JP2012109509A - プリント配線基板の製造方法、プリント配線基板および半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】工程を煩雑化することなく小型高密度化に対応したプリント配線基板の製造方法、プリント配線基板および半導体装置を提供すること。
【解決手段】絶縁基板上に複数の配線パッド２２と、配線パッド２２同士を接続するとともに配線パッド２２へ給電する給電パターン３６とを設ける工程と、絶縁基板上に表面被覆層２３を設けるとともに被覆層２３を選択的に除去することにより給電パターン３６に第一開口部３９を設ける工程と、第一開口部３９から露出する給電パターン３６を選択的に除去する工程と、を含むことを特徴とするプリント配線基板の製造方法である。
【選択図】図４

Description

本発明は、プリント配線基板の製造方法、プリント配線基板および半導体装置に関する。

従来、半導体装置に使用される配線基板を製造する場合、例えば、ガラスプリプレグ等の樹脂からなる大判の積層板を用意し、この積層板上に複数のプリント配線基板に対応する配線パターンを一括して形成した後、所定の寸法に加工する。

特に、配線パターンを形成する場合、ボンディングパッド等の配線パターンの主要部に、電解めっきによりニッケルめっきや金めっきを施すための、配線パターン間を短絡させる給電用のめっき配線が切断して得られるプリント配線基板の外側に設けられる。電解めっきを施す際は、給電パターンをめっき用の電極に接続することにより、配線パターンに給電し、この配線パターンの必要個所にニッケルや金の電解めっきを施す。このため、プリント配線基板の配線パターンには、めっき配線に接続させるためにのみ必要で、電気信号の伝達等には不要な部分であり、電解めっき後、個々のプリント配線基板とする加工の際にめっき配線の部分を切断しプリント配線基板を得ている。

また、プリント配線基板の小型高密度化にともないプリント配線基板の外形加工時に給電パターンを切断するだけでは給電パターンと配線パターンを断線させることが困難となり、その対応のため配線パターンをエッチング耐性のあるめっきで覆った後給電パターンをエッチング除去する方法などが提案されている（例えば特許文献１）。
しかしながら、耐性のあるめっき法などではめっき表面が汚染されるなどの問題があった。

特開昭５３−１３３４２３号公報

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、工程を煩雑化することなく小型高密度化に対応したプリント配線基板の製造方法、プリント配線基板および半導体装置を提供することである。

本発明によれば、絶縁基板上に複数の配線パッドと前記配線パッド同士を接続するとともに、前記配線パッドへ給電する給電パターンとを設ける工程と、
前記絶縁基板上に表面被覆層を設けるとともに前記被覆層を選択的に除去することにより前記給電パターンに第一開口部を設ける工程と、
前記第一開口部から露出する前記給電パターンを選択的に除去する工程と、を含むことを特徴とするプリント配線基板の製造方法を提供することができる。

このプリント配線基板の製造方法においては、第一開口部から露出する給電パターンを選択的に除去する。これにより、外形加工時パンチングによる給電パターンを除去する方法では限界のあった高密度配線パターンであっても効率よく給電パターンを除去することが可能となる。

また、前記被覆層を選択的に除去することにより前記配線パターンの所定の位置に第二開口部を設ける工程を含んでいてもよい。また、前記第一開口部を覆い前記第二開口部が露出する第一マスクを形成する工程をさらに含んでいてもよい。

また、前記第二開口部を設ける工程の後、前記第二開口部に半導体素子と接続するための金属バンプを形成する工程をさらに含んでいてもよい。また、前記金属バンプを形成した後、前記第一マスクを剥離するとともに、前記第二開口部を覆い前記第一開口部が露出する第二マスクを形成する工程をさらに含んでいてもよい。

さらに、前記表面被覆層は、感光性樹脂であってもよい。また、前記給電パターンを選択的に除去する工程は、薬液を用いることにより行なうようにしてもよい。また、前記第一開口部の形成は、前記感光性樹脂を露光現像して形成してもよい。また、前記第二開口部の形成は、レーザを用いて行なってもよい。

また、前記レーザは、炭酸ガスレーザであってもよい。

また、前記金属バンプは、電気めっきにより形成してもよい。また、前記第二開口部は、断面視において前記第一開口部を挟み込むように形成されていてもよい。

上述のプリント配線基板の製造方法により得られるプリント配線基板を提供することができる。

また、上述に記載のプリント配線基板に半導体素子を搭載してなる半導体装置を提供することができる。

本発明によれば、工程を煩雑化することなく小型高密度化に対応したプリント配線基板の製造方法、プリント配線基板および半導体装置を提供することができる。

本発明の一実施形態にかかる回路基板の断面図である。 回路基板の製造工程を示す断面図である。 回路基板の製造工程を示す断面図である。 回路基板の製造工程を示す断面図である。 回路基板の製造工程を示す断面図である。 回路基板上に半導体チップを搭載する工程を示す図である。 半導体装置を示す図である。 配線パッドと給電パターンとの接続例を示す模式図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
本実施形態では、両面に回路層が形成された両面のプリント配線基板を例にあげて好適な製造方法について以下に説明する。
なお、本発明はこれから説明するものに限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
また、本発明は第一金属層を選択的に除去し、残された領域をレーザマスクとして用いるコンフォーマルマスク工法を例に説明しているが、第一金属層を除去することなく直接レーザを用いて加工するダイレクトレーザ加工法においても適宜適応可能である。

はじめに、本実施形態で説明する製造方法で得られたプリント配線基板１について説明する。図１に示すように、プリント配線基板１は、導電体２０が貫通する絶縁層２１と、絶縁層２１の一方の面側（図中上面）に設けられ、導電体２０に接続された配線パッド２２と、この配線パッド２２を被覆するとともに、配線パッド２２の一部上に第一開口部３９と第二開口部３８が形成された第一被覆層（第一ソルダーレジスト層ともいう）２３が設けられている。また、絶縁層２１の他方の面側（図中下面）に設けられ、導電体２０に接続された配線パターン２４と、配線パターン２４を被覆する第二被覆層（第二ソルダーレジスト層ともいう）２５と、第二被覆層２５の開口内に設けられた半田ボール２９を備える。第一被覆層２３の第二開口部３８には第一被覆層よりも突出する半田層２６（金属バンプともいう）が設けられ、半田層２６は配線パッド２２に接続された金属層２７上に設けられている。金属層２７は、たとえば銅層２７１、ニッケル層２７２等の積層構造である。以下、図中上面を上面、図中下面を下面ともいう。
また、第一被覆層２３には、第一開口部３９が設けられている。第一開口部３９は、断面視において金属バンプ２６が形成された第二開口部３８に挟まれるように設けられている。第一開口部３９の下面は絶縁基板２１の表面が露出している。また、断面視における第一開口部３９のそれぞれ第二開口部３８側の側壁面は、第一被覆層の端面と給電パターンの端面３７のつら位置が略同一の面を形成している。

次に、プリント配線基板１の好適な製造方法について説明する。
はじめに、絶縁層２１の上面に第一金属層１１が、下面に第二金属層１２と剥離層１７を介して支持部材１３が設けられた金属張り積層板１０を用意する（図２（ａ））。

絶縁層２１としては、プリント配線基板の絶縁材料として汎用的に用いられる樹脂複合材料を用いることができる。例えば、樹脂組成物を繊維基材に含浸または塗工したプリプレグを加熱硬化させた樹脂基材や、樹脂フィルムを用いることができる。

絶縁層を構成する樹脂組成物としては、例えば、熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂などを単独あるいは複数組み合わせて用いることができる。樹脂組成物には低熱膨張性向上の為に、無機充填材を含んでいてもよい。

繊維基材を構成する基材としては、例えば、ガラス繊布、ガラス不繊布等のガラス繊維基材、あるいはガラス以外の無機化合物を成分とする繊布又は不繊布等の無機繊維基材があげられる。これらのなかでも、プリント配線基板としたときの剛性の面からガラス織布繊維基材が好ましい。

プリプレグを加熱硬化させた樹脂基材を絶縁層２１として用いる場合は、前記熱硬化性樹脂に無機充填材、必要に応じて、硬化剤、硬化促進剤を調整した樹脂ワニスを、ガラス織布繊維基材等の基材に含浸し、乾燥させることでプリプレグを得る。次に、プリプレグの表裏面に金属層を重ね加熱加圧成形することによって、金属張り積層板１０を得ることができる。また、絶縁層２１にめっき処理を直接施すことでも金属張り積層板１０を得ることができる。ただし、積層板を得る方法は上記限定されるものではなく、適宜選択することができる。

樹脂フィルムを使用する場合は、樹脂フィルムとしては、例えばポリイミド樹脂フィルム、ポリエーテルイミド樹脂フィルム、ポリアミドイミド樹脂フィルム等のポリイミド樹脂系樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム等のポリアミド樹脂系フィルム、ポリエステル樹脂フィルム等のポリエステル樹脂系フィルムが挙げられる。これら中でも主としてポリイミド樹脂系フィルムが好ましい。これにより、弾性率と耐熱性を特に向上することができる。

樹脂フィルムを用いる場合、金属層にベースとなる樹脂を塗布し加熱乾燥して積層板としたもの、金属箔に接着剤樹脂を塗布し、樹脂フィルムを加熱加圧成形した積層板としたもの、樹脂フィルムに直接スパッタリングやめっきにより金属層を形成し積層板としたものを使用することができる。ただし、積層板を得る方法は上記限定されるものではなく、適宜選択することができる。

絶縁層２１の厚みは、プリント配線基板１の仕様に決定されるものであり、特に限定されるものではないが、２０μｍ〜３００μｍが好ましく、より好ましくは４０μｍ〜１００μｍである。

次に第一金属層１１について説明する。第一金属層１１の金属種はニッケル、クロム、コバルト、モリブデン、バナジウム、タングステンまたは銅などの単一金属か、またはそれらの合金薄膜が好適である。また、極薄金属層を用いる場合は、金属種としては、ステンレス、ニッケル、アルミ、鉄、銅などがもちいられ、エッチング性などから銅がより好適に用いられる。

第一金属層１１の厚みは０．０５μｍ以上、１２μｍ以下である。第一金属層１１が１２μｍよりも厚い場合は、セミアディティブプロセスにおける電解めっきの給電を取るための給電パターン３６を、第一金属層１１および導体層を配線パターン形成後に除去することが困難となり、微細回路形成が困難となる。また、第一金属層１１が０．０５μｍよりも薄い場合は、回路形成における工程中において銅がエッチングを受け、下地の絶縁層２１が露出する可能性がある。

第二金属層１２としては、第一金属層１１と金属の種類、金属の厚さは異なっていてもよいし、同じであってもよい。第二金属層１２側においても第一金属層１１側と同じ配線パターンの微細化と精度要求あるのであれば、第一金属層１１と同種であることが好ましい。

次に、支持部材１３について説明する。レーザ加工工程において、前記支持部材１３を保持してレーザ加工することにより、貫通孔１９の底部にある第二金属層１２のダメージ、貫通、ピンホールを防ぐことができる。支持部材１３を保持せずレーザ加工を行う場合においては、レーザ加工の条件が狭い範囲となるおそれがある。

支持部材１３の素材としては、銅、アルミニウム、銀、金、ニッケル、クロム、チタン、ジルコニウム、鉄、パラジウム、白金、モリブデン、コバルト、タングステン、ニオブ、タンタル、ケイ素から選ばれた少なくとも１種を含む材料である。この中でも銅、アルミニウム、銀、金からなる材料がより好ましい。

次に、支持部材１３の熱伝導率は１０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上であることが好ましい。１０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１より小さい場合においては、レーザ加工における熱容量が小さく放熱がなされにくい為に熱蓄積が起こる。そのため、貫通孔底部周辺の第二金属層１２下面にある絶縁層２１の樹脂が熱により劣化する。第一金属層１２と絶縁層２１の密着が劣化し、信頼性が低下する。

また、支持部材１３の厚さについては特に規定されるものではないが、１０μｍ以上、５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは１０μｍ以上、２５μｍ以下で、後の工程において剥離除去しやすいものとなる。

次に剥離層１７について説明する。剥離層１７には、クロム、クロメート、モリブデン、タンタル、バナジウム、マンガン、タングステン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛から選ばれた少なくとも１種を含む表面処理や、シランカップリング剤等の有機被膜を形成する方法で適宜形成される。

支持部材１３と剥離層１７および第二金属層１２は、レーザ加工品質や回路基板の信頼性、生産性の点から、キャリア箔付きピーラブル極薄銅箔やアルミニウム箔に銅を電着させたエッチャブル極薄銅箔などが特に好適に用いられる。

次に、レジスト形成、マスク露光、現像、エッチング除去、剥離により第一金属層の貫通孔の形成部分を選択的に除去しコンフォーマル法のマスクを形成する（図示せず）。

第一金属層１１を選択的に除去した部分に第一金属層１１面側からレーザを照射する。レーザを照射することにより絶縁層２１に貫通孔１９を形成する（図２（ｂ））。レーザをとしては、例えば、炭酸ガスレーザ加工機、ＵＶレーザ加工機、エキシマレーザ加工機などがあり、好ましくは、炭酸ガスレーザ加工機である。炭酸ガスレーザ加工機が、無機基材の加工が比較的容易な発振波長領域である点が挙げられる。
レーザの加工条件としては特に限定はされないが、例えば、絶縁層２１の厚みが４０μｍで第一金属層１１および第二金属層１２の厚みが３μｍでかつ炭酸ガスレーザ加工機を用いる場合は、好ましくはビーム径１００〜１８０μｍ、パルス幅１〜１００μｍ、基準エネルギー０．５〜９．０ｍＪであり、より好ましくはビーム径１１０〜１３０μｍ、パルス幅１〜２０μｍ、基準エネルギー１．０〜３．０ｍＪである。
例えば、絶縁層２１の厚みが６０μｍで第一金属層１１および第二金属層１２の厚みが３μｍでかつ炭酸ガスレーザ加工機を用いる場合は、好ましくはビーム径１００〜１８０μｍ、パルス幅１〜１００μｍ、基準エネルギー０．５〜９．０ｍＪであり、より好ましくはビーム径１１０〜１３０μｍ、パルス幅２０〜４０μｍ、基準エネルギー５．０〜７．０ｍＪである。
また、レーザ加工後の貫通孔１９内の炭化物残渣を過マンガン酸デスミア処理やプラズマ洗浄等で適宜洗浄除去することが好ましい。
これにより、第二金属層１２のダメージ、貫通、ピンホールの不具合の無い貫通孔１９を形成することができる。

次に、第一および第二金属層１１、１２上および、絶縁層２１の貫通孔１９内壁面に導体層１５を付与する（図２（ｃ））。導体層１５の厚さとしては、例えば、０．０５μｍ以上、２．０μｍ以下が好ましい。導体層１５の形成方法としては、スパッタリング法、蒸着法、無電解めっき法が好ましい。その中では無電解めっき法が好ましい。また、導体層１５としてはニッケル、クロム、コバルト、モリブデン、バナジウム、タングステンまたは銅などの単一金属か、またはそれらの合金が好適である。特に、貫通孔１９内の絶縁層２１内壁部分との導体密着性、および、セミアディディププロセスの給電層となる第一および第二金属層１１、１２および導体層１５の除去性を鑑みると、銅がより好適である。

次に、第二金属層１２が剥離層１７を介して接している支持部材１３を剥離する（図２（ｄ）、図３（ａ））。剥離の方法については特に規定されず、適宜、好適な方法を用いればよい。

その後、図３（ｂ））に示すように、パターンを形成しない部分にレジストマスクＭを配置する。レジストマスクＭとしてはフィルム状のネガ型感光性レジストを用いることができる。
レジストマスクＭの形成方法としては、ネガ型感光性レジストを例えば真空ラミネータなどを用いて導体層上に形成する。次に、パターンを形成する部分をマスクしたフォトマスクを用いて、紫外線照射を行う。次に、現像を行う。現像液としては炭酸ナトリウム溶液を用いることができる。

次に、導体層１５上にめっきを施す（図３（ｃ））。めっきの方法としては硫酸銅めっきを用いることができる。めっきの厚みはパターン部分において１μｍ以上、５０μｍ以下が好ましく、５μｍ以上、４０μｍ以下がより好ましい。これにより、ビアとなる導電体２０を形成するとともに、配線パッド２２と配線パターン２４を形成する。

次に、レジストマスクを剥離液によって剥離する。剥離液としては、例えば、アルカリ水溶性の液体を用いることができる。

次に、レジストマスクが形成されていた部分の第一および第二金属層１１、１２および導体層１５を除去する（図３（ｄ））。除去方法としては、過酸化水素‐硫酸エッチング液と高圧スプレー方式が好ましい。電解めっきによって形成されたパターンを長い時間エッチング等にさらすことがないので回路精度に優れ、かつ、高密度配線に適した回路基板とすることが出来る。これにより、絶縁基板２１上の上面に、配線パッド２２と配線パッド２２同士とを接続および外部に電気的に導出接続する給電パターンと、下面に配線パターン２４が形成される。給電パターン３６の配線形状としては、例えば、図８（ａ）に示すように平面視において配線パッドを挟むように給電パターン３６が設けられそれぞれの配線パッドに接続されている。図８（ｂ）は、給電パターン３６を、除去したところを模式的に示す図である。

次に、配線パッド２２、給電パターン３６、配線パターン２４上に、第一および第二被覆層２３、２５を形成する。第一および第二被覆層２３、２５は感光性タイプや非感光性タイプのものが用いることができるが、感光性タイプが好ましい。また、シート状や液状のものが上げられる。これらは適宜選択すればよい。感光性タイプの表面被覆層を用いることにより工程を簡略化することが出来る。

また、第一および第二被覆層２３、２５は、たとえば、感光性樹脂を必須成分とする樹脂組成物で構成することができる。

このような樹脂組成物を使用することで、露光及び現像により、第二絶縁層２３、第三絶縁層２５の開口を容易にパターニングすることが出来る。

感光性樹脂は、特に限定されるものではなく、公知の感光性樹脂組成物を用いて形成することができる。感光性樹脂は、ネガ型、ポジ型のどちらであっても良い。
感光性樹脂は、たとえば、アクリル樹脂などを含み、エポキシ変性アクリル樹脂などを用いることができる。また、アクリル樹脂などの光硬化性樹脂の他に、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂などを加えても良い。

感光性樹脂は、重合開始剤、増感剤、レベリング剤などを含んでも良い。また、シリカなどの充填剤を含んでいても良い。このとき、粒径サイズは、露光時の光の波長よりも小さいものが好ましい。

また、感光性樹脂としては、液状タイプ、または、フィルムタイプなどの形態を用いることができる。第一回路層２２、第二回路層２４への被覆性、作業性を考慮した場合、フィルムタイプを用いることが好ましい。
液状タイプの場合は、スクリーン印刷法、コータ法など形成することができる。また、両面に回路層（第一回路層２２、第二回路層２４）が形成されている場合は、両面回路基板を液状レジスト中に浸漬することにより、両面同時に第二絶縁層２３および第三絶縁層２５を形成することも可能である。
フィルムタイプの場合は、真空ラミネータなどを用いて形成することが出来る。

次に、図４（ａ）に示すように、第一および第二被覆層２３、２５を選択的に除去することにより第一開口部３９と、下面に半田ボールを搭載するための開口部４９を形成する。第一および第二被覆層２３、２５の厚みは、１５μｍ以上３０μｍ以下が好ましい。第一および第二被覆層２３、２５は同じ厚さであってもよいし異なっていてもよい。また、被覆層を形成する樹脂の組成も同じであってもよいし異なっていてもよい。開口部の大きさが、例えば、１００μｍを超える場合は感光性タイプの被覆層を用いて、たとえば、マスク露光、現像工程を経て開口部を形成することが好ましい。
また、開口部の大きさが、例えば、１００μｍ未満の場合は、非感光タイプのソルダーレジストを用いて被覆層を形成し開口部の形成は、例えば、レーザ光を照射し開口部を形成するようにしてもよい。

次に、第一被覆層２３を選択的に除去することにより、第一開口部３９を挟むようにして、配線パッド２２が露出するように第二開口部３８を形成する（図４（ｂ））。半導体チッブとバンプ接続を行なうための第二開口部３８は第一開口部３９に比べて開口面積が小さいので、非感光タイプのソルダーレジストを用いて被覆層を形成し開口部は、例えば、レーザ光を照射し開口部を形成することが好ましい。レーザとしては、例えば、ＣＯ_２レーザ加工機、ＵＶレーザ加工機、エキシマレーザ加工機などがあり、好ましくは、ＣＯ_２レーザ加工機である。レーザの加工条件としては、好ましくはパルス幅１〜１００μｍ、基準エネルギー０．５〜９．０ｍＪであり、より好ましくはパルス幅１〜２０μｍ、基準エネルギー１．０〜３．０ｍＪである。ショット数は基材の厚みに合わせ適宜決定すればよい。

次に、半田バンプを搭載するための開口部４９から露出している配線パターン２４上に、配線パターン２４を保護するための表面処理として金属層２８を形成することが好ましい。
形成する順序としては、例えば、まず、第一開口部３９と第二開口部３８とをマスクで覆い、開口部４９に金属層２８を形成する。次に、上述のマスクを除去した後、図４（ｃ）に示すように、配線パターン２４上に金属層２８が形成された開口部４９と、第一開口部３９とをマスクで覆って第二開口部３８より配線パッド２２が露出するようにする。第二開口部３８より露出している配線パッド２２上に第一被覆層２３の高さよりも突出するように半田層２６（金属バンプともいう）を電解めっきで形成する。第一被覆層２３よりも突出する半田層２６としては、銅、ニッケル、錫、銀などの単一金属か、またはそれらの合金が好適である。半田層２６の厚みは、３μｍ以上４５μｍ以下が好ましい。また、必要により、配線パッド２２と半田層２６との間に金属層２７を電解めっきにより形成してもよい。
マスクＭとしてはフィルム状のネガ型感光性レジストを用いることができる。マスクＭの形成方法としては、ネガ型感光性レジストを例えば真空ラミネータなどを用いて形成する。次に、フォトマスクを用いて、紫外線照射を行う。次に、現像を行う。現像液としては炭酸ナトリウム溶液を用いることができる。

次に、マスクＭを剥離液によって剥離する。剥離液としては、例えば、アルカリ水溶性の液体を用いることができる。

次に、第一開口部３９を覆っているマスクＭを除去し、図５（ａ）に示すように、第二開口部３８を覆い、第一開口部３９が露出するように、また、開口部４９を覆うようにマスクＭで被覆する。マスクＭとしてはフィルム状のネガ型感光性レジストを用いることができる。このようにして、給電パターン３６が露出したマスクＭが形成される。
マスクＭの形成方法としては、ネガ型感光性レジストを例えば真空ラミネータなどを用いて形成する。次に、フォトマスクを用いて、紫外線照射を行う。次に、現像を行う。現像液としては炭酸ナトリウム溶液を用いることができる。

次に、第一開口部３９から露出している給電パターン３６を除去する（図５（ｂ））。除去方法としては、薬液を用いたウェットエッチング法を用いることができる。薬液としては、例えば、塩化第二鉄エッチング液、過酸化水素‐硫酸エッチング液、塩化第二銅エッチング液などを用いることができる。高圧スプレー方式を用いて行なうことができる。高圧スプレーを用いることにより、鉛直方法のエッチングが促進され給電パターンのサイドエッチングを防ぐことができる。また、配線パッド２２間の距離が小さい狭ピッチ配線板に用いることができる。また、レーザを照射させることで除去してもよい。薬液を用いたエッチングの方が、レーザ加工よりも絶縁層２１の損傷が小さいのでより好ましい。

次に、マスクＭを剥離液によって剥離する。剥離液としては、例えば、アルカリ水溶性の液体を用いることができる。
以上の工程により、給電パターンが除去されたプリント配線基板１が形成される（図５（ｂ）、図８（ｂ））。

次に、このプリント配線基板１を使用した半導体装置６の製造方法について説明する。
なお、本発明はこれから説明するものに限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。

（半導体実装）
半導体素子５をプリント配線基板１に実装する。
具体的な方法はプリント配線基板１および半導体素子５の仕様により適宜決めることができるが、フラックス活性を有する接着剤３を介して半導体素子の電極と回路基板の接続端子を加熱加圧により接続する方法や、半導体素子の電極と回路基板の接続端子を加熱加圧により接続した後、液状アンダーフィル３を接続部分に注入する方法により実装することができる（図６）。フラックス活性を有する接着剤３を回路基板１に積層する方法としては、フィルム状の接着剤では、真空ラミネータなどを用いて積層することができる。また、液状タイプの接着剤では、ロールコータ法、スクリーン印刷法などを用いることができる。また、回路基板に形成されている第一開口部３９と接着剤とが積層された領域に空隙部４３が形成されるが、後の加熱加圧成形により接着剤が流れ出し空隙部４３は接着剤で埋め込まれる（図７（ｂ））。

（樹脂封止）
次に、半導体素子５を設置したプリント配線基板１を、エポキシ樹脂組成物と金型を用いて圧縮成形し半導体素子を回路基板上に封止する。これにより、得られた半導体装置６の信頼性を確保することができる。

（半田ボール搭載）
さらに、第二ソルダーレジスト層２５の開口部に半田ボール２９を形成する。これにより、他の基板等への２次実装が容易となる。半田ボール２９を付与する方法としては、例えばめっき法、ペースト印刷法、ボール搭載法が挙げられる。

（ダイシング）
次に、図７に示すように、回路基板を分割し、一つの半導体素子と、分割された一つの回路基板とで構成される複数の半導体装置６を得る。

次に、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）

実施形態と同様の方法でプリント配線基板を製造した。
以下のようにして絶縁層を作製した。ガラス繊維基材にエポキシ樹脂組成物を含浸し厚さ４０μｍのプリプレグを作製した。次に、プリプレグの両面に第一金属層および第二金属層として、剥離層を介して支持部材である１８μｍピーラブル銅箔が付いた３μｍの銅箔、加圧加熱成形して厚みが８２μｍの金属張り積層板を作成した。

次に、第一金属層側の１８μｍピーラブル銅箔を剥した後に、レジスト形成、マスク露光、現像、エッチング除去、剥離により第一金属層の貫通孔の形成部分を選択的に除去するしコンフォーマルマスクを形成した。コンフォーマルマスクの開口径は７５μｍであった。

次に、コンフォーマルマスクを形成した第一金属層面側から炭酸ガスレーザ加工機を用いて、パルス幅３μｍ、基準エネルギー１．３ｍＪ、ビーム径１２０μｍを照射し、プラズマ洗浄を行うことでφ７５μｍの貫通孔を得た。

次に、第一金属層上および絶縁層の貫通孔内部に無電解銅めっきを行い厚さ１μｍの導体層を付与した。

次に、第二金属層側の１８μｍピーラブル銅箔を剥した。

次に、フィルム状のネガ型感光性レジストＵＦＧ−２５５（旭化成イーマテリアルズ製）を第一金属層および第二金属層にラミネートし、フォトマスクを利用して紫外線照射し、現像を行った後、配線パッドと給電パターン用のレジストマスクが得られた。

次に、配線パッド上に、液温２５℃電流密度０．５Ａ／ｄｍ^２の条件で硫酸銅めっきを行いめっき厚さ１５μｍを得た。次に、レジストマスクを剥離液によって剥離し、過酸化水素‐硫酸エッチング液を用いて高圧スプレー方式により、配線パッドと給電パターン部以外の第一および第二の金属層および導体層を除去することで、最小ピッチ７０μｍの回路パターンを形成した。

次に、シート状感光性ソルダーレジストＰＦＲ−８００ ＳＲ−１（太陽インキ製）を用いて、配線パターン上にラミネートし、フォトマスクを利用して紫外線照射し、給電パターン上に第一開口部と、他方の面側に半田ボール搭載用の開口部を形成したあとに現像し、ポストキュアし第一、第二表面被覆層を形成した。

次に、配線パッド上第一表面被服層に炭酸ガスレーザを用いて第二開口部を形成した。

次に、半田ボール搭載用の開口部から露出した配線パターンを無電解ニッケルめっき２．０μｍ、置換金めっき０．１μｍで表面処理を施した。

次に、フィルム状のネガ型感光性レジストＵＦＧ−２５５（旭化成イーマテリアルズ製）を用いて第一開口部から露出した給電パターン上にラミネートしフォトマスクを利用して紫外線照射し、現像を行った後、給電パターン保護用のレジストマスクが得られた。

次に、第二開口部から露出した配線パッドを電解銅めっき１５．０μｍ、電解ニッケルめっき５μｍ、電解錫−銀めっき１０μｍで金属バンプを形成した。

次に、給電パターン保護用のレジストマスクを除去し、フィルム状のネガ型感光性レジストＵＦＧ−２５５（旭化成イーマテリアルズ製）を用いて第一、第二被服層および導電層上にラミネートしフォトマスクを利用して紫外線照射し、現像を行った後、第一開口部が露出し、第二開口部および第二被覆層側を覆うようにレジストマスクが得られた。

次に、第一開口部より露出している給電パターンを塩化第二鉄エッチング液を用いて高圧スプレー方式により、除去した後に、レジストマスクを除去しプリント配線基板を得た。

得られたプリント配線基板の第一被覆層上に、シート状フラックス活性機能付き接着剤をラミネートし、半導体素子（ＴＥＧチップ、サイズ１５ｍｍ×１５ｍｍ、厚み０．８ｍｍ）を加熱加圧により実装した。

次に、半導体素子を設置したプリント配線基板を、エポキシ樹脂組成物を用いて圧縮成形し半導体素子をプリント配線基板上に封止し、ダイシングによりプリント配線基板を分割し、半導体素子と分割された一つのプリント配線基板とで構成される複数の半導体装置を得た。配線パッド間距離が２５０μｍと狭い間隔であっても、配線パッド間に給電パターンを設けることが可能となり工程を煩雑化することなく高い歩留で半導体装置を得ることができた。

１ プリント配線基板
３ 樹脂層
５ 半導体素子
６ 半導体装置
１０ 積層板
１１ 第一金属層
１２ 第二金属層
１３ 支持部材
１５ 導体層
１７ 剥離層
１９ 貫通孔
２０ 導電体
２１ 絶縁層
２２ 配線パッド
２３ 第一被覆層（第一ソルダーレジスト層）
２４ 配線パターン
２５ 第二被覆層（第二ソルダーレジスト層）
２６ 半田層
２７ 金属層
２８ 金属層
２９ 半田ボール
３６ 給電パターン
３７ 給電パターンの端面
３８ 第二開口部
３９ 第一開口部
４３ 空隙部
４９ 開口部
２７１ 銅層
２７２ ニッケル層
Ｍ マスク

Claims (14)

1. 絶縁基板上に複数の配線パッドと、前記配線パッド同士を接続するとともに前記配線パッドへ給電する給電パターンとを設ける工程と、
   前記絶縁基板上に表面被覆層を設けるとともに前記被覆層を選択的に除去することにより前記給電パターンに第一開口部を設ける工程と、
   前記第一開口部から露出する前記給電パターンを選択的に除去する工程と、を含むことを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
2. 前記被覆層を選択的に除去することによりそれぞれの前記配線パッドの所定の位置に第二開口部を設ける工程を含む請求項１に記載のプリント配線基板の製造方法。
3. 前記第一開口部を覆い前記第二開口部が露出する第一マスクを形成する工程をさらに含む請求項２に記載のプリント配線基板の製造方法。
4. 前記第二開口部を設ける工程の後、前記第二開口部に半導体素子と接続するための金属バンプを形成する工程をさらに含む請求項２または３に記載のプリント配線基板の製造方法。
5. 前記金属バンプを形成した後、前記第一マスクを剥離するとともに、前記第二開口部を覆い前記第一開口部が露出する第二マスクを形成する工程をさらに含む請求項４に記載のプリント配線基板の製造方法。
6. 前記表面被覆層は、感光性樹脂である請求項１ないし５のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法。
7. 前記給電パターンを選択的に除去する工程は、薬液を用いて行なう請求項１ないし６のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法。
8. 前記第一開口部の形成は、前記感光性樹脂を露光現像して形成する請求項６または７に記載のプリント配線基板の製造方法。
9. 前記第二開口部の形成は、レーザを用いて行なう請求項請求項２ないし７のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法。
10. 前記レーザは、炭酸ガスレーザである請求項９に記載のプリント配線基板の製造方法。
11. 前記金属バンプは、電気めっきにより形成する請求項４ないし１０のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法。
12. 前記第二開口部は、断面視において前記第一開口部を挟み込むように形成されている請求項２ないし１１のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法。
13. 請求項１ないし１２のいずれかの方法により製造されたプリント配線基板。
14. 請求項１３に記載のプリント配線基板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。