JP2012109886A - 水晶発振器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 セラミックパッケージ1の両面に設けられた一方の凹部に水晶片2を格納し、他方の凹部にICチップ3を格納し、両凹部に形成され、水晶片2とICチップ3とを接続する金属配線5がビアホール6によって接続され、ビアホール6を、水晶片2によって覆われる凹部の中央部の領域に設けて、金属配線5をセラミックパッケージの周辺部ではなく中央付近に形成した水晶発振器としている。
【選択図】 図1
Description
従来、表面と裏面の2つの凹部を備えたセラミックパッケージに水晶片とICチップとを搭載したH型と呼ばれる構造の水晶発振器がある。H型の水晶発振器では、表面の水晶片と裏面のICチップとが金属配線によって接続されている。
また、TCXO(Temperature Compensated Crystal Oscillator;温度補償型水晶発振器)では、ICチップが、検出した温度に応じて出力周波数の変化を補償し、周囲の温度変化があっても安定した周波数が得られるようにしている。
従来のH型の水晶発振器の構成について図3を用いて説明する。図3(a)は、従来の水晶発振器の平面図であり、(b)は、模式断面図である。
図3(a)及び(b)に示すように、従来の水晶発振器は、セラミックパッケージ1の一方の面(ここでは表面、上面)に設けられた凹部内に水晶片2が搭載され、他方の面(ここでは裏面、下面)に設けられた凹部内にICチップ3が搭載されている。水晶片2は、2つの凹部を分離する分離部に設けられた水晶保持端子4a及び4bに導電性接着剤7で固定されている。
金属配線5bは、水晶保持端子4bから引き出されてセラミックパッケージ1の凹部の端部に形成されたビアホール6を介して下面に接続し、下面においてICチップ3に接続されている。ビアホール6には、金属ペーストが充填されて形成されている。
つまり、従来の水晶発振器では、水晶片2とICチップ3とを接続する金属配線5a及び5bは、主としてセラミックパッケージ1の凹部の端部や側面に配置されていた。
特に、金属配線5a、5bは熱伝導率が高く、外部の熱源の影響を受けやすいため、実装位置によっては水晶片2とICチップ3との間で温度差が生じ、十分な温度補償ができない恐れがある。
尚、水晶発振器に関する技術としては、特開2010−135995号公報「表面実装水晶発振器」(出願人:日本電波工業株式会社、特許文献1)、特開2008−294585号公報「表面実装用の水晶発振器」(出願人:日本電波工業株式会社、特許文献2)がある。
特許文献1には、H型構造の水晶発振器において、水晶片と電子部品との間の熱伝導層を備え、電源投入直後の周波数変動を抑制する表面実装水晶発振器が記載されている。
特許文献2には、容器に設けられ、ICチップの端子と接続する回路端子の少なくても1つを、容器の中央領域に長手方向に沿って設け、ICチップの放熱の影響を小さくすることが記載されている。
[実施の形態の概要]
本発明の実施の形態に係る水晶発振器は、H型構造の水晶発振器において、セラミックパッケージの上部の凹部に水晶片が搭載され、下部の凹部にICチップが搭載され、水晶片とICチップとが両凹部を分離する分離部に形成されたビアホールを介して金属配線で接続され、当該ビアホールが凹部領域の中央部に形成されているものであり、水晶片とICチップとを接続する金属配線がセラミックパッケージの周辺部に配置されないため、外部の熱源の影響を受けにくく、水晶片とICチップとの温度差を小さくし、出力周波数を安定させることができるものである。
本発明の実施の形態に係る水晶発振器の構成について図1を用いて説明する。図1(a)は、本発明の実施の形態に係る水晶発振器の平面図であり、(b)は、模式断面図である。
図1(a)及び(b)に示すように、本発明の実施の形態に係る水晶発振器(本発振器)は、図3に示した従来の水晶発振器と同様に、セラミックパッケージ1の一方の面(ここでは上面、表面)に設けられた凹部内に水晶片2が搭載され、他方の面(ここでは下面、裏面)に設けられた凹部内にICチップ3が搭載されている。水晶片2は、上面の凹部底面に設けられた水晶保持端子4a及び4bに導電性接着剤7で固定されている。
そして、本発振器の特徴として、ビアホール6a、6bは両凹部の周辺部や端部ではなく中央部付近に設けられており、金属配線5a、5bが、当該ビアホール6a、6bを介して水晶片2とICチップ3とを接続している。
本発振器のビアホール6a及び6bは、セラミックパッケージ1の凹部の底面に相当する領域の内、水晶片2又はICチップ3の一方若しくは両方によってビアホールの開口部が覆われる位置に形成されている。図1(a)の例では、ビアホールの一方の開口部が水晶片2で覆われ、他方の開口部がICチップ3によって覆われる位置となっている。このような領域は水晶片2とICチップ3とに挟まれた領域である。
図1(a)(b)に示すように、金属配線5a、5bは、主として、水晶片2とセラミックパッケージ1の上面との間と、ICチップ3とセラミックパッケージ1の下面との間に形成され、セラミックパッケージ1の周辺部には設けられない。
例えば、金属配線5に用いられる銅の熱伝導率は、398(W/m・K)であるのに対し、セラミックパッケージ1に用いられるアルミナの熱伝導率は36(W/m・K)であり、アルミナは外部の熱源の影響を受けにくい。
更に、金属配線5a、5bを互いに近接する位置に並行して形成することで、両配線の熱の伝わり方の差を小さくし、水晶発振器内の温度のばらつきを抑えることができるものである。
この場合も、水晶保持端子から引き出された金属配線は、できるだけセラミックパッケージ1の中央部に近い領域を通って、凹部中央部に設けられたビアホールに接続することが望ましい。
次に、本発振器における水晶片2とICチップ3との温度差について図2を用いて説明する。図2は、外部の温度変動によって生じた水晶発振器における水晶片とICチップとの温度差を示す説明図である。
図2では、本発振器と従来の水晶発振器(いずれもTCXO)とを基板に実装し、チップセット等の熱源を発熱させた場合の水晶片とICチップとの温度差を示している。
図2に示すように、従来の水晶発振器に比べて、本発振器は水晶片とICチップとの温度差が小さいことがわかる。つまり、本発振器は、外部の温度変動の影響を受けにくくして、出力周波数を安定させることができるものである。
本発明の実施の形態に係る水晶発振器によれば、H型の水晶発振器において、セラミックパッケージ1の2つの凹部に水晶片2とICチップ3とがそれぞれ搭載され、金属配線5が凹部の中央部に設けられたビアホールを介して水晶片2とICチップ3とを接続するよう形成しているので、熱伝導率の高い金属配線5を水晶発振器の周辺部に配置せず、熱伝導率の低いセラミックパッケージ1で保護された中央部に配置することができ、外部の温度変動の影響を受けにくくして、水晶片2とICチップ3との温度差を小さくし、安定した周波数を出力することができる効果がある。
Claims (4)
- セラミックパッケージの両面に凹部が設けられ、一方の凹部に水晶片が搭載され、他方の凹部にICチップが搭載されたH型構造の水晶発振器であって、
前記水晶片と前記ICチップとを接続する金属配線が、前記両凹部を接続するビアホールによって接続され、
前記ビアホールが、前記水晶片によって覆われる領域で凹部の中央部に形成されていることを特徴とする水晶発振器。 - ビアホールが、水晶片及びICチップに挟まれる領域で凹部の中央部に形成されていることを特徴とする請求項1記載の水晶発振器。
- 水晶片の一短辺を凹部に固定する2つの水晶保持端子を備え、
前記2つの水晶保持端子から引き出された金属配線が、一旦前記短辺の中央方向に向かって形成され、前記短辺の中央付近から前記水晶片に覆われた前記凹部の中央部に設けられたビアホールに向かって、並行して形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の水晶発振器。 - 水晶発振器が温度補償型水晶発振器であることを特徴とする請求項1乃至3記載の水晶発振器。
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