. Further, a rotation mechanism that operates independently of the Y-axis direction moving mechanism 105 may be provided between the stage 102 and the Y-axis direction moving mechanism 105. By operating the rotation mechanism, it is possible to discharge droplets onto the substrate 20 in a state where the substrate 20 fixed on the stage 102 is rotated at an arbitrary angle.

[積層構造体製造装置]
図19は、本発明に係る積層構造体製造装置の構造を例示する概略図である。
積層構造体製造装置は、図19に示すように、基板20を各機構に搬送する基板搬送機構と、図2,図3に示す第1の工程に対応し、基板20の被印刷面に低表面エネルギー領域50と高表面エネルギー領域41,42とからなる表面エネルギーの異なる領域を有する濡れ性変化層30を形成する濡れ性変化層作製機構と、図18に示すインクジェット装置100からなり、図4に示す第2の工程に対応し、基板20の被印刷面である濡れ性変化層30表面の所定位置に機能液61を選択的に滴下するインクジェット印刷機構と、図5に示す第3の工程に対応し、濡れ性変化層30上の機能液61を乾燥・固化させて導電層71を形成する機構と、からなる。
[Laminated structure manufacturing equipment]
FIG. 19 is a schematic view illustrating the structure of the laminated structure manufacturing apparatus according to the present invention.
As shown in FIG. 19, the laminated structure manufacturing apparatus corresponds to the substrate transport mechanism for transporting the substrate 20 to each mechanism and the first step shown in FIGS. The wettability changing layer forming mechanism for forming the wettability changing layer 30 having the surface energy regions 50 and the high surface energy regions 41 and 42 having different surface energy regions, and the ink jet device 100 shown in FIG. In response to the second step shown in FIG. 5, an ink jet printing mechanism that selectively drops the functional liquid 61 onto a predetermined position on the surface of the wettability changing layer 30 that is the printing surface of the substrate 20, and a third step shown in FIG. And a mechanism for forming the conductive layer 71 by drying and solidifying the functional liquid 61 on the wettability changing layer 30.

以上のように、本発明に係る機能性膜の形成方法によれば、飛翔時の機能液の直径、機能液の着弾位置ばらつき、高表面エネルギー領域の形状から、所望の高表面エネルギー領域にのみ機能液が触れるための滴下許容範囲を見積もり、これに基づき滴下位置を決定するので、所望の領域に安定して所定パターンの機能性膜を形成した積層構造体を得ることができる。
また、本発明に係る積層構造体を用いることにより、安価で微細な多層配線基板が提供できる。
また、本発明に係る積層構造体を用いることにより、安価で微細なアクティブマトリクス基板が提供できる。
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板を用いることにより、安価かつ高性能な画像表示装置が提供できる。
また、本発明に係る図面製造装置を用いることにより、インクジェット印刷図面の開発期間が短縮される。
また、本発明に係る積層構造体製造装置を用いることにより、安価かつ高性能な積層構造体が提供できる。
As described above, according to the method for forming a functional film according to the present invention, from the diameter of the functional liquid at the time of flight, the landing position variation of the functional liquid, and the shape of the high surface energy area, only in the desired high surface energy area. Since the allowable drop range for contact with the functional liquid is estimated and the dropping position is determined based on this, a laminated structure in which a functional film having a predetermined pattern is stably formed in a desired region can be obtained.
Moreover, by using the laminated structure according to the present invention, an inexpensive and fine multilayer wiring board can be provided.
Further, by using the laminated structure according to the present invention, an inexpensive and fine active matrix substrate can be provided.
Further, by using the active matrix substrate according to the present invention, an inexpensive and high-performance image display device can be provided.
Moreover, the development period of an inkjet printing drawing is shortened by using the drawing manufacturing apparatus which concerns on this invention.
Moreover, by using the laminated structure manufacturing apparatus according to the present invention, an inexpensive and high-performance laminated structure can be provided.

以下、実施例により本発明をより具体的に説明する。
(実施例1)
実施例1は、図20に示す積層構造体10Aの製造方法(機能性膜の形成方法)に関する実施例である。
図20は、実施例1に係る積層構造体の製造方法を例示する図である。このうち、図20(a)は平面図であり、図20(b)は図20(a)のA−A’線に沿う断面図である。
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.
Example 1
Example 1 is an example relating to a manufacturing method (method of forming a functional film) of the laminated structure 10A illustrated in FIG.
FIG. 20 is a diagram illustrating the method for manufacturing the laminated structure according to the first embodiment. 20A is a plan view, and FIG. 20B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG.

まず、濡れ性変化材料を含有するNMP溶液を、ガラス基板20上にスピンコート塗布した。この濡れ性変化材料には、下記構造式(I)で表されるポリイミド材料を用いた。次に、100℃のオーブンで前焼成を行った後、300℃のオーブンで熱処理を加えて濡れ性変化層30を形成した。   First, an NMP solution containing a wettability changing material was spin-coated on the glass substrate 20. As the wettability changing material, a polyimide material represented by the following structural formula (I) was used. Next, after pre-baking in an oven at 100 ° C., heat treatment was applied in an oven at 300 ° C. to form the wettability changing layer 30.

続いて、複数の線状の開口パターンを有するフォトマスクを作製し、波長300nm以下の紫外線(超高圧水銀ランプ)を濡れ性変化層30上の一部へ露光させ、濡れ性変化層30上に、第1の高表面エネルギー領域41及び、第2の高表面エネルギー領域42、並びに低表面エネルギー領域50とからなるパターンを形成した。なお、作製したフォトマスクには9種類の大きさの異なる開口パターンをあらかじめ設けており、第1の高表面エネルギー領域41の線幅Lと第1の高表面エネルギー領域41と第2の高表面エネルギー領域42との間隔Sの組み合わせの異なる積層構造体を9種類作製している。   Subsequently, a photomask having a plurality of linear opening patterns is manufactured, and ultraviolet light (ultra-high pressure mercury lamp) having a wavelength of 300 nm or less is exposed to a part on the wettability changing layer 30, so that the wettability changing layer 30 is exposed. A pattern composed of the first high surface energy region 41, the second high surface energy region 42, and the low surface energy region 50 was formed. The produced photomask is previously provided with nine types of opening patterns having different sizes, and the line width L of the first high surface energy region 41, the first high surface energy region 41, and the second high surface. Nine types of laminated structures having different combinations of the intervals S with the energy region 42 are produced.

続いて、下記の表1に示した線幅Lと間隔Sの組み合わせの各パターンに対して、機能液(飛翔時の直径約25μm、着弾位置ばらつき±15μm)を滴下した。なお、下記の表1に示した線幅Lと間隔Sの組み合わせは、式(1)を満足する場合と満足しない場合の両方を含んでいる。又、下記の表1に示した線幅Lと間隔Sの組み合わせは、全て式(2)を満足している。   Subsequently, a functional liquid (having a diameter of about 25 μm at the time of flight and a landing position variation of ± 15 μm) was dropped on each pattern of combinations of the line width L and the spacing S shown in Table 1 below. In addition, the combination of the line width L and the space | interval S shown in following Table 1 includes both the case where the formula (1) is satisfied and the case where it is not satisfied. In addition, the combinations of the line width L and the spacing S shown in Table 1 below all satisfy Expression (2).

具体的には、Agナノ粒子を含有する親水性インクからなる機能液をインクジェット法で高表面エネルギー部の第1の高表面エネルギー領域41のみに選択的に滴下した。滴下位置は第1の高表面エネルギー領域41の中心位置41C(第1の高表面エネルギー領域41の線中心;X=0)としている。この機能液の表面張力は約30mN/m、粘度10mPa・sであり、液滴法を用いて測定した機能液の高表面エネルギー部に対する接触角は約5°、低表面エネルギー部に対する接触角は約30°であった。ノズル数100のピエゾ方式のインクジェットヘッドを用い、駆動電圧を調整することで、液滴吐出ノズルから吐出される機能液の平均体積を約8pL(飛翔時の直径は約25μm)として機能液の滴下を行った。この際に基板と液滴吐出ノズルの間隔を0.5mmとしており、全100ノズルでの着弾位置ばらつきは±15μmである。   Specifically, a functional liquid composed of hydrophilic ink containing Ag nanoparticles was selectively dropped only on the first high surface energy region 41 of the high surface energy part by an inkjet method. The dropping position is the center position 41C of the first high surface energy region 41 (line center of the first high surface energy region 41; X = 0). The surface tension of this functional liquid is about 30 mN / m and the viscosity is 10 mPa · s. The contact angle of the functional liquid measured by the droplet method with respect to the high surface energy part is about 5 °, and the contact angle with respect to the low surface energy part is It was about 30 °. By using a piezo-type inkjet head with 100 nozzles and adjusting the drive voltage, the average volume of the functional liquid ejected from the liquid droplet ejection nozzle is about 8 pL (the diameter during flight is about 25 μm). Went. At this time, the distance between the substrate and the droplet discharge nozzle is 0.5 mm, and the landing position variation of all 100 nozzles is ± 15 μm.

続いて、第1の高表面エネルギー領域41に機能液を滴下した後、機能液を100℃のオーブンで乾燥・固化させて導電層71を形成し、積層構造体10Aを作製した。   Subsequently, after the functional liquid was dropped onto the first high surface energy region 41, the functional liquid was dried and solidified in an oven at 100 ° C. to form the conductive layer 71, thereby producing the laminated structure 10A.

作製した積層構造体10Aを金属顕微鏡で観察し、導電層71がどのように形成されているかを評価した結果を表1に示す。
表1に示すように、式(1)と式(2)の両方を満足する場合(表1の式(1)の欄の数値が正である場合)には、第1の高表面エネルギー領域41のみに導電層71が形成され、式(2)は満足するが式(1)を満足しない場合(表1の式(1)の欄の数値が負である場合)には、第2の高表面エネルギー領域42にも導電層71が形成された。すなわち、式(1)と式(2)の両方を満足することにより、第1の高表面エネルギー領域41のみに安定して導電層71を形成可能であることが確認できた。なお、表1において、『○』は第1の高表面エネルギー領域41のみに導電層71が形成されたことを意味し、『×』は第2の高表面エネルギー領域42にも導電層71が形成されたことを意味している。
Table 1 shows the results of evaluation of how the conductive layer 71 is formed by observing the manufactured laminated structure 10A with a metal microscope.
As shown in Table 1, when both formula (1) and formula (2) are satisfied (when the numerical value in the column of formula (1) in Table 1 is positive), the first high surface energy region In the case where the conductive layer 71 is formed only on 41 and the expression (2) is satisfied but the expression (1) is not satisfied (when the numerical value in the column of the expression (1) in Table 1 is negative), the second A conductive layer 71 was also formed in the high surface energy region 42. That is, it was confirmed that the conductive layer 71 can be stably formed only in the first high surface energy region 41 by satisfying both of the expressions (1) and (2). In Table 1, “◯” means that the conductive layer 71 is formed only in the first high surface energy region 41, and “×” indicates that the conductive layer 71 is also formed in the second high surface energy region 42. It means that it was formed.

(実施例2)
実施例2は、実施例1と同様に図20に示す積層構造体10Aの製造方法(機能性膜の形成方法)に関する実施例である。
実施例2では、実施例1で用いたフォトマスクとは異なる線状の開口パターンを有するフォトマスクを用いている点、及び滴下中心位置を第1の高表面エネルギー領域41の中心位置41C(第1の領域41の線中心;X=0)から変えている点、以外は実施例1と同様の方法で積層構造体10Aを作製している。
(Example 2)
Example 2 is an example related to the manufacturing method (functional film forming method) of the laminated structure 10A shown in FIG.
In Example 2, a photomask having a linear opening pattern different from the photomask used in Example 1 is used, and the dropping center position is set to the center position 41C (first position of the first high surface energy region 41). The laminated structure 10A is manufactured by the same method as in Example 1 except that the line center of the region 41 of 1 is changed from X = 0).

下記の表2に示した線幅Lと間隔Sの組み合わせの各パターンに対して、機能液(飛翔時の直径約25μm、着弾位置ばらつき±15μm)を滴下して積層構造体10Aを作製した。そして、作製した積層構造体10Aを金属顕微鏡で観察し、導電層71がどのように形成されているかを評価した結果を表2に示す。なお、下記の表2に示した線幅Lと間隔Sの組み合わせは、全て式(1)を満足している。又、下記の表2に示した線幅Lと間隔Sの組み合わせは、式(2)を満足する場合と満足しない場合の両方を含んでいる。   With respect to each pattern of combinations of line width L and interval S shown in Table 2 below, a functional liquid (a diameter of about 25 μm at the time of flight, landing position variation ± 15 μm) was dropped to produce a laminated structure 10A. Table 2 shows the results of evaluating the produced laminated structure 10A with a metal microscope and evaluating how the conductive layer 71 is formed. All combinations of the line width L and the spacing S shown in Table 2 below satisfy Expression (1). Further, the combinations of the line width L and the spacing S shown in Table 2 below include both cases where the expression (2) is satisfied and cases where the expression (2) is not satisfied.

表2に示すように、式(1)と式(2)の両方を満足する場合(表2の式(2)の欄の数値が正である場合)には、第1の高表面エネルギー領域41のみに導電層71が形成され、式(1)は満足するが式(2)を満足しない場合(表2の式(2)の欄の数値が負である場合)には、第2の高表面エネルギー領域42にも導電層71が形成された。すなわち、式(1)と式(2)の両方を満足することにより、第1の高表面エネルギー領域41のみに安定して導電層71を形成可能であることが確認できた。なお、表2において、『○』は第1の高表面エネルギー領域41のみに導電層71が形成されたことを意味し、『×』は第2の高表面エネルギー領域42にも導電層71が形成されたことを意味している。   As shown in Table 2, when both formula (1) and formula (2) are satisfied (when the value in the column of formula (2) in Table 2 is positive), the first high surface energy region In the case where the conductive layer 71 is formed only on 41 and the formula (1) is satisfied but the formula (2) is not satisfied (when the numerical value in the column of the formula (2) in Table 2 is negative), the second A conductive layer 71 was also formed in the high surface energy region 42. That is, it was confirmed that the conductive layer 71 can be stably formed only in the first high surface energy region 41 by satisfying both of the expressions (1) and (2). In Table 2, “◯” means that the conductive layer 71 is formed only in the first high surface energy region 41, and “×” indicates that the conductive layer 71 is also formed in the second high surface energy region 42. It means that it was formed.

(実施例3)
実施例3は、図21に示すアクティブマトリクス基板120Aの製造方法に関する実施例である。なお、図21(a)はアクティブマトリクス基板を、図21(b)は画素回路の平面図であり、図21(c)は図21(b)のA−A’線に沿う断面図である。
(Example 3)
Example 3 is an example relating to a method of manufacturing the active matrix substrate 120A shown in FIG. 21A is an active matrix substrate, FIG. 21B is a plan view of the pixel circuit, and FIG. 21C is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 21B. .

アクティブマトリクス基板120Aは、図12に示すアクティブマトリクス基板120の画素回路130中のトランジスタ270がトランジスタ270Aに置換されたものである。トランジスタ270Aは、トランジスタ270から濡れ性変化層31が削除されたものである。すなわち、トランジスタ270Aにおいて、ゲート電極210、保持容量電極250、ゲート信号線280、及び共通信号線300は、基板20上に直接形成されている。   The active matrix substrate 120A is obtained by replacing the transistor 270 in the pixel circuit 130 of the active matrix substrate 120 illustrated in FIG. 12 with the transistor 270A. The transistor 270 </ b> A is obtained by removing the wettability changing layer 31 from the transistor 270. That is, in the transistor 270A, the gate electrode 210, the storage capacitor electrode 250, the gate signal line 280, and the common signal line 300 are directly formed on the substrate 20.

図21(b)には、アクティブマトリクス基板120Aの4画素の画素回路を示すが、実際には、画素が縦200画素、横200画素からなる、計40000画素がマトリクス状に並設されている。   FIG. 21B shows a pixel circuit of four pixels on the active matrix substrate 120A. Actually, a total of 40000 pixels, which are 200 pixels high and 200 pixels wide, are arranged in a matrix. .

各部の寸法は以下の通りである。
・画素サイズは160PPIに相当し約159μm。
・機能液の飛翔時の直径D=約25μm、着弾位置ばらつきα=±15μm。
・ソース電極230の線幅L1=40μm。
・ドレイン電極240の横幅L2=65μm、縦幅L3=89μm。
・ソース電極230とドレイン電極240の間隔として表現されるチャネル長L4=5μm。
・ソース電極230とドレイン電極240の間隔S3=25μm。
・隣接するドレイン電極240の間隔S4=94μm。
The dimensions of each part are as follows.
-The pixel size corresponds to 160 PPI and is about 159 μm.
-Diameter D when the functional fluid is flying = approximately 25 μm, landing position variation α = ± 15 μm.
The line width L1 of the source electrode 230 is 40 μm.
The horizontal width L2 of the drain electrode 240 is 65 μm and the vertical width L3 is 89 μm.
Channel length L4 = 5 μm expressed as the distance between the source electrode 230 and the drain electrode 240.
The distance S3 between the source electrode 230 and the drain electrode 240 is 25 μm.
The spacing S4 between adjacent drain electrodes 240 is 94 μm.

以下、アクティブマトリクス基板120Aの製造方法について説明するが、ポリイミド材料、機能液、機能液の滴下条件は、実施例1と同一に設定したので、説明を省略する。   Hereinafter, the manufacturing method of the active matrix substrate 120A will be described, but since the polyimide material, the functional liquid, and the dropping conditions of the functional liquid are set to be the same as those in the first embodiment, the description thereof is omitted.

初めに、フォトリソグラフィー法を用いて、ガラス基板からなる基板20上にゲート電極210、保持容量電極250、ゲート信号線280、及び共通信号線300を作製した。次に、ポリイミド材料を含有するNMP溶液を、スピンコート法で基板20上に塗布し、100℃のオーブンで前焼成を行った後、300℃のオーブンで熱処理を加えて濡れ性変化層32を形成した。その後、所定のパターンを有するフォトマスクを用いて、紫外線を濡れ性変化層32上の一部へ露光させ、濡れ性変化層32上に高表面エネルギー部221と低表面エネルギー部222とからなるパターンを形成した。   First, a gate electrode 210, a storage capacitor electrode 250, a gate signal line 280, and a common signal line 300 were formed on a substrate 20 made of a glass substrate by using a photolithography method. Next, an NMP solution containing a polyimide material is applied onto the substrate 20 by a spin coating method, pre-baked in an oven at 100 ° C., and then subjected to heat treatment in an oven at 300 ° C. to form the wettability changing layer 32. Formed. Thereafter, using a photomask having a predetermined pattern, ultraviolet light is exposed to a part on the wettability changing layer 32, and the pattern composed of the high surface energy part 221 and the low surface energy part 222 on the wettability changing layer 32. Formed.

次に機能液を、高表面エネルギー部221へ選択的に滴下し、熱処理してソース電極230及びドレイン電極240、及びソース信号線290を形成した。   Next, the functional liquid was selectively dropped onto the high surface energy portion 221 and heat-treated to form the source electrode 230, the drain electrode 240, and the source signal line 290.

次に、下記化学式(II)に示すようなスキームより合成した有機半導体なる重合体をトルエンに溶解した溶液をインクジェット法にて塗布して半導体層260を形成し、アクティブマトリクス基板120Aを作製した。   Next, a solution obtained by dissolving an organic semiconductor polymer synthesized by a scheme as shown in the following chemical formula (II) in toluene was applied by an inkjet method to form a semiconductor layer 260, and an active matrix substrate 120A was manufactured.

図22には、実施例3においてソース電極230、ドレイン電極240、及びソース信号線290を形成する際の、機能液の滴下位置の例を示す。
ここでは、前述した本発明の機能膜の形成方法に従い、あらかじめソース電極230およびドレイン電極240を形成する高表面エネルギー領域に対する滴下許容範囲を計算し、滴下許容範囲内となるように滴下位置を決定している。そのため図22に示すように、各滴下位置より計算される着弾範囲430、440は互いに重なることなく、また着弾範囲内で滴下された液滴は確実に所望の高表面エネルギー領域に触れることになる。
FIG. 22 shows an example of the dropping position of the functional liquid when the source electrode 230, the drain electrode 240, and the source signal line 290 are formed in the third embodiment.
Here, according to the method for forming a functional film of the present invention described above, the drop allowable range for the high surface energy region for forming the source electrode 230 and the drain electrode 240 is calculated in advance, and the drop position is determined so as to be within the drop allowable range. is doing. Therefore, as shown in FIG. 22, the landing ranges 430 and 440 calculated from the respective dropping positions do not overlap each other, and the droplets dropped within the landing range surely touch the desired high surface energy region. .

さらに具体的には、ソース電極230を形成するための機能液の滴下中心位置430Cをソース電極230の中心線230C上の位置とし、ソース電極230を形成する際には159μm置きに1滴ずつとしている。また、ドレイン電極240を形成するための機能液の滴下中心位置440Cをドレイン電極240の重心位置とし、ドレイン電極240を形成する際にはドレイン電極1個につき1滴ずつとしている。このように機能液の滴下位置を決定することで、線幅L1=40μmやチャネル長L4=5μmといった微細な電極を安定して形成することができた。   More specifically, the functional liquid dropping center position 430C for forming the source electrode 230 is set to a position on the center line 230C of the source electrode 230, and when forming the source electrode 230, one drop is placed every 159 μm. Yes. Further, the functional liquid dropping center position 440C for forming the drain electrode 240 is set as the gravity center position of the drain electrode 240, and one drop is formed for each drain electrode when the drain electrode 240 is formed. Thus, by determining the dropping position of the functional liquid, it was possible to stably form a fine electrode having a line width L1 = 40 μm and a channel length L4 = 5 μm.

(実施例4)
実施例4では、実施例3で作製したアクティブマトリクス基板120Aに、電気泳動素子を貼り合わせて表示装置を作製した。電気泳動素子は酸化チタン粒子オイルブルーで着色したアイソパーを内包するマイクロカプセルをPVA水溶液に混合して、ITOからなる透明電極を形成したポリカーボネート基板上に塗布して、マイクロカプセルとPVAバインダーからなる層を形成した。この基板と前記アクティブマトリクス基板を積層して表示装置を形成して動作させたところ、コントラストの高い画像を表示することができた。又、160PPIと高精細なアクティブマトリクス基板を用いたことで、10pt文字を明瞭に表示することができた。
Example 4
In Example 4, a display device was manufactured by attaching an electrophoretic element to the active matrix substrate 120A manufactured in Example 3. The electrophoretic element is a layer composed of microcapsules and a PVA binder, in which microcapsules containing isopar colored with titanium oxide particles oil blue are mixed with a PVA aqueous solution and coated on a polycarbonate substrate on which a transparent electrode made of ITO is formed. Formed. When this substrate and the active matrix substrate were laminated to form a display device and operated, an image with high contrast could be displayed. In addition, by using a high-definition active matrix substrate with 160 PPI, 10 pt characters could be clearly displayed.

以上、好ましい実施の形態及び実施例について詳説したが、上述した実施の形態及び実施例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及び実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。   The preferred embodiments and examples have been described in detail above, but the present invention is not limited to the above-described embodiments and examples, and the above-described embodiments are not deviated from the scope described in the claims. Various modifications and substitutions can be made to the embodiments.

10,10A 積層構造体
20 基板
30,31,32 濡れ性変化層
41,43 第1の高表面エネルギー領域(高表面エネルギー部の第1の領域)
41C,43C 第1の高表面エネルギー領域の中心位置
42,44 第2の高表面エネルギー領域(高表面エネルギー部の第2の領域)
43A,44A,61F,61G,61H,61I,231A,241A 機能液の滴下許容範囲
43P,44P,61C,61D,231C,241C,430C,440C 機能液の滴下中心位置(滴下位置)
43S,44S 高表面エネルギー領域
50,50S,202,222 低表面エネルギー領域
61,62 機能液
61E,61E’,400,430,440 機能液の着弾範囲
62C 仮想滴下位置
62E 仮想着弾範囲
71 導電層
91 フォトマスク
92 紫外線
93 液滴吐出ノズル
100 インクジェット装置
101 定盤
102 ステージ
103 液滴吐出ヘッド
104 X軸方向移動機構
105 Y軸方向移動機構
106 制御装置
107 X軸方向駆動軸
108 X軸方向駆動モータ
109 Y軸方向駆動軸
110 Y軸方向駆動モータ
120,120A アクティブマトリクス基板
130,130A,131 画素回路
140 配線
150 電極PAD
201,221 高表面エネルギー部
210 ゲート電極
220 ゲート絶縁層
230 ソース電極
230C 中心線
231 ソース電極形成領域に相当する高表面エネルギー領域
240 ドレイン電極
241 ソース電極形成領域に相当する高表面エネルギー領域
250 保持容量電極
260 半導体層
270,270A トランジスタ
280 ゲート信号線
290 ソース信号線
300 共通信号線
α 機能液の着弾位置ばらつき
D 機能液の飛翔時の直径
L 第1の高表面エネルギー領域の線幅
L1 ソース電極の線幅
L2 ドレイン電極の横幅
L3 ドレイン電極の縦幅
L4 チャネル長
S 第1の高表面エネルギー領域と第2の高表面エネルギー領域との間隔
S3 ソース電極とドレイン電極の間隔
S4 隣接するドレイン電極の間隔
X 第1の高表面エネルギー領域の中心位置と機能液の滴下中心位置の距離
10, 10A Laminated structure 20 Substrate 30, 31, 32 Wetting property change layer 41, 43 First high surface energy region (first region of high surface energy part)
41C, 43C Center position of first high surface energy region 42, 44 Second high surface energy region (second region of high surface energy part)
43A, 44A, 61F, 61G, 61H, 61I, 231A, 241A Functional liquid dropping allowable range 43P, 44P, 61C, 61D, 231C, 241C, 430C, 440C Functional liquid dropping central position (dropping position)
43S, 44S High surface energy region 50, 50S, 202, 222 Low surface energy region 61, 62 Functional liquid 61E, 61E ', 400, 430, 440 Functional liquid landing range 62C Virtual drop position 62E Virtual landing range 71 Conductive layer 91 Photomask 92 Ultraviolet ray 93 Droplet discharge nozzle 100 Inkjet device 101 Surface plate 102 Stage 103 Droplet discharge head 104 X-axis direction moving mechanism 105 Y-axis direction moving mechanism 106 Controller 107 X-axis direction drive shaft 108 X-axis direction drive motor 109 Y-axis direction drive shaft 110 Y-axis direction drive motor 120, 120A Active matrix substrate 130, 130A, 131 Pixel circuit 140 Wiring 150 Electrode PAD
201, 221 High surface energy portion 210 Gate electrode 220 Gate insulating layer 230 Source electrode 230C Center line 231 High surface energy region corresponding to source electrode formation region 240 Drain electrode 241 High surface energy region corresponding to source electrode formation region 250 Retention capacity Electrode 260 Semiconductor layer 270, 270A Transistor 280 Gate signal line 290 Source signal line 300 Common signal line α Variation in landing position of functional liquid D Diameter of functional liquid in flight L Line width of first high surface energy region L1 Source electrode Line width L2 Horizontal width of drain electrode L3 Vertical width of drain electrode L4 Channel length S Spacing between first high surface energy region and second high surface energy region S3 Spacing between source electrode and drain electrode S4 Spacing between adjacent drain electrodes X First high table Distance dropping the center position of the center position and the functional fluid of energy regions

特開2005−310962号公報JP-A-2005-310962 特開2005−12181号公報JP 2005-12181 A

Claims (16)

低表面エネルギー領域を隔てて互いに繋がっていない複数の高表面エネルギー領域の上に所定パターンの機能性膜を形成する機能性膜の形成方法であって、
被印刷面上に、予め低表面エネルギー領域と、前記低表面エネルギー領域を隔てて隣接する複数の高表面エネルギー領域とを形成する第1の工程と、
前記被印刷面上に形成された前記複数の高表面エネルギー領域にインクジェット法を用いて選択的に機能液を供給する第2の工程と、
前記複数の高表面エネルギー領域に供給された機能液を乾燥・固化させて所定パターンの機能性膜を形成する第3の工程と、を有し、
前記第2の工程は、前記複数の高表面エネルギー領域の中から選択される機能液の滴下対象となる第1の高表面エネルギー領域及び前記低表面エネルギー領域を隔てて前記第1の高表面エネルギー領域に隣接する1又は複数の第2の高表面エネルギー領域の形状と、前記機能液の着弾範囲とに基づいて、前記第1の高表面エネルギー領域に機能液を供給する際に該機能液が前記1又は複数の第2の高表面エネルギー領域には触れずに第1の高表面エネルギー領域のみに触れるための滴下許容範囲を決定する第1手順と、ついで該滴下許容範囲内の任意の位置を前記第1の高表面エネルギー領域に対する機能液の滴下位置として決定する第2手順と、を有し、前記複数の高表面エネルギー領域それぞれについて前記第1手順及び第2手順を実行してそれぞれの機能液の滴下位置を決定することを特徴とする機能性膜の形成方法。
A functional film forming method for forming a functional film of a predetermined pattern on a plurality of high surface energy regions that are not connected to each other across a low surface energy region,
A first step of previously forming a low surface energy region and a plurality of adjacent high surface energy regions across the low surface energy region on the printing surface;
A second step of selectively supplying a functional liquid to the plurality of high surface energy regions formed on the printing surface using an inkjet method;
A third step of drying and solidifying the functional liquid supplied to the plurality of high surface energy regions to form a functional film having a predetermined pattern;
In the second step, the first high surface energy is separated from the first high surface energy region and the low surface energy region to be dropped by the functional liquid selected from the plurality of high surface energy regions. When the functional liquid is supplied to the first high surface energy region based on the shape of one or a plurality of second high surface energy regions adjacent to the region and the landing range of the functional liquid, A first procedure for determining a drop allowable range for touching only the first high surface energy region without touching the one or more second high surface energy regions; and then any position within the drop allowable range And a second procedure for determining the dropping position of the functional liquid with respect to the first high surface energy region, and performing the first procedure and the second procedure for each of the plurality of high surface energy regions Method of forming a functional film and determining the dropping position of each of the functional fluid Te.
前記滴下許容範囲内であって、前記第1の高表面エネルギー領域の所定方向における中心位置を前記機能液の滴下位置として決定することを特徴とする請求項1に記載の機能性膜の形成方法。   2. The method for forming a functional film according to claim 1, wherein a center position in a predetermined direction of the first high surface energy region is determined as a dropping position of the functional liquid within the allowable dropping range. . 前記滴下許容範囲内であって、前記第1の高表面エネルギー領域における前記第2の高表面エネルギー領域と隣接する方向の中心位置を前記機能液の滴下位置として決定することを特徴とする請求項2に記載の機能性膜の形成方法。   The center position in a direction adjacent to the second high surface energy region in the first high surface energy region within the dripping allowable range is determined as a dropping position of the functional liquid. 3. A method for forming a functional film according to 2. 前記滴下許容範囲内であって、前記第1の高表面エネルギー領域における前記第2の高表面エネルギー領域と隣接する方向に対して直交する方向の中心位置を前記機能液の滴下位置として決定することを特徴とする請求項2または3に記載の機能性膜の形成方法。   A center position in a direction perpendicular to a direction adjacent to the second high surface energy region in the first high surface energy region within the allowable drop range is determined as a dropping position of the functional liquid. The method for forming a functional film according to claim 2, wherein: 前記第2の工程において、前記複数の高表面エネルギー領域のうち、隣接する高表面エネルギー領域同士におけるそれぞれの機能液の滴下位置から算出される着弾範囲が互いに重ならないように、前記機能液の滴下位置を決定することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の機能性膜の形成方法。   In the second step, the dropping of the functional liquid is performed so that the landing ranges calculated from the dropping positions of the functional liquids in the adjacent high surface energy areas among the plurality of high surface energy areas do not overlap each other. The method for forming a functional film according to claim 1, wherein the position is determined. 前記第2の工程において、前記被印刷面を複数の区画に分割し、区画ごとに前記複数の高表面エネルギー領域それぞれについて前記第1手順及び第2手順を実行してそれぞれの機能液の滴下位置を決定することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の機能性膜の形成方法。   In the second step, the printing surface is divided into a plurality of sections, and the first and second procedures are executed for each of the plurality of high surface energy regions for each section, and the dropping positions of the respective functional liquids The method for forming a functional film according to claim 1, wherein the functional film is determined. 前記第1の工程は、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料を含む濡れ性変化層を前記被印刷面上に形成する第1手順と、低表面エネルギー領域と高表面エネルギー領域とを表現した2つの異なる領域が区画図示された図面をもとにして前記被印刷面の一部に選択的にエネルギーを付与することで高表面エネルギー領域を形成する第2手順と、からなることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の機能性膜の形成方法。   The first step expresses a first procedure for forming a wettability changing layer including a material whose surface energy is changed by applying energy on the printed surface, and a low surface energy region and a high surface energy region. A second step of forming a high surface energy region by selectively applying energy to a part of the printing surface on the basis of a drawing in which two different regions are illustrated. The method for forming a functional film according to claim 1. エネルギーの付与が光を用いて行われることを特徴とする請求項7に記載の機能性膜の形成方法。   The method for forming a functional film according to claim 7, wherein the energy is applied using light. 低表面エネルギー領域と高表面エネルギー領域とを表現した2つの異なる領域が区画図示された図面をもとにしてフォトマスクを作製し、該フォトマスクを介した光照射により高表面エネルギー領域を形成することを特徴とする請求項8記載の機能性膜の形成方法。   A photomask is manufactured based on a drawing in which two different regions representing a low surface energy region and a high surface energy region are partitioned, and a high surface energy region is formed by light irradiation through the photomask. The method for forming a functional film according to claim 8. エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料を含み、低表面エネルギー領域と高表面エネルギー領域とからなる表面エネルギーの異なる領域を有する濡れ性変化層と、前記濡れ性変化層の高表面エネルギー領域上に形成された導電層とを備える積層構造体であって、
前記導電層が請求項1〜9のいずれかに記載の機能性膜の形成方法を用いて形成されてなることを特徴とする積層構造体。
A wettability changing layer that includes a material whose surface energy changes by application of energy and has different surface energy regions consisting of a low surface energy region and a high surface energy region; and a high surface energy region of the wettability changing layer. A laminated structure comprising a conductive layer formed,
A laminated structure, wherein the conductive layer is formed using the method for forming a functional film according to claim 1.
少なくとも基板と、絶縁層と、電極層とを有する多層配線基板において、
請求項10に記載の積層構造体を有し、該積層構造体の前記高表面エネルギー領域上に形成された前記導電層は、前記電極層の少なくとも一部として利用されることを特徴とする多層配線基板。
In a multilayer wiring board having at least a substrate, an insulating layer, and an electrode layer,
A multilayer structure comprising the multilayer structure according to claim 10, wherein the conductive layer formed on the high surface energy region of the multilayer structure is used as at least part of the electrode layer. Wiring board.
ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、保持容量電極、及び半導体層を含むトランジスタと、前記ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、保持容量電極のいずれかに接続する配線と、配線と接続する電極PADを備えるアクティブマトリクス基板において、
請求項10に記載の積層構造体を有し、該積層構造体の前記高表面エネルギー領域上に形成された前記導電層は、前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記保持容量電極、前記配線、前記電極PADのうち少なくともいずれか1つとして利用されることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
A transistor including a gate electrode, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode, a storage capacitor electrode, and a semiconductor layer; a wiring connected to any one of the gate electrode, the source electrode, the drain electrode, and the storage capacitor electrode; and a connection to the wiring In an active matrix substrate including an electrode PAD to be
The stacked structure according to claim 10, wherein the conductive layer formed on the high surface energy region of the stacked structure includes the gate electrode, the source electrode, the drain electrode, the storage capacitor electrode, An active matrix substrate, which is used as at least one of the wiring and the electrode PAD.
画像表示素子と、請求項12に記載のアクティブマトリクス基板と、を有することを特徴とする画像表示装置。   An image display device comprising: an image display element; and the active matrix substrate according to claim 12. インクジェット装置における機能液の滴下位置を記載するインクジェット印刷図面を製造するための図面製造装置であって、
低表面エネルギー領域と複数の高表面エネルギー領域とを表現した2種類の異なる領域が区画図示されたベクターデータで表現された図面を作製する機構と、
図面から前記複数の高表面エネルギー領域の形状を抽出し、前記複数の高表面エネルギー領域の中から選択される機能液の滴下対象となる第1の高表面エネルギー領域及び前記低表面エネルギー領域を隔てて前記第1の高表面エネルギー領域に隣接する1又は複数の第2の高表面エネルギー領域の形状と、前記機能液の着弾範囲とに基づいて、前記第1の高表面エネルギー領域にのみ選択的に機能液が触れるための滴下許容範囲の自動計算を行い図示する機構と、
前記滴下許容範囲内の任意の位置を前記第1の高表面エネルギー領域に対する機能液の滴下位置として決定し図示する機構と、
滴下位置が記載されたベクターデータをラスターデータに変換、出力する機構と、
を有することを特徴とする図面製造装置。
A drawing manufacturing apparatus for manufacturing an inkjet printing drawing that describes a dropping position of a functional liquid in an inkjet device,
A mechanism for creating a drawing represented by vector data in which two different regions representing a low surface energy region and a plurality of high surface energy regions are partitioned,
The shapes of the plurality of high surface energy regions are extracted from the drawing, and the first high surface energy region and the low surface energy region to be dropped from the functional liquid selected from the plurality of high surface energy regions are separated from each other. Based on the shape of one or a plurality of second high surface energy regions adjacent to the first high surface energy region and the landing range of the functional liquid, it is selective only to the first high surface energy region. A mechanism for automatic calculation of the permissible dripping range for the functional liquid to touch
A mechanism for determining and illustrating an arbitrary position within the permissible drop range as a drop position of the functional liquid with respect to the first high surface energy region; and
A mechanism for converting and outputting vector data describing the dropping position into raster data;
An apparatus for producing a drawing, comprising:
基板を支持するステージと、液滴吐出ヘッドと、ステージに接続された移動・回転機構と、液滴吐出ヘッドに接続された移動・回転機構と、制御装置とを備えたインクジェット装置であって、
請求項14に記載の図面製造装置から出力される機能液の滴下位置が記載されたラスターデータをもとに、前記制御装置から機能液の吐出制御用信号およびステージ駆動信号が供給されることを特徴とするインクジェット装置。
An inkjet apparatus comprising a stage for supporting a substrate, a droplet discharge head, a movement / rotation mechanism connected to the stage, a movement / rotation mechanism connected to the droplet discharge head, and a control device,
A function liquid ejection control signal and a stage drive signal are supplied from the control device based on raster data describing the dropping position of the functional liquid output from the drawing manufacturing apparatus according to claim 14. Inkjet device characterized.
基板搬送機構と、
被印刷面に低表面エネルギー領域と高表面エネルギー領域とからなる表面エネルギーの異なる領域からなる濡れ性変化層を形成する機構と、
請求項15に記載のインクジェット装置からなり、前記濡れ性変化層表面の所定位置に機能液を選択的に滴下するインクジェット印刷機構と、
前記機能液を乾燥・固化する機構と、
を備えることを特徴とする積層構造体製造装置。
A substrate transfer mechanism;
A mechanism for forming a wettability changing layer composed of regions having different surface energies composed of a low surface energy region and a high surface energy region on the printing surface;
An ink jet printing mechanism comprising the ink jet device according to claim 15, wherein a functional liquid is selectively dropped at a predetermined position on the surface of the wettability changing layer;
A mechanism for drying and solidifying the functional liquid;
A laminated structure manufacturing apparatus comprising:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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