JP2012114132A - Ceramic multilayer substrate and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、セラミック多層基板、及びセラミック多層基板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a ceramic multilayer substrate and a method for manufacturing the ceramic multilayer substrate.
セラミック多層基板は、耐熱性・耐湿性に優れ、また、高周波回路において良好な周波数特性を有することから、モバイル機器のＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）モジュール、放熱性を利用したパワーＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、発光ダイオード）用の基板や液晶のバックライト向けＬＥＤ用の基板、また、自動車搭載用の電子制御回路用の基板として用いられている。 Ceramic multilayer substrates are excellent in heat resistance and moisture resistance, and have good frequency characteristics in high frequency circuits. Therefore, RF (Radio Frequency) modules for mobile devices, power LEDs (light emitting diodes) using heat dissipation, light emission It is used as a substrate for a diode), a substrate for an LED for a liquid crystal backlight, and a substrate for an electronic control circuit mounted on an automobile.
現在、このセラミック多層基板は、導電性ペーストが充填されたビアを有し、このセラミック多層基板の製造工程は、そのグリーンシートに孔を形成し、その後、その孔に導電性ペーストを充填し、その後、その導電性ペーストを焼成することによってビアを形成していた。（例えば、これに類似する技術は下記特許文献１に記載されている）。
Currently, this ceramic multilayer substrate has vias filled with conductive paste, and the manufacturing process of this ceramic multilayer substrate forms holes in the green sheet, and then fills the holes with conductive paste, Then, vias were formed by firing the conductive paste. (For example, a technique similar to this is described in
前記従来例における課題は、導電性ペーストを焼成することによってビアを形成していたため、セラミック多層基板のビア部の表面が、約１０ｕｍのヘコミ（凹部）を形成してしまい、それが起因として、セラミック多層基板のビア上に電子部品（例えば半導体チップ）実装用の外部端子（導電性薄膜）を形成すると、その外部端子にも約１０ｕｍのヘコミ（凹部）が形成されるため、フリップチップ型半導体チップのような電子部品が実装できないという課題を有していた。 Since the problem in the conventional example was that the via was formed by firing the conductive paste, the surface of the via portion of the ceramic multilayer substrate formed a dent (concave portion) of about 10 um. When an external terminal (conductive thin film) for mounting an electronic component (for example, a semiconductor chip) is formed on a via of a ceramic multilayer substrate, a dent (concave portion) of about 10 μm is also formed on the external terminal. There has been a problem that electronic components such as chips cannot be mounted.
そこで、本発明は、ビア上に形成された外部電極に電子部品が実装可能なセラミック多層基板を提供する事を目的とするものである。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a ceramic multilayer substrate in which electronic components can be mounted on external electrodes formed on vias.
そして、この目的を達成するために本発明は、導電性ペーストが充填されたビアを有するセラミック多層基板において、前記ビアの最外部が、非ガラス成分の導電性ペーストにて形成されていること、を特徴とするセラミック多層基板とし、これにより所期の目的を達成するものである。 In order to achieve this object, the present invention provides a ceramic multilayer substrate having a via filled with a conductive paste, wherein the outermost portion of the via is formed of a non-glass component conductive paste, Thus, the intended purpose is achieved.
以上のように本発明は、導電性ペーストが充填されたビアを有するセラミック多層基板において、前記ビアの最外部が、非ガラス成分の導電性ペーストにて形成されていること、を特徴とするセラミック多層基板としたものであるので、ビア上に形成された外部電極上に電子部品が実装可能なセラミック多層基板を提供する事ができる。 As described above, the present invention provides a ceramic multilayer substrate having a via filled with a conductive paste, wherein the outermost portion of the via is formed of a non-glass component conductive paste. Since it is a multilayer substrate, it is possible to provide a ceramic multilayer substrate on which electronic components can be mounted on external electrodes formed on vias.
すなわち、本発明においては、ビアの最外部が、非ガラス成分の導電性ペーストにて形成されているので、セラミック多層基板の製造工程にて、一時的に形成するアルミナ製の拘束層とビアの最外部が結合することなく、かつ、ビアの最外部の焼成による収縮を大幅に低減することができ、その結果として、セラミック多層基板のビアの表面のヘコミの発生を防止することができる。そのことによって、本発明の目的であるビア上に形成された外部電極上に電子部品が実装可能なセラミック多層基板を提供する事ができるのである。 That is, in the present invention, the outermost portion of the via is formed of a conductive paste of a non-glass component. Therefore, in the manufacturing process of the ceramic multilayer substrate, the alumina constraining layer temporarily formed and the via The shrinkage due to firing of the outermost portion of the via can be significantly reduced without bonding the outermost portion, and as a result, generation of dents on the surface of the via of the ceramic multilayer substrate can be prevented. Accordingly, it is possible to provide a ceramic multilayer substrate in which an electronic component can be mounted on an external electrode formed on a via, which is an object of the present invention.
以下に、本発明の一実施形態を図面とともに詳細に説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
（実施の形態１）
［１］セラミック多層基板の構成
まずはじめに、図１を用いて、本実施形態におけるセラミック多層基板の構成に関して説明する。
(Embodiment 1)
[1] Configuration of Ceramic Multilayer Substrate First, the configuration of the ceramic multilayer substrate in the present embodiment will be described with reference to FIG.
図１は、本発明の実施の形態１におけるセラミック多層基板の断面図を示すものである。図１に示すように、セラミック多層基板１は、複数（具体的には本実施形態では後述のように３枚）のセラミック製のグリーンシートを焼成して形成されたセラミック基板部２と、そのセラミック基板部２内部には、ビア３、内部配線部４、内部ビア５が形成されている。
FIG. 1 shows a cross-sectional view of a ceramic multilayer substrate according to
さらに、本実施形態において、ビア３は、セラミック基板部２の最外部（すなわちセラミック多層基板１の最外部）に配置された第１のビア３ａと、第１のビアと接続され、かつセラミック基板部２の内部（すなわちセラミック多層基板１の内部）に配置された第２のビア３ｂにて形成させる。
Further, in the present embodiment, the
また、本実施形態においては、図１に示すように、ビア３は、セラミック基板部２の内部から外部に貫通されたビアのことを示し、内部ビア５は、セラミック基板部２内部にあるビアのことを示す。（本実施形態ではビア３と内部ビア５とは区別しています。）
また、セラミック基板部２の表裏面には、このセラミック多層基板１に所望の電子部品（例えばＩＣ＝Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｕｉｒｃｕｉｔ）を実装するための外部電極部６や、所望の回路パターン配線部７を有している。
In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the
Further, on the front and back surfaces of the
また、本実施形態において、セラミック基板部６は、後述で再度説明するが、何れも、アルミナ粉末を５５［ｗｔ％］、ガラス粉末を４５［ｗｔ％］の割合で配合したガラス・セラミックの固体成分と、有機溶剤等からなる有機バインダーを、固体成分と有機バインダーとの割合が、固体成分８４：有機バインダー１６の重量比の割合で混合された組成物からなる、シート状の形状のグリーンシートと呼ばれるものを、複数枚（少なくとも２枚以上）積層し、加圧し、その後、９００［℃］にて焼成することによって形成する。なお、本実施形態のセラミック基板部２においては、三枚のグリーンシートを積層、焼成したものを用いた。
In this embodiment, the
また、本実施形態において、セラミック基板部２の内部にある第１のビア３ａは、銀を主成分とするガラス成分を含有しない導電性ペースト（＝非ガラス成分の導電性ペースト）から形成されている。より具体的には、銀（Ａｇ）が８６．３［ｗｔ．％］、パラジウム（Ｐｄ）が１．５［ｗｔ．％］、その他有機物が１２．２［ｗｔ．％］とう組成比で混合された導電性ペーストを用いた。
Further, in the present embodiment, the first via 3a inside the
ここで、セラミック基板部２の内部にあるセラミック基板部２の内部にある第１のビア３ａを形成するために銀（Ａｇ）粒子を含有し、ガラス成分を含有していない導体ペースト（非ガラス成分の銀ペースト）を用いた理由を説明する。
Here, a conductive paste (non-glass) containing silver (Ag) particles and not containing a glass component to form the first via 3a inside the
本実施形態におけるセラミック多層基板において、ビア３の最外部（本実施形態では第１のビア３ａに相当）が、非ガラス成分の導電性ペーストにて形成されているので、後述で詳しく説明するが、セラミック多層基板の製造工程にて一時的に形成するアルミナ製の拘束層とビアの最外部が結合することなく、かつ、ビアの最外部の焼成による収縮を大幅に低減することができる。そのため、セラミック多層基板１のビア３の表面のヘコミの発生を防止することができる。
In the ceramic multilayer substrate according to the present embodiment, the outermost portion of the via 3 (corresponding to the first via 3a in the present embodiment) is formed of a non-glass component conductive paste, which will be described in detail later. In addition, the constraining layer made of alumina temporarily formed in the manufacturing process of the ceramic multilayer substrate and the outermost portion of the via are not bonded to each other, and shrinkage due to the outermost firing of the via can be greatly reduced. Therefore, generation of dents on the surface of the
さらに、第１のビア３ａの直径（図１中のＡに相当）は、第２のビア３ｂの直径（図１中のＢに相当）より大きくなるように構成している。 Furthermore, the diameter of the first via 3a (corresponding to A in FIG. 1) is configured to be larger than the diameter of the second via 3b (corresponding to B in FIG. 1).
このように構成することにより、より確実に、セラミック多層基板の製造工程にて一時的に形成するアルミナ製の拘束層とビアの最外部が結合することを防止するとともに、ビアの最外部の焼成による収縮を大幅に低減することができる。そのため、セラミック多層基板１のビア３の表面のヘコミの発生を、より確実に防止することができる。
By configuring in this way, it is possible to more reliably prevent the alumina constraining layer temporarily formed in the manufacturing process of the ceramic multilayer substrate from being bonded to the outermost portion of the via, and firing the outermost portion of the via. The shrinkage due to can be greatly reduced. Therefore, the generation of dents on the surface of the
また、本実施形態において、セラミック基板部２の内部にある第２のビア３ｂ、および内部ビア５は、銀（Ａｇ）粒子とパラジウム（Ｐｄ）粒子とガラス成分を含有する導電性ペーストを用いた。より具体的には、銀（Ａｇ）が８５．６［ｗｔ．％］、パラジウム（Ｐｄ）が１．４［ｗｔ．％］、ガラス成分が２．９［ｗｔ．％］、その他有機物が１２．２［ｗｔ．％］という組成比で混合された導電性ペーストを用いた。
In the present embodiment, the second via 3b and the internal via 5 inside the
また、本実施形態において、セラミック基板部２の内部にある内部配線部４は、前述の焼成前のグリーンシートに、予め、スクリーン印刷法を用いて所望のパターンに印刷して形成後、前述のセラミックシートを焼成する際に同時に焼成される事によって形成している。なお、本実施形態においては、銀（Ａｇ）粒子とガラス成分を含有する導体ペーストを用いた。
Further, in the present embodiment, the
また、本実施形態において、セラミック基板部２の表裏面の外部電極６、回路パターン配線部７は、前述のグリーンシートを焼成後、導体ペーストをスクリーン印刷法を用いて所望のパターンに印刷して形成後、前述のセラミックシートを焼成する温度より低い温度で、かつ、この導体ペーストが十分に焼成される温度にて熱処理を行うことによって形成する。なお、本実施形態においては、銀（Ａｇ）粒子とガラス成分を含有する導電性ペースト（銀（Ａｇ）が８０．０［ｗｔ．％］、ガラス成分が１．５［ｗｔ．％］、その他有機物が１８．５［ｗｔ．％］という組成比で混合された導電性ペースト）を用いた。
In the present embodiment, the
［２］セラミック多層基板の製造方法
それでは、以下に、本発明の実施の形態１におけるセラミック多層基板の製造方法について説明する。
[2] Method for Manufacturing Ceramic Multilayer Substrate Now, a method for manufacturing a ceramic multilayer substrate in the first embodiment of the present invention will be described below.
図２は、本発明の実施の形態１におけるセラミック多層基板の製造方法のフローチャートを示すものである。図２は、本実施形態のセラミック多層基板１のプロセスフローを示す図であり、大きく分けて、ステップ１：グリーンシート準備工程と、ステップ２：積層工程と、ステップ３：脱バインダー工程と、ステップ４：焼成工程と、ステップ５：拘束層除去工程と、ステップ６：外部電極・回路パターン配線部形成工程という、６つのステップからなるものである。
FIG. 2 shows a flowchart of the method for manufacturing the ceramic multilayer substrate in the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing a process flow of the
［ステップ１：グリーンシート準備工程］
図３は、本発明の実施の形態１におけるグリーンシートの断面図を示すものであり、図３（ａ）はグリーンシート８Ａの断面図、図３（ｂ）はグリーンシート８Ｂの断面図、図３（ｃ）はグリーンシート８Ｃの断面図を示すものである。
[Step 1: Green sheet preparation process]
3 shows a cross-sectional view of the green sheet according to
本実施形態においては、純のグリーンシート（アルミナ粉末を５５［ｗｔ％］、ガラス粉末を４５［ｗｔ％］の割合で配合したガラス・セラミックの固体成分と、有機溶剤等からなる有機バインダーを、固体成分と有機バインダーとの割合が、固体成分８４：有機バインダー１６の重量比の割合で混合された組成物をシート状に形成したもの）から、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すように、グリーンシート８Ａ（図３（ａ））、グリーンシート８Ｂ（図３（ｂ））、グリーンシート８Ｃ（図３（ｃ））を作成する。
In the present embodiment, a pure green sheet (alumina powder 55 [wt%], glass powder mixed at a ratio of 45 [wt%], a glass / ceramic solid component, and an organic binder composed of an organic solvent, 3 (a) to FIG. 3 (c) in which the ratio of the solid component to the organic binder is a sheet formed from a composition in which the solid component 84 is mixed at a weight ratio of the organic binder 16). As shown, a
まず、はじめに、図３（ａ）に示すグリーンシート８Ａに関して説明する。グリーンシート８Ａには、例えば、レーザー光による加工によって孔を形成し、その後、その孔に、銀（Ａｇ）粒子とパラジウム（Ｐｄ）粒子とガラス成分を含有する導体ペーストを充填することによって、第２のビア３ｂを形成する。更に、図３（ａ）に示すように、ビア３ｂ上に、第１のビア３ａを形成するための、銀を主成分とするガラス成分を含有しない導電性ペースト（＝非ガラス成分の導電性ペースト）を塗布する。ここで、ビア３ｂを完全に覆うように、ビア３ｂ上に、銀を主成分とするガラス成分を含有しない導電性ペーストを塗布することによって、前述のような、第１のビア３ａの直径（図１中のＡに相当）が、第２のビア３ｂの直径（図１中のＢに相当）より大きくなるように構成することができる。これにて、グリーンシート８Ａが完成する。
First, the
次に、図３（ｂ）に示すグリーンシート８Ｂに関して説明する。グリーンシート８Ｂは、はじめに、グリーンシート８Ａと同様に、孔を形成し、その後、その孔に、銀（Ａｇ）粒子とパラジウム（Ｐｄ）粒子とガラス成分を含有する導体ペーストを充填することによって、内部ビア５を形成する。次に、グリーンシート８Ｂ上面に導体ペーストを、スクリーン印刷法を用いて所望のパターンに印刷して内部配線部４を形成する。これにて、グリーンシート８Ｂが完成する。
Next, the
次に、図３（ｃ）に示すグリーンシート８Ｃに関して説明する。グリーンシート８Ｃは、はじめに、グリーンシート８Ｂと同様に、スクリーン印刷法を用いて所望のパターンに印刷して内部配線部４を形成する。これにて、グリーンシート８Ｃが完成する。
以上が、図２中のステップ１のグリーンシート準備工程である。
Next, the
The above is the green sheet preparation process of
［ステップ２：積層工程］
次に、図４、図５、図６を用いてステップ２の積層工程について説明する。
[Step 2: Lamination process]
Next, the stacking process of
図４は、本発明の実施の形態１の積層工程における積層手順を示す断面図である。また、図５は、本発明の実施の形態１の積層工程におけるグリーンシート積層体の断面図を示すものである。また、図６は、本発明の実施の形態１の積層工程における加圧加熱方法を説明する断面図を示すものである。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a stacking procedure in the stacking process of the first embodiment of the present invention. Moreover, FIG. 5 shows sectional drawing of the green sheet laminated body in the lamination process of
まず、はじめに、図４、図５に示している第１の拘束層９、第２の拘束層１０に関して説明する。一般に、アルミナ粉末とガラス粉末を配合したガラス・セラミックの組成物で、シート状の形状のグリーンシートを、高温を印加すると、アルミナ粉末とガラス粉末が焼成することによって、そのグリーンシートの体積（平面方向、および厚さ方向）に収縮する。
First, the first constraining
本実施形態においても、次の工程であるステップ３：脱バインダー工程、ステップ４：焼成工程にて、グリーンシート積層体１１（図５中に図示）を、加圧しながら熱を印加するのであるが、その際、それらグリーンシート８Ａ、８Ｂ、８Ｃを挟み込むように、印加する温度では焼成しない成分のセラミックからなる第１の拘束層９、第２の拘束層１０をそれぞれ上下面に配置しておく。
Also in this embodiment, heat is applied to the green sheet laminate 11 (shown in FIG. 5) while applying pressure in the following steps, Step 3: Debinding process and Step 4: Firing process. At that time, the first constraining
こうすることによって、グリーンシート８Ａ、８Ｂ、８Ｃは、図４中に示す、Ｘ方向、およびＹ方向（すなわち、グリーンシート積層体１１の平面方向）には収縮せず、Ｚ方向（すなわち、グリーンシート積層体１１の厚さ方向）にのみ収縮する。このＸ方向、Ｙ方向に収縮させないために、この第１の拘束層９、第２の拘束層１０を使用するのである。本実施形態においては、アルミナ粉末をシート状に成形したものを第１の拘束層９、第２の拘束層１０として用いた。
By doing so, the
次に、図４を用いて、グリーンシート８Ａ、８Ｂ、８Ｃを積層し、グリーンシート積層体１１を準備する方法を説明する。
Next, a method for preparing the
まず、第１の拘束層９上に、グリーンシート８Ｃを積層する。次に、グリーンシート８Ｃ上にグリーンシート８Ｂを積層し、更に、グリーンシート８Ｂ上にグリーンシート８Ａを所望の位置になるように、位置合わせを実施しながら積層する。最後に、グリーンシート８Ａ上に、第２の拘束層１０を配置する。このようにして、図５に示すような、グリーンシート積層体１１が準備されるのである。
First, the
次に、図６に示すように、グリーンシート積層体１１を台座１２上に配置し、その上面から加圧をすることによって、グリーンシート積層体１１中のグリーンシート８Ａ、８Ｂ、８Ｃ同士を仮接着する。
Next, as shown in FIG. 6, the
ここで、図６中のグリーンシート積層体１１は、図５中のグリーンシート積層体１１と同一のものであるが、図６中のグリーンシート積層体１１は簡略化して図示している。
Here, the
また、本実施形態において、グリーンシート積層体１１を上から加圧した圧力は１５．２［ＭＰａ］とし、加熱温度は８５℃［℃］を用いた。このようにして、グリーンシート積層体１１中のグリーンシート８Ａ、８Ｂ、８Ｃ同士を仮接着する。
Moreover, in this embodiment, the pressure which pressurized the green sheet laminated
［ステップ３：脱バインダー工程］
次に、ステップ３の脱バインダー工程について説明する。
[Step 3: Debinding process]
Next, the binder removal step in
図７は、本発明の実施の形態１の脱バインダー工程における加熱方法を説明する断面図を示すものである。
この工程では、図７に示すように、（図６と同じように）、グリーンシート積層体１１を台座１３上に配置し、その上面から加熱をすることによって、グリーンシート積層体１１中のグリーンシート８Ａ、８Ｂ、８Ｃ内部の有機バインダーを除去する。
FIG. 7 shows a cross-sectional view for explaining the heating method in the binder removal step according to
In this step, as shown in FIG. 7 (as in FIG. 6), the
本実施形態において、グリーンシート積層体１１上の加熱温度は６５０［℃］にて加熱を行った。このようにして、グリーンシート積層体１１中のグリーンシート８Ａ、８Ｂ、８Ｃ内部の有機バインダーを除去する。
In this embodiment, the heating temperature on the green sheet laminated
［ステップ４：焼成工程］
次に、ステップ４の焼成工程について説明する。
[Step 4: Firing step]
Next, the firing process of
図８は、本発明の実施の形態１の焼成工程における加熱方法を説明する断面図を示すものである。
FIG. 8 shows a cross-sectional view for explaining the heating method in the firing step of
グリーンシート積層体１１を台座１４上に配置し、その上面から加熱をすることによって、グリーンシート積層体１１を焼成する。
本実施形態において、グリーンシート積層体１１の加熱温度は前述のように９００［℃］を用いた。
The green sheet laminated
In the present embodiment, the heating temperature of the
このようにして、この焼成工程後、図８に示すように、グリーンシート積層体１１は、その厚さ方向に収縮したものになる。
Thus, after this baking step, as shown in FIG. 8, the
［ステップ５：拘束層除去工程］
次に、ステップ５の拘束層除去工程について説明する。
[Step 5: constrained layer removal step]
Next, the constraining layer removing process in
この工程では、水９６ｇと平均粒径０．１〜１０ｕｍのアルミナ粉末４ｇの割合の混合物を、圧力０．４［ＭＰａ］の圧縮空気にて、グリーンシート積層体１１の上下面の拘束層９、１０上から吹き付ける。
In this step, a constraining
図９は、本発明の実施の形態１の拘束層除去工程後におけるグリーンシート積層体の断面図を示すものである。こうすることによって、第１の拘束層９、第２の拘束層１０のみ除去することができ、図９に示すようなものになる。
FIG. 9 shows a cross-sectional view of the green sheet laminate after the constraining layer removing step according to
［ステップ６：外部電極・回路パターン配線部形成工程］
次に、ステップ６の外部電極・回路パターン配線部形成工程について説明する。
[Step 6: External electrode / circuit pattern wiring portion forming step]
Next, the external electrode / circuit pattern wiring portion forming step of
ステップ６にて焼成されたグリーンシート積層体１１の表裏面（上下面）に、図１に示すような、所望の外部電極部６や、回路パターン配線部７を形成する。
Desired
本実施形態においては、前述のように、スクリーン印刷法を用いて、導体ペーストを所望のパターンに印刷して形成し、その後、ステップ３の焼成工程で印加した温度より低い温度で、かつ、導体ペーストが十分に焼成される温度にて熱処理を行うことによって形成した。本実施形態においては、この導体ペーストの焼成温度が８５０℃の銀ペースト（Ａｇペースト）を用い、焼成のための熱処理温度は８５０℃を用いた。
In the present embodiment, as described above, the conductor paste is printed and formed in a desired pattern using the screen printing method, and then the temperature is lower than the temperature applied in the firing step of
この工程後のグリーンシート積層体１１は、図１に示すような、本実施形態のセラミック多層基板になる。
The
以上のように、図２に示すステップ１からステップ６を行うことによって、本実施形態のセラミック多層基板を製造することができる。
As described above, the ceramic multilayer substrate of this embodiment can be manufactured by performing
［３］本実施形態の発明の効果
以上のように、本実施形態においては、導電性ペーストが充填されたビア３を有するセラミック多層基板において、ビア３の最外部（本実施形態においては第１のビア３ａに相当）が、非ガラス成分の導電性ペーストにて形成されていることを特徴とするセラミック多層基板１としたものであるので、ビア３上に形成された外部電極６上に電子部品が実装可能なセラミック多層基板を提供する事ができる。
[3] Effect of the Invention of the Present Embodiment As described above, in the present embodiment, in the ceramic multilayer substrate having the via 3 filled with the conductive paste, the outermost portion of the via 3 (the first in the present embodiment is the first). Is equivalent to the via 3a of the
すなわち、本発明においては、ビア３の最外部が、非ガラス成分の導電性ペーストにて形成されているので、セラミック多層基板１の製造工程にて、一時的に形成するアルミナ製の拘束層とビアの最外部が結合することなく、かつ、ビア３の最外部の焼成による収縮を大幅に低減することができ、その結果として、セラミック多層基板１のビア３の表面のヘコミの発生を防止することができる。そのことによって、本発明の目的であるビア３上に形成された外部電極６上に電子部品が実装可能なセラミック多層基板を提供する事ができるのである。
That is, in the present invention, the outermost portion of the via 3 is formed of a conductive paste of a non-glass component, so that in the manufacturing process of the
（実施の形態２）
次に、実施の形態２に関して説明する。
(Embodiment 2)
Next, the second embodiment will be described.
図１０は、本発明の実施の形態２におけるセラミック多層基板の断面図を示すものである。本実施形態と前述の実施の形態１と異なるのは、セラミック多層基板１５内部のセラミック基板部２内のビア３が両面に貫通しており、そのビア３の上下面に外部電極６が形成されている点である。
FIG. 10 shows a cross-sectional view of the ceramic multilayer substrate according to
本実施形態のような場合でも、ビア３の最外部、すなわち、図１０中のセラミック基板部の上下面の表面に、銀（Ａｇ）粒子を含有し、ガラス成分を含有していない導電性ペースト（＝非ガラス成分の導電性ペースト）を用いて第１のビア３ａを形成することにより、前述の実施の形態１と同じ効果を得ることができる。 Even in the case of this embodiment, the conductive paste containing silver (Ag) particles and not containing glass components on the outermost surface of the via 3, that is, the upper and lower surfaces of the ceramic substrate portion in FIG. By forming the first via 3a using (= non-glass component conductive paste), the same effect as in the first embodiment can be obtained.
本発明にかかるセラミック多層基板は、ビア上に形成された外部電極に電子部品が実装可能なセラミック多層基板を提供する事ができるので、特に、最近普及の進んでいる液晶テレビや携帯電話の液晶画面用のバックライト向けＬＥＤ用基板として用いられるセラミック多層基板として用いられることが大いに期待されるものとなる。 The ceramic multilayer substrate according to the present invention can provide a ceramic multilayer substrate in which electronic components can be mounted on external electrodes formed on vias. It is greatly expected to be used as a ceramic multilayer substrate used as an LED substrate for a backlight for a screen.
１、１５ セラミック多層基板
２ セラミック基板部
３ ビア
３ａ 第１のビア
３ｂ 第２のビア
４ 内部配線部
５ 内部ビア
６ 外部電極部
７ 回路パターン配線部
８Ａ、８Ｂ、８Ｃ グリーンシート
９ 第１の拘束層
１０ 第２の拘束層
１１ グリーンシート積層体
１２、１３、１４ 台座
1,15 Ceramic multilayer substrate
2
Claims (3)
前記ビアの最外部が、非ガラス成分の導電性ペーストにて形成されていること、
を特徴とするセラミック多層基板。 In a ceramic multilayer substrate having vias filled with conductive paste,
The outermost part of the via is formed of a non-glass component conductive paste,
A ceramic multilayer substrate characterized by
前記グリーンシート準備工程後に、第１の拘束層上に前記グリーンシート準備工程で作成された複数のグリーンシートを積層し、その後、前記積層された複数のグリーンシートの最上面に配置されたグリーンシートの前記ビア上に非ガラス成分の導電性ペーストを塗布し、その後、前記積層された複数のグリーンシートの最上面に配置された前記グリーンシートの上面に第２の拘束層を配置することによってグリーンシート積層体を形成し、その後、前記グリーンシート積層体の上面から加圧加熱をすることによって、前記グリーンシート積層体を仮接着する積層工程と、
前記積層工程後に、前記グリーンシート積層体の上下面から、加熱をすることによって、前記複数のグリーンシート内部の有機バインダーを除去する脱バインダー工程と、
前記バインダー工程後、加熱をすることによって、前記グリーンシート積層体を焼成する焼成工程と、
前記焼成工程後に、前記グリーンシート積層体から、前記第１の拘束層と前記第２の拘束層を除去する拘束層除去工程と、
前記拘束層除去工程後、前記第１の拘束層と前記第２の拘束層を除去された前記グリーンシート積層体の上下面に、必要に応じて、外部電極部や、回路パターン配線部を形成する外部電極部・回路パターン配線部形成工程と、
からなるセラミック多層基板の製造方法。
A green sheet preparation step for forming vias, internal vias, or internal wiring as necessary on a green sheet containing an alumina component and a glass component;
After the green sheet preparation step, the plurality of green sheets created in the green sheet preparation step are stacked on the first constraining layer, and then the green sheet disposed on the top surface of the plurality of stacked green sheets A conductive paste of a non-glass component is applied on the vias, and then a second constraining layer is disposed on the upper surface of the green sheet disposed on the uppermost surface of the stacked green sheets. Forming a sheet laminate, and then, by applying pressure and heating from the upper surface of the green sheet laminate, a lamination step of temporarily adhering the green sheet laminate;
After the laminating step, from the upper and lower surfaces of the green sheet laminate, by removing the binder from the organic sheet inside the plurality of green sheets by heating,
After the binder step, by heating, a firing step of firing the green sheet laminate,
After the firing step, a constraining layer removing step of removing the first constraining layer and the second constraining layer from the green sheet laminate,
After the constraining layer removing step, external electrode portions and circuit pattern wiring portions are formed on the upper and lower surfaces of the green sheet laminate from which the first constraining layer and the second constraining layer have been removed, as necessary. Forming external electrode parts / circuit pattern wiring parts,
A method for producing a ceramic multilayer substrate comprising:
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