JP2011228476A - Laminated structure and its manufacturing method, multilayer wiring board, active matrix substrate and image display device - Google Patents

Laminated structure and its manufacturing method, multilayer wiring board, active matrix substrate and image display device Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a laminated structure allowing high-throughput manufacturing of a laminated structure having a fine conductive layer, even in the case of using an ink jet method, as well as to provide a laminated structure, a multilayer wiring board, an active matrix substrate, and an image display device.SOLUTION: High surface energy parts 40 of the same pattern are arranged periodically at fixed intervals on a substrate, and an interval between discharge nozzle 1 and 2, along a main scanning direction ( x-axis direction ) of an inkjet device, is then made to coincide with the pattern interval of the high surface energy parts 40 so that functional liquid droplets d are dropped selectively to form a conductive layer which is to be a source electrodes 230, source electrode lines 290, and drain electrodes 240.

Description

本発明は、積層構造体及びその製造方法、並びに多層配線基板、アクティブマトリクス基板及び画像表示装置に関する。   The present invention relates to a laminated structure, a method for manufacturing the same, a multilayer wiring board, an active matrix substrate, and an image display device.

電気回路等における電極、絶縁体、半導体などの形成方法として、これらの機能性材料を含有する機能液を基板上の所定位置に供給するインクジェット法がある。インクジェット法は、従来半導体デバイスの製造に用いられてきたフォトリソグラフィーやエッチングを行う方法に比べて、高価な装置や設備を必要とすることなく、工程数も少なく、材料効率が高いといった利点を有している。しかし一方で、1pL以下の液滴の制御が困難であり液滴の大きさに下限が存在する、複数のノズルを用いた際に機能液の着弾位置のバラツキが生じる、着弾後被印刷面で濡れ広がる、などといった理由で、一般に線幅50μm以下といった微細パターンを形成することが困難であった。   As a method for forming an electrode, an insulator, a semiconductor, or the like in an electric circuit or the like, there is an ink jet method in which a functional liquid containing these functional materials is supplied to a predetermined position on a substrate. The ink-jet method has advantages in that the number of steps is small and the material efficiency is high, without requiring expensive equipment and facilities, compared to the photolithography and etching methods conventionally used in the manufacture of semiconductor devices. is doing. However, on the other hand, it is difficult to control droplets of 1 pL or less, and there is a lower limit on the size of the droplets. When a plurality of nozzles are used, the landing positions of the functional liquid vary. In general, it has been difficult to form a fine pattern having a line width of 50 μm or less because of wet spreading.

これに対して特許文献1では、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する濡れ性変化層を用いた積層構造体の製造方法が開示されている。濡れ性変化層へエネルギーを付与し、機能液に対して親水的な高表面エネルギー部と、機能液に対して疎水的な低表面エネルギー部を形成することで、高表面エネルギー部に選択的に導電性材料を含有する機能液を滴下した場合に、微細な導電層を備える積層構造体が形成可能となる。   On the other hand, Patent Document 1 discloses a method for manufacturing a laminated structure using a wettability changing layer in which surface energy changes due to energy application. By applying energy to the wettability changing layer and forming a high surface energy part that is hydrophilic to the functional liquid and a low surface energy part that is hydrophobic to the functional liquid, the high surface energy part is selectively used. When a functional liquid containing a conductive material is dropped, a laminated structure including a fine conductive layer can be formed.

しかしながら、特許文献1に記載されている製造方法は、濡れ性変化層の表面エネルギーを制御することで機能液の動きを制御できるため、従来のインクジェット法に比べてより微細なパターンが形成可能になるが、スループットが課題とされるインクジェット法を用いるため、結果的に積層構造体の製造コストが高くなってしまうという問題があった。   However, since the manufacturing method described in Patent Document 1 can control the movement of the functional liquid by controlling the surface energy of the wettability changing layer, a finer pattern can be formed compared to the conventional inkjet method. However, since the inkjet method in which throughput is a problem is used, there is a problem that the manufacturing cost of the laminated structure increases as a result.

本発明は、以上の従来技術における課題に鑑みてなされたものであり、インクジェット法を用いた場合でも高いスループットで微細な導電層を有する積層構造体を製造するための製造方法、並びにこの製造方法を用いて製造した積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリクス基板及び画像表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems in the prior art, and a manufacturing method for manufacturing a laminated structure having a fine conductive layer with a high throughput even when an inkjet method is used, and the manufacturing method. It is an object of the present invention to provide a laminated structure, a multilayer wiring board, an active matrix substrate, and an image display device that are manufactured by using the above.

前記課題を解決するために提供する本発明は、以下の通りである。
〔1〕 エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する濡れ性変化材料を含み、少なくとも表面エネルギーの異なる2つの部位を有する濡れ性変化層と、前記濡れ性変化層における表面エネルギーの異なる2つの部位のうち、表面エネルギーの高い高表面エネルギー部上に形成された所定パターンの導電層と、を備える積層構造体の製造方法であって、濡れ性変化材料を含む濡れ性変化層(濡れ性変化層30)を形成する第1の工程と(図1)、前記濡れ性変化層の一部にエネルギーを付与し、前記濡れ性変化層に表面エネルギーの低い低表面エネルギー部(低表面エネルギー部50)と表面エネルギーの高い高表面エネルギー部(高表面エネルギー部40)を形成する第2の工程と(図2)、一方向に複数のノズル(液滴吐出ノズル93)が一定のノズル間隔で配列されたインクジェットヘッド(液滴吐出ヘッド103)と、前記第2の工程後の基板(基板20)を支持するステージ(ステージ102)と、前記インクジェットヘッドに対して前記ステージを相対的に移動させる移動機構(Y軸方向移動機構105)とを備えるインクジェット装置(インクジェット装置100、図5)を用いて、導電性材料を含有する機能液(機能液61)を前記高表面エネルギー部に選択的に滴下する第3の工程と(図3)、前記高表面エネルギー部に滴下された機能液を乾燥させて前記高表面エネルギー部上に前記導電性材料を含む導電層(導電層71)を形成する第4の工程と(図4)、を有し、前記第2の工程後の基板には、同一パターンの前記高表面エネルギー部が一定の間隔で周期的に配列されており、前記第3の工程において、前記インクジェット装置の所定方向における前記複数のノズルの間隔を、前記高表面エネルギー部のパターン間隔と一致させることを特徴とする積層構造体の製造方法(図10,図11,図20)。
〔2〕 前記第3の工程において、前記インクジェットヘッドを回転させて、前記インクジェット装置の所定方向における前記複数のノズルの間隔を調整することを特徴とする前記〔1〕に記載の積層構造体の製造方法(図11)。
〔3〕 前記第3の工程において、前記インクジェット装置におけるステージの相対的な移動方向を、前記高表面エネルギー部のパターン形状としての長手方向と一致させることを特徴とする前記〔1〕または〔2〕に記載の積層構造体の製造方法(図10)。
〔4〕 前記〔1〕〜〔3〕いずれか一項に記載の積層構造体の製造方法を用いて製造されてなる積層構造体。
〔5〕 少なくとも基板と、絶縁層と、電極層と、を有する多層配線基板において、前記〔4〕に記載の積層構造体を有し、前記導電層は前記電極層の少なくとも一部を構成することを特徴とする多層配線基板。
〔6〕 ゲート電極(ゲート電極210)、ゲート絶縁層(ゲート絶縁層220)、ソース電極(ソース電極230)、ドレイン電極(ドレイン電極240)、保持容量電極(保持容量電極250)及び半導体層(半導体層260)を含むトランジスタ(トランジスタ270)と、前記ゲート電極から一方向に延設されたゲート信号線(ゲート信号線280)と、前記ソース電極から、前記ゲート信号線の延設方向に対して略直交する方向に延設されたソース信号線(ソース信号線290)と、前記保持容量電極から、前記ゲート信号線又は前記ソース信号線の延設方向に対して略平行に延設された共通信号線(共通信号線300)と、を備えるアクティブマトリクス基板において、前記〔4〕に記載の積層構造体を有し、前記導電層は、前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記保持容量電極、前記ゲート信号線、前記ソース信号線及び前記共通信号線のうち、少なくともいずれか1つを構成することを特徴とするアクティブマトリクス基板(アクティブマトリクス基板400、図14)。
〔7〕 画像表示素子(画像表示素子550)と、前記〔6〕に記載されたアクティブマトリクス基板(アクティブマトリクス基板400)と、を備えることを特徴とする画像表示装置(画像表示装置500、図17)。
The present invention provided to solve the above problems is as follows.
[1] A wettability changing material including a wettability changing material whose surface energy is changed by applying energy, and having at least two parts having different surface energies, and two parts having different surface energies in the wettability changing layer And a conductive layer having a predetermined pattern formed on a high surface energy portion having a high surface energy, and a wettability changing layer containing a wettability changing material (wetting change layer 30). (FIG. 1), energy is imparted to a part of the wettability changing layer, and a low surface energy part (low surface energy part 50) having a low surface energy and the surface are applied to the wettability changing layer. A second step of forming a high surface energy part (high surface energy part 40) with high energy (FIG. 2), a plurality of nozzles (droplet discharge nozzles 93 in one direction); ) Are arranged at regular nozzle intervals, the stage (stage 102) for supporting the substrate (substrate 20) after the second step, and the inkjet head Using an inkjet apparatus (inkjet apparatus 100, FIG. 5) including a moving mechanism (Y-axis direction moving mechanism 105) that relatively moves the stage, the functional liquid containing the conductive material (functional liquid 61) is A third step of selectively dropping onto the surface energy part (FIG. 3), and drying the functional liquid dropped onto the high surface energy part to contain the conductive material on the high surface energy part ( A conductive layer 71) (FIG. 4), and the high surface energy portion of the same pattern is surrounded at regular intervals on the substrate after the second step. In the third step, the interval between the plurality of nozzles in a predetermined direction of the ink jet apparatus is made to coincide with the pattern interval of the high surface energy portion. Method (FIGS. 10, 11, and 20).
[2] The stacked structure according to [1], wherein, in the third step, the interval between the plurality of nozzles in a predetermined direction of the inkjet apparatus is adjusted by rotating the inkjet head. Manufacturing method (FIG. 11).
[3] In the third step, the relative movement direction of the stage in the ink jet apparatus is made to coincide with the longitudinal direction as the pattern shape of the high surface energy portion. ] The manufacturing method of the laminated structure as described in FIG.
[4] A laminated structure produced using the method for producing a laminated structure according to any one of [1] to [3].
[5] A multilayer wiring board having at least a substrate, an insulating layer, and an electrode layer, having the multilayer structure according to [4], wherein the conductive layer constitutes at least a part of the electrode layer. A multilayer wiring board characterized by that.
[6] Gate electrode (gate electrode 210), gate insulating layer (gate insulating layer 220), source electrode (source electrode 230), drain electrode (drain electrode 240), storage capacitor electrode (storage capacitor electrode 250), and semiconductor layer ( A transistor (transistor 270) including a semiconductor layer 260), a gate signal line (gate signal line 280) extending in one direction from the gate electrode, and an extending direction of the gate signal line from the source electrode The source signal line (source signal line 290) extending in a substantially orthogonal direction and the storage capacitor electrode are extended substantially in parallel to the extending direction of the gate signal line or the source signal line. In an active matrix substrate including a common signal line (common signal line 300), the laminate structure according to [4] is provided, and the conductive layer includes the conductive layer, An active matrix substrate comprising at least one of a gate electrode, the source electrode, the drain electrode, the storage capacitor electrode, the gate signal line, the source signal line, and the common signal line ( Active matrix substrate 400, FIG. 14).
[7] An image display device (image display device 500, FIG. 5) comprising an image display device (image display device 550) and the active matrix substrate (active matrix substrate 400) described in [6]. 17).

本発明の積層構造体の製造方法によれば、第2の工程後の基板には、同一パターンの高表面エネルギー部が一定の間隔で周期的に配列されており、記第3の工程において、インクジェット装置の所定方向における複数のノズルの間隔を、高表面エネルギー部のパターン間隔と一致させるので、主走査数を低減でき、結果としてより高いスループットで導電層を形成することが可能となる。また、高表面エネルギー部のパターン間隔(積層構造体の配列間隔)がノズル間隔よりも狭い場合でも、回転機構を有するインクジェットヘッドを用いることで、インクジェット装置の所定方向における複数のノズルの間隔(ノズル間隔をインクジェットヘッドの主走査方向に投影した間隔)を、高表面エネルギー部のパターン間隔に一致させることが可能となるため、高いスループットで任意の配列間隔を有する積層構造体を形成できる。またさらに、第3の工程において、インクジェット装置におけるステージの相対的な移動方向を、高表面エネルギー部のパターン形状としての長手方向と一致させることで、導電層を形成するために高表面エネルギー部上に滴下される機能液をより短い時間間隔で滴下できるようになるため、滴下された機能液の乾燥による固化などの影響を低減でき、結果として膜厚均一性の高い導電層を形成できる。
また本発明の積層構造体によれば、本発明の積層構造体の製造方法を用いることで、安価に微細な積層構造体が提供できる。
また本発明の多層配線基板によれば、本発明の積層構造体を用いるため、安価に微細な多層配線基板が提供できる。
また本発明のアクティブマトリクス基板によれば、本発明の積層構造体を用いるため、安価に微細なアクティブマトリクス基板が提供できる。
また本発明の画像形成装置によれば、本発明のアクティブマトリクス基板を用いるため、安価かつ高性能な画像表示装置が提供できる。
According to the manufacturing method of the laminated structure of the present invention, the high surface energy portions of the same pattern are periodically arranged at regular intervals on the substrate after the second step. In the third step, Since the interval between the plurality of nozzles in the predetermined direction of the ink jet device is made to coincide with the pattern interval of the high surface energy portion, the number of main scans can be reduced, and as a result, a conductive layer can be formed with higher throughput. In addition, even when the pattern interval of the high surface energy part (arrangement interval of the laminated structure) is narrower than the nozzle interval, by using an inkjet head having a rotation mechanism, the intervals (nozzles) of a plurality of nozzles in a predetermined direction of the inkjet apparatus can be obtained. The interval projected in the main scanning direction of the inkjet head) can be made to coincide with the pattern interval of the high surface energy portion, so that a laminated structure having an arbitrary arrangement interval can be formed with high throughput. Furthermore, in the third step, the relative movement direction of the stage in the ink jet apparatus is matched with the longitudinal direction as the pattern shape of the high surface energy portion, so that the conductive layer is formed on the high surface energy portion. Since the functional liquid dropped on the liquid crystal can be dropped at shorter time intervals, the influence of solidification due to drying of the dropped functional liquid can be reduced, and as a result, a conductive layer with high film thickness uniformity can be formed.
Moreover, according to the laminated structure of the present invention, a fine laminated structure can be provided at low cost by using the method for producing a laminated structure of the present invention.
Further, according to the multilayer wiring board of the present invention, since the multilayer structure of the present invention is used, a fine multilayer wiring board can be provided at low cost.
Further, according to the active matrix substrate of the present invention, since the laminated structure of the present invention is used, a fine active matrix substrate can be provided at low cost.
Further, according to the image forming apparatus of the present invention, since the active matrix substrate of the present invention is used, an inexpensive and high-performance image display apparatus can be provided.

本発明に係る積層構造体の製造方法における第1の工程の説明図である。It is explanatory drawing of the 1st process in the manufacturing method of the laminated structure which concerns on this invention. 本発明に係る積層構造体の製造方法における第2の工程の説明図である。It is explanatory drawing of the 2nd process in the manufacturing method of the laminated structure which concerns on this invention. 本発明に係る積層構造体の製造方法における第3の工程の説明図である。It is explanatory drawing of the 3rd process in the manufacturing method of the laminated structure which concerns on this invention. 本発明に係る積層構造体の製造方法における第4の工程の説明図である。It is explanatory drawing of the 4th process in the manufacturing method of the laminated structure which concerns on this invention. 本発明に係る積層構造体の製造方法で用いるインクジェット装置の構成例を示す概略図である。It is the schematic which shows the structural example of the inkjet apparatus used with the manufacturing method of the laminated structure which concerns on this invention. 図5に示すインクジェット装置の印刷手順例(1)を示す概略図である。It is the schematic which shows the printing procedure example (1) of the inkjet apparatus shown in FIG. 図5に示すインクジェット装置の印刷手順例(2)を示す概略図である。It is the schematic which shows the printing procedure example (2) of the inkjet apparatus shown in FIG. 図5に示すインクジェット装置の印刷手順例(3)を示す概略図である。It is the schematic which shows the printing procedure example (3) of the inkjet apparatus shown in FIG. 図5に示すインクジェット装置の印刷手順例(4)を示す概略図である。It is the schematic which shows the printing procedure example (4) of the inkjet apparatus shown in FIG. 本発明に係る積層構造体の製造方法におけるX軸方向印刷解像度を低減するための手法(1)を示す概略図である。It is the schematic which shows the method (1) for reducing the X-axis direction printing resolution in the manufacturing method of the laminated structure which concerns on this invention. 本発明に係る積層構造体の製造方法におけるX軸方向印刷解像度を低減するための手法(2)を示す概略図である。It is the schematic which shows the method (2) for reducing the X-axis direction printing resolution in the manufacturing method of the laminated structure which concerns on this invention. 本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造手順(1)を示す概略図である。It is the schematic which shows the manufacturing procedure (1) of the active matrix substrate which concerns on this invention. 本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造手順(2)を示す概略図である。It is the schematic which shows the manufacturing procedure (2) of the active matrix substrate which concerns on this invention. 本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造手順(3)を示す概略図である。It is the schematic which shows the manufacturing procedure (3) of the active matrix substrate which concerns on this invention. 図12の製造手順においてゲート電極、保持容量電極、ゲート信号線、共通信号線を有する積層構造体を形成する際の、機能液の滴下位置とノズル位置との関係を示す概略図である。FIG. 13 is a schematic diagram illustrating a relationship between a functional liquid dropping position and a nozzle position when forming a stacked structure including a gate electrode, a storage capacitor electrode, a gate signal line, and a common signal line in the manufacturing procedure of FIG. 12. 図13の製造手順においてソース電極、ドレイン電極、ソース信号線を有する積層構造体を形成する際の、機能液の滴下位置とノズル位置との関係を示す概略図である。It is the schematic which shows the relationship between the dripping position of a functional liquid, and a nozzle position at the time of forming the laminated structure which has a source electrode, a drain electrode, and a source signal line in the manufacture procedure of FIG. 本発明に係る画像表示装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the image display apparatus which concerns on this invention. 試験例1の積層構造体の構成を示す概略図である。2 is a schematic diagram illustrating a configuration of a laminated structure of Test Example 1. FIG. 実施例1のアクティブマトリクス基板の構成を示す概略図である。1 is a schematic diagram illustrating a configuration of an active matrix substrate of Example 1. FIG. 実施例1においてソース電極、ドレイン電極、ソース信号線を形成する際の、高表面エネルギー部に対する機能液の滴下位置とノズル位置との関係を示す概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a relationship between a dripping position of a functional liquid and a nozzle position with respect to a high surface energy portion when forming a source electrode, a drain electrode, and a source signal line in Example 1.

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照しながら説明する。
本発明に係る積層構造体の製造方法は、濡れ性変化層30を形成する第1の工程(図1)と濡れ性変化層30の一部に紫外線等のエネルギーを付与し、濡れ性変化層30に低表面エネルギー部50と高表面エネルギー部40とを形成する第2の工程(図2)と、導電性材料を含有する第1の機能液61を、高表面エネルギー部40上へ選択的に滴下する第3の工程(図3)と、機能液61を乾燥させて導電層71を形成する第4の工程(図4)と、を有する。
Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
In the method for manufacturing a laminated structure according to the present invention, the wettability changing layer 30 is formed by applying energy such as ultraviolet rays to the first step (FIG. 1) for forming the wettability changing layer 30 and a part of the wettability changing layer 30. The second step (FIG. 2) for forming the low surface energy part 50 and the high surface energy part 40 in 30 and the first functional liquid 61 containing a conductive material are selectively applied onto the high surface energy part 40. And a fourth step (FIG. 4) in which the functional liquid 61 is dried to form the conductive layer 71.

第1の工程では、濡れ性変化材料を含む溶液を、スピンコート法などにより基板20上に塗布し、乾燥させて、濡れ性変化層30を形成する。   In the first step, a wettability changing layer 30 is formed by applying a solution containing the wettability changing material onto the substrate 20 by spin coating or the like and drying it.

ここで、基板20には、ガラス基板、シリコン基板、ステンレス基板、フィルム基板などの基板を用いることができる。フィルム基板では、ポリイミド(PI)基板、ポリエーテルサルホン(PES)基板、ポリエチレンテレフタレート(PET)基板、ポリエチレンナフタレート(PEN)基板などを用いることができる。   Here, a substrate such as a glass substrate, a silicon substrate, a stainless steel substrate, or a film substrate can be used as the substrate 20. As the film substrate, a polyimide (PI) substrate, a polyethersulfone (PES) substrate, a polyethylene terephthalate (PET) substrate, a polyethylene naphthalate (PEN) substrate, or the like can be used.

濡れ性変化層30は、熱、電子線、紫外線、プラズマ等のエネルギーの付与により表面エネルギー(臨界表面張力)が変化する濡れ性変化材料を含む。この濡れ性変化材料には、側鎖に疎水性基を有する高分子材料を用いることができる。高分子材料としては、具体的には、ポリイミドや(メタ)アクリルレート等の骨格を有する主鎖に直接或いは結合基を介して疎水性基を有する側鎖が結合しているものを用いることができる。疎水基としては、フッ素原子を含むフルオロアルキル基やフッ素元素を含まない炭化水素基を用いることができる。   The wettability changing layer 30 includes a wettability changing material whose surface energy (critical surface tension) is changed by application of energy such as heat, electron beam, ultraviolet light, and plasma. As this wettability changing material, a polymer material having a hydrophobic group in the side chain can be used. As the polymer material, specifically, a material in which a side chain having a hydrophobic group is bonded to a main chain having a skeleton such as polyimide or (meth) acrylate directly or via a bonding group is used. it can. As the hydrophobic group, a fluoroalkyl group containing a fluorine atom or a hydrocarbon group containing no fluorine element can be used.

濡れ性変化材料として、側鎖に疎水基を有する構造の高分子材料を用いた場合、低表面エネルギー部50からなる濡れ性変化層30が基板20上に形成される。   When a polymer material having a structure having a hydrophobic group in the side chain is used as the wettability changing material, the wettability changing layer 30 including the low surface energy portion 50 is formed on the substrate 20.

第2の工程では、フォトマスク91を用いて、紫外線92を濡れ性変化層30上の一部へ露光する。紫外線92を露光した部分の濡れ性変化層30は、疎水基の結合が切断され低表面エネルギー(疎水性)から高表面エネルギー(親水性)に変化する。このため、濡れ性変化層30上に高表面エネルギー部40と低表面エネルギー部50とからなるパターンを形成することができる。   In the second step, a part of the wettability changing layer 30 is exposed to ultraviolet rays 92 using a photomask 91. The wettability changing layer 30 in the portion exposed to the ultraviolet rays 92 is changed from a low surface energy (hydrophobic) to a high surface energy (hydrophilicity) by breaking the bond of the hydrophobic group. For this reason, the pattern which consists of the high surface energy part 40 and the low surface energy part 50 can be formed on the wettability change layer 30.

第3の工程では、液滴吐出ノズル(吐出ノズル、ノズルともいう)93から、導電性材料を含む機能液61を高表面エネルギー部40上へ選択的に配置する。機能液61の配置手段としては、微小液滴を1滴ずつ精度よく滴下可能であるという特徴を有する、インクジェット法が好適である。   In the third step, the functional liquid 61 containing a conductive material is selectively placed on the high surface energy portion 40 from a droplet discharge nozzle (also referred to as discharge nozzle or nozzle) 93. As the means for arranging the functional liquid 61, an ink jet method having a feature that fine droplets can be accurately dropped one by one is suitable.

導電性材料を含む機能液61は、Au、Ag、Cu、Pt、Al、Ni、Pd、Pb、In、Sn、Zn、TIやこれらの合金、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ガリウムなどの透明導電体、などからなる金属微粒子を有機溶媒や水に分散させたインクや、金属錯体を有機溶媒や水に溶解させたインクや、ドープドPANI(ポリアニリン)やPEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)にPSS(ポリエチレンスルホン酸)をドープした導電性高分子の水溶液などが挙げられる。インクジェット法で用いるために、機能液61の表面張力は20mN/m以上、50mN/m以下であることが望ましく、また粘度は2mPa・s以上、50mPa・s以下である事が望ましい。   The functional liquid 61 containing a conductive material includes Au, Ag, Cu, Pt, Al, Ni, Pd, Pb, In, Sn, Zn, TI, and alloys thereof, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, gallium oxide, and the like. Ink in which fine metal particles composed of transparent conductors are dispersed in organic solvent or water, ink in which metal complex is dissolved in organic solvent or water, doped PANI (polyaniline) or PEDOT (polyethylenedioxythiophene) Examples thereof include an aqueous solution of a conductive polymer doped with PSS (polyethylene sulfonic acid). In order to use in the ink jet method, the surface tension of the functional liquid 61 is desirably 20 mN / m or more and 50 mN / m or less, and the viscosity is desirably 2 mPa · s or more and 50 mPa · s or less.

図5は、インクジェット装置の構造の一実施例を示した概略図である。
インクジェット装置100は、定盤101と、ステージ102と、液滴吐出ヘッド(インクジェットヘッドともいう)103と、液滴吐出ヘッド103に接続されたX軸方向移動機構104と、ステージ102に接続されたY軸方向移動機構105と、制御装置106とを備えている。
FIG. 5 is a schematic view showing an embodiment of the structure of the ink jet apparatus.
The inkjet apparatus 100 is connected to a surface plate 101, a stage 102, a droplet discharge head (also referred to as an inkjet head) 103, an X-axis direction moving mechanism 104 connected to the droplet discharge head 103, and the stage 102. A Y-axis direction moving mechanism 105 and a control device 106 are provided.

ステージ102は、基板20を支持する目的で備えられており、基板20を吸着する吸着機構(図示せず)等の固定機構を備えている。また、基板20上に滴下された機能液61を乾燥させるための熱処理機構を備えて良い。   The stage 102 is provided for the purpose of supporting the substrate 20, and includes a fixing mechanism such as an adsorption mechanism (not shown) that adsorbs the substrate 20. Further, a heat treatment mechanism for drying the functional liquid 61 dropped on the substrate 20 may be provided.

液滴吐出ヘッド103は、複数の液滴吐出ノズル93を備えたインクジェットヘッドであり、複数の液滴吐出ノズル93が液滴吐出ヘッド103の下面に、X軸方向に沿って一定間隔で並んでいる。この液滴吐出ノズル93からステージ102に支持されている基板20に対して機能液61が吐出される。液滴吐出ヘッド103の液滴吐出機構には、例えばピエゾ方式を用いることができ、この場合、液滴吐出ヘッド103内のピエゾ素子に電圧を印加することで液滴が吐出する。   The droplet discharge head 103 is an ink jet head including a plurality of droplet discharge nozzles 93, and the plurality of droplet discharge nozzles 93 are arranged on the lower surface of the droplet discharge head 103 at regular intervals along the X-axis direction. Yes. The functional liquid 61 is discharged from the droplet discharge nozzle 93 to the substrate 20 supported on the stage 102. For example, a piezo method can be used as a droplet discharge mechanism of the droplet discharge head 103. In this case, a droplet is discharged by applying a voltage to a piezo element in the droplet discharge head 103.

X軸方向移動機構104は、X軸方向駆動軸107、及びX軸方向駆動モータ108で構成される。X軸方向駆動モータ108はステッピングモータ等であり、制御装置106からX軸方向の駆動信号が供給されると、X軸駆動軸107を動作させ、液滴吐出ヘッド103がX軸方向に移動する。   The X-axis direction moving mechanism 104 includes an X-axis direction drive shaft 107 and an X-axis direction drive motor 108. The X-axis direction drive motor 108 is a stepping motor or the like. When a drive signal in the X-axis direction is supplied from the control device 106, the X-axis direction drive shaft 107 is operated and the droplet discharge head 103 moves in the X-axis direction. .

Y軸方向移動機構105は、Y軸方向駆動軸109およびY軸方向駆動モータ110で構成される。制御装置106からY軸方向の駆動信号が供給されるとステージ102がY軸方向に移動する。   The Y-axis direction moving mechanism 105 includes a Y-axis direction drive shaft 109 and a Y-axis direction drive motor 110. When a drive signal in the Y-axis direction is supplied from the control device 106, the stage 102 moves in the Y-axis direction.

制御装置106は、液滴吐出ヘッド103に吐出制御用の信号を供給する。またX軸方向駆動モータ108にX軸方向の駆動信号を、またY軸方向駆動モータ110にY軸方向の駆動信号をそれぞれ供給する。なお制御装置106は、液滴吐出ヘッド103、X軸方向駆動モータ108、Y軸方向駆動モータ110とそれぞれつながっているが、その配線は図示していない。   The control device 106 supplies a discharge control signal to the droplet discharge head 103. Further, a drive signal in the X-axis direction is supplied to the X-axis direction drive motor 108, and a drive signal in the Y-axis direction is supplied to the Y-axis direction drive motor 110, respectively. The control device 106 is connected to the droplet discharge head 103, the X-axis direction drive motor 108, and the Y-axis direction drive motor 110, but the wiring thereof is not shown.

インクジェット装置100は、液滴吐出ヘッド103とステージ102とを相対的に走査させながらステージ102上に固定された基板20に対して機能液61の液滴を吐出する。なお液滴吐出ヘッド103とX軸方向移動機構104の間には、X軸方向移動機構104と独立動作する回転機構を備え付けても良い。回転機構を動作させて液滴吐出ヘッド103とステージ102との相対角度を変化させることで、吐出ノズル間ピッチを調節できる。また液滴吐出ヘッド103とX軸方向移動機構104の間には、X軸方向移動機構104と独立動作するZ軸方向移動機構を備え付けても良い。Z軸方向に液滴吐出ヘッド103を移動させることで、基板20とノズル面との距離を任意に調節可能である。またステージ102とY軸方向移動機構105の間には、Y軸方向移動機構105と独立動作する回転機構を備え付けても良い。回転機構を動作させることで、ステージ102上に固定された基板20を任意の角度に回転させた状態で、基板20に対して液滴を吐出できる。   The inkjet apparatus 100 discharges droplets of the functional liquid 61 onto the substrate 20 fixed on the stage 102 while relatively scanning the droplet discharge head 103 and the stage 102. A rotation mechanism that operates independently of the X-axis direction moving mechanism 104 may be provided between the droplet discharge head 103 and the X-axis direction moving mechanism 104. By operating the rotation mechanism to change the relative angle between the droplet discharge head 103 and the stage 102, the pitch between the discharge nozzles can be adjusted. Further, a Z-axis direction moving mechanism that operates independently of the X-axis direction moving mechanism 104 may be provided between the droplet discharge head 103 and the X-axis direction moving mechanism 104. By moving the droplet discharge head 103 in the Z-axis direction, the distance between the substrate 20 and the nozzle surface can be arbitrarily adjusted. A rotation mechanism that operates independently of the Y-axis direction moving mechanism 105 may be provided between the stage 102 and the Y-axis direction moving mechanism 105. By operating the rotation mechanism, it is possible to discharge droplets onto the substrate 20 in a state where the substrate 20 fixed on the stage 102 is rotated at an arbitrary angle.

図6は、図5に示すインクジェット装置の印刷手順例を示した図である。
(S11) はじめにインクジェット装置100の液滴吐出ヘッド103を制御装置106で制御するために、図中にあるグリッド状に図示された印刷用ラスターデータを作成する。ここではデータ例として、吐出と不吐出に対応した白黒2値のデータを図示しているが、必ずしもこれに限定されるわけではない。
FIG. 6 is a diagram showing an example of a printing procedure of the ink jet apparatus shown in FIG.
(S11) First, in order to control the droplet discharge head 103 of the ink jet apparatus 100 by the control apparatus 106, the raster data for printing illustrated in a grid shape in the drawing is created. Here, as an example of data, monochrome binary data corresponding to ejection and non-ejection is illustrated, but the present invention is not necessarily limited to this.

(S12) 次に、制御装置106で印刷解像度を決定するとともに印刷データを読み込み、液滴吐出ヘッド103の各ノズルとの対応を決定する。印刷解像度とは印刷用データの1グリッドの大きさを意味しており、ここではX軸方向印刷解像度、Y軸方向印刷解像度ともにノズル間隔の1/12とした。この場合、例えばノズル1は印刷データ上でのX座標の1〜12を、ノズル2は13〜24を、ノズル3は25〜36を、といったように各ノズルが担当するX軸座標範囲が決定される。 (S12) Next, the control device 106 determines the print resolution and reads the print data, and determines the correspondence with each nozzle of the droplet discharge head 103. The print resolution means the size of one grid of print data. Here, both the X-axis direction print resolution and the Y-axis direction print resolution are set to 1/12 of the nozzle interval. In this case, for example, the X-axis coordinate range assigned to each nozzle is determined such that the nozzle 1 has X coordinates 1 to 12 on the print data, the nozzle 2 has 13 to 24, the nozzle 3 has 25 to 36, and so on. Is done.

(S13) 次に、インクジェット装置100を用いて印刷を行う。
図7に示すように、はじめにX軸方向移動機構104を固定した状態でY軸方向移動機構105を駆動させて液滴吐出ヘッド103を相対的に移動させるとともに、印刷データ上の白黒2値に応じて吐出、不吐出となるように液滴吐出ヘッド103を制御し、黒色で示す位置に液滴を滴下する。なおこの際のY軸方向の走査を副走査と呼ぶが、この副走査ではノズル位置に対応したX軸座標の1、13、25、・・に相当するX軸座標範囲の印刷を行う。
(S13) Next, printing is performed using the inkjet apparatus 100.
As shown in FIG. 7, first, the Y-axis direction moving mechanism 105 is driven with the X-axis direction moving mechanism 104 fixed to move the droplet discharge head 103 relatively, and at the same time, the black and white binary values on the print data are changed. In response to this, the droplet discharge head 103 is controlled so as to discharge or not discharge, and the droplet is dropped at a position indicated by black. The scanning in the Y-axis direction at this time is called sub-scanning. In this sub-scanning, printing of the X-axis coordinate range corresponding to the X-axis coordinates 1, 13, 25,.

(S14) 次に図8に示すように、X軸方向移動機構104を制御し、液滴吐出ヘッド103を相対的に印刷解像度に相当する量だけX軸方向に移動させる。なおこの際のX軸方向の走査を主走査と呼ぶ。 (S14) Next, as shown in FIG. 8, the X-axis direction moving mechanism 104 is controlled to move the droplet discharge head 103 in the X-axis direction relatively by an amount corresponding to the printing resolution. Note that scanning in the X-axis direction at this time is referred to as main scanning.

(S15) 次に、ステップS13と同様にX軸方向移動機構104を固定し、Y軸方向移動機構105を駆動させながら、印刷データ上の白黒2値に応じて液滴吐出ヘッド103を制御する。この副走査では、ノズル位置に対応したX軸座標の2、14、26、・・に相当するX座標範囲の印刷を行う。 (S15) Next, as in step S13, the X-axis direction moving mechanism 104 is fixed, and while the Y-axis direction moving mechanism 105 is driven, the droplet discharge head 103 is controlled in accordance with the monochrome value on the print data. . In this sub-scan, the X coordinate range corresponding to 2, 14, 26,... Of the X axis coordinate corresponding to the nozzle position is printed.

以降、上記と同様の手順で、ノズル間の隙間を埋め尽くすまで、X軸方向の主走査、Y軸方向の副走査を繰り返し行い、最終的に図9に示すような状態で印刷が完了する。   Thereafter, in the same procedure as described above, the main scanning in the X-axis direction and the sub-scanning in the Y-axis direction are repeated until the gap between the nozzles is filled, and printing is finally completed in the state shown in FIG. .

なお本印刷手法において、X軸方向移動機構104とY軸方向移動機構105の移動速度は駆動モータの位置決め精度が保証される範囲で任意に決定する事が可能であり、またX軸方向印刷解像度とY軸方向印刷解像度も任意に決定する事が可能である。   In this printing method, the moving speeds of the X-axis direction moving mechanism 104 and the Y-axis direction moving mechanism 105 can be arbitrarily determined within a range in which the positioning accuracy of the drive motor is guaranteed, and the X-axis direction printing resolution can be determined. The Y-axis direction print resolution can also be arbitrarily determined.

実際には、Y軸方向の移動速度と吐出位置間隔(黒グリッドと黒グリッドとの間隔)によって、ノズルに要求される周波数性能が変わり、Y軸方向移動速度が早いほど、またY軸方向吐出位置間隔が狭いほど、高周波での吐出が必要になる。そのため仮に液滴吐出ヘッド103の吐出上限周波数が規定された場合には、Y軸方向吐出位置間隔が広いほどY軸方向移動速度を高速化可能であり、スループットが向上する。Y軸方向吐出位置間隔を広げるためには機能液の体積をできるだけ大きくし、より少ない機能液の滴数数で導電層を形成するのが有効であるが、この場合、濡れ性変化層の低表面エネルギー部、高表面エネルギー部に対する機能液の接触角と高表面エネルギー部の幅に応じて機能液の体積を調整することが望ましい。   Actually, the frequency performance required for the nozzle varies depending on the movement speed in the Y-axis direction and the interval between the discharge positions (interval between the black grid and the black grid). The faster the Y-axis direction movement speed, the more the Y-axis direction discharge. As the position interval is narrower, ejection at a higher frequency is required. Therefore, if the upper discharge frequency of the droplet discharge head 103 is defined, the Y-axis direction moving speed can be increased as the Y-axis direction discharge position interval is wider, and the throughput is improved. In order to widen the discharge position interval in the Y-axis direction, it is effective to increase the volume of the functional liquid as much as possible and to form the conductive layer with a smaller number of functional liquid droplets. It is desirable to adjust the volume of the functional liquid according to the contact angle of the functional liquid with respect to the surface energy part and the high surface energy part and the width of the high surface energy part.

また上で述べてきたように、インクジェット法のスループットを規定する主因子にX軸方向移動機能による主走査回数が挙げられる。図6に示した例ではX軸方向印刷解像度をノズル間隔の1/12としたため、12回の主走査が必要であった。よって高スループット化には、X軸方向印刷解像度を低減するような条件設定が重要である。   As described above, the main factor that defines the throughput of the ink jet method is the number of main scans by the X-axis direction moving function. In the example shown in FIG. 6, since the X-axis direction printing resolution is 1/12 of the nozzle interval, 12 main scans are required. Therefore, for high throughput, it is important to set conditions that reduce the X-axis direction printing resolution.

図10に、X軸方向印刷解像度を低減するための手法(1)を示す。
ここではY軸方向を長手とする線形状パターンの導電層が一定の間隔で周期的に配列された積層構造体を作製する場合を示しており、液滴吐出ヘッド103のノズル間隔を線形状の高表面エネルギー部40(図中、点線で囲まれた領域。)の配列間隔に一致させている。なおこの例は、液滴吐出ヘッド103の主走査方向とノズル配列方向が同一となっている。この場合、ノズル間隔と高表面エネルギー部40の配列間隔が一致しているため、1回の副走査で全ての高表面エネルギー部に機能液を滴下可能となる。
FIG. 10 shows a method (1) for reducing the print resolution in the X-axis direction.
Here, a case is shown in which a laminated structure in which conductive layers having a linear pattern extending in the Y-axis direction are periodically arranged at regular intervals is manufactured, and the nozzle interval of the droplet discharge head 103 is set to a linear shape. It is made to correspond to the arrangement | sequence space | interval of the high surface energy part 40 (area | region enclosed with the dotted line in the figure). In this example, the main scanning direction of the droplet discharge head 103 and the nozzle arrangement direction are the same. In this case, since the nozzle interval and the arrangement interval of the high surface energy portions 40 coincide with each other, the functional liquid can be dropped onto all the high surface energy portions in one sub-scan.

また図11に、X軸方向印刷解像度を低減するための手法(2)を示す。
ここではY軸方向を長手とする線形状パターンの導電層が一定の間隔で周期的に配列された積層構造体を作製する場合であって、Y軸方向を長手とする線形状パターンの高表面エネルギー部40(図中、点線で囲まれた領域。)のパターン間隔が液滴吐出ヘッド103のノズル間隔よりも狭い場合の例を示している。この場合、液滴吐出ヘッド103を回転させて、インクジェット装置100の所定方向(X軸方向、主走査方向)におけるノズル間隔を調整することが好ましい。これにより、ノズル間隔を液滴吐出ヘッド103の主走査方向に投影した間隔(インクジェット装置100の所定方向(X軸方向、主走査方向)におけるノズル間隔)を、高表面エネルギー部40のパターン間隔(積層構造体の配列間隔)に一致させることができ、1回の副走査で全ての高表面エネルギー部40に機能液を滴下可能となる。
FIG. 11 shows a method (2) for reducing the print resolution in the X-axis direction.
In this case, a stacked structure in which conductive layers having a linear pattern whose longitudinal direction is the Y-axis direction is periodically formed at regular intervals, and a high surface of the linear pattern whose longitudinal direction is the Y-axis direction is manufactured. An example in which the pattern interval of the energy unit 40 (region surrounded by a dotted line in the drawing) is narrower than the nozzle interval of the droplet discharge head 103 is shown. In this case, it is preferable to adjust the nozzle interval in a predetermined direction (X-axis direction, main scanning direction) of the inkjet apparatus 100 by rotating the droplet discharge head 103. Thereby, the interval (nozzle interval in a predetermined direction (X-axis direction, main scanning direction) of the ink jet apparatus 100) projected from the nozzle interval in the main scanning direction of the droplet discharge head 103 is changed to the pattern interval ( The arrangement interval of the laminated structures can be matched, and the functional liquid can be dripped onto all the high surface energy portions 40 in one sub-scan.

なお図10では、高表面エネルギー部40のパターン形状が線形状となっているが、1回の副走査で高表面エネルギー部に機能液を滴下していくため、高表面エネルギー部40への機能液の滴下時間間隔をより短くでき、滴下された機能液の乾燥による固化などの影響を低減できるため、結果として膜厚均一性の高い導電層を形成できる。   In FIG. 10, the pattern shape of the high surface energy portion 40 is a linear shape. However, since the functional liquid is dropped on the high surface energy portion in one sub-scan, the function to the high surface energy portion 40 is performed. Since the dropping time interval of the liquid can be shortened and the influence of solidification due to drying of the dropped functional liquid can be reduced, a conductive layer with high film thickness uniformity can be formed as a result.

[アクティブマトリクス基板の製造方法]
次に、本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法について説明する。
本発明のアクティブマトリクス基板400は、図14に示すように、ゲート電極210、ゲート絶縁層220、ソース電極230、ドレイン電極240、保持容量電極250及び半導体層260を含むトランジスタ270と、ゲート電極210から一方向に延設されたゲート信号線280と、ソース電極230から、ゲート信号線280の延設方向に対して略直交する方向に延設されたソース信号線290と、保持容量電極250から、ゲート信号線280又はソース信号線290の延設方向に対して略平行に延設された共通信号線300と、を備え、その特徴的な構成として上述の本発明の積層構造体の製造方法を用いて製造された積層構造体(図4)を有し、その積層構造体の導電層71は、ゲート電極210、ソース電極230、ドレイン電極240、保持容量電極250、ゲート信号線280、ソース信号線290、共通信号線300の、少なくともといずれか一つを構成している。
また、本発明のアクティブマトリクス基板400は、基板20上に複数のトランジスタ270が2次元アレイ状に配置されたものである。
[Method for manufacturing active matrix substrate]
Next, the manufacturing method of the active matrix substrate of the present invention will be described.
As shown in FIG. 14, the active matrix substrate 400 of the present invention includes a transistor 270 including a gate electrode 210, a gate insulating layer 220, a source electrode 230, a drain electrode 240, a storage capacitor electrode 250, and a semiconductor layer 260, and a gate electrode 210. From the gate signal line 280 extending in one direction from the source electrode 230 and the source signal 230 to the source signal line 290 extending in a direction substantially orthogonal to the extending direction of the gate signal line 280 and from the storage capacitor electrode 250 And the common signal line 300 extending substantially parallel to the extending direction of the gate signal line 280 or the source signal line 290, and the method for manufacturing the laminated structure of the present invention described above as a characteristic configuration thereof The conductive layer 71 of the stacked structure includes a gate electrode 210, a source electrode 230, a drain structure. Down electrode 240, storage capacitor electrodes 250, the gate signal line 280, a source signal line 290, the common signal line 300, constitutes any one of at least To.
Further, the active matrix substrate 400 of the present invention has a plurality of transistors 270 arranged on a substrate 20 in a two-dimensional array.

また、図14に示すアクティブマトリクス基板400は、少なくとも基板(基板20)と、絶縁層(濡れ性変化層31,32)と、電極層(ゲート電極210、ソース電極230、ドレイン電極240、保持容量電極250、ゲート信号線280、ソース信号線290、共通信号線300)と、を有する多層配線基板と捉えることができ、その特徴的な構成として本発明の積層構造体の製造方法を用いて製造された積層構造体(図4)を有し、その積層構造体の導電層71は、前記電極層の少なくとも一部を構成することを特徴とするものである。   Further, the active matrix substrate 400 shown in FIG. 14 includes at least a substrate (substrate 20), an insulating layer (wetting change layers 31 and 32), an electrode layer (a gate electrode 210, a source electrode 230, a drain electrode 240, a storage capacitor). It can be regarded as a multilayer wiring board having an electrode 250, a gate signal line 280, a source signal line 290, and a common signal line 300), and is manufactured using the method for manufacturing a laminated structure of the present invention as a characteristic configuration. And the conductive layer 71 of the laminated structure constitutes at least a part of the electrode layer.

ここでは一例として、図12〜図14に示す手順によるアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する。
(S21) はじめに上述した積層構造体の製造方法を用いて、図12に示すように、基板20上に、高表面エネルギー部41と低表面エネルギー部51とを備える濡れ性変化層31、及び高表面エネルギー部41上に、ゲート電極210、保持容量電極250、ゲート信号線280、共通信号線300を形成する。
(S22) 次に、上述した積層構造体の製造方法を再度用いて、図13に示すように、高表面エネルギー部42と低表面エネルギー部52とを備える濡れ性変化層32、および高表面エネルギー部42上に、ソース電極230、ドレイン電極240、ソース信号線290を形成する。なお本構成においては、濡れ性変化層32がゲート絶縁層220の機能を兼ねており、また、ソース信号線290がソース電極230の機能を兼ねている。
(S23) 最後に、図14に示すように、ソース電極230及びドレイン電極240の両方に接するように半導体層260を、例えばマイクロコンタクトプリンティング法で形成することで、アクティブマトリクス基板400が完成する。
Here, as an example, a method for manufacturing an active matrix substrate according to the procedure shown in FIGS. 12 to 14 will be described.
(S21) First, the wettability changing layer 31 including the high surface energy part 41 and the low surface energy part 51 on the substrate 20 and the high structure as shown in FIG. On the surface energy part 41, the gate electrode 210, the storage capacitor electrode 250, the gate signal line 280, and the common signal line 300 are formed.
(S22) Next, by using the above-described manufacturing method of the laminated structure again, as shown in FIG. 13, the wettability changing layer 32 including the high surface energy part 42 and the low surface energy part 52, and the high surface energy. A source electrode 230, a drain electrode 240, and a source signal line 290 are formed on the portion 42. In this configuration, the wettability changing layer 32 also functions as the gate insulating layer 220, and the source signal line 290 also functions as the source electrode 230.
(S23) Finally, as shown in FIG. 14, the active matrix substrate 400 is completed by forming the semiconductor layer 260 in contact with both the source electrode 230 and the drain electrode 240 by, for example, a microcontact printing method.

ここで、このアクティブマトリクス基板を製造する際に適用する本発明の積層構造体の製造方法についてより詳細に説明する。
図15は、図12においてゲート電極210、保持容量電極250、ゲート信号線280、共通信号線300を有する積層構造体を形成する際の、高表面エネルギー部40(図中、点線で囲まれた領域。)における機能液の滴下位置(図中、黒色の升目位置)とノズル位置との関係を示したものである。アクティブマトリクス基板のゲート信号線280、共通信号線300の延在方向に直交する方向にノズルが配置されており、またゲート信号線280、共通信号線300の延在方向と副走査方向(Y軸方向)が一致している。このようにすることで2回の副走査で積層構造体を形成することが可能になる。
Here, the manufacturing method of the laminated structure of the present invention applied when manufacturing the active matrix substrate will be described in more detail.
15 shows a high surface energy portion 40 (indicated by a dotted line in the figure) when forming a laminated structure having the gate electrode 210, the storage capacitor electrode 250, the gate signal line 280, and the common signal line 300 in FIG. The relationship between the dropping position of the functional liquid in the region (in the drawing, the black square position in the figure) and the nozzle position is shown. The nozzles are arranged in a direction orthogonal to the extending direction of the gate signal line 280 and the common signal line 300 of the active matrix substrate, and the extending direction of the gate signal line 280 and the common signal line 300 and the sub-scanning direction (Y-axis) Direction). By doing so, it is possible to form a laminated structure by two sub-scans.

また図16は、図13においてソース電極230、ドレイン電極240、ソース信号線290を有する積層構造体を形成する際の、高表面エネルギー部40(図中、点線で囲まれた領域。)における機能液の滴下位置(図中、黒色の升目位置)とノズル位置との関係を示したものである。アクティブマトリクス基板のソース信号線290の延在方向に直交する方向にノズルが配置されており、またソース信号線290の延在方向と副走査方向(Y軸方向)が一致している。このようにすることで2回の副走査で積層構造体を形成することが可能になる。   FIG. 16 shows a function of the high surface energy portion 40 (region surrounded by a dotted line in the drawing) when forming a stacked structure including the source electrode 230, the drain electrode 240, and the source signal line 290 in FIG. It shows the relationship between the dropping position of the liquid (in the figure, the position of the black cells) and the nozzle position. Nozzles are arranged in a direction orthogonal to the extending direction of the source signal lines 290 of the active matrix substrate, and the extending direction of the source signal lines 290 and the sub-scanning direction (Y-axis direction) coincide. By doing so, it is possible to form a laminated structure by two sub-scans.

つぎに、本発明に係る画像表示装置について説明する。
本発明に係る画像表示装置は、画像表示素子と、前述したアクティブマトリクス基板400と、を備えることを特徴とするものである。
Next, the image display apparatus according to the present invention will be described.
An image display apparatus according to the present invention includes an image display element and the active matrix substrate 400 described above.

図17に、本発明に係る画像表示装置の構成例を示す。
図17に示すように、画像表示装置500は、上述したアクティブマトリクス基板400と、透明導電膜502を有する第2の基板501と、アクティブマトリクス基板400と第2の基板501の間に設けられる画像表示素子550と、を備え、トランジスタ270によって画素電極を兼ねるドレイン電極240上の画像表示素子がスイッチングされる。ここで、第2の基板501としては、ガラスやポリエステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等のプラスチックを用いることができる。また、画像表示素子550としては液晶、電気泳動、有機EL等の方式を用いることができる。
FIG. 17 shows a configuration example of an image display device according to the present invention.
As shown in FIG. 17, the image display device 500 includes an active matrix substrate 400, a second substrate 501 having a transparent conductive film 502, and an image provided between the active matrix substrate 400 and the second substrate 501. The image display element on the drain electrode 240 that also serves as the pixel electrode is switched by the transistor 270. Here, as the second substrate 501, a plastic such as glass, polyester, polycarbonate, polyarylate, or polyethersulfone can be used. As the image display element 550, a method such as liquid crystal, electrophoresis, organic EL, or the like can be used.

画像表示素子550として液晶を用いた液晶表示素子は電界駆動であることから消費電力が小さく、また駆動電圧が低いことからTFTの駆動周波数を高くすることができ、大容量表示に適している。液晶表示素子の表示方式として、TN、STN、ゲスト・ホスト型、高分子分散液晶(Polymer-dispersed Liquid Crystal=PDLC)等が挙げられるが、反射型で明るい白色表示が得られる点ではPDLCが好ましい。   Since the liquid crystal display element using liquid crystal as the image display element 550 is driven by an electric field, the power consumption is small, and since the driving voltage is low, the driving frequency of the TFT can be increased, which is suitable for large-capacity display. Examples of the display method of the liquid crystal display element include TN, STN, guest-host type, polymer-dispersed liquid crystal (PDLC), etc., but PDLC is preferable in that a bright white display can be obtained in a reflective type. .

なお、アクティブマトリクス基板400上に画像表示素子550が積層される反射型液晶素子等においては、アクティブマトリクス基板400上に層間絶縁膜(不図示)を設け、コンタクトホールを通じて該層間絶縁膜上に設けた画素電極(不図示)が、トランジスタ270のドレイン電極240と接続される。   In a reflective liquid crystal element or the like in which the image display element 550 is stacked on the active matrix substrate 400, an interlayer insulating film (not shown) is provided on the active matrix substrate 400, and is provided on the interlayer insulating film through a contact hole. The pixel electrode (not shown) is connected to the drain electrode 240 of the transistor 270.

電気泳動表示素子は、第1の色(例えば白色)を呈する粒子を第2の色を呈する着色分散媒中に分散した分散液、あるいは互いに異なる色(例えば白色と黒色)に着色した2種以上の粒子が無色の分散中に分散した分散液からなるもので、着色粒子が分散媒中で帯電することにより、電界の作用で分散媒中における存在位置を変えることができ、それによって表示色が変化する。この表示方式によれば明るく、視野角の広い表示ができ、また表示メモリー性があるため特に消費電力の観点から好ましく使用される。   The electrophoretic display element is a dispersion in which particles exhibiting a first color (for example, white) are dispersed in a color dispersion medium exhibiting the second color, or two or more types that are colored in different colors (for example, white and black). The particles are dispersed in a colorless dispersion, and when the colored particles are charged in the dispersion medium, the position of the particles in the dispersion medium can be changed by the action of an electric field, whereby the display color is changed. Change. According to this display method, it is possible to display brightly and with a wide viewing angle, and since it has a display memory property, it is preferably used particularly from the viewpoint of power consumption.

上記分散液を高分子膜で包んだマイクロカプセルとすることにより、表示動作が安定化するとともに、表示装置の製造が容易になる。マイクロカプセルはコアセルベーション法、In−Situ重合法、界面重合法、等公知の方法で作製することができる。白色粒子としては、酸化チタンが特に好適に用いられ、必要に応じて表面処理或いは他の材料との複合化等が施される。分散媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、ナフテン系炭化水素等の芳香族炭化水素類、ヘキサン、シクロヘキサン、ケロシン、パラフィン系炭化水素等の脂肪族炭化水素類、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、トリクロロフルオロエチレン、臭化エチル等のハロゲン化炭(化水)素類、含フッ素エーテル化合物、含フッ素エステル化合物、シリコーンオイル等の抵抗率の高い有機溶媒を使用するのが好ましい。分散媒を着色するためには所望の吸収特性を有するアントラキノン類やアゾ化合物類等の油溶性染料が用いられる。分散液中には分散安定化のために界面活性剤等を添加してもよい。   By using microcapsules in which the dispersion is wrapped with a polymer film, the display operation is stabilized and the display device can be easily manufactured. Microcapsules can be produced by a known method such as a coacervation method, an In-Situ polymerization method, or an interfacial polymerization method. As the white particles, titanium oxide is particularly preferably used, and surface treatment or compounding with other materials is performed as necessary. Examples of the dispersion medium include aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, naphthenic hydrocarbons, aliphatic hydrocarbons such as hexane, cyclohexane, kerosene, and paraffinic hydrocarbons, trichloroethylene, tetrachloroethylene, trichlorofluoroethylene, odor It is preferable to use an organic solvent having a high resistivity such as halogenated carbon (hydrocarbon) such as ethyl halide, fluorine-containing ether compound, fluorine-containing ester compound, or silicone oil. In order to color the dispersion medium, oil-soluble dyes such as anthraquinones and azo compounds having desired absorption characteristics are used. A surfactant or the like may be added to the dispersion for stabilization of dispersion.

有機EL素子は自発光型であるため鮮やかなフルカラー表示を行うことができる。また、EL層は非常に薄い有機薄膜であるので、柔軟性に富み、特にフレキシブルな基板上に形成するのに適している。   Since the organic EL element is a self-luminous type, vivid full color display can be performed. Further, since the EL layer is a very thin organic thin film, it has a high flexibility and is particularly suitable for being formed on a flexible substrate.

以下、試験例、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は、下記試験例、実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記試験例、実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to test examples and examples. However, the present invention is not limited to the following test examples and examples, and the following test examples without departing from the scope of the present invention. Various modifications and substitutions can be made to the embodiments.

(試験例1)
試験例1は、図18に示す積層構造体の作製方法に関する。
まず、濡れ性変化材料を含有するNMP(N-methyl-2-pyrrolidone)溶液を、ガラス基板上にスピンコート塗布した。この濡れ性変化材料には、下記構造式(I)で表される重合比を変えた2種類のポリイミド材料A、Bを用いた。次に、100℃のオーブンで前焼成を行った後、300℃のオーブンで熱処理を加えて濡れ性変化層30を形成した。ここではポリイミド材料の種類により、低表面エネルギー部の表面エネルギーを変えている。
(Test Example 1)
Test Example 1 relates to a method for manufacturing the laminated structure shown in FIG.
First, an NMP (N-methyl-2-pyrrolidone) solution containing a wettability changing material was spin-coated on a glass substrate. As the wettability changing material, two types of polyimide materials A and B having different polymerization ratios represented by the following structural formula (I) were used. Next, after pre-baking in an oven at 100 ° C., heat treatment was applied in an oven at 300 ° C. to form the wettability changing layer 30. Here, the surface energy of the low surface energy portion is changed depending on the type of polyimide material.

続いて、複数の線状の開口パターンを有するフォトマスク91を作製し、波長300nm以下の紫外線(超高圧水銀ランプ)92を濡れ性変化層30上の一部へ露光させ、濡れ性変化層30上に高表面エネルギー部40および低表面エネルギー部50とからなるパターンを形成した。各ポリイミド材料に対して、紫外線照射量を変えることで、高表面エネルギー部40の表面エネルギーを変えている。また作製したフォトマスク91には3種類の大きさの異なる開口パターンをあらかじめ設けており、3種類の異なる幅(20,25,35μm)を有する高表面エネルギー部40を形成している。   Subsequently, a photomask 91 having a plurality of linear opening patterns is manufactured, and ultraviolet light (ultra-high pressure mercury lamp) 92 having a wavelength of 300 nm or less is exposed to a part on the wettability changing layer 30, so that the wettability changing layer 30 is exposed. A pattern composed of a high surface energy portion 40 and a low surface energy portion 50 was formed thereon. The surface energy of the high surface energy portion 40 is changed by changing the amount of ultraviolet irradiation for each polyimide material. The produced photomask 91 is provided with three types of opening patterns having different sizes in advance, and the high surface energy portion 40 having three different widths (20, 25, 35 μm) is formed.

続いて、Agナノ粒子を含有する親水性インクからなる機能液61をインクジェット法で高表面エネルギー部40に選択的に滴下した。このときの滴下中心位置は高表面エネルギー部40の幅中心(X=0)としている。また、この機能液61の表面張力は約30mN/m、粘度10mPa・sである。
液滴法を用いて測定した機能液61の低表面エネルギー部50に対する接触角および高表面エネルギー部40に対する接触角は、ポリイミド材料種や露光量(紫外線照射量)によって6水準変化させている。
Subsequently, a functional liquid 61 made of hydrophilic ink containing Ag nanoparticles was selectively dropped onto the high surface energy part 40 by an inkjet method. The dropping center position at this time is the width center (X = 0) of the high surface energy part 40. The functional liquid 61 has a surface tension of about 30 mN / m and a viscosity of 10 mPa · s.
The contact angle with respect to the low surface energy portion 50 and the contact angle with respect to the high surface energy portion 40 of the functional liquid 61 measured using the droplet method is changed by six levels depending on the polyimide material type and the exposure amount (ultraviolet ray irradiation amount).

なお、インクジェット法としては、ピエゾ方式のインクジェットヘッドを用い、駆動波形および駆動電圧を調整し、液滴吐出ノズル93から吐出される機能液61の平均体積を約7pL(飛翔時の直径は約24μm)として、高表面エネルギー部への機能液61の滴下を行った。   As the ink jet method, a piezoelectric ink jet head is used, the drive waveform and the drive voltage are adjusted, and the average volume of the functional liquid 61 discharged from the droplet discharge nozzle 93 is about 7 pL (the diameter at the time of flight is about 24 μm). ), The functional liquid 61 was dropped onto the high surface energy part.

続いて、高表面エネルギー部40に滴下された機能液61を100℃のオーブンで乾燥・固化させ、積層構造体を作製した。   Subsequently, the functional liquid 61 dropped on the high surface energy part 40 was dried and solidified in an oven at 100 ° C. to produce a laminated structure.

表1に、作製した積層構造体を金属顕微鏡で観察し、導電層71がどのように形成されているかを評価した結果を示す。表1より、高表面エネルギー部40のみに安定して導電層71を形成するためには、前記濡れ性変化層30の低表面エネルギー部50に対する機能液61の接触角が30°以上、前記濡れ性変化層30の高表面エネルギー部40に対する機能液61の接触角が10°以下であり、また機能液61の飛翔時の直径が高表面エネルギー部40の幅以下であればよいことがわかった。
すなわち、濡れ性変化層30の低表面エネルギー部50、高表面エネルギー部40に対する機能液61の接触角と、高表面エネルギー部40の幅に応じて機能液61の液滴の体積を調整することで、確実に高表面エネルギー部40上にのみに導電層71を形成することができる。また許容範囲内で機能液61の液滴の体積をより大きくした場合に、より少ない滴下機能液数で導電層71が形成できるため、結果として吐出ヘッドへ要求される周波数性能が緩和され、より高いスループットで導電層が形成可能となる。
Table 1 shows the results of evaluating how the conductive layer 71 is formed by observing the produced laminated structure with a metal microscope. From Table 1, in order to stably form the conductive layer 71 only on the high surface energy part 40, the contact angle of the functional liquid 61 with respect to the low surface energy part 50 of the wettability changing layer 30 is 30 ° or more, It was found that the contact angle of the functional liquid 61 with respect to the high surface energy part 40 of the property change layer 30 is 10 ° or less, and the diameter when the functional liquid 61 flies is equal to or less than the width of the high surface energy part 40. .
That is, the volume of the droplet of the functional liquid 61 is adjusted according to the contact angle of the functional liquid 61 with respect to the low surface energy part 50 and the high surface energy part 40 of the wettability changing layer 30 and the width of the high surface energy part 40. Thus, the conductive layer 71 can be reliably formed only on the high surface energy part 40. Further, when the volume of the functional liquid 61 droplet is increased within an allowable range, the conductive layer 71 can be formed with a smaller number of dropped functional liquids. As a result, the frequency performance required for the ejection head is alleviated. A conductive layer can be formed with high throughput.

(実施例1)
実施例1は、図19に示すアクティブマトリクス基板の作製方法に関する。図19の(a)はアクティブマトリクス基板の上面図、(b)は(a)の矢視A−A’から見た断面図である。
アクティブマトリクス基板は、ゲート電極210、ゲート絶縁層220、ソース電極230、ドレイン電極240、保持容量電極250及び半導体層260を含むトランジスタ270と、ゲート電極210から一方向に延設されたゲート信号線280と、ソース電極230から、ゲート信号線280の延設方向に対して略直交する方向に延設されたソース信号線290と、保持容量電極250から、ゲート信号線280又はソース信号線290の延設方向に対して略平行に延設された共通信号線300と、を備える。なお、図19では、ソース信号線290が、ソース電極230の機能を兼ねている。
Example 1
Example 1 relates to a method of manufacturing the active matrix substrate shown in FIG. FIG. 19A is a top view of the active matrix substrate, and FIG. 19B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG.
The active matrix substrate includes a gate electrode 210, a gate insulating layer 220, a source electrode 230, a drain electrode 240, a storage capacitor electrode 250, a transistor 270 including a semiconductor layer 260, and a gate signal line extending in one direction from the gate electrode 210. 280, a source signal line 290 extending from the source electrode 230 in a direction substantially orthogonal to the extending direction of the gate signal line 280, and the storage capacitor electrode 250 from the gate signal line 280 or the source signal line 290. A common signal line 300 extending substantially parallel to the extending direction. In FIG. 19, the source signal line 290 also functions as the source electrode 230.

本実施例のアクティブマトリクス基板は、その特徴的な構成として、本発明の積層構造体を有し、その積層構造体の導電層71は、ソース電極230、ドレイン電極240、ソース信号線290を構成している。なお、図19には、アクティブマトリクス基板の4画素の構成例を示すが、実際には、画素が縦200画素、横200画素からなる、計40000画素がマトリクス状に並設されている。また、画素サイズは、150PPIに相当し約169μmである。またソース電極230の線幅は35μm、ソース電極230とドレイン電極240の間隔として表現されるチャネル長は5μmとしている。   The active matrix substrate of this embodiment has the stacked structure of the present invention as a characteristic configuration, and the conductive layer 71 of the stacked structure forms a source electrode 230, a drain electrode 240, and a source signal line 290. is doing. FIG. 19 shows a configuration example of four pixels of the active matrix substrate. Actually, a total of 40000 pixels, which are 200 pixels high and 200 pixels wide, are arranged in a matrix. The pixel size corresponds to 150 PPI and is about 169 μm. The line width of the source electrode 230 is 35 μm, and the channel length expressed as the distance between the source electrode 230 and the drain electrode 240 is 5 μm.

以下、アクティブマトリクス基板の作製方法について説明するが、ポリイミド材料及び機能液61については、試験例1と同一のものを用いたので、説明を省略する。
(S31) はじめにフォトリソグラフィー法を用いて、ガラス基板20上にゲート電極210、保持容量電極250、ゲート信号線280、および共通信号線300を作製した。
(S32) 次に、ポリイミド材料を含有するNMP溶液を、スピンコート法でガラス基板20上に塗布し、100℃のオーブンで前焼成を行った後、300℃のオーブンで熱処理を加えて濡れ性変化層30を形成した。
(S33) その後、所定のパターンを有するフォトマスク91を用いて、紫外線92を濡れ性変化層30上の一部へ露光させ、濡れ性変化層30上に高表面エネルギー部40と低表面エネルギー部50とからなるパターンを形成した。
(S34) 次に、図5に示すインクジェット装置100を用いて、インクジェット法により機能液61を、高表面エネルギー部40へ選択的に滴下した。このとき、液滴吐出ヘッド103は384個の吐出ノズル93がノズル間隔150PPIで配列されており、アクティブマトリクス基板の画素ピッチと同一としている。また、ステージ速度を500mm/sとしてY軸方向駆動機構105を制御している。
なお、液滴法を用いて測定した機能液61の低表面エネルギー部50に対する接触角および高表面エネルギー部40に対する接触角は、それぞれ30°、10°であった。また液滴吐出ノズル93から吐出される機能液61の平均体積は20pL(飛翔時の直径は約34μm)とした。
Hereinafter, a method for manufacturing the active matrix substrate will be described. However, the polyimide material and the functional liquid 61 are the same as those used in Test Example 1, and thus the description thereof is omitted.
(S31) First, the gate electrode 210, the storage capacitor electrode 250, the gate signal line 280, and the common signal line 300 were formed on the glass substrate 20 by using a photolithography method.
(S32) Next, an NMP solution containing a polyimide material is applied onto the glass substrate 20 by spin coating, pre-baked in an oven at 100 ° C., and then subjected to heat treatment in an oven at 300 ° C. to wettability. A change layer 30 was formed.
(S33) Then, the photomask 91 having a predetermined pattern is used to expose part of the ultraviolet rays 92 on the wettability changing layer 30, and the high surface energy part 40 and the low surface energy part are formed on the wettability changing layer 30. A pattern consisting of 50 was formed.
(S34) Next, using the inkjet apparatus 100 shown in FIG. 5, the functional liquid 61 was selectively dropped onto the high surface energy part 40 by the inkjet method. At this time, the droplet discharge head 103 has 384 discharge nozzles 93 arranged at a nozzle interval of 150 PPI, which is the same as the pixel pitch of the active matrix substrate. Further, the Y-axis direction drive mechanism 105 is controlled at a stage speed of 500 mm / s.
In addition, the contact angle with respect to the low surface energy part 50 of the functional liquid 61 and the contact angle with respect to the high surface energy part 40 which were measured using the droplet method were 30 degrees and 10 degrees, respectively. The average volume of the functional liquid 61 discharged from the droplet discharge nozzle 93 was 20 pL (the diameter during flight was about 34 μm).

図20には、本実施例(ステップS34)においてソース電極230、ドレイン電極240、ソース信号線290を形成する際の、高表面エネルギー部40に対する機能液61の滴下位置とノズル位置との関係図を示す。
アクティブマトリクス基板のソース信号線290の延在方向に直交する方向(X軸方向)に、液滴吐出ヘッド103の液滴吐出ノズル93としてのノズル1、ノズル2が配置されており、またソース信号線290の延在方向と副走査方向(Y軸方向)が一致しているため、2回の副走査で積層構造体を形成することが可能になる。さらに1画素ごとのソース電極230、ドレイン電極240のどちらに対しても1滴ずつの機能液(液滴d)しか滴下していない。
FIG. 20 is a relationship diagram between the dropping position of the functional liquid 61 and the nozzle position with respect to the high surface energy portion 40 when the source electrode 230, the drain electrode 240, and the source signal line 290 are formed in the present embodiment (step S34). Indicates.
The nozzles 1 and 2 as the droplet discharge nozzles 93 of the droplet discharge head 103 are arranged in a direction (X-axis direction) orthogonal to the extending direction of the source signal lines 290 of the active matrix substrate, and the source signal Since the extending direction of the line 290 and the sub-scanning direction (Y-axis direction) coincide with each other, it is possible to form a laminated structure by two sub-scans. Furthermore, only one functional liquid (droplet d) is dropped on both the source electrode 230 and the drain electrode 240 for each pixel.

このような吐出制御を行う場合、機能液61の吐出位置間隔は画素ピッチの169μmであることから、ステージ速度500mm/sで走査した場合においても、液滴吐出ヘッド103に要求される周波数は3kHz程度であり、また一定周期で液滴吐出ヘッド103を駆動させる事から非常に安定した吐出状態を維持することが可能であった。また1回の副走査に要する時間は1秒以下であり、非常に高いスループットを実現することができた。   When performing such discharge control, the discharge position interval of the functional liquid 61 is 169 μm of the pixel pitch, and therefore the frequency required for the droplet discharge head 103 is 3 kHz even when scanning at a stage speed of 500 mm / s. In addition, since the droplet discharge head 103 is driven at a constant cycle, it was possible to maintain a very stable discharge state. In addition, the time required for one sub-scan was 1 second or less, and a very high throughput could be realized.

(S35) 機能液61の滴下後、熱処理してソース電極230及びドレイン電極240、並びにソース信号線290を形成した。
(S36) 次に、下記式(II)に示すようなスキームより合成した有機半導体なる重合体をトルエンに溶解した溶液をインクジェット法にて塗布して半導体層260を形成し、アクティブマトリクス基板を作製した。
(S35) After the functional liquid 61 was dropped, the heat treatment was performed to form the source electrode 230, the drain electrode 240, and the source signal line 290.
(S36) Next, a solution obtained by dissolving an organic semiconductor polymer synthesized by a scheme as shown in the following formula (II) in toluene is applied by an inkjet method to form a semiconductor layer 260, and an active matrix substrate is manufactured. did.

このように本発命のアクティブマトリクス基板の製造方法を用いれば、線幅35μmやチャネル長5μmといった微細な電極を高いスループットかつ安定して形成することができる。   As described above, by using the present active matrix substrate manufacturing method, fine electrodes having a line width of 35 μm and a channel length of 5 μm can be stably formed with high throughput.

(実施例2)
実施例2では、実施例1で作製したアクティブマトリクス基板に、画像表示素子として電気泳動素子を貼り合わせて、図17に示すような画像表示装置を作製した。電気泳動素子は、酸化チタン粒子オイルブルーで着色したアイソパーを内包するマイクロカプセルをPVA水溶液に混合して、ITO(酸化インジウムスズ)からなる透明電極を形成したポリカーボネート基板上に塗布して、マイクロカプセルとPVAバインダーからなる層を形成した。この基板と前記アクティブマトリクス基板を積層して画像表示装置を形成して動作させたところ、コントラストの高い画像を表示することができた。また150PPIと高精細なアクティブマトリクス基板を用いたことで、10pt文字を明瞭に表示することができた。
(Example 2)
In Example 2, an electrophoretic element as an image display element was bonded to the active matrix substrate manufactured in Example 1 to produce an image display device as shown in FIG. The electrophoretic element is obtained by mixing microcapsules encapsulating isopar colored with titanium oxide particles oil blue into a PVA aqueous solution and applying it on a polycarbonate substrate on which a transparent electrode made of ITO (indium tin oxide) is formed. And a layer made of PVA binder. When this substrate and the active matrix substrate were stacked and an image display device was formed and operated, an image with high contrast could be displayed. In addition, by using a high-definition active matrix substrate with 150 PPI, 10 pt characters could be clearly displayed.

なお、これまで本発明を図面に示した実施形態をもって説明してきたが、本発明は図面に示した実施形態に限定されるものではなく、他の実施形態、追加、変更、削除など、当業者が想到することができる範囲内で変更することができ、いずれの態様においても本発明の作用・効果を奏する限り、本発明の範囲に含まれるものである。   Although the present invention has been described with the embodiments shown in the drawings, the present invention is not limited to the embodiments shown in the drawings, and other embodiments, additions, modifications, deletions, etc. Can be changed within the range that can be conceived, and any embodiment is included in the scope of the present invention as long as the effects and advantages of the present invention are exhibited.

20 基板
30,31,32 濡れ性変化層
40,41,42 高表面エネルギー部
50,51,52 低表面エネルギー部
61 機能液
71 導電層
91 フォトマスク
92 紫外線
93 液滴吐出ノズル
100 インクジェット装置
101 定盤
102 ステージ
103 液滴吐出ヘッド(インクジェットヘッド)
104 X軸方向移動機構
105 Y軸方向移動機構
106 制御装置
107 X軸方向駆動軸
108 X軸方向駆動モータ
109 Y軸方向駆動軸
110 Y軸方向駆動モータ
210 ゲート電極
220 ゲート絶縁層
230 ソース電極
240 ドレイン電極
250 保持容量電極
260 半導体層
270 トランジスタ(TFT)
280 ゲート信号線
290 ソース信号線
300 共通信号線
400 アクティブマトリクス基板
500 画像表示装置
501 第2の基板
502 透明導電膜
550 画像表示素子
d 液滴
20 Substrate 30, 31, 32 Wetting change layer 40, 41, 42 High surface energy part 50, 51, 52 Low surface energy part 61 Functional liquid 71 Conductive layer 91 Photomask 92 Ultraviolet ray 93 Droplet discharge nozzle 100 Inkjet apparatus 101 Constant Panel 102 Stage 103 Liquid droplet ejection head (inkjet head)
104 X-axis direction moving mechanism 105 Y-axis direction moving mechanism 106 Controller 107 X-axis direction driving shaft 108 X-axis direction driving motor 109 Y-axis direction driving shaft 110 Y-axis direction driving motor 210 Gate electrode 220 Gate insulating layer 230 Source electrode 240 Drain electrode 250 Retention capacitance electrode 260 Semiconductor layer 270 Transistor (TFT)
280 Gate signal line 290 Source signal line 300 Common signal line 400 Active matrix substrate 500 Image display device 501 Second substrate 502 Transparent conductive film 550 Image display element d Droplet

特開2005−310962号公報JP-A-2005-310962

Claims (7)

エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する濡れ性変化材料を含み、少なくとも表面エネルギーの異なる2つの部位を有する濡れ性変化層と、前記濡れ性変化層における表面エネルギーの異なる2つの部位のうち、表面エネルギーの高い高表面エネルギー部上に形成された所定パターンの導電層と、を備える積層構造体の製造方法であって、
濡れ性変化材料を含む濡れ性変化層を形成する第1の工程と、
前記濡れ性変化層の一部にエネルギーを付与し、前記濡れ性変化層に表面エネルギーの低い低表面エネルギー部と表面エネルギーの高い高表面エネルギー部を形成する第2の工程と、
一方向に複数のノズルが一定のノズル間隔で配列されたインクジェットヘッドと、前記第2の工程後の基板を支持するステージと、前記インクジェットヘッドに対して前記ステージを相対的に移動させる移動機構とを備えるインクジェット装置を用いて、導電性材料を含有する機能液を前記高表面エネルギー部に選択的に滴下する第3の工程と、
前記高表面エネルギー部に滴下された機能液を乾燥させて前記高表面エネルギー部上に前記導電性材料を含む導電層を形成する第4の工程と、を有し、
前記第2の工程後の基板には、同一パターンの前記高表面エネルギー部が一定の間隔で周期的に配列されており、
前記第3の工程において、前記インクジェット装置の所定方向における前記複数のノズルの間隔を、前記高表面エネルギー部のパターン間隔と一致させることを特徴とする積層構造体の製造方法。
A wettability changing material including a wettability changing material whose surface energy is changed by the application of energy, and having at least two parts having different surface energies, and the surface energy of the two parts having different surface energies in the wettability changing layer A method of manufacturing a laminated structure comprising a conductive layer having a predetermined pattern formed on a high surface energy portion having a high level,
A first step of forming a wettability changing layer comprising a wettability changing material;
A second step of applying energy to a part of the wettability changing layer, and forming a low surface energy part having a low surface energy and a high surface energy part having a high surface energy in the wettability changing layer;
An ink jet head in which a plurality of nozzles are arranged at a constant nozzle interval in one direction; a stage that supports the substrate after the second step; and a moving mechanism that moves the stage relative to the ink jet head. A third step of selectively dropping a functional liquid containing a conductive material onto the high surface energy portion using an inkjet device comprising:
A fourth step of drying the functional liquid dropped on the high surface energy part to form a conductive layer containing the conductive material on the high surface energy part, and
On the substrate after the second step, the high surface energy portions of the same pattern are periodically arranged at regular intervals,
In the third step, a method for manufacturing a laminated structure, wherein intervals between the plurality of nozzles in a predetermined direction of the inkjet device are made to coincide with pattern intervals of the high surface energy portion.
前記第3の工程において、前記インクジェットヘッドを回転させて、前記インクジェット装置の所定方向における前記複数のノズルの間隔を調整することを特徴とする請求項1に記載の積層構造体の製造方法。   2. The method for manufacturing a laminated structure according to claim 1, wherein, in the third step, the interval between the plurality of nozzles in a predetermined direction of the inkjet apparatus is adjusted by rotating the inkjet head. 前記第3の工程において、前記インクジェット装置におけるステージの相対的な移動方向を、前記高表面エネルギー部のパターン形状としての長手方向と一致させることを特徴とする請求項1または2に記載の積層構造体の製造方法。   3. The laminated structure according to claim 1, wherein in the third step, a relative moving direction of the stage in the ink jet apparatus is made to coincide with a longitudinal direction as a pattern shape of the high surface energy portion. Body manufacturing method. 請求項1〜3いずれか一項に記載の積層構造体の製造方法を用いて製造されてなる積層構造体。   The laminated structure manufactured using the manufacturing method of the laminated structure as described in any one of Claims 1-3. 少なくとも基板と、絶縁層と、電極層と、を有する多層配線基板において、
請求項4に記載の積層構造体を有し、前記導電層は前記電極層の少なくとも一部を構成することを特徴とする多層配線基板。
In a multilayer wiring board having at least a substrate, an insulating layer, and an electrode layer,
5. A multilayer wiring board comprising the multilayer structure according to claim 4, wherein the conductive layer constitutes at least a part of the electrode layer.
ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、保持容量電極及び半導体層を含むトランジスタと、前記ゲート電極から一方向に延設されたゲート信号線と、前記ソース電極から、前記ゲート信号線の延設方向に対して略直交する方向に延設されたソース信号線と、前記保持容量電極から、前記ゲート信号線又は前記ソース信号線の延設方向に対して略平行に延設された共通信号線と、を備えるアクティブマトリクス基板において、
請求項4に記載の積層構造体を有し、
前記導電層は、前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記保持容量電極、前記ゲート信号線、前記ソース信号線及び前記共通信号線のうち、少なくともいずれか1つを構成することを特徴とするアクティブマトリクス基板。
A transistor including a gate electrode, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode, a storage capacitor electrode, and a semiconductor layer; a gate signal line extending in one direction from the gate electrode; and A source signal line extending in a direction substantially orthogonal to the extending direction, and a common signal line extending substantially parallel to the extending direction of the gate signal line or the source signal line from the storage capacitor electrode. In an active matrix substrate comprising a communication line,
The laminate structure according to claim 4,
The conductive layer constitutes at least one of the gate electrode, the source electrode, the drain electrode, the storage capacitor electrode, the gate signal line, the source signal line, and the common signal line. An active matrix substrate.
画像表示素子と、請求項6に記載されたアクティブマトリクス基板と、を備えることを特徴とする画像表示装置。   An image display device comprising: an image display element; and the active matrix substrate according to claim 6.
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