JP2012102392A - Pretreatment agent of electroless metal plating, and method for manufacturing circuit substrate using the same - Google Patents

Pretreatment agent of electroless metal plating, and method for manufacturing circuit substrate using the same Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pretreatment agent of electroless metal plating, which has excellent removing performance relative to catalyst residue and prevents a bridge phenomena caused by the electroless plating deposition from occurring between patterns, and to provide a method for manufacturing a circuit substrate using the same.SOLUTION: The pretreatment agent of electroless metal plating contains: a nitrogenous compound; a surface acting agent; a sulfuric compound; and an auxiliary catalyst.

Description

本発明は、無電解金属メッキの前処理剤およびこれを用いた回路基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a pretreatment agent for electroless metal plating and a circuit board manufacturing method using the same.

電子部品の高密度化に伴い、回路基板の表面処理も多角度で行われている。特に、従来から使用されてきた無電解ニッケル/金(Ni/Au)(以下、「ENIG」という)または近年注目されている無電解ニッケル/パラジウム/金(Ni/Pd/Au)(以下、「ENEPIG」という)は、良好な半田付け信頼性およびワイヤーボンディング(wire bonding)信頼性を有するため、パッケージ基板だけでなく、多方面にわたって用いられている。 With the increase in the density of electronic components, the surface treatment of circuit boards is also performed at multiple angles. In particular, electroless nickel / gold (Ni / Au) (hereinafter referred to as “ENIG”) that has been used conventionally, or electroless nickel / palladium / gold (Ni / Pd / Au) (hereinafter referred to as “ENIG”) that has been attracting attention in recent years. ENEPIG ”is used not only for package substrates but also for many fields because it has good soldering reliability and wire bonding reliability.

しかし、高密度化が進むにつれて、配線の微細化により表面処理問題が噴出している。その一つが、パターンの間で発生する無電解金属、例えば無電解ニッケルの析出問題である。その原因は、無電解金属の膜形成に必要不可欠な触媒処理薬品、例えばパラジウムがパターンの間に残存することにある。
触媒残渣の除去には従来から塩酸や硫酸などの鉱酸が使われてきた。ところが、鉱酸としては触媒との親和性が少なくて除去能力が低いうえ、設備が腐食してしまうという問題点もある。
However, as the density increases, surface treatment problems are spouted due to miniaturization of wiring. One of them is a deposition problem of an electroless metal such as electroless nickel generated between patterns. The cause is that a catalyst treatment chemical, for example, palladium, which is indispensable for forming an electroless metal film, remains between the patterns.
Conventionally, mineral acids such as hydrochloric acid and sulfuric acid have been used to remove catalyst residues. However, the mineral acid has a low affinity for the catalyst, a low removal capability, and the facilities are corroded.

他の方法として、シアン化合物を使用した除去薬品の利用も存在する。ところが、シアン化合物は、公知の如く、毒性が非常に強くて作業環境および排水処理に大きい負担が発生する。   As another method, there is a use of a removal chemical using a cyanide compound. However, as is well known, cyanide is very toxic and causes a heavy burden on the working environment and wastewater treatment.

本発明は、上述した従来の技術の問題点を解決するためのもので、その目的は、触媒残渣に対する除去性能に優れるため、パターン間の無電解メッキの析出によるブリッジ(bridge)現象を防止することができる、無電解金属メッキの前処理剤およびこれを用いた回路基板の製造方法を提供することにある。 The present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and its purpose is excellent in removal performance against catalyst residues, and thus prevents a bridge phenomenon due to deposition of electroless plating between patterns. An object of the present invention is to provide a pretreatment agent for electroless metal plating and a method for producing a circuit board using the same.

本発明の他の目的は、触媒残渣に対する選択的除去性能に優れるため、微細回路を実現することができる、無電解金属メッキの前処理剤およびこれを用いた回路基板の製造方法を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a pretreatment agent for electroless metal plating and a method for producing a circuit board using the same, which can realize a fine circuit because of excellent selective removal performance with respect to catalyst residues. It is in.

本発明の別の目的は、環境にやさしい無電解金属メッキの前処理剤およびこれを用いた回路基板の製造方法を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide an environmentally friendly pretreatment agent for electroless metal plating and a method for producing a circuit board using the same.

本発明の好適な第1側面によれば、
下記化学式1で表される窒素化合物:

Figure 2012102392

式中、XおよびYは、互いに同じでも異なってもよく、それぞれH、CHCl、CHBr、CHI、CHOH、CHCOOH、CCl、CBr、CI、COHまたはCCOOHを示し、nは1〜3の整数を示し、mは1〜6の整数を示す;
界面活性剤;
下記化学式2または化学式3で表される硫黄化合物:
Figure 2012102392
Figure 2012102392
式中、R、RおよびRは、互いに同じでも異なってもよく、それぞれ炭素数1〜6のアルキル基またはアリール基を示し、X、XおよびYは、互いに同じでも異なってもよく、それぞれH、OHまたはCOOHを示す;および
副触媒;を含む、無電解金属メッキの前処理剤が提供される。 According to a preferred first aspect of the present invention,
Nitrogen compounds represented by the following chemical formula 1:
Figure 2012102392

In the formula, X and Y may be the same as or different from each other, and H, CH 2 Cl, CH 2 Br, CH 2 I, CH 2 OH, CH 2 COOH, C 2 H 4 Cl, C 2 H 4 Br , C 2 H 4 I, C 2 H 4 OH or C 2 H 4 COOH, n represents an integer of 1 to 3, and m represents an integer of 1 to 6;
Surfactants;
Sulfur compounds represented by the following chemical formula 2 or chemical formula 3:
Figure 2012102392
Figure 2012102392
In the formula, R, R 1 and R 2 may be the same or different from each other, and each represents an alkyl group or aryl group having 1 to 6 carbon atoms, and X 1 , X 2 and Y 2 are the same or different from each other. There is also provided a pretreatment agent for electroless metal plating, comprising: H, OH or COOH, respectively; and a secondary catalyst.

前記前処理剤において、前記窒素化合物は、ジアミン化合物、トリアミン化合物、ペンタミン化合物、ヘキサミン化合物、ハロゲン化アルキルアミン化合物、アミノアルコール化合物、アミノ酸化合物、およびこれらの混合物よりなる群から選ばれてもよい。
前記窒素化合物は、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ブチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ジプロピレントリアミン、ジブチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、トリプロピレンテトラミン、トリブチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、テトラプロピレンペンタミン、テトラブチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ペンタプロピレンヘキサミン、ペンタブチレンヘキサミン、1−クロロエチレン−N−エチレンジアミン、ジ(1−ブロモエチレン)−N,N’−プロピレンジアミン、1−ヒドロキシメチレン−N−エチレンジアミン、1−ヒドロキシエチレン−N−ブチレンジアミン、1−アミノエチレン−N−グリシン、エチレンジアミン−N,N’−二酢酸(EDDA)、およびこれらの混合物よりなる群から選ばれてもよい。
前記界面活性剤は、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、炭素数12〜18のアルキルスルホン酸、炭素数12〜18のアルキルスルホコハク酸、炭素数12〜18のジアルキルスルホコハク酸、およびこれらの混合物よりなる群から選ばれてもよい。
In the pretreatment agent, the nitrogen compound may be selected from the group consisting of diamine compounds, triamine compounds, pentamine compounds, hexamine compounds, halogenated alkylamine compounds, amino alcohol compounds, amino acid compounds, and mixtures thereof.
The nitrogen compound is ethylenediamine, propylenediamine, butylenediamine, diethylenetriamine, dipropylenetriamine, dibutylenetriamine, triethylenetetramine, tripropylenetetramine, tributylenetetramine, tetraethylenepentamine, tetrapropylenepentamine, tetrabutylenepentamine, Pentaethylenehexamine, pentapropylenehexamine, pentabylenehexamine, 1-chloroethylene-N-ethylenediamine, di (1-bromoethylene) -N, N′-propylenediamine, 1-hydroxymethylene-N-ethylenediamine, 1-hydroxyethylene -N-butylenediamine, 1-aminoethylene-N-glycine, ethylenediamine-N, N'-diacetic acid (EDDA), and mixtures thereof It may be selected from Li Cheng group.
The surfactant includes polyoxyethylene-polyoxypropylene block copolymer, polyoxyethylene alkyl ether, alkyl sulfonic acid having 12 to 18 carbon atoms, alkyl sulfosuccinic acid having 12 to 18 carbon atoms, and dialkyl sulfosuccinic acid having 12 to 18 carbon atoms. It may be selected from the group consisting of acids and mixtures thereof.

前記硫黄化合物は、メルカプタン化合物、ジスルフィド化合物、およびこれらの混合物およりなる群から選ばれてもよい。
前記硫黄化合物は、また、メチルメルカプタン、エチルメルカプタン、チオフェノール、チオグリコール、チオグリコール酸、ジチオグリコール、ジチオグリコール酸、およびこれらの混合物よりなる群から選ばれてもよい。
前記副触媒は、Pb、Bi、Sb、およびこれらの組み合わせよりなる群から選ばれた金属のイオンであってもよい。
前記前処理剤中の窒素化合物の含量は0.001〜10モル/Lであってもよい。
前記前処理剤中の前記界面活性剤の含量は1×10−8〜0.1モル/Lであってもよい。
前記前処理剤中の前記硫黄化合物の含量は1×10−8〜0.1モル/Lであってもよい。
前記前処理剤中の前記副触媒の含量は1×10−8〜0.1モル/Lであってもよい。
The sulfur compound may be selected from the group consisting of mercaptan compounds, disulfide compounds, and mixtures thereof.
The sulfur compound may also be selected from the group consisting of methyl mercaptan, ethyl mercaptan, thiophenol, thioglycol, thioglycolic acid, dithioglycol, dithioglycolic acid, and mixtures thereof.
The secondary catalyst may be a metal ion selected from the group consisting of Pb, Bi, Sb, and combinations thereof.
The nitrogen compound content in the pretreatment agent may be 0.001 to 10 mol / L.
The content of the surfactant in the pretreatment agent may be 1 × 10 −8 to 0.1 mol / L.
The content of the sulfur compound in the pretreatment agent may be 1 × 10 −8 to 0.1 mol / L.
The content of the secondary catalyst in the pretreatment agent may be 1 × 10 −8 to 0.1 mol / L.

本発明の好適な第2側面によれば、
ベース基板に無電解金属メッキ用触媒を付与する段階;
前記ベース基板を、下記化学式1で表される窒素化合物、界面活性剤、下記化学式2または化学式3で表される硫黄化合物、および副触媒を含む無電解金属メッキの前処理剤で処理することにより、前記ベース基板の絶縁層表面の触媒を除去する段階:

Figure 2012102392
式中、XおよびYは、互いに同じでも異なってもよく、それぞれH、CHCl、CHBr、CHI、CHOH、CHCOOH、CCl、CBr、CI、COHまたはCCOOHを示し、nは1〜3の整数を示し、mは1〜6の整数を示し;
Figure 2012102392
式中、Rは炭素数1〜6のアルキル基またはアリール基を示し、XはH、OHまたはCOOHを示し;
Figure 2012102392
式中、R、RおよびRは、互いに同じでも異なってもよく、それぞれ炭素数1〜6のアルキル基またはアリール基を示し、X、XおよびYは、互いに同じでも異なってもよく、それぞれH、OHまたはCOOHを示す;および
前記前処理剤で処理されたベース基板に無電解金属メッキによって金属メッキ層を形成する段階;を含む、回路基板の製造方法が提供される。 According to a preferred second aspect of the present invention,
Applying a catalyst for electroless metal plating to a base substrate;
By treating the base substrate with a pretreatment agent for electroless metal plating containing a nitrogen compound represented by the following chemical formula 1, a surfactant, a sulfur compound represented by the following chemical formula 2 or 3 and a secondary catalyst. Removing the catalyst on the surface of the insulating layer of the base substrate:
Figure 2012102392
In the formula, X and Y may be the same as or different from each other, and H, CH 2 Cl, CH 2 Br, CH 2 I, CH 2 OH, CH 2 COOH, C 2 H 4 Cl, C 2 H 4 Br , C 2 H 4 I, C 2 H 4 OH or C 2 H 4 COOH, n represents an integer of 1 to 3, and m represents an integer of 1 to 6;
Figure 2012102392
In the formula, R represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an aryl group, and X 1 represents H, OH or COOH;
Figure 2012102392
In the formula, R, R 1 and R 2 may be the same or different from each other, and each represents an alkyl group or aryl group having 1 to 6 carbon atoms, and X 1 , X 2 and Y 2 are the same or different from each other. There is also provided a method of manufacturing a circuit board, comprising: each showing H, OH or COOH; and forming a metal plating layer on the base substrate treated with the pretreatment agent by electroless metal plating.

前記製造方法において、前記前処理剤で処理する段階は、前記ベース基板を前記前処理剤の含有された浴(bath)に浸漬して行われてもよい。
前記前処理剤で処理する段階は、また、前記ベース基板に前処理剤を噴霧して行われてもよい。
前記ベース基板に無電解金属メッキ用触媒を付与する段階は、半田レジストオーブン部によって露出された接続パッドを有するベース基板を準備する段階と、前記ベース基板の接続パッドに無電解金属メッキ用触媒を付与する段階とを含んでもよい。
前記金属はニッケルであってもよい。
In the manufacturing method, the step of treating with the pretreatment agent may be performed by immersing the base substrate in a bath containing the pretreatment agent.
The step of treating with the pretreatment agent may be performed by spraying the pretreatment agent onto the base substrate.
The step of applying an electroless metal plating catalyst to the base substrate includes preparing a base substrate having a connection pad exposed by a solder resist oven, and applying an electroless metal plating catalyst to the connection pad of the base substrate. A step of granting.
The metal may be nickel.

本発明の好適な一側面によれば、特定の成分の組み合わせによって触媒残渣に対する除去性能に優れた、無電解金属メッキの前処理剤を提供することにより、回路基板におけるパターン間の無電解メッキの析出によるブリッジ現象を防止することができる。
また、高性能の選択的触媒残渣除去性能を示して高密度化基板のパターン間のメッキ析出を改善することができる。
According to a preferred aspect of the present invention, by providing a pretreatment agent for electroless metal plating that is excellent in removal performance for catalyst residues by a combination of specific components, electroless plating between patterns on a circuit board can be achieved. Bridging phenomenon due to precipitation can be prevented.
Moreover, the high performance selective catalyst residue removal performance can be shown, and the plating deposition between the patterns of the densified substrate can be improved.

本発明の好適な別の側面によれば、無電解金属メッキの前処理剤に既存の鉱酸またはシアン化合物などの毒性化合物を配合しないことにより、触媒残渣除去工程を環境にやさしく行うことができる。
したがって、設備の腐食が軽減して作業環境の悪化および排水処理の負担を軽減させることができる。
According to another preferred aspect of the present invention, the catalyst residue removing step can be performed in an environmentally friendly manner by not adding an existing mineral acid or a toxic compound such as a cyanide compound to the pretreatment agent for electroless metal plating. .
Therefore, the corrosion of facilities can be reduced, and the work environment can be deteriorated and the burden of wastewater treatment can be reduced.

本発明の好適な一実施形態に係る無電解金属メッキの前処理剤の構成成分を説明するために図式化して示す図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram schematically illustrating constituent components of a pretreatment agent for electroless metal plating according to a preferred embodiment of the present invention.

本発明の目的、特定の利点および新規の特徴は添付図面に連関する以下の詳細な説明と好適な実施例からさらに明白になるであろう。
これに先立ち、本明細書および請求の範囲に使用された用語または単語は、通常的で辞典的な意味で解釈されてはならず、発明者が自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に基づき、本発明の技術的思想に符合する意味と概念で解釈されなければならない。
本発明において、各図面の構成要素に参照番号を付加するにおいて、同一の構成要素については、他の図面上に表示されても、出来る限り同一の番号を付することに留意すべきであろう。なお、本発明を説明するにおいて、関連した公知の技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を無駄に乱すおそれがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。 本明細書において、「第1」、「第2」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために使用されるもので、構成要素を限定するものではない。
Objects, specific advantages and novel features of the present invention will become more apparent from the following detailed description and preferred embodiments when taken in conjunction with the accompanying drawings.
Prior to this, terms or words used in the specification and claims should not be construed in a normal and lexical sense, so that the inventor best describes the invention. Based on the principle that the concept of terms can be appropriately defined, it should be interpreted with a meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.
In the present invention, it is to be noted that when reference numerals are added to components in each drawing, the same components are given the same numbers as much as possible even if they are displayed on other drawings. . In the description of the present invention, when it is determined that there is a possibility that a specific description of a related known technique may unnecessarily disturb the gist of the present invention, a detailed description thereof will be omitted. In the present specification, terms such as “first” and “second” are used to distinguish one component from another component, and do not limit the component.

以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
無電解金属メッキの前処理剤
図1は本発明の好適な一実施形態に係る無電解金属メッキの前処理剤の構成成分を説明するために図式化して示す図である。
図1を参照すると、前記無電解金属メッキの前処理剤、すなわち触媒除去剤100は、下記化学式1で表される窒素化合物101と、界面活性剤102と、下記化学式2または3で表される硫黄化合物103と、副触媒104とを含んでなる:

Figure 2012102392
式中、XおよびYは、互いに同じでも異なってもよく、それぞれH、CHCl、CHBr、CHI、CHOH、CHCOOH、CCl、CBr、CI、COHまたはCCOOHを示し、nは1〜3の整数を示し、mは1〜6の整数を示す。
Figure 2012102392
Figure 2012102392
式中、R、RおよびRは、互いに同じでも異なってもよく、それぞれ炭素数1〜6のアルキル基またはアリール基を示し、X、XおよびYは、互いに同じでも異なってもよく、それぞれH、OHまたはCOOHを示す。
前記窒素化合物101は、触媒、例えば無電解ニッケルメッキ工程の触媒であるPdイオンと安定な化合物を形成する。ところが、金属パターン、例えば銅パターン上の金属化触媒と反応しない。前記窒素化合物は、水溶性であって、処理剤内で容易に溶解される。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
Electroless Metal Plating Pretreatment Agent FIG. 1 is a diagram schematically showing components of the electroless metal plating pretreatment agent according to a preferred embodiment of the present invention.
Referring to FIG. 1, a pretreatment agent for electroless metal plating, that is, a catalyst removing agent 100, is represented by a nitrogen compound 101 represented by the following chemical formula 1, a surfactant 102, and a chemical formula 2 or 3 below. Comprising a sulfur compound 103 and a secondary catalyst 104:
Figure 2012102392
In the formula, X and Y may be the same as or different from each other, and H, CH 2 Cl, CH 2 Br, CH 2 I, CH 2 OH, CH 2 COOH, C 2 H 4 Cl, C 2 H 4 Br , C 2 H 4 I, C 2 H 4 OH or C 2 H 4 COOH, n represents an integer of 1 to 3, and m represents an integer of 1 to 6.
Figure 2012102392
Figure 2012102392
In the formula, R, R 1 and R 2 may be the same or different from each other, and each represents an alkyl group or aryl group having 1 to 6 carbon atoms, and X 1 , X 2 and Y 2 are the same or different from each other. Or H, OH or COOH, respectively.
The nitrogen compound 101 forms a stable compound with a catalyst, for example, Pd ion which is a catalyst in an electroless nickel plating process. However, it does not react with a metallization catalyst on a metal pattern, such as a copper pattern. The nitrogen compound is water-soluble and is easily dissolved in the treatment agent.

また、前記窒素化合物は、金属パターンに処理されると、下記反応式によって金属パターン上に触媒金属を析出させる。
[反応式1]
Cu+[PdA]2+→Cu2++Pd+A
前記反応式において、Aは窒素化合物を示す。
前記前処理剤中の窒素化合物の濃度は0.001〜10mol/Lであってもよく、さらに好ましくは0.1〜5.0mol/Lであってもよい。
前記窒素化合物の濃度が0.001mol/L未満であれば、触媒イオンと反応する窒素化合物の濃度があまり低いため、触媒除去剤としての能力を発揮することができない。また、前記窒素化合物の濃度が10mol/L超過であれば、窒素化合物が過飽和状態になるおそれがあって粘度があまり高く、微細回路内への触媒除去剤の浸透性に悪影響を及ぼすおそれがある。また、薬品費用が上昇して効率対費用の面で不利でありうる。
Further, when the nitrogen compound is processed into a metal pattern, a catalytic metal is deposited on the metal pattern according to the following reaction formula.
[Reaction Formula 1]
Cu + [PdA] 2+ → Cu 2+ + Pd + A
In the above reaction formula, A represents a nitrogen compound.
The concentration of the nitrogen compound in the pretreatment agent may be 0.001 to 10 mol / L, more preferably 0.1 to 5.0 mol / L.
If the concentration of the nitrogen compound is less than 0.001 mol / L, the concentration of the nitrogen compound that reacts with the catalyst ions is so low that the ability as a catalyst removing agent cannot be exhibited. In addition, if the concentration of the nitrogen compound exceeds 10 mol / L, the nitrogen compound may be supersaturated, the viscosity is too high, and the permeability of the catalyst remover into the fine circuit may be adversely affected. . In addition, the cost of medicine may increase, which may be disadvantageous in terms of efficiency versus cost.

前記窒素化合物の代表的な例としては、エチレンジアミン(Ethylenediamine)、プロピレンジアミン(Propylenediamine)、ブチレンジアミン(Buthylenediamine)などのジアミン化合物、ジエチレントリアミン(Diethylenetriamine)、ジプロピレントリアミン(Dipropylenetriamine)、ジブチレントリアミン(Dibuthylenetriamine)などのトリアミン(triamine)化合物、トリエチレンテトラミン(Triethylenetetramine)、トリプロピレンテトラミン(Tripropylenetetramine)、トリブチレンテトラミン(Tributhylenetetramine)などのテトラミン(tetramine)化合物、テトラエチレンペンタミン(Tetraethylenepentamine)、テトラプロピレンペンタミン(Tetrapropylenepentamine)、テトラブチレンペンタミン(Tetrabuthylenepentamine)などのペンタミン化合物、ペンタエチレンヘキサミン(Pentaethylenehexamine)、ペンタプロピレンヘキサミン(Pentapropylenehexamine)、ペンタブチレンヘキサミン(Pentabuthylenehexamine)などのヘキサミン(hexamine)化合物、1−クロロエチレン−N−エチレンジアミン(1-chloroethylene-N-ethylenee diamine)、ジ(1−ブロモエチレン)−N,N’−プロピレンジアミン(Di-(1-bromoethylene)-N,N’-propylene diamine)などのハロゲン化アルキルアミン化合物、1−ヒドロキシメチレン−N−エチレンジアミン(1-hydroxymethylene-N-ethylene diamine)、1−ヒドロキシエチレン−N−ブチレジンジアミン(1-hydroxyethylene-N-buthylene diamine)などのアミノアルコール化合物、1−アミノエチレン−N−グリシン(1-aminoethylene-N-glycine)、エチレンジアミン−N,N’−二酢酸(Ethylenediamine-N,N’-diacetic acid、EDDA)などのアミノ酸化合物などを挙げることができるが、特にこれに限定されるのではない。 Representative examples of the nitrogen compound include diamine compounds such as ethylenediamine (Ethylenediamine), propylenediamine (Propylenediamine), and butylenediamine (Diethylenetriamine), dipropylenetriamine (Dipropylenetriamine), and dibutylenetriamine (Dibuthylenetriamine). Triamine compounds such as Triethylenetetramine, Tripropylenetetramine, Tributhylenetetramine, and other tetramine compounds, Tetraethylenepentamine, Tetrapropylenepentamine ), Pentamine compounds such as tetrabutylenepentamine (Tetrabuthylenepentamine), pentaethylenehexamine, pentapropylenehexamine (Pentapropylenehexami) ne), hexamine compounds such as Pentabuthylenehexamine, 1-chloroethylene-N-ethyleneediamine, di (1-bromoethylene) -N, N′-propylene Halogenated alkylamine compounds such as diamine (Di- (1-bromoethylene) -N, N'-propylene diamine), 1-hydroxymethylene-N-ethylenediamine, 1-hydroxyethylene- Amino alcohol compounds such as 1-hydroxyethylene-N-buthylene diamine, 1-aminoethylene-N-glycine, ethylenediamine-N, N′-diacetic acid (Ethylenediamine) An amino acid compound such as -N, N'-diacetic acid (EDDA) can be mentioned, but is not particularly limited thereto.

前記界面活性剤102は、有機化合物であって、微細回路内に浸透する触媒除去剤の浸透性を補助すると同時に、金属パターンの表面エネルギーを低下させてスムーズに触媒と金属との置換反応を起こす作用を果たす。
前記前処理剤中の界面活性剤の濃度は1×10−8〜0.1mol/Lであってもよく、好ましくは1×10−6〜0.01mol/Lであってもよい。前記界面活性剤の濃度が1×10−8mol/L未満であれば、触媒除去剤の微細回路内への浸透性が殆ど向上せず、触媒除去剤の能力が低下するおそれがある。前記界面活性剤の濃度が0.1mol/L超過であれば、有機化合物の水溶性が低下し、沈澱液または懸濁液の状態となり、金属パターンの表面に多量吸着された場合には、次の工程である無電解金属メッキの際に密着不良または外観不良の原因になれる。
The surfactant 102 is an organic compound, and assists the permeability of the catalyst removing agent that penetrates into the fine circuit. At the same time, the surface energy of the metal pattern is lowered to cause a smooth substitution reaction between the catalyst and the metal. Acts.
The concentration of the surfactant in the pretreatment agent may be 1 × 10 −8 to 0.1 mol / L, preferably 1 × 10 −6 to 0.01 mol / L. If the concentration of the surfactant is less than 1 × 10 −8 mol / L, the permeability of the catalyst remover into the fine circuit is hardly improved, and the ability of the catalyst remover may be reduced. If the concentration of the surfactant is more than 0.1 mol / L, the water solubility of the organic compound is reduced, and the resulting solution is in the form of a precipitation solution or suspension. This may cause poor adhesion or poor appearance during electroless metal plating, which is a step of the above.

好ましくは、前記界面活性剤としては、親水親油平衡(Hydrophil Lipophil Balance、HLB)値が10〜16の有機物質が使用できる。前記HLB値が小さい場合には、水溶性が低下して沈澱液または懸濁液の状態になり易く、費用の面でも不利でありうる。
前記界面活性剤には、例えば、分子量2,000〜200,000のポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンブロックコポリマー、10〜16のHLB値を有するポリオキシエチレンアルキルエーテル(Polyoxyethylene alkylether)、炭素数12〜18のアルキルスルホン酸、炭素数12〜18のアルキルスルホコハク酸、および/または炭素数12〜18のジアルキルスルホコハク酸などが含まれてもよいが、特にこれに限定されるのではない。
Preferably, as the surfactant, an organic substance having a hydrophilic / lipophilic balance (HLB) value of 10 to 16 can be used. When the HLB value is small, the water solubility is lowered and the precipitate tends to be in the form of a precipitate or suspension, which may be disadvantageous in terms of cost.
Examples of the surfactant include a polyoxyethylene-polyoxypropylene block copolymer having a molecular weight of 2,000 to 200,000, a polyoxyethylene alkyl ether having an HLB value of 10 to 16, and a carbon number of 12 to 18 alkyl sulfonic acids, C12-18 alkylsulfosuccinic acids, and / or C12-18 dialkylsulfosuccinic acids may be included, but are not particularly limited thereto.

前記硫黄化合物は、触媒の除去がどんな理由であるかによって順調な進行が妨げられる場合、触媒イオンと結合してその触媒活性を妨害する物質である。
前記前処理剤中の硫黄化合物の濃度は1×10−8〜0.1mol/Lであってもよく、好ましくは1×10−6〜0.01mol/Lであってもよい。前記硫黄化合物の濃度が1×10−8mol/L未満であれば、触媒の微細回路内への触媒除去剤の浸透性が殆ど向上せず、触媒除去剤の能力が低下するおそれがある。前記硫黄化合物の濃度が0.1mol/L超過であれば、有機化合物の水溶性が低下し、沈澱液または懸濁液の状態になることがあり、金属の表面に多量吸着される場合には、次の工程である無電解金属メッキの際に密着不良または外観不良の原因になれる。
The sulfur compound is a substance that binds to a catalyst ion and hinders its catalytic activity when smooth progress is hindered by the reason why the catalyst is removed.
The concentration of the sulfur compound in the pretreatment agent may be 1 × 10 −8 to 0.1 mol / L, preferably 1 × 10 −6 to 0.01 mol / L. If the concentration of the sulfur compound is less than 1 × 10 −8 mol / L, the permeability of the catalyst remover into the fine circuit of the catalyst is hardly improved, and the ability of the catalyst remover may be reduced. If the concentration of the sulfur compound is more than 0.1 mol / L, the water solubility of the organic compound may be reduced, resulting in a precipitate or suspension state. In the next step, electroless metal plating, it may cause poor adhesion or poor appearance.

前記硫黄化合物の例としては、メチルメルカプタン(Methylmercaptan)、エチルメルカプタン(Ethylmercaptan)、チオフェノール(Tiophenol)、チオグリコール(Thioglycol)、チオグリコール酸(Thioglycolic acid)などのメルカプタン化合物、ジチオグリコール(Dithiodiglycol)、ジチオグリコール酸(Dithiodiglycolic acid)などのジスルフィド化合物を挙げることができるが、特にこれに限定されない。
ここで、もし、硫黄化合物をベースとして配合したパターン間のメッキ析出防止液と、硝酸をベースとした触媒除去液を別途のラインに構成する場合、硫黄化合物を配合した薬品では除去効果が少なく、硝酸をベースとした薬品は、パターンを構成している金属、例えば銅が溶解する可能性があり、且つ2段階処理を行わなければならないため、ライン増設が必要であって経済的に不利である。これに対し、本発明では、特定の窒素化合物と特定の硫黄化合物を界面活性剤および不触媒と共に配合することにより、高い触媒残渣除去性能を達成すると同時に、環境にやさしくて経済的な触媒除去工程を行うことができる。
前記副触媒104は、メッキの異常析出を防止するために添加されるもので、無電解金属メッキのパターン性を向上させて高密度回路の実現に適する。無電解メッキ工程のメッキ析出反応過程で水素ガスが発生するが、このような水素ガスはメッキ析出性を促進し、たとえ触媒がなくても微細パターン間の絶縁層からメッキが析出されるため、このようなメッキの異常析出の防止が要求される。
Examples of the sulfur compounds include mercaptan compounds such as methyl mercaptan, ethyl mercaptan, thiophenol, thioglycol, and thioglycolic acid, dithiodiglycol, Examples thereof include, but are not limited to, disulfide compounds such as dithioglycolic acid.
Here, if the anti-plating solution between the patterns formulated based on the sulfur compound and the catalyst removal solution based on nitric acid are configured in separate lines, the chemical compounded with the sulfur compound has little removal effect, Nitric acid-based chemicals can dissolve the metals that make up the pattern, such as copper, and require a two-step process, which is economically disadvantageous. . In contrast, in the present invention, a specific nitrogen compound and a specific sulfur compound are blended with a surfactant and a non-catalyst to achieve high catalyst residue removal performance, and at the same time, an environmentally friendly and economical catalyst removal step. It can be performed.
The sub-catalyst 104 is added to prevent abnormal deposition of plating, and is suitable for realizing a high-density circuit by improving the pattern property of electroless metal plating. Hydrogen gas is generated during the plating deposition reaction process in the electroless plating process, but such hydrogen gas promotes plating deposition, and even if there is no catalyst, plating is deposited from the insulating layer between the fine patterns. Prevention of such abnormal deposition of plating is required.

前記副触媒の例としては、Pbイオン、Biイオン、Sbイオンなどを挙げることができるが、当業界における公知のものであれば特にこれに限定されるのではない。
前記前処理剤中の前記副触媒の濃度は1×10−8〜0.1mol/Lであってもよく、好ましくは1×10−6〜0.01mol/Lであってもよい。前記副触媒の濃度が1×10−8mol/L未満であれば、濃度があまり低いため、副触媒としての効果が十分でないおそれがある。前記副触媒の濃度が0.1mol/L超過であれば、有機化合物の水溶性が低下し、沈澱液または懸濁液の状態になることがあり、金属の表面に多量吸着される場合には、次の工程である無電解金属メッキの際に密着不良、外観不良または析出不良の原因になれる。
Examples of the secondary catalyst include Pb ions, Bi ions, Sb ions and the like, but are not particularly limited as long as they are known in the art.
The concentration of the secondary catalyst in the pretreatment agent may be 1 × 10 −8 to 0.1 mol / L, and preferably 1 × 10 −6 to 0.01 mol / L. If the concentration of the sub-catalyst is less than 1 × 10 −8 mol / L, the concentration is so low that the effect as a sub-catalyst may be insufficient. If the concentration of the secondary catalyst is more than 0.1 mol / L, the water solubility of the organic compound may be reduced, resulting in a precipitate or suspension state. In the next step, electroless metal plating, it may cause poor adhesion, poor appearance or poor deposition.

選択的に、前記前処理剤には、目的の効果を妨害しない範囲内で当業界における公知のその他の添加物が含まれてもよい。前記添加物には、例えば、NaOHまたは硫酸などのpH調節剤、分析用指標物質などが含まれ得るが、特にこれに限定されるのではない。
一方、前記前処理剤のpHは、特に限定されるのではないが、基板に及ぼす影響を考慮する場合、pHは4〜12の範囲で使用することが好ましい。pHがあまり低ければ、配合した硫黄系化合物が水溶性を失ううえ、特有の悪臭を出して作業環境が悪化するおそれがある。pHがあまり高ければ、半田レジストまたは基材の溶解が発生して深刻な影響を及ぼすおそれがある。
前記前処理剤は、水溶液状態が維持される場合、その使用温度に特別な制限はない。例えば、使用可能な温度は0〜100℃であるが、現実的には20〜80℃の温度で使用することが好ましい。
Optionally, the pretreatment agent may contain other additives known in the art within a range that does not interfere with the intended effect. Examples of the additive may include, but are not limited to, a pH adjuster such as NaOH or sulfuric acid, an indicator material for analysis, and the like.
On the other hand, the pH of the pretreatment agent is not particularly limited, but in consideration of the influence on the substrate, the pH is preferably in the range of 4 to 12. If the pH is too low, the compounded sulfur-based compound loses water solubility, and there is a possibility that the working environment is deteriorated by producing a peculiar odor. If the pH is too high, dissolution of the solder resist or the substrate may occur and may have a serious effect.
When the aqueous solution state is maintained, the use temperature of the pretreatment agent is not particularly limited. For example, the usable temperature is 0 to 100 ° C., but it is practically preferable to use at a temperature of 20 to 80 ° C.

回路基板の製造方法
以下、上述した無電解金属メッキの前処理剤を用いて回路基板を製造する方法の好適な一実施形態について説明する。但し、無電解金属メッキの前処理剤は上述したとおりなので、重複する詳細な説明は省略する。
Method of manufacturing circuit board Hereinafter, a preferred embodiment of a method of manufacturing a circuit board using the above-described pretreatment agent for electroless metal plating will be described. However, since the pretreatment agent for electroless metal plating is as described above, a detailed description thereof is omitted.

本発明の一実施例に係る方法によれば、まず、無電解金属メッキを行うベース基板を準備する。
前記ベース基板は、接続パッドを含む1層以上の回路が絶縁層に形成された回路基板であって、半導体基板またはプリント基板である。また、前記ベース基板としては、絶縁層に少なくとも一つの回路が形成された通常の多層回路基板が適用されてもよい。
通常、前記接続パッドは、電子部品または外部接続端子が実装される接続部位であって、保護層、例えば、半田レジストのオープン部によって外部に露出され、前記露出された接続パッドには、後述する後続工程を介して無電解金属メッキによって無電解ニッケル/金メッキ層などの表面処理層が形成される。
According to a method according to an embodiment of the present invention, first, a base substrate for electroless metal plating is prepared.
The base substrate is a circuit substrate in which one or more layers including connection pads are formed in an insulating layer, and is a semiconductor substrate or a printed substrate. The base substrate may be a normal multilayer circuit board in which at least one circuit is formed on an insulating layer.
Usually, the connection pad is a connection part where an electronic component or an external connection terminal is mounted, and is exposed to the outside by a protective layer, for example, an open portion of a solder resist. The exposed connection pad will be described later. A surface treatment layer such as an electroless nickel / gold plating layer is formed by electroless metal plating through a subsequent process.

前記接続パッドを含む回路は、回路基板分野で回路用伝導性金属として使用されるものであれば制限なく適用可能であり、プリント基板では銅を使用することが典型的である。
前記絶縁層としては、例えば、プリント基板の場合には樹脂絶縁層が、半導体基板の場合にはセラミック絶縁層が使用できる。前記樹脂絶縁層としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、またはこれらにガラス繊維または無機フィラーなどの補強材が含浸された樹脂、例えば、プリプレグが使用できる。また、前記樹脂絶縁層としては、熱硬化性樹脂および/または光硬化性樹脂などが使用されてもよいが、特にこれに限定されるのではない。
The circuit including the connection pads can be applied without limitation as long as it is used as a conductive metal for circuits in the circuit board field, and copper is typically used for printed boards.
As the insulating layer, for example, a resin insulating layer can be used in the case of a printed board, and a ceramic insulating layer can be used in the case of a semiconductor substrate. As the resin insulating layer, a thermosetting resin such as an epoxy resin, a thermoplastic resin such as polyimide, or a resin impregnated with a reinforcing material such as glass fiber or inorganic filler, for example, a prepreg can be used. In addition, as the resin insulating layer, a thermosetting resin and / or a photocurable resin may be used, but is not particularly limited thereto.

前記半田レジストは、プリント基板において最外層回路を保護する保護層の機能を行い、電気的絶縁のために形成されるものであって、最外層の接続パッドを露出させるためにオープン部が形成される。前記半田レジストは、当業界における公知のように、例えば、半田レジストインク、半田レジストフィルムまたはカプセル化剤などで構成できるが、特にこれに限定されるのではない。
次に、前記ベース基板に無電解金属メッキ用触媒を付与する。
好ましくは、前記無電解金属メッキ用触媒は、無電解金属メッキが行われるパターン、すなわち接続パッドに付与できる。
The solder resist functions as a protective layer that protects the outermost layer circuit on the printed circuit board and is formed for electrical insulation, and an open portion is formed to expose the outermost connection pad. The The solder resist can be composed of, for example, a solder resist ink, a solder resist film, or an encapsulating agent as is well known in the art, but is not particularly limited thereto.
Next, a catalyst for electroless metal plating is applied to the base substrate.
Preferably, the electroless metal plating catalyst can be applied to a pattern in which electroless metal plating is performed, that is, a connection pad.

この際、前記無電解金属メッキの金属はニッケルであってもよい。
その後、前記ベース基板を上述したような無電解金属メッキの前処理剤で処理し、前記ベース基板の絶縁層の表面に形成された触媒を除去する。
無電解金属メッキ用触媒を付与した後、前述したような前処理剤で処理することにおり、パターンの間に、例えば絶縁層の表面に残存する触媒を除去してパターン間のメッキ析出によるブリッジ現象を防止することができる。すなわち、前記前処理剤を用いた処理は、無電解金属メッキ用触媒付与工程と無電解金属メッキ工程との間に適用されることが典型的である。
At this time, the metal of the electroless metal plating may be nickel.
Thereafter, the base substrate is treated with a pretreatment agent for electroless metal plating as described above to remove the catalyst formed on the surface of the insulating layer of the base substrate.
After applying the electroless metal plating catalyst, it is treated with a pretreatment agent as described above. Between the patterns, for example, the catalyst remaining on the surface of the insulating layer is removed, and a bridge is formed by plating deposition between the patterns. The phenomenon can be prevented. That is, the treatment using the pretreatment agent is typically applied between the electroless metal plating catalyst applying step and the electroless metal plating step.

前記処理方法は、既存から施行してきた、基板を薬品、すなわち前処理剤の含有された浴に浸漬するなどの方法で十分であるが、場合によってはスプレーなどの噴霧法を適用しても構わない。
次いで、前述したように前処理剤で処理されたベース基板、例えば接続パッド上に当業界における公知の通常の無電解金属メッキ工程、例えば、無電解ニッケルメッキ工程によって無電解金属メッキ層を形成する。
その次、当業界における公知の通常の後続工程を介して半田バンプが形成でき、前記半田バンプを介して半導体素子または外部部品と回路基板の内層回路とが電気的に接続できる。
As the treatment method, a method such as immersing a substrate in a chemical, that is, a bath containing a pretreatment agent, which has been practiced in the past is sufficient, but in some cases, a spraying method such as spraying may be applied. Absent.
Then, as described above, an electroless metal plating layer is formed on a base substrate treated with a pretreatment agent, for example, a connection pad by a conventional electroless metal plating process known in the art, for example, an electroless nickel plating process. .
Subsequently, solder bumps can be formed through a normal subsequent process known in the art, and the semiconductor element or external component can be electrically connected to the inner layer circuit of the circuit board via the solder bumps.

本発明の方法によれば、無電解金属メッキ用触媒付与段階と無電解金属メッキ段階との間に上述の前処理剤を用いてベース基板を処理することにより、パターンの間に残存する触媒残渣を優れた性能で除去してブリッジ現象なしで微細回路の実現が可能である。
また、既存の鉱酸またはシアン化合物を使用していない前処理剤を用いることにより、環境にやさしく経済的な触媒除去工程を行うことができる。
According to the method of the present invention, by treating the base substrate with the above pretreatment agent between the electroless metal plating catalyst application step and the electroless metal plating step, the catalyst residue remaining between the patterns It is possible to realize a fine circuit without bridging phenomenon by removing with excellent performance.
Further, by using a pretreatment agent that does not use an existing mineral acid or cyanide compound, an environmentally friendly and economical catalyst removal step can be performed.

以下、下記の実施例および比較例によって本発明をさらに具体的に説明するが、これらは本発明の範疇を限定するものではない。
[実施例1〜5および比較例1〜4]
ボンドフィンガー(Bond-finger)を想定した基板をMSAP工法で製作して使用した。パターンスペース(Pattern space)を15、18、20、25、30、35μmにし、触媒付与の後に前処理剤で処理して触媒を除去し、メッキ工程を行った後のスペースを50倍の光学顕微鏡で観察してパターン間の析出有無を比較した。
ここで、触媒付与前脱脂、ソフト−エッチング、触媒付与、触媒除去(前処理)および無電解金属メッキは、下記表1に示したような条件で行った。前処理剤の組成は、下記表2および表3に示したように配合して行った。
これにより得られた結果は下記表4に示した。

Figure 2012102392

Figure 2012102392
:トリエチレンテトラミン
:エチレンジアミン
:EDDA
:アルキルスルホン酸(C=14)
:ジアルキルスルホコハク酸(C=12)
:エチルメルカプタン
:ジチオジグリコール酸
:SbCl
:Bi(NO
Figure 2012102392
:メルカプトチアゾリン
:KSCN
:Na
Figure 2012102392
◎:パターン間の析出現象なし
○:析出があるが、使用においては問題がない
×:少なくない析出が発生して使用不可 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to the following examples and comparative examples, but these do not limit the scope of the present invention.
[Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4]
A substrate assuming a bond-finger was manufactured by the MSAP method and used. The pattern space is set to 15, 18, 20, 25, 30, 35 μm, and after applying the catalyst, the catalyst is removed by treatment with a pretreatment agent, and the space after performing the plating process is a 50 × optical microscope. And the presence or absence of precipitation between the patterns was compared.
Here, degreasing before catalyst application, soft etching, catalyst application, catalyst removal (pretreatment) and electroless metal plating were performed under the conditions shown in Table 1 below. The composition of the pretreatment agent was blended as shown in Tables 2 and 3 below.
The results obtained are shown in Table 4 below.
Figure 2012102392

Figure 2012102392
1 * : Triethylenetetramine 2 * : Ethylenediamine 3 * : EDDA
4 * : alkylsulfonic acid (C = 14)
5 * : Dialkylsulfosuccinic acid (C = 12)
6 * : Ethyl mercaptan 7 * : Dithiodiglycolic acid 8 * : SbCl 3
9 * : Bi (NO 3 ) 3
Figure 2012102392
1 * : Mercaptothiazoline 2 * : KSCN
3 * : Na 2 S 2 O 3
Figure 2012102392
◎: No precipitation phenomenon between patterns ○: There is precipitation, but there is no problem in use ×: Not a few precipitations occur and cannot be used

上記の結果から分かるように、比較例4のように触媒除去のための前処理を実施しない場合は30μm以下のスペースを有する基板には使用することができない。また、比較例1〜3では、30μm以下のパターン間の析出が見える。それに対し、本発明に係る前処理剤を用いて基板を製造した実施例1〜5の場合、全部18μmまで析出が見えず、15μmでも使用に問題がない水準の状態であった。 As can be seen from the above results, when the pretreatment for removing the catalyst is not performed as in Comparative Example 4, it cannot be used for a substrate having a space of 30 μm or less. Moreover, in Comparative Examples 1-3, precipitation between patterns of 30 micrometers or less is visible. On the other hand, in Examples 1 to 5 in which the substrate was manufactured using the pretreatment agent according to the present invention, no precipitation was seen up to 18 μm, and even 15 μm was in a state where there was no problem in use.

以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのもので、本発明による無電解金属メッキの前処理剤およびこれを用いた回路基板の製造方法はこれに限定されず、本発明の技術的思想内で当該分野の通常の知識を持った者によって多様な変形及び改良が可能であろう。本発明の単純な変形ないし変更はいずれも本発明の範疇内に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求範囲によって明らかに決まるであろう。   As described above, the present invention has been described in detail on the basis of specific examples. However, this is for the purpose of specifically explaining the present invention, and a pretreatment agent for electroless metal plating according to the present invention and the same are used. The method of manufacturing the circuit board is not limited to this, and various modifications and improvements can be made by those having ordinary knowledge in the art within the technical idea of the present invention. All simple variations and modifications of the present invention shall fall within the scope of the present invention, and the specific scope of protection of the present invention will be clearly determined by the claims.

100 触媒除去剤
101 窒素化合物
102 界面活性剤
103 硫黄化合物
104 副触媒
100 Catalyst Remover 101 Nitrogen Compound 102 Surfactant 103 Sulfur Compound 104 Secondary Catalyst

Claims (20)

下記化学式1で表される窒素化合物:
Figure 2012102392
式中、XおよびYは、互いに同じでも異なってもよく、それぞれH、CHCl、CHBr、CHI、CHOH、CHCOOH、CCl、CBr、CI、COHまたはCCOOHを示し、nは1〜3の整数を示し、mは1〜6の整数を示す;
界面活性剤;
下記化学式2または化学式3で表される硫黄化合物:
Figure 2012102392
Figure 2012102392
式中、R、RおよびRは、互いに同じでも異なってもよく、それぞれ炭素数1〜6のアルキル基またはアリール基を示し、X、XおよびYは、互いに同じでも異なってもよく、それぞれH、OHまたはCOOHを示す;および
副触媒;を含むことを特徴とする、無電解金属メッキの前処理剤。
Nitrogen compounds represented by the following chemical formula 1:
Figure 2012102392
In the formula, X and Y may be the same as or different from each other, and H, CH 2 Cl, CH 2 Br, CH 2 I, CH 2 OH, CH 2 COOH, C 2 H 4 Cl, C 2 H 4 Br , C 2 H 4 I, C 2 H 4 OH or C 2 H 4 COOH, n represents an integer of 1 to 3, and m represents an integer of 1 to 6;
Surfactants;
Sulfur compounds represented by the following chemical formula 2 or chemical formula 3:
Figure 2012102392
Figure 2012102392
In the formula, R, R 1 and R 2 may be the same or different from each other, and each represents an alkyl group or aryl group having 1 to 6 carbon atoms, and X 1 , X 2 and Y 2 are the same or different from each other. A pretreatment agent for electroless metal plating, characterized by comprising: H, OH or COOH, respectively; and a secondary catalyst.
前記窒素化合物は、ジアミン化合物、トリアミン化合物、ペンタミン化合物、ヘキサミン化合物、ハロゲン化アルキルアミン化合物、アミノアルコール化合物、アミノ酸化合物、およびこれらの混合物よりなる群から選ばれることを特徴とする、請求項1に記載の無電解金属メッキの前処理剤。   The nitrogen compound is selected from the group consisting of a diamine compound, a triamine compound, a pentamine compound, a hexamine compound, a halogenated alkylamine compound, an amino alcohol compound, an amino acid compound, and a mixture thereof. The pretreatment agent for electroless metal plating as described. 前記窒素化合物は、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ブチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ジプロピレントリアミン、ジブチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、トリプロピレンテトラミン、トリブチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、テトラプロピレンペンタミン、テトラブチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ペンタプロピレンヘキサミン、ペンタブチレンヘキサミン、1−クロロエチレン−N−エチレンジアミン、ジ(1−ブロモエチレン)−N,N’−プロピレンジアミン、1−ヒドロキシメチレン−N−エチレンジアミン、1−ヒドロキシエチレン−N−ブチレンジアミン、1−アミノエチレン−N−グリシン、エチレンジアミン−N,N’−二酢酸(EDDA)、およびこれらの混合物よりなる群から選ばれることを特徴とする、請求項1に記載の無電解金属メッキの前処理剤。   The nitrogen compound is ethylenediamine, propylenediamine, butylenediamine, diethylenetriamine, dipropylenetriamine, dibutylenetriamine, triethylenetetramine, tripropylenetetramine, tributylenetetramine, tetraethylenepentamine, tetrapropylenepentamine, tetrabutylenepentamine, Pentaethylenehexamine, pentapropylenehexamine, pentabylenehexamine, 1-chloroethylene-N-ethylenediamine, di (1-bromoethylene) -N, N′-propylenediamine, 1-hydroxymethylene-N-ethylenediamine, 1-hydroxyethylene -N-butylenediamine, 1-aminoethylene-N-glycine, ethylenediamine-N, N'-diacetic acid (EDDA), and mixtures thereof Characterized in that it is selected from the group consisting of pre-processing agent for electroless metal plating of claim 1. 前記界面活性剤は、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、炭素数12〜18のアルキルスルホン酸、炭素数12〜18のアルキルスルホコハク酸、炭素数12〜18のジアルキルスルホコハク酸、およびこれらの混合物よりなる群から選ばれることを特徴とする、請求項1に記載の無電解金属メッキの前処理剤。   The surfactant includes polyoxyethylene-polyoxypropylene block copolymer, polyoxyethylene alkyl ether, alkyl sulfonic acid having 12 to 18 carbon atoms, alkyl sulfosuccinic acid having 12 to 18 carbon atoms, and dialkyl sulfosuccinic acid having 12 to 18 carbon atoms. The pretreatment agent for electroless metal plating according to claim 1, wherein the pretreatment agent is selected from the group consisting of an acid and a mixture thereof. 前記硫黄化合物は、メルカプタン化合物、ジスルフィド化合物、およびこれらの混合物およりなる群から選ばれることを特徴とする、請求項1に記載の無電解金属メッキの前処理剤。   The pretreatment agent for electroless metal plating according to claim 1, wherein the sulfur compound is selected from the group consisting of a mercaptan compound, a disulfide compound, and a mixture thereof. 前記硫黄化合物は、メチルメルカプタン、エチルメルカプタン、チオフェノール、チオグリコール、チオグリコール酸、ジチオグリコール、ジチオグリコール酸、およびこれらの混合物よりなる群から選ばれることを特徴とする、請求項1に記載の無電解金属メッキの前処理剤。   2. The sulfur compound according to claim 1, wherein the sulfur compound is selected from the group consisting of methyl mercaptan, ethyl mercaptan, thiophenol, thioglycol, thioglycolic acid, dithioglycol, dithioglycolic acid, and mixtures thereof. Pretreatment agent for electroless metal plating. 前記副触媒は、Pb、Bi、Sb、およびこれらの組み合わせよりなる群から選ばれた金属のイオンであることを特徴とする、請求項1に記載の無電解金属メッキの前処理剤。   The pretreatment agent for electroless metal plating according to claim 1, wherein the secondary catalyst is a metal ion selected from the group consisting of Pb, Bi, Sb, and combinations thereof. 前記前処理剤中の前記窒素化合物の含量は0.001〜10モル/Lであることを特徴とする、請求項1に記載の無電解金属メッキの前処理剤。   The pretreatment agent for electroless metal plating according to claim 1, wherein the content of the nitrogen compound in the pretreatment agent is 0.001 to 10 mol / L. 前記前処理剤中の前記界面活性剤の含量は1×10−8〜0.1モル/Lであることを特徴とする、請求項1に記載の無電解金属メッキの前処理剤。 2. The pretreatment agent for electroless metal plating according to claim 1, wherein the content of the surfactant in the pretreatment agent is 1 × 10 −8 to 0.1 mol / L. 前記前処理剤中の前記硫黄化合物の含量は1×10−8〜0.1モル/Lであることを特徴とする、請求項1に記載の無電解金属メッキの前処理剤。 2. The pretreatment agent for electroless metal plating according to claim 1, wherein the content of the sulfur compound in the pretreatment agent is 1 × 10 −8 to 0.1 mol / L. 前記前処理剤中の前記副触媒の含量は1×10−8〜0.1モル/Lであることを特徴とする、請求項1に記載の無電解金属メッキの前処理剤。 2. The pretreatment agent for electroless metal plating according to claim 1, wherein the content of the secondary catalyst in the pretreatment agent is 1 × 10 −8 to 0.1 mol / L. ベース基板に無電解金属メッキ用触媒を付与する段階;
前記ベース基板を、下記化学式1で表される窒素化合物、界面活性剤、下記化学式2または化学式3で表される硫黄化合物、および副触媒を含む無電解金属メッキの前処理剤で処理することにより、前記ベース基板の絶縁層表面の触媒を除去する段階:
Figure 2012102392
式中、XおよびYは、互いに同じでも異なってもよく、それぞれH、CHCl、CHBr、CHI、CHOH、CHCOOH、CCl、CBr、CI、COHまたはCCOOHを示し、nは1〜3の整数を示し、mは1〜6の整数を示し;
Figure 2012102392
式中、Rは炭素数1〜6のアルキル基またはアリール基を示し、XはH、OHまたはCOOHを示し;
Figure 2012102392
式中、R、RおよびRは、互いに同じでも異なってもよく、それぞれ炭素数1〜6のアルキル基またはアリール基を示し、X、XおよびYは、互いに同じでも異なってもよく、それぞれH、OHまたはCOOHを示す;および
前記前処理剤で処理されたベース基板に無電解金属メッキによって金属メッキ層を形成する段階;を含むことを特徴とする、回路基板の製造方法。
Applying a catalyst for electroless metal plating to a base substrate;
By treating the base substrate with a pretreatment agent for electroless metal plating containing a nitrogen compound represented by the following chemical formula 1, a surfactant, a sulfur compound represented by the following chemical formula 2 or 3 and a secondary catalyst. Removing the catalyst on the surface of the insulating layer of the base substrate:
Figure 2012102392
In the formula, X and Y may be the same as or different from each other, and H, CH 2 Cl, CH 2 Br, CH 2 I, CH 2 OH, CH 2 COOH, C 2 H 4 Cl, C 2 H 4 Br , C 2 H 4 I, C 2 H 4 OH or C 2 H 4 COOH, n represents an integer of 1 to 3, and m represents an integer of 1 to 6;
Figure 2012102392
In the formula, R represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an aryl group, and X 1 represents H, OH or COOH;
Figure 2012102392
In the formula, R, R 1 and R 2 may be the same or different from each other, and each represents an alkyl group or aryl group having 1 to 6 carbon atoms, and X 1 , X 2 and Y 2 are the same or different from each other. And a step of forming a metal plating layer by electroless metal plating on the base substrate treated with the pretreatment agent, each of which represents H, OH, or COOH. .
前記前処理剤で処理する段階は、前記ベース基板を前記前処理剤の含有された浴に浸漬して行われることを特徴とする、請求項12に記載の回路基板の製造方法。   The method of manufacturing a circuit board according to claim 12, wherein the step of treating with the pretreatment agent is performed by immersing the base substrate in a bath containing the pretreatment agent. 前記前処理剤で処理する段階は、前記ベース基板に前処理剤を噴霧して行われることを特徴とする、請求項12に記載の回路基板の製造方法。   The method of manufacturing a circuit board according to claim 12, wherein the step of treating with the pretreatment agent is performed by spraying a pretreatment agent on the base substrate. 前記ベース基板に無電解金属メッキ用触媒を付与する段階は、
半田レジストオーブン部によって露出された接続パッドを有するベース基板を準備する段階と、
前記ベース基板の接続パッドに無電解金属メッキ用触媒を付与する段階とを含むことを特徴とする、請求項12に記載の回路基板の製造方法。
The step of applying a catalyst for electroless metal plating to the base substrate includes:
Preparing a base substrate having connection pads exposed by a solder resist oven section;
The method for manufacturing a circuit board according to claim 12, further comprising: applying a catalyst for electroless metal plating to the connection pad of the base substrate.
前記金属はニッケルであることを特徴とする、請求項12に記載の回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a circuit board according to claim 12, wherein the metal is nickel. 前記窒素化合物は、ジアミン化合物、トリアミン化合物、ペンタミン化合物、ヘキサミン化合物、ハロゲン化アルキルアミン化合物、アミノアルコール化合物、アミノ酸化合物、およびこれらの混合物よりなる群から選ばれることを特徴とする、請求項12に記載の回路基板の製造方法。   The nitrogen compound is selected from the group consisting of a diamine compound, a triamine compound, a pentamine compound, a hexamine compound, a halogenated alkylamine compound, an amino alcohol compound, an amino acid compound, and a mixture thereof. The manufacturing method of the circuit board of description. 前記界面活性剤は、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、炭素数12〜18のアルキルスルホン酸、炭素数12〜18のアルキルスルホコハク酸、炭素数12〜18のジアルキルスルホコハク酸、およびこれらの混合物よりなる群から選ばれることを特徴とする、請求項12に記載の回路基板の製造方法。   The surfactant includes polyoxyethylene-polyoxypropylene block copolymer, polyoxyethylene alkyl ether, alkyl sulfonic acid having 12 to 18 carbon atoms, alkyl sulfosuccinic acid having 12 to 18 carbon atoms, and dialkyl sulfosuccinic acid having 12 to 18 carbon atoms. The method for producing a circuit board according to claim 12, wherein the circuit board is selected from the group consisting of an acid and a mixture thereof. 前記硫黄化合物は、メルカプタン化合物、ジスルフィド化合物、およびこれらの混合物およりなる群から選ばれることを特徴とする、請求項12に記載の回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a circuit board according to claim 12, wherein the sulfur compound is selected from the group consisting of a mercaptan compound, a disulfide compound, and a mixture thereof. 前記副触媒は、Pb、Bi、Sb、およびこれらの組み合わせよりなる群から選ばれた金属のイオンであることを特徴とする、請求項12に記載の回路基板の製造方法。   The method of manufacturing a circuit board according to claim 12, wherein the secondary catalyst is a metal ion selected from the group consisting of Pb, Bi, Sb, and combinations thereof.
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