KR101184558B1 - Pre-treating agent for electroless metal plating and manufacturing method of circuit board using the same - Google Patents

Pre-treating agent for electroless metal plating and manufacturing method of circuit board using the same Download PDF

Info

Publication number
KR101184558B1
KR101184558B1 KR20100111134A KR20100111134A KR101184558B1 KR 101184558 B1 KR101184558 B1 KR 101184558B1 KR 20100111134 A KR20100111134 A KR 20100111134A KR 20100111134 A KR20100111134 A KR 20100111134A KR 101184558 B1 KR101184558 B1 KR 101184558B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal plating
compounds
electroless metal
pretreatment agent
pretreatment
Prior art date
Application number
KR20100111134A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120049727A (en
Inventor
조성민
테루아키 시모지
전동주
김치성
이동준
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR20100111134A priority Critical patent/KR101184558B1/en
Priority to JP2011028245A priority patent/JP5296115B2/en
Publication of KR20120049727A publication Critical patent/KR20120049727A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101184558B1 publication Critical patent/KR101184558B1/en

Links

Images

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)

Abstract

본 발명은 무전해 금속 도금의 전처리제 및 이를 이용한 회로 기판의 제조방법에 관한 것으로서, 질소 화합물과 계면 활성제와 유황 화합물과 부촉매를 포함하는 무전해 금속 도금의 전처리제가 개시된다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pretreatment agent for electroless metal plating and a method for manufacturing a circuit board using the same, and discloses a pretreatment agent for electroless metal plating containing a nitrogen compound, a surfactant, a sulfur compound, and a cocatalyst.

Description

무전해 금속 도금의 전처리제 및 이를 이용한 회로 기판의 제조방법 {Pre-treating agent for electroless metal plating and manufacturing method of circuit board using the same}Pretreatment agent for electroless metal plating and manufacturing method of circuit board using the same

본 발명은 무전해 금속 도금의 전처리제 및 이를 이용한 회로 기판의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pretreatment for electroless metal plating and a method of manufacturing a circuit board using the same.

전자 부품의 고밀도화와 더불어 회로 기판의 표면처리도 다각도로 이루어지고 있다. 특히, 종래부터 사용되어 온 무전해 니켈/금(Ni/Au)(이하 ENIG)이나 근래 주목받고 있는 무전해 니켈/팔라듐/금(Ni/Pd/Au)(이하 ENEPIG)은 양호한 땜납접속신뢰성, 와이어본딩(Wire bonding) 신뢰성을 가져, 패키지 기판뿐만 아니라 여러 방면에서 사용되고 있다.
In addition to increasing the density of electronic components, surface treatment of circuit boards is being performed at various angles. In particular, conventionally used electroless nickel / gold (Ni / Au) (hereinafter referred to as ENIG) and electroless nickel / palladium / gold (Ni / Pd / Au) (hereinafter referred to as ENEPIG), which are recently attracting attention, have good solder connection reliability, Wire bonding It is used in various fields as well as package board because of its reliability.

그러나, 고밀도화가 진행되면서 배선의 미세화로 인해 이런 표면처리 문제가 분출되고 있다. 그 중 하나가, 패턴 사이에서 발생하는 무전해 금속, 예를 들어, 무전해 니켈의 석출문제다. 이 원인은 무전해 금속의 막 형성에 필요 불가결한 촉매 처리 약품 중 예를 들어, 팔라듐이 패턴 사이에 잔존함으로 인해 발생한다.
However, as the densification progresses, such surface treatment problems are erupted due to the miniaturization of wiring. One of them is the problem of precipitation of electroless metal, for example, electroless nickel, which occurs between patterns. This cause occurs due to the presence of, for example, palladium remaining between the patterns among the catalytic treatment chemicals that are indispensable for film formation of the electroless metal.

촉매 잔사 제거에는 종래부터 염산이나 황산 등의 광산이 사용되어 왔다. 그러나, 광산으로는 촉매와의 친화성이 적어 제거 능력이 낮고, 설비가 부식되는 문제도 있다.
Conventionally, mineral acids, such as hydrochloric acid and sulfuric acid, have been used for catalyst residue removal. However, in mines, there is a problem that the affinity with the catalyst is low, the removal ability is low, and the equipment is corroded.

다른 방법으로 시안 화합물을 사용한 제거 약품도 존재한다. 그러나, 시안 화합물은 알려진 바와 같이 독성이 매우 강해 작업 환경 및 배수처리에 큰 부담이 발생한다.Alternatively, removal agents using cyanide compounds exist. However, cyanide compounds, as known, are very toxic, creating a large burden on the working environment and drainage.

본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 일 측면은 촉매 잔사에 대한 제거 성능이 우수하여 패턴 사이의 무전해 도금 석출에 의한 브리지(bride) 현상을 방지할 수 있는 무전해 금속 도금의 전처리제 및 이를 이용한 회로 기판의 제조방법을 제공하는 것이다.
The present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, an aspect of the present invention is excellent in the removal performance for the catalyst residue to prevent the bridge (bride) caused by the electroless plating precipitation between the patterns The present invention provides a pretreatment for sea metal plating and a method of manufacturing a circuit board using the same.

본 발명은 다른 측면은 촉매 잔사에 대한 선택적 제거 성능이 우수하여 미세 회로 구현이 가능한 무전해 금속 도금의 전처리제 및 이를 이용한 회로 기판의 제조방법을 제공하는 것이다.
Another aspect of the present invention is to provide an electroless metal plating pretreatment agent capable of implementing a fine circuit with excellent selective removal of catalyst residues and a method of manufacturing a circuit board using the same.

본 발명의 또 다른 측면은 친환경적인 무전해 금속 도금의 전처리제 및 이를 이용한 회로 기판의 제조방법을 제공하는 것이다.Another aspect of the present invention is to provide an environmentally friendly electroless metal plating pretreatment agent and a method of manufacturing a circuit board using the same.

본 발명의 바람직한 제1측면에 따르면, According to a first preferred aspect of the invention,

하기 화학식 1로 표시되는 질소 화합물:Nitrogen compound represented by the following formula (1):

Figure 112010073167818-pat00001
Figure 112010073167818-pat00001

상기 식에서, X 및 Y는 각각 서로 같거나 다르게 H, CH2Cl, CH2Br, CH2I, CH2OH, CH2COOH, C2H4Cl, C2H4Br, C2H4I, C2H4OH 또는 C2H4COOH이고, n은 1 내지 3의 정수이고, m은 1 내지 6의 정수임;Wherein X and Y are the same as or different from each other, H, CH 2 Cl, CH 2 Br, CH 2 I, CH 2 OH, CH 2 COOH, C 2 H 4 Cl, C 2 H 4 Br, C 2 H 4 I, C 2 H 4 OH or C 2 H 4 COOH, n is an integer from 1 to 3 and m is an integer from 1 to 6;

계면 활성제; Surfactants;

하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 유황 화합물:Sulfur compounds represented by the following formula (2) or (3):

Figure 112010073167818-pat00002
Figure 112010073167818-pat00002

Figure 112010073167818-pat00003
Figure 112010073167818-pat00003

상기 식에서 R, R1 및 R2는 각각 서로 같거나 다르게 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 아릴기이고, X1, X2 및 Y2는 각각 서로 같거나 다르게 H, OH 또는 COOH임; 및Wherein R, R 1 and R 2 are the same as or different from each other, or an alkyl or aryl group having 1 to 6 carbon atoms, and X 1 , X 2 and Y 2 are the same as or different from each other or H, OH or COOH; And

부촉매;Cocatalysts;

를 포함하는 무전해 금속 도금의 전처리제가 제공된다.
There is provided a pretreatment agent for electroless metal plating comprising a.

상기 전처리제에서, In the pretreatment agent,

상기 질소 화합물은 디아민 화합물, 트리아민 화합물, 펜타민 화합물, 헥사민 화합물, 할로겐화 알킬아민 화합물, 아미노 알코올 화합물, 아미노산 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
The nitrogen compound may be selected from the group consisting of diamine compounds, triamine compounds, pentamine compounds, hexamine compounds, halogenated alkylamine compounds, amino alcohol compounds, amino acid compounds and mixtures thereof.

상기 질소 화합물은 또한 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 부틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 디프로필렌트리아민, 디부틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라아민, 트리프로필렌테트라아민, 트리부틸렌테트라아민, 테트라에틸렌펜타민, 테트라프로필렌펜타민, 테트라부틸렌펜타민, 펜타에틸렌헥사민, 펜타프로필렌헥사민, 펜타부틸렌헥사민, 1-클로로에틸렌-N-에틸렌 디아민, 디(1-브로모에틸렌)-N,N'-프로필렌 디아민, 1-히드록시메틸렌-N-에틸렌 디아민, 1-히드록시에틸렌-N-부틸렌 디아민, 1-아미노에틸렌-N-글리신, 에틸렌디아민-N,N'-디아세트산(EDDA) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
The nitrogen compound is also ethylenediamine, propylenediamine, butylenediamine, diethylenetriamine, dipropylenetriamine, dibutylenetriamine, triethylenetetraamine, tripropylenetetraamine, tributylenetetraamine, tetraethylenepenta Min, tetrapropylenepentamine, tetrabutylenepentamine, pentaethylenehexamine, pentapropylenehexamine, pentabutylenehexamine, 1-chloroethylene-N-ethylene diamine, di (1-bromoethylene) -N, N'-propylene diamine, 1-hydroxymethylene-N-ethylene diamine, 1-hydroxyethylene-N-butylene diamine, 1-aminoethylene-N-glycine, ethylenediamine-N, N'-diacetic acid (EDDA ) And mixtures thereof.

상기 계면 활성제는 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 블록 코폴리머, 폴리옥시에틸렌 알킬에테르, 탄소수 12 내지 18의 알킬술폰산, 탄소수 12 내지 18의 알킬설포숙신산, 탄소수 12 내지 18의 디알킬설포숙신산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
The surfactant is a polyoxyethylene-polyoxypropylene block copolymer, polyoxyethylene alkyl ether, alkyl sulfonic acid of 12 to 18 carbon atoms, alkylsulfosuccinic acid of 12 to 18 carbon atoms, dialkylsulfosuccinic acid of 12 to 18 carbon atoms and their It may be selected from the group consisting of a mixture.

상기 유황 화합물은 머캡탄 화합물, 디설파이드 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
The sulfur compound may be selected from the group consisting of mercaptan compounds, disulfide compounds and mixtures thereof.

상기 유황 화합물은 또한 메틸머캡탄, 에틸머캡탄, 티오페놀, 티오글리콜, 티오글리콜산, 디티오글리콜, 디티오글리콜산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
The sulfur compound may also be selected from the group consisting of methylmercaptan, ethylmercaptan, thiophenol, thioglycol, thioglycolic acid, dithioglycol, dithioglycolic acid and mixtures thereof.

상기 부촉매는 Pb, Bi, Sb 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속의 이온일 수 있다.
The subcatalyst may be an ion of a metal selected from the group consisting of Pb, Bi, Sb, and combinations thereof.

상기 전처리제 중 상기 질소 화합물의 함량은 0.001 내지 10몰/L일 수 있다.
The content of the nitrogen compound in the pretreatment may be 0.001 to 10 mol / L.

상기 전처리제 중 상기 계면 활성제의 함량은 1×10-8 내지 0.1몰/L일 수 있다.
The amount of the surfactant in the pretreatment may be 1 × 10 −8 to 0.1 mol / L.

상기 전처리제 중 상기 유황 화합물의 함량은 1×10-8 내지 0.1몰/L일 수 있다.
The content of the sulfur compound in the pretreatment may be 1 × 10 -8 to 0.1 mol / L.

상기 전처리제 중 상기 부촉매의 함량은 1×10-8 내지 0.1몰/L일 수 있다.
The content of the subcatalyst in the pretreatment may be 1 × 10 −8 to 0.1 mol / L.

본 발명의 바람직한 제2측면에 따르면, According to a second preferred aspect of the invention,

베이스 기판에 무전해 금속 도금용 촉매를 부여하는 단계; Applying a catalyst for electroless metal plating to the base substrate;

상기 베이스 기판을 하기 화학식 1로 표시되는 질소 화합물과, 계면 활성제와, 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 유황 화합물과, 부촉매를 포함하는 무전해 금속 도금의 전처리제로 처리하여 상기 베이스 기판의 절연층 표면의 촉매를 제거하는 단계:The base substrate is treated with a nitrogen compound represented by the following formula (1), a surfactant, a sulfur compound represented by the following formula (2) or (3), and a pretreatment agent for electroless metal plating containing a subcatalyst to form an insulating layer of the base substrate. To remove the catalyst from the surface:

(화학식 1)(Formula 1)

Figure 112010073167818-pat00004
Figure 112010073167818-pat00004

상기 식에서, X 및 Y는 각각 서로 같거나 다르게 H, CH2Cl, CH2Br, CH2I, CH2OH, CH2COOH, C2H4Cl, C2H4Br, C2H4I, C2H4OH 또는 C2H4COOH이고, n은 1 내지 3의 정수이고, m은 1 내지 6의 정수이고;Wherein X and Y are the same as or different from each other, H, CH 2 Cl, CH 2 Br, CH 2 I, CH 2 OH, CH 2 COOH, C 2 H 4 Cl, C 2 H 4 Br, C 2 H 4 I, C 2 H 4 OH or C 2 H 4 COOH, n is an integer from 1 to 3, m is an integer from 1 to 6;

(화학식 2)(Formula 2)

X1-R-SHX 1 -R-SH

상기 식에서 R은 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 아릴기이고, X1은 H, OH 또는 COOH이며;In which R is an alkyl or aryl group having 1 to 6 carbon atoms, X 1 is H, OH or COOH;

(화학식 3)(Formula 3)

X2-R1-SS-R2-Y2 X 2 -R 1 -SS-R 2 -Y 2

상기 식에서 R1 및 R2는 각각 서로 같거나 다르게 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 아릴기이고, X2 및 Y2는 각각 서로 같거나 다르게 H, OH 또는 COOH임; 및Wherein R 1 and R 2 are the same as or different from each other, or an alkyl or aryl group having 1 to 6 carbon atoms, and X 2 and Y 2 are the same as or different from each other to H, OH or COOH; And

상기 전처리제로 처리된 베이스 기판에 무전해 금속 도금을 통해서 금속 도금층을 형성하는 단계;Forming a metal plating layer on the base substrate treated with the pretreatment agent through electroless metal plating;

를 포함하는 회로 기판의 제조방법이 제공된다.
There is provided a method of manufacturing a circuit board comprising a.

상기 제조방법에서, In the above production method,

상기 전처리제로 처리하는 단계는 상기 베이스 기판을 상기 전처리제가 함유된 욕(bath)에 침지하여 수행될 수 있다.
The treating with the pretreatment may be performed by immersing the base substrate in a bath containing the pretreatment.

상기 전처리제로 처리하는 단계는 또한 상기 베이스 기판에 상기 전처리제를 분무하여 수행될 수 있다.
Treatment with the pretreatment may also be performed by spraying the pretreatment on the base substrate.

상기 베이스 기판에 무전해 금속 도금용 촉매를 부여하는 단계는:The step of applying a catalyst for electroless metal plating to the base substrate:

솔더레지스트 오픈부에 의해 노출된 접속 패드를 갖는 베이스 기판을 준비하는 단계; 및Preparing a base substrate having a connection pad exposed by a solder resist open portion; And

상기 베이스 기판의 접속 패드에 무전해 금속 도금용 촉매를 부여하는 단계;Applying a catalyst for electroless metal plating to a connection pad of the base substrate;

를 포함할 수 있다.
. ≪ / RTI >

상기 금속은 니켈일 수 있다.
The metal may be nickel.

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description based on the accompanying drawings.

이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Prior to that, terms and words used in the present specification and claims should not be construed in a conventional and dictionary sense, and the inventor may properly define the concept of the term in order to best explain its invention It should be construed as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.

본 발명의 바람직한 일 측면에 따르면, 특정 성분들의 조합을 통해서 촉매 잔사에 대한 제거 성능이 우수한 무전해 금속 도금의 전처리제를 제공함으로써 회로 기판에서 패턴 사이의 무전해 도금 석출에 의한 브리지(bride) 현상을 방지할 수 있다.According to one preferred aspect of the present invention, a bridging phenomenon due to deposition of electroless plating between patterns on a circuit board by providing a pretreatment agent of an electroless metal plating having excellent removal performance of catalyst residues through a combination of specific components. Can be prevented.

또한, 고성능의 선택적 촉매 잔사 제거 성능을 나타내어 고밀도화된 기판의 패턴 간 도금 석출을 개선할 수 있다.
In addition, high performance selective catalyst residue removal performance can be exhibited to improve inter-pattern plating deposition of a densified substrate.

본 발명의 바람직한 또 다른 측면에 따르면, 무전해 금속 도금의 전처리제에 기존의 광산 또는 시안 화합물과 같은 독성 화합물을 배합하지 않음으로써 촉매 잔사 제거 공정을 친환경적으로 수행할 수 있다.According to another preferred aspect of the present invention, the catalyst residue removal process may be environmentally friendly by not blending a toxic compound such as a conventional mine or cyan compound in the pretreatment agent for electroless metal plating.

따라서, 이전 설비 부식이 경감되며 작업 환경 및 배수처리 부담을 경감시킬 수 있다.Therefore, the previous equipment corrosion can be reduced and the work environment and drainage burden can be reduced.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시형태에 따른 무전해 금속 도금의 전처리제의 구성성분을 설명하기 위하여 도식화하여 나타낸 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a diagram schematically illustrating components of a pretreatment agent for electroless metal plating according to a preferred embodiment of the present invention.

본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서에서, 제1, 제2 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The objectives, specific advantages and novel features of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. It should be noted that, in the present specification, the reference numerals are added to the constituent elements of the drawings, and the same constituent elements are assigned the same number as much as possible even if they are displayed on different drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. In this specification, the terms first, second, etc. are used to distinguish one element from another, and the element is not limited by the terms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

무전해 금속 도금의 전처리제Pretreatment Agent for Electroless Metal Plating

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시형태에 따른 무전해 금속 도금의 전처리제의 구성성분을 설명하기 위하여 도식화하여 나타낸 도면이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a diagram schematically illustrating components of a pretreatment agent for electroless metal plating according to a preferred embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 무전해 금속 도금의 전처리제, 즉 촉매 제거제(100)는 하기 화학식 1로 표시되는 질소 화합물(101)과, 계면 활성제(102)와, 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 유황 화합물(103)과, 부촉매(104)를 포함한다:
Referring to FIG. 1, the electroless metal plating pretreatment, that is, the catalyst remover 100 is represented by the nitrogen compound 101 represented by the following Chemical Formula 1, the surfactant 102, and the following Chemical Formula 2 or Chemical Formula 3 Sulfur compound (103) and subcatalyst (104) comprising:

(화학식 1)(Formula 1)

Figure 112010073167818-pat00005
Figure 112010073167818-pat00005

상기 식에서, X 및 Y는 각각 서로 같거나 다르게 H, CH2Cl, CH2Br, CH2I, CH2OH, CH2COOH, C2H4Cl, C2H4Br, C2H4I, C2H4OH 또는 C2H4COOH이고, n은 1 내지 3의 정수이고, m은 1 내지 6의 정수이다.
Wherein X and Y are the same as or different from each other, H, CH 2 Cl, CH 2 Br, CH 2 I, CH 2 OH, CH 2 COOH, C 2 H 4 Cl, C 2 H 4 Br, C 2 H 4 I, C 2 H 4 OH or C 2 H 4 COOH, n is an integer from 1 to 3, m is from 1 to 6 Is an integer.

(화학식 2)(Formula 2)

X1-R-SHX1-R-SH

(화학식 3)(Formula 3)

X2-R1-SS-R2-Y2X2-R1-SS-R2-Y2

상기 식에서 R, R1 및 R2는 각각 서로 같거나 다르게 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 아릴기(예를 들어, 페닐기 및/또는 나프틸기)이고, X1, X2 및 Y2는 각각 서로 같거나 다르게 H, OH 또는 COOH이다.
Wherein R, R1 and R2 are the same as or different from each other, or an alkyl or aryl group having 1 to 6 carbon atoms (for example, a phenyl group and / or a naphthyl group), and X1, X2 and Y2 are the same as or different from each other, H, OH Or COOH.

상기 질소 화합물(101)은 촉매, 예를 들어 무전해 니켈 도금 공정의 촉매인 Pd 이온과 안정된 화합물을 형성한다. 그러나 금속 패턴, 예를 들어 구리 패턴 상의 금속화된 촉매와 반응하지 않는다. 상기 질소 화합물은 수용성으로 처리제 내에서 쉽게 용해된다. 또한, 상기 질소 화합물은 금속 패턴에 처리되면 아래 나타낸 반응식에 의해 금속 패턴 상에 촉매 금속을 석출시킨다. The nitrogen compound 101 forms a stable compound with a catalyst, for example, Pd ion, which is a catalyst of an electroless nickel plating process. However, it does not react with the metallized catalyst on the metal pattern, for example copper pattern. The nitrogen compound is water soluble and easily dissolved in the treatment agent. Further, when the nitrogen compound is treated to the metal pattern, the catalyst metal is deposited on the metal pattern by the reaction scheme shown below.

(반응식 1)(Scheme 1)

Cu + [PdA]2+ → Cu2+ + Pd + ACu + [PdA] 2+ → Cu 2+ + Pd + A

상기 반응식에서 A는 질소 화합물임.
In the above scheme, A is a nitrogen compound.

상기 전처리제 중 질소 화합물의 농도는 0.001 내지 10mol/L일 수 있고, 좀 더 바람직하게는 0.1 내지 5.0mol/L일 수 있다.The concentration of the nitrogen compound in the pretreatment may be 0.001 to 10 mol / L, more preferably 0.1 to 5.0 mol / L.

상기 질소 화합물의 농도가 0.001mol/L보다 낮은 경우에는 촉매 이온과 반응하는 질소 화합물의 농도가 너무 낮아 촉매 제거제로서의 능력을 발휘하지 못할 수 있다. 또한, 상기 화합물의 농도가 10mol/L를 초과하는 경우에는 질소 화합물이 과포화 상태가 될 우려가 있어 점도가 너무 높고 미세 회로 내 촉매 제거제의 침투성에 악영향을 미칠 수 있다. 또한, 약품 비용이 상승하여 효율 대비 비용 측면에서 불리할 수 있다.
When the concentration of the nitrogen compound is lower than 0.001 mol / L, the concentration of the nitrogen compound reacting with the catalyst ions may be too low to exert its capacity as a catalyst remover. In addition, when the concentration of the compound exceeds 10 mol / L, there is a fear that the nitrogen compound is in a supersaturated state, the viscosity is too high and may adversely affect the permeability of the catalyst remover in the microcircuit. In addition, drug costs may rise, which may be disadvantageous in terms of cost versus efficiency.

대표적인 물질로는, 에틸렌디아민(Ethylenediamine), 프로필렌디아민(Propylendiamine), 부틸렌디아민(Buthylenediamine) 등의 디아민 화합물, 디에틸렌트리아민(Diethylenetriamine), 디프로필렌트리아민(Dipropylnentriamine), 디부틸렌트리아민(Dibuthylenetriamine) 등의 트리아민(triamine) 화합물, 트리에틸렌테트라아민(Triethylenetetramine), 트리프로필렌테트라아민(Tripropylnentetramine), 트리부틸렌테트라아민(Tributhylenetetramine) 등의 테트라아민(tetramine) 화합물, 테트라에틸렌펜타민(Tetraethylenepentamine), 테트라프로필렌펜타민(Tetrapropylnenpentamine), 테트라부틸렌펜타민(Tetrabuthylenepentamine) 등의 펜타민(pentamine) 화합물, 펜타에틸렌헥사민(Pentaethylenehexamine), 펜타프로필렌헥사민(Pentapropylnenhexamine), 펜타부틸렌헥사민(Pentabuthylenehexamine) 등의 헥사민(hexamine) 화합물, 1-클로로에틸렌-N-에틸렌디아민(1-chloroethylene-N-ethylen dimaine), 디(1-브로모에틸렌)-N,N'-프로필렌 디아민(Di(1-bromoethylene)-N,N'-propylene diamine) 등의 할로겐화 알킬 아민(alkyl amine) 화합물, 1-히드록시메틸렌-N-에틸렌 디아민(1-hydroxymethylene-N-ethylene diamine), 1-히드록시에틸렌-N-부틸렌 디아민(1-hydroxyethylene-N-buthylene diamine) 등의 아미노 알코올(amino alcohol) 화합물, 1-아미노에틸렌-N-글리신(1-aminoethylene-N-glycine), 에틸렌디아민-N,N'-디아세트산(Ethylenediamine-N,N'-diacetic acid: EDDA) 등의 아미노산 화합물 등을 들 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
Representative materials include, but are not limited to, diamine compounds such as ethylenediamine, propylenediamine, and butylenediamine, diethylenetriamine, dipropylenetriamine, and dibutylenetriamine ( Triamine compounds such as dibuthylenetriamine, tetraamine compounds such as triethylenetetramine, tripropylnentetramine, tributylenetetramine, tetraethylenepentamine ), Pentamine compounds such as tetrapropylnenpentamine, tetrabutylenepentamine, pentaethylenehexamine, pentapropylenehexamine, pentabutylenehexamine Hexamine compounds such as), 1-chloroethylene-N-ethylenediamine (1-ch Halogenated alkyl amine compounds such as loroethylene-N-ethylen dimaine and di (1-bromoethylene) -N, N'-propylene diamine (Di (1-bromoethylene) -N, N'-propylene diamine) Amino alcohols such as 1-hydroxymethylene-N-ethylene diamine and 1-hydroxyethylene-N-butylene diamine ) Compounds, 1-aminoethylene-N-glycine, and amino acid compounds such as ethylenediamine-N, N'-diacetic acid (Ethylenediamine-N, N'-diacetic acid (EDDA)). It may be mentioned, but is not particularly limited thereto.

상기 계면 활성제(102)는 유기 화합물로서 미세 회로 내에 침투하는 촉매 제거제의 침투성을 보조함과 동시에 금속 패턴의 표면 에너지를 저하시켜 순조롭게(smoothly) 촉매와 금속과의 치환 반응을 일으키는 작용을 한다.
The surfactant 102 serves as an organic compound to assist the permeability of the catalyst remover penetrating into the microcircuit, and at the same time, lowers the surface energy of the metal pattern to smoothly replace the catalyst with the metal.

상기 전처리제 중 계면 활성제의 농도는 1×10-8 내지 0.1mol/L일 수 있고, 바람직하게는 1×10-6 내지 0.01mol/L일 수 있다. 상기 계면 활성제의 농도가 1×10-8mol/L보다 낮은 경우에는 촉매 제거제의 미세 회로 내 침투성이 거의 향상되지 않고 촉매 제거제 능력이 저하될 수 있다. 상기 계면 활성제의 농도가 0.1mol/L를 초과하는 경우에는 유기 화합물의 수용성이 저하되고, 침전이나 현탁액 상태가 되어 금속 패턴 표면에 다량으로 흡착된 경우에는 다음 공정인 무전해 금속 도금 시 밀착 불량이나 외관불량의 원인이 될 수 있다.
The concentration of the surfactant in the pretreatment may be 1 × 10 −8 to 0.1 mol / L, preferably 1 × 10 −6 to 0.01 mol / L. When the concentration of the surfactant is lower than 1 × 10 −8 mol / L, the permeability in the fine circuit of the catalyst remover is hardly improved and the catalyst remover capability may be reduced. When the concentration of the surfactant exceeds 0.1 mol / L, the water solubility of the organic compound is lowered, and when adsorbed in a large amount on the surface of the metal pattern due to precipitation or suspension, poor adhesion during the next step of electroless metal plating or It may cause the appearance defect.

바람직하게는, 상기 계면 활성제로는 친수친유기평형(hydrophile-lipophile balance: H.L.B.) 값이 10 내지 16인 유기물질이 사용될 수 있다. 상기 H.L.B. 값이 작은 경우에는 수용성이 저하되어 침전이나 현탁액 상태로 되기 쉬우며, 비용 측면에서도 불리할 수 있다.
Preferably, as the surfactant, an organic material having a hydrophile-lipophile balance (HLB) value of 10 to 16 may be used. When the HLB value is small, the water solubility is lowered and is likely to be precipitated or suspended, and may be disadvantageous in terms of cost.

상기 계면 활성제에는 예를 들어, 분자량이 2,000 내지 200,000인 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 블록 코폴리머(Polyoxyethylene-polyoxypropylene block co-polymer), 10 내지 16의 H.L.B. 값을 갖는 폴리옥시에틸렌 알킬에테르(Polyoxyethylene alkylether), 탄소수 12~18의 알킬술폰산, 탄소수 12~18의 알킬설포숙신산, 및/또는 탄소수 12~18의 디알킬설포숙신산 등이 포함될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
The surfactant includes, for example, a polyoxyethylene-polyoxypropylene block copolymer having a molecular weight of 2,000 to 200,000, a polyoxyethylene alkylether having an HLB value of 10 to 16. ), Alkyl sulfonic acid of 12 to 18 carbon atoms, alkyl sulfosuccinic acid of 12 to 18 carbon atoms, and / or dialkyl sulfosuccinic acid of 12 to 18 carbon atoms, and the like, but is not particularly limited thereto.

상기 유황 화합물은 촉매의 제거가 어떤 이유인가로 인해 순조로운 진행에 방해받을 경우, 촉매 이온과 결합하여 그 촉매 활성을 방해하는 물질이다.
The sulfur compound is a substance that binds to the catalyst ions and interferes with the catalytic activity when the removal of the catalyst is prevented from proceeding smoothly due to some reason.

상기 전처리제 중 유황 화합물의 농도는 1×10-8 내지 0.1mol/L일 수 있고, 바람직하게는 1×10-6 내지 0.01mol/L일 수 있다. 상기 유황 화합물의 농도가 1×10-8mol/L보다 낮은 경우에는 촉매의 미세 회로 내 촉매 제거제의 침투성이 거의 향상되지 않고, 촉매 제거제 능력이 저하될 수 있다. 상기 유황 화합물의 농도가 0.1mol/L를 초과하는 경우에는 유기 화합물의 수용성이 저하되고, 침전이나 현탁액 상태가 되는 경우가 있으며 또한 금속 표면에 다량으로 흡착될 경우에는 다음 공정인 무전해 금속 도금 시 밀착불량이나 외관불량의 원인이 될 수 있다.
The concentration of the sulfur compound in the pretreatment may be 1 × 10 -8 to 0.1 mol / L, preferably 1 × 10 -6 to 0.01 mol / L. When the concentration of the sulfur compound is lower than 1 × 10 −8 mol / L, the permeability of the catalyst remover in the fine circuit of the catalyst is hardly improved, and the catalyst remover capability may be reduced. When the concentration of the sulfur compound exceeds 0.1 mol / L, the water solubility of the organic compound may decrease, and may be precipitated or suspended, and when adsorbed in a large amount on the surface of the metal, the next step is electroless metal plating. It can be the cause of poor adhesion or poor appearance.

상기 유황 화합물의 예로는 메틸머캡탄(Methylmercaptan), 에틸머캡탄(Ethylmercaptan), 티오페놀(Thiophenol), 티오글리콜(Thioglycol), 티오글리콜산(Thioglycolic acid) 등의 머캡탄(mercaptan) 화합물, 디티오글리콜(Dithiodiglycol), 디티오글리콜산(Dithiodiglycolic acid) 등의 디설파이드 화합물을 들 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
Examples of the sulfur compound include mercaptan compounds such as methylmercaptan, ethylmercaptan, thiophenol, thioglycol, thioglycolic acid, and dithio. Disulfide compounds, such as glycol (Dithiodiglycol), Dithiodiglycolic acid, etc. may be mentioned, but it is not specifically limited.

여기서, 만약, 유황 화합물을 베이스로 배합한 패턴 사이의 도금 석출 방지액과 질산을 베이스로 한 촉매 제거액을 별도의 라인으로 구성하는 경우, 유황 화합물을 배합한 약품으로는 제거 효과가 적고, 질산을 베이스로 한 약품은 패턴을 구성하고 있는 금속, 예를 들어, 구리가 용해될 가능성이 있으며, 또한 2단계 처리를 해야하기 때문에 라인 증설이 필요해 경제적으로 불리하다. 이에 반해, 본 발명에서는 특정 질소 화합물과 특정 유황 화합물을 계면 활성제 및 부촉매와 함께 배합함으로써 높은 촉매 잔사 제거 성능을 달성하는 동시에 친환경적이고 경제적인 공정으로 촉매 제거 공정을 수행할 수 있다.
Here, if the plating precipitation prevention liquid between the pattern containing the sulfur compound as a base and the catalyst removal liquid based on the nitric acid are constituted by separate lines, the chemicals containing the sulfur compound have less removal effect, The chemicals based on the base are likely to dissolve the metal constituting the pattern, for example, copper, and also need to be expanded in two steps. On the contrary, in the present invention, by combining the specific nitrogen compound and the specific sulfur compound with the surfactant and the cocatalyst, the catalyst removal process can be performed in an environmentally friendly and economical process while achieving high catalyst residue removal performance.

상기 부촉매(104)는 도금 이상 석출을 방지하기 위해 첨가되는 것으로 무전해 금속 도금의 패턴성을 향상시켜 고밀도 회로 구현에 적합하다. 무전해 도금 공정의 도금 석출 반응 과정에서 수소 가스가 발생하는데, 이러한 수소 가스는 도금 석출성을 촉진하여 가령 촉매가 없어도 미세 패턴 사이의 절연층에서 도금이 석출되기 때문에 이러한 도금 이상 석출 방지가 요구된다.
The subcatalyst 104 is added to prevent precipitation of plating abnormalities, thereby improving the patternability of the electroless metal plating, and is suitable for high density circuit implementation. Hydrogen gas is generated during the plating precipitation reaction of the electroless plating process, and this hydrogen gas promotes the plating precipitation property, and thus, plating is deposited in the insulating layer between the fine patterns without the catalyst, so that such plating abnormal deposition prevention is required. .

상기 부촉매의 예로는 Pb 이온, Bi 이온, Sb 이온 등을 들 수 있으나, 당업계에 공지된 것이라면 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
Examples of the subcatalyst may include Pb ions, Bi ions, Sb ions, and the like, but are not particularly limited to those known in the art.

상기 전처리제 중 상기 부촉매의 농도는 1×10-8 내지 0.1mol/L일 수 있으며, 바람직하게는 1×10-6 내지 0.01mol/L일 수 있다. 상기 부촉매의 농도가 1×10-8mol/L보다 낮은 경우에는 농도가 너무 낮아서 부촉매로서의 효과가 충분치 않을 수 있다. 상기 부촉매의 농도가 0.1mol/L를 초과하는 경우에는 유기 화합물의 수용성이 저하되고, 침전이나 현탁액 상태가 되는 경우가 있으며 또한 금속 패턴 표면에 다량으로 흡착될 경우에는 다음 공정인 무전해 금속 도금 시 밀착불량이나 외관불량, 석출불량의 원인이 될 수 있다.
The concentration of the subcatalyst in the pretreatment may be 1 × 10 −8 to 0.1 mol / L, preferably 1 × 10 −6 to 0.01 mol / L. When the concentration of the subcatalyst is lower than 1 × 10 −8 mol / L, the concentration may be too low, so that the effect as the subcatalyst may not be sufficient. When the concentration of the subcatalyst exceeds 0.1 mol / L, the water solubility of the organic compound may decrease, and may be precipitated or suspended, and when adsorbed in a large amount on the surface of the metal pattern, the next step is electroless metal plating. It may be the cause of poor adhesion, poor appearance, or poor deposition.

선택적으로, 상기 전처리제에는 목적하는 효과를 방해하지 않는 범위내에서 당업계에 공지된 기타 첨가물이 포함될 수 있다. 상기 첨가물에는, 예를 들어, NaOH 또는 황산 등의 pH 조절제, 분석용 지표물질 등이 포함될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
Optionally, the pretreatment may include other additives known in the art within a range that does not interfere with the desired effect. The additive may include, for example, a pH adjusting agent such as NaOH or sulfuric acid, an indicator for analysis, and the like, but is not particularly limited thereto.

한편, 상기 전처리제의 pH는 특별히 한정되는 것은 아니나, 기판에 미칠 영향을 고려할 경우 pH는 4 내지 12 범위에서 사용하는 것이 바람직하다. pH가 너무 낮으면 배합한 유황계 화합물이 수용성을 잃고, 특유의 악취를 풍겨 작업환경이 악화될 수 있다. pH가 너무 높으면 솔더레지스트나 기재 용해가 발생하여 심각한 영향을 미칠 수 있다.
On the other hand, the pH of the pretreatment is not particularly limited, but considering the effect on the substrate it is preferable to use the pH in the range of 4 to 12. If the pH is too low, the blended sulfur-based compound may lose water solubility, give off a characteristic odor and worsen the working environment. Too high a pH can lead to solder resist or substrate dissolution, which can have serious effects.

상기 전처리제는 수용액 상태가 유지되는 경우 그 사용 온도에 특별한 제한은 없다. 예를 들어, 사용 가능한 온도는 0 내지 100℃이나, 현실적으로는 20 내지 80℃ 사이에서 사용하는 것이 바람직하다.
The pretreatment agent is not particularly limited in its use temperature when the aqueous solution is maintained. For example, the temperature which can be used is 0-100 degreeC, but it is preferable to use between 20-80 degreeC in reality.

회로 기판의 제조방법Manufacturing Method of Circuit Board

이하, 상술한 무전해 금속 도금의 전처리제를 이용하여 회로 기판을 제조하는 방법의 바람직한 일 실시형태를 설명한다. 다만, 무전해 금속 도금의 전처리제는 상술한 바와 같으므로 중복되는 상세한 설명은 생략한다.
Hereinafter, one preferable embodiment of the method of manufacturing a circuit board using the pretreatment agent of electroless metal plating mentioned above is demonstrated. However, since the pretreatment agent of the electroless metal plating is as described above, overlapping detailed description is omitted.

본 발명의 일 실시형태에 따른 방법에 따르면, 우선, 무전해 금속 도금을 수행할 베이스 기판을 준비한다.
According to the method according to one embodiment of the present invention, first, a base substrate to be subjected to electroless metal plating is prepared.

상기 베이스 기판은 절연층에 접속 패드를 포함하는 1층 이상의 회로가 형성된 회로 기판으로서 반도체 기판 또는 인쇄회로기판일 수 있다. 또한, 상기 베이스 기판으로는 절연층에 1층 이상의 회로가 형성된 통상의 다층 회로 기판이 적용될 수 있음은 물론이다.
The base substrate may be a semiconductor substrate or a printed circuit board as a circuit board on which one or more circuits including connection pads are formed in an insulating layer. In addition, a general multilayer circuit board having one or more circuits formed on an insulating layer may be applied to the base substrate.

통상적으로, 상기 접속 패드는 전자부품 또는 외부접속단자가 실장되는 접속 부위로서, 보호층, 예를 들어, 솔더레지스트의 오픈부에 의해 외부로 노출되며, 상기 노출된 접속 패드에는 후술될 후속 공정을 통해서 무전해 금속 도금에 의해 무전해 니켈/금 도금층과 같은 표면처리층이 형성된다.
In general, the connection pad is a connection portion on which an electronic component or an external connection terminal is mounted, and is exposed to the outside by an opening of a protective layer, for example, a solder resist, and the exposed connection pad is subjected to a subsequent process to be described later. Through the electroless metal plating, a surface treatment layer such as an electroless nickel / gold plating layer is formed.

상기 접속 패드를 포함하는 회로는 회로 기판 분야에서 회로용 전도성 금속으로 사용되는 것이라면 제한 없이 적용 가능하며, 인쇄회로기판에서는 구리를 사용하는 것이 전형적이다.
The circuit including the connection pad may be applied without limitation as long as it is used as a conductive metal for circuit in the circuit board field, and copper is typically used in a printed circuit board.

상기 절연층으로는 예를 들어, 인쇄회로기판의 경우 수지 절연층 또는 반도체 기판의 경우 세라믹 절연층이 사용될 수 있다. 상기 수지 절연층으로는 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지, 폴리이미드와 같은 열가소성 수지, 또는 이들에 유리 섬유 또는 무기 필러와 같은 보강재가 함침된 수지, 예를 들어, 프리프레그가 사용될 수 있고, 또한 열경화성 수지 및/또는 광경화성 수지 등이 사용될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
For example, a resin insulating layer in the case of a printed circuit board or a ceramic insulating layer in the case of a semiconductor substrate may be used as the insulating layer. As the resin insulating layer, a thermosetting resin such as an epoxy resin, a thermoplastic resin such as polyimide, or a resin impregnated with a reinforcing material such as a glass fiber or an inorganic filler, for example, a prepreg can be used, And / or a photo-curable resin may be used, but the present invention is not limited thereto.

상기 솔더레지스트는 인쇄회로기판에서 최외층 회로를 보호하는 보호층 기능을 하며, 전기적 절연을 위해 형성되는 것으로서, 최외층의 접속 패드를 노출시키기 위해 오픈부가 형성된다. 상기 솔더레지스트는 당업계에 공지된 바에 따라, 예를 들어, 솔더레지스트 잉크, 솔더레지스트 필름 또는 캡슐화제 등으로 구성될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
The solder resist functions as a protective layer to protect the outermost layer circuit in the printed circuit board and is formed for electrical insulation, and an open portion is formed to expose the outermost connection pads. The solder resist may be composed of, for example, a solder resist ink, a solder resist film or an encapsulant, as is known in the art, but is not particularly limited thereto.

다음, 상기 베이스 기판에 무전해 금속 도금용 촉매를 부여한다.
Next, a catalyst for electroless metal plating is applied to the base substrate.

바람직하게는 상기 무전해 금속 도금용 촉매는 무전해 금속 도금이 수행될 패턴, 즉 접속 패드에 부여될 수 있다.Preferably, the catalyst for electroless metal plating may be applied to a pattern on which the electroless metal plating is to be performed, that is, a connection pad.

이때, 상기 무전해 금속 도금의 금속은 니켈일 수 있다.
In this case, the metal of the electroless metal plating may be nickel.

다음, 상기 베이스 기판을 상술한 바와 같은 무전해 금속 도금의 전처리제로 처리하여 상기 베이스 기판의 절연층 표면에 형성된 촉매를 제거한다.Next, the base substrate is treated with a pretreatment agent for electroless metal plating as described above to remove the catalyst formed on the surface of the insulating layer of the base substrate.

무전해 금속 도금용 촉매 부여 후, 상기와 같은 전처리제로 처리함으로써 패턴 사이에, 예를 들어, 절연층 표면에 잔존하는 촉매를 제거하여 패턴 사이 도금 석출에 의한 브리지 현상을 방지할 수 있다. 즉, 상기 전처리제를 이용한 처리는 무전해 금속 도금용 촉매 부여 공정과 무전해 금속 도금 공정 사이에 적용되는 것이 전형적이다.
After providing the catalyst for electroless metal plating, by treating with a pretreatment agent as described above, the catalyst remaining on the surface of the insulating layer, for example, can be removed to prevent the bridge phenomenon due to plating precipitation between the patterns. That is, the treatment using the pretreatment agent is typically applied between the catalyst providing process for electroless metal plating and the electroless metal plating process.

상기 처리방법은 기존부터 시행하고 있는, 기판을 약품, 즉 전처리제가 함유된 욕(bath)에 침지하는 등의 방법으로 충분하지만, 경우에 따라서는 스프레이 등과 같은 분무법을 적용하여도 무방하다.
The treatment method is sufficient to immerse the substrate in a chemical, that is, a bath containing a pretreatment agent, which is conventionally carried out. However, in some cases, a spraying method such as a spray may be applied.

다음, 상기와 같이 전처리제로 처리된 베이스 기판, 예를 들어 접속 패드 상에 당업계에 공지된 통상의 무전해 금속 도금 공정, 예를 들어, 무전해 니켈 도금 공정을 통해서 무전해 금속 도금층을 형성한다.
Next, an electroless metal plating layer is formed on a base substrate treated with a pretreatment agent as described above, for example, a connection pad, through a conventional electroless metal plating process known in the art, for example, an electroless nickel plating process. .

이어서, 당업계에 공지된 통상의 후속 공정을 통해서 솔더 범프가 형성될 수 있으며, 상기 솔더 범프를 통해서 반도체 소자 또는 외부 부품과 회로 기판의 내층 회로가 전기적으로 접속될 수 있다.
Subsequently, solder bumps may be formed through a conventional subsequent process known in the art, and the solder bumps may electrically connect the semiconductor device or an external component with an inner layer circuit of the circuit board.

본 발명의 방법에 따르면, 무전해 금속 도금용 촉매 부여 단계와 무전해 금속 도금 단계 사이에 상술한 전처리제를 이용하여 베이스 기판을 처리함으로써 패턴 간 잔존하는 촉매 잔사를 우수한 성능으로 제거하여 브리지 현상 없이 미세 회로 구현이 가능하다.
According to the method of the present invention, by treating the base substrate using the above-described pretreatment agent between the catalyst providing step for electroless metal plating and the electroless metal plating step, the remaining catalyst residues between patterns can be removed with excellent performance without bridging phenomenon. Fine circuit implementation is possible.

또한, 기존의 광산 또는 시안 화합물을 사용하지 않은 전처리제를 이용함으로써 친환경적이고 경제적인 공정으로 촉매 제거 공정을 수행할 수 있다.
In addition, by using a pretreatment agent that does not use the existing mine or cyan compound, it is possible to perform the catalyst removal process in an environmentally friendly and economical process.

이하, 하기 실시예 및 비교예를 통해 본 발명을 좀 더 구체적으로 설명하지만 이에 본 발명의 범주가 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples and comparative examples, but the scope of the present invention is not limited thereto.

[실시예 1~5 및 비교예 1~4]
[Examples 1-5 and Comparative Examples 1-4]

본디-핑거(Bond-finger)를 상정한 기판을 MSAP 공법으로 제작하여 사용하였다. 패턴 스페이스(Pattern space)는 15, 18, 20, 25, 30, 35㎛으로 하고 촉매 부여 후 전처리제로 처리하여 촉매를 제거하고, 도금 공정을 수행한 후의 스페이스를 50배 광학 현미경으로 관찰하여 패턴 간 석출 유무를 비교하였다.A substrate on which Bond-finger was assumed was manufactured and used by the MSAP method. Pattern space is set to 15, 18, 20, 25, 30, 35㎛ and after catalyst addition, the catalyst is removed by treatment with a pretreatment agent, and the space after the plating process is observed by 50 times optical microscope. Precipitation was compared.

여기서, 촉매 부여 전 탈지, 소프트-에칭, 촉매 부여, 촉매 제거(전처리) 및 무전해 금속 도금은 하기 표 1에 나타낸 바와 같은 조건에서 수행하였고, 전처리제 조성은 하기 표 2 및 표 3에 나타낸 바와 같이 배합하여 수행하였다.Here, degreasing, soft-etching, catalyzing, catalyst removal (pretreatment) and electroless metal plating before catalyst application were carried out under the conditions shown in Table 1 below, and the pretreatment composition was shown in Tables 2 and 3 below. It was combined and performed together.

이로부터 얻어진 결과는 하기 표 4에 나타내었다.
The results obtained therefrom are shown in Table 4 below.

공정fair 약품(maker)Maker 온도(℃)Temperature (℃) 처리시간(분)Processing time (minutes) 탈지Degreasing ACL-007(Uyemura)ACL-007 (Uyemura) 4545 55 소프트-에칭Soft-etching Na2S2O3 Na 2 S 2 O 3 2525 1One 촉매 부여Catalyzing MSR-28(Uyemura)MSR-28 (Uyemura) 4040 33 촉매 제거Catalyst removal 실시예/비교예 참조See Examples / Comparative Examples 25~7025-70 1One 무전해 니켈 도금Electroless nickel plating ICP-GIB(Okuno)ICP-GIB (Okuno) 8080 2020

물질명Material name 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 실시예 5Example 5 1* 1 * 2.0mol/L2.0mol / L 2* 2 * 0.5mol/L0.5mol / L 3.0mol/L3.0mol / L 3* 3 * 0.1mol/L0.1mol / L 0.2mol/L0.2mol / L 4* 4 * 10-3mol/L10 -3 mol / L 10-2mol/L10 -2 mol / L 10-2mol/L10 -2 mol / L 5* 5 * 10-3mol/L10 -3 mol / L 10-3mol/L10 -3 mol / L 6* 6 * 10-4mol/L10 -4 mol / L 10-3mol/L10 -3 mol / L 7* 7 * 10-3mol/L10 -3 mol / L 10-2mol/L10 -2 mol / L 10-2mol/L10 -2 mol / L 8* 8 * 10-5mol/L10 -5 mol / L 10-5mol/L10 -5 mol / L 10-5mol/L10 -5 mol / L 9* 9 * 10-5mol/L10 -5 mol / L 10-4mol/L10 -4 mol / L pHpH 6.06.0 9.09.0 9.09.0 5.05.0 8.08.0 온도(℃)Temperature (℃) 6060 4545 2525 3030 7070

1* : 트리에틸렌테트라아민1 * : triethylenetetraamine

2* : 에틸렌디아민2 * : ethylenediamine

3* : EDDA3 * : EDDA

4* : 알킬술폰산(alkyl sulfonate) (C=14)4 * : alkyl sulfonate (C = 14)

5* : 디알킬술포숙신산(dialkyl sulfo succinate) (C=12)5 * : dialkyl sulfo succinate (C = 12)

6* : 에틸머캡탄6 * : ethyl mercaptan

7* : 디티오디글리콜산7 * : dithiodiglycolic acid

8* : SbCl3 8 * : SbCl 3

9* : Bi(NO3)3
9 * : Bi (NO 3 ) 3

물질명Material name 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 비교예 4Comparative Example 4 1* 1 * 8.4×10-3mol/L8.4 × 10 -3 mol / L 제거처리 없음No removal process 2* 2 * 0.1mol/L0.1mol / L 3* 3 * 0.13mol/L0.13 mol / L pHpH 8.08.0 8.08.0 8.08.0 온도(℃)Temperature (℃) 3030 3030 3030

1* : 머캡토싸이아졸린(mercaptothiazoline)1 * : mercaptothiazoline

2* : KSCN2 * : KSCN

3* : Na2S2O3
3 * : Na 2 S 2 O 3

패턴간격
(㎛)
Pattern interval
(Μm)
1515 1818 2020 2525 3030 3535
실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 실시예 5Example 5 비교예 1Comparative Example 1 ×× 비교예 2Comparative Example 2 ×× 비교예 3Comparative Example 3 ×× 비교예 4Comparative Example 4 ×× ×× ×× ×× ××

◎:패턴 간 석출 현상 없음◎ : There is no precipitation phenomenon between patterns

○:석출이 있으나 사용에 있어서는 문제가 없음○: Precipitation but no problem in use

×:적지 않은 석출이 발생되어 사용 불가함
× : Not a lot of precipitation occurs and cannot be used.

이상의 결과로부터 비교예 4와 같이 촉매 제거를 위한 전처리를 실시하지 않는 경우는 30㎛ 이하의 스페이스를 갖는 기판에는 사용할 수 없다. 또한, 비교예 1~3에서는 30㎛ 이하의 패턴 간 석출이 보인다. 그에 비해, 본 발명에 따른 전처리제를 이용하여 기판을 제조한 실시예 1~5의 경우, 전부 18㎛까지 석출이 보이지 않고 15㎛에서도 사용에 문제없는 수준의 상태였다.
From the above result, when the pretreatment for catalyst removal is not performed like Comparative Example 4, it cannot be used for the substrate which has a space of 30 micrometers or less. Moreover, in Comparative Examples 1-3, precipitation between patterns of 30 micrometers or less is seen. On the other hand, in Examples 1 to 5 in which the substrates were prepared using the pretreatment agent according to the present invention, no precipitation was observed up to 18 µm in all, and even in 15 µm, there was no problem in use.

이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 무전해 금속 도금의 전처리제 및 이를 이용한 회로 기판의 제조방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
Although the present invention has been described in detail through specific examples, it is intended to specifically describe the present invention, and the electroless metal plating pretreatment agent according to the present invention and a method of manufacturing a circuit board using the same are not limited thereto. It is apparent that modifications and improvements are possible by those skilled in the art within the technical idea of the present invention.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

100 : 촉매 제거제
101 : 질소 화합물
102 : 계면 활성제
103 : 유황 화합물
104 : 부촉매
100: catalyst remover
101: nitrogen compound
102: surfactant
103: sulfur compound
104: subcatalyst

Claims (20)

하기 화학식 1로 표시되는 질소 화합물:
(화학식 1)
Figure 112010073167818-pat00006

상기 식에서, X 및 Y는 각각 서로 같거나 다르게 H, CH2Cl, CH2Br, CH2I, CH2OH, CH2COOH, C2H4Cl, C2H4Br, C2H4I, C2H4OH 또는 C2H4COOH이고, n은 1 내지 3의 정수이고, m은 1 내지 6의 정수임;
계면 활성제;
하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 유황 화합물:
(화학식 2)
X1-R-SH
(화학식 3)
X2-R1-SS-R2-Y2
상기 식에서 R, R1 및 R2는 각각 서로 같거나 다르게 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 아릴기이고, X1, X2 및 Y2는 각각 서로 같거나 다르게 H, OH 또는 COOH임; 및
부촉매;
를 포함하는 무전해 금속 도금의 전처리제.
Nitrogen compound represented by the following formula (1):
(Formula 1)
Figure 112010073167818-pat00006

Wherein X and Y are the same as or different from each other, H, CH 2 Cl, CH 2 Br, CH 2 I, CH 2 OH, CH 2 COOH, C 2 H 4 Cl, C 2 H 4 Br, C 2 H 4 I, C 2 H 4 OH or C 2 H 4 COOH, n is an integer from 1 to 3 and m is an integer from 1 to 6;
Surfactants;
Sulfur compounds represented by the following formula (2) or (3):
(2)
X 1 -R-SH
(Formula 3)
X 2 -R 1 -SS-R 2 -Y 2
Wherein R, R 1 and R 2 are the same as or different from each other, or an alkyl or aryl group having 1 to 6 carbon atoms, and X 1 , X 2 and Y 2 are the same as or different from each other or H, OH or COOH; And
Cocatalysts;
Pretreatment agent for electroless metal plating comprising a.
청구항 1에 있어서,
상기 질소 화합물은 디아민 화합물, 트리아민 화합물, 펜타민 화합물, 헥사민 화합물, 할로겐화 알킬아민 화합물, 아미노 알코올 화합물, 아미노산 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 무전해 금속 도금의 전처리제.
The method according to claim 1,
The nitrogen compound is a pretreatment for electroless metal plating selected from the group consisting of diamine compounds, triamine compounds, pentamine compounds, hexamine compounds, halogenated alkylamine compounds, amino alcohol compounds, amino acid compounds and mixtures thereof.
청구항 1에 있어서,
상기 질소 화합물은 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 부틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 디프로필렌트리아민, 디부틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라아민, 트리프로필렌테트라아민, 트리부틸렌테트라아민, 테트라에틸렌펜타민, 테트라프로필렌펜타민, 테트라부틸렌펜타민, 펜타에틸렌헥사민, 펜타프로필렌헥사민, 펜타부틸렌헥사민, 1-클로로에틸렌-N-에틸렌 디아민, 디(1-브로모에틸렌)-N,N'-프로필렌 디아민, 1-히드록시메틸렌-N-에틸렌 디아민, 1-히드록시에틸렌-N-부틸렌 디아민, 1-아미노에틸렌-N-글리신, 에틸렌디아민-N,N'-디아세트산(EDDA) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 무전해 금속 도금의 전처리제.
The method according to claim 1,
The nitrogen compound is ethylenediamine, propylenediamine, butylenediamine, diethylenetriamine, dipropylenetriamine, dibutylenetriamine, triethylenetetraamine, tripropylenetetraamine, tributylenetetraamine, tetraethylenepentamine , Tetrapropylenepentamine, tetrabutylenepentamine, pentaethylenehexamine, pentapropylenehexamine, pentabutylenehexamine, 1-chloroethylene-N-ethylene diamine, di (1-bromoethylene) -N, N '-Propylene diamine, 1-hydroxymethylene-N-ethylene diamine, 1-hydroxyethylene-N-butylene diamine, 1-aminoethylene-N-glycine, ethylenediamine-N, N'-diacetic acid (EDDA) And a mixture of electroless metal plating selected from the group consisting of these.
청구항 1에 있어서,
상기 계면 활성제는 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 블록 코폴리머, 폴리옥시에틸렌 알킬에테르, 탄소수 12 내지 18의 알킬술폰산, 탄소수 12 내지 18의 알킬설포숙신산, 탄소수 12 내지 18의 디알킬설포숙신산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 무전해 금속 도금의 전처리제.
The method according to claim 1,
The surfactant is a polyoxyethylene-polyoxypropylene block copolymer, polyoxyethylene alkyl ether, alkyl sulfonic acid of 12 to 18 carbon atoms, alkylsulfosuccinic acid of 12 to 18 carbon atoms, dialkylsulfosuccinic acid of 12 to 18 carbon atoms and their A pretreatment agent for electroless metal plating selected from the group consisting of mixtures.
청구항 1에 있어서,
상기 유황 화합물은 머캡탄 화합물, 디설파이드 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 무전해 금속 도금의 전처리제.
The method according to claim 1,
The sulfur compound is a pretreatment for electroless metal plating selected from the group consisting of mercaptan compounds, disulfide compounds and mixtures thereof.
청구항 1에 있어서,
상기 유황 화합물은 메틸머캡탄, 에틸머캡탄, 티오페놀, 티오글리콜, 티오글리콜산, 디티오글리콜, 디티오글리콜산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 무전해 금속 도금의 전처리제.
The method according to claim 1,
The sulfur compound is a pretreatment for electroless metal plating selected from the group consisting of methyl mercaptan, ethyl mercaptan, thiophenol, thioglycol, thioglycolic acid, dithioglycol, dithioglycolic acid and mixtures thereof.
청구항 1에 있어서,
상기 부촉매는 Pb, Bi, Sb 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속의 이온인 무전해 금속 도금의 전처리제.
The method according to claim 1,
The subcatalyst is an electrolytic metal plating pretreatment agent which is an ion of a metal selected from the group consisting of Pb, Bi, Sb, and combinations thereof.
청구항 1에 있어서,
상기 전처리제 중 상기 질소 화합물의 함량은 0.001 내지 10몰/L인 무전해 금속 도금의 전처리제.
The method according to claim 1,
The pretreatment agent of the electroless metal plating is the content of the nitrogen compound in the pretreatment agent is 0.001 to 10 mol / L.
청구항 1에 있어서,
상기 전처리제 중 상기 계면 활성제의 함량은 1×10-8 내지 0.1몰/L인 무전해 금속 도금의 전처리제.
The method according to claim 1,
The amount of the surfactant in the pretreatment agent is 1 × 10 -8 to 0.1 mol / L pre-treatment of the electroless metal plating.
청구항 1에 있어서,
상기 전처리제 중 상기 유황 화합물의 함량은 1×10-8 내지 0.1몰/L인 무전해 금속 도금의 전처리제.
The method according to claim 1,
The content of the sulfur compound in the pretreatment agent is a pretreatment of electroless metal plating is 1 × 10 -8 to 0.1 mol / L.
청구항 1에 있어서,
상기 전처리제 중 상기 부촉매의 함량은 1×10-8 내지 0.1몰/L인 무전해 금속 도금의 전처리제.
The method according to claim 1,
The precatalyst content of the pretreatment agent is 1 × 10 -8 to 0.1 mol / L.
베이스 기판에 무전해 금속 도금용 촉매를 부여하는 단계;
상기 베이스 기판을 하기 화학식 1로 표시되는 질소 화합물과, 계면 활성제와, 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 유황 화합물과, 부촉매를 포함하는 무전해 금속 도금의 전처리제로 처리하여 상기 베이스 기판의 절연층 표면의 촉매를 제거하는 단계:
(화학식 1)
Figure 112010073167818-pat00007

상기 식에서, X 및 Y는 각각 서로 같거나 다르게 H, CH2Cl, CH2Br, CH2I, CH2OH, CH2COOH, C2H4Cl, C2H4Br, C2H4I, C2H4OH 또는 C2H4COOH이고, n은 1 내지 3의 정수이고, m은 1 내지 6의 정수이고;
(화학식 2)
X1-R-SH
상기 식에서 R은 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 아릴기이고, X1은 H, OH 또는 COOH이며;
(화학식 3)
X2-R1-SS-R2-Y2
상기 식에서 R1 및 R2는 각각 서로 같거나 다르게 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 아릴기이고, X2 및 Y2는 각각 서로 같거나 다르게 H, OH 또는 COOH임; 및
상기 전처리제로 처리된 베이스 기판에 무전해 금속 도금을 통해서 금속 도금층을 형성하는 단계;
를 포함하는 회로 기판의 제조방법.
Applying a catalyst for electroless metal plating to the base substrate;
The base substrate is treated with a nitrogen compound represented by the following formula (1), a surfactant, a sulfur compound represented by the following formula (2) or (3), and a pretreatment agent of an electroless metal plating containing a subcatalyst to form an insulating layer of the base substrate. To remove the catalyst from the surface:
(Formula 1)
Figure 112010073167818-pat00007

Wherein X and Y are the same as or different from each other, H, CH 2 Cl, CH 2 Br, CH 2 I, CH 2 OH, CH 2 COOH, C 2 H 4 Cl, C 2 H 4 Br, C 2 H 4 I, C 2 H 4 OH or C 2 H 4 COOH, n is an integer from 1 to 3, m is an integer from 1 to 6;
(2)
X 1 -R-SH
In which R is an alkyl or aryl group having 1 to 6 carbon atoms, X 1 is H, OH or COOH;
(Formula 3)
X 2 -R 1 -SS-R 2 -Y 2
Wherein R 1 and R 2 are the same as or different from each other, or an alkyl or aryl group having 1 to 6 carbon atoms, and X 2 and Y 2 are the same as or different from each other to H, OH or COOH; And
Forming a metal plating layer on the base substrate treated with the pretreatment agent through electroless metal plating;
Method of manufacturing a circuit board comprising a.
청구항 12에 있어서,
상기 전처리제로 처리하는 단계는 상기 베이스 기판을 상기 전처리제가 함유된 욕(bath)에 침지하여 수행되는 회로 기판의 제조방법.
The method of claim 12,
The step of treating with the pretreatment agent is performed by immersing the base substrate in a bath containing the pretreatment agent.
청구항 12에 있어서,
상기 전처리제로 처리하는 단계는 상기 베이스 기판에 상기 전처리제를 분무하여 수행되는 회로 기판의 제조방법.
The method of claim 12,
And treating the pretreatment agent with spraying the pretreatment agent on the base substrate.
청구항 12에 있어서,
상기 베이스 기판에 무전해 금속 도금용 촉매를 부여하는 단계는:
솔더레지스트 오픈부에 의해 노출된 접속 패드를 갖는 베이스 기판을 준비하는 단계; 및
상기 베이스 기판의 접속 패드에 무전해 금속 도금용 촉매를 부여하는 단계;
를 포함하는 회로 기판의 제조방법.
The method of claim 12,
The step of applying a catalyst for electroless metal plating to the base substrate:
Preparing a base substrate having a connection pad exposed by a solder resist open portion; And
Applying a catalyst for electroless metal plating to a connection pad of the base substrate;
Method of manufacturing a circuit board comprising a.
청구항 12에 있어서,
상기 금속은 니켈인 회로 기판의 제조방법.
The method of claim 12,
And said metal is nickel.
청구항 12에 있어서,
상기 질소 화합물은 디아민 화합물, 트리아민 화합물, 펜타민 화합물, 헥사민 화합물, 할로겐화 알킬아민 화합물, 아미노 알코올 화합물, 아미노산 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 회로 기판의 제조방법.
The method of claim 12,
Wherein said nitrogen compound is selected from the group consisting of diamine compounds, triamine compounds, pentamine compounds, hexamine compounds, halogenated alkylamine compounds, amino alcohol compounds, amino acid compounds and mixtures thereof.
청구항 12에 있어서,
상기 계면 활성제는 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 블록 코폴리머, 폴리옥시에틸렌 알킬에테르, 탄소수 12 내지 18의 알킬술폰산, 탄소수 12 내지 18의 알킬설포숙신산, 탄소수 12 내지 18의 디알킬설포숙신산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 회로 기판의 제조방법.
The method of claim 12,
The surfactants are polyoxyethylene-polyoxypropylene block copolymers, polyoxyethylene alkyl ethers, alkyl sulfonic acids having 12 to 18 carbon atoms, alkylsulfosuccinic acids having 12 to 18 carbon atoms, dialkylsulfosuccinic acids having 12 to 18 carbon atoms, and their A method for producing a circuit board selected from the group consisting of mixtures.
청구항 12에 있어서,
상기 유황 화합물은 머캡탄 화합물, 디설파이드 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 회로 기판의 제조방법.
The method of claim 12,
Wherein said sulfur compound is selected from the group consisting of mercaptan compounds, disulfide compounds and mixtures thereof.
청구항 12에 있어서,
상기 부촉매는 Pb, Bi, Sb 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속의 이온인 회로 기판의 제조방법.
The method of claim 12,
And the subcatalyst is an ion of a metal selected from the group consisting of Pb, Bi, Sb, and combinations thereof.
KR20100111134A 2010-11-09 2010-11-09 Pre-treating agent for electroless metal plating and manufacturing method of circuit board using the same KR101184558B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20100111134A KR101184558B1 (en) 2010-11-09 2010-11-09 Pre-treating agent for electroless metal plating and manufacturing method of circuit board using the same
JP2011028245A JP5296115B2 (en) 2010-11-09 2011-02-14 Pretreatment agent for electroless metal plating and method for manufacturing circuit board using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20100111134A KR101184558B1 (en) 2010-11-09 2010-11-09 Pre-treating agent for electroless metal plating and manufacturing method of circuit board using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120049727A KR20120049727A (en) 2012-05-17
KR101184558B1 true KR101184558B1 (en) 2012-09-19

Family

ID=46267455

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20100111134A KR101184558B1 (en) 2010-11-09 2010-11-09 Pre-treating agent for electroless metal plating and manufacturing method of circuit board using the same

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5296115B2 (en)
KR (1) KR101184558B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9506150B2 (en) * 2014-10-13 2016-11-29 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Metallization inhibitors for plastisol coated plating tools
JP2018104739A (en) * 2016-12-22 2018-07-05 ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 Electroless plating method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000178752A (en) 1998-12-15 2000-06-27 Okuno Chem Ind Co Ltd Palladium catalyst removing agent for electroless plating
JP2002069656A (en) 2000-08-31 2002-03-08 Daiwa Kasei Kenkyusho:Kk Dissolving solution for palladium or palladium compound

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5250105A (en) * 1991-02-08 1993-10-05 Eid-Empresa De Investigacao E Desenvolvimento De Electronica S.A. Selective process for printing circuit board manufacturing
JPH10284825A (en) * 1997-04-09 1998-10-23 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Manufacture of printed wiring board
JP3454765B2 (en) * 1999-12-07 2003-10-06 住友大阪セメント株式会社 Precious metal catalyst removal solution
JP4606899B2 (en) * 2005-02-17 2011-01-05 富士フイルム株式会社 Metal pattern forming method, metal pattern, printed wiring board using the same, and TFT wiring circuit
JP4734637B2 (en) * 2005-11-10 2011-07-27 国立大学法人岩手大学 Surface reactive solid, method for producing surface reactive solid, wiring board using surface reactive solid, and method for producing wiring board

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000178752A (en) 1998-12-15 2000-06-27 Okuno Chem Ind Co Ltd Palladium catalyst removing agent for electroless plating
JP2002069656A (en) 2000-08-31 2002-03-08 Daiwa Kasei Kenkyusho:Kk Dissolving solution for palladium or palladium compound

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012102392A (en) 2012-05-31
KR20120049727A (en) 2012-05-17
JP5296115B2 (en) 2013-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4932094B2 (en) Electroless gold plating solution and electroless gold plating method
WO2011149019A1 (en) Method for manufacturing base material having gold-plated metal fine pattern, base material having gold-plated metal fine pattern, printed wiring board, interposer, and semiconductor device
JP6367606B2 (en) Pretreatment agent for electroless plating, pretreatment method for printed wiring board using said pretreatment agent for electroless plating, and method for producing the same
JP2007123883A (en) Method of forming plating layer of print circuit board and print circuit board manufactured by the method
EP2910666A1 (en) Pre-treatment process for electroless plating
KR102440121B1 (en) Method for manufacturing a printed wiring board
TW201516143A (en) Detergent composition for resin mask layer and manufacturing method of circuit board
KR102502531B1 (en) Pretreatment liquid for electroless plating used simultaneously with reduction treatment, and manufacturing method of printed wiring board
EP3196339B1 (en) Method for manufacturing wiring substrate
KR101184558B1 (en) Pre-treating agent for electroless metal plating and manufacturing method of circuit board using the same
CN109252148A (en) Method for forming metal layer on surface of photosensitive resin
JP6471392B2 (en) Pretreatment agent for electroless plating, pretreatment method for printed wiring board using said pretreatment agent for electroless plating, and method for producing the same
JP2012025974A (en) Electroless gold plating liquid and electroless gold plating method
JP2010100895A (en) Pretreatment liquid for reduction type electroless gold plating and electroless gold plating method
KR20070055396A (en) Jig for solder board processing and adhesion method of solder powder for electronic circuit board
KR101194541B1 (en) Discoloration preventive agent for tin or tin alloy, and circuit board and manufacturing method thereof using the same
CN1659312A (en) Acidic solution for silver deposition and method for silver layer deposition on metal surfaces
CN114790548A (en) Palladium removing liquid for printed circuit board, palladium removing method and preparation method of printed circuit board
KR20130048103A (en) Method for preparing the printed circuit board

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150707

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee