JP2012105880A - 放射線画像撮影装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光検出基板に対する光リセットを十分に行うことができると共に、放射線画像の画像ボケを抑制することができ、さらには、可視光に対する光検出基板の感度も向上させる。
【解決手段】放射線画像撮影装置（２０、２０Ａ〜２０Ｄ）では、光検出基板（７２）、シンチレータ（７４）、切換フィルタ（７６）及びリセット光源（７８）の順に配置され、切換フィルタ（７６）は、リセット光源（７８）からのリセット光を透過させる場合には、シンチレータ（７４）を介して光検出基板（７２）に該リセット光を照射させ、一方で、リセット光を透過させない場合には、少なくともシンチレータ（７４）で放射線から変換された可視光を光検出基板（７２）の方向に反射させる。
【選択図】図３

Description

本発明は、放射線を可視光に変換するシンチレータと、前記可視光を電気信号に変換する光検出基板とを有する放射線画像撮影装置に関する。

医療分野において、放射線源から被写体に放射線を照射し、該被写体を透過した前記放射線を放射線画像撮影装置で検出することにより、前記被写体の放射線画像を取得することが広汎に行われている。この場合、前記放射線画像撮影装置は、例えば、前記被写体を透過した前記放射線を可視光に変換するシンチレータと、該可視光を電気信号に変換する光検出基板とを有し、該光検出基板は、前記可視光を検出可能なフォトダイオードを用いた光検出素子を備えている。

ところで、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等からなるフォトダイオードを用いて光検出基板を構成した場合、可視光から変換された電荷（電子）の一部がａ−Ｓｉの不純物準位（欠陥）に一旦捕捉され、その後、動画撮影のような長時間の撮影による前記フォトダイオードの温度上昇等に起因して前記電荷が再放出されると、暗電流等の不要な電流が発生し、放射線画像のノイズの原因となる場合がある。そこで、放射線の非照射時（非撮影時）に前記フォトダイオードにリセット光を照射して、前記不純物準位に電荷を予め埋めておき、その後、放射線の照射時（撮影時）に可視光から変換された電荷が前記不純物準位に捕捉されないようにすることで、前記ノイズの低減を図る光リセット法が特許文献１及び２に提案されている。

特許文献１では、複数の細孔が設けられた反射層、シンチレータ及び光検出基板の順に配置され、リセット光は、前記各細孔及び前記シンチレータを介して前記光検出基板の光検出素子に照射される。また、特許文献２では、反射層、リセット光源、シンチレータ及び光検出基板の順に配置され、前記リセット光源から出力されたリセット光は、前記シンチレータを介して前記光検出基板の光検出素子に照射される。

特表２０１０−５２５３５９号公報 特開２００７−２２５５９８号公報

特許文献１において、シンチレータで放射線から変換された可視光は、光検出基板に直接入射されるか、あるいは、反射層で反射した後に前記光検出基板に入射される。しかしながら、前記反射層には複数の細孔が設けられているので、前記反射層に到達した前記可視光の一部は、前記各細孔を通り抜けてしまう。この結果、前記光検出基板に入射される可視光の光量が減少して、該光検出基板の感度が低下する。

また、平面視で、前記各細孔と光検出素子との位置ずれが発生したり、あるいは、前記各細孔とは異なる位置に前記光検出素子が配置されていれば、前記各細孔を介して前記光検出素子にリセット光を照射しても十分なリセット効果（不純物準位への電荷の埋設）が得られない。そこで、十分なリセット効果を得る目的でリセット光の光量を大きくすれば、該リセット光を出力するリセット光源の発熱が問題となる。

このように、特許文献１の技術では、複数の細孔を備えた反射層を設けたことにより、高感度の放射線画像を取得できず、一方で、光リセットも十分に行うことができない。

一方、特許文献２において、シンチレータで放射線から変換された可視光は、光検出基板に直接入射されるか、あるいは、リセット光源を介して反射層で反射した後に該リセット光源及び前記シンチレータを介して前記光検出基板に入射される。しかしながら、前記反射層で反射する可視光は、前記リセット光源を通過するので、放射線画像の画像ボケの原因となりやすい。

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、光検出基板に対する光リセットを十分に行うことができると共に、放射線画像の画像ボケを抑制することができ、さらには、可視光に対する光検出基板の感度も向上させることができる放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明に係る放射線画像撮影装置は、
放射線を可視光に変換するシンチレータと、前記可視光を電気信号に変換する光検出基板と、該光検出基板にリセット光を照射するリセット光源と、前記リセット光の透過又は非透過を切換可能な切換フィルタとを有し、
前記光検出基板、前記シンチレータ、前記切換フィルタ及び前記リセット光源の順に配置され、
前記切換フィルタは、前記リセット光を透過させる場合には、前記シンチレータを介して前記光検出基板に該リセット光を照射させ、一方で、前記リセット光を透過させない場合には、少なくとも前記可視光を前記光検出基板の方向に反射させることを特徴としている。

この構成によれば、前記リセット光に対して前記切換フィルタが透過状態に切り換わった場合、前記リセット光源は、前記切換フィルタ及び前記シンチレータを介して前記光検出基板に前記リセット光を照射することができる。これにより、前記光検出基板に対する光リセットを十分に行うことが可能となる。

一方、前記リセット光に対して前記切換フィルタが非透過状態に切り換わった場合、前記シンチレータで前記放射線から変換された前記可視光のうち、前記リセット光源の方向に向かう光は、前記切換フィルタで前記光検出基板の方向に反射するので、反射光は、前記リセット光源を介することなく前記シンチレータ内を進行して前記光検出基板に入射する。これにより、画像ボケのない高画質の放射線画像を取得することができると共に、前記光検出基板に入射する前記可視光の光量を増加させて、該可視光に対する前記光検出基板の感度を向上させることができる。

このように、本発明では、前記光検出基板、前記シンチレータ、前記切換フィルタ及び前記リセット光源の順に配置し、前記切換フィルタが前記リセット光に対して透過又は非透過に切換可能であるので、前記光検出基板に対する光リセットを十分に行うことが可能になると共に、前記放射線画像の画像ボケを抑制することができ、さらには、前記可視光に対する前記光検出基板の感度も向上させることができる。

ここで、前記シンチレータは、被写体を透過した前記放射線を前記可視光に変換し、前記光検出基板は、前記可視光を前記被写体の放射線画像を示す前記電気信号に変換し、前記切換フィルタは、前記被写体に対する前記放射線画像の撮影に関わる撮影オーダに基づいて、前記リセット光を透過させる透明状態（透過状態）、又は、前記可視光を前記光検出基板の方向に反射させると共に前記リセット光を前記リセット光源の方向に反射させる鏡状態（非透過状態）に切換可能である。

これにより、前記被写体に対する撮影方法（静止画撮影、動画撮影等）に応じて、前記切換フィルタを前記透明状態又は前記鏡状態に維持するか、あるいは、適切な状態に切り換えることができるので、前記光検出基板に対する光リセットや、画像ボケの抑制された高画質で且つ高感度の放射線画像の取得を、確実に且つ効率よく行うことができる。また、前記鏡状態の前記切換フィルタが前記可視光を前記光検出基板の方向に反射させることにより、前記光検出基板に入射する前記可視光の光量が増加するので、前記被写体に照射する前記放射線の線量を低下させて、該被写体の被曝線量を低減することも可能となる。

具体的に、前記放射線画像撮影装置では、前記撮影オーダに従って、下記［１］〜［９］のように、前記切換フィルタの状態を維持するか、又は、切り換えることが望ましい。

［１］ 少なくとも１枚の静止画撮影を含む撮影オーダである場合、又は、フレームレート閾値よりも低いフレームレートでの動画撮影を含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、前記鏡状態を維持する。

これらの撮影では、高画質及び高感度の放射線画像の取得が特に要求されている。また、これらの撮影では、撮影間隔が比較的長いので、フォトダイオードの温度がそれ程上昇せず、従って、不純物準位に捕捉される電荷の再放出に起因したノイズが前記放射線画像に与える影響は大きくないものと想定される。

そこで、上述した撮影オーダの場合には、前記切換フィルタを前記鏡状態に維持することで光リセットを行わないようにし、一方で、前記シンチレータで前記放射線から変換された前記可視光を確実に前記光検出基板側に反射させて、該光検出基板に入射する前記可視光の光量を増加させるようにする。この結果、［１］の場合には、低ノイズで且つ画像ボケの抑制された高画質及び高感度の放射線画像を容易に取得することができる。

［２］ 動画撮影を含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、前記透明状態を維持する。

前記動画撮影の場合には、撮影が長時間にわたることで、フォトダイオードの温度が上昇し、不純物準位に捕捉される電荷の再放出に起因したノイズが放射線画像に大きな影響を及ぼすことが想定される。従って、前記切換フィルタを透明状態に維持することにより、撮影と撮影との間の前記放射線の非照射時に光リセットを行うことが可能となり、この結果、放射線画像のノイズを低減することができる。

［３］ 動画撮影を含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、各フレームにおいて、前記被写体に対する前記放射線の照射時には前記鏡状態を維持すると共に、非照射時には前記透明状態を維持することにより、前記鏡状態及び前記透明状態に順次切り換わる。

この場合、１フレーム中、前記鏡状態及び前記透明状態に順次切り換わるので、前記被写体に対する前記放射線の照射時には、前記切換フィルタが鏡状態に維持されて前記可視光を確実に前記光検出基板側に反射させることができ、前記光検出基板に入射する前記可視光の光量を増加させることができる。また、前記放射線の非照射時には、前記切換フィルタが透明状態に維持されるので、前記光検出基板に対する光リセットを十分に行うことができる。

このように、前記動画撮影において、１フレーム中、前記切換フィルタを前記鏡状態と前記透明状態とに交互に切り換えることで、高画質且つ高感度の放射線画像の取得と、該放射線画像のノイズの低減とを共に実現することができる。なお、このような、前記鏡状態及び前記透明状態の順次切換状態は、前記動画撮影のフレームレートに対して十分に追従できるような切換時間を実現できる切換フィルタ（撮影と撮影との間の時間よりも該切換時間が短い切換フィルタ）であることが必要である。従って、前記切換時間が前記フレームレートに追従できないような切換フィルタでは、上記［２］の態様を採用すればよい。

［４］ 動画撮影と少なくとも１枚の静止画撮影とを含む撮影オーダである場合、前記切換フィルタは、前記動画撮影では前記透明状態を維持すると共に、前記静止画撮影では前記鏡状態を維持し、前記動画撮影から前記静止画撮影に切り換わるタイミングで前記透明状態から前記鏡状態に切り換わるか、あるいは、前記静止画撮影から前記動画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態から前記透明状態に切り換わる。

このように、撮影方法（静止画撮影、動画撮影）が切り換わるタイミングで前記切換フィルタの状態を切り換えることで、該撮影方法に応じた最適な放射線画像を確実に取得することができる。

［５］ フレームレート閾値よりも高いフレームレートでの動画撮影と、少なくとも１枚の静止画撮影とを含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、
前記静止画撮影では前記鏡状態を維持し、一方で、前記動画撮影では、各フレームにおいて、前記被写体に対する前記放射線の照射時には前記鏡状態を維持すると共に、非照射時には前記透明状態を維持することにより、前記鏡状態及び前記透明状態に順次切り換わり、
前記動画撮影から前記静止画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態及び前記透明状態の順次切換状態から前記鏡状態に切り換わるか、あるいは、前記静止画撮影から前記動画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態から前記鏡状態及び前記透明状態の順次切換状態に切り換わる。

このような撮影オーダであっても、撮影方法が切り換わるタイミングで前記切換フィルタの状態が確実に切り換わるので、該撮影方法に応じた最適な放射線画像を確実に取得することができる。

なお、前記フレームレート閾値とは、光リセットの要否を判断するための閾値であり、前記撮影オーダに含まれる前記動画撮影でのフレームレートが該フレームレート閾値よりも高ければ光リセットが必要と判断され、一方で、前記フレームレートが前記フレームレート閾値よりも低ければ光リセットが不要と判断される。

従って、光リセットが必要とされる前記フレームレート閾値よりも高いフレームレートの動画撮影であり、且つ、前記鏡状態と前記透明状態との切り換えが前記フレームレートに追従できるような切換フィルタである場合には、１フレーム中、前記鏡状態又は前記透明状態に順次切り換わることにより、撮影と撮影との間での前記放射線の非照射時に光リセットを確実に行うことが可能となる。

［６］ フレームレート閾値よりも低いフレームレートでの第１の動画撮影と、前記フレームレート閾値よりも高いフレームレートでの第２の動画撮影とを含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、前記第１の動画撮影では前記鏡状態を維持すると共に、前記第２の動画撮影では前記透明状態を維持し、前記第１の動画撮影から前記第２の動画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態から前記透明状態に切り換わるか、あるいは、前記第２の動画撮影から前記第１の動画撮影に切り換わるタイミングで前記透明状態から前記鏡状態に切り換わる。

このように、フレームレートが途中で変更する撮影オーダであっても、フレームレートが切り換わるタイミングで前記切換フィルタの状態を切り換えれば、フレームレートに応じた最適な放射線画像を確実に取得することができる。

［７］ 前記第１の動画撮影及び前記第２の動画撮影を含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、
前記第１の動画撮影では前記鏡状態を維持すると共に、前記第２の動画撮影では、各フレームにおいて、前記被写体に対する前記放射線の照射時には前記鏡状態を維持すると共に、非照射時には前記透明状態を維持することにより、前記鏡状態及び前記透明状態に順次切り換わり、
前記第１の動画撮影から前記第２の動画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態から前記鏡状態及び前記透明状態の順次切換状態に切り換わるか、あるいは、前記第２の動画撮影から前記第１の動画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態及び前記透明状態の順次切換状態から前記鏡状態に切り換わる。

フレームレートが途中で変更する［７］の撮影オーダであっても、［６］の場合と同様に、フレームレートが切り換わるタイミングで前記切換フィルタの状態を切り換えれば、フレームレートに応じた最適な放射線画像を確実に取得することができる。

［８］ 前記第１の動画撮影及び前記第２の動画撮影を含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、
前記第１の動画撮影及び前記第２の動画撮影の撮影順を含む撮影オーダであるとき、前記第１の動画撮影における所定のフレームまで前記鏡状態を維持した後に前記透明状態に切り換わり、切換後の残りのフレーム及び前記第２の動画撮影では前記透明状態を維持し、
一方で、前記第２の動画撮影及び前記第１の動画撮影の撮影順を含む撮影オーダであるとき、前記第２の動画撮影及び前記第１の動画撮影における所定のフレームまで前記透明状態を維持した後に前記鏡状態に切り換わり、切換後の残りのフレームでは前記鏡状態を維持する。

前記鏡状態と前記透明状態との切り換えに時間がかかることにより、前記第１の動画撮影と前記第２の動画撮影との切り換えのタイミングで、前記鏡状態と前記透明状態との切り換えがスムーズに行えない場合もある。そこで、上記のように、フレームレートの低い前記第１の動画撮影において、撮影と撮影との間に、前記鏡状態と前記透明状態との切り換えを行うことにより、前記第２の動画撮影時に、不純物準位に捕捉される電荷の再放出に起因したノイズが放射線画像に重畳することを確実に回避することができる。

［９］ 上記［６］〜［８］に示す前記撮影オーダが少なくとも１枚の静止画撮影をさらに含む場合に、前記切換フィルタは、前記静止画撮影では前記鏡状態を維持し、前記動画撮影から前記静止画撮影に切り換わるタイミングで該動画撮影に応じた前記切換フィルタの状態から前記鏡状態に切り換わるか、あるいは、前記静止画撮影から前記動画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態から前記動画撮影に応じた前記切換フィルタの状態に切り換わる。

このように、前記静止画撮影が含まれる前記撮影オーダであっても、上記のように前記切換フィルタの状態を切り換えることにより、それぞれの撮影において、適切な放射線画像を容易に取得することができる。

そして、上述した放射線画像撮影装置において、前記光検出基板は、前記可視光を前記電気信号に変換する複数の光検出素子を備え、前記切換フィルタの一部には、前記リセット光を常時透過可能な窓部が形成され、前記リセット光源が前記窓部を介して該窓部に対向する光検出素子に前記リセット光を照射した場合に、前記リセット光が照射された光検出素子は、該リセット光に起因した暗電流信号を検出し、前記切換フィルタは、前記暗電流信号に応じた前記光検出素子の温度及び前記撮影オーダに基づいて、前記鏡状態又は前記透明状態に切り換わってもよい。

不純物準位に捕捉された電荷の再放出に起因するノイズのレベルは、ａ−Ｓｉ等からなるフォトダイオードを用いた前記光検出素子の温度によって変化する。そこで、上述のように、前記暗電流信号に応じた温度及び前記撮影オーダに基づいて、前記切換フィルタを前記鏡状態又は前記透明状態に切り換えることにより、前記光検出素子の温度変化に応じて前記ノイズを効率よく低減することが可能となる。

また、前記切換フィルタは、前記リセット光の透過又は非透過を電気的に切換可能な調光ミラーフイルム層を備えることが望ましい。この場合、前記切換フィルタは、前記リセット光を透過可能な透明基材上に前記調光ミラーフイルム層を積層することにより構成され、前記調光ミラーフイルム層側に前記シンチレータを配置すると共に、前記透明基材側に前記リセット光源を配置すればよい。このように前記切換フィルタを構成することにより、該切換フィルタでの前記リセット光に対する透過状態又は非透過状態（鏡状態）を容易に且つ効率よく切り換えることができる。

また、前記リセット光源は、前記切換フィルタ及び前記シンチレータを介して前記光検出基板と対向するように配置された発光素子のアレイ、バックライト、又は、エレクトロルミネッセンス光源であればよい。

この場合、前記バックライトは、前記切換フィルタにおける前記シンチレータの反対側に配置された導光板と、該導光板の側部に配置された光源と、前記導光板及び前記光源を囲繞するように配置された反射シートと、前記導光板における前記切換フィルタ側の表面に配置された拡散シートとから構成され、前記光源は、前記導光板に光を入射し、前記導光板に入射した前記光は、該導光板内で前記反射シート及び前記拡散シートとの間で表面反射を繰り返した後に、前記拡散シートから前記切換フィルタに前記リセット光として出射する。

このように、前記バックライトを構成すれば、前記光源を前記放射線の非照射領域に配置することが可能となり、前記放射線による前記光源の劣化を回避することができる。なお、前記光源は、発光ダイオード又は冷陰極管であればよい。

また、前記エレクトロルミネッセンス光源を有機エレクトロルミネッセンス光源とすれば、前記リセット光源の薄型化を実現することができる。

さらに、上記の放射線画像撮影装置において、前記シンチレータ及び前記光検出基板を接着層を介して接着するか、前記シンチレータ及び前記光検出基板を粘着層を介して粘着するか、あるいは、前記光検出基板に前記シンチレータを直接成膜してもよい。

この場合、蒸着基板に前記シンチレータを成膜した後に、該シンチレータの先端部分と前記光検出基板とを前記接着層を介して接着するか、あるいは、前記粘着層を介して粘着してもよい。

ここで、前記蒸着基板が前記リセット光に対して非透過である場合、前記蒸着基板に剥離層を介して前記シンチレータを成膜した後に、該シンチレータの先端部分と前記光検出基板とを前記接着層を介して接着するか、あるいは、前記粘着層を介して粘着し、その後、前記シンチレータから前記剥離層及び前記蒸着基板を剥離して、前記シンチレータの剥離面に前記リセット光源を配置してもよい。

一方、前記蒸着基板が前記リセット光を透過可能である場合、該蒸着基板を介して前記リセット光源を配置可能としてもよい。

また、前記光検出基板は、前記可視光を前記電気信号に変換する光検出素子と、該光検出素子から前記電気信号を読み出すためのスイッチング素子とを備え、前記光検出素子は、有機光電変換材料又はアモルファス酸化物半導体から構成されると共に、前記スイッチング素子は、有機半導体材料、アモルファス酸化物半導体又はカーボンナノチューブから構成してもよい。これにより、前記光検出素子と前記スイッチング素子とを低温成膜により形成することが可能となる。

さらに、前記光検出基板と前記シンチレータとの間に、前記放射線の照射方向に対して斜め方向に進行する前記可視光又は前記リセット光をカットする斜入光カット層を介挿してもよい。これにより、前記可視光に対する前記光検出基板の感度の向上と、前記放射線画像の画像ボケの抑制とを共に実現することができる。

そして、前記放射線画像撮影装置は、前記放射線の照射方向に沿って、前記光検出基板、前記シンチレータ、前記切換フィルタ及び前記リセット光源の順に配置されるか、又は、前記リセット光源、前記切換フィルタ、前記シンチレータ及び前記光検出基板の順に配置される。

ここで、前記放射線の照射方向に沿って前記リセット光源、前記切換フィルタ、前記シンチレータ及び前記光検出基板が順に配置される場合に、前記切換フィルタは、少なくとも前記放射線の照射時には、前記リセット光を前記リセット光源の方向に反射させると共に前記可視光を前記光検出基板の方向に反射させる鏡状態を維持すればよい。

本発明によれば、光検出基板、シンチレータ、切換フィルタ及びリセット光源の順に配置し、前記切換フィルタがリセット光に対して透過又は非透過に切換可能であるので、前記光検出基板に対する光リセットを十分に行うことが可能になると共に、放射線画像の画像ボケを抑制することができ、さらには、可視光に対する前記光検出基板の感度も向上させることができる。

本実施形態に係る電子カセッテ（放射線画像撮影装置）を用いた放射線画像撮影システムの構成図である。 図１に示す電子カセッテの斜視図である。 図３Ａ及び図３Ｂは、図２の電子カセッテのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。 図４Ａ及び図４Ｂは、図３Ａの電子カセッテ（第１実施例及び第２実施例に係る電子カセッテ）における放射線検出器近傍の要部断面図である。 図５Ａ及び図５Ｂは、図３Ｂの電子カセッテ（第３実施例及び第４実施例に係る電子カセッテ）における放射線検出器近傍の要部断面図である。 図６Ａは、放射線検出器近傍の要部断面図であり、図６Ｂは、光検出基板近傍の要部断面図である。 図７Ａ及び図７Ｂは、光検出基板近傍の要部断面図である。 光検出基板近傍の要部断面図である。 切換フィルタの説明図である。 図１０Ａ及び図１０Ｂは、切換フィルタの透明状態を示す説明図である。 図１１Ａ及び図１１Ｂは、切換フィルタの鏡状態を示す説明図である。 図１２Ａ及び図１２Ｂは、切換フィルタ及びリセット光源の説明図である。 図１３Ａは、リセット光源の要部平面図であり、図１３Ｂは、切換フィルタ及びリセット光源の説明図である。 切換フィルタ及びリセット光源の説明図である。 図１の電子カセッテの電気的な概略構成図である。 図１の放射線撮影システムの基本的な動作を示すフローチャートである。 図１の放射線撮影システムの基本的な動作を示すフローチャートである。 切換フィルタの切換動作及び光リセット動作を示すフローチャートである。 切換フィルタの切換動作及び光リセット動作を示すフローチャートである。 フォトダイオードの温度に応じたフレームレート閾値の変化を示すグラフである。 図２１Ａは、静止画撮影から動画撮影への切り換えを示すタイムチャートであり、図２１Ｂは、動画撮影から静止画撮影への切り換えを示すタイムチャートであり、図２１Ｃは、静止画撮影、低レート動画撮影及び高レート動画撮影の切り換えを示すタイムチャートである。 撮影オーダの判定動作を示すフローチャートである。 切換フィルタの切換動作及び光リセット動作を示すフローチャートである。 切換フィルタの切換動作及び光リセット動作を示すフローチャートである。 切換フィルタの切換動作及び光リセット動作を示すフローチャートである。 切換フィルタの切換動作及び光リセット動作を示すフローチャートである。 図２７Ａは、切換フィルタに形成された窓部を示す平面図であり、図２７Ｂは、窓部を備えた切換フィルタの作用を示す説明図である。 図２８Ａは、蒸着基板へのシンチレータの成膜を示す断面図であり、図２８Ｂは、防湿保護材の形成を示す断面図であり、図２８Ｃは、光検出基板へのシンチレータの接着又は粘着を示す断面図である。 図２９Ａは、シンチレータから蒸着基板及び剥離層を剥離させた状態を示す断面図であり、図２９Ｂは、シンチレータの基端部分を除去した状態を示す断面図である。 図３０Ａ及び図３０Ｂは、第２実施例に係る電子カセッテの放射線検出器近傍の要部断面図である。 第２実施例に係る電子カセッテの放射線検出器近傍の要部断面図である。 図３２Ａは、第３実施例に係る電子カセッテの放射線検出器近傍の要部断面図であり、図３２Ｂは、第４実施例に係る電子カセッテの放射線検出器近傍の要部断面図である。

本発明に係る放射線画像撮影装置の好適な実施形態について、図１〜図３２Ｂを参照しながら、詳細に説明する。

図１は、本実施形態に係る電子カセッテ（放射線画像撮影装置）２０を有する放射線画像撮影システム１０の構成図である。

放射線画像撮影システム１０は、ベッド等の撮影台１２に横臥した患者等の被写体１４に対して放射線１６を照射する放射線出力装置１８と、被写体１４を透過した放射線１６を検出して放射線画像に変換する電子カセッテ２０と、放射線画像撮影システム１０全体を制御すると共に、医師又は放射線技師（以下、医師ともいう。）の入力操作を受け付けるコンソール２２と、撮影した放射線画像等を表示する表示装置２４とを備える。

放射線出力装置１８、電子カセッテ２０、コンソール２２及び表示装置２４間では、例えば、ＵＷＢ（Ｕｌｔｒａ Ｗｉｄｅ Ｂａｎｄ）、ＩＥＥＥ８０２．１１．ａ／ｂ／ｇ／ｎ等の無線ＬＡＮ、又は、ミリ波等を用いた無線通信により信号の送受信が行われる。なお、ケーブルを用いた有線通信により信号の送受信を行ってもよいことは勿論である。

コンソール２２には、病院内の放射線科において取り扱われる放射線画像やその他の情報を統括的に管理する放射線科情報システム（ＲＩＳ）２６が接続され、ＲＩＳ２６には、病院内の医事情報を統括的に管理する医事情報システム（ＨＩＳ）２８が接続されている。

放射線出力装置１８は、放射線１６を照射する放射線源３０と、放射線源３０を制御する放射線制御装置３２と、放射線スイッチ３４とを備える。放射線源３０は、電子カセッテ２０に対して放射線１６を照射する。放射線源３０が照射する放射線１６は、Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線等であってもよい。放射線スイッチ３４は、２段階のストロークを持つように構成され、放射線制御装置３２は、放射線スイッチ３４が医師によって半押されると放射線１６の照射準備を行い、全押されると放射線源３０から放射線１６を照射させる。

なお、前述のように、放射線出力装置１８、電子カセッテ２０、コンソール２２及び表示装置２４間では、信号の送受信が可能であるため、放射線出力装置１８は、放射線スイッチ３４が半押状態となったときに照射準備を示す信号をコンソール２２等に送信し、その後、放射線スイッチ３４が全押状態となったときに放射線１６の照射開始を示す信号をコンソール２２等に送信してもよい。

図２は、図１に示す電子カセッテ２０の斜視図であり、図３Ａ及び図３Ｂは、図２に示す電子カセッテ２０のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。

電子カセッテ２０は、パネル部４０と、該パネル部４０上に配置された制御部４２とを備える。なお、パネル部４０の厚みは、制御部４２の厚みよりも薄く設定されている。

パネル部４０は、放射線１６（図１参照）に対して透過可能な材料からなる略矩形状の筐体４４を有し、パネル部４０の表面（上面）である照射面４６に放射線１６が照射される。照射面４６の略中央部には、被写体１４の撮影領域及び撮影位置を示すガイド線４８が形成されている。ガイド線４８の外枠が、放射線１６の照射野を示す撮影可能領域５０になる。また、ガイド線４８の中心位置（ガイド線４８が十字状に交差する交点）は、撮影可能領域５０の中心位置である。

筐体４４の制御部４２側の側面には、医師が把持可能な取手５２が配設されている。医師は、取手５２を把持することにより電子カセッテ２０を所望の場所（例えば、撮影台１２）に搬送することが可能となる。従って、電子カセッテ２０は、可搬型の放射線画像撮影装置である。

制御部４２は、放射線１６に対して非透過性の材料からなる略矩形状の筐体５４を有する。該筐体５４は、照射面４６の一端に沿って延在しており、照射面４６における撮影可能領域５０の外に制御部４２が配設される。この場合、筐体５４の上面には、撮影された放射線画像等を表示可能である一方で、医師が種々の情報を入力可能なタッチパネル方式の表示操作部５６と、医師に対する各種の通知を音として出力するスピーカ５８とが配設されている。また、筐体５４の側面には、外部から充電を行うためのＡＣアダプタの入力端子６０と、外部機器（例えば、コンソール２２等）との間で情報を送受信可能なインターフェース手段としてのＵＳＢ端子６２とが設けられている。

そして、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、筐体４４の内部には、放射線１６を放射線画像に変換する放射線検出器７０が収容されている。

放射線検出器７０は、被写体１４を透過した放射線１６を可視光領域に含まれる蛍光（図１１Ａ及び図１１Ｂに示す可視光１３０）に変換するシンチレータ７４と、該可視光１３０を電気信号に変換する光検出基板７２と、該光検出基板７２にリセット光１３２（図１０Ａ〜図１２Ｂ、図１３Ｂ及び図１４参照）を照射することにより光検出基板７２を構成する光検出素子９４（図６Ａ〜図８参照）に対する光リセットを行うリセット光源７８と、リセット光１３２の透過又は非透過を切換可能な切換フィルタ７６とを有する。従って、放射線検出器７０は、間接変換型の放射線検出器である。また、放射線検出器７０は、基本的には、光検出基板７２、シンチレータ７４、切換フィルタ７６及びリセット光源７８の順に配置することにより構成される。

そして、本実施形態に係る電子カセッテ２０は、放射線１６の照射方向に対する光検出基板７２、シンチレータ７４、切換フィルタ７６及びリセット光源７８の配置順によって、下記の４つの実施例（第１〜第４実施例に係る電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｄ）に分類することができる。

図３Ａに示す第１及び第２実施例に係る電子カセッテ２０Ａ、２０Ｂは、それぞれ、放射線１６の照射方向に沿って、光検出基板７２、シンチレータ７４、切換フィルタ７６及びリセット光源７８が順に配置された、表面読取方式としてのＩＳＳ（Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ Ｓｉｄｅ Ｓａｍｐｌｉｎｇ）方式の放射線検出器７０を有する間接変換型の放射線画像撮影装置である。図３Ｂに示す第３及び第４実施例に係る電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄは、それぞれ、放射線１６の照射方向に沿って、リセット光源７８、切換フィルタ７６、シンチレータ７４及び光検出基板７２が順に配置された、裏面読取方式としてのＰＳＳ（Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ Ｓｉｄｅ Ｓａｍｐｌｉｎｇ）方式の放射線検出器７０を有する間接変換型の放射線画像撮影装置である。

次に、第１〜第４実施例に係る電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｄの基本構成について、図４Ａ〜図５Ｂの要部断面図を参照しながら説明する。なお、図４Ａ〜図５Ｂでは、筐体４４内部における放射線検出器７０近傍の要部断面図を図示している。

第１〜第４実施例に係る電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｄでは、いずれも、筐体４４内部において、照射面４６側（天板）と底面側の底板８０との間に放射線検出器７０が配置されている。但し、各電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｄは、下記の点に関し、互いに異なる構成を有する。

第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａでは、図４Ａに示すように、光検出基板７２の底板８０側にシンチレータ７４が成膜されている。すなわち、シンチレータ７４は、光検出基板７２の底板８０側に、例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）を真空蒸着法で短冊状の柱状結晶構造８４として形成したものであり、シンチレータ７４の光検出基板７２側の基端部分は、非柱状結晶部分８２とされている。

この場合、柱状結晶構造８４を構成する各柱は、光検出基板７２と略直交する方向（図４Ａの上下方向であって放射線１６の照射方向）に沿ってそれぞれ形成され、隣接する各柱の間には、ある程度の隙間が確保されている。また、ＣｓＩ（ＣｓＩ：Ｔｌ）のシンチレータ７４は、柱状結晶構造８４が湿度に弱く、非柱状結晶部分８２が湿度に特に弱いという特性を有するので、ポリパラキシリレン樹脂（パリレン（登録商標））からなる光透過性の防湿保護材８６で封止されている。なお、図４Ａ以降の各図面では、説明の容易化のために、柱状結晶構造８４における各柱間の隙間を誇張して図示する。

また、シンチレータ７４が発する可視光１３０（図１１Ａ及び図１１Ｂ参照）の波長域は、波長３６０ｎｍ〜８３０ｎｍの可視光領域であることが好ましく、放射線検出器７０によるモノクロ撮像を可能とするためには、緑色の波長域を含んでいることがより好ましい。特に、ＣｓＩ：Ｔｌでは、放射線１６の照射時における発光スペクトルが４２０ｎｍ〜６００ｎｍであると共に、可視光領域における発光ピーク波長が５６５ｎｍである。

第２実施例に係る電子カセッテ２０Ｂは、図４Ｂに示すように、シンチレータ７４と光検出基板７２とを、可視光１３０及びリセット光１３２（図１０Ａ〜図１２Ｂ参照）を透過可能な接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介して密着させる点で、第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａ（図４Ａ参照）とは異なる。

この場合、例えば、後述する蒸着基板２４０（図２８Ａ参照）にシンチレータ７４を蒸着形成した後に該シンチレータ７４を防湿保護材８６で封止し、次に、該蒸着基板２４０からシンチレータ７４を分離し、柱状結晶構造８４の先端部分側と光検出基板７２とを接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介して密着させた後に、非柱状結晶部分８２側を除去することで、図４Ｂのシンチレータ７４を構成すればよい。なお、シンチレータ７４を形成する際には、非柱状結晶部分８２が形成されないような蒸着条件を決定した後に、該蒸着条件に従って蒸着基板２４０にシンチレータ７４を蒸着形成してもよい。

また、前述した第１実施例では、光検出基板７２とシンチレータ７４との密着性を向上させるために、非柱状結晶部分８２を積極的に形成しているが、第２実施例では、非柱状結晶部分８２が存在しないシンチレータ７４を形成することで、該非柱状結晶部分８２での光散乱の発生を回避するようにしている。

なお、第２実施例に係る電子カセッテ２０Ｂの具体的な製造方法については、後述する。

ここで、柱状結晶構造８４の先端部分側と光検出基板７２との密着性を高めて、電子カセッテ２０Ｂの使用中でのシンチレータ７４と光検出基板７２との離間を回避したい場合には、接着層８８ａを用いて柱状結晶構造８４の先端部分側と光検出基板７２とを強固に接着すればよい。また、シンチレータ７４又は光検出基板７２の故障による少なくともいずれか一方の交換を考慮する場合には、接着層８８ａ程度の接着性を必要としない粘着層８８ｂを用いて柱状結晶構造８４の先端部分側と光検出基板７２とを粘着すればよい。

第３実施例に係る電子カセッテ２０Ｃは、図５Ａに示すように、第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａ（図４Ａ参照）と比較して、放射線検出器７０を上下反転させた点で異なる。また、第４実施例に係る電子カセッテ２０Ｄは、図５Ｂに示すように、第２実施例に係る電子カセッテ２０Ｂ（図４Ｂ参照）と比較して、放射線検出器７０を上下反転させた点で異なる。

なお、第１〜第４実施例に係る電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｄにおいて、筐体４４内部での光検出基板７２、切換フィルタ７６及びリセット光源７８の固定方法は、接着剤による接着、粘着剤による粘着、あるいは、固定手段による固定等、公知の固定方法により筐体４４内に固定可能であることは勿論である。また、図４Ａ〜図５Ｂでは、ＣｓＩ：Ｔｌからなるシンチレータ７４を図示しているが、ＧＯＳ（ガドリニウムオキサイドサルファ）からなるシンチレータ７４であってもよい。この場合、例えば、光検出基板７２又は切換フィルタ７６にＧＯＳを塗布することでシンチレータ７４を形成すればよい。

次に、光検出基板７２、切換フィルタ７６及びリセット光源７８の具体的な構成について、図６Ａ〜図１４を参照しながら説明する。なお、図６Ａ〜図１４では、代表的に、第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａにおける光検出基板７２、切換フィルタ７６及びリセット光源７８の具体的な構成について説明するが、第２〜第４実施例に係る電子カセッテ２０Ｂ〜２０Ｄについても、図６Ａ〜図１４の構成を適宜変更して適用可能であることは勿論である。また、図６Ａ〜図８は、光検出基板７２の具体的構成を図示し、図９〜図１１Ｂは、切換フィルタ７６の具体的構成を図示し、図１２Ａ〜図１４は、リセット光源７８の具体的構成を図示している。そして、図６Ａ〜図１４では、説明の容易化のために、一部の構成要素を模式化して図示し、あるいは、誇張して図示する。

図６Ａにおいて、光検出基板７２は、基材９０における底板８０側の表面にスイッチング素子としてのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）９２のアレイを形成し、該ＴＦＴ９２のアレイ上にａ−Ｓｉ等からなるフォトダイオードを用いた複数の光検出素子９４を配置した構造を有する。光検出素子９４がａ−Ｓｉを含めば、幅広い吸収スペクトルを持つことになり、シンチレータ７４からの可視光１３０を効率よく吸収することができる。

この場合、光検出基板７２の底板８０側は、ＴＦＴ９２のアレイ上に複数の光検出素子９４が配置されて凹凸状となるので、例えば、四フッ化エチレン樹脂膜による平坦化処理により平坦化膜９６を形成しておくことが望ましい。従って、ＣｓＩ：Ｔｌのシンチレータ７４は、平坦化膜９６を介して光検出基板７２に蒸着形成された後に、防湿保護材８６が施される。このように、図６Ａの構成では、放射線１６の照射方向（図６Ａの上方から下方に向かう方向）に沿って、基材９０、ＴＦＴ９２、光検出素子９４、平坦化膜９６及びシンチレータ７４が順に積層される。

基材９０は、シンチレータ７４を蒸着形成する際の熱に耐えられる程度の耐熱性を有する薄肉の基板であればよい。この場合、基材９０として、通常は、ガラス基板を採用すればよいが、他の材料を用いてもよい。

すなわち、有機光電変換材料又はアモルファス酸化物半導体（例えば、ａ−Ｓｉ）から光検出素子９４を構成すると共に、有機半導体材料（例えば、フタロシアニン化合物、ペンタセン又はバナジルフタロシアニン）、アモルファス酸化物半導体（例えば、ａ−ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ_４））、又は、カーボンナノチューブからＴＦＴ９２を構成する場合には、ＴＦＴ９２及び光検出素子９４を低温成膜により形成することが可能であるため、ポリイミドフイルム、ポリアリレートフイルム、二軸延伸ポリスチレンフイルム、アラミドフイルム又はバイオナノファイバのような可撓性を有するプラスチックフイルムを、基材９０として採用することができる。

ここで、基材９０として採用され得るプラスチックフイルムについてさらに具体的に説明すると、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の可撓性基板を基材９０として採用することが好ましい。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることができ、例えば、電子カセッテ２０（２０Ａ）の持ち運び等に有利となる。

なお、基材９０には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。

また、アラミドフイルムを用いて基材９０を構成する場合、アラミドは、２００℃以上の高温プロセスが適用可能であるため、透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化することができ、ハンダのリフロー工程を含むドライバＩＣの自動実装にも対応することができる。また、アラミドは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。さらに、アラミドは、ガラス基板等と比べて基材９０を薄く形成することができる。なお、超薄型のガラス基板とアラミドとを積層して基材９０を形成してもよい。

また、バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Ａｃｅｔｏｂａｃｔｅｒ Ｘｙｌｉｎｕｍ)が産出するセルロースミクロフィブリル束（バクテリアセルロース）と透明樹脂とを複合したものである。この場合、セルロースミクロフィブリル束は、幅５０ｎｍと可視光１３０の波長に対して１／１０のサイズであり、且つ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることにより、繊維を６０％〜７０％も含有しながら、波長５００ｎｍで約９０％の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。また、バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数（３ｐｐｍ−７ｐｐｍ）を有し、鋼鉄並の強度(４６０ＭＰa)、高弾性(３０ＧＰａ)で、且つ、フレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて基材９０を薄く形成することができる。

一方、光検出素子９４については、有機光電変換材料を含むことにより、可視光１３０の領域にシャープな吸収スペクトルを持つことになり、可視光１３０以外の電磁波が光検出素子９４に吸収されることがほとんどなく、放射線１６が光検出素子９４に吸収されることで発生するノイズを効果的に抑制することができる。

また、有機光電変換材料は、可視光１３０を最も効率良く吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ７４の発光ピーク波長に近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長と可視光１３０の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければ、可視光１３０を十分に吸収することが可能である。具体的に、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、可視光１３０との差が、１０ｎｍ以内であることが好ましく、５ｎｍ以内であることがより好ましい。

このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えば、キナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えば、キナクリドンの可視光領域における吸収ピーク波長は５６０ｎｍであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ７４の材料としてＣｓＩ：Ｔｌを用いれば、上記ピーク波長の差を５ｎｍ以内にすることが可能となり、光検出素子９４で発生する電荷量を略最大にすることができる。

また、ＴＦＴ９２を有機半導体材料、アモルファス酸化物半導体又はカーボンナノチューブから構成すれば、放射線１６を吸収せず、あるいは、吸収しても極めて微量に留まるため、ノイズの発生を効果的に抑制することができる。特に、ＴＦＴ９２をカーボンナノチューブで構成すれば、ＴＦＴ９２のスイッチング速度を高速化することができると共に、可視光１３０及びリセット光１３２に対する吸収度合の低いＴＦＴ９２を形成することができる。なお、カーボンナノチューブでＴＦＴ９２を構成する場合、極微量の金属性不純物を混入するだけで、ＴＦＴ９２の性能が著しく低下するため、遠心分離等により極めて高純度のカーボンナノチューブを分離・抽出して形成する必要がある。

そして、図６Ａの構成において、被写体１４を透過した放射線１６が筐体４４の照射面４６（天板）及び光検出基板７２を透過してシンチレータ７４に至ると、該シンチレータ７４の柱状結晶構造８４では、放射線１６を可視光領域の蛍光（可視光１３０）に変換し、変換された可視光１３０は、柱状結晶構造８４の柱状部分を進行し、非柱状結晶部分８２及び平坦化膜９６を介して各光検出素子９４に至る（図１１Ａ及び図１１Ｂ参照）。また、一部の可視光１３０は、切換フィルタ７６に向かって進行するが、該切換フィルタ７６の後述する調光ミラーフイルム層１２２により光検出基板７２の方向に反射されるので、該一部の可視光１３０（反射光）もシンチレータ７４及び平坦化膜９６を介して各光検出素子９４に至る。従って、各光検出素子９４は、これらの可視光１３０を電気信号（アナログ信号）に変換し、電荷としてそれぞれ蓄積する。ＴＦＴ９２は、各光検出素子９４に蓄積された電荷を画像信号として読み出す。

図６Ｂの構成は、基材９０にＴＦＴ９２と光検出素子９４とが交互に形成されている点で図６Ａの構成とは異なる。この場合、隣接する１つのＴＦＴ９２と１つの光検出素子９４とによって１画素分の領域が構成される。図６Ｂの構成でも、光検出基板７２のＴＦＴ９２及び光検出素子９４側は、凹凸状である可能性もあるので、光検出基板７２に蒸着形成されるシンチレータ７４の該光検出基板７２に対する密着性を高めるために、平坦化膜９６を形成することが好ましい。

図７Ａの構成は、基材９０にａ−ＳｉからなるＴＦＴ９２のアレイと、アルミニウム等からなる金属の反射層９８と、複数の光検出素子９４とを順に積層し、光検出基板７２の光検出素子９４側に平坦化膜９６を形成する点で、図６Ａ及び図６Ｂの構成とは異なる。この場合、各光検出素子９４は、可視光１３０を電気信号に変換するフォトダイオードの光検出部９４ａを２つの電極９４ｂ、９４ｃで上下方向にそれぞれ挟み込んだ構造とされている。

そして、図７Ａの構成では、ＴＦＴ９２のアレイに反射層９８を設けることにより、シンチレータ７４からの可視光１３０又はリセット光源７８からのリセット光１３２が光検出基板７２に入射した場合には、これらの光は、反射層９８で光検出素子９４側に全て反射されるので、可視光１３０又はリセット光１３２の入射に起因したＴＦＴ９２でのスイッチングノイズの発生を回避することができる。また、反射層９８が可視光１３０又はリセット光１３２を反射することにより、これらの反射光が光検出素子９４の光検出部９４ａに入射されるので、光検出部９４ａに入射される可視光１３０又はリセット光１３２の光量が増加する。この結果、可視光１３０に対する光検出部９４ａの感度が向上すると共に、リセット光１３２による光検出素子９４の光リセットを効率よく行うことができる。

なお、図７Ａでは、ＴＦＴ９２のアレイに反射層９８を積層した場合を図示しているが、この構成に代替して、各光検出素子９４と重なるように、該各光検出素子９４とＴＦＴ９２のアレイとの間に反射層９８を形成してもよい。この場合、１つの光検出素子９４を１画素とする画素単位で、該光検出素子９４と略同じ面積の反射層９８を形成することになるので、該反射層９８での可視光１３０又はリセット光１３２の反射に起因した各画素間でのクロストークの発生を回避することができる。

図７Ｂの構成は、基材９０にａ−ＳｉからなるＴＦＴ９２とａ−Ｓｉからなるフォトダイオードを用いた光検出素子９４とが交互に形成されると共に、各ＴＦＴ９２の底板８０側に遮光層１００が形成され、さらに、光検出基板７２の遮光層１００及び光検出素子９４側に平坦化膜９６が形成される点で、図６Ａ〜図７Ａの構成とは異なる。

この場合、ＴＦＴ９２に遮光層１００を形成することにより、シンチレータ７４からの可視光１３０やリセット光源７８からのリセット光１３２が光検出基板７２に入射しても、光検出素子９４に向かって進行する光は、該光検出素子９４に入射される一方で、ＴＦＴ９２に向かって進行する光は、遮光層１００で全て吸収される。従って、図７Ｂの構成では、可視光１３０又はリセット光１３２を効率よく光検出素子９４に入射させると共に、可視光１３０又はリセット光１３２の入射によるＴＦＴ９２でのスイッチングノイズの発生を確実に回避することができる。

図８の構成は、平坦化膜９６とシンチレータ７４との間に、放射線１６の照射方向に対して斜め方向に進行する可視光１３０やリセット光１３２をカットする斜入光カット層１０２が介挿されている点で、図６Ａ〜図７Ｂの構成とは異なる。斜入光カット層１０２は、可視光１３０又はリセット光１３２を透過する物質（例えば、シリコン樹脂、オレフィン樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、ポリエステル樹脂又はポリカーボネート樹脂）からなる光透過部１０４と、可視光１３０又はリセット光１３２に対する吸収率の高い物質（例えば、暗色の金属酸化物、顔料又は染料）からなる遮光部１０６とを、平坦化膜９６の表面（水平方向）に沿って交互に配列することにより構成される。

この場合、放射線１６の照射方向に対して所定角度以内で進行してきた可視光１３０又はリセット光１３２は、光透過部１０４を透過して光検出基板７２に入射する。一方、前記所定角度を越えて斜め方向に傾いて進行してきた可視光１３０又はリセット光１３２は、遮光部１０６で全て吸収され、光検出基板７２への入射が阻止される。この結果、可視光１３０に対する光検出素子９４の感度が向上すると共に、リセット光１３２による光検出素子９４の光リセットを確実に且つ効率よく行うことができ、さらには、斜め方向に入射した光に起因した放射線画像の画像ボケの発生を抑制することができる。

なお、図６Ａ〜図８の構成は、一例であり、これらの構成を適宜組み合わせて光検出基板７２等を構成してもよい。例えば、図６Ｂ〜図７Ｂの各構成において、平坦化膜９６の表面とシンチレータ７４との間に斜入光カット層１０２を介挿してもよい。

切換フィルタ７６は、図９に示すように、リセット光源７８からシンチレータ７４の方向に向かって、透明基材１１０、透明導電膜１１２、イオン貯蔵層１１４、固体電解質層１１６、バッファ層１１８、触媒層１２０及び調光ミラーフイルム層１２２の順に積層することにより構成される。この場合、透明導電膜１１２と調光ミラーフイルム層１２２とには、電源１２４及びスイッチ１２６が電気的に接続されている。

透明基材１１０は、リセット光源７８側に配置された切換フィルタ７６の蒸着基板であり、該リセット光源７８から出力されたリセット光１３２（図１０Ａ及び図１０Ｂ参照）を透過可能なガラス基板又はプラスチック基板である。透明導電膜１１２は、リセット光１３２を透過可能なＩＴＯからなる透明電極である。イオン貯蔵層１１４は、水素イオン（Ｈ^＋）を蓄積可能なＷＯ_３（酸化タングステン）からなる薄膜である。固体電解質層１１６は、Ｔａ_２Ｏ_５（酸化タンタル）からなる薄膜である。バッファ層１１８は、Ａｌ（アルミニウム）の金属膜である。触媒層１２０は、Ｐｄ（パラジウム）からなる薄膜である。調光ミラーフイルム層１２２は、Ｍｇ・Ｎｉ（マグネシウム・ニッケル）系合金薄膜からなり、スイッチ１２６のオンによる電源１２４から透明導電膜１１２及び調光ミラーフイルム層１２２への電圧印加に起因して、リセット光１３２をリセット光源７８の方向に反射させると共にシンチレータ７４で変換された可視光１３０（図１１Ａ及び図１１Ｂ参照）を光検出基板７２の方向に反射させる鏡状態（非透過状態）、あるいは、リセット光１３２を透過させシンチレータ７４を介して光検出基板７２の光検出素子９４に照射させる透明状態（透過状態）に切り換わる。

ここで、調光ミラーフイルム層１２２における鏡状態又は透明状態の切り換えについて具体的に説明する。

調光ミラーフイルム層１２２の表面は、通常、Ｍｇ・Ｎｉ系合金薄膜の金属光沢に起因して、可視光１３０及びリセット光１３２を反射可能な鏡の状態（鏡状態）となっている。

調光ミラーフイルム層１２２がこのような鏡状態である場合に、図１０Ａに示すように、スイッチ１２６をオンにして、調光ミラーフイルム層１２２が負極性になると共に透明導電膜１１２が正極性となるように、切換フィルタ７６に電圧（数ボルトの直流電圧）を印加すると、調光ミラーフイルム層１２２は、鏡状態から透明状態に切り換わる。これは、イオン貯蔵層１１４に蓄えられている水素イオン（Ｈ^＋）が、固体電解質層１１６、バッファ層１１８及び触媒層１２０を介して調光ミラーフイルム層１２２に移動することにより、金属状態のＭｇ・Ｎｉ系合金が水素化されて非金属状態になり、透明化するためである。

このように調光ミラーフイルム層１２２が一旦透明状態になった場合、図１０Ｂに示すように、スイッチ１２６をオフにして電源１２４から切換フィルタ７６への電圧印加（通電）を停止しても、調光ミラーフイルム層１２２の透明状態は維持される。

調光ミラーフイルム層１２２が透明状態にあり、且つ、被写体１４に対する放射線１６の非照射時（非撮影時）である場合に、リセット光源７８が切換フィルタ７６に向けてリセット光１３２を出力すると、該リセット光１３２は、透明導電膜１１２及び調光ミラーフイルム層１２２を通過してシンチレータ７４に入射し、さらに、シンチレータ７４から平坦化膜９６を介して光検出素子９４に入射する。このように、ａ−Ｓｉ等からなるフォトダイオードを用いた光検出素子９４にリセット光１３２が照射されることにより、該フォトダイオードの不純物準位に電荷を予め埋めておいて、放射線１６の照射時（撮影時）に光検出素子９４で可視光１３０から変換される電荷が前記不純物準位に捕捉されないようにする光リセットを行うことができる。

一方、調光ミラーフイルム層１２２が透明状態である場合に、図１１Ａに示すように、スイッチ１２６をオンにして、調光ミラーフイルム層１２２が正極性になると共に透明導電膜１１２が負極性となるように、切換フィルタ７６に図１０Ａに示す電圧極性とは逆極性の電圧（数ボルトの直流電圧）を印加すると、調光ミラーフイルム層１２２は、透明状態から鏡状態に切り換わる。これは、調光ミラーフイルム層１２２に一旦移動した水素イオンが、前記逆極性の電圧の印加に起因して、触媒層１２０、バッファ層１１８及び固体電解質層１１６を介してイオン貯蔵層１１４に戻ることにより、調光ミラーフイルム層１２２が元の金属状態に変化するためである。

このように調光ミラーフイルム層１２２が鏡状態に戻った場合、図１１Ｂに示すように、スイッチ１２６をオフにして電源１２４から切換フィルタ７６への電圧印加を停止しても、調光ミラーフイルム層１２２の鏡状態は維持される。

そして、調光ミラーフイルム層１２２が鏡状態であり、且つ、被写体１４に対する放射線１６の照射（放射線撮影）が行われる場合には、シンチレータ７４において放射線１６から変換された可視光１３０のうち、調光ミラーフイルム層１２２に向かって進行する光は、該調光ミラーフイルム層１２２で光検出基板７２の方向に反射される。これにより、光検出素子９４では、シンチレータ７４で変換され平坦化膜９６を介して直接入射される光（可視光１３０）に加え、調光ミラーフイルム層１２２で反射されてシンチレータ７４及び平坦化膜９６を介して入射される反射光（可視光１３０）も電気信号として検出することができる。この結果、可視光１３０に対する光検出素子９４の感度を容易に向上させることができる。

なお、撮影時には、リセット光源７８への放射線１６の照射に起因してリセット光１３２が発生したり、リセット光源７８を誤って駆動させてリセット光１３２を出力させてしまうことも想定される。しかしながら、撮影中は、シンチレータ７４において、大部分の放射線１６が可視光１３０に変換されるので、シンチレータ７４を透過して切換フィルタ７６に到達する放射線１６は極めて少ない。また、撮影中は、調光ミラーフイルム層１２２が鏡状態（金属状態）であるため、切換フィルタ７６に到達した放射線１６を金属状態の調光ミラーフイルム層１２２が吸収することにより、該放射線１６がリセット光源７８に到達することを阻止することができる。仮に、放射線１６がリセット光源７８に到達して、該リセット光源７８からリセット光１３２が出力されても、鏡状態の調光ミラーフイルム層１２２でリセット光１３２をリセット光源７８の方向に反射させることができるので、シンチレータ７４及び光検出基板７２へのリセット光１３２の進行を阻止することができる。

このように、ＩＳＳ方式の電子カセッテ２０Ａ、２０Ｂでは、筐体４４内部において、放射線１６の照射方向に沿って、光検出基板７２、シンチレータ７４、切換フィルタ７６及びリセット光源７８が順に配置されているので、シンチレータ７４に到達する放射線１６の線量を減少させることなく、上述した作用及び効果を奏することができる。

なお、上述のように、ＩＳＳ方式の場合には、ほとんどの放射線１６がシンチレータ７４で可視光１３０に変換され、該シンチレータ７４を透過して切換フィルタ７６に到達する放射線１６は極めて少ないため、放射線１６の照射中、切換フィルタ７６を透明状態に維持することも可能である。この場合でも、上記の問題は発生しないか、あるいは、発生しても放射線画像に大きな影響を及ぼさないものと考えられる。

リセット光源７８は、図１２Ａ〜図１４に示すように、切換フィルタ７６及びシンチレータ７４を介して光検出基板７２と対向するように配置された発光素子１４２のアレイ（図１２Ａ参照）、バックライト（図１２Ｂ〜図１３Ｂ参照）、又は、エレクトロルミネッセンス光源（図１４参照）から構成される。

図１２Ａのリセット光源７８は、筐体４４の底板８０に配置された基板１４０上に、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の複数の発光素子１４２のアレイを配置することにより構成される。従って、調光ミラーフイルム層１２２が透明状態である場合に、各発光素子１４２からリセット光１３２を一斉に出力すれば、リセット光源７８は、面発光光源として機能し、切換フィルタ７６、シンチレータ７４及び平坦化膜９６を介し各光検出素子９４にリセット光１３２を均一に照射して光リセットを行うことができる。

なお、図１２Ａのリセット光源７８は、各光検出素子９４に対向する発光素子１４２のみ駆動させてリセット光１３２をそれぞれ出力することにより、各光検出素子９４に対してピンポイントで光リセットを行うことも可能である。

図１２Ｂのリセット光源７８は、エッジライト式のバックライトであり、筐体４４の底板８０と切換フィルタ７６との間に導光板１５０が配置されると共に、該導光板１５０の側部には冷陰極管（光源）１５２が配置されている。この場合、冷陰極管１５２の配置箇所は、放射線１６の非照射領域とされている。また、導光板１５０と切換フィルタ７６との間には拡散シート１５４が介挿されると共に、導光板１５０及び冷陰極管１５２を囲繞するように反射シート１５６が配置されている。ここで、冷陰極管１５２から導光板１５０に光が入射すると、導光板１５０に入射した前記光は、該導光板１５０内で反射シート１５６及び拡散シート１５４との間で表面反射を繰り返した後、該拡散シート１５４から切換フィルタ７６にリセット光１３２として出射される。

なお、図１２Ｂでは、１本のリセット光１３２のみ図示されているが、実際に冷陰極管１５２から導光板１５０に入射した光は、前記表面反射を繰り返して導光板１５０全体に広がり、拡散シート１５４から面発光のリセット光１３２として出射される。従って、バックライト方式のリセット光源７８も面発光光源として機能し、切換フィルタ７６、シンチレータ７４及び平坦化膜９６を介し各光検出素子９４に均一にリセット光１３２を照射して光リセットを行うことができる。

図１３Ａ及び図１３Ｂのリセット光源７８もエッジライト式のバックライトであるが、冷陰極管１５２に代替して、ＬＥＤ等の複数の発光素子（光源）１６２が一列に（アレイ状に）配列された基板１６０を配置している点で、図１２Ｂの構成とは異なる。従って、この場合でも、各発光素子１６２及び基板１６０の配置箇所は、放射線１６の非照射領域である。そして、各発光素子１６２から導光板１５０に光がそれぞれ入射すると、導光板１５０に入射した前記各光は、反射シート１５６及び拡散シート１５４との間で表面反射を繰り返して導光板１５０全体に広がった後に、拡散シート１５４から切換フィルタ７６に面発光のリセット光１３２として出射される。これにより、リセット光源７８は、切換フィルタ７６、シンチレータ７４及び平坦化膜９６を介し各光検出素子９４に均一にリセット光１３２を照射して光リセットを行うことができる。なお、図１３Ｂでも１本のリセット光１３２のみ図示している。

図１４のリセット光源７８は、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）光源又は無機エレクトロルミネッセンス（無機ＥＬ）光源であり、有機ＥＬ材料又は無機ＥＬ材料からなる発光層１７０を、リセット光１３２を透過可能なＩＴＯからなる透明電極１７２と、該リセット光１３２に対して非透過な金属電極１７４とで狭持した構造を有する。透明電極１７２と金属電極１７４とは、スイッチ１７６及び電源１７８と電気的に接続されている。従って、調光ミラーフイルム層１２２が透明状態である場合に、スイッチ１７６をオンにして、電源１７８から透明電極１７２と金属電極１７４との間に電圧（例えば、透明電極１７２が正極性になると共に金属電極１７４が負極性になる電圧）を印加すれば、発光層１７０から透明電極１７２を介して切換フィルタ７６に面発光のリセット光１３２を出力することができる。

このように、有機ＥＬ光源又は無機ＥＬ光源のリセット光源７８においても、切換フィルタ７６、シンチレータ７４及び平坦化膜９６を介して各光検出素子９４に均一にリセット光１３２を照射することにより光リセットを行うことができる。

図１５は、図１に示す電子カセッテ２０（２０Ａ〜２０Ｄ）の電気的な概略構成図である。

電子カセッテ２０（２０Ａ〜２０Ｄ）の光検出基板７２は、基材９０（図６Ａ〜図８参照）にアレイ状（行列状）に光検出素子９４及びＴＦＴ９２を配置した構造を有する。なお、以下の説明では、光検出素子９４を画素１９０ともいう。

行列状に配置された各画素１９０は、駆動回路部１８０のバイアス電源１９２からバイアス電圧が供給されることにより駆動し、シンチレータ７４において放射線１６から変換された可視光１３０を光電変換することで発生した電荷を蓄積する。各画素１９０に蓄積された電荷は、各列毎にＴＦＴ９２を順次オンすることにより、各信号線１９６を介してアナログ信号の画素値（電荷信号、電気信号）として読み出すことができる。なお、図１５では便宜上、画素１９０及びＴＦＴ９２を、縦４個×横４個の配列としているが、所望の個数の配列としてもよいことは勿論である。

各画素１９０に接続されるＴＦＴ９２には、行方向に延びるゲート線１９４と、列方向に延びる信号線１９６とが接続されている。各ゲート線１９４は、駆動回路部１８０を構成するゲート駆動部１９８に接続され、各信号線１９６は、チャージアンプ２００を介して、駆動回路部１８０を構成するマルチプレクサ部２０２に接続される。マルチプレクサ部２０２には、アナログ信号の電気信号をデジタル信号の電気信号に変換するＡＤ変換部２０４が接続されている。ＡＤ変換部２０４は、デジタル信号に変換した電気信号（デジタル信号の画素値、以下、デジタル値という場合もある）をカセッテ制御部１８２に出力する。なお、駆動回路部１８０は、パネル部４０又は制御部４２（図２参照）に配置されている。また、カセッテ制御部１８２は、制御部４２に配置されている。

カセッテ制御部１８２は、電子カセッテ２０（２０Ａ〜２０Ｄ）全体の制御を行う。この場合、コンピュータ等の情報処理装置に所定のプログラムを読み込ませることによって、コンピュータをカセッテ制御部１８２として機能させることができる。

カセッテ制御部１８２には、メモリ１８４及び通信部１８６が接続されている。メモリ１８４は、デジタル信号の画素値を記憶し、通信部１８６は、コンソール２２との間で信号の送受信を行う。この場合、通信部１８６は、複数の画素値が行列状に配置されて構成される１枚の画像（１フレームの画像）をコンソール２２にパケット送信する。電源部１８８は、カセッテ制御部１８２、メモリ１８４及び通信部１８６等に電力を供給すると共に、バイアス電源１９２にも供給する。なお、メモリ１８４、通信部１８６及び電源部１８８も制御部４２に収容されている。

カセッテ制御部１８２は、撮影オーダ判定部２１０、温度検出部２１２、光リセット動作判定部２１４、フィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８を有する。

撮影オーダ判定部２１０は、被写体１４に対する放射線１６の照射（放射線画像の撮影）に関わるオーダ情報（撮影オーダ）をコンソール２２から受信した際に、撮影オーダに含まれる撮影方法を特定（判定）する。なお、オーダ情報（撮影オーダ）とは、ＲＩＳ２６又はＨＩＳ２８において、医師により作成されるものであり、被写体１４の氏名、年齢、性別等、被写体１４を特定するための被写体情報に加えて、撮影に使用する放射線出力装置１８及び電子カセッテ２０の情報や、被写体１４の撮影部位や撮影での手技、撮影方法（静止画撮影、動画撮影）等が含まれる。

また、リセット光源７８から光検出素子９４（画素１９０）にリセット光１３２を照射して光リセットを行う場合、光検出素子９４は、リセット光１３２に応じた電気信号（暗電流信号）を検出し、電荷として蓄積する。暗電流信号のレベルは、光検出素子９４であるフォトダイオードの温度によって変化する。そこで、温度検出部２１２は、ＴＦＴ９２を順次オンすることにより、各信号線１９６を介して読み出された暗電流信号（の画素値）に基づいて、各光検出素子９４の温度を検出する。

光リセット動作判定部２１４は、撮影オーダ判定部２１０において特定された撮影方法と、温度検出部２１２において検出された各光検出素子９４の温度とに基づいて、各光検出素子９４に対して光リセットを行うべきか否かを判定する。

フィルタ制御部２１６は、前述した電源１２４及びスイッチ１２６（図９〜図１１Ｂ参照）の機能を有し、切換フィルタ７６に電圧を印加することにより、調光ミラーフイルム層１２２の鏡状態又は透明状態の切り換えを制御する。光源制御部２１８は、前述したスイッチ１７６及び電源１７８（図１４参照）の機能を有し、リセット光源７８からのリセット光１３２の出力を制御する。

なお、撮影オーダ判定部２１０での撮影方法の特定結果（判定結果）、温度検出部２１２での検出結果、光リセット動作判定部２１４での判定結果、フィルタ制御部２１６による切換フィルタ７６の制御の状況、及び、光源制御部２１８によるリセット光源７８の制御の状況は、表示操作部５６で画面表示され、スピーカ５８を介して音として出力され、さらには、通信部１８６から無線通信によりコンソール２２に送信（通知）される。

本実施形態に係る電子カセッテ２０（２０Ａ〜２０Ｄ）を有する放射線画像撮影システム１０は、基本的には以上のように構成されるものであり、次にその動作について、図１６〜図２６を参照しながら説明する。

図１６〜図２６の説明では、第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａを使用した場合の放射線画像撮影システム１０の動作について説明するが、第２〜第４実施例に係る電子カセッテ２０Ｂ〜２０Ｄを使用した場合でも、同様に適用可能であることは勿論である。

ここでは、撮影オーダの内容に従って、下記［１］〜［７］のケースに分けて説明する。

［１］ 被写体１４に対する少なくとも１枚の静止画撮影（被写体１４に対する少なくとも１回の放射線撮影）、又は、フレームレート閾値Ｆｔｈよりも低いフレームレートでの動画撮影（低レート動画撮影、第１の動画撮影）を含む撮影オーダに従った放射線撮影（図１６及び図１７参照）。

これらの放射線撮影は、いずれも、光検出素子９４に対する光リセットを行わない場合での撮影である。

なお、光リセットを行わない場合とは、光検出素子９４に対する光リセット動作を行わなくても、不純物準位に捕捉された電荷の再放出に起因した暗電流信号によるノイズが、医師による放射線画像の読影診断を妨げない程度に低い場合をいう。

また、フレームレート閾値Ｆｔｈとは、光リセットの要否を判断するための閾値（図２０参照）であり、動画撮影でのフレームレートが該フレームレート閾値Ｆｔｈよりも高ければ光リセットが必要と判断され、一方で、フレームレートがフレームレート閾値Ｆｔｈよりも低ければ光リセットが不要と判断される。

また、低レート動画撮影とは、フレームレート閾値Ｆｔｈ（通常は、Ｆｔｈ＝Ｆｔｈ０）よりも低いフレームレートでの動画撮影をいう。また、以下の説明では、フレームレート閾値Ｆｔｈよりも高いフレームレートでの動画撮影を、高レート動画撮影（第２の動画撮影）という。

先ず、図１６のステップＳ１において、コンソール２２（図１参照）は、医師がＲＩＳ２６又はＨＩＳ２８において作成したオーダ情報（撮影オーダ）を取得する。ステップＳ２において、医師は、コンソール２２が取得したオーダ情報に基づき、被写体１４の撮影条件を設定する。なお、撮影条件とは、例えば、放射線源３０の管電圧や管電流、放射線１６の曝射時間等、被写体１４の撮影部位に対して放射線１６を照射させるために必要な各種の条件である。

ステップＳ３において、医師は、所定の保管場所に保管されている電子カセッテ２０（２０Ａ）の取手５２（図２及び図３Ａ参照）を把持して該電子カセッテ２０Ａを搬送し、撮影台１２上に設置する。次のステップＳ４において、医師は、被写体１４の撮影部位が撮影可能領域５０に納まるように該被写体１４を撮影台１２及び電子カセッテ２０Ａ上に横臥させて、撮影可能領域５０に対する前記撮影部位のポジショニングを行う。

この場合、電源部１８８（図１５参照）は、カセッテ制御部１８２、通信部１８６及び表示操作部５６に対しては、電力を常時供給している。そして、被写体１４のポジショニングが完了した後に、医師が表示操作部５６を操作して、電子カセッテ２０Ａの起動を指示すると、カセッテ制御部１８２は、電源部１８８から駆動回路部１８０及びスピーカ５８への電力供給を開始させる。これにより、バイアス電源１９２は、各画素１９０（光検出素子９４）に対するバイアス電圧の供給を開始するので、該各画素１９０は、電荷蓄積が可能な状態となる。また、スピーカ５８は、カセッテ制御部１８２からの信号を音として外部に出力することが可能な状態に至る。この結果、電子カセッテ２０Ａは、スリープ状態から起動状態に切り替わる。

そして、カセッテ制御部１８２は、通信部１８６を介して無線によりコンソール２２に撮影オーダや撮影条件の送信を要求する送信要求信号を送信する。コンソール２２は、前記送信要求信号を受信すると、電子カセッテ２０Ａに対して前記撮影オーダ及び前記撮影条件を無線により送信すると共に、放射線出力装置１８に対して前記撮影条件を無線により送信する。これにより、放射線出力装置１８では、受信された前記撮影条件が放射線制御装置３２に登録される。また、電子カセッテ２０Ａでは、受信された前記撮影オーダ及び前記撮影条件がカセッテ制御部１８２に登録される。なお、カセッテ制御部１８２は、前記オーダ情報及び前記撮影条件を受信すると、これらの情報を表示操作部５６に表示させてもよい。

ステップＳ５において、カセッテ制御部１８２の撮影オーダ判定部２１０は、撮影オーダに含まれる撮影方法を判定する。前述したように、撮影方法は、少なくとも１枚の静止画撮影、又は、フレームレート閾値Ｆｔｈ（Ｆｔｈ０）（図２０参照）よりも低いフレームレートでの動画撮影（低レート動画撮影）であるため、撮影オーダ判定部２１０は、撮影方法の判定結果を光リセット動作判定部２１４に通知すると共に、表示操作部５６にも表示させる。

光リセット動作判定部２１４は、撮影オーダ判定部２１０から通知された判定結果に基づいて、各画素１９０（各光検出素子９４）に対する光リセットを行うべきか否かを判定する。この場合、少なくとも１枚の静止画撮影又は低レート動画撮影を示す判定結果であるため、光リセット動作判定部２１４は、各画素１９０に対する光リセット動作は不要と判定し（ステップＳ６）、光リセット動作が不要との判定結果を、フィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に通知すると共に、表示操作部５６にも表示させる。さらには、スピーカ５８から前記判定結果を示す音を出力してもよい。

フィルタ制御部２１６は、光リセット動作判定部２１４から通知された判定結果に基づいて、切換フィルタ７６への電圧印加を禁止し、一方で、光源制御部２１８は、前記判定結果に基づいて、リセット光源７８の駆動を禁止する。これにより、切換フィルタ７６の調光ミラーフイルム層１２２は鏡状態を維持すると共に、リセット光源７８からのリセット光１３２の出力も行われない（ステップＳ７）。

なお、ステップＳ５、Ｓ６の各判定結果が表示操作部５６に表示されるので、医師は、該表示操作部５６の表示内容を視認することにより、各画素１９０に対する光リセット動作が行われないことを把握することができる。また、ステップＳ５、Ｓ６の各判定結果を示す音をスピーカ５８から出力すれば、医師は、前記音を聞くことにより、各画素１９０に対する光リセット動作が行われないことを理解することができる。

さらに、前記各判定結果を通信部１８６から無線通信によりコンソール２２に送信してもよい。この場合、コンソール２２は、受信した前記各判定結果を無線通信により表示装置２４に転送して、該表示装置２４に表示させることができるので、医師は、各画素１９０に対する光リセット動作が行われないことを確実に把握することができる。

このようにして撮影準備が行われた後の図１７のステップＳ８において、医師が放射線スイッチ３４（図１参照）を半押すると、放射線制御装置３２は、放射線１６の照射準備を行うと共に、照射準備を通知する通知信号をコンソール２２に無線により送信する。コンソール２２は、放射線源３０からの放射線１６の照射と同期させるための同期制御信号を無線により電子カセッテ２０Ａに送信する。電子カセッテ２０Ａのカセッテ制御部１８２は、前記同期制御信号を受信すると、照射準備に入ったことを示す情報を表示操作部５６（図２及び図１５参照）に表示させると共に、スピーカ５８を介して外部に音として通知してもよい。

その後、医師が放射線スイッチ３４を全押すると、放射線制御装置３２は、放射線源３０から放射線１６を前記撮影条件で設定された所定時間だけ被写体１４の撮影部位に照射する（ステップＳ９）。この場合、放射線制御装置３２は、放射線１６の照射開始と同時に、照射開始を通知する通知信号を無線によりコンソール２２に送信してもよい。コンソール２２は、受信した前記通知信号を電子カセッテ２０Ａに転送し、該電子カセッテ２０Ａのカセッテ制御部１８２は、前記通知信号を受信すると、照射中であることを情報を表示操作部５６に表示させると共に、スピーカ５８を介して外部に音として通知してもよい。

そして、放射線１６が被写体１４の撮影部位を透過して電子カセッテ２０Ａの放射線検出器７０に至ったステップＳ１０において、該放射線検出器７０は、図３Ａ及び図４Ａに示すＩＳＳ方式の放射線検出器であるため、放射線１６は、光検出基板７２を介してシンチレータ７４の柱状結晶構造８４に至る。

柱状結晶構造８４は、放射線１６の強度に応じた強度の可視光１３０（図１１Ａ及び図１１Ｂ参照）を発光し、可視光１３０は、柱状結晶構造８４の柱状部分から非柱状結晶部分８２に向かって進行し、光検出基板７２に入射する。なお、一部の可視光１３０は、柱状結晶構造８４の柱状部分から先端部分に向かって進行する場合もあるが、切換フィルタ７６の調光ミラーフイルム層１２２が鏡状態にあるため（図１１Ａ及び図１１Ｂ参照）、光検出基板７２の方向に反射され、その反射光（一部の可視光１３０）は、柱状結晶構造８４及び非柱状結晶部分８２を介して光検出基板７２に入射する。従って、光検出基板７２には、柱状結晶構造８４で変換された後に直接入射した可視光１３０に加え、鏡状態の調光ミラーフイルム層１２２で反射した反射光（可視光１３０）も入射するので、可視光１３０に対する光検出基板７２の各画素１９０（各光検出素子９４）の感度を容易に向上させることができる。

そして、各画素１９０は、平坦化膜９６を介して入射された上述の可視光１３０を電気信号に変換し、電荷として蓄積する。次いで、各画素１９０に保持された被写体１４の撮影部位の放射線画像である電荷情報は、カセッテ制御部１８２（図１５参照）からゲート駆動部１９８に供給される駆動信号に従って読み出される。

すなわち、ゲート駆動部１９８は、ゲート線１９４を０行目から順次選択し、選択したゲート線１９４にゲート信号を供給して、該ゲート信号が供給されたＴＦＴ９２をオンにすることで、各画素１９０に蓄積された電荷を０行目から行単位で順次読み出す。各画素１９０から行単位で順次読み出された電荷は、各信号線１９６を介して各列のチャージアンプ２００に入力され、その後、マルチプレクサ部２０２及びＡＤ変換部２０４を介して、デジタル信号の電気信号としてメモリ１８４に記憶される（ステップＳ１１）。つまり、メモリ１８４には、行単位で得られた１行分の画像データが順次記憶される。

メモリ１８４に記憶された放射線画像は、電子カセッテ２０Ａを識別するためのカセッテＩＤ情報と共に、通信部１８６を介して無線によりコンソール２２（図１参照）に送信される。コンソール２２は、受信された放射線画像及びカセッテＩＤ情報を表示装置２４に表示させる（ステップＳ１２）。また、カセッテ制御部１８２は、放射線画像及びカセッテＩＤ情報を共に表示操作部５６に表示させてもよい。

医師は、表示装置２４又は表示操作部５６の表示内容を視認して放射線画像が得られたことを確認した後に、撮影オーダに登録された全ての撮影が完了したのであれば（ステップＳ１３：ＹＥＳ）、被写体１４をポジショニング状態から解放する（ステップＳ１４）。

次に、医師は、表示操作部５６を操作して、電子カセッテ２０Ａの停止を指示すると、カセッテ制御部１８２は、電源部１８８から駆動回路部１８０及びスピーカ５８への電力供給を停止させる。これにより、バイアス電源１９２から各画素１９０へのバイアス電圧の供給も停止する。この結果、電子カセッテ２０Ａは、起動状態からスリープ状態に移行する。

ステップＳ１５において、医師は、表示操作部５６の表示が消えて電子カセッテ２０Ａがスリープ状態に移行したことを確認した後に、該電子カセッテ２０Ａの取手５２（図２及び図３Ａ参照）を把持して、電子カセッテ２０Ａを所定の保管場所にまで搬送する。

なお、ステップＳ１３において、低レート動画撮影を含む撮影オーダであって、全ての動画撮影が完了していない場合には（ステップＳ１３：ＮＯ）、放射線制御装置３２は、次の動画撮影（２枚目以降の放射線撮影）を実行し、前記撮影条件に従って被写体１４の撮影部位に放射線１６を再度照射する（ステップＳ９）。

また、ステップＳ１３において、複数枚の静止画撮影を含む撮影オーダであって、全ての静止画撮影が完了していない場合には（ステップＳ１３：ＮＯ）、医師は、次の静止画撮影（２枚目以降の放射線撮影）を実行すべく、ステップＳ８の処理を再度実行する。

このように、各光検出素子９４（各画素１９０）に対して光リセットを行わない撮影（少なくとも１枚の静止画撮影、低レート動画撮影）では、切換フィルタ７６の調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に維持した状態で被写体１４に対する放射線撮影が実行される。

［１］に示す光リセットを行わない場合での放射線撮影については、以上の通りである。

次に、各光検出素子９４（各画素１９０）に対する光リセット動作を伴う放射線撮影（［２］〜［７］）について、図１８〜図２６を参照しながら説明する。

ここで、これらの放射線撮影について順に説明する前に、光リセット動作の必要性について説明する。

ａ−Ｓｉ等からなるフォトダイオードを用いた光検出素子９４（図６Ａ〜図８、図１０Ａ〜図１２Ｂ及び図１３Ｂ〜図１５参照）では、可視光１３０から変換された電荷の一部がａ−Ｓｉの不純物準位に一旦捕捉され、その後、高レート動画撮影のような長時間撮影によるフォトダイオードの温度上昇等に起因して前記電荷が再放出されると、暗電流等の不要な電流が発生し、放射線画像のノイズの原因となる場合がある。そこで、［背景技術］の項目でも記載したように、従来は、放射線１６の非照射時（非撮影時）にフォトダイオードにリセット光１３２を照射して、前記不純物準位に電荷を予め埋めておき、その後、放射線１６の照射時に可視光１３０から変換された電荷が前記不純物準位に捕捉されないようにすることで、前記ノイズの低減を図るようにしている。

しかしながら、従来の方法では、比較的浅く電荷を埋め込むため、フォトダイオードの温度が高くなると、ほとんどの電荷が不純物準位から吐き出されてしまい、ノイズ低減の効果が得られなくなる。また、高レート動画撮影では、長時間にわたり撮影が繰り返し行われることによりフォトダイオードの温度が上昇するので、撮影間隔（フレームレート）と不純物準位からの電荷の吐出時間とがコンパラブルになれば、不純物準位からの電荷の吐き出しが顕著になると共に、各フレーム間での電荷の吐き出し量がばらつくおそれがある。

従って、本実施形態では、不純物準位に電荷を予め十分に埋めておき、フォトダイオードの温度上昇に起因した各フレーム間での電荷の吐き出し量のばらつきを解消すると共に、一定の電荷の吐き出し量に起因したノイズを放射線画像から画像処理によって除去（補正）する必要がある。

一方、暗電流のレベルもフォトダイオードの温度によって変化する。特に、前記温度が上昇すると暗電流のレベルは大きくなる。従って、フォトダイオードが高温になると、放射線画像のノイズを無視できなくなる。従って、動画撮影ばかりでなく、静止画撮影でも撮影間隔が短い場合や、動画撮影から静止画撮影に切り換えたり、あるいは、静止画撮影から動画撮影に切り換えて撮影を続行する場合等、長時間にわたり放射線撮影を行う場合には、フォトダイオードが高温になりやすく、暗電流信号によるノイズが無視できない。

このように、フォトダイオードの温度によってノイズが無視できないようになると、図２０に示すように、例えば、フォトダイオードの温度が閾値温度Ｔｃよりも高ければ、フレームレート閾値Ｆｔｈを当初のＦｔｈ０（初期値）から引き下げて、撮影オーダに示す低レート動画撮影又は高レート動画撮影の別に関わり無く、フォトダイオードの温度を考慮した光リセット動作の要否判定を行う必要も出てくる。

そこで、図１８〜図２６での光リセット動作を必要とする撮影では、ａ−Ｓｉ等のフォトダイオードを用いた光検出素子９４の温度も考慮して、光リセット動作の要否判定を行う。

次に、光リセット動作を伴う放射線撮影について、［２］〜［７］に分けて説明する。

［２］ 静止画撮影又は低レート動画撮影を含む撮影オーダに従った放射線撮影であって、撮影前の光リセット動作を少なくとも１回行う場合（図１８参照）。

これは、高画質の放射線画像が要求されるため、撮影前に光リセット動作を少なくとも１回行って、ノイズの少ない放射線画像を取得する場合を想定している。すなわち、［１］で説明した撮影オーダであっても、より高画質の放射線画像を取得するために、撮影前に光リセットを少なくとも１回行う場合を想定している。

先ず、ステップＳ５（図１６参照）後の図１８のステップＳ２１において、光リセット動作判定部２１４（図１５参照）は、撮影オーダ判定部２１０から通知された判定結果が、少なくとも１枚の静止画撮影又は低レート動画撮影であることを示す判定結果であることから、撮影開始前に少なくとも１回の光リセット動作が必要と判断し、撮影開始前に光リセット動作が必要である旨の判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、前記判定結果を表示操作部５６に表示する。また、スピーカ５８は、前記判定結果を示す音を外部に出力してもよい。

フィルタ制御部２１６は、光リセット動作判定部２１４から通知された判定結果に基づいて、切換フィルタ７６（図３Ａ、図４Ａ、図６Ａ、図９〜図１２Ｂ、図１３Ｂ及び図１４参照）に電圧を供給して調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態に切り換える（ステップＳ２１）。また、光源制御部２１８は、前記判定結果に基づいて、リセット光源７８を駆動してリセット光１３２の出力を開始させる。

これにより、リセット光１３２は、調光ミラーフイルム層１２２を通過し、シンチレータ７４を介して光検出基板７２に入射する。この結果、各光検出素子９４（各画素１９０）に対する光リセットが行われる（ステップＳ２２）。その後、光源制御部２１８は、リセット光源７８からのリセット光１３２の出力を停止させて、光リセット動作を終了させる。

一方、フィルタ制御部２１６は、光リセット動作判定部２１４から通知された判定結果に基づいて、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に戻す必要がある場合には（ステップＳ２３：ＮＯ）、ステップＳ２１での電圧極性とは逆極性の電圧を切換フィルタ７６に供給して調光ミラーフイルム層１２２を透明状態から鏡状態に切り換える（ステップＳ２４）。また、フィルタ制御部２１６は、前記判定結果に基づいて、調光ミラーフイルム層１２２の透明状態を維持する必要があると判断した場合には（ステップＳ２３：ＹＥＳ）、切換フィルタ７６への電圧供給は行わず、前記透明状態を維持させる。

このようにして、光リセット動作が終了した後に、放射線画像撮影システム１０では、図１７のステップＳ８の処理が行われる。

なお、図１８のステップＳ２３において、切換フィルタ７６の透明状態を維持すべきか否かの判定は、例えば、下記の基準（１）又は（２）に従って判定すればよい。

（１）１枚の静止画撮影では、撮影前に光リセットを１回行えば、ノイズの少ない放射線画像が得られる。また、撮影中、切換フィルタ７６が鏡状態であれば、該切換フィルタ７６に向かって進行する可視光１３０を光検出基板７２の方向に反射させることができるので、光検出素子９４の感度を容易に向上させることができる。さらに、複数枚の静止画撮影又は低レート動画撮影においては、撮影間隔が比較的長ければ、フォトダイオードの温度はそれ程上昇しないことが予想されるので、２枚目以降の撮影の直前に光リセットを行わなくても、高画質の放射線画像が得られるものと思われる。従って、フィルタ制御部２１６は、これらの撮影については、高感度且つ高画質の放射線画像の取得を目的として、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に戻す旨の判定をすればよい。

（２）複数枚の静止画撮影又は低レート動画撮影であっても、撮影間隔が比較的短い撮影では、撮影回数を重ねていくと、フォトダイオードが高温になってくるので、２枚目以降の撮影では、撮影の直前に光リセットを行わないと、暗電流によるノイズが放射線画像に影響を与えることが想定される。また、調光ミラーフイルム層１２２における鏡状態及び透明状態の切り換えに要する時間が、撮影間隔よりも長ければ、切換フィルタ７６での切り換えが動画撮影のフレームレートに追従できない可能性もある。このような場合に、フィルタ制御部２１６は、光リセットを確実に行ってノイズの少ない放射線画像を取得する目的で、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に戻さず、透明状態を維持すべき旨の判定をすればよい。

なお、前述したように、ＩＳＳ方式の電子カセッテ２０Ａ（又は電子カセッテ２０Ｂ）では、放射線１６の照射方向に沿って、光検出基板７２、シンチレータ７４、切換フィルタ７６及びリセット光源７８の順に配置されているので、ほとんどの放射線１６は柱状結晶構造８４で可視光１３０に変換され、切換フィルタ７６及びリセット光源７８にまで放射線１６が到達する可能性は極めて低い。従って、ＩＳＳ方式の場合、放射線１６の照射による切換フィルタ７６及びリセット光源７８の劣化を防止することができると共に、放射線１６の照射中、調光ミラーフイルム層１２２を透明状態に維持しても、該放射線１６の照射によってリセット光源７８でリセット光１３２が誤発生するおそれを回避することができる。

また、［２］のケースでは、撮影開始前に光リセットを少なくとも１回実行する。光リセット後、静止画撮影の撮影オーダにあっては、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に維持して静止画撮影が行われる。一方で、低レート動画撮影の撮影オーダにあっては、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態にして動画撮影が行われるか、あるいは、透明状態にして動画撮影が行われる。

［３］ 複数枚の撮影（静止画撮影又は動画撮影）を含む撮影オーダに従った放射線撮影であって、撮影と撮影との間に光リセット動作を行う場合（図１９参照）。

これは、複数枚の静止画撮影、低レート動作撮影、又は、高レート動画撮影のように、連続撮影中に光リセット動作を行う場合を想定している。

ステップＳ１３（図１７参照）において、全ての撮影が完了していないと判定された後（ステップＳ１３：ＮＯ）の図１９のステップＳ２５において、光リセット動作判定部２１４（図１５参照）は、撮影オーダ判定部２１０から通知された判定結果が、複数枚の撮影（複数枚の静止画撮影、動画撮影）であることを示す判定結果であることから、撮影と撮影との間に光リセット動作を行うことが必要と判断し（ステップＳ２５：ＹＥＳ）、撮影と撮影との間での光リセット動作が必要である旨の判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、前記判定結果を表示操作部５６に表示する。この場合でも、スピーカ５８は、前記判定結果を示す音を外部に出力してもよい。

フィルタ制御部２１６は、光リセット動作判定部２１４から判定結果が通知されると、調光ミラーフイルム層１２２（図６Ａ、図９〜図１２Ｂ、図１３Ｂ及び図１４参照）が現在鏡状態であるか否かを確認し（ステップＳ２６）、調光ミラーフイルム層１２２が鏡状態であれば（ステップＳ２６：ＹＥＳ）、ステップＳ２１（図１８参照）の場合と同様に、切換フィルタ７６に電圧を供給して調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態に切り換える（ステップＳ２７）。

また、光源制御部２１８は、前記判定結果に基づいて、ステップＳ２２の場合と同様に、リセット光源７８を駆動してリセット光１３２の出力を開始させる。これにより、リセット光１３２は、調光ミラーフイルム層１２２を通過してシンチレータ７４を介して光検出基板７２に入射するので、各光検出素子９４（各画素１９０）に対する光リセットを行うことができる（ステップＳ２８）。

その後、光源制御部２１８は、リセット光源７８からのリセット光１３２の出力を停止させ、一方で、フィルタ制御部２１６は、ステップＳ２７で切換フィルタ７６に供給した電圧とは逆極性の電圧を切換フィルタ７６に供給して調光ミラーフイルム層１２２を透明状態から鏡状態に再度切り換える（ステップＳ２９）。その後、放射線画像撮影システム１０では、図１７のステップＳ９の処理に戻り、次の撮影が行われる。

このように、［３］のケースでは、複数枚の静止画撮影、低レート動作撮影、又は、高レート動画撮影を含む撮影オーダにおいて、撮影と撮影との間に、ステップＳ２５〜Ｓ２９の処理が実行されることで、（１フレーム中、）調光ミラーフイルム層１２２の状態が鏡状態又は透明状態に交互に切り換わり、前記透明状態の時間内に光リセット動作を行うことができる。

なお、ステップＳ２６において、調光ミラーフイルム層１２２が透明状態であれば（ステップＳ２６：ＮＯ）、すなわち、前記透明状態を維持しながら動画撮影を行っている場合には、フィルタ制御部２１６は、切換フィルタ７６に対する電圧供給は行わず、透明状態を引き続き維持させると共に、光源制御部２１８は、リセット光源７８を駆動させて、ステップＳ２２、Ｓ２８と同様に、各画素１９０に対する光リセット動作を行わせる（ステップＳ３０）。その後、リセット光源７８からのリセット光１３２の出力が停止され、次に、放射線画像撮影システム１０では、ステップＳ９の処理に戻り、次の撮影を行う。

このように、［３］のケースでは、調光ミラーフイルム層１２２が透明状態を維持している場合には、撮影と撮影との間に光リセット動作を行い、その後は、鏡状態に戻すことなく、前記透明状態を維持させることも可能である。特に、高レート動画撮影を含む撮影オーダの場合には、調光ミラーフイルム層１２２での切換時間が高レート動画撮影のフレームレートに追従できないこともあり得るので、調光ミラーフイルム層１２２を透明状態に維持し続けることにより、撮影と撮影との間で光リセットを確実に行うことが可能となる。

また、ステップＳ２５において、光リセット動作判定部２１４は、複数枚の撮影を示す判定結果であっても、撮影と撮影との間に光リセット動作を行わなくてもよいと判断した場合には（ステップＳ２５：ＮＯ）、光リセット動作が不要の判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、前記判定結果を表示操作部５６に表示し、あるいは、スピーカ５８から音として出力してもよい。その後、放射線画像撮影システム１０では、ステップＳ９の処理に戻り、次の撮影が行われる。

なお、光リセット動作判定部２１４は、ステップＳ２５において、上述の撮影方法（複数枚の静止画撮影又は動画撮影）に加え、光検出素子９４の温度も考慮して、光リセット動作の要否判定を行ってもよい。

例えば、前回の撮影において各画素１９０から読み出された電気信号の画素値のうち、放射線１６が照射されていない箇所に配置された画素１９０から読み出された電気信号の画素値は、暗電流に応じた画素値であると想定される。そこで、温度検出部２１２は、当該画素１９０から読み出された電気信号（暗電流）の画素値に基づいて、画素１９０（フォトダイオード）の温度を検出し、その検出結果を光リセット動作判定部２１４に出力すればよい。

この場合、光リセット動作判定部２１４は、ステップＳ２５において、温度検出部２１２が検出した前記温度に対応するフレームレート閾値Ｆｔｈを図２０から特定し、特定したフレームレート閾値Ｆｔｈと、撮影オーダ判定部２１０で判定された撮影方法でのフレームレートとを比較し、前記フレームレートが前記温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈよりも高ければ、光リセット動作が必要と判定し（ステップＳ２５：ＹＥＳ）、一方で、フレームレートが該フレームレート閾値Ｆｔｈよりも低ければ光リセット動作が不要と判定してもよい（ステップＳ２５：ＮＯ）。

なお、温度検出部２１２で検出した温度が閾値温度Ｔｃよりも低く、フレームレート閾値が初期値としてのＦｔｈ０である場合に、光リセット動作判定部２１４は、前記温度を考慮した判定処理を行わず、前記撮影方法でのフレームレートとフレームレート閾値Ｆｔｈ０との比較のみによって、光リセット動作の要否を判定すればよい。

上述した［２］及び［３］のケースでは、少なくとも１枚の静止画撮影、低レート動画撮影、又は、高レート動画撮影のうち、いずれか１つの撮影を含む撮影オーダに従って、被写体１４の放射線撮影を行う場合について説明した。

しかしながら、撮影オーダには、上述の１種類の撮影に限らず、例えば、図２１Ａ〜図２１Ｃに示すように、２種類以上の撮影を行うような撮影オーダもある。すなわち、図２１Ａは、静止画撮影を行った後に動画撮影を行う場合を図示し、図２１Ｂは、動画撮影を行った後に静止画撮影を行う場合を図示し、図２１Ｃは、静止画撮影を行った後に低レート動画撮影及び高レート動画撮影の順に撮影を行う場合を図示している。

このような２種類以上の撮影が含まれる撮影方法では、撮影方法を切り換えるタイミング（時間Ｔ）で調光ミラーフイルム層１２２の状態を切り換えたり（図２１Ａ及び図２１Ｂ参照）、あるいは、前記タイミングで調光ミラーフイルム層１２２の状態を切り換えようとしても切り換えに時間がかかるために（動画撮影のフレームレートに追従できないために）、撮影間隔が比較的長いときに前もって調光ミラーフイルム層１２２の状態を切り換える場合がある（図２１Ｃ参照）。

次に、このような２種類以上の撮影が含まれる撮影オーダでの放射線撮影及び光リセット動作（［４］〜［７］のケース）について、図２２〜図２６を参照しながら説明する。

［４］ 少なくとも１枚の静止画撮影及び動画撮影の順に撮影が行われる撮影オーダであって、静止画撮影から動画撮影への切り換えのタイミングで切換フィルタ７６の状態も切り換える場合（図２１Ａ参照）。

ここでは、静止画撮影においては調光ミラーフイルム層１２２（図６Ａ、図９〜図１２Ｂ、図１３Ｂ及び図１４参照）が鏡状態であり、静止画撮影から動画撮影に切り換わる時間Ｔの後、動画撮影では、フレームレートによって、調光ミラーフイルム層１２２が鏡状態を維持するか、透明状態を維持するか、あるいは、１フレーム中、鏡状態又は透明状態に交互に切り換わる場合について説明する。従って、調光ミラーフイルム層１２２は、時間Ｔのタイミングで、その状態が切り換わる。また、［４］において動画撮影とは、低レート動画撮影又は高レート動画撮影である。

先ず、図１６のステップＳ５後のステップＳ３１（図２２参照）において、撮影オーダに含まれる撮影方法が静止画撮影及び動画撮影の順に行われる撮影であれば（ステップＳ３１：ＹＥＳ）、ステップＳ７（図１６参照）以降の処理が行われ、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態にして静止画撮影が行われる。

その後、ステップＳ１３（図１７参照）において、全ての撮影が完了していないと判定された後（ステップＳ１３：ＮＯ）、光リセット動作判定部２１４は、ステップＳ４１（図２３参照）において、撮影オーダ判定部２１０（図１５参照）から通知された判定結果が、静止画撮影及び動画撮影の順に行われることを示す判定結果である場合には（ステップＳ４１：ＹＥＳ）、次に、静止画撮影から動画撮影に切り換わるタイミングであるか否かを判定する（ステップＳ４２）。

ステップＳ４２において、静止画撮影から動画撮影に切り換わるタイミングではない、すなわち、次の撮影も静止画撮影であると判定した場合（ステップＳ４２：ＮＯ）、光リセット動作判定部２１４は、その判定結果を表示操作部５６に表示する。これにより、医師は、表示操作部５６の表示内容を確認し、図１７のステップＳ８の処理を再度行って、次の静止画撮影を実行する。

一方、ステップＳ４２において、時間Ｔ内であり、静止画撮影から動画撮影に切り換わるタイミングであれば（ステップＳ４２：ＹＥＳ）、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作を行うべきか否かを判定する（ステップＳ４３）。

前回の撮影が比較的大線量の静止画撮影であると共に、次の動画撮影は比較的低線量での撮影である場合に、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作が必要と判定し（ステップＳ４３：ＹＥＳ）、光リセット動作の実行を指示する判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、表示操作部５６にも表示させる。また、スピーカ５８は、前記判定結果を示す音を外部に出力してもよい。

フィルタ制御部２１６は、切換フィルタ７６（図３Ａ、図４Ａ、図６Ａ、図９〜図１２Ｂ、図１３Ｂ及び図１４参照）に電圧を供給して調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態に切り換える（ステップＳ４４）。一方、光源制御部２１８は、リセット光源７８を駆動させてリセット光１３２を出力させる。これにより、リセット光１３２は、調光ミラーフイルム層１２２を通過し、シンチレータ７４を介して光検出基板７２に入射する。これにより、各画素１９０に対する光リセットが行われる（ステップＳ４５）。その後、光源制御部２１８は、リセット光源７８からのリセット光１３２の出力を停止させて、光リセットを終了させ、一方で、フィルタ制御部２１６は、次に行われる動画撮影が低レート動画撮影であるか否かを判定する（ステップＳ４６）。

低レート動画撮影は、比較的低いフレームレートでの動画撮影であるため、撮影間隔が比較的長く、フォトダイオードはそれ程高温にはならず、従って、光リセットは必須でない場合がある。また、撮影間隔が比較的長いため、光リセットを行う場合には、撮影と撮影との間に切換フィルタ７６の状態を切り換えるだけの時間を確保することも可能である。

そこで、次に行われる動画撮影が低レート動画撮影であれば（ステップＳ４６：ＹＥＳ）、フィルタ制御部２１６は、ステップＳ４４での電圧極性とは逆極性の電圧を切換フィルタ７６に供給して、透明状態から鏡状態に切り換える（ステップＳ４７）。ステップＳ４７後、図１７のステップＳ９の処理が実行され、低レート動画撮影が開始される。

なお、ステップＳ４３において、図２１Ａの時間Ｔが比較的長時間であるため、フォトダイオードがそれ程高温にならない場合、光リセット動作を行わなくても、暗電流によるノイズの影響が少ない場合、あるいは、前回の撮影が比較的小線量の静止画撮影である場合には、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作が不要と判定し（ステップＳ４３：ＮＯ）、その判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、表示操作部５６にも表示させる。その後、フィルタ制御部２１６は、ステップＳ４６の判定処理を実行する。

また、ステップＳ４６において、次の撮影が高レート動画撮影である場合に（ステップＳ４６：ＮＯ）、フィルタ制御部２１６は、調光ミラーフイルム層１２２の透明状態を維持することを決定する（ステップＳ４８）。その後、図１７のステップＳ９の処理が実行され、高レート動画撮影が開始される。

なお、ステップＳ４３において否定的な判定結果であった場合に（ステップＳ４３：ＮＯ）、調光ミラーフイルム層１２２の現在の状態が鏡状態である可能性もあり得る。そこで、フィルタ制御部２１６は、ステップＳ４６において高レート動画撮影と判定した場合には（ステップＳ４６：ＮＯ）、切換フィルタ７６に電圧を供給して調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態に切り換えばよい（ステップＳ４８）。

また、静止画撮影に続く動画撮影（低レート動画撮影）においても鏡状態を維持するか、あるいは、［３］で説明したように、動画撮影（例えば、高レート動画撮影）において、１フレーム中、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態又は透明状態に交互に切り換えて光リセット動作を行う場合には、図２３で破線で示すように、ステップＳ４６の判定処理を省略してステップＳ４７の処理を実行し、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に切り換えてもよい。

さらに、動画撮影（例えば、高レート動画撮影）においても透明状態を維持するか、あるいは、フレームレートと比較して、調光ミラーフイルム層１２２の切換時間が長い場合には、ステップＳ４６、Ｓ４７の処理を省略してもよい。

［５］ 動画撮影及び少なくとも１枚の静止画撮影の順に撮影が行われる撮影オーダであって、動画撮影から静止画撮影への切り換えのタイミングで切換フィルタ７６の状態も切り換える場合（図２１Ｂ参照）。

ここでは、動画撮影において、調光ミラーフイルム層１２２（図６Ａ、図９〜図１２Ｂ、図１３Ｂ及び図１４参照）が鏡状態を維持するか、透明状態を維持するか、あるいは、１フレーム中、鏡状態又は透明状態に交互に切り換わり、動画撮影から静止画撮影に切り換わる時間Ｔの後、静止画撮影においては調光ミラーフイルム層１２２が鏡状態を維持する場合について説明する。従って、動画撮影から静止画撮影に切り換わる時間Ｔに、調光ミラーフイルム層１２２は、その状態が切り換わる。また、［５］においても、動画撮影とは、低レート動画撮影又は高レート動画撮影とする。

先ず、図１６のステップＳ５後のステップＳ３１（図２２参照）において、撮影オーダに含まれる撮影方法が動画撮影及び静止画撮影の順に行われる撮影である場合であって（ステップＳ３１：ＮＯ、ステップＳ３２：ＹＥＳ）、動画撮影が低レート動画撮影であれば（ステップＳ３３：ＹＥＳ）、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態としたままで低レート動画撮影が行われる（ステップＳ７以降の処理）。

一方、動画撮影が高レート動画撮影であれば（ステップＳ３３：ＮＯ）、図１８のステップＳ２１〜Ｓ２４の処理が実行されて、撮影前の光リセット動作が行われた後に図１７のステップＳ８以降の処理が行われる。

その後、ステップＳ１３（図１７参照）において、全ての撮影が完了していないと判定された後（ステップＳ１３：ＮＯ）、光リセット動作判定部２１４（図１５参照）は、図２３のステップＳ４１において、撮影オーダ判定部２１０から通知された判定結果が、動画撮影及び静止画撮影の順に行われることを示す判定結果であるため（図２３のステップＳ４１：ＮＯ、図２４のステップＳ５１：ＹＥＳ）、次に、動画撮影から静止画撮影に切り換わるタイミングであるか否かを判定する（ステップＳ５２）。

ステップＳ５２において、動画撮影から静止画撮影に切り換わるタイミング、すなわち、時間Ｔ内にあって、次の撮影は静止画撮影であると判定した場合（ステップＳ５２：ＹＥＳ）、光リセット動作判定部２１４は、次に、光リセット動作が必要であるか否かを判定する（ステップＳ５３）。

静止画撮影において、ノイズの少ない放射線画像を取得したい場合、あるいは、フォトダイオードの温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈ（図２０参照）よりも動画撮影のフレームレートが高かった場合には、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作が必要と判定し（ステップＳ５３：ＹＥＳ）、光リセット動作の実行を指示する判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、表示操作部５６にも表示させる。また、スピーカ５８は、前記判定結果を音として外部に出力してもよい。

フィルタ制御部２１６は、切換フィルタ７６に電圧を供給して調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態に切り換える（ステップＳ５４）。一方、光源制御部２１８は、リセット光源７８を駆動させてリセット光１３２を出力させる。これにより、リセット光１３２は、調光ミラーフイルム層１２２を通過し、シンチレータ７４を介して光検出基板７２に入射するので、各画素１９０に対する光リセットが行われる（ステップＳ５５）。光リセット後、図１６のステップＳ７の処理が行われ、調光ミラーフイルム層１２２は鏡状態に切り換わる。その後、図１７のステップＳ８以降の処理、すなわち、静止画撮影が実行される。

一方、ステップＳ５２において、動画撮影から静止画撮影に切り換わるタイミングではない場合、すなわち、次の撮影も動画撮影である場合（ステップＳ５２：ＮＯ）、光リセット動作判定部２１４は、引き続き行われる動画撮影が低レート動画撮影であるか否かを判定する（ステップＳ５６）。

低レート動画撮影であれば（ステップＳ５６：ＹＥＳ）、図１７のステップＳ９の処理が実行され、一方で、高レート動画撮影であれば（ステップＳ５６：ＮＯ）、図１９のステップＳ２５の処理が実行される。

また、ステップＳ５３において、時間Ｔが長時間であり、光リセット動作を実行しなくても、静止画撮影においてノイズの少ない高画質の放射線画像が取得されることが予想される場合、あるいは、フォトダイオードの温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈよりも動画撮影のフレームレートが低い場合には、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作が不要と判定し（ステップＳ５３：ＹＥＳ）、その判定結果を表示操作部５６に表示させ、その後、図１７のステップＳ８以降の静止画撮影が実行される。

さらに、動画撮影中、調光ミラーフイルム層１２２が透明状態に維持されている場合には、図２４に破線で示すように、ステップＳ５４の処理を省略して、ステップＳ５５の光リセット動作を直ちに実行してもよい。

なお、ステップＳ５３において、フォトダイオードの温度に基づいて光リセット動作の要否を判定する場合には、［３］でも説明したように、放射線１６が照射されていない画素１９０から読み出された画素値よりフォトダイオードの温度を検出し、検出した温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈ（又はＦｔｈ０）と動画撮影のフレームレートとに基づいて、光リセット動作の要否を判定すればよい。

［６］ フレームレートの異なる２種類の動画撮影が行われる撮影オーダの場合（図２１Ｃの一部）。

この場合、低レート動画撮影及び高レート動画撮影の順に撮影が行われるか、あるいは、高レート動画撮影及び低レート動画撮影の順に撮影が行われる。

なお、［４］又は［５］の場合とは異なり、［６］の場合には、フォトダイオードの温度や撮影間隔等によっては、フレームレートが途中で切り換わっても（低レート動画撮影から高レート動画撮影への切り換え、又は、高レート動画撮影から低レート動画撮影への切り換え）、調光ミラーフイルム層１２２（図６Ａ、図９〜図１２Ｂ、図１３Ｂ及び図１４参照）が透明状態を維持し続けたり、あるいは、１フレーム中での調光ミラーフイルム層１２２での鏡状態又は透明状態の交互の切り換えを維持し続ける場合があり得る。

先ず、図１６のステップＳ５後のステップＳ３１（図２２参照）において、撮影オーダに含まれる撮影方法が２種類の動画撮影が順に行われる撮影であって（ステップＳ３１：ＮＯ、ステップＳ３２：ＮＯ）、低レート動画撮影から撮影が開始される撮影オーダであれば（ステップＳ３４：ＹＥＳ）、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態にして低レート動画撮影が行われる（図１６のステップＳ７以降の処理）。

一方、高レート動画撮影から撮影が開始される撮影オーダであれば（ステップＳ３４：ＮＯ）、図１８のステップＳ２１〜Ｓ２４の処理が実行されて、撮影前の光リセット動作が行われた後に図１７のステップＳ８以降の処理が行われる。

その後、ステップＳ１３において、全ての撮影が完了していないと判定された後（ステップＳ１３：ＮＯ）、光リセット動作判定部２１４（図１５参照）は、撮影オーダ判定部２１０から通知された判定結果が、２種類の動画撮影が順に行われることを示す判定結果であり（図２３のステップＳ４１：ＮＯ、図２４のステップＳ５１：ＮＯ）、且つ、低レート動画撮影及び高レート動画撮影の順に撮影が行われる判定結果であれば（図２５のステップＳ６１：ＹＥＳ）、次に、調光ミラーフイルム層１２２を透明状態に切り換えるべきか否かを判定する（ステップＳ６２）。

すなわち、低レート動画撮影と比較して高レート動画撮影は、撮影間隔が短いので、１フレーム中に調光ミラーフイルム層１２２における鏡状態又は透明状態の切り換えを交互に行おうとしても、その切換時間が撮影間隔よりも長ければ、光リセット動作を行うことが困難になる。

そこで、高レート動画撮影のフレームレートに対して調光ミラーフイルム層１２２での鏡状態又は透明状態の切り換えが追従できない場合には、図２１Ｃに示すように、撮影間隔が比較的長い低レート動画撮影中に鏡状態から透明状態に切り換えることが望ましい。

そこで、図２５のステップＳ６２において、光リセット動作判定部２１４は、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態に切り換えるべきと判定した場合（ステップＳ６２：ＹＥＳ）、その判定結果をフィルタ制御部２１６に出力すると共に、表示操作部５６にも表示させる。フィルタ制御部２１６は、切換フィルタ７６（図３Ａ、図４Ａ、図６Ａ、図９〜図１２Ｂ、図１３Ｂ及び図１４参照）に電圧を供給して調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態に切り換える（ステップＳ６３）。

次に、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作が必要であるか否かを判定する（ステップＳ６４）。

フォトダイオードの温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈ（図２０参照）よりも低レート動画撮影のフレームレートが高い場合には、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作が必要と判定し（ステップＳ６４：ＹＥＳ）、光リセット動作の実行を指示する判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、表示操作部５６にも表示させる。この場合も、スピーカ５８は、前記判定結果を音として外部に出力してもよい。

フィルタ制御部２１６は、調光ミラーフイルム層１２２の透明状態を維持し、一方で、光源制御部２１８は、リセット光源７８を駆動させてリセット光１３２を出力させる。これにより、リセット光１３２は、調光ミラーフイルム層１２２を通過し、シンチレータ７４を介して光検出基板７２に入射するので、各画素１９０に対する光リセットを行うことができる（ステップＳ６５）。光リセットの終了後、調光ミラーフイルム層１２２は透明状態を維持し、次に、図１７のステップＳ９以降の処理、すなわち、低レート動画撮影が引き続き実行される。

一方、ステップＳ６２において、光リセット動作判定部２１４は、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に維持すべきと判定した場合（ステップＳ６２：ＮＯ）、すなわち、高レート動画撮影のフレームレートに対して調光ミラーフイルム層１２２での鏡状態又は透明状態の切り換えが十分に追従できる場合や、低レート動画撮影から高レート動画撮影への切り換えまで時間があるので、鏡状態を維持し続けた方がよい場合には、ステップＳ６３〜Ｓ６５の処理は行われず、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に維持したままで、ステップＳ９以降の処理が引き続き実行される。

また、ステップＳ６４において、調光ミラーフイルム層１２２を透明状態に切り換えても、光リセット動作判定部２１４が光リセット動作は不要と判定した場合（ステップＳ６４：ＮＯ）、調光ミラーフイルム層１２２を透明状態に維持したままで、ステップＳ９以降の処理が引き続き実行される。

さらに、前回以前の動画撮影において既に調光ミラーフイルム層１２２が透明状態になっている場合には、ステップＳ６１での肯定的な判定処理後、ステップＳ６２、６３の処理を省略して、ステップＳ６４の判定処理を実行すればよい。

ところで、ステップＳ６１において、高レート動画撮影及び低レート動画撮影の順に撮影が行われる判定結果であれば（ステップＳ６１：ＮＯ）、光リセット動作判定部２１４は、次に、光リセット動作が必要であるか否かを判定する（図２６のステップＳ７１）。

フォトダイオードの温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈよりも動画撮影のフレームレートが高い場合に、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作が必要と判定し（ステップＳ７１：ＹＥＳ）、光リセット動作の実行を指示する判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、表示操作部５６にも表示させる。この場合でも、スピーカ５８は、前記判定結果を音として外部に出力する。

フィルタ制御部２１６は、切換フィルタ７６に電圧を供給して調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態を切り換える。一方、光源制御部２１８は、リセット光源７８を駆動させてリセット光１３２を出力させる。これにより、リセット光１３２は、調光ミラーフイルム層１２２を通過し、シンチレータ７４を介して光検出基板７２に入射するので、各画素１９０に対する光リセットが行われる（ステップＳ７２）。その後、光源制御部２１８は、リセット光源７８の駆動を停止させて光リセットを終了させる。次に、フィルタ制御部２１６は、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態を切り換えるべきか否かを判定する（ステップＳ７３）。

高レート動画撮影のフレームレートに対して調光ミラーフイルム層１２２での鏡状態又は透明状態の切り換えが十分に追従できる場合には（ステップＳ７３：ＹＥＳ）、フィルタ制御部２１６は、ステップＳ７２での電圧極性とは逆極性の電圧を切換フィルタ７６に供給して調光ミラーフイルム層１２２を透明状態から鏡状態に切り換える（ステップＳ７４）。その後、図１７のステップＳ９以降の処理が引き続き実行される。

一方、高レート動画撮影のフレームレートに対して調光ミラーフイルム層１２２での鏡状態又は透明状態の切り換えが追従できない場合には（ステップＳ７３：ＮＯ）、フィルタ制御部２１６は、調光ミラーフイルム層１２２の透明状態を維持し、その後、図１７のステップＳ９以降の処理が引き続き実行される。

また、ステップＳ７１において、フォトダイオードの温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈよりも動画撮影のフレームレートが低い場合には、光リセット動作判定部２１４は、光リセット動作が不要と判定し（ステップＳ７１：ＮＯ）、その判定結果をフィルタ制御部２１６及び光源制御部２１８に出力すると共に、表示操作部５６にも表示させる。

［７］ フレームレートの異なる２種類の動画撮影と少なくとも１枚の静止画撮影とを含む撮影オーダの場合（図２１Ｃ参照）。

この場合、例えば、図２１Ｃに示すように、静止画撮影、低レート動画撮影及び高レート動画撮影の順に撮影が行われていくので、静止画撮影から低レート動画撮影への切り換えに関しては、［４］のケースをそのまま適用すればよい。

また、低レート動画撮影から高レート動画撮影への切り換えに関しては、［６］のケースをそのまま適用すればよい。すなわち、高レート動画撮影に切り換わった後に、調光ミラーフイルム層１２２（図６Ａ、図９〜図１２Ｂ、図１３Ｂ及び図１４参照）の状態を、１フレーム中、鏡状態又は透明状態に切り換える場合に、切換時間がフレームレートに追従できない可能性もある。そこで、図２１Ｃに示すように、低レート動画撮影における撮影と撮影との間に調光ミラーフイルム層１２２の状態を予め鏡状態から透明状態に切り換え、高レート動画撮影中は透明状態を維持しておくことで、光リセットを確実に実行することができる。特に、被写体１４（図１参照）の関心領域（ＲＯＩ）に対する高レート動画撮影においては、透明状態を維持しつつ光リセットを適宜行うことで、放射線画像のノイズを確実に低減することができる。

なお、［７］では、図２１Ｃの場合のみならず、高レート動画撮影、低レート動画撮影及び静止画撮影の順に撮影が行われる場合や、低レート動画撮影と高レート動画撮影との間に静止画撮影が実行される場合もある。これらの撮影についても、前述した［４］〜［６］のケースを適宜適用すればよいことは勿論である。

また、本実施形態では、フレームレートやフォトダイオードの温度に基づき光リセットの要否を判定し、光検出素子９４に対して光リセットを行う場合には、フォトダイオードの不純物準位に電荷が十分埋まるように光リセットを行うことで、該フォトダイオードの温度上昇に起因した各フレーム間での電荷の吐き出し量のばらつきを解消している。そのため、動画撮影等の複数枚の撮影では、各フレームにおいて、不純物準位から吐き出される電荷の吐き出し量が一定量となる。従って、［２］〜［７］のケースにおいて、光リセットが行われる複数枚の撮影では、例えば、ステップＳ１２において、カセッテ制御部１８２又はコンソール２２は、一定の電荷の吐き出し量に起因したノイズを各放射線画像から除去（補正）する画像処理を行えばよい。このようにすれば、ノイズが除去された高画質の放射線画像を表示操作部５６や表示装置２４に表示させることができる。

本実施形態に係る電子カセッテ２０を有する放射線画像撮影システム１０の動作は、以上説明した通りである。

次に、電子カセッテ２０（２０Ａ〜２０Ｄ）に関する変形例や、第２〜第４実施例に係る電子カセッテ２０Ｂ〜２０Ｄに関し、より詳細に説明する。

図２７Ａ及び図２７Ｂは、フォトダイオードの温度検出をより正確且つ効率よく行うための切換フィルタ７６の構成である。

すなわち、調光ミラーフイルム層１２２の一部にリセット光１３２が常時通過可能な窓部２３０が形成されている。この場合、窓部２３０は、温度が上がりやすい領域に配置された光検出素子９４と対向する位置に設けられていることが望ましい。より望ましくは、放射線１６が照射されない領域に配置された光検出素子９４と対向する位置に窓部２３０を設ける。

ここで、調光ミラーフイルム層１２２が鏡状態にある場合、リセット光源７８がリセット光１３２を出力すると、リセット光１３２の大部分は鏡状態の調光ミラーフイルム層１２２でリセット光源７８の方向に反射されるが、窓部２３０に向かって進行するリセット光１３２は、該窓部２３０を通過してシンチレータ７４に入射し、さらに、平坦化膜９６を介して該窓部２３０に対向する光検出素子９４（放射線１６が照射されないフォトダイオード）に照射される。

リセット光１３２が照射された光検出素子９４では、該リセット光１３２を検出して電荷として蓄積する。前述したように、この光検出素子９４は、放射線１６が照射されない箇所に配置されたフォトダイオードであるため、蓄積された電荷を電気信号として読み出すと、当該電気信号の画素値は、暗電流信号に応じた画素値となる。従って、温度検出部２１２（図１５参照）は、前記暗電流に応じた画素値に基づいて、前記フォトダイオードの温度を検出し、光リセット動作判定部２１４は、検出された温度に応じたフレームレート閾値Ｆｔｈ（図２０参照）を特定し、特定したフレームレート閾値Ｆｔｈと、動画撮影のフレームレートとの比較に基づいて、光リセット動作をすべきか否かを判定することができる。従って、光リセット動作が必要と判定した場合には、フィルタ制御部２１６を介して調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態から透明状態に切り換えることができる。

図２８Ａ〜図２９Ｂは、第２実施例に係る電子カセッテ２０Ｂの製造工程を図示したものである。

先ず、図２８Ａに示すように、蒸着基板２４０に剥離層２４２を介してシンチレータ７４を成膜する。次に、図２８Ｂに示すように、ＣＶＤ法（化学気相成長法）によって、柱状結晶構造８４における各柱をポリパラキシリレン樹脂で被覆するように、シンチレータ７４を防湿保護材８６で封止する。次に、図２８Ｃに示すように、光検出基板７２を転写体として、シンチレータ７４の先端部分と光検出基板７２とを接着層８８ａにより接着させるか、あるいは、粘着層８８ｂにより粘着させる。なお、転写体としての光検出基板７２に対するシンチレータ７４等の接着又は粘着（転写）は、公知の転写技術を利用して行えばよい。

次に、剥離層２４２に図示しないレーザ光を照射することにより、図２９Ａに示すように、シンチレータ７４に対して蒸着基板２４０及び剥離層２４２を剥離させる。その後、図２９Ｂに示すように、シンチレータ７４の非柱状結晶部分８２側を除去し、さらに、図４Ｂに示す順に、筐体４４内部に光検出基板７２、シンチレータ７４、切換フィルタ７６及びリセット光源７８を組み込むことにより、図３０Ａのように筐体４４内に放射線検出器７０が収容される。

なお、蒸着基板２４０がリセット光１３２に対して非透過性の材料からなる場合には、図２８Ａ〜図２９Ａに示すように、剥離層２４２を介してシンチレータ７４を成膜させる必要がある。

これに対して、リセット光１３２に対して透過性を有する蒸着基板２４４では、図３０Ｂに示すように、剥離層２４２を介することなく、該蒸着基板２４４にシンチレータ７４を直接成膜してもよい。この場合、非柱状結晶部分８２は、可視光１３０を散乱又は反射させる性質を有するので、リセット光源７８の方向に進行してきた可視光１３０を、鏡状態の調光ミラーフイルム層１２２と共に、光検出基板７２の方向に効率よく反射させることができる。

なお、リセット光１３２に対して透過性を有する蒸着基板２４４としては、ガラス基板の他にも、光透過性を有するポリイミドフイルム、ポリアリレートフイルム、二軸延伸ポリスチレンフイルム、アラミドフイルム又はバイオナノファイバのような可撓性を有するプラスチックフイルムであればよい。

また、図３１に示すように、蒸着基板２４４を省略して、非柱状結晶部分８２と切換フィルタ７６とを接触させてもよい。このようにすれば、上記の可視光１３０の反射を一層効率よく行うことができる。

なお、上述した第２実施例に係る電子カセッテ２０Ｂは、図４Ｂ及び図３０Ａ〜図３１に示すように、光検出基板７２とシンチレータ７４とを接着層８８ａを介して接着させるか、あるいは、粘着層８８ｂを介して粘着させる点以外は、第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａ（図６Ａ参照）と略同様の構成であるため、前述した［１］〜［７］のケースをそのまま適用することが可能である。

また、図２８Ａ〜図３１の説明では、非柱状結晶部分８２を有するシンチレータ７４を形成する場合について説明したが、第２実施例では、非柱状結晶部分８２が形成されないような蒸着条件を決定した後に、該蒸着条件に従って蒸着基板２４０にシンチレータ７４を蒸着形成してもよい。このようにすれば、該非柱状結晶部分８２での光散乱の発生を回避することができる。

図３２Ａ及び図３２Ｂは、第３及び第４実施例に係る電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄの放射線検出器７０近傍の要部断面図であり、第１及び第２実施例に係る電子カセッテ２０Ａ、２０Ｂ（図６Ａ及び図３０Ａ参照）と比較して、放射線検出器７０を上下反転させて配置した点で異なる。

なお、第３及び第４実施例に係る電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄの場合、被写体１４（図１参照）を透過した放射線１６は、リセット光源７８及び切換フィルタ７６を介してシンチレータ７４に到達し、シンチレータ７４は、放射線１６を可視光１３０（図１１Ａ及び図１１Ｂ参照）に変換し、光検出基板７２は、可視光１３０を電気信号に変換する。この場合、リセット光源７８が筐体４４内の照射面４６側に配置されているので、放射線１６の照射によってリセット光源７８からリセット光１３２が誤発生するおそれがある。

そこで、第３及び第４実施例に係る電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄでは、少なくとも、放射線１６の照射中、切換フィルタ７６の調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態にしておけば、誤発生したリセット光１３２が調光ミラーフイルム層１２２でリセット光源７８の方向に反射するので、該リセット光１３２の光検出基板７２への到達を確実に阻止して、放射線画像の画像ボケの発生を防止することができる。また、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態にすることで、リセット光源７８の方向に進行する可視光１３０を光検出基板７２の方向に反射させることができ、この結果、光検出基板７２の光検出素子９４における可視光１３０の感度を向上させることができる。

従って、第３及び第４実施例に係る電子カセッテ２０Ｃ、２０Ｄでは、少なくとも放射線１６の照射中は、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態としておく必要があるため、［１］〜［７］のケースのうち、放射線１６の照射中、調光ミラーフイルム層１２２を鏡状態に維持できる動作についてのみ、適用可能である。

以上説明したように、本実施形態に係る電子カセッテ２０（２０Ａ〜２０Ｄ）によれば、リセット光１３２に対して切換フィルタ７６が透過状態に切り換わった場合、リセット光源７８は、切換フィルタ７６及びシンチレータ７４を介して光検出基板７２にリセット光１３２を照射することができる。これにより、光検出基板７２に対する光リセットを十分に行うことが可能となる。

一方、リセット光１３２に対して切換フィルタ７６が非透過状態に切り換わった場合、シンチレータ７４で放射線１６から変換された可視光１３０のうち、リセット光源７８の方向に向かう光は、切換フィルタ７６で光検出基板７２の方向に反射するので、その反射光（可視光１３０）は、リセット光源７８を介することなくシンチレータ７４内を進行して光検出基板７２に入射する。これにより、画像ボケのない高画質の放射線画像を取得することができると共に、光検出基板７２に入射する可視光１３０の光量を増加させて、該可視光１３０に対する光検出基板７２の感度を向上させることができる。

このように、本実施形態では、光検出基板７２、シンチレータ７４、切換フィルタ７６及びリセット光源７８の順に配置し、切換フィルタ７６がリセット光１３２に対して透過又は非透過に切換可能であるので、光検出基板７２に対する光リセットを十分に行うことが可能になると共に、放射線画像の画像ボケを抑制することができ、さらには、可視光１３０に対する光検出基板７２の感度も向上させることができる。

また、切換フィルタ７６は、撮影オーダに基づいて、リセット光１３２を透過させる透明状態（透過状態）、又は、可視光１３０を光検出基板７２の方向に反射させると共にリセット光１３２をリセット光源７８の方向に反射させる鏡状態（非透過状態）に切換可能であるので、被写体１４に対する撮影方法（静止画撮影、動画撮影等）に応じて、切換フィルタ７６を透明状態又は鏡状態に維持するか、あるいは、適切な状態に切り換えることができ、光検出基板７２に対する光リセットや、画像ボケの抑制された高画質で且つ高感度の放射線画像の取得を、確実に且つ効率よく行うことができる。また、鏡状態となった切換フィルタ７６が可視光１３０を光検出基板７２の方向に反射させることにより、光検出基板７２に入射する可視光１３０の光量が増加するので、被写体１４に照射する放射線１６の線量を低下させて、該被写体１４の被曝線量を低減することも可能となる。

具体的に、少なくとも１枚の静止画撮影を含む撮影オーダである場合、又は、フレームレート閾値Ｆｔｈ（又はＦｔｈ０）よりも低いフレームレートでの動画撮影（低レート動画撮影）を含む撮影オーダである場合に、切換フィルタ７６は、鏡状態を維持すればよい。

これらの撮影では、高画質及び高感度の放射線画像の取得が特に要求されている。また、これらの撮影では、撮影間隔が比較的長いので、フォトダイオードの温度がそれ程上昇せず、従って、不純物準位に捕捉される電荷の再放出に起因したノイズが放射線画像に与える影響は大きくないものと想定される。

そこで、上述した撮影オーダの場合には、切換フィルタ７６を鏡状態に維持することで光リセットを行わないようにし、一方、シンチレータ７４で放射線１６から変換された可視光１３０を確実に光検出基板７２側に反射させて、該光検出基板７２に入射する可視光１３０の光量を増加させるようにする。この結果、低ノイズで且つ画像ボケの抑制された高画質及び高感度の放射線画像を容易に取得することができる。

また、動画撮影（特に高レート動画撮影）を含む撮影オーダである場合に、切換フィルタ７６は、透明状態を維持すればよい。

動画撮影の場合には、撮影が長時間にわたることで、フォトダイオードの温度が上昇し、不純物準位に捕捉される電荷の再放出に起因したノイズが放射線画像に大きな影響を及ぼすことが想定される。従って、切換フィルタ７６を透明状態に維持することにより、撮影と撮影との間の放射線１６の非照射時に光リセットを行うことが可能となり、この結果、放射線画像のノイズを低減することができる。

また、動画撮影（特に高レート動画撮影）を含む撮影オーダである場合に、切換フィルタ７６は、各フレームにおいて、被写体１４に対する放射線１６の照射時には鏡状態を維持すると共に、非照射時には透明状態を維持することにより、鏡状態及び透明状態に順次切り換わればよい。

この場合、１フレーム中、鏡状態及び透明状態に順次切り換わるので、被写体１４に対する放射線１６の照射時には、切換フィルタ７６が鏡状態に維持されて可視光１３０を確実に光検出基板７２側に反射させることができ、光検出基板７２に入射する可視光１３０の光量を増加させることができる。また、放射線１６の非照射時には、切換フィルタ７６が透明状態に維持されるので、光検出基板７２に対する光リセットを十分に行うことができる。

このように、動画撮影において、１フレーム中、切換フィルタ７６を鏡状態と透明状態とに交互に切り換えることで、高画質且つ高感度の放射線画像の取得と、該放射線画像のノイズの低減とを共に実現することができる。なお、このような、鏡状態及び透明状態の順次切換状態は、動画撮影のフレームレートに対して十分に追従できるような切換時間を実現できる切換フィルタ７６（撮影と撮影との間の時間よりも該切換時間が短い切換フィルタ７６）であることが必要である。従って、切換時間がフレームレートに追従できないような切換フィルタ７６では、透明状態を維持すればよい。

さらに、動画撮影（高レート動画撮影、低レート動画撮影）と少なくとも１枚の静止画撮影とを含む撮影オーダである場合、切換フィルタ７６は、動画撮影では透明状態を維持すると共に、静止画撮影では鏡状態を維持し、動画撮影から静止画撮影に切り換わるタイミングで透明状態から鏡状態に切り換わるか、あるいは、静止画撮影から動画撮影に切り換わるタイミングで鏡状態から透明状態に切り換わればよい。

このように、撮影方法が切り換わるタイミングで切換フィルタ７６の状態を切り換えることで、撮影方法に応じた最適な放射線画像を確実に取得することができる。

さらにまた、高レート動画撮影と少なくとも１枚の静止画撮影とを含む撮影オーダである場合に、切換フィルタ７６は、静止画撮影では鏡状態を維持し、一方で、高レート動画撮影では、各フレームにおいて、被写体１４に対する放射線１６の照射時には鏡状態を維持すると共に、非照射時には透明状態を維持することにより、鏡状態及び透明状態に順次切り換わり、高レート動画撮影から静止画撮影に切り換わるタイミングで鏡状態及び透明状態の順次切換状態から鏡状態に切り換わるか、あるいは、静止画撮影から動画撮影に切り換わるタイミングで鏡状態から鏡状態及び透明状態の順次切換状態に切り換わってもよい。

このような撮影オーダであっても、撮影方法が切り換わるタイミングで切換フィルタ７６の状態が確実に切り換わるので、撮影方法に応じた最適な放射線画像を確実に取得することができる。

また、低レート動画撮影と高レート動画撮影とを含む撮影オーダである場合に、切換フィルタ７６は、低レート動画撮影では鏡状態を維持すると共に、高レート動画撮影では透明状態を維持し、低レート動画撮影から高レート動画撮影に切り換わるタイミングで鏡状態から透明状態に切り換わるか、あるいは、高レート動画撮影から低レート動画撮影に切り換わるタイミングで透明状態から鏡状態に切り換わればよい。

このように、フレームレートが途中で変更する撮影オーダであっても、フレームレートが切り換わるタイミングで切換フィルタ７６の状態を切り換えれば、フレームレートに応じた最適な放射線画像を確実に取得することができる。

また、低レート動画撮影と高レート動画撮影とを含む撮影オーダである場合に、切換フィルタ７６は、低レート動画撮影では鏡状態を維持すると共に、高レート動画撮影では、各フレームにおいて、被写体１４に対する放射線１６の照射時には鏡状態を維持すると共に、非照射時には透明状態を維持することにより、鏡状態及び透明状態に順次切り換わり、低レート動画撮影から高レート動画撮影に切り換わるタイミングで鏡状態から鏡状態及び透明状態の順次切換状態に切り換わるか、あるいは、高レート動画撮影から低レート動画撮影に切り換わるタイミングで鏡状態及び透明状態の順次切換状態から鏡状態に切り換わってもよい。

フレームレートが途中で変更する撮影オーダであっても、フレームレートが切り換わるタイミングで切換フィルタ７６の状態を切り換えれば、フレームレートに応じた最適な放射線画像を確実に取得することができる。

また、低レート動画撮影と高レート動画撮影とを含む撮影オーダである場合に、切換フィルタ７６は、低レート動画撮影及び高レート動画撮影の撮影順を含む撮影オーダであるとき、低レート動画撮影における所定のフレームまで鏡状態を維持した後に透明状態に切り換わり、切換後の残りのフレーム及び高レート動画撮影では透明状態を維持し、一方で、高レート動画撮影及び低レート動画撮影の撮影順を含む撮影オーダであるとき、高レート動画撮影及び低レート動画撮影における所定のフレームまで透明状態を維持した後に鏡状態に切り換わり、切換後の残りのフレームでは鏡状態を維持してもよい。

鏡状態と透明状態との切り換えに時間がかかることにより、低レート動画撮影と高レート動画撮影との切り換えのタイミングで、鏡状態と透明状態との切り換えがスムーズに行えない場合もある。そこで、上記のように、低レート動画撮影の途中で鏡状態と透明状態との切り換えを行うことにより、高レート動画撮影時に、不純物準位に捕捉される電荷の再放出に起因したノイズが放射線画像に重畳することを確実に回避することができる。

２種類の動画撮影に加え、少なくとも１枚の静止画撮影をさらに含む撮影オーダである場合に、切換フィルタ７６は、静止画撮影では鏡状態を維持し、動画撮影から静止画撮影に切り換わるタイミングで該動画撮影に応じた切換フィルタ７６の状態から鏡状態に切り換わるか、あるいは、静止画撮影から動画撮影に切り換わるタイミングで鏡状態から動画撮影に応じた切換フィルタ７６の状態に切り換わればよい。

このように、静止画撮影も含まれる撮影オーダであっても、上記のように切換フィルタ７６の状態を切り換えることにより、それぞれの撮影において適切な放射線画像を容易に取得することができる。

そして、上述した電子カセッテ２０において、光検出基板７２は、可視光１３０を電気信号に変換する複数の光検出素子９４を備え、切換フィルタ７６の一部には、リセット光１３２を常時透過可能な窓部２３０が調光ミラーフイルム層１２２に形成され、リセット光源７８が窓部２３０を介して該窓部２３０に対向する光検出素子９４にリセット光１３２を照射した場合に、リセット光１３２が照射された光検出素子９４は、該リセット光１３２に起因した暗電流信号を検出し、切換フィルタ７６は、暗電流信号に応じた光検出素子９４の温度及び撮影オーダに基づいて、鏡状態又は透明状態に切り換わってもよい。

不純物準位に捕捉された電荷の再放出に起因するノイズのレベルは、フォトダイオードを用いた光検出素子９４の温度によって変化する。従って、光検出素子９４の温度に応じてフレームレート閾値Ｆｔｈを変化させることが望ましい。そこで、上述のように、暗電流信号に応じた温度及び撮影オーダに基づいて、切換フィルタ７６を鏡状態又は透明状態に切り換えることにより、光検出素子９４の温度変化に応じてノイズを効率よく低減することが可能となる。

つまり、本実施形態では、従来の方法とは異なり、フレームレートやフォトダイオードの温度に基づいて光リセットの要否を判定し、光リセットを行う場合には、不純物準位に電荷を予め十分に埋めておくことで、フォトダイオードの温度上昇に起因した各フレーム間での電荷の吐き出し量のばらつきを解消するようにしている。この結果、一定の電荷の吐き出し量に起因したノイズを放射線画像から画像処理によって除去（補正）して、より高画質の放射線画像を得ることが可能となる。

また、切換フィルタ７６は、リセット光１３２の透過又は非透過を電気的に切換可能な調光ミラーフイルム層１２２を備え、調光ミラーフイルム層１２２側にシンチレータ７４を配置すると共に、透明基材１１０側にリセット光源７８を配置することで、該切換フィルタ７６でのリセット光１３２に対する透過状態又は非透過状態（鏡状態）を容易に且つ効率よく切り換えることができる。

また、リセット光源７８は、切換フィルタ７６及びシンチレータ７４を介して光検出基板７２と対向するように配置された発光素子１４２のアレイ、バックライト、又は、エレクトロルミネッセンス光源である。

この場合、バックライト式のリセット光源７８では、冷陰極管１５２や発光素子１６２を放射線１６の非照射領域に配置することが可能であるため、放射線１６による冷陰極管１５２や発光素子１６２の劣化を回避することができる。また、リセット光源７８が有機エレクトロルミネッセンス光源であれば、リセット光源７８の薄型化を実現することができる。

また、光検出基板７２を構成する光検出素子９４を有機光電変換材料又はアモルファス酸化物半導体から構成し、一方で、ＴＦＴ９２を有機半導体材料、アモルファス酸化物半導体又はカーボンナノチューブから構成すれば、光検出素子９４及びＴＦＴ９２を低温成膜により形成することが可能となる。

さらに、光検出基板７２とシンチレータ７４との間に斜入光カット層１０２を介挿することにより、可視光１３０に対する光検出基板７２の感度の向上と、放射線画像の画像ボケの抑制とを共に実現することができる。

なお、本実施形態では、上記の説明に限定されることはなく、下記の方法を適用可能であることは勿論である。

すなわち、上記の［１］〜［７］の説明において、光リセット動作判定部２１４は、フレームレート閾値Ｆｔｈに対するフレームレートの大きさに従って光リセットの要否を判定していたが、下記（１）〜（３）の方法により光リセットの要否判定を行ってもよい。

（１）光リセット動作判定部２１４は、動画撮影中、画像取得枚数（撮影枚数）が所定の閾値を越えたら光リセットが必要と判定する。

（２）光検出素子９４の温度上昇に伴って放射線画像のノイズレベルも大きくなるため、光リセット動作判定部２１４は、取得した放射線画像のノイズレベルが所定の閾値を越えたら光リセットが必要と判定してもよい。

（３）上述した［６］のうち、高レート動画撮影及び低レート動画撮影の順に撮影が行われる場合（高フレームレートから低フレームレートに途中変更する動画撮影の場合）には、低フレームレートであるから光リセットが不要とは必ずしも言えない。すなわち、高レート動画撮影中、光検出素子９４に対して光リセットを繰り返し行うことにより、光検出素子９４が温度上昇する可能性がある。そこで、光リセット動作判定部２１４は、高レート動画撮影の影響を排除するために、低レート動画撮影においても光リセットが必要と判定してもよい。

従って、光リセット動作判定部２１４は、フレームレートに基づく光リセットの要否判定に代替して、これら（１）〜（３）により要否判定を行ってもよい。また、光リセット動作判定部２１４は、フレームレートに基づく光リセットの要否判定と、（１）〜（３）のいずれか１つの方法とを併用して光リセットの要否判定を行ってもよい。さらに、光リセット動作判定部２１４は、フレームレートに基づく光リセットの要否判定と、（１）〜（３）の全ての方法とを併用して光リセットの要否判定を行ってもよい。

なお、本発明は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることは勿論である。

１０…放射線画像撮影システム
１４…被写体
１６…放射線
２０、２０Ａ〜２０Ｄ…電子カセッテ
７０…放射線検出器
７２…光検出基板
７４…シンチレータ
７６…切換フィルタ
７８…リセット光源
８８ａ…接着層
８８ｂ…粘着層
９２…ＴＦＴ
９４…光検出素子
１０２…斜入光カット層
１１０…透明基材
１１２…透明導電膜
１２２…調光ミラーフイルム層
１３０…可視光
１３２…リセット光
１４２、１６２…発光素子
１５０…導光板
１５２…冷陰極管
１５４…拡散シート
１５６…反射シート
１８０…駆動回路部
１８２…カセッテ制御部
１９０…画素
２１０…撮影オーダ判定部
２１２…温度検出部
２１４…光リセット動作判定部
２１６…フィルタ制御部
２１８…光源制御部
２３０…窓部
２４０、２４４…蒸着基板
２４２…剥離層

Claims (26)

1. 放射線を可視光に変換するシンチレータと、前記可視光を電気信号に変換する光検出基板と、該光検出基板にリセット光を照射するリセット光源と、前記リセット光の透過又は非透過を切換可能な切換フィルタとを有し、
   前記光検出基板、前記シンチレータ、前記切換フィルタ及び前記リセット光源の順に配置され、
   前記切換フィルタは、前記リセット光を透過させる場合には、前記シンチレータを介して前記光検出基板に該リセット光を照射させ、一方で、前記リセット光を透過させない場合には、少なくとも前記可視光を前記光検出基板の方向に反射させることを特徴とする放射線画像撮影装置。
2. 請求項１記載の装置において、
   前記シンチレータは、被写体を透過した前記放射線を前記可視光に変換し、
   前記光検出基板は、前記可視光を前記被写体の放射線画像を示す前記電気信号に変換し、
   前記切換フィルタは、前記被写体に対する前記放射線画像の撮影に関わる撮影オーダに基づいて、前記リセット光を透過させる透明状態、又は、前記可視光を前記光検出基板の方向に反射させると共に前記リセット光を前記リセット光源の方向に反射させる鏡状態に切換可能であることを特徴とする放射線画像撮影装置。
3. 請求項２記載の装置において、
   少なくとも１枚の静止画撮影を含む撮影オーダである場合、又は、フレームレート閾値よりも低いフレームレートでの動画撮影を含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、前記鏡状態を維持することを特徴とする放射線画像撮影装置。
4. 請求項２記載の装置において、
   動画撮影を含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、前記透明状態を維持することを特徴とする放射線画像撮影装置。
5. 請求項２記載の装置において、
   動画撮影を含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、各フレームにおいて、前記被写体に対する前記放射線の照射時には前記鏡状態を維持すると共に、非照射時には前記透明状態を維持することにより、前記鏡状態及び前記透明状態に順次切り換わることを特徴とする放射線画像撮影装置。
6. 請求項２記載の装置において、
   動画撮影と少なくとも１枚の静止画撮影とを含む撮影オーダである場合、前記切換フィルタは、前記動画撮影では前記透明状態を維持すると共に、前記静止画撮影では前記鏡状態を維持し、前記動画撮影から前記静止画撮影に切り換わるタイミングで前記透明状態から前記鏡状態に切り換わるか、あるいは、前記静止画撮影から前記動画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態から前記透明状態に切り換わることを特徴とする放射線画像撮影装置。
7. 請求項２記載の装置において、
   フレームレート閾値よりも高いフレームレートでの動画撮影と、少なくとも１枚の静止画撮影とを含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、
   前記静止画撮影では前記鏡状態を維持し、一方で、前記動画撮影では、各フレームにおいて、前記被写体に対する前記放射線の照射時には前記鏡状態を維持すると共に、非照射時には前記透明状態を維持することにより、前記鏡状態及び前記透明状態に順次切り換わり、
   前記動画撮影から前記静止画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態及び前記透明状態の順次切換状態から前記鏡状態に切り換わるか、あるいは、前記静止画撮影から前記動画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態から前記鏡状態及び前記透明状態の順次切換状態に切り換わることを特徴とする放射線画像撮影装置。
8. 請求項２記載の装置において、
   フレームレート閾値よりも低いフレームレートでの第１の動画撮影と、前記フレームレート閾値よりも高いフレームレートでの第２の動画撮影とを含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、
   前記第１の動画撮影では前記鏡状態を維持すると共に、前記第２の動画撮影では前記透明状態を維持し、前記第１の動画撮影から前記第２の動画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態から前記透明状態に切り換わるか、あるいは、前記第２の動画撮影から前記第１の動画撮影に切り換わるタイミングで前記透明状態から前記鏡状態に切り換わることを特徴とする放射線画像撮影装置。
9. 請求項２記載の装置において、
   フレームレート閾値よりも低いフレームレートでの第１の動画撮影と、前記フレームレート閾値よりも高いフレームレートでの第２の動画撮影とを含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、
   前記第１の動画撮影では前記鏡状態を維持すると共に、前記第２の動画撮影では、各フレームにおいて、前記被写体に対する前記放射線の照射時には前記鏡状態を維持すると共に、非照射時には前記透明状態を維持することにより、前記鏡状態及び前記透明状態に順次切り換わり、
   前記第１の動画撮影から前記第２の動画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態から前記鏡状態及び前記透明状態の順次切換状態に切り換わるか、あるいは、前記第２の動画撮影から前記第１の動画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態及び前記透明状態の順次切換状態から前記鏡状態に切り換わることを特徴とする放射線画像撮影装置。
10. 請求項２記載の装置において、
    フレームレート閾値よりも低いフレームレートでの第１の動画撮影と、前記フレームレート閾値よりも高いフレームレートでの第２の動画撮影とを含む撮影オーダである場合に、前記切換フィルタは、
    前記第１の動画撮影及び前記第２の動画撮影の撮影順を含む撮影オーダであるとき、前記第１の動画撮影における所定のフレームまで前記鏡状態を維持した後に前記透明状態に切り換わり、切換後の残りのフレーム及び前記第２の動画撮影では前記透明状態を維持し、
    一方で、前記第２の動画撮影及び前記第１の動画撮影の撮影順を含む撮影オーダであるとき、前記第２の動画撮影及び前記第１の動画撮影における所定のフレームまで前記透明状態を維持した後に前記鏡状態に切り換わり、切換後の残りのフレームでは前記鏡状態を維持することを特徴とする放射線画像撮影装置。
11. 請求項８〜１０のいずれか１項に記載の装置において、
    前記撮影オーダが少なくとも１枚の静止画撮影をさらに含む場合に、前記切換フィルタは、前記静止画撮影では前記鏡状態を維持し、前記動画撮影から前記静止画撮影に切り換わるタイミングで該動画撮影に応じた前記切換フィルタの状態から前記鏡状態に切り換わるか、あるいは、前記静止画撮影から前記動画撮影に切り換わるタイミングで前記鏡状態から前記動画撮影に応じた前記切換フィルタの状態に切り換わることを特徴とする放射線画像撮影装置。
12. 請求項２〜１１のいずれか１項に記載の装置において、
    前記光検出基板は、前記可視光を前記電気信号に変換する複数の光検出素子を備え、
    前記切換フィルタの一部には、前記リセット光を常時透過可能な窓部が形成され、
    前記リセット光源が前記窓部を介して該窓部に対向する光検出素子に前記リセット光を照射した場合に、前記リセット光が照射された光検出素子は、該リセット光に起因した暗電流信号を検出し、
    前記切換フィルタは、前記暗電流信号に応じた前記光検出素子の温度及び前記撮影オーダに基づいて、前記鏡状態又は前記透明状態に切り換わることを特徴とする放射線画像撮影装置。
13. 請求項１〜１２のいずれか１項に記載の装置において、
    前記切換フィルタは、前記リセット光の透過又は非透過を電気的に切換可能な調光ミラーフイルム層を備えることを特徴とする放射線画像撮影装置。
14. 請求項１３記載の装置において、
    前記切換フィルタは、前記リセット光を透過可能な透明基材上に前記調光ミラーフイルム層を積層することにより構成され、
    前記調光ミラーフイルム層側に前記シンチレータが配置されると共に、前記透明基材側に前記リセット光源が配置されることを特徴とする放射線画像撮影装置。
15. 請求項１〜１４のいずれか１項に記載の装置において、
    前記リセット光源は、前記切換フィルタ及び前記シンチレータを介して前記光検出基板と対向するように配置された発光素子のアレイ、バックライト、又は、エレクトロルミネッセンス光源であることを特徴とする放射線画像撮影装置。
16. 請求項１５記載の装置において、
    前記バックライトは、前記切換フィルタにおける前記シンチレータの反対側に配置された導光板と、該導光板の側部に配置された光源と、前記導光板及び前記光源を囲繞するように配置された反射シートと、前記導光板における前記切換フィルタ側の表面に配置された拡散シートとから構成され、
    前記光源は、前記導光板に光を入射し、
    前記導光板に入射した前記光は、該導光板内で前記反射シート及び前記拡散シートとの間で表面反射を繰り返した後に、前記拡散シートから前記切換フィルタに前記リセット光として出射することを特徴とする放射線画像撮影装置。
17. 請求項１６記載の装置において、
    前記光源は、発光ダイオード又は冷陰極管であることを特徴とする放射線画像撮影装置。
18. 請求項１５記載の装置において、
    前記エレクトロルミネッセンス光源は、有機エレクトロルミネッセンス光源であることを特徴とする放射線画像撮影装置。
19. 請求項１〜１８のいずれか１項に記載の装置において、
    前記シンチレータ及び前記光検出基板を接着層を介して接着するか、前記シンチレータ及び前記光検出基板を粘着層を介して粘着するか、あるいは、前記光検出基板に前記シンチレータを直接成膜することを特徴とする放射線画像撮影装置。
20. 請求項１９記載の装置において、
    蒸着基板に前記シンチレータを成膜した後に、該シンチレータの先端部分と前記光検出基板とを前記接着層を介して接着するか、あるいは、前記粘着層を介して粘着することを特徴とする放射線画像撮影装置。
21. 請求項２０記載の装置において、
    前記蒸着基板が前記リセット光に対して非透過である場合、前記蒸着基板に剥離層を介して前記シンチレータを成膜した後に、該シンチレータの先端部分と前記光検出基板とを前記接着層を介して接着するか、あるいは、前記粘着層を介して粘着し、その後、前記シンチレータから前記剥離層及び前記蒸着基板を剥離して、前記シンチレータの剥離面に前記リセット光源を配置することを特徴とする放射線画像撮影装置。
22. 請求項２０記載の装置において、
    前記蒸着基板が前記リセット光を透過可能である場合、該蒸着基板を介して前記リセット光源を配置可能であることを特徴とする放射線画像撮影装置。
23. 請求項１９記載の装置において、
    前記光検出基板は、前記可視光を前記電気信号に変換する光検出素子と、該光検出素子から前記電気信号を読み出すためのスイッチング素子とを備え、
    前記光検出素子は、有機光電変換材料又はアモルファス酸化物半導体から構成されると共に、前記スイッチング素子は、有機半導体材料、アモルファス酸化物半導体又はカーボンナノチューブから構成されることを特徴とする放射線画像撮影装置。
24. 請求項１〜２３のいずれか１項に記載の装置において、
    前記光検出基板と前記シンチレータとの間には、前記放射線の照射方向に対して斜め方向に進行する前記可視光又は前記リセット光をカットする斜入光カット層が介挿されていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
25. 請求項１〜２４のいずれか１項に記載の装置において、
    前記放射線の照射方向に沿って、前記光検出基板、前記シンチレータ、前記切換フィルタ及び前記リセット光源の順に配置されるか、又は、前記リセット光源、前記切換フィルタ、前記シンチレータ及び前記光検出基板の順に配置されることを特徴とする放射線画像撮影装置。
26. 請求項２５記載の装置において、
    前記放射線の照射方向に沿って前記リセット光源、前記切換フィルタ、前記シンチレータ及び前記光検出基板が順に配置される場合に、前記切換フィルタは、少なくとも前記放射線の照射時には、前記リセット光を前記リセット光源の方向に反射させると共に前記可視光を前記光検出基板の方向に反射させる鏡状態を維持することを特徴とする放射線画像撮影装置。

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