JP2012117052A - Insulating resin composition for multilayer wiring board, and multilayer wiring board including the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an insulating resin for a multilayer wiring board, and a multilayer wiring board including the insulating resin for a multilayer wiring board.SOLUTION: An insulating resin composition for a multilayer wiring board includes: a polymer resin; and oxidized graphene dispersed in a cured product of the polymer resin. A multilayer wiring board including an insulating resin composition for a multilayer wiring board exhibits outstanding mechanical characteristics and outstanding reliability.

Description

本発明は、多層配線基板用絶縁樹脂組成物及びこれを含む多層配線基板に関するものであって、より詳細には、機械的特性及び信頼性に優れた多層配線基板用絶縁樹脂組成物及びこれを含む多層配線基板に関する。   The present invention relates to an insulating resin composition for a multilayer wiring board and a multilayer wiring board including the same, and more specifically, an insulating resin composition for a multilayer wiring board excellent in mechanical characteristics and reliability, and the same. It is related with the multilayer wiring board containing.

一般的に、プリント回路基板(Printed Circuit Board;PCB)又は多層配線基板とは、集積回路、抵抗器又はスイッチ等の電気的部品等が実装される薄板であって、各種電子機器、電子通信機器、携帯電話、ノート型パソコン等、用途に応じて多様な形態に製造されており、製造方式も多様化している。   In general, a printed circuit board (PCB) or a multilayer wiring board is a thin plate on which electrical components such as an integrated circuit, a resistor, or a switch are mounted, and includes various electronic devices and electronic communication devices. Mobile phones, notebook computers, etc. are manufactured in various forms depending on the application, and manufacturing methods are diversified.

最近、電子製品の小型化、薄板化、高密度化、パッケージ(package)化の傾向により、プリント回路基板(Printed Circuit Board)も微細パターン(fine pattern)化、小型化及びパッケージ化が進んでいる。プリント回路基板の微細パターンの形成、信頼性及び設計密度の向上のために、原資材の変更とともに回路の層構成を複合化する構造に変化している。   Recently, printed circuit boards are becoming finer, smaller, and more packaged due to the trend toward smaller, thinner, higher density, and packaged electronic products. . In order to form a fine pattern on a printed circuit board, improve reliability, and improve design density, it has been changed to a structure in which circuit layer configurations are combined with changes in raw materials.

一般的に、プリント回路基板の絶縁層として、高分子材料にガラス繊維が含浸された半硬化(B−Stage)状のプリプレグ(Prepreg)が用いられている。プリプレグは、ガラス繊維が含浸されているため、機械的強度に優れ、熱膨張係数(CTE)が低いという長所がある。しかし、プリント回路基板に貫通孔やレーザーを用いてマイクロビアを加工しメッキする過程で、ガラス繊維の残査(Debris)により貫通孔やマイクロビアの内部に粗さ(Roughness)が形成され、これによって非メッキやメッキの浮き等の問題が生じ得る。また、ガラス繊維同士が交差する地点と交差しない地点で段差が発生し微細回路の加工が困難になり、局部的な誘電定数(Dielectric Constant)の値が相違するため高速(High Speed)デバイスを具現することが困難であるという問題がある。   Generally, a semi-cured (B-Stage) prepreg in which a polymer material is impregnated with glass fibers is used as an insulating layer of a printed circuit board. Since the prepreg is impregnated with glass fibers, it has excellent mechanical strength and low coefficient of thermal expansion (CTE). However, in the process of processing and plating micro vias on a printed circuit board using a through hole or a laser, roughness (Roughness) is formed inside the through hole or micro via due to the glass fiber residue (Debris). Can cause problems such as non-plating and floating of plating. In addition, a step occurs at a point where the glass fibers cross each other and a point where the glass fibers do not cross, making it difficult to process a fine circuit, and a local dielectric constant (Dielectric Constant) value is different, thereby realizing a high speed device. There is a problem that it is difficult to do.

最近では、プリント回路基板の絶縁層として、ガラス繊維が含浸されない高分子材料が用いられている。このような高分子材料は、一般的に、高分子樹脂、フィラー、硬化剤(Hardner)、各種の添加剤等を混合し、キャスティング等の方法によってフィルム状に製造される。このような高分子材料は、ガラス繊維がないため微細回路パターンの形成が可能であり、均一な誘電定数を示し、高速デバイスに適するという長所がある。しかし、機械的強度が弱く、熱膨張係数が大きく、かつ偏差が大きいため、信頼性が低下するという問題がある。   Recently, a polymer material that is not impregnated with glass fiber is used as an insulating layer of a printed circuit board. Such a polymer material is generally produced into a film by a method such as casting by mixing a polymer resin, a filler, a curing agent (Hardner), various additives, and the like. Such a polymer material has an advantage that it can form a fine circuit pattern because it has no glass fiber, exhibits a uniform dielectric constant, and is suitable for a high-speed device. However, since the mechanical strength is weak, the thermal expansion coefficient is large, and the deviation is large, there is a problem that reliability is lowered.

本発明は、機械的特性及び信頼性に優れた多層配線基板用絶縁樹脂組成物及びこれを含む多層配線基板を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the insulating resin composition for multilayer wiring boards excellent in mechanical characteristics and reliability, and a multilayer wiring board containing the same.

本発明の一実施形態は、高分子樹脂と、上記高分子樹脂の硬化物内に分散される酸化グラフェンとを含む多層配線基板用絶縁樹脂組成物を提供する。   One embodiment of the present invention provides an insulating resin composition for a multilayer wiring board comprising a polymer resin and graphene oxide dispersed in a cured product of the polymer resin.

上記酸化グラフェンは、表面及び端部に、ヒドロキシル基、カルボキシル基及びエポキシ基のうち少なくとも一つの官能基を有することができる。   The graphene oxide may have at least one functional group among a hydroxyl group, a carboxyl group, and an epoxy group on a surface and an end portion.

上記酸化グラフェンの酸素数に対する炭素数の比(炭素/酸素)は、1から20であることができる。   The ratio of carbon number to carbon number (carbon / oxygen) of the graphene oxide may be 1 to 20.

上記酸化グラフェンの含量は、上記高分子樹脂100重量部に対して0.05から40重量部であることができる。   The content of the graphene oxide may be 0.05 to 40 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer resin.

上記高分子樹脂は、上記酸化グラフェンとの化学結合が可能な官能基を有することができる。   The polymer resin may have a functional group capable of chemical bonding with the graphene oxide.

上記高分子樹脂と上記酸化グラフェンは、硬化反応によって共有結合することができる。   The polymer resin and the graphene oxide can be covalently bonded by a curing reaction.

上記高分子樹脂は、エポキシ樹脂であることができる。   The polymer resin may be an epoxy resin.

上記高分子樹脂は、下記式1で表される構造を有する熱硬化性液晶高分子であることができる。   The polymer resin may be a thermosetting liquid crystal polymer having a structure represented by the following formula 1.

[式1]

Figure 2012117052
[Formula 1]
Figure 2012117052

上記式において、R及びRはCH又はHであり、R及びRのうち少なくとも一つはCHであり、Arは、エステル(ester)、アミド(amide)、エステルアミド(ester amide)、エステルイミド(ester imide)、及びエーテルイミド(ether imide)からなる群より選ばれた一つ以上の構造単位を含み、分子量5,000以下である2価の芳香族有機基である。 In the above formula, R 1 and R 2 are CH 3 or H, at least one of R 1 and R 2 is CH 3 , and Ar 1 is an ester, an amide, an ester amide ( It is a divalent aromatic organic group having one or more structural units selected from the group consisting of ester amide, ester imide, and ether imide, and having a molecular weight of 5,000 or less. .

上記Arは、下記式2で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含むことができる。 Ar 1 may include one or more structural units selected from the group represented by Formula 2 below.

[式2]

Figure 2012117052
[Formula 2]
Figure 2012117052

上記式において、Ar、Ar、Ar及びArは2価の芳香族有機基であって、下記式3で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含み、Arは4価の芳香族有機基であって、下記式4で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含み、上記n、mは1から100の整数である。 In the above formula, Ar 2, Ar 4, Ar 5 and Ar 6 is a divalent aromatic organic group, include one or more structural units selected from the group represented by the following formula 3, Ar 3 is It is a tetravalent aromatic organic group, Comprising: One or more structural units chosen from the group represented by following formula 4 are included, The said n and m are integers of 1-100.

[式3]

Figure 2012117052
[Formula 3]
Figure 2012117052

[式4]

Figure 2012117052
[Formula 4]
Figure 2012117052

上記熱硬化性液晶高分子の分子量は、300から5,000であることができる。   The thermosetting liquid crystal polymer may have a molecular weight of 300 to 5,000.

本発明の他の実施形態は、複数の絶縁層が積層された基板本体と、上記絶縁層に形成された回路パターンとを含み、上記複数の絶縁層のうち少なくとも一つの絶縁層は、高分子樹脂及び上記高分子樹脂の硬化物内に分散される酸化グラフェンを含む絶縁樹脂組成物で形成される多層配線基板を提供する。   Another embodiment of the present invention includes a substrate body on which a plurality of insulating layers are stacked, and a circuit pattern formed on the insulating layer, wherein at least one of the plurality of insulating layers is a polymer. Provided is a multilayer wiring board formed of an insulating resin composition containing a resin and graphene oxide dispersed in a cured product of the polymer resin.

上記酸化グラフェンは、表面及び端部に、ヒドロキシル基、カルボキシル基及びエポキシ基のうち少なくとも一つの官能基を有することができる。   The graphene oxide may have at least one functional group among a hydroxyl group, a carboxyl group, and an epoxy group on a surface and an end portion.

上記酸化グラフェンの酸素数に対する炭素数の比(炭素/酸素)は、1から20であることができる。   The ratio of carbon number to carbon number (carbon / oxygen) of the graphene oxide may be 1 to 20.

上記絶縁樹脂組成物内の酸化グラフェンの含量は、上記高分子樹脂100重量部に対して0.05から40重量部であることができる。   The content of graphene oxide in the insulating resin composition may be 0.05 to 40 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer resin.

上記高分子樹脂は、上記酸化グラフェンとの化学結合が可能な官能基を有することができる。   The polymer resin may have a functional group capable of chemical bonding with the graphene oxide.

上記高分子樹脂と上記酸化グラフェンは、硬化反応によって共有結合することができる。   The polymer resin and the graphene oxide can be covalently bonded by a curing reaction.

上記高分子樹脂は、エポキシ樹脂であることができる。   The polymer resin may be an epoxy resin.

上記高分子樹脂は、下記式1で表される構造を有する熱硬化性液晶高分子であることができる。   The polymer resin may be a thermosetting liquid crystal polymer having a structure represented by the following formula 1.

[式1]

Figure 2012117052
[Formula 1]
Figure 2012117052

上記式において、R及びRはCH又はHであり、R及びRのうち少なくとも一つはCHであり、Arは、エステル(ester)、アミド(amide)、エステルアミド(ester amide)、エステルイミド(ester imide)、及びエーテルイミド(ether imide)からなる群より選ばれた一つ以上の構造単位を含み、分子量5,000以下である2価の芳香族有機基である。 In the above formula, R 1 and R 2 are CH 3 or H, at least one of R 1 and R 2 is CH 3 , and Ar 1 is an ester, an amide, an ester amide ( It is a divalent aromatic organic group having one or more structural units selected from the group consisting of ester amide, ester imide, and ether imide, and having a molecular weight of 5,000 or less. .

上記Arは、下記式2で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含むことができる。 Ar 1 may include one or more structural units selected from the group represented by Formula 2 below.

[式2]

Figure 2012117052
[Formula 2]
Figure 2012117052

上記式において、Ar、Ar、Ar及びArは2価の芳香族有機基であって、下記式3で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含み、Arは4価の芳香族有機基であって、下記式4で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含み、上記n、mは1から100の整数である。 In the above formula, Ar 2, Ar 4, Ar 5 and Ar 6 is a divalent aromatic organic group, include one or more structural units selected from the group represented by the following formula 3, Ar 3 is It is a tetravalent aromatic organic group, Comprising: One or more structural units chosen from the group represented by following formula 4 are included, The said n and m are integers of 1-100.

[式3]

Figure 2012117052
[Formula 3]
Figure 2012117052

[式4]

Figure 2012117052
[Formula 4]
Figure 2012117052

上記熱硬化性液晶高分子の分子量は、300から5,000であることができる。   The thermosetting liquid crystal polymer may have a molecular weight of 300 to 5,000.

本発明の一実施形態による多層配線基板用絶縁樹脂組成物は、高分子樹脂と、上記高分子樹脂の硬化物内に分散される酸化グラフェンとを含むものであって、熱膨張係数が小さく、機械的強度に優れた特徴を有する。   An insulating resin composition for a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention includes a polymer resin and graphene oxide dispersed in a cured product of the polymer resin, and has a small thermal expansion coefficient. It has excellent mechanical strength.

本発明の一実施形態による絶縁樹脂組成物で形成される絶縁層を含む多層配線基板は、高分子樹脂と酸化グラフェンとの混合により熱膨張係数が低いという特性を有する。また、酸化グラフェンの添加により機械的強度が向上するという特徴を有する。   A multilayer wiring board including an insulating layer formed of an insulating resin composition according to an embodiment of the present invention has a characteristic that a thermal expansion coefficient is low due to mixing of a polymer resin and graphene oxide. In addition, the mechanical strength is improved by the addition of graphene oxide.

また、本発明による絶縁層は、高分子樹脂の硬化物内に酸化グラフェンが分散されたり、高分子樹脂と酸化グラフェンが化学結合し、複合体を形成することができる。これによって、メッキによる回路パターンの形成、及びレーザー等によるビア孔の加工性が向上し、高密度パターンを形成することができる。また、酸化グラフェンがうまく分散され、多層配線基板内の誘電定数の値が均一になり、高速デバイスを具現することができる。   In the insulating layer according to the present invention, graphene oxide can be dispersed in a cured polymer resin, or a polymer resin and graphene oxide can be chemically bonded to form a composite. As a result, the formation of a circuit pattern by plating and the processability of via holes by a laser or the like are improved, and a high-density pattern can be formed. Further, graphene oxide is well dispersed, the dielectric constant value in the multilayer wiring board becomes uniform, and a high-speed device can be realized.

本発明の一実施形態による多層配線基板を概略的に示す断面図である。1 is a cross-sectional view schematically showing a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態による酸化グラフェン構造の一部を概略的に図示したものである。1 schematically illustrates a portion of a graphene oxide structure according to an embodiment of the present invention.

発明を実施するための具体的な内容Specific contents for carrying out the invention

以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。但し、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下に説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及び大きさ等はより明確な説明のために誇張されることがあり、図面上において同一の符号で表される要素は同一の要素である。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the embodiment of the present invention can be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiment described below. Also, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for a clearer description, and elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements.

図1は、本発明の一実施形態による多層配線基板を概略的に示す断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention.

図1を参照すると、本実施形態による多層配線基板は、複数の絶縁層11、12、13が積層された基板本体と、上記各絶縁層に形成された回路パターン21とを含む。   Referring to FIG. 1, the multilayer wiring board according to the present embodiment includes a substrate body on which a plurality of insulating layers 11, 12, and 13 are stacked, and a circuit pattern 21 formed on each of the insulating layers.

より具体的に、第1絶縁層11と第1絶縁層11の上面及び下面に、それぞれ第2絶縁層12及び第3絶縁層13が積層され基板本体を形成する。また、第1乃至第3絶縁層11、12、13には、各層に形成された回路パターンを連結するビア電極22、23が形成されている。   More specifically, the second insulating layer 12 and the third insulating layer 13 are laminated on the upper surface and the lower surface of the first insulating layer 11 and the first insulating layer 11 to form a substrate body. In addition, via electrodes 22 and 23 that connect circuit patterns formed in the respective layers are formed in the first to third insulating layers 11, 12, and 13.

本実施形態では、4層構造の多層配線基板を図示しているが、これに制限されず、積層される絶縁層及び形成される回路パターンによって単層又は2層以上の多層配線基板であることができる。   In the present embodiment, a multilayer wiring board having a four-layer structure is illustrated. Can do.

上記基板本体を形成する絶縁層のうち少なくとも一つの絶縁層は、本発明の一実施形態による絶縁樹脂組成物で形成されることができる。   At least one insulating layer among the insulating layers forming the substrate body may be formed of an insulating resin composition according to an embodiment of the present invention.

多層配線基板は、多層の回路パターンと上記回路パターンを絶縁する絶縁層で形成される。多層配線基板は、回路を構成する伝導性材料と回路パターンを絶縁する絶縁材料との間に熱膨張係数(CTE:Coefficient of Thermal Expansion)の差が小さいほど優れた信頼性を有することができる。   The multilayer wiring board is formed of a multilayer circuit pattern and an insulating layer that insulates the circuit pattern. The multilayer wiring board can have more excellent reliability as the difference in coefficient of thermal expansion (CTE) between the conductive material constituting the circuit and the insulating material that insulates the circuit pattern is smaller.

本発明の一実施形態による絶縁樹脂組成物は、高分子樹脂及び上記高分子樹脂の硬化物内に分散される酸化グラフェンを含むものであって、熱膨張係数が小さく、機械的強度に優れた特徴を有する。   An insulating resin composition according to an embodiment of the present invention includes a polymer resin and graphene oxide dispersed in a cured product of the polymer resin, and has a low thermal expansion coefficient and excellent mechanical strength. Has characteristics.

以下、本発明の一実施形態による多層配線基板用絶縁樹脂組成物の構成成分とこれによる特性をより具体的に説明する。   Hereinafter, the components of the insulating resin composition for a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention and the characteristics thereof will be described more specifically.

本発明の一実施形態による多層配線基板用絶縁樹脂組成物は、高分子樹脂及び上記高分子樹脂の硬化物内に分散される酸化グラフェン(Graphene Oxide,GO)を含む。   An insulating resin composition for a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention includes a polymer resin and graphene oxide (GO) dispersed in a cured product of the polymer resin.

酸化グラフェンは、黒鉛(Graphite)の酸化により形成されることができる。黒鉛は炭素原子が六角環で連結された板状構造であるグラフェン(graphene)が重なっている層状構造を有する。一般的に、層間の距離は、3.35Å(0.335nm)である。グラフェンは、カーボンナノチューブを平板状に広げた構造であるため、カーボンナノチューブに相当する高い伝導度を有し、機械的物性に優れた特徴を有する。   Graphene oxide can be formed by oxidation of graphite. Graphite has a layered structure in which graphene, which is a plate-like structure in which carbon atoms are connected by a hexagonal ring, is overlapped. In general, the distance between layers is 3.35 mm (0.335 nm). Since graphene has a structure in which carbon nanotubes are spread in a flat plate shape, it has a high conductivity equivalent to that of carbon nanotubes and has excellent mechanical properties.

黒鉛粉末を酸化させると、黒鉛の各層が酸化し、層状構造が維持された状態で、ヒドロキシル基、カルボキシル基、エポキシ基等が付着された酸化グラフェン粉末が得られる。   When the graphite powder is oxidized, each layer of graphite is oxidized, and a graphene oxide powder to which a hydroxyl group, a carboxyl group, an epoxy group, etc. are attached is obtained in a state where the layered structure is maintained.

酸化グラフェン粉末は、黒鉛粉末を酸化剤により酸化させたり、電気化学的方法により酸化させて製造することができる。   The graphene oxide powder can be produced by oxidizing graphite powder with an oxidizing agent or oxidizing it with an electrochemical method.

上記酸化剤は、これに制限されないが、例えば、硝酸、NaClO、KMnO等があり、これらを単独又は2種以上混合して使用することができる。 The oxidizing agent include, but are not limited to, for example, nitric acid, there is NaClO 3, KMnO 4 and the like, can be used as a mixture thereof alone or in combination.

本実施形態における酸化グラフェンは、高分子樹脂の絶縁特性を悪化させないように十分酸化されたものが好ましい。酸化グラフェンは、十分酸化され、電気伝導度の特性を殆ど示さないか、完全に失ったものが好ましい。酸化グラフェンの酸素数に対する炭素数の比(炭素/酸素)は、酸化程度によって異なることができ、例えば、1から20であることができる。   The graphene oxide in the present embodiment is preferably sufficiently oxidized so as not to deteriorate the insulating properties of the polymer resin. The graphene oxide is preferably oxidized sufficiently and exhibits little or no electrical conductivity. The ratio of carbon number to carbon number (carbon / oxygen) in graphene oxide can vary depending on the degree of oxidation, and can be, for example, 1 to 20.

図2は、本発明の一実施形態による酸化グラフェン構造の一部を概略的に図示したものである。   FIG. 2 schematically illustrates a part of a graphene oxide structure according to an embodiment of the present invention.

図2を参照すると、酸化グラフェンは、表面と端部に、ヒドロキシル基、カルボキシル基、エポキシ基等の多数の官能基を含んでいる。官能基の種類及び数は、酸化グラフェンの酸化方法又は酸化程度によって異なることができる。   Referring to FIG. 2, graphene oxide includes a large number of functional groups such as a hydroxyl group, a carboxyl group, and an epoxy group on the surface and end portions. The kind and number of functional groups may vary depending on the oxidation method or the degree of oxidation of graphene oxide.

酸化グラフェンは、高分子樹脂の硬化物内に、物理的に分散されることができ、上記官能基により高分子樹脂との化学結合を形成することができる。官能基を有する酸化グラフェンは、高分子樹脂との硬化反応により共有結合を形成することができ、これによって、高分子樹脂と有機的に連結された複合体になることができる。   Graphene oxide can be physically dispersed in a cured product of the polymer resin, and can form a chemical bond with the polymer resin by the functional group. The graphene oxide having a functional group can form a covalent bond by a curing reaction with a polymer resin, whereby a composite organically linked to the polymer resin can be obtained.

より具体的に、高分子樹脂を含む絶縁樹脂組成物に、酸化グラフェンを入れ硬化反応を行うと、高分子樹脂と酸化グラフェンとの間の硬化反応と、酸化グラフェン間の硬化反応が行われることができる。これによって、高分子樹脂と酸化グラフェンが網状構造を成す硬化物が形成されることができる。   More specifically, when graphene oxide is added to an insulating resin composition containing a polymer resin and a curing reaction is performed, a curing reaction between the polymer resin and graphene oxide and a curing reaction between graphene oxide are performed. Can do. Accordingly, a cured product in which a polymer resin and graphene oxide form a network structure can be formed.

酸化グラフェンは、熱膨張係数が低く、機械的特性に優れた特徴を有する。高分子樹脂の機械的強度を向上させるため、一般的に添加されるシリカ等の無機フィラーより少量添加しても、高分子樹脂の特性を向上させることができる。   Graphene oxide has a low thermal expansion coefficient and excellent mechanical properties. In order to improve the mechanical strength of the polymer resin, the properties of the polymer resin can be improved even if it is added in a smaller amount than the generally added inorganic filler such as silica.

上記酸化グラフェンの含量は、高分子重合体100重量部に対して0.05から40重量部であることができる。上記含量が0.05重量部未満であれば、絶縁樹脂組成物の熱膨張係数が増加する恐れがあり、上記含量が40重量部を超えると、絶縁樹脂組成物の加工性が低下する恐れがある。   The content of the graphene oxide may be 0.05 to 40 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer. If the content is less than 0.05 parts by weight, the thermal expansion coefficient of the insulating resin composition may increase. If the content exceeds 40 parts by weight, the processability of the insulating resin composition may be reduced. is there.

上記高分子樹脂は、多層配線基板の絶縁材料として使用されるものであれば、特に制限されない。好ましくは、酸化グラフェンの官能基との化学反応を行うことができる熱硬化高分子樹脂を使用することができる。これに制限されないが、例えば、エポキシ樹脂を使用することができる。   The polymer resin is not particularly limited as long as it is used as an insulating material for a multilayer wiring board. Preferably, a thermosetting polymer resin capable of performing a chemical reaction with the functional group of graphene oxide can be used. Although not limited thereto, for example, an epoxy resin can be used.

上記エポキシ樹脂は、特に制限されないが、例えばビスフェノールA型エポキシ樹脂、ナフタレン変性エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂等があり、これらを単独又は2種以上混合して使用することができる。   The epoxy resin is not particularly limited, and examples thereof include bisphenol A type epoxy resin, naphthalene modified epoxy resin, cresol novolac epoxy resin, rubber modified epoxy resin and the like, and these can be used alone or in combination of two or more. .

上記ナフタレン変形エポキシ樹脂は、平均エポキシ当量が100から600であることができる。   The naphthalene modified epoxy resin may have an average epoxy equivalent of 100 to 600.

上記クレゾールノボラックエポキシ樹脂は、平均エポキシ当量が300から600であることができる。上記クレゾールノボラックエポキシ樹脂は、ノボラック状のエポキシ樹脂であって、これを用いる場合、耐熱性の高いエポキシ硬化物を得ることができる。   The cresol novolac epoxy resin may have an average epoxy equivalent of 300 to 600. The cresol novolac epoxy resin is a novolak epoxy resin, and when this is used, an epoxy cured product having high heat resistance can be obtained.

上記ゴム変性エポキシ樹脂は、平均エポキシ当量が100から500であることができる。   The rubber-modified epoxy resin may have an average epoxy equivalent of 100 to 500.

また、本発明の一実施形態によると、上記高分子樹脂として下記式で表される構造を有する熱硬化性液晶高分子(Liquid Crystal Thermoset,LCT)を使用することができる。上記熱硬化性液晶高分子は、多様な種類の官能基を有するArの両末端が、少なくとも1つ以上のメチル基を有するマレイミドで封鎖されている。 In addition, according to an embodiment of the present invention, a thermosetting liquid crystal polymer (Liquid Crystal Thermoset, LCT) having a structure represented by the following formula can be used as the polymer resin. In the thermosetting liquid crystal polymer, both ends of Ar 1 having various types of functional groups are blocked with maleimide having at least one methyl group.

[式1]

Figure 2012117052
[Formula 1]
Figure 2012117052

上記式において、R及びRはCH又はHであり、R及びRのうち少なくとも一つはCHであり、Arは、エステル(ester)、アミド(amide)、エステルアミド(ester amide)、エステルイミド(ester imide)、及びエーテルイミド(ether imide)からなる群より選ばれた一つ以上の構造単位を含み、分子量5,000以下である2価の芳香族有機基である。 In the above formula, R 1 and R 2 are CH 3 or H, at least one of R 1 and R 2 is CH 3 , and Ar 1 is an ester, an amide, an ester amide ( It is a divalent aromatic organic group having one or more structural units selected from the group consisting of ester amide, ester imide, and ether imide, and having a molecular weight of 5,000 or less. .

上記式1におけるArは、下記式2で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含むことができる。 Ar 1 in the above formula 1 may include one or more structural units selected from the group represented by the following formula 2.

[式2]

Figure 2012117052
[Formula 2]
Figure 2012117052

上記式において、Ar、Ar、Ar及びArは2価の芳香族有機基であって、下記式3で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含み、Arは4価の芳香族有機基であって、下記式4で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含み、上記n、mは1から100の整数である。 In the above formula, Ar 2, Ar 4, Ar 5 and Ar 6 is a divalent aromatic organic group, include one or more structural units selected from the group represented by the following formula 3, Ar 3 is It is a tetravalent aromatic organic group, Comprising: One or more structural units chosen from the group represented by following formula 4 are included, The said n and m are integers of 1-100.

[式3]

Figure 2012117052
[Formula 3]
Figure 2012117052

[式4]

Figure 2012117052
[Formula 4]
Figure 2012117052

上記熱硬化性液晶高分子の分子量は、300から5,000であることができる。上記熱硬化性液晶高分子の分子量が300未満である場合には、架橋密度が高くなり脆性が弱くなる恐れがあり、上記分子量が5,000を超える場合には、高分子の粘度が高くなりグラフェンとの混合が困難になる恐れがある。   The thermosetting liquid crystal polymer may have a molecular weight of 300 to 5,000. When the molecular weight of the thermosetting liquid crystal polymer is less than 300, the crosslinking density is high and the brittleness may be weakened. When the molecular weight exceeds 5,000, the viscosity of the polymer is high. Mixing with graphene may be difficult.

上記熱硬化性液晶高分子のメソゲン(mesogen)は、アミドエステル構造が好ましい。このため、使用可能なモノマーとして、芳香族ジカルボン酸、芳香族ジアミン、ジヒドロキシベンゼン、ヒドロキシ安息香酸、アミノ安息香酸等を挙げることができる。上記熱硬化性液晶高分子におけるアミド官能基は、溶媒に対する溶解度を高めると、芳香族構造、特にビフェニル又はナフタレン構造は、液晶を形成するのに好ましい。   The mesogen of the thermosetting liquid crystal polymer preferably has an amide ester structure. For this reason, aromatic dicarboxylic acid, aromatic diamine, dihydroxybenzene, hydroxybenzoic acid, aminobenzoic acid, etc. can be mentioned as usable monomers. When the amide functional group in the thermosetting liquid crystal polymer increases the solubility in a solvent, an aromatic structure, particularly a biphenyl or naphthalene structure is preferable for forming a liquid crystal.

上記熱硬化性液晶高分子は、Arの構造単位に含まれた官能基により酸化グラフェンとの化学結合を行うことができる。より具体的に、上記熱硬化性液晶高分子の重合過程におけるArの構造単位に含まれた官能基は、酸化グラフェンのカルボキシル基とエステル化反応又はアミド化反応を行うことができる。 The thermosetting liquid crystal polymer can be chemically bonded to graphene oxide by a functional group contained in the Ar 1 structural unit. More specifically, the functional group contained in the Ar 1 structural unit in the polymerization process of the thermosetting liquid crystal polymer can perform an esterification reaction or an amidation reaction with the carboxyl group of graphene oxide.

上記熱硬化性液晶高分子は、液晶の異方性による機械的物性の弱化を防止するための溶媒キャスティング(solvent casting)のために、非プロトン性溶媒を用いることができる。上記非プロトン性溶媒の種類は特に制限されないが、例えば、N,N‐ジメチルアセトアミド、N‐メチルピロリドン(NMP)、N‐メチルカプロラクタム、N,N‐ジメチルホルムアミド、N,N‐ジエチルアセトアミド、N‐メチルプロピオンアミド、ジメチルスルホキシド、γ‐ブチルラクトン、ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチルリンアミド又は酢酸エチルセロソルブ等があり、これらは単独又は2種以上を混合して使用することができる。   For the thermosetting liquid crystal polymer, an aprotic solvent can be used for solvent casting to prevent weakening of mechanical properties due to anisotropy of liquid crystal. The type of the aprotic solvent is not particularly limited. For example, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone (NMP), N-methylcaprolactam, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylacetamide, N -Methyl propionamide, dimethyl sulfoxide, γ-butyl lactone, dimethyl imidazolidinone, tetramethyl phosphoramide, ethyl cellosolve, etc., which can be used alone or in admixture of two or more.

また、本発明の一実施形態による多層配線基板用絶縁樹脂組成物は、硬化剤を含むことができる。使用される高分子樹脂に適する硬化剤を含むことができ、高分子樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ硬化用硬化剤を含むことができる。これによって、高分子樹脂の硬化性能を向上させ、酸化グラフェンとの混合を容易にすることができる。   Moreover, the insulating resin composition for multilayer wiring boards according to an embodiment of the present invention may include a curing agent. A curing agent suitable for the polymer resin used can be included. When an epoxy resin is used as the polymer resin, a curing agent for epoxy curing can be included. Thereby, the curing performance of the polymer resin can be improved, and mixing with graphene oxide can be facilitated.

上記エポキシ硬化用硬化剤は、通常使用されるものであれば、特に制限されず、軟化点(softening point)が100から140℃であり、水酸基当量(hydroxyl equivalent)が100から150のものを使用することができる。   The curing agent for epoxy curing is not particularly limited as long as it is usually used, and one having a softening point of 100 to 140 ° C. and a hydroxyl equivalent of 100 to 150 is used. can do.

上記エポキシ硬化用硬化剤は、これに制限されないが、例えば、ビスフェノールAノボラック型硬化剤を用いることができる。水酸基当量が100から150であるビスフェノールAノボラック型硬化剤は、分子量が大きいものであって、これによって軟化点が高くなることができる。   Although the said hardening agent for epoxy hardening is not restrict | limited to this, For example, a bisphenol A novolak type hardening | curing agent can be used. The bisphenol A novolak type curing agent having a hydroxyl group equivalent of 100 to 150 has a high molecular weight, and can thereby increase the softening point.

ビスフェノールAノボラック型硬化剤は、2つの水酸基の間にビスフェノール構造が一定の繰り返し単位分だけあるものであって、水酸基当量が大きくなるとエポキシ鎖と鎖同士を連結する硬化剤の分子量が大きくなり、最終の硬化物構造の緻密さが低下する恐れがある。   The bisphenol A novolac type curing agent has a bisphenol structure for a certain number of repeating units between two hydroxyl groups, and when the hydroxyl group equivalent is increased, the molecular weight of the curing agent that links the epoxy chains to each other increases. There is a risk that the final hardened structure will be less dense.

上記硬化剤の含量は、高分子樹脂100重量部に対して5から20重量部であることができる。上記範囲内で目的とする物性の発現が容易で、かつ反応性に優れた特性を表すことができる。   The content of the curing agent may be 5 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer resin. Within the above range, the desired physical properties can be easily expressed, and the properties excellent in reactivity can be expressed.

また、本発明の一実施形態による多層配線基板用絶縁樹脂組成物は、硬化促進剤をさらに含むことができる。   In addition, the insulating resin composition for a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention may further include a curing accelerator.

上記硬化促進剤は、イミダゾール系化合物を使用することができる。これに制限されないが、例えば、2‐エチル‐4‐メチルイミダゾール、1‐(‐2‐シアノエチル)‐2‐アルキルイミダゾール又は2‐フェニルイミダゾールがあり、これらを一つ以上混合して使用することができる。   As the curing accelerator, an imidazole compound can be used. Although not limited thereto, for example, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-(-2-cyanoethyl) -2-alkylimidazole or 2-phenylimidazole may be used, and one or more of these may be used in combination. it can.

上記硬化促進剤の含量は、上記高分子樹脂100重量部に対して0.1から1重量部であることができる。   The content of the curing accelerator may be 0.1 to 1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer resin.

上記硬化促進剤の含量が0.1重量部未満であれば、硬化速度が遅くなったり未硬化が起こる恐れがあり、1重量部を超えると、硬化速度が速くなり、再現性のある硬化度を得ることが困難となる可能性がある。   If the content of the curing accelerator is less than 0.1 parts by weight, the curing rate may be slow or uncured, and if it exceeds 1 part by weight, the curing rate increases and the reproducible degree of curing. May be difficult to obtain.

また、本発明の一実施形態による多層配線基板用絶縁樹脂組成物は、必要に応じて、軟化剤、可塑剤等の添加剤を含むことができる。   Moreover, the insulating resin composition for multilayer wiring boards according to an embodiment of the present invention can contain additives such as a softening agent and a plasticizer as necessary.

多層配線基板は、電子機器に用いられる部品であり、環境変化による長期信頼性と、多層配線基板に搭載される半導体及び各種素子の駆動時に発生する瞬間的な熱及び電気ショックに対する短期信頼性が保障されなければならない。   Multilayer wiring boards are components used in electronic equipment, and have long-term reliability due to environmental changes and short-term reliability against instantaneous heat and electric shocks that occur when driving semiconductors and various elements mounted on multilayer wiring boards. Must be guaranteed.

上述した通り、多層配線基板は、回路を構成する伝導性材料と回路パターンを絶縁する絶縁層との間の熱膨張係数の差が小さいほど優れた信頼性を有することができる。   As described above, the multilayer wiring board can have superior reliability as the difference in thermal expansion coefficient between the conductive material constituting the circuit and the insulating layer that insulates the circuit pattern is smaller.

例えば、回路を構成する銅の熱膨張係数は10から20ppm/℃であり、通常、絶縁層を構成する高分子樹脂の熱膨張係数は50から80ppm/℃である。特に、高分子樹脂は、ガラス転移温度(Tg)以上において熱膨張係数が大きく上昇するが、150から200℃のガラス転移温度における熱膨張係数は150〜180ppm/℃になる。   For example, the thermal expansion coefficient of copper constituting the circuit is 10 to 20 ppm / ° C., and the thermal expansion coefficient of the polymer resin constituting the insulating layer is usually 50 to 80 ppm / ° C. In particular, the polymer resin has a large thermal expansion coefficient at a glass transition temperature (Tg) or higher, but the thermal expansion coefficient at a glass transition temperature of 150 to 200 ° C. is 150 to 180 ppm / ° C.

多層配線基板に半導体のような部品を実装する場合、280℃内外で3〜5秒間、多層配線基板に急速に熱が加えられるが、この場合、回路と絶縁層の熱膨張係数の差が大きいと、回路にクラックが生じたり、多層配線基板の形態が変形する恐れがある。   When a component such as a semiconductor is mounted on a multilayer wiring board, heat is rapidly applied to the multilayer wiring board at 280 ° C. for 3 to 5 seconds. In such a case, the circuit may crack or the shape of the multilayer wiring board may be deformed.

一般的に、多層配線基板の熱膨張係数を減少させるために、各種のセラミックフィラー(Filler)を高分子絶縁材料の内部に入れたり、高分子絶縁材料にガラス繊維を含浸する方法が用いられている。しかし、これによって多層配線基板の加工性が悪化し、表面が粗化し、高速(High Speed)デバイスを具現することが困難であるという問題がある。   In general, in order to reduce the thermal expansion coefficient of a multilayer wiring board, various ceramic fillers (Fillers) are inserted into a polymer insulating material, or glass fibers are impregnated into a polymer insulating material. Yes. However, this deteriorates the workability of the multilayer wiring board, roughens the surface, and there is a problem that it is difficult to implement a high-speed (High Speed) device.

しかし、本発明による絶縁樹脂組成物で形成される多層配線基板は、高分子樹脂と酸化グラフェンとの混合により熱膨張係数が低くなるという特性を有する。また、酸化グラフェンの添加により機械的強度が向上するという特徴を有する。   However, the multilayer wiring board formed of the insulating resin composition according to the present invention has a characteristic that the thermal expansion coefficient is lowered by mixing the polymer resin and graphene oxide. In addition, the mechanical strength is improved by the addition of graphene oxide.

また、本発明による絶縁樹脂組成物は、高分子樹脂内に酸化グラフェンが分散されたり、高分子樹脂の化学結合による複合体を形成することができる。これによって、加工性に優れ、高密度のパターンを形成することができる。また、酸化グラフェンがうまく分散され、多層配線基板内の誘電定数の値が均一になり、高速デバイスを具現することができる。   Moreover, the insulating resin composition according to the present invention can form graphene oxide dispersed in a polymer resin or form a composite by chemical bonding of the polymer resin. Thereby, it is excellent in workability and a high-density pattern can be formed. Further, graphene oxide is well dispersed, the dielectric constant value in the multilayer wiring board becomes uniform, and a high-speed device can be realized.

上述した通り、本発明の一実施形態による多層配線基板用絶縁樹脂組成物は、多層配線基板を製造するためのビルドアップ絶縁材料として使用されることができる。   As described above, the insulating resin composition for a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention can be used as a build-up insulating material for manufacturing a multilayer wiring board.

本発明の一実施形態による多層配線基板用絶縁樹脂組成物を基材フィルム上に、キャスティング等の方法によって一定の厚さを有する絶縁層に形成し、ビルドアップ工程に適用することができる。   The insulating resin composition for a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention can be formed on an insulating layer having a certain thickness on a base film by a method such as casting, and can be applied to a build-up process.

上記絶縁層には、ビア孔の形成及びメッキ工程により回路パターンが形成されることができ、これによって図1に図示されたような多層配線基板が製造されることができる。   A circuit pattern can be formed on the insulating layer by forming via holes and plating, thereby manufacturing a multilayer wiring board as shown in FIG.

上述した通り、本発明の一実施形態による絶縁樹脂組成物は、表面粗さが小さく、ガラス繊維によって表面が粗化したり、ビアの内壁にガラス繊維の残査が存在する現象が発生しない。よって、メッキによる回路パターン形成及びレーザー等によるビア孔の加工性に優れた特徴を有する。   As described above, the insulating resin composition according to the embodiment of the present invention has a small surface roughness, and the surface is not roughened by the glass fiber, and the phenomenon that the residue of the glass fiber exists on the inner wall of the via does not occur. Therefore, it has a feature that is excellent in circuit pattern formation by plating and via hole workability by laser or the like.

本発明は、上述の実施形態及び添付の図面により限定されず、添付の特許請求の範囲により限定される。従って、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で、当技術分野の通常の知識を有する者によって様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属する。   The present invention is not limited by the above-described embodiments and the accompanying drawings, but is limited by the appended claims. Accordingly, various forms of substitutions, modifications and changes can be made by persons having ordinary knowledge in the art within the scope of the technical idea of the present invention described in the claims. It belongs to the scope of the present invention.

11、12、13 絶縁層
21 回路パターン
22、23 ビア電極
11, 12, 13 Insulating layer 21 Circuit pattern 22, 23 Via electrode

Claims (20)

高分子樹脂と、
前記高分子樹脂の硬化物内に分散される酸化グラフェンと、
を含む多層配線基板用絶縁樹脂組成物。
A polymer resin;
Graphene oxide dispersed in a cured product of the polymer resin;
An insulating resin composition for a multilayer wiring board.
前記酸化グラフェンは、表面及び端部に、ヒドロキシル基、カルボキシル基及びエポキシ基のうち少なくとも一つの官能基を有する請求項1に記載の多層配線基板用絶縁樹脂組成物。   The insulating resin composition for a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the graphene oxide has at least one functional group among a hydroxyl group, a carboxyl group, and an epoxy group on a surface and an end portion. 前記酸化グラフェンの酸素数に対する炭素数の比は、1から20である請求項1に記載の多層配線基板用絶縁樹脂組成物。   2. The insulating resin composition for a multilayer wiring board according to claim 1, wherein a ratio of carbon number to oxygen number of the graphene oxide is 1 to 20. 3. 前記酸化グラフェンの含量は、前記高分子樹脂100重量部に対して0.05から40重量部である請求項1に記載の多層配線基板用絶縁樹脂組成物。   The insulating resin composition for a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the content of the graphene oxide is 0.05 to 40 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer resin. 前記高分子樹脂は、前記酸化グラフェンとの化学結合が可能な官能基を有する請求項1に記載の多層配線基板用絶縁樹脂組成物。   The insulating resin composition for a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the polymer resin has a functional group capable of chemical bonding with the graphene oxide. 前記高分子樹脂と前記酸化グラフェンは、硬化反応によって共有結合する請求項1に記載の多層配線基板用絶縁樹脂組成物。   The insulating resin composition for a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the polymer resin and the graphene oxide are covalently bonded by a curing reaction. 前記高分子樹脂は、エポキシ樹脂である請求項1に記載の多層配線基板用絶縁樹脂組成物。   The insulating resin composition for a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the polymer resin is an epoxy resin. 前記高分子樹脂は、下記式1で表される構造を有する熱硬化性液晶高分子である請求項1に記載の多層配線基板用絶縁樹脂組成物。
[式1]
Figure 2012117052
前記式において、R及びRは、CH又はHであり、R及びRのうち少なくとも一つはCHであり、
Arは、エステル(ester)、アミド(amide)、エステルアミド(ester amide)、エステルイミド(ester imide)、及びエーテルイミド(ether imide)からなる群より選ばれた一つ以上の構造単位を含み、分子量5,000以下である2価の芳香族有機基である。
The insulating resin composition for a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the polymer resin is a thermosetting liquid crystal polymer having a structure represented by the following formula 1.
[Formula 1]
Figure 2012117052
In the above formula, R 1 and R 2 are CH 3 or H, and at least one of R 1 and R 2 is CH 3 ,
Ar 1 includes one or more structural units selected from the group consisting of an ester, an amide, an ester amide, an ester imide, and an ether imide. , A divalent aromatic organic group having a molecular weight of 5,000 or less.
前記Arは、下記式2で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含む請求項8に記載の多層配線基板用絶縁樹脂組成物。
[式2]
Figure 2012117052
前記式において、Ar、Ar、Ar及びArは2価の芳香族有機基であって、下記式3で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含み、Arは4価の芳香族有機基であって、下記式4で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含み、前記n、mは1から100の整数である。
[式3]
Figure 2012117052
[式4]
Figure 2012117052
The insulating resin composition for multilayer wiring boards according to claim 8, wherein Ar 1 includes one or more structural units selected from the group represented by the following formula 2.
[Formula 2]
Figure 2012117052
In the formula, Ar 2, Ar 4, Ar 5 and Ar 6 is a divalent aromatic organic group, include one or more structural units selected from the group represented by the following formula 3, Ar 3 is It is a tetravalent aromatic organic group, Comprising: One or more structural units chosen from the group represented by following formula 4 are included, The said n and m are integers of 1-100.
[Formula 3]
Figure 2012117052
[Formula 4]
Figure 2012117052
前記熱硬化性液晶高分子の分子量は、300から5,000である請求項8に記載の多層配線基板用絶縁樹脂組成物。   The insulating resin composition for a multilayer wiring board according to claim 8, wherein the thermosetting liquid crystal polymer has a molecular weight of 300 to 5,000. 複数の絶縁層が積層された基板本体と、
前記絶縁層に形成された回路パターンとを含み、
前記複数の絶縁層のうち少なくとも一つの絶縁層は、高分子樹脂及び前記高分子樹脂の硬化物内に分散される酸化グラフェンを含む絶縁樹脂組成物からなる多層配線基板。
A substrate body on which a plurality of insulating layers are laminated;
A circuit pattern formed on the insulating layer,
At least one insulating layer of the plurality of insulating layers is a multilayer wiring board made of an insulating resin composition containing a polymer resin and graphene oxide dispersed in a cured product of the polymer resin.
前記酸化グラフェンは、表面及び端部に、ヒドロキシル基、カルボキシル基及びエポキシ基のうち少なくとも一つの官能基を有する請求項11に記載の多層配線基板。   12. The multilayer wiring board according to claim 11, wherein the graphene oxide has at least one functional group of a hydroxyl group, a carboxyl group, and an epoxy group on a surface and an end portion. 前記酸化グラフェンの酸素数に対する炭素数の比は、1から20である請求項11に記載の多層配線基板。   The multilayer wiring board according to claim 11, wherein a ratio of carbon number to oxygen number of the graphene oxide is 1 to 20. 前記酸化グラフェンの含量は、前記高分子樹脂100重量部に対して0.05から40重量部である請求項11に記載の多層配線基板。   The multilayer wiring board according to claim 11, wherein a content of the graphene oxide is 0.05 to 40 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer resin. 前記高分子樹脂は、前記酸化グラフェンとの化学結合が可能な官能基を有する請求項11に記載の多層配線基板。   The multilayer wiring board according to claim 11, wherein the polymer resin has a functional group capable of chemical bonding with the graphene oxide. 前記高分子樹脂と前記酸化グラフェンは、硬化反応によって共有結合する請求項11に記載の多層配線基板。   The multilayer wiring board according to claim 11, wherein the polymer resin and the graphene oxide are covalently bonded by a curing reaction. 前記高分子樹脂は、エポキシ樹脂である請求項11に記載の多層配線基板。   The multilayer wiring board according to claim 11, wherein the polymer resin is an epoxy resin. 前記高分子樹脂は、下記式1で表される構造を有する熱硬化性液晶高分子である請求項11に記載の多層配線基板。
[式1]
Figure 2012117052
前記式において、R及びRはCH又はHであり、R及びRのうち少なくとも一つはCHであり、
Arは、エステル(ester)、アミド(amide)、エステルアミド(ester amide)、エステルイミド(ester imide)、及びエーテルイミド(ether imide)からなる群より選ばれた一つ以上の構造単位を含み、分子量5,000以下である2価の芳香族有機基である。
The multilayer wiring board according to claim 11, wherein the polymer resin is a thermosetting liquid crystal polymer having a structure represented by the following formula 1.
[Formula 1]
Figure 2012117052
In the above formula, R 1 and R 2 are CH 3 or H, and at least one of R 1 and R 2 is CH 3 ,
Ar 1 includes one or more structural units selected from the group consisting of an ester, an amide, an ester amide, an ester imide, and an ether imide. , A divalent aromatic organic group having a molecular weight of 5,000 or less.
前記Arは、下記式2で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含む請求項18に記載の多層配線基板。
[式2]
Figure 2012117052
前記式において、Ar、Ar、Ar及びArは2価の芳香族有機基であって、下記式3で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含み、Arは4価の芳香族有機基であって、下記式4で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含み、前記n、mは1から100の整数である。
[式3]
Figure 2012117052
[式4]
Figure 2012117052
The multilayer wiring board according to claim 18, wherein Ar 1 includes one or more structural units selected from the group represented by Formula 2 below.
[Formula 2]
Figure 2012117052
In the formula, Ar 2, Ar 4, Ar 5 and Ar 6 is a divalent aromatic organic group, include one or more structural units selected from the group represented by the following formula 3, Ar 3 is It is a tetravalent aromatic organic group, Comprising: One or more structural units chosen from the group represented by following formula 4 are included, The said n and m are integers of 1-100.
[Formula 3]
Figure 2012117052
[Formula 4]
Figure 2012117052
前記熱硬化性液晶高分子の分子量は、300から5,000である請求項18に記載の多層配線基板。   The multilayer wiring board according to claim 18, wherein the thermosetting liquid crystal polymer has a molecular weight of 300 to 5,000.
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