JP2012099665A - Electromagnetic wave absorber - Google Patents

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PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive electromagnetic wave absorber having a high electromagnetic wave absorption ability.SOLUTION: The transparent electromagnetic wave absorber comprises a plurality of transparent electromagnetic wave absorption films 1a, 1b, 1c laminated with a transparent dielectric 30 interposed therebetween. Each of the transparent electromagnetic wave absorption film 1a, 1b, 1c has a transparent conductor layer 11 formed on one surface of a plastic film 10, and a large number of intermittent linear scar groups 12 formed substantially in parallel in multiple directions on the other surface with irregular widths and intervals. The transparent conductor layer 11 consists of a metallic thin film having a thickness of 10-20 nm.

Description

本発明は安価でありながら高い電磁波吸収能を有する電磁波吸収体に関する。   The present invention relates to an electromagnetic wave absorber having high electromagnetic wave absorption ability while being inexpensive.

パーソナルコンピュータ、携帯電話、有料道路の自動料金収受システム（ETC）、無線LAN等の電子機器や通信機器のシステムには、電磁波の漏洩及び進入を防止するシールド材が使用されている。シールド材には、広範囲の周波数の電磁波を良好に吸収できるだけでなく、入射方向に応じた電磁波吸収能の変化（異方性）が少ないことも求められる。特にETC等のように円偏波を用いるシステムでは、TE波（入射面に対して電界成分が垂直な電磁波）及びTM波（入射面に対して磁界成分が垂直な電磁波）の両方とも効率良く吸収するシールド材が求められる。   Shield materials that prevent leakage and entry of electromagnetic waves are used in systems for electronic devices and communication devices such as personal computers, mobile phones, automatic toll collection systems (ETC) on toll roads, and wireless LANs. The shielding material is required not only to absorb electromagnetic waves in a wide range of frequencies well, but also to have a small change (anisotropy) in electromagnetic wave absorption capability according to the incident direction. Especially in systems using circularly polarized waves such as ETC, both TE waves (electromagnetic waves whose electric field components are perpendicular to the incident surface) and TM waves (electromagnetic waves whose magnetic field components are perpendicular to the incident surface) are both efficient. A shielding material that absorbs is required.

現在シールド材として広く使用されている金属のシート又はネットは重く、機器のケーシング内に配置するのに手間がかかるという問題がある。その上、金属のシート又はネットには電磁波吸収能に大きな異方性、すなわち電磁波の入射角が大きくなると電磁波吸収能が顕著に低下する傾向がある。   A metal sheet or net widely used as a shielding material at present is heavy, and there is a problem that it takes time and effort to arrange it in the casing of the device. In addition, the metal sheet or net has a large anisotropy in the electromagnetic wave absorbing ability, that is, the electromagnetic wave absorbing ability tends to be remarkably lowered when the incident angle of the electromagnetic wave is increased.

軽量でケーシングへの配置が容易な電磁波吸収シールド材として、特開平9-148782号（特許文献1）は、プラスチックフィルムと、その両面に形成した第一及び第二のアルミニウム蒸着膜とからなり、第一のアルミニウム蒸着膜には非導通の線状パターンがエッチングされており、第二のアルミニウム蒸着膜には網目状パターンがエッチングされているシ−ルド材を提案している。しかし、特許文献1のシ−ルド材の線状パターン及び網目状パターンはいずれも規則的であるので、広範囲の周波数の電磁波を効率良く吸収することができない上に、電磁波吸収能の異方性が大きい。   As an electromagnetic wave absorbing shield material that is lightweight and easy to be placed on the casing, Japanese Patent Laid-Open No. 9-148782 (Patent Document 1) consists of a plastic film and first and second aluminum vapor deposition films formed on both sides thereof, A non-conductive linear pattern is etched in the first aluminum vapor deposition film, and a shield material is proposed in which a mesh pattern is etched in the second aluminum vapor deposition film. However, since both the linear pattern and the mesh pattern of the shield material of Patent Document 1 are regular, they cannot efficiently absorb electromagnetic waves in a wide range of frequencies, and the anisotropy of electromagnetic wave absorption ability Is big.

特開2004-134528（特許文献2）号は、異方性抵抗層と、導電性フィラーを含む誘電体層と、電磁波反射体層とを順に有する電磁波吸収体であって、異方性抵抗層は導通した線状パターンからなり、表面抵抗が一方向では1 kΩ以下で、他方向では10 kΩ以上の異方性を有する電磁波吸収体を提案している。特許文献2は、線状パターンがTE波の磁界成分と平行となるように電磁波吸収体を配置すると、TE波及びTM波の両方を効率良く吸収できると記載している。しかし特許文献2の電磁波吸収体は電磁波吸収能の異方性が大きいという問題がある。   Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-134528 (Patent Document 2) is an electromagnetic wave absorber having an anisotropic resistance layer, a dielectric layer containing a conductive filler, and an electromagnetic wave reflector layer in order, Has proposed an electromagnetic wave absorber composed of a conducting linear pattern and having an anisotropy of 1 kΩ or less in one direction and 10 kΩ or more in the other direction. Patent Document 2 describes that when the electromagnetic wave absorber is arranged so that the linear pattern is parallel to the magnetic field component of the TE wave, both the TE wave and the TM wave can be efficiently absorbed. However, the electromagnetic wave absorber of Patent Document 2 has a problem that the anisotropy of the electromagnetic wave absorbing ability is large.

また、高速道路で広く利用されているETC（自動料金支払いシステム）では、隣接するETCレーンへの不要電波の影響を避けるため、透明電磁波吸収体が設置されている。例えば、2004年4月発行の三菱電線工業時報第101号、「ETC用透明電波吸収体の開発」の論文（非特許文献1）には、図31に示す透明電磁波吸収体が記載されている。この透明電磁波吸収体は、電波入射側から順に第一のポリカーボネート（PC）層201、粘着剤層202、第一の透明抵抗膜（Ni）層203、第一のポリエチレンテレフタレート（PET）層204、粘着剤層205、第二のPC層206、粘着剤層207、第二のNi層208、及び第二のPET層209からなる。この透明電磁波吸収体は約30°の入射角で30 dB近い反射減衰量を示す。しかし、この透明電磁波吸収体は複雑な多層構造を有するだけでなく、反射減衰量のさらなる向上も望まれる。またRFID ICタグ読み取り装置等のように、ETC以外にも不要な電磁波を除去しなければならない施設や装置は多くあり、そこでも高い電磁波吸収能を有する透明な電磁波吸収体に対する需要は大きい。   In ETC (automatic toll payment system) widely used on expressways, a transparent electromagnetic wave absorber is installed to avoid the influence of unnecessary radio waves on the adjacent ETC lanes. For example, in the paper (Non-Patent Document 1) of Mitsubishi Electric Industry Times No. 101, “Development of Transparent Electromagnetic Wave Absorber for ETC” published in April 2004, the transparent electromagnetic wave absorber shown in FIG. 31 is described. . The transparent electromagnetic wave absorber includes a first polycarbonate (PC) layer 201, an adhesive layer 202, a first transparent resistance film (Ni) layer 203, a first polyethylene terephthalate (PET) layer 204, in this order from the radio wave incident side. It consists of an adhesive layer 205, a second PC layer 206, an adhesive layer 207, a second Ni layer 208, and a second PET layer 209. This transparent electromagnetic wave absorber exhibits a return loss close to 30 dB at an incident angle of about 30 °. However, this transparent electromagnetic wave absorber not only has a complicated multilayer structure, but further improvement in the return loss is desired. In addition to ETC, there are many facilities and devices that need to remove unnecessary electromagnetic waves, such as RFID IC tag readers, and there is a great demand for transparent electromagnetic wave absorbers having high electromagnetic wave absorbing ability.

特開平10-13083号（特許文献3）は、ポリカーボネート等からなる誘電体層の両面にNi等からなる抵抗皮膜及び保護膜を形成した構造を有する透明電波吸収体を開示している。特許文献3の透明電波吸収体は簡単な構造を有するが、透過減衰量が30 dB未満と不十分である。   Japanese Patent Laid-Open No. 10-13083 (Patent Document 3) discloses a transparent radio wave absorber having a structure in which a resistive film and a protective film made of Ni or the like are formed on both surfaces of a dielectric layer made of polycarbonate or the like. The transparent radio wave absorber of Patent Document 3 has a simple structure, but its transmission attenuation is less than 30 dB, which is insufficient.

特開平11-330776号（特許文献4）は、薄膜軽量で施工作業性が良く、電波遮蔽能及び電波反射防止能に優れた透明電波反射防止体として、厚さ0.01〜50μmの幾何学模様状Niパターン層、透明支持層、透明樹脂層、透明支持層及び透明電波反射体（Ni）層を順次積層してなる電波反射防止体を開示している。しかし、幾何学模様状Niパターン層はパターンマスクを使用した蒸着、スパッタリング等により形成されるので、この電波反射防止体は高価であり、かつ電波反射防止能も不十分である。   Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-330776 (Patent Document 4) is a thin, lightweight, easy to work, transparent radio wave anti-reflection body with excellent radio wave shielding ability and anti-radio wave anti-reflective body. An electromagnetic wave reflection prevention body is disclosed in which a Ni pattern layer, a transparent support layer, a transparent resin layer, a transparent support layer, and a transparent radio wave reflector (Ni) layer are sequentially laminated. However, since the geometric pattern-like Ni pattern layer is formed by vapor deposition using a pattern mask, sputtering, or the like, this radio wave reflection preventing body is expensive and has insufficient radio wave reflection preventing ability.

特開2005-277373号（特許文献5）は、薄型化及び軽量化が可能であり、かつ広帯域な減衰特性を有する透明電波吸収体として、Niからなる全面導体層と、ポリカーボネートからなる第一誘電体層と、所定範囲の表面抵抗率を有するNiからなる高抵抗導体層と、ポリカーボネートからなる第二誘電体層と、厚さ12μmの銅箔で形成されたループパターン等を有するパターン層とを順次積層した構造を有し、パターン層における各パターンは、隣接する他のパターンに対して大きさと形状とのうちの少なくとも一方が異なる電波吸収体を開示している。しかし、パターン層はエッチングにより形成するので、この電波吸収体は高価にならざるを得ず、またパターン層に銅箔を用いるので十分な透明性を有さない。その上、この電波吸収体の反射減衰量は不十分である。   Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-277373 (Patent Document 5) describes a first conductor made of polycarbonate and an entire conductor layer made of Ni as a transparent electromagnetic wave absorber that can be reduced in thickness and weight and has a broadband attenuation characteristic. A body layer, a high-resistance conductor layer made of Ni having a surface resistivity in a predetermined range, a second dielectric layer made of polycarbonate, and a pattern layer having a loop pattern formed of a copper foil having a thickness of 12 μm. It discloses a radio wave absorber having a structure in which layers are sequentially stacked, and each pattern in the pattern layer is different in at least one of size and shape from other adjacent patterns. However, since the pattern layer is formed by etching, the radio wave absorber has to be expensive, and since the copper foil is used for the pattern layer, it does not have sufficient transparency. In addition, the return loss of this radio wave absorber is insufficient.

特開平9-148782号Japanese Patent Application Laid-Open No.9-148782 特開2004-134528号JP2004-134528 特開平10-13083号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-13083 特開平11-330776号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-330776 特開2005-277373公報JP 2005-277373 A

2004年4月発行の三菱電線工業時報第101号、「ETC用透明電波吸収体の開発」Mitsubishi Electric Industrial Time Bulletin No. 101, issued in April 2004, “Development of transparent electromagnetic wave absorber for ETC”

従って本発明の目的は、安価で高い電磁波吸収能を有する電磁波吸収体を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to provide an electromagnetic wave absorber that is inexpensive and has a high electromagnetic wave absorbing ability.

上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者は、(a) プラスチックフィルムの一方の面に透明導電体層を形成するとともに、他方の面に不規則な幅及び間隔で実質的に平行な多数の断続的な線状痕群を複数方向に形成した1枚又は複数枚の透明電磁波吸収フィルムを、透明誘電体を介して積層すると、優れた電磁波吸収能を有する透明電磁波吸収体が得られ、また(b) プラスチックフィルムの一方の面に金属薄膜からなる導電体層を形成するとともに、他方の面に不規則な幅及び間隔で実質的に平行な多数の断続的な線状痕群を複数方向に形成した1枚又は複数枚の電磁波吸収フィルムを、誘電体を介して導電性反射板と積層すると、優れた電磁波吸収能を有する電磁波吸収体が得られることを発見し、本発明に想到した。   As a result of diligent research in view of the above object, the present inventor has (a) formed a transparent conductor layer on one surface of a plastic film, and formed a large number of substantially parallel surfaces with irregular widths and intervals on the other surface. When laminating one or more transparent electromagnetic wave absorbing films formed with a plurality of intermittent linear scar groups in a plurality of directions through a transparent dielectric, a transparent electromagnetic wave absorber having excellent electromagnetic wave absorbing ability is obtained, (B) A conductor layer made of a metal thin film is formed on one surface of the plastic film, and a plurality of intermittent line trace groups substantially parallel with irregular widths and intervals are formed on the other surface. It was discovered that an electromagnetic wave absorber having excellent electromagnetic wave absorbing ability can be obtained by laminating one or a plurality of electromagnetic wave absorbing films formed in the direction with a conductive reflector via a dielectric, and the present invention was conceived. did.

すなわち、本発明の第一の電磁波吸収体は、複数枚の透明電磁波吸収フィルムを透明誘電体を介して積層してなる透明電磁波吸収体であって、前記透明電磁波吸収フィルムはプラスチックフィルムの一方の面に透明導電体層を有するとともに、他方の面に不規則な幅及び間隔で実質的に平行な多数の断続的な線状痕群が複数方向に形成されており、前記透明導電体層は厚さ10〜20 nmの金属薄膜からなることを特徴とする。   That is, the first electromagnetic wave absorber of the present invention is a transparent electromagnetic wave absorber formed by laminating a plurality of transparent electromagnetic wave absorbing films via a transparent dielectric, and the transparent electromagnetic wave absorbing film is one of the plastic films. The surface has a transparent conductor layer, and the other surface has a number of intermittent line traces substantially parallel with irregular widths and intervals formed in a plurality of directions, and the transparent conductor layer is It is characterized by comprising a metal thin film having a thickness of 10 to 20 nm.

本発明の第二の電磁波吸収体は、1枚以上の透明電磁波吸収フィルムと1枚以上の透明導電フィルムとを透明誘電体を介して積層してなる透明電磁波吸収体であって、前記透明導電フィルムはプラスチックフィルムの一方の面に透明導電体層を形成したもので、前記透明導電体層は厚さ10〜20 nmの金属薄膜からなり、前記透明電磁波吸収フィルムは前記透明導電フィルムのプラスチック面に不規則な幅及び間隔で実質的に平行な多数の断続的な線状痕群が複数方向に形成してなることを特徴とする。   The second electromagnetic wave absorber of the present invention is a transparent electromagnetic wave absorber formed by laminating one or more transparent electromagnetic wave absorbing films and one or more transparent conductive films via a transparent dielectric, the transparent conductive material The film is formed by forming a transparent conductor layer on one surface of a plastic film, the transparent conductor layer is made of a metal thin film having a thickness of 10 to 20 nm, and the transparent electromagnetic wave absorbing film is a plastic surface of the transparent conductive film. A plurality of intermittent linear trace groups substantially parallel to each other with irregular widths and intervals are formed in a plurality of directions.

第一及び第二の透明電磁波吸収体において、前記金属薄膜は100〜1000Ω／□の表面抵抗を有するのが好ましい。このような表面抵抗を有する金属薄膜はアルミニウム又はニッケルからなるのが好ましい。   In the first and second transparent electromagnetic wave absorbers, the metal thin film preferably has a surface resistance of 100 to 1000 Ω / □. The metal thin film having such a surface resistance is preferably made of aluminum or nickel.

第一及び第二の透明電磁波吸収体において、透明電磁波吸収フィルムの線状痕は二方向に配向しており、その交差角は30〜90°であるのが好ましい。前記線状痕の幅は90％以上が0.1〜100μmの範囲内にあって、平均1〜50μmであり、前記線状痕の間隔は0.1〜200μmの範囲内にあって、平均1〜100μmであるのが好ましい。   In the first and second transparent electromagnetic wave absorbers, the linear traces of the transparent electromagnetic wave absorbing film are preferably oriented in two directions, and the crossing angle is preferably 30 to 90 °. 90% or more of the width of the linear traces is in the range of 0.1 to 100 μm, and the average is 1 to 50 μm, and the interval of the linear traces is in the range of 0.1 to 200 μm, and the average is 1 to 100 μm. Preferably there is.

第一及び第二の透明電磁波吸収体において、前記透明誘電体を介して隣接する透明電磁波吸収フィルムは異なる配向及び／又は交差角の線状痕を有するのが好ましい。前記透明誘電体の厚さは吸収すべき電磁波の中心波長λの1/12〜1/2であるのが好ましい。   In the first and second transparent electromagnetic wave absorbers, the transparent electromagnetic wave absorbing films adjacent via the transparent dielectric material preferably have linear traces having different orientations and / or crossing angles. The thickness of the transparent dielectric is preferably 1/12 to 1/2 of the center wavelength λ of the electromagnetic wave to be absorbed.

本発明の第三の電磁波吸収体は、1枚又は複数枚の電磁波吸収フィルムを誘電体を介して導電性反射板と積層してなり、前記電磁波吸収フィルムはプラスチックフィルムの一方の面に金属薄膜からなる導電体層を有するとともに、他方の面に不規則な幅及び間隔で実質的に平行な多数の断続的な線状痕群が複数方向に形成されていることを特徴とする。   The third electromagnetic wave absorber of the present invention is formed by laminating one or more electromagnetic wave absorbing films with a conductive reflector through a dielectric, and the electromagnetic wave absorbing film is a metal thin film on one surface of a plastic film. And a plurality of intermittent line trace groups substantially parallel with irregular widths and intervals are formed in a plurality of directions on the other surface.

第三の電磁波吸収体において、前記金属薄膜は100〜1000Ω／□の表面抵抗を有するのが好ましい。前記金属薄膜はアルミニウム又はニッケルの薄膜であるのが好ましい。   In the third electromagnetic wave absorber, the metal thin film preferably has a surface resistance of 100 to 1000Ω / □. The metal thin film is preferably an aluminum or nickel thin film.

第三の電磁波吸収体において、各電磁波吸収フィルムの線状痕は二方向に配向しており、その交差角は30〜90°であるのが好ましい。前記線状痕の幅は90％以上が0.1〜100μmの範囲内にあって、平均1〜50μmであり、前記線状痕の間隔は0.1〜200μmの範囲内にあって、平均1〜100μmであるのが好ましい。   In the third electromagnetic wave absorber, the linear traces of each electromagnetic wave absorbing film are oriented in two directions, and the crossing angle is preferably 30 to 90 °. 90% or more of the width of the linear traces is in the range of 0.1 to 100 μm, and the average is 1 to 50 μm, and the interval of the linear traces is in the range of 0.1 to 200 μm, and the average is 1 to 100 μm. Preferably there is.

第三の電磁波吸収体において、前記誘電体を介して隣接する電磁波吸収フィルムは異なる配向及び／又は交差角の線状痕を有するのが好ましい。前記誘電体の厚さは吸収すべき電磁波の中心波長λの1/12〜1/2であるのが好ましい。   In the third electromagnetic wave absorber, it is preferable that the electromagnetic wave absorbing film adjacent via the dielectric has linear traces having different orientations and / or crossing angles. The thickness of the dielectric is preferably 1/12 to 1/2 of the center wavelength λ of the electromagnetic wave to be absorbed.

本発明の第一及び第二の電磁波吸収体は、一方の面に可視光が透過し得る厚さの金属薄膜からなる透明導電体層が形成され、他方の面に線状痕群が複数方向に形成されたプラスチックフィルムからなる複数枚の透明電磁波吸収フィルムを透明誘電体を介して積層してなる構造か、1枚以上の透明電磁波吸収フィルムと1枚以上の透明導電フィルムとを透明誘電体を介して積層してなる構造を有するので、安価でありながら優れた電磁波吸収能を有する。透明電磁波吸収フィルムは複数方向の線状痕群を有するので、種々の周波数の電磁波に対して優れた吸収能を有するのみならず、電磁波吸収能の異方性が低い。このような特徴を有する本発明の透明電磁波吸収体は、必要な透明性を確保しつつ高い電磁波吸収能を有するので、ETC等のように不要電磁波の影響を避けつつ透明性が必要な用途に好適である。   In the first and second electromagnetic wave absorbers of the present invention, a transparent conductor layer made of a metal thin film having a thickness capable of transmitting visible light is formed on one surface, and a plurality of linear trace groups are formed on the other surface. A structure in which a plurality of transparent electromagnetic wave absorbing films made of plastic film are laminated via a transparent dielectric, or one or more transparent electromagnetic wave absorbing films and one or more transparent conductive films are transparent dielectrics Therefore, it has an excellent electromagnetic wave absorption ability while being inexpensive. Since a transparent electromagnetic wave absorption film has linear trace groups in a plurality of directions, it has not only excellent absorption ability for electromagnetic waves of various frequencies but also low anisotropy of electromagnetic wave absorption ability. Since the transparent electromagnetic wave absorber of the present invention having such characteristics has high electromagnetic wave absorption ability while ensuring necessary transparency, it is suitable for applications that require transparency while avoiding the influence of unnecessary electromagnetic waves such as ETC. Is preferred.

本発明の第三の電磁波吸収体は、一方の面に金属薄膜からなる導電体層を有するとともに、他方の面に不規則な幅及び間隔で実質的に平行な多数の断続的な線状痕群が複数方向に形成されたプラスチックフィルムからなる1枚又は複数枚の電磁波吸収フィルムを導電性反射板と積層してなるので、安価でありながら優れた電磁波吸収能を有する。   The third electromagnetic wave absorber of the present invention has a conductor layer made of a metal thin film on one side and a number of intermittent linear traces substantially parallel to the other side with irregular widths and intervals. Since one or a plurality of electromagnetic wave absorbing films made of a plastic film having a group formed in a plurality of directions are laminated with a conductive reflector, the electromagnetic wave absorbing ability is excellent while being inexpensive.

本発明の透明電磁波吸収体を構成する透明電磁波吸収フィルムを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the transparent electromagnetic wave absorption film which comprises the transparent electromagnetic wave absorber of this invention. 図1(a) の透明電磁波吸収フィルムの線状痕の詳細を示す部分平面図である。FIG. 2 is a partial plan view showing details of a linear trace of the transparent electromagnetic wave absorbing film of FIG. 1 (a). 図1(a) のA部分を示す拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a portion A in FIG. 図1(c) のA'部分を示す拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view showing a portion A ′ in FIG. 1 (c). 線状痕の他の例を示す部分平面図である。It is a fragmentary top view which shows the other example of a linear trace. 線状痕のさらに他の例を示す部分平面図である。It is a fragmentary top view which shows the other example of a linear trace. 線状痕のさらに他の例を示す部分平面図である。It is a fragmentary top view which shows the other example of a linear trace. 透明導電体層の上にオーバーコートが設けられた透明導電フィルムを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the transparent conductive film with which the overcoat was provided on the transparent conductor layer. 透明導電体層及び線状痕の上に保護層が設けられた透明電磁波吸収フィルムを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the transparent electromagnetic wave absorption film in which the protective layer was provided on the transparent conductor layer and the linear trace. 透明電磁波吸収フィルムの製造装置の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the manufacturing apparatus of a transparent electromagnetic wave absorption film. 図5(a) の装置を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing the device of FIG. 5 (a). 図5(b) のB-B断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line BB in FIG. 5 (b). フィルムの進行方向に対して傾斜した線状痕が形成される原理を説明するための部分拡大平面図である。It is a partial enlarged plan view for demonstrating the principle in which the linear trace inclined with respect to the advancing direction of a film is formed. 図5(a) の装置において、フィルムに対するパターンロール及び押えロールの傾斜角度を示す部分平面図である。FIG. 6 is a partial plan view showing the inclination angles of the pattern roll and the presser roll with respect to the film in the apparatus of FIG. 5 (a). 透明電磁波吸収フィルムの製造装置の他の例を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the other example of the manufacturing apparatus of a transparent electromagnetic wave absorption film. 透明電磁波吸収フィルムの製造装置のさらに他の例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the further another example of the manufacturing apparatus of a transparent electromagnetic wave absorption film. 透明電磁波吸収フィルムの製造装置のさらに他の例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the further another example of the manufacturing apparatus of a transparent electromagnetic wave absorption film. 透明電磁波吸収フィルムの製造装置のさらに他の例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the further another example of the manufacturing apparatus of a transparent electromagnetic wave absorption film. 本発明の第一の透明電磁波吸収体の一例を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows an example of the 1st transparent electromagnetic wave absorber of this invention. 図10(a) の透明電磁波吸収体を構成する透明電磁波吸収フィルムの組合せの一例を示す分解断面図である。FIG. 11 is an exploded sectional view showing an example of a combination of transparent electromagnetic wave absorbing films constituting the transparent electromagnetic wave absorber shown in FIG. 10 (a). 図10(a) の透明電磁波吸収体を構成する透明電磁波吸収フィルムの組合せの別の例を示す分解断面図である。FIG. 11 is an exploded sectional view showing another example of a combination of transparent electromagnetic wave absorbing films constituting the transparent electromagnetic wave absorber of FIG. 10 (a). 本発明の第一の透明電磁波吸収体のさらに別の例を示す分解断面図である。It is a disassembled sectional view which shows another example of the 1st transparent electromagnetic wave absorber of this invention. 本発明の第二の透明電磁波吸収体の一例を示す分解断面図である。It is an exploded sectional view showing an example of the 2nd transparent electromagnetic wave absorber of the present invention. 本発明の第二の透明電磁波吸収体の別の例を示す分解断面図である。It is an exploded sectional view showing another example of the 2nd transparent electromagnetic wave absorber of the present invention. 本発明の第一の透明電磁波吸収体における3枚の透明電磁波吸収フィルムの組合せの一例を示す分解平面図である。FIG. 3 is an exploded plan view showing an example of a combination of three transparent electromagnetic wave absorbing films in the first transparent electromagnetic wave absorber of the present invention. 本発明の第一の透明電磁波吸収体における3枚の透明電磁波吸収フィルムの組合せの別の例を示す分解平面図である。FIG. 6 is an exploded plan view showing another example of a combination of three transparent electromagnetic wave absorbing films in the first transparent electromagnetic wave absorber of the present invention. 本発明の第一の透明電磁波吸収体における3枚の透明電磁波吸収フィルムの組合せのさらに別の例を示す分解平面図である。FIG. 6 is an exploded plan view showing still another example of a combination of three transparent electromagnetic wave absorbing films in the first transparent electromagnetic wave absorber of the present invention. 本発明の第一の透明電磁波吸収体における3枚の透明電磁波吸収フィルムの組合せのさらに別の例を示す分解平面図である。FIG. 6 is an exploded plan view showing still another example of a combination of three transparent electromagnetic wave absorbing films in the first transparent electromagnetic wave absorber of the present invention. 本発明の第一の透明電磁波吸収体における3枚の透明電磁波吸収フィルムの組合せのさらに別の例を示す分解平面図である。FIG. 6 is an exploded plan view showing still another example of a combination of three transparent electromagnetic wave absorbing films in the first transparent electromagnetic wave absorber of the present invention. 本発明の第一の透明電磁波吸収体における3枚の透明電磁波吸収フィルムの組合せのさらに別の例を示す分解平面図である。FIG. 6 is an exploded plan view showing still another example of a combination of three transparent electromagnetic wave absorbing films in the first transparent electromagnetic wave absorber of the present invention. 本発明の第一の透明電磁波吸収体における2枚の透明電磁波吸収フィルムの組合せの一例を示す分解平面図である。FIG. 3 is an exploded plan view showing an example of a combination of two transparent electromagnetic wave absorbing films in the first transparent electromagnetic wave absorber of the present invention. 本発明の第一の透明電磁波吸収体における2枚の透明電磁波吸収フィルムの組合せの別の例を示す分解平面図である。FIG. 6 is an exploded plan view showing another example of a combination of two transparent electromagnetic wave absorbing films in the first transparent electromagnetic wave absorber of the present invention. 本発明の第一の透明電磁波吸収体における2枚の透明電磁波吸収フィルムの組合せのさらに別の例を示す分解平面図である。FIG. 6 is an exploded plan view showing still another example of a combination of two transparent electromagnetic wave absorbing films in the first transparent electromagnetic wave absorber of the present invention. 本発明の第二の透明電磁波吸収体における2枚の透明電磁波吸収フィルムと1枚の透明導電フィルムとの組合せの一例を示す分解平面図である。FIG. 6 is an exploded plan view showing an example of a combination of two transparent electromagnetic wave absorbing films and one transparent conductive film in the second transparent electromagnetic wave absorber of the present invention. 本発明の第二の透明電磁波吸収体における2枚の透明電磁波吸収フィルムと1枚の透明導電フィルムとの組合せの別の例を示す分解平面図である。FIG. 6 is an exploded plan view showing another example of a combination of two transparent electromagnetic wave absorbing films and one transparent conductive film in the second transparent electromagnetic wave absorber of the present invention. 本発明の第二の透明電磁波吸収体における2枚の透明電磁波吸収フィルムと1枚の透明導電フィルムとの組合せのさらに別の例を示す分解平面図である。FIG. 6 is an exploded plan view showing still another example of a combination of two transparent electromagnetic wave absorbing films and one transparent conductive film in the second transparent electromagnetic wave absorber of the present invention. 本発明の第二の透明電磁波吸収体における1枚の透明電磁波吸収フィルムと1枚の透明導電フィルムとの組合せの一例を示す分解平面図である。FIG. 5 is an exploded plan view showing an example of a combination of one transparent electromagnetic wave absorbing film and one transparent conductive film in the second transparent electromagnetic wave absorber of the present invention. 本発明の第二の透明電磁波吸収体における1枚の透明電磁波吸収フィルムと1枚の透明導電フィルムとの組合せの別の例を示す分解平面図である。FIG. 6 is an exploded plan view showing another example of a combination of one transparent electromagnetic wave absorbing film and one transparent conductive film in the second transparent electromagnetic wave absorber of the present invention. 本発明の第三の電磁波吸収体の一例を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows an example of the 3rd electromagnetic wave absorber of this invention. 本発明の第三の電磁波吸収体の別の例を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows another example of the 3rd electromagnetic wave absorber of this invention. 電磁波吸収体の電磁波吸収能を評価する装置を示す概略図である。It is the schematic which shows the apparatus which evaluates the electromagnetic wave absorption capability of an electromagnetic wave absorber. 参考例4の透明電磁波吸収フィルムのピーク吸収率及びピーク周波数を示すグラフである。6 is a graph showing the peak absorptance and peak frequency of the transparent electromagnetic wave absorbing film of Reference Example 4. 実施例1の透明電磁波吸収体のピーク吸収率及びピーク周波数を示すグラフである。2 is a graph showing the peak absorption rate and peak frequency of the transparent electromagnetic wave absorber of Example 1. FIG. 実施例2の透明電磁波吸収体のピーク吸収率及びピーク周波数を示すグラフである。4 is a graph showing the peak absorptance and peak frequency of the transparent electromagnetic wave absorber of Example 2. 実施例3の透明電磁波吸収体のピーク吸収率及びピーク周波数を示すグラフである。3 is a graph showing the peak absorption rate and peak frequency of the transparent electromagnetic wave absorber of Example 3. FIG. 実施例4の電磁波吸収体のピーク吸収率及びピーク周波数を示すグラフである。6 is a graph showing the peak absorption rate and peak frequency of the electromagnetic wave absorber of Example 4. 実施例5の電磁波吸収体のピーク吸収率及びピーク周波数を示すグラフである。6 is a graph showing the peak absorptance and peak frequency of the electromagnetic wave absorber of Example 5. 実施例6の電磁波吸収体のピーク吸収率及びピーク周波数を示すグラフである。6 is a graph showing the peak absorption rate and peak frequency of the electromagnetic wave absorber of Example 6. FIG. 実施例7の電磁波吸収体のピーク吸収率及びピーク周波数を示すグラフである。6 is a graph showing the peak absorption rate and peak frequency of the electromagnetic wave absorber of Example 7. FIG. 実施例8の電磁波吸収体のピーク吸収率及びピーク周波数を示すグラフである。10 is a graph showing the peak absorption rate and peak frequency of the electromagnetic wave absorber of Example 8. 実施例9の電磁波吸収体のピーク吸収率及びピーク周波数を示すグラフである。10 is a graph showing the peak absorptance and peak frequency of the electromagnetic wave absorber of Example 9. 非特許文献1に記載の透明電磁波吸収体を示す部分断面図である。2 is a partial cross-sectional view showing a transparent electromagnetic wave absorber described in Non-Patent Document 1. FIG.

本発明の実施形態を添付図面を参照して詳細に説明するが、特に断りがなければ一つの実施形態に関する説明は他の実施形態にも適用される。また下記説明は限定的ではなく、本発明の技術的思想の範囲内で種々の変更をしても良い。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Unless otherwise specified, the description relating to one embodiment is applicable to other embodiments. The following description is not limited, and various modifications may be made within the scope of the technical idea of the present invention.

[1] 透明電磁波吸収フィルム
本発明の透明電磁波吸収体を構成する透明電磁波吸収フィルムは、プラスチックフィルムの一方の面に透明導電体層を有し、他方の面に複数方向の線状痕群を有する。図1(a)〜図1(d)は、プラスチックフィルム10の一方の面に透明導電体層11が形成され、他方の面に実質的に平行で断続的な多数の線状痕12が二方向に形成された透明電磁波吸収フィルムの一例を示す。 [1] Transparent electromagnetic wave absorbing film The transparent electromagnetic wave absorbing film constituting the transparent electromagnetic wave absorber of the present invention has a transparent conductor layer on one side of a plastic film and a plurality of linear traces on the other side. Have. 1 (a) to 1 (d) show that a transparent conductor layer 11 is formed on one surface of a plastic film 10, and a large number of linear traces 12 that are substantially parallel and intermittent are formed on the other surface. An example of the transparent electromagnetic wave absorption film formed in the direction is shown.

(1) プラスチックフィルム
プラスチックフィルム10を形成する樹脂は、透明性及び絶縁性とともに十分な強度、可撓性及び加工性を有する限り特に制限されず、例えばポリエステル（ポリエチレンテレフタレート等）、ポリアリーレンサルファイド（ポリフェニレンサルファイド等）、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレン等）等が挙げられる。プラスチックフィルム10の厚さは10〜100μm程度で良い。 (1) Plastic film The resin forming the plastic film 10 is not particularly limited as long as it has sufficient strength, flexibility and processability as well as transparency and insulation. For example, polyester (polyethylene terephthalate, etc.), polyarylene sulfide ( Polyphenylene sulfide, etc.), polyether sulfone, polyether ether ketone, polycarbonate, acrylic resin, polystyrene, polyolefin (polyethylene, polypropylene, etc.) and the like. The thickness of the plastic film 10 may be about 10 to 100 μm.

(2) 透明導電体層
透明導電体層11は金属薄膜からなる。透明導電体層11はスパッタリング法、真空蒸着法等の公知の方法により形成することができる。優れた電磁波吸収能を発揮するために、金属薄膜の表面抵抗は100〜1000Ω／□であり、好ましくは200〜1000Ω／□であり、より好ましくは250〜800Ω／□である。このような透明導電体層11を形成する金属として、ニッケル、アルミニウム、クロム等が挙げられる。これらの金属は勿論単体に限らず、合金でも良い。アルミニウム薄膜も良好な導電性及び可視光透過性を有するが、膜厚（表面抵抗）の均一化が難しい。一方、ニッケル薄膜は良好な導電性及び可視光透過性を有するとともに、表面抵抗の分布が均一であるので、本発明の目的に好適である。 (2) Transparent conductor layer The transparent conductor layer 11 is made of a metal thin film. The transparent conductor layer 11 can be formed by a known method such as a sputtering method or a vacuum deposition method. In order to exhibit excellent electromagnetic wave absorbing ability, the surface resistance of the metal thin film is 100 to 1000Ω / □, preferably 200 to 1000Ω / □, and more preferably 250 to 800Ω / □. Examples of the metal that forms such a transparent conductor layer 11 include nickel, aluminum, and chromium. Of course, these metals are not limited to simple substances, but may be alloys. The aluminum thin film also has good conductivity and visible light transmittance, but it is difficult to make the film thickness (surface resistance) uniform. On the other hand, a nickel thin film is suitable for the purpose of the present invention because it has good electrical conductivity and visible light transmittance and has a uniform surface resistance distribution.

金属薄膜の厚さは10〜20 nmが好ましく、10〜15 nmがより好ましい。金属薄膜の厚さが10 nm未満であると、表面抵抗が大きすぎる。また金属薄膜の厚さが20 nm超であると、可視光透過率が低すぎる。10〜20 nmの厚さの金属薄膜は一般に約100〜1000Ω／□の表面抵抗と、約20〜70％の可視光透過率を有する。表面抵抗は直流二端子法で測定することができる。透明導電体層11の可視光透過率は25％以上が好ましく、40％以上がより好ましい。   The thickness of the metal thin film is preferably 10 to 20 nm, and more preferably 10 to 15 nm. If the thickness of the metal thin film is less than 10 nm, the surface resistance is too large. If the thickness of the metal thin film exceeds 20 nm, the visible light transmittance is too low. A metal thin film having a thickness of 10 to 20 nm generally has a surface resistance of about 100 to 1000 Ω / □ and a visible light transmittance of about 20 to 70%. The surface resistance can be measured by a direct current two-terminal method. The visible light transmittance of the transparent conductor layer 11 is preferably 25% or more, and more preferably 40% or more.

(3) 線状痕
図1(b)〜図1(d) に示すように、プラスチックフィルム10の他方の面（透明導電体層11を有さない面）に多数の実質的に平行で断続的な線状痕12a，12bが複数方向（図示の例では二方向）に不規則な幅及び間隔で形成されている。なお、説明のために図1(c) 及び図1(d) では線状痕12の深さを誇張している。二方向に配向した線状痕12は種々の幅W及び間隔Iを有する。なお間隔Iは、線状痕12の配向方向（長手方向）及びそれに直交する方向（横手方向）の両方における間隔を意味する。線状痕12の幅W及び間隔Iはいずれも線状痕形成前のプラスチックフィルム10の表面Sの高さ（元の高さ）で求める。線状痕12が種々の幅W及び間隔Iを有するので、透明電磁波吸収フィルム1は広範囲にわたる周波数の電磁波を効率良く吸収することができる。 (3) Linear traces As shown in FIGS. 1 (b) to 1 (d), a large number of substantially parallel and intermittent on the other surface of the plastic film 10 (surface without the transparent conductor layer 11). The linear line marks 12a and 12b are formed with irregular widths and intervals in a plurality of directions (two directions in the illustrated example). For the sake of explanation, the depth of the linear mark 12 is exaggerated in FIGS. 1 (c) and 1 (d). The linear traces 12 oriented in two directions have various widths W and intervals I. The interval I means an interval in both the alignment direction (longitudinal direction) of the linear marks 12 and the direction (lateral direction) perpendicular thereto. Both the width W and the interval I of the linear marks 12 are determined by the height (original height) of the surface S of the plastic film 10 before the linear marks are formed. Since the linear marks 12 have various widths W and intervals I, the transparent electromagnetic wave absorbing film 1 can efficiently absorb electromagnetic waves having a wide range of frequencies.

線状痕12の幅Wの90％以上は0.1〜100μmの範囲内にあるのが好ましく、0.1〜50μmの範囲内にあるのがより好ましく、0.1〜20μmの範囲内にあるのが最も好ましい。線状痕12の平均幅Wavは1〜50μmであるのが好ましく、1〜20μmがより好ましく、1〜10μmが最も好ましい。   90% or more of the width W of the linear scar 12 is preferably in the range of 0.1 to 100 μm, more preferably in the range of 0.1 to 50 μm, and most preferably in the range of 0.1 to 20 μm. The average width Wav of the linear marks 12 is preferably 1 to 50 μm, more preferably 1 to 20 μm, and most preferably 1 to 10 μm.

線状痕12の間隔Iは0.1〜200μmの範囲内にあるのが好ましく、0.1〜100μmの範囲内にあるのがより好ましく、0.1〜50μmの範囲内にあるのが最も好ましく、0.1〜20μmの範囲内にあるのが特に好ましい。また線状痕12の平均間隔Iavは1〜100μmが好ましく、1〜50μmがより好ましく、1〜20μmが最も好ましい。   The interval I between the linear marks 12 is preferably in the range of 0.1 to 200 μm, more preferably in the range of 0.1 to 100 μm, most preferably in the range of 0.1 to 50 μm, and 0.1 to 20 μm. It is particularly preferred that it is within the range. The average interval Iav of the linear marks 12 is preferably 1 to 100 μm, more preferably 1 to 50 μm, and most preferably 1 to 20 μm.

線状痕12の長さLは、摺接条件（主としてロールとフィルムとの相対速度、及びフィルムのロールへの巻回角度）により決まるので、摺接条件を変えない限り大部分がほぼ同じである（ほぼ平均長さに等しい）。線状痕12の長さは特に限定的でなく、実用的には1〜100 mm程度で良い。   Since the length L of the linear mark 12 is determined by the sliding contact condition (mainly the relative speed between the roll and the film and the winding angle of the film on the roll), the length L is almost the same unless the sliding contact condition is changed. Yes (approximately equal to the average length). The length of the linear mark 12 is not particularly limited, and may be about 1 to 100 mm practically.

二方向の線状痕12a，12bの鋭角側の交差角（以下特に断りがなければ単に「交差角」とも言う）θsは30〜90°が好ましく、45〜90°がより好ましく、60〜90°が最も好ましい。プラスチックフィルム10とパターンロールとの摺接条件（摺接方向、周速比等）を調整することにより、図2(a)〜図2(c) に示すように種々の交差角θsの線状痕12が得られる。線状痕の配向は二方向に限定されず、三方向以上でも良い。図2(a) の線状痕12は直交する線状痕12a，12bからなり、図2(b) の線状痕12は60°で交差する線状痕12a，12bからなり、図2(c) の線状痕12は三方向の線状痕12a，12b，12cからなる。   The acute crossing angle (hereinafter also referred to simply as “crossing angle” unless otherwise specified) θs of the two-way linear marks 12a and 12b is preferably 30 to 90 °, more preferably 45 to 90 °, and 60 to 90 ° is most preferred. By adjusting the sliding contact conditions (sliding contact direction, peripheral speed ratio, etc.) between the plastic film 10 and the pattern roll, linear shapes with various crossing angles θs as shown in Fig. 2 (a) to Fig. 2 (c) Trace 12 is obtained. The alignment of the linear marks is not limited to two directions, and may be three or more directions. 2 (a) consists of linear traces 12a and 12b orthogonal to each other, and the linear trace 12 shown in FIG. 2 (b) consists of linear traces 12a and 12b that intersect at 60 °. The linear trace 12 of c) is composed of linear traces 12a, 12b and 12c in three directions.

(4) 透明オーバーコート
厚さ10〜20 nmの金属薄膜からなる透明導電体層11は非常に薄いので、線状痕の形成中にロールとの摺接で付く擦過傷により大きな影響を受ける。そのため、図3に示すように透明導電体層11の上に厚さ1〜5μm程度の透明オーバーコート13を形成するのが好ましい。透明オーバーコート13は透明プラスチックの溶液を塗布することにより形成することができる。 (4) Transparent overcoat Since the transparent conductor layer 11 made of a metal thin film having a thickness of 10 to 20 nm is very thin, it is greatly affected by scratches caused by sliding contact with the roll during the formation of linear traces. Therefore, it is preferable to form a transparent overcoat 13 having a thickness of about 1 to 5 μm on the transparent conductor layer 11 as shown in FIG. The transparent overcoat 13 can be formed by applying a transparent plastic solution.

(5) 透明保護層
図4に示すように、透明導電体層11及び線状痕12を有する面にそれぞれ透明な保護層14a，14bを形成するのが好ましい。透明保護層14a，14bは透明プラスチックのハードコート又はフィルムであるのが好ましい。フィルムを用いる場合、熱ラミネート法又はドライラミネート法により接着するのが好ましい。プラスチックハードコートは、例えば光硬化性樹脂の塗布及び紫外線の照射により形成することができる。透明保護層14a，14bを形成するハードコート又はフィルムは、線状痕12の効果を確保するためにプラスチックフィルム10と異なる材質であるのが好ましい。各透明保護層14a，14bの厚さは10〜100μm程度が好ましい。透明保護層14aにより透明導電体層11が保護され、透明保護層14bにより線状痕12による不透明性が解消される。 (5) Transparent Protective Layer As shown in FIG. 4, it is preferable to form transparent protective layers 14a and 14b on the surface having the transparent conductor layer 11 and the linear marks 12, respectively. The transparent protective layers 14a and 14b are preferably transparent plastic hard coats or films. When using a film, it is preferable to adhere by a heat laminating method or a dry laminating method. The plastic hard coat can be formed, for example, by application of a photocurable resin and irradiation with ultraviolet rays. The hard coat or film for forming the transparent protective layers 14a and 14b is preferably made of a material different from that of the plastic film 10 in order to ensure the effect of the linear marks 12. The thickness of each transparent protective layer 14a, 14b is preferably about 10-100 μm. The transparent conductor layer 11 is protected by the transparent protective layer 14a, and the opacity due to the linear trace 12 is eliminated by the transparent protective layer 14b.

[2] 透明電磁波吸収フィルムの製造装置
図5(a)〜図5(e) はプラスチックフィルムに線状痕を二方向に形成する装置の一例を示す。線状痕の形成は透明導電体層11の形成の前後いずれでも行うことができるが、透明導電体層11を予め形成した市販のプラスチックフィルム10を使用する方が製造コストを低減できる。その場合、線状痕の形成中に透明導電体層11の損傷を防ぐために、透明導電体層11の上にオーバーコート13を形成しておくのが好ましい。しかし、線状痕はプラスチックフィルム10のプラスチック面（透明導電体層11のない面）に形成するので、透明導電体層11の有無は線状痕の形成方法に直接関係しない。従って、以下の説明では単にプラスチックフィルム10に線状痕を形成する場合を例にとる。 [2] Production Apparatus for Transparent Electromagnetic Wave Absorbing Film FIGS. 5 (a) to 5 (e) show an example of an apparatus for forming linear marks in two directions on a plastic film. The formation of the linear trace can be performed either before or after the formation of the transparent conductor layer 11, but the production cost can be reduced by using a commercially available plastic film 10 on which the transparent conductor layer 11 is previously formed. In this case, it is preferable to form an overcoat 13 on the transparent conductor layer 11 in order to prevent damage to the transparent conductor layer 11 during the formation of the linear traces. However, since the linear trace is formed on the plastic surface of the plastic film 10 (the surface without the transparent conductor layer 11), the presence or absence of the transparent conductor layer 11 is not directly related to the method of forming the linear trace. Therefore, in the following description, a case where a linear mark is simply formed on the plastic film 10 is taken as an example.

図示の装置は、(a) プラスチックフィルム10を巻き出すリール21と、(b) プラスチックフィルム10の幅方向に対して傾斜して配置された第一のパターンロール2aと、(c) 第一のパターンロール2aの上流側でそれと反対側に配置された第一の押えロール3aと、(d) プラスチックフィルム10の幅方向に関して第一のパターンロール2aと逆方向に傾斜し、かつ第一のパターンロール2aと同じ側に配置された第二のパターンロール2bと、(e) 第二のパターンロール2bの下流側でそれと反対側に配置された第二の押えロール3bと、(f) 線状痕付きプラスチックフィルム10’を巻き取るリール24とを有する。その他に、所定の位置に複数のガイドロール22，23が配置されている。各パターンロール2a，2bは、撓みを防止するためにバックアップロール（例えばゴムロール）5a，5bで支持されている。   The illustrated apparatus includes (a) a reel 21 for unwinding the plastic film 10, (b) a first pattern roll 2a disposed to be inclined with respect to the width direction of the plastic film 10, and (c) a first A first presser roll 3a disposed on the upstream side of the pattern roll 2a and on the opposite side thereof; and (d) a first pattern that is inclined in the direction opposite to the first pattern roll 2a with respect to the width direction of the plastic film 10. A second pattern roll 2b disposed on the same side as the roll 2a, (e) a second presser roll 3b disposed on the opposite side to the downstream side of the second pattern roll 2b, and (f) a linear shape. And a reel 24 for winding the plastic film 10 'with a mark. In addition, a plurality of guide rolls 22 and 23 are arranged at predetermined positions. Each pattern roll 2a, 2b is supported by backup rolls (for example, rubber rolls) 5a, 5b in order to prevent bending.

図5(c) に示すように、各パターンロール2a，2bとの摺接位置より低い位置で各押えロール3a，3bがプラスチックフィルム10に接するので、プラスチックフィルム10は各パターンロール2a，2bに押圧される。この条件を満たしたまま各押えロール3a，3bの高さを調整することにより、各パターンロール2a，2bへの押圧力を調整でき、また中心角θ1に比例する摺接距離も調整できる。 As shown in FIG. 5 (c), since the presser rolls 3a and 3b are in contact with the plastic film 10 at positions lower than the sliding contact positions with the pattern rolls 2a and 2b, the plastic film 10 is in contact with the pattern rolls 2a and 2b. Pressed. Each presser rolls 3a while satisfying this condition, by adjusting the height of 3b, each pattern roll 2a, can adjust the pressing force to 2b, also be adjusted even sliding contact distance which is proportional to the center angle theta 1.

図5(d) は線状痕12aがプラスチックフィルム10の進行方向に対して斜めに形成される原理を示す。プラスチックフィルム10の進行方向に対してパターンロール2aは傾斜しているので、パターンロール2a上の硬質微粒子の移動方向（回転方向）とプラスチックフィルム10の進行方向とは異なる。そこでXで示すように、任意の時点においてパターンロール2a上の点Aにおける硬質微粒子がプラスチックフィルム10と接触して痕Bが形成されたとすると、所定の時間後に硬質微粒子は点A’まで移動し、痕Bは点B’まで移動する。点Aから点A’まで硬質微粒子が移動する間、痕は連続的に形成されるので、点A’から点B’まで延在する線状痕12aが形成されたことになる。   FIG. 5 (d) shows the principle that the linear marks 12 a are formed obliquely with respect to the traveling direction of the plastic film 10. Since the pattern roll 2a is inclined with respect to the traveling direction of the plastic film 10, the moving direction (rotating direction) of the hard fine particles on the pattern roll 2a is different from the traveling direction of the plastic film 10. Therefore, as shown by X, if the hard fine particles at point A on the pattern roll 2a come into contact with the plastic film 10 to form a mark B at an arbitrary time, the hard fine particles move to point A ′ after a predetermined time. , Mark B moves to point B ′. While the hard fine particles move from the point A to the point A ′, the traces are continuously formed, so that a linear trace 12 a extending from the point A ′ to the point B ′ is formed.

第一及び第二のパターンロール2a，2bで形成される第一及び第二の線状痕群12A，12Bの方向及び交差角θsは、各パターンロール2a，2bのプラスチックフィルム10に対する角度、及び／又はプラスチックフィルム10の走行速度に対する各パターンロール2a，2bの周速度を変更することにより調整することができる。例えば、プラスチックフィルム10の走行速度bに対するパターンロール2aの周速度aを増大させると、図5(d) のYで示すように線状痕12aを線分C’D’のようにプラスチックフィルム10の進行方向に対して45°にすることができる。同様に、プラスチックフィルム10の幅方向に対するパターンロール2aの傾斜角θ2を変えると、パターンロール2aの周速度aを変えることができる。これはパターンロール2bについても同様である。従って、両パターンロール2a，2bの調整により、線状痕12a，12bの方向を図2(a) 及び図2(b) に例示するように変更することができる。 The direction and crossing angle θs of the first and second linear trace groups 12A, 12B formed by the first and second pattern rolls 2a, 2b are the angles of the pattern rolls 2a, 2b with respect to the plastic film 10, and It can be adjusted by changing the peripheral speed of each pattern roll 2a, 2b with respect to the traveling speed of the plastic film 10. For example, when the circumferential speed a of the pattern roll 2a is increased with respect to the traveling speed b of the plastic film 10, the linear mark 12a is represented by a line segment C'D 'as shown by Y in FIG. 5 (d). It can be 45 ° with respect to the direction of travel. Similarly, when the inclination angle θ 2 of the pattern roll 2a with respect to the width direction of the plastic film 10 is changed, the peripheral speed a of the pattern roll 2a can be changed. The same applies to the pattern roll 2b. Therefore, by adjusting both pattern rolls 2a and 2b, the direction of the linear marks 12a and 12b can be changed as illustrated in FIGS. 2 (a) and 2 (b).

各パターンロール2a，2bはプラスチックフィルム10に対して傾斜しているので、各パターンロール2a，2bとの摺接によりプラスチックフィルム10は幅方向の力を受ける。従って、プラスチックフィルム10の蛇行を防止するために、各パターンロール2a，2bに対する各押えロール3a，3bの高さ及び／又は角度を調整するのが好ましい。例えば、パターンロール2aの軸線と押えロール3aの軸線との交差角θ3を適宜調節すると、幅方向の力をキャンセルするように押圧力の幅方向分布が得られ、もって蛇行を防止することができる。またパターンロール2aと押えロール3aとの間隔の調整も蛇行の防止に寄与する。プラスチックフィルム10の蛇行及び破断を防止するために、プラスチックフィルム10の幅方向に対して傾斜した第一及び第二のパターンロール2a，2bの回転方向はプラスチックフィルム10の進行方向と同じであるのが好ましい。 Since each pattern roll 2a, 2b is inclined with respect to the plastic film 10, the plastic film 10 receives a force in the width direction by sliding contact with each pattern roll 2a, 2b. Therefore, in order to prevent the meandering of the plastic film 10, it is preferable to adjust the height and / or angle of each presser roll 3a, 3b with respect to each pattern roll 2a, 2b. For example, if the crossing angle θ 3 between the axis of the pattern roll 2a and the axis of the presser roll 3a is appropriately adjusted, a widthwise distribution of the pressing force is obtained so as to cancel the force in the widthwise direction, thereby preventing meandering. it can. Further, adjustment of the distance between the pattern roll 2a and the presser roll 3a also contributes to prevention of meandering. In order to prevent the meandering and breaking of the plastic film 10, the rotation directions of the first and second pattern rolls 2a, 2b inclined with respect to the width direction of the plastic film 10 are the same as the traveling direction of the plastic film 10. Is preferred.

プラスチックフィルム10に対するパターンロール2a，2bの押圧力を増大するために、図6に示すようにパターンロール2a，2bの間に第三の押えロール3cを設けても良い。第三の押えロール3cにより中心角θ1に比例するプラスチックフィルム10の摺接距離も増大し、線状痕12a，12bは長くなる。第三の押えロール3cの位置及び傾斜角を調整すると、プラスチックフィルム10の蛇行の防止にも寄与できる。 In order to increase the pressing force of the pattern rolls 2a and 2b against the plastic film 10, a third presser roll 3c may be provided between the pattern rolls 2a and 2b as shown in FIG. Sliding length of the plastic film 10 which is proportional to the center angle theta 1 by a third pressing roll 3c also increases, linear scratches 12a, 12b becomes longer. Adjusting the position and inclination angle of the third presser roll 3c can also contribute to prevention of meandering of the plastic film 10.

図7は、図2(c) に示すように三方向に配向した線状痕を形成する装置の一例を示す。この装置は、第二のパターンロール2bの下流にプラスチックフィルム10の幅方向と平行な第三のパターンロール2cを配置した点で図5(a)〜図5(e) に示す装置と異なる。第三のパターンロール2cの回転方向はプラスチックフィルム10の進行方向と同じでも逆でも良いが、線状痕を効率よく形成するために逆方向が好ましい。幅方向と平行に配置された第三のパターンロール2cはプラスチックフィルム10の進行方向に延在する線状痕12cを形成する。第三の押えロール3dは第三のパターンロール2cの上流側に設けられているが、下流側でも良い。なお図示の例に限定されず、第三のパターンロール2cを第一のパターンロール2aの上流側、又は第一及び第二のパターンロール2a、2bの間に設けても良い。   FIG. 7 shows an example of an apparatus for forming linear traces oriented in three directions as shown in FIG. 2 (c). This apparatus is different from the apparatuses shown in FIGS. 5 (a) to 5 (e) in that a third pattern roll 2c parallel to the width direction of the plastic film 10 is disposed downstream of the second pattern roll 2b. The rotation direction of the third pattern roll 2c may be the same as or opposite to the traveling direction of the plastic film 10, but the reverse direction is preferable in order to efficiently form linear marks. The third pattern roll 2c arranged in parallel with the width direction forms a linear mark 12c extending in the traveling direction of the plastic film 10. The third presser roll 3d is provided on the upstream side of the third pattern roll 2c, but may be provided on the downstream side. The third pattern roll 2c may be provided upstream of the first pattern roll 2a or between the first and second pattern rolls 2a and 2b without being limited to the illustrated example.

図8は、四方向に配向した線状痕を形成する装置の一例を示す。この装置は、第二のパターンロール2bと第三のパターンロール2cとの間に第四のパターンロール2dを設け、第四のパターンロール2dの上流側に第四の押えロール3eを設けた点で図7に示す装置と異なる。第四のパターンロール2dの回転速度を遅くすることにより、図5(d) においてZで示すように、線状痕12a'の方向（線分E’F’）をプラスチックフィルム10の幅方向と平行にすることができる。   FIG. 8 shows an example of an apparatus for forming linear traces oriented in four directions. This apparatus is provided with a fourth pattern roll 2d between the second pattern roll 2b and the third pattern roll 2c, and a fourth presser roll 3e provided upstream of the fourth pattern roll 2d. This is different from the apparatus shown in FIG. By slowing down the rotational speed of the fourth pattern roll 2d, the direction of the line mark 12a ′ (line segment E′F ′) is changed to the width direction of the plastic film 10 as indicated by Z in FIG. 5 (d). Can be parallel.

図9は、図2(a)に示すように直交する線状痕を形成する装置の別の例を示す。この装置は、第二のパターンロール32bがプラスチックフィルム10の幅方向と平行に配置されている点で図5(a)〜図5(e) に示す装置と異なる。従って、図5(a)〜図5(e) に示す装置と異なる部分のみ以下説明する。第二のパターンロール32bの回転方向はプラスチックフィルム10の進行方向と同じでも逆でも良い。また第二の押えロール33bは第二のパターンロール32bの上流側でも下流側でも良い。この装置は、図5(d) においてZで示すように、線状痕12a'の方向（線分E’F’）をフィルム10の幅方向にし、直交する線状痕を形成するのに適している。   FIG. 9 shows another example of an apparatus for forming orthogonal linear marks as shown in FIG. 2 (a). This apparatus differs from the apparatus shown in FIGS. 5 (a) to 5 (e) in that the second pattern roll 32b is arranged in parallel with the width direction of the plastic film 10. FIG. Accordingly, only parts different from the apparatus shown in FIGS. 5 (a) to 5 (e) will be described below. The rotation direction of the second pattern roll 32b may be the same as or opposite to the traveling direction of the plastic film 10. The second presser roll 33b may be on the upstream side or the downstream side of the second pattern roll 32b. This apparatus is suitable for forming a linear trace that is orthogonal to the direction of the linear mark 12a ′ (line segment E′F ′) as shown by Z in FIG. 5 (d). ing.

線状痕の傾斜角及び交差角だけでなく、それらの深さ、幅、長さ及び間隔を決める運転条件は、プラスチックフィルム10の走行速度、パターンロールの回転速度及び傾斜角及び押圧力等である。フィルムの走行速度は5〜200 m/分が好ましく、パターンロールの周速は10〜2,000 m/分が好ましい。パターンロールの傾斜角θ2は20°〜60°が好ましく、特に約45°が好ましい。フィルム10の張力（押圧力に比例する）は0.05〜5 kgf/cm幅が好ましい。 The operating conditions that determine the depth, width, length, and spacing of the line marks as well as the inclination angle and crossing angle of the linear traces are the traveling speed of the plastic film 10, the rotational speed and inclination angle of the pattern roll, and the pressing force. is there. The running speed of the film is preferably 5 to 200 m / min, and the peripheral speed of the pattern roll is preferably 10 to 2,000 m / min. The inclination angle θ 2 of the pattern roll is preferably 20 ° to 60 °, particularly about 45 °. The tension (proportional to the pressing force) of the film 10 is preferably 0.05 to 5 kgf / cm width.

パターンロールは、鋭い角部を有するモース硬度5以上の微粒子を表面に有するロール、例えば特開2002-59487号に記載されているダイヤモンドロールが好ましい。線状痕の幅は微粒子の粒径により決まるので、ダイヤモンド微粒子の90％以上は1〜100μmの範囲内の粒径を有するのが好ましく、10〜50μｍの範囲内の粒径がより好ましい。ダイヤモンド微粒子はロール面に30％以上の面積率で付着しているのが好ましい。   The pattern roll is preferably a roll having fine particles having a Mohs hardness of 5 or more having sharp corners on its surface, for example, a diamond roll described in JP-A-2002-59487. Since the width of the linear mark is determined by the particle size of the fine particles, 90% or more of the diamond fine particles preferably have a particle size in the range of 1 to 100 μm, more preferably in the range of 10 to 50 μm. The diamond fine particles are preferably attached to the roll surface at an area ratio of 30% or more.

[3] 第一の電磁波吸収体
本発明の第一の電磁波吸収体は、複数枚の透明電磁波吸収フィルムを透明誘電体を介して積層するか、1枚以上の透明電磁波吸収フィルムと1枚以上の透明導電フィルムとを透明誘電体を介して積層することにより得られる透明電磁波吸収体である。透明誘電体は透明プラスチック板が好ましく、その厚さは吸収すべき電磁波の中心波長λの1／4を含む範囲、例えばλ／12〜λ／2の範囲とするのが好ましい。 [3] First electromagnetic wave absorber The first electromagnetic wave absorber of the present invention is formed by laminating a plurality of transparent electromagnetic wave absorbing films via a transparent dielectric, or one or more transparent electromagnetic wave absorbing films and one or more sheets. It is a transparent electromagnetic wave absorber obtained by laminating | stacking this transparent conductive film through a transparent dielectric material. The transparent dielectric is preferably a transparent plastic plate, and its thickness is preferably in a range including 1/4 of the center wavelength λ of the electromagnetic wave to be absorbed, for example, in the range of λ / 12 to λ / 2.

(1) 第一の透明電磁波吸収体
第一の透明電磁波吸収体は、複数枚の透明電磁波吸収フィルムを透明誘電体を介して積層してなる。図10(a)、図10(b) 及び図10(c) は第一の透明電磁波吸収体の例を示す。この透明電磁波吸収体は、第一の透明電磁波吸収フィルム1a／透明誘電体30／第二の透明電磁波吸収フィルム1b／透明誘電体30／第三の透明電磁波吸収フィルム1cの層構成を有する。各透明電磁波吸収フィルム1a〜1cの透明導電体層11は、図10(b) に示すように全てプラスチックフィルム10の同じ側にあっても、図10(c) に示すように一部反対側にあっても良い。 (1) First transparent electromagnetic wave absorber The first transparent electromagnetic wave absorber is formed by laminating a plurality of transparent electromagnetic wave absorbing films via a transparent dielectric. FIG. 10 (a), FIG. 10 (b) and FIG. 10 (c) show examples of the first transparent electromagnetic wave absorber. This transparent electromagnetic wave absorber has a layer structure of first transparent electromagnetic wave absorption film 1a / transparent dielectric 30 / second transparent electromagnetic wave absorption film 1b / transparent dielectric 30 / third transparent electromagnetic wave absorption film 1c. Even if the transparent conductive layer 11 of each transparent electromagnetic wave absorbing film 1a to 1c is all on the same side of the plastic film 10 as shown in FIG. 10 (b), it is partially opposite as shown in FIG. 10 (c). It may be.

図14(a)〜図14(f) は第一の透明電磁波吸収体を構成する3枚の透明電磁波吸収フィルム1a〜1cの組合せ例を示す。3枚の透明電磁波吸収フィルム1a〜1cを有する透明電磁波吸収体は、線状痕の交差角θsの組合せにより電磁波吸収能の周波数への依存性を低減できるので、幅広い周波数範囲の電磁波に対して優れた吸収能を発揮することができる。   14 (a) to 14 (f) show examples of combinations of the three transparent electromagnetic wave absorbing films 1a to 1c constituting the first transparent electromagnetic wave absorber. The transparent electromagnetic wave absorber having the three transparent electromagnetic wave absorbing films 1a to 1c can reduce the dependency of the electromagnetic wave absorption ability on the frequency by the combination of the crossing angle θs of the linear traces. Excellent absorbency can be demonstrated.

図14(a) に示す例は図10(a) の構成に対応する。第一及び第三の透明電磁波吸収フィルム1a，1cにおける線状痕の交差角θsは60°であり、第二の透明電磁波吸収フィルム1bにおける線状痕の交差角θsは90°である。線状痕の交差角θsが60°だと電界吸収能に優れた透明電磁波吸収フィルムが得られ、線状痕の交差角θsが90°だと磁界吸収能に優れた透明電磁波吸収フィルムが得られる。従って、線状痕の交差角θsが60°の第一及び第三の透明電磁波吸収フィルム1a，1cと線状痕の交差角θsが90°の第二の透明電磁波吸収フィルム1bとを組合せてなる図14(a) の透明電磁波吸収体は、電界吸収能及び磁界吸収能の両方に優れている。図14(b) に示す例では逆に、第一及び第三の透明電磁波吸収フィルム1a，1cにおける線状痕の交差角θsは90°であり、第二の透明電磁波吸収フィルム1bにおける線状痕の交差角θsは60°である。この例の透明電磁波吸収体も電界吸収能及び磁界吸収能の両方に優れている。   The example shown in FIG. 14 (a) corresponds to the configuration of FIG. 10 (a). The crossing angle θs of linear traces in the first and third transparent electromagnetic wave absorbing films 1a and 1c is 60 °, and the crossing angle θs of linear traces in the second transparent electromagnetic wave absorbing film 1b is 90 °. When the crossing angle θs of the linear marks is 60 °, a transparent electromagnetic wave absorbing film having excellent electric field absorption ability is obtained, and when the crossing angle θs of the linear marks is 90 °, a transparent electromagnetic wave absorbing film having excellent magnetic field absorption ability is obtained. It is done. Accordingly, the first and third transparent electromagnetic wave absorbing films 1a and 1c having a crossing angle θs of linear traces of 60 ° and the second transparent electromagnetic wave absorbing film 1b having a crossing angle θs of linear traces of 90 ° are combined. The transparent electromagnetic wave absorber shown in FIG. 14 (a) is excellent in both electric field absorption ability and magnetic field absorption ability. In the example shown in FIG. 14 (b), conversely, the crossing angle θs of the linear marks in the first and third transparent electromagnetic wave absorbing films 1a, 1c is 90 °, and the linear shape in the second transparent electromagnetic wave absorbing film 1b The crossing angle θs of the mark is 60 °. The transparent electromagnetic wave absorber of this example is also excellent in both electric field absorption ability and magnetic field absorption ability.

図14(c) に示す例では、第一〜第三の透明電磁波吸収フィルム1a〜1cにおける線状痕の交差角θsは全て90°である。この場合、第一及び第三の透明電磁波吸収フィルム1a，1cにおける線状痕と第二の透明電磁波吸収フィルム1bにおける線状痕とは45°で交差しているのが好ましい。この例の透明電磁波吸収体は優れた磁界吸収能を有する。   In the example shown in FIG. 14 (c), the crossing angles θs of the line marks in the first to third transparent electromagnetic wave absorbing films 1a to 1c are all 90 °. In this case, the linear traces in the first and third transparent electromagnetic wave absorbing films 1a and 1c and the linear traces in the second transparent electromagnetic wave absorbing film 1b preferably cross at 45 °. The transparent electromagnetic wave absorber of this example has an excellent magnetic field absorption ability.

図14(d) に示す例では、第一〜第三の透明電磁波吸収フィルム1a〜1cにおける線状痕の交差角θsは全て60°である。この場合、第一及び第三の透明電磁波吸収フィルム1a，1cにおける線状痕の方向と第二の透明電磁波吸収フィルム1bにおける線状痕の方向とは直交しているのが好ましい。この例の透明電磁波吸収体は優れた電界吸収能を有する。   In the example shown in FIG. 14 (d), the crossing angles θs of the line marks in the first to third transparent electromagnetic wave absorbing films 1a to 1c are all 60 °. In this case, the direction of the linear marks in the first and third transparent electromagnetic wave absorbing films 1a and 1c is preferably orthogonal to the direction of the linear marks in the second transparent electromagnetic wave absorbing film 1b. The transparent electromagnetic wave absorber of this example has an excellent electric field absorption ability.

図14(e) 及び図14(f) に示す例では、線状痕の交差角θsが90°の透明電磁波吸収フィルムと線状痕の交差角θsが45°の透明電磁波吸収フィルムとの組合せである。線状痕の交差角θsが60°の透明電磁波吸収フィルムの代わりに線状痕の交差角θsが45°の透明電磁波吸収フィルムを用いても、良好な電界吸収能及び磁界吸収能を有する透明電磁波吸収体が得られる。   In the example shown in FIG. 14 (e) and FIG. 14 (f), a combination of a transparent electromagnetic wave absorbing film having a linear trace crossing angle θs of 90 ° and a transparent electromagnetic wave absorbing film having a linear trace crossing angle θs of 45 ° It is. Even if a transparent electromagnetic wave absorbing film having a crossing angle θs of 45 ° is used instead of a transparent electromagnetic wave absorbing film having a linear mark crossing angle θs of 60 °, the transparent having good electric field absorption ability and magnetic field absorption ability An electromagnetic wave absorber is obtained.

図15(a)〜図15(c) は線状痕の交差角θsが同じ又は異なる2枚の透明電磁波吸収フィルム1a，1bの組合せの例を示す。2枚の透明電磁波吸収フィルム1a，1bを有する透明電磁波吸収体は、吸収すべき周波数に応じて線状痕の交差角θsを組合せることにより、優れた電磁波吸収能を発揮することができる。   FIGS. 15 (a) to 15 (c) show examples of combinations of two transparent electromagnetic wave absorbing films 1a and 1b having the same or different crossing angle θs of linear marks. A transparent electromagnetic wave absorber having two transparent electromagnetic wave absorbing films 1a and 1b can exhibit an excellent electromagnetic wave absorbing ability by combining the crossing angle θs of linear traces according to the frequency to be absorbed.

(2) 第二の透明電磁波吸収体
第二の透明電磁波吸収体の一例は、図12に示すように複数枚の透明電磁波吸収フィルムと1枚の透明導電フィルム1dとを透明誘電体を介して積層してなる。透明導電フィルムは、透明導電体層（金属薄膜）11に線状痕12を形成していない以外透明導電フィルム1と同じで良い。図16(a)〜図16(c) に示すように2枚の透明電磁波吸収フィルム1a，1bと1枚の透明導電フィルム1dの組合せの場合、透明導電フィルム1dが中央に位置し、両側に透明電磁波吸収フィルム1a，1bが位置するのが好ましい。この場合、透明導電フィルム1dは反射板として機能すると考えられる。両側の透明電磁波吸収フィルム1a，1bにおける線状痕の交差角θsの組合せは、例えば60°／60°［図16(a)］、60°／90°［図16(b)］、及び90°／90°［図16(c)］である。 (2) Second transparent electromagnetic wave absorber An example of the second transparent electromagnetic wave absorber is as shown in FIG. 12 with a plurality of transparent electromagnetic wave absorbing films and a transparent conductive film 1d interposed through a transparent dielectric. Laminated. The transparent conductive film may be the same as the transparent conductive film 1 except that the linear trace 12 is not formed on the transparent conductor layer (metal thin film) 11. As shown in FIGS. 16 (a) to 16 (c), in the case of a combination of two transparent electromagnetic wave absorbing films 1a and 1b and one transparent conductive film 1d, the transparent conductive film 1d is located at the center and on both sides. The transparent electromagnetic wave absorbing films 1a and 1b are preferably located. In this case, the transparent conductive film 1d is considered to function as a reflector. The combinations of the crossing angles θs of the linear marks in the transparent electromagnetic wave absorbing films 1a and 1b on both sides are, for example, 60 ° / 60 ° [FIG. 16 (a)], 60 ° / 90 ° [FIG. 16 (b)], and 90 ° / 90 ° [Fig. 16 (c)].

第二の透明電磁波吸収体の別の例は、図13に示すように1枚の透明電磁波吸収フィルム1aと1枚の透明導電フィルム1dとを透明誘電体を介して積層してなる。透明電磁波吸収フィルム1aにおける線状痕の交差角θsは図17(a) 及び図17(b) に示すように60°又は90°が好ましい。   Another example of the second transparent electromagnetic wave absorber is formed by laminating one transparent electromagnetic wave absorbing film 1a and one transparent conductive film 1d via a transparent dielectric as shown in FIG. The crossing angle θs of the line marks in the transparent electromagnetic wave absorbing film 1a is preferably 60 ° or 90 ° as shown in FIGS. 17 (a) and 17 (b).

例示の透明電磁波吸収フィルム1a〜1cの線状痕交差角θsは45°，60°及び90°であったが、本発明は勿論これらに限定されず、30〜90°以内の他の交差角θsも使用可能である。研究の結果、交差角θsは360/偶数であるのが好ましいことが分った。従って、30°，36°，45°，60°及び90°が好ましい。ここで、交差角θsには製造誤差があるので、一般に目標値の±5°以内、好ましくは±3°以内であれば良い。例えば交差角θsが60°の場合、55〜65°の範囲内であれば良い。また交差角θsが90°の場合、85〜90°の範囲内であれば良い。三層の透明電磁波吸収フィルムを有する透明電磁波吸収体の場合、外側の透明電磁波吸収フィルムの線状痕交差角θsは60°又は90°であるのが好ましい。   The linear scar crossing angles θs of the exemplary transparent electromagnetic wave absorbing films 1a to 1c were 45 °, 60 °, and 90 °, but the present invention is of course not limited to these, and other crossing angles within 30 to 90 °. θs can also be used. Research has shown that the crossing angle θs is preferably 360 / even. Therefore, 30 °, 36 °, 45 °, 60 ° and 90 ° are preferable. Here, since there is a manufacturing error in the intersection angle θs, it is generally within ± 5 °, preferably within ± 3 ° of the target value. For example, when the crossing angle θs is 60 °, it may be in the range of 55 to 65 °. Further, when the crossing angle θs is 90 °, it may be within a range of 85 to 90 °. In the case of a transparent electromagnetic wave absorber having a three-layer transparent electromagnetic wave absorbing film, the linear trace crossing angle θs of the outer transparent electromagnetic wave absorbing film is preferably 60 ° or 90 °.

[4] 第二の電磁波吸収体
本発明の第二の電磁波吸収体は、1枚又は複数枚の電磁波吸収フィルムを誘電体を介して導電性反射板と積層してなり、前記電磁波吸収フィルムはプラスチックフィルムの一方の面に金属薄膜からなる導電体層を有するとともに、他方の面に不規則な幅及び間隔で実質的に平行な多数の断続的な線状痕群が複数方向に形成されていることを特徴とする。第二の電磁波吸収体は、(a) 導電性反射板を積層する点、及び(b) 電磁波吸収フィルムの導電体層、及び電磁波吸収フィルムと反射板の間に設ける誘電体がいずれも透明である必要がない点で第一の電磁波吸収体と異なる。従って、以下これらの点についてのみ詳述する。特に断りがなければ、第一の電磁波吸収体についてした説明は、透明である点を除いてそのまま第二の電磁波吸収体にも当てはまる。勿論、第二の電磁波吸収体に用いる電磁波吸収フィルムが透明であっても構わない。 [4] Second electromagnetic wave absorber The second electromagnetic wave absorber of the present invention is formed by laminating one or a plurality of electromagnetic wave absorbing films with a conductive reflector via a dielectric, and the electromagnetic wave absorbing film comprises: A plastic film has a conductive layer made of a metal thin film on one side, and a number of intermittent linear traces substantially parallel with irregular widths and intervals are formed in a plurality of directions on the other side. It is characterized by being. The second electromagnetic wave absorber must be transparent for (a) the point where the conductive reflector is laminated, and (b) the conductor layer of the electromagnetic wave absorber film, and the dielectric provided between the electromagnetic wave absorber film and the reflector plate. It differs from the first electromagnetic wave absorber in that there is no. Therefore, only these points will be described in detail below. Unless otherwise specified, the description of the first electromagnetic wave absorber applies to the second electromagnetic wave absorber as it is except that it is transparent. Of course, the electromagnetic wave absorbing film used for the second electromagnetic wave absorber may be transparent.

導電性反射板は導電性を有する限り材質は限定されないが、コストの面からアルミニウム板、銅板、亜鉛板等か好ましい。導電性反射板の厚さは限定的ではなく、例えば0.1〜3 mm程度で良い。   The material of the conductive reflector is not limited as long as it has conductivity, but an aluminum plate, a copper plate, a zinc plate, or the like is preferable from the viewpoint of cost. The thickness of the conductive reflector is not limited, and may be about 0.1 to 3 mm, for example.

良好な電磁波吸収能を発揮するために、各電磁波吸収フィルムの導電体層は100〜1000Ω／□の表面抵抗を有する金属薄膜であるのが好ましい。異なる金属薄膜はアルミニウム又はニッケルの薄膜であるのが好ましい。このような金属薄膜は一般に10〜100 nm程度の厚さを有する。   In order to exhibit good electromagnetic wave absorbing ability, the conductor layer of each electromagnetic wave absorbing film is preferably a metal thin film having a surface resistance of 100 to 1000 Ω / □. The different metal film is preferably an aluminum or nickel film. Such a metal thin film generally has a thickness of about 10 to 100 nm.

電磁波吸収フィルムの他方の面（導電体層が形成されていない面）に設けられた線状痕の交差角は、第一の電磁波吸収体と同様に30〜90°の範囲内が好ましく、45〜90°がより好ましく、60〜90°が最も好ましい。   The crossing angle of the linear traces provided on the other surface of the electromagnetic wave absorbing film (the surface on which the conductor layer is not formed) is preferably in the range of 30 to 90 °, as in the first electromagnetic wave absorber, -90 ° is more preferred, and 60-90 ° is most preferred.

第二の電磁波吸収体の好ましい層構成は、(a) 電磁波吸収フィルム／誘電体／反射板（図18）、(b) 電磁波吸収フィルム／誘電体／電磁波吸収フィルム／誘電体／反射板（図19）等である。2枚以上の電磁波吸収フィルムを有する場合、電磁波吸収能の異方性を低減するために線状痕の配向及び／又は交差角が異なるのが好ましい。   The preferred layer structure of the second electromagnetic wave absorber is (a) electromagnetic wave absorbing film / dielectric / reflector (FIG. 18), (b) electromagnetic wave absorbing film / dielectric / electromagnetic wave absorbing film / dielectric / reflector (figure 18). 19) etc. In the case of having two or more electromagnetic wave absorbing films, it is preferable that the orientation and / or the crossing angle of the linear traces are different in order to reduce the anisotropy of the electromagnetic wave absorbing ability.

本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。   The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited thereto.

参考例1〜3
厚さ16μmの二軸延伸ポリエチレンテレフタレート（PET）フィルムの一面に厚さがそれぞれ10 nm，15 nm及び20 nmのNi薄膜を蒸着してなる透明導電フィルムの表面抵抗（直流二端子法で測定）及び可視光透過率測定した。結果を表1に示す。 Reference examples 1-3
Surface resistance of a transparent conductive film formed by depositing Ni thin films with a thickness of 10 nm, 15 nm, and 20 nm on one side of a 16 μm thick biaxially oriented polyethylene terephthalate (PET) film (measured by the DC two-terminal method) The visible light transmittance was measured. The results are shown in Table 1.

Figure 2012099665
Figure 2012099665

参考例4
透明導電フィルムの電磁波吸収能
参考例3の透明導電フィルムの試験片TP（32 cm×52 cm）の電磁波吸収能を、図20に示す装置を用いて評価した。この装置は、厚さ2 cmの誘電体ホルダ62と、ホルダ62から100 cm離れた送信アンテナ63a及び受信アンテナ63bと、アンテナ63a，63bに接続したネットワークアナライザ64とを有する。まずホルダ62の前面（アンテナ側）に固定したアルミニウム板（32 cm×52 cm×2 mm）に、アンテナ63aから10°から60°まで10°間隔で入射角度θiを変えながら、1〜5.5 GHzの周波数の電磁波（円偏波）を0.25 GHzの周波数間隔で照射し、アンテナ63bで反射波を受信し、ネットワークアナライザ64により反射電力を測定した。次にNi薄膜をアンテナ63a，63b側にして試験片TPをホルダ62の前面に固定し、上記と同様にして反射電力を測定した。 Reference example 4
Electromagnetic wave absorbing ability of transparent conductive film The electromagnetic wave absorbing ability of the transparent conductive film test piece TP (32 cm × 52 cm) of Reference Example 3 was evaluated using the apparatus shown in FIG. This apparatus includes a dielectric holder 62 having a thickness of 2 cm, a transmitting antenna 63a and a receiving antenna 63b that are 100 cm away from the holder 62, and a network analyzer 64 that is connected to the antennas 63a and 63b. First, on the aluminum plate (32 cm x 52 cm x 2 mm) fixed to the front surface (antenna side) of the holder 62, 1 to 5.5 GHz while changing the incident angle θi from the antenna 63a at 10 ° intervals from 10 ° to 60 ° An electromagnetic wave (circularly polarized wave) having a frequency of 0.25 GHz was irradiated at a frequency interval of 0.25 GHz, the reflected wave was received by the antenna 63b, and the reflected power was measured by the network analyzer 64. Next, the test piece TP was fixed to the front surface of the holder 62 with the Ni thin film facing the antennas 63a and 63b, and the reflected power was measured in the same manner as described above.

アルミニウム板を用いて測定した反射電力が入射電力と等しいと仮定し、反射係数（反射電力／入射電力）RCを求め、RL（dB）＝20 log(1/RC)により反射減衰量（リターンロス）RL（dB）を求めた。各入射角度θiにおける反射減衰量は周波数に応じて変化するので、反射減衰量が最大となるときの周波数（ピーク周波数）で得られた電磁波吸収率をピーク吸収率とした。ピーク吸収率及びピーク周波数をそれぞれ図21に示す。図21から明らかなように、10〜60°の入射角度範囲で10 dB以上のピーク吸収率を有していた。これから、Ni薄膜を有する透明導電フィルム自身も相当の電磁波吸収能を有することが分かる。   Assuming that the reflected power measured using an aluminum plate is equal to the incident power, the reflection coefficient (reflected power / incident power) RC is obtained, and the return loss (return loss) is calculated by RL (dB) = 20 log (1 / RC). ) RL (dB) was obtained. Since the return loss at each incident angle θi varies depending on the frequency, the electromagnetic wave absorption obtained at the frequency (peak frequency) when the return loss is maximized was taken as the peak absorption rate. FIG. 21 shows the peak absorption rate and the peak frequency, respectively. As is clear from FIG. 21, the peak absorption rate was 10 dB or more in the incident angle range of 10 to 60 °. From this, it can be seen that the transparent conductive film itself having the Ni thin film also has a considerable electromagnetic wave absorbing ability.

実施例1
交差角60°／交差角90°／交差角60°の透明電磁波吸収体
粒径分布が50〜80μmのダイヤモンド微粒子を電着したパターンロール2a，2bを有する図5(a) に示す構造の装置を用い、参考例2の透明導電フィルムのプラスチック面（Ni薄膜が形成されていない面）に90°で交差する二方向の線状痕を形成し、図2(a) に示す透明電磁波吸収フィルムを作製し、また参考例2の透明導電フィルムのプラスチック面（Ni薄膜が形成されていない面）に60°で交差する二方向の線状痕を形成し、図2(b) に示す透明電磁波吸収フィルムを作製した。これらの透明電磁波吸収フィルムにおける線状痕の特性は下記の通りであった。
幅Wの範囲：0.5〜5μm
平均幅Wav：2μm
横手方向間隔Iの範囲：2〜30μm
平均横手方向間隔Iav：10μm
平均長さLav：5 mm
交差角θs：90°及び60° Example 1
Transparent electromagnetic wave absorber with crossing angle of 60 ° / crossing angle of 90 ° / crossing angle of 60 ° Equipment with structure shown in Fig. 5 (a) having pattern rolls 2a and 2b electrodeposited with diamond fine particles with particle size distribution of 50 ~ 80μm A transparent electromagnetic wave absorbing film shown in Fig. 2 (a) is formed by forming two-way linear traces that intersect at 90 ° on the plastic surface (surface on which no Ni thin film is formed) of the transparent conductive film of Reference Example 2 In addition, the transparent conductive film of Reference Example 2 was formed with two-way linear marks intersecting at 60 ° on the plastic surface (the surface on which the Ni thin film was not formed), and the transparent electromagnetic wave shown in Fig. 2 (b) An absorption film was prepared. The characteristics of the linear marks in these transparent electromagnetic wave absorbing films were as follows.
Width W range: 0.5-5μm
Average width Wav: 2μm
Range in the lateral direction I: 2 to 30 μm
Average lateral direction interval Iav: 10μm
Average length Lav: 5 mm
Crossing angle θs: 90 ° and 60 °

線状痕の交差角θsが90°の透明電磁波吸収フィルムの試験片（32 cm×52 cm）1枚と、線状痕の交差角θsが60°の透明電磁波吸収フィルムの試験片（32 cm×52 cm）2枚とを図14(a) に示すように組合せ、透明誘電体（32 cm×52 cm×2 cmのプラスチック板）を介して積層し、図10(a) に示す層構成（交差角60°の透明電磁波吸収フィルム／透明誘電体／交差角90°の透明電磁波吸収フィルム／透明誘電体／交差角60°の透明電磁波吸収フィルム）を有する透明電磁波吸収体を作製した。この透明電磁波吸収体のピーク吸収率及びピーク周波数を参考例4と同様に測定した。結果を図22に示す。図22から明らかなように、10°〜60°の入射角度範囲で、TE波のピーク吸収率は約13〜27 dBであり、またTM波のピーク吸収率は約27〜48 dBであった。この結果から、交差角が60°／90°／60°の組合せでは10°〜60°の入射角度範囲で、(a) TE波及びTM波とも高いピーク吸収率を示すとともに、(b) TE波の方がTM波より多く吸収されることが分かる。   One transparent electromagnetic wave absorbing film specimen (32 cm x 52 cm) with a linear mark crossing angle θs of 90 ° and a transparent electromagnetic wave absorbing film test piece (32 cm) with a linear mark crossing angle θs of 60 ° × 52 cm) are combined as shown in Fig. 14 (a), laminated via a transparent dielectric (32 cm × 52 cm × 2 cm plastic plate), and the layer structure shown in Fig. 10 (a) A transparent electromagnetic wave absorber having (transparent electromagnetic wave absorbing film having a crossing angle of 60 ° / transparent dielectric / transparent electromagnetic wave absorbing film having a crossing angle of 90 ° / transparent dielectric / transparent electromagnetic wave absorbing film having a crossing angle of 60 °) was produced. The peak absorption rate and peak frequency of this transparent electromagnetic wave absorber were measured in the same manner as in Reference Example 4. The results are shown in FIG. As is clear from FIG. 22, in the incident angle range of 10 ° to 60 °, the TE wave peak absorptance was about 13 to 27 dB, and the TM wave peak absorptance was about 27 to 48 dB. . From this result, when the crossing angle is 60 ° / 90 ° / 60 °, (a) TE wave and TM wave show high peak absorptance in the incident angle range of 10 ° -60 °, and (b) TE It can be seen that the wave is absorbed more than the TM wave.

実施例2
交差角90°／交差角60°／交差角90°の透明電磁波吸収体
実施例1で作製した線状痕の交差角θsが90°の透明電磁波吸収フィルムの試験片（32 cm×52 cm）2枚と、実施例1で作製した線状痕の交差角θsが60°の透明電磁波吸収フィルムの試験片（32 cm×52 cm）1枚とを、図14(b) に示すように組合せ、透明誘電体（32 cm×52 cm×2 cmのプラスチック板）を介して積層し、交差角90°の透明電磁波吸収フィルム／透明誘電体／交差角60°の透明電磁波吸収フィルム／透明誘電体／交差角90°の透明電磁波吸収フィルムからなる層構成を有する透明電磁波吸収体を作製した。この透明電磁波吸収体のピーク吸収率及びピーク周波数を参考例4と同様に測定した。結果を図23に示す。図23から明らかなように、10°〜60°の入射角度範囲で、TE波のピーク吸収率は約12〜26 dBであり、またTM波のピーク吸収率は約24〜43 dBであった。この結果から、交差角が90°／60°／90°の組合せでは10°〜60°の入射角度範囲で、(a) TE波及びTM波とも高いピーク吸収率を示すとともに、(b) TM波の方がTE波より多く吸収されることが分かる。 Example 2
Transparent electromagnetic wave absorber with crossing angle of 90 ° / crossing angle of 60 ° / crossing angle of 90 ° Transparent electromagnetic wave absorbing film test piece (32 cm × 52 cm) having a crossing angle θs of 90 ° of the linear scar produced in Example 1 As shown in FIG. 14 (b), two sheets and one test piece (32 cm × 52 cm) of a transparent electromagnetic wave absorbing film having a crossing angle θs of 60 ° produced in Example 1 were combined. , Laminated via a transparent dielectric (32 cm x 52 cm x 2 cm plastic plate), transparent electromagnetic wave absorbing film with 90 ° crossing angle / transparent dielectric / transparent electromagnetic wave absorbing film with 60 ° crossing angle / transparent dielectric / A transparent electromagnetic wave absorber having a layer structure composed of a transparent electromagnetic wave absorbing film having a crossing angle of 90 ° was produced. The peak absorption rate and peak frequency of this transparent electromagnetic wave absorber were measured in the same manner as in Reference Example 4. The results are shown in FIG. As is clear from FIG. 23, in the incident angle range of 10 ° to 60 °, the TE wave peak absorptance was about 12 to 26 dB, and the TM wave peak absorptance was about 24 to 43 dB. . From this result, when the crossing angle is 90 ° / 60 ° / 90 °, (a) both TE wave and TM wave show high peak absorptance in the incident angle range of 10 ° -60 °, and (b) TM It can be seen that the wave is absorbed more than the TE wave.

実施例3
交差角60°／交差角45°／交差角60°の透明電磁波吸収体
線状痕の交差角θsを45°とした以外実施例1と同様にして透明電磁波吸収フィルムを作製した。この透明電磁波吸収フィルムの試験片（32 cm×52 cm）1枚を、線状痕の交差角θsが60°の透明電磁波吸収フィルムの試験片（32 cm×52 cm）2枚と図14(e) に示すように組合せ、透明誘電体（32 cm×52 cm×2 cmのプラスチック板）を介して積層し、交差角60°の透明電磁波吸収フィルム／透明誘電体／交差角45°の透明電磁波吸収フィルム／透明誘電体／交差角60°の透明電磁波吸収フィルムからなる層構成を有する透明電磁波吸収体を作製した。この透明電磁波吸収体のピーク吸収率及びピーク周波数を参考例4と同様に測定した。結果を図24に示す。図24から明らかなように、TE波のピーク吸収率は約13〜22 dBであり、またTM波のピーク吸収率は約25〜45 dBであった。この結果から、交差角が90°／45°／90°の組合せでは10°〜60°の入射角度範囲で、(a) TE波及びTM波とも高いピーク吸収率を示すとともに、(b) TM波の方がTE波より多く吸収されることが分かる。 Example 3
Transparent electromagnetic wave absorber with crossing angle of 60 ° / crossing angle of 45 ° / crossing angle of 60 ° A transparent electromagnetic wave absorbing film was produced in the same manner as in Example 1 except that the crossing angle θs of the linear marks was 45 °. One test piece (32 cm x 52 cm) of this transparent electromagnetic wave absorption film, two test pieces of transparent electromagnetic wave absorption film (32 cm x 52 cm) with a crossing angle θs of linear marks of 60 °, and Fig. 14 ( e) Combined and laminated via transparent dielectric (32 cm × 52 cm × 2 cm plastic plate) as shown in e), transparent electromagnetic wave absorbing film with a crossing angle of 60 ° / transparent dielectric / transparent with a crossing angle of 45 ° A transparent electromagnetic wave absorber having a layer structure composed of an electromagnetic wave absorbing film / transparent dielectric / transparent electromagnetic wave absorbing film having a crossing angle of 60 ° was produced. The peak absorption rate and peak frequency of this transparent electromagnetic wave absorber were measured in the same manner as in Reference Example 4. The results are shown in FIG. As is clear from FIG. 24, the peak absorption rate of the TE wave was about 13 to 22 dB, and the peak absorption rate of the TM wave was about 25 to 45 dB. From this result, when the crossing angle is 90 ° / 45 ° / 90 °, (a) both TE wave and TM wave show high peak absorptivity in the incident angle range of 10 ° -60 °, and (b) TM It can be seen that the wave is absorbed more than the TE wave.

実施例4
交差角90°の電磁波吸収フィルムと反射板との組合せ
実施例1で作製した線状痕の交差角θsが90°の電磁波吸収フィルムの試験片（32 cm×52 cm）1枚を、誘電体（32 cm×52 cm×3 cmのプラスチック板）を介してアルミニウム板（32 cm×52 cm×2 mm）からなる反射板と積層し、得られた電磁波吸収体を図18に示す装置のホルダ62に固定し、参考例4と同様に電磁波吸収能を評価した。交差角90°の電磁波吸収フィルム／誘電体／反射板からなる電磁波吸収体のピーク吸収率及びピーク周波数を図25に示す。図25から明らかなように、TE波のピーク吸収率は約12〜22 dBであり、またTM波のピーク吸収率は約10〜43 dBであった。この結果から、交差角が90°の電磁波吸収フィルムと反射板との組合せでは、10°〜60°の入射角度範囲で、(a) TE波及びTM波とも高いピーク吸収率を示すとともに、(b) TM波の方がTE波より多く吸収されることが分かる。 Example 4
Combination of an electromagnetic wave absorbing film having a crossing angle of 90 ° and a reflecting plate A test piece (32 cm × 52 cm) of an electromagnetic wave absorbing film having a crossing angle θs of 90 ° of the linear scar produced in Example 1 is a dielectric. 18 is laminated with a reflector made of an aluminum plate (32 cm × 52 cm × 2 mm) through a plastic plate (32 cm × 52 cm × 3 cm), and the obtained electromagnetic wave absorber is a holder of the apparatus shown in FIG. The electromagnetic wave absorbing ability was evaluated in the same manner as in Reference Example 4. FIG. 25 shows the peak absorptance and peak frequency of an electromagnetic wave absorber composed of an electromagnetic wave absorbing film / dielectric / reflector having a 90 ° crossing angle. As is clear from FIG. 25, the peak absorption rate of the TE wave was about 12 to 22 dB, and the peak absorption rate of the TM wave was about 10 to 43 dB. From this result, in the combination of the electromagnetic wave absorbing film having a crossing angle of 90 ° and the reflector, in the incident angle range of 10 ° to 60 °, (a) both the TE wave and the TM wave show a high peak absorption rate, and ( b) It can be seen that TM waves are absorbed more than TE waves.

実施例5
交差角60°の電磁波吸収フィルムと反射板との組合せ
実施例1で作製した線状痕の交差角θsが60°の電磁波吸収フィルムの試験片（32 cm×52 cm）1枚を、誘電体（32 cm×52 cm×3 cmのプラスチック板）を介してアルミニウム板（32 cm×52 cm×2 mm）からなる反射板と積層し、得られた電磁波吸収体を図18に示す装置のホルダ62に固定し、参考例4と同様に電磁波吸収能を評価した。交差角60°の透明電磁波吸収フィルム／透明誘電体／反射板からなる電磁波吸収体のピーク吸収率及びピーク周波数を図26に示す。図26から明らかなように、TE波のピーク吸収率は約12〜24 dBであり、またTM波のピーク吸収率は約10〜38 dBであった。この結果から、交差角が60°の電磁波吸収フィルムと反射板との組合せでは、10°〜60°の入射角度範囲で、(a) TE波及びTM波とも高いピーク吸収率を示すとともに、(b) TM波の方がTE波より多く吸収されることが分かる。 Example 5
Combination of an electromagnetic wave absorbing film having a crossing angle of 60 ° and a reflecting plate A test piece (32 cm × 52 cm) of an electromagnetic wave absorbing film having a crossing angle θs of 60 ° of the linear scar produced in Example 1 is a dielectric. 18 is laminated with a reflector made of an aluminum plate (32 cm × 52 cm × 2 mm) through a plastic plate (32 cm × 52 cm × 3 cm), and the obtained electromagnetic wave absorber is a holder of the apparatus shown in FIG. The electromagnetic wave absorbing ability was evaluated in the same manner as in Reference Example 4. FIG. 26 shows the peak absorptance and peak frequency of an electromagnetic wave absorber composed of a transparent electromagnetic wave absorbing film / transparent dielectric / reflector having an intersection angle of 60 °. As is clear from FIG. 26, the peak absorption rate of the TE wave was about 12 to 24 dB, and the peak absorption rate of the TM wave was about 10 to 38 dB. From this result, in the combination of the electromagnetic wave absorbing film having a crossing angle of 60 ° and the reflector, in the incident angle range of 10 ° to 60 °, (a) both the TE wave and the TM wave show a high peak absorption rate, and ( b) It can be seen that TM waves are absorbed more than TE waves.

実施例6
交差角45°の電磁波吸収フィルムと反射板との組合せ
実施例3で作製した線状痕の交差角θsが45°の電磁波吸収フィルムの試験片（32 cm×52 cm）1枚を、誘電体（32 cm×52 cm×3 cmのプラスチック板）を介してアルミニウム板（32 cm×52 cm×2 mm）からなる反射板と積層し、得られた電磁波吸収体を図18に示す装置のホルダ62に固定し、参考例4と同様に電磁波吸収能を評価した。交差角45°の電磁波吸収フィルム／誘電体／反射板からなる電磁波吸収体のピーク吸収率及びピーク周波数を図27に示す。図27から明らかなように、TE波のピーク吸収率は約13〜30 dBであり、またTM波のピーク吸収率は約10〜45 dBであった。この結果から、交差角が60°の電磁波吸収フィルムと反射板との組合せでは、10°〜60°の入射角度範囲で、(a) TE波及びTM波とも高いピーク吸収率を示すとともに、(b) TE波及びTM波とも吸収率は同程度であることが分かる。 Example 6
Combination of electromagnetic wave absorbing film having a crossing angle of 45 ° and a reflecting plate A test piece (32 cm × 52 cm) of an electromagnetic wave absorbing film having a crossing angle θs of 45 ° of the linear scar produced in Example 3 is a dielectric. 18 is laminated with a reflector made of an aluminum plate (32 cm × 52 cm × 2 mm) through a plastic plate (32 cm × 52 cm × 3 cm), and the obtained electromagnetic wave absorber is a holder of the apparatus shown in FIG. The electromagnetic wave absorbing ability was evaluated in the same manner as in Reference Example 4. FIG. 27 shows the peak absorptance and peak frequency of an electromagnetic wave absorber composed of an electromagnetic wave absorbing film / dielectric / reflector having an intersection angle of 45 °. As is clear from FIG. 27, the peak absorption rate of the TE wave was about 13 to 30 dB, and the peak absorption rate of the TM wave was about 10 to 45 dB. From this result, in the combination of the electromagnetic wave absorbing film having a crossing angle of 60 ° and the reflector, in the incident angle range of 10 ° to 60 °, (a) both the TE wave and the TM wave show a high peak absorption rate, and ( b) It can be seen that the absorption rate is the same for both TE and TM waves.

実施例7
交差角36°の電磁波吸収フィルムと反射板との組合せ
交差角を36°とした以外実施例1と同様にして電磁波吸収フィルムを作製した。この電磁波吸収フィルムの試験片（32 cm×52 cm）1枚を、誘電体（32 cm×52 cm×3 cmのプラスチック板）を介してアルミニウム板（32 cm×52 cm×2 mm）からなる反射板と積層し、得られた電磁波吸収体を図18に示す装置のホルダ62に固定し、参考例4と同様に電磁波吸収能を評価した。交差角36°の電磁波吸収フィルム／誘電体／反射板からなる電磁波吸収体のピーク吸収率及びピーク周波数を図28に示す。図28から明らかなように、TE波のピーク吸収率は約13〜28 dBであり、またTM波のピーク吸収率は約10〜36 dBであった。この結果から、交差角が36°の電磁波吸収フィルムと反射板との組合せでは、10°〜60°の入射角度範囲で、(a) TE波及びTM波とも高いピーク吸収率を示すとともに、(b) TM波の方がTE波よりやや多く吸収されることが分かる。 Example 7
Combination of electromagnetic wave absorbing film having a crossing angle of 36 ° and a reflecting plate An electromagnetic wave absorbing film was produced in the same manner as in Example 1 except that the crossing angle was set to 36 °. One test piece (32 cm x 52 cm) of this electromagnetic wave absorbing film is made of an aluminum plate (32 cm x 52 cm x 2 mm) via a dielectric (32 cm x 52 cm x 3 cm plastic plate) The electromagnetic wave absorber obtained by laminating with the reflector was fixed to the holder 62 of the apparatus shown in FIG. 18, and the electromagnetic wave absorbing ability was evaluated in the same manner as in Reference Example 4. FIG. 28 shows the peak absorptance and peak frequency of an electromagnetic wave absorber composed of an electromagnetic wave absorbing film / dielectric / reflector having a crossing angle of 36 °. As is clear from FIG. 28, the peak absorption rate of the TE wave was about 13 to 28 dB, and the peak absorption rate of the TM wave was about 10 to 36 dB. From this result, in the combination of the electromagnetic wave absorption film having a crossing angle of 36 ° and the reflection plate, (a) both the TE wave and the TM wave show a high peak absorption rate in the incident angle range of 10 ° to 60 °, and ( b) It can be seen that TM waves are absorbed a little more than TE waves.

実施例8
90°／60°／反射板の組合せ
実施例1で作製した線状痕の交差角θsが90°の電磁波吸収フィルムの試験片（32 cm×52 cm）1枚と、実施例1で作製した線状痕の交差角θsが60°の電磁波吸収フィルムの試験片（32 cm×52 cm）1枚と、アルミニウム板（32 cm×52 cm×2 mm）からなる反射板とを誘電体（32 cm×52 cm×3 cmのプラスチック板）を介して積層し、交差角θsが90°の電磁波吸収フィルム／誘電体／交差角θsが60°の電磁波吸収フィルム／誘電体／反射板からなる層構成を有する電磁波吸収体を得た。この電磁波吸収体を図18に示す装置のホルダ62に固定し、参考例4と同様に電磁波吸収能を評価した。この電磁波吸収体のピーク吸収率及びピーク周波数を図29に示す。図29から明らかなように、TE波のピーク吸収率は約15〜38 dBであり、またTM波のピーク吸収率は約12〜31 dBであった。この結果から、90°／60°／反射板の組合せでは、10°〜60°の入射角度範囲で、(a) TE波及びTM波とも高いピーク吸収率を示すとともに、(b) TE波の方がTM波より多く吸収されることが分かる。 Example 8
Combination of 90 ° / 60 ° / reflector A sample of an electromagnetic wave absorbing film (32 cm × 52 cm) having a crossing angle θs of 90 ° between the linear marks produced in Example 1 and the sample produced in Example 1 A test piece (32 cm x 52 cm) of an electromagnetic wave absorbing film with a line mark crossing angle θs of 60 ° and a reflector made of an aluminum plate (32 cm x 52 cm x 2 mm) (32 a layer consisting of an electromagnetic wave absorbing film / dielectric / crossing angle θs of 60 ° / crossing angle θs / dielectric / reflecting plate with a crossing angle θs of 90 °. An electromagnetic wave absorber having a configuration was obtained. This electromagnetic wave absorber was fixed to the holder 62 of the apparatus shown in FIG. 18, and the electromagnetic wave absorbing ability was evaluated in the same manner as in Reference Example 4. FIG. 29 shows the peak absorption rate and peak frequency of this electromagnetic wave absorber. As is apparent from FIG. 29, the peak absorption rate of the TE wave was about 15 to 38 dB, and the peak absorption rate of the TM wave was about 12 to 31 dB. From this result, in the 90 ° / 60 ° / reflector combination, (a) TE wave and TM wave show high peak absorptivity in the incident angle range of 10 ° -60 °, and (b) TE wave It can be seen that more is absorbed than TM waves.

実施例9
90°／45°／反射板の組合せ
実施例1で作製した線状痕の交差角θsが90°の電磁波吸収フィルムの試験片（32 cm×52 cm）1枚と、実施例3で作製した線状痕の交差角θsが45°の電磁波吸収フィルムの試験片（32 cm×52 cm）1枚と、アルミニウム板（32 cm×52 cm×2 mm）からなる反射板とを誘電体（32 cm×52 cm×3 cmのプラスチック板）を介して積層し、交差角θsが90°の電磁波吸収フィルム／誘電体／交差角θsが45°の電磁波吸収フィルム／誘電体／反射板からなる層構成を有する電磁波吸収体を得た。この電磁波吸収体を図18に示す装置のホルダ62に固定し、参考例4と同様に電磁波吸収能を評価した。この電磁波吸収体のピーク吸収率及びピーク周波数を図30に示す。図30から明らかなように、TE波のピーク吸収率は約15〜35 dBであり、またTM波のピーク吸収率は約13〜33 dBであった。この結果から、90°／45°／反射板の組合せでは、10°〜60°の入射角度範囲で、(a) TE波及びTM波とも高いピーク吸収率を示すとともに、(b) TE波の方がTM波より多く吸収されることが分かる。 Example 9
Combination of 90 ° / 45 ° / reflector A sample of an electromagnetic wave absorbing film (32 cm × 52 cm) having a crossing angle θs of 90 ° of the linear scar produced in Example 1 and that produced in Example 3 A test piece (32 cm x 52 cm) of an electromagnetic wave absorbing film with a crossing angle θs of 45 ° as a linear mark and a reflector made of an aluminum plate (32 cm x 52 cm x 2 mm) (32 layer consisting of an electromagnetic wave absorbing film having a crossing angle θs of 90 ° / dielectric / an electromagnetic wave absorbing film having a crossing angle θs of 45 ° / a dielectric / reflecting plate. An electromagnetic wave absorber having a configuration was obtained. This electromagnetic wave absorber was fixed to the holder 62 of the apparatus shown in FIG. 18, and the electromagnetic wave absorbing ability was evaluated in the same manner as in Reference Example 4. FIG. 30 shows the peak absorption rate and peak frequency of this electromagnetic wave absorber. As is clear from FIG. 30, the TE wave peak absorptance was about 15 to 35 dB, and the TM wave peak absorptance was about 13 to 33 dB. From this result, in the combination of 90 ° / 45 ° / reflector, (a) TE wave and TM wave show high peak absorptance in the incident angle range of 10 ° -60 °, and (b) TE wave It can be seen that more is absorbed than TM waves.

１，1a，1b，1c・・・（透明）電磁波吸収フィルム
1a，1b，1c・・・（透明）電磁波吸収フィルム
1d・・・（透明）導電フィルム
10・・・プラスチックフィルム
11・・・金属薄膜
12，12a，12b，12c・・・線状痕
13・・・（透明）オーバーコート
14a，14b・・・（透明）保護層
1'・・・複合フィルム
2a，2b，2c，2d・・・パターンロール
3a，3b，3c，3d，3e・・・押えロール
30・・・（透明）誘電体
40・・・反射板 1, 1a, 1b, 1c (Transparent) electromagnetic wave absorbing film
1a, 1b, 1c (Transparent) electromagnetic wave absorbing film
1d (Transparent) conductive film
10 ... Plastic film
11 ... Metal thin film
12, 12a, 12b, 12c ... linear marks
13 ... (Transparent) Overcoat
14a, 14b ... (Transparent) protective layer
1 '・ ・ ・ Composite film
2a, 2b, 2c, 2d ... Pattern roll
3a, 3b, 3c, 3d, 3e ... Presser roll
30 ... (Transparent) Dielectric
40 ... Reflector

Claims (21)

複数枚の透明電磁波吸収フィルムを透明誘電体を介して積層してなる透明電磁波吸収体であって、前記透明電磁波吸収フィルムはプラスチックフィルムの一方の面に透明導電体層を有するとともに、他方の面に不規則な幅及び間隔で実質的に平行な多数の断続的な線状痕群が複数方向に形成されており、前記透明導電体層は厚さ10〜20 nmの金属薄膜からなることを特徴とする透明電磁波吸収体。 A transparent electromagnetic wave absorber formed by laminating a plurality of transparent electromagnetic wave absorbing films via a transparent dielectric, the transparent electromagnetic wave absorbing film having a transparent conductor layer on one side of a plastic film and the other side A plurality of intermittent line traces substantially parallel with irregular widths and intervals are formed in a plurality of directions, and the transparent conductor layer is formed of a metal thin film having a thickness of 10 to 20 nm. A characteristic transparent electromagnetic wave absorber. 請求項1に記載の透明電磁波吸収体において、前記金属薄膜が100〜1000Ω／□の表面抵抗を有することを特徴とする透明電磁波吸収体。 2. The transparent electromagnetic wave absorber according to claim 1, wherein the metal thin film has a surface resistance of 100 to 1000 Ω / □. 請求項2に記載の透明電磁波吸収体において、前記金属薄膜がアルミニウム又はニッケル薄膜であることを特徴とする透明電磁波吸収体。 3. The transparent electromagnetic wave absorber according to claim 2, wherein the metal thin film is an aluminum or nickel thin film. 請求項1〜3のいずれかに記載の透明電磁波吸収体において、各透明電磁波吸収フィルムの線状痕が二方向に配向しており、その交差角が30〜90°であることを特徴とする透明電磁波吸収体。 The transparent electromagnetic wave absorber according to any one of claims 1 to 3, wherein the linear traces of each transparent electromagnetic wave absorbing film are oriented in two directions, and the crossing angle is 30 to 90 °. Transparent electromagnetic wave absorber. 請求項1〜4のいずれかに記載の透明電磁波吸収体において、前記線状痕の幅は90％以上が0.1〜100μmの範囲内にあって、平均1〜50μmであり、前記線状痕の間隔は0.1〜200μmの範囲内にあって、平均1〜100μmであることを特徴とする透明電磁波吸収体。 The transparent electromagnetic wave absorber according to any one of claims 1 to 4, wherein the width of the linear scar is 90% or more in a range of 0.1 to 100 µm, and is an average of 1 to 50 µm, A transparent electromagnetic wave absorber characterized in that the interval is in the range of 0.1 to 200 μm and the average is 1 to 100 μm. 請求項1〜5のいずれかに記載の透明電磁波吸収体において、前記透明誘電体を介して隣接する透明電磁波吸収フィルムの線状痕の配向及び／又は交差角が異なることを特徴とする透明電磁波吸収体。 6. The transparent electromagnetic wave absorber according to claim 1, wherein the alignment and / or crossing angle of the linear traces of the transparent electromagnetic wave absorbing film adjacent to each other through the transparent dielectric is different. Absorber. 請求項1〜6のいずれかに記載の透明電磁波吸収体において、前記透明誘電体の厚さが吸収すべき電磁波の中心波長λの1/12〜1/2であることを特徴とする透明電磁波吸収体。 7. The transparent electromagnetic wave absorber according to claim 1, wherein the thickness of the transparent dielectric is 1/12 to 1/2 of the central wavelength λ of the electromagnetic wave to be absorbed. Absorber. 1枚以上の透明電磁波吸収フィルムと1枚以上の透明導電フィルムとを透明誘電体を介して積層してなる透明電磁波吸収体であって、前記透明導電フィルムはプラスチックフィルムの一方の面に透明導電体層を形成したもので、前記透明導電体層は厚さ10〜20 nmの金属薄膜からなり、前記透明電磁波吸収フィルムは前記透明導電フィルムのプラスチック面に不規則な幅及び間隔で実質的に平行な多数の断続的な線状痕群が複数方向に形成してなることを特徴とする透明電磁波吸収体。 A transparent electromagnetic wave absorber formed by laminating one or more transparent electromagnetic wave absorbing films and one or more transparent conductive films via a transparent dielectric, wherein the transparent conductive film is transparently conductive on one side of a plastic film. The transparent conductive layer is formed of a metal thin film having a thickness of 10 to 20 nm, and the transparent electromagnetic wave absorbing film is substantially formed at irregular widths and intervals on the plastic surface of the transparent conductive film. A transparent electromagnetic wave absorber characterized in that a large number of parallel intermittent traces are formed in a plurality of directions. 請求項8に記載の透明電磁波吸収体において、前記金属薄膜が100〜1000Ω／□の表面抵抗を有することを特徴とする透明電磁波吸収体。 9. The transparent electromagnetic wave absorber according to claim 8, wherein the metal thin film has a surface resistance of 100 to 1000Ω / □. 請求項9に記載の透明電磁波吸収体において、前記金属薄膜がアルミニウム又はニッケル薄膜であることを特徴とする透明電磁波吸収体。 10. The transparent electromagnetic wave absorber according to claim 9, wherein the metal thin film is an aluminum or nickel thin film. 請求項8〜10のいずれかに記載の透明電磁波吸収体において、前記透明電磁波吸収フィルムの線状痕が二方向に配向しており、その交差角が30〜90°であることを特徴とする透明電磁波吸収体。 The transparent electromagnetic wave absorber according to any one of claims 8 to 10, wherein the linear traces of the transparent electromagnetic wave absorbing film are oriented in two directions, and the crossing angle is 30 to 90 °. Transparent electromagnetic wave absorber. 請求項8〜11のいずれかに記載の透明電磁波吸収体において、前記線状痕の幅は90％以上が0.1〜100μmの範囲内にあって、平均1〜50μmであり、前記線状痕の間隔は0.1〜200μmの範囲内にあって、平均1〜100μmであることを特徴とする透明電磁波吸収体。 The transparent electromagnetic wave absorber according to any one of claims 8 to 11, wherein the width of the linear scar is 90% or more in the range of 0.1 to 100 µm, and the average is 1 to 50 µm, A transparent electromagnetic wave absorber characterized in that the interval is in the range of 0.1 to 200 μm and the average is 1 to 100 μm. 請求項8〜12のいずれかに記載の透明電磁波吸収体において、2つ以上の透明電磁波吸収フィルムを有する場合は最も近接した透明電磁波吸収フィルム同士の線状痕の配向及び／又は交差角が異なることを特徴とする透明電磁波吸収体。 The transparent electromagnetic wave absorber according to any one of claims 8 to 12, wherein the two or more transparent electromagnetic wave absorbing films have different linear mark orientations and / or crossing angles between the closest transparent electromagnetic wave absorbing films. The transparent electromagnetic wave absorber characterized by the above-mentioned. 請求項8〜13のいずれかに記載の透明電磁波吸収体において、前記透明誘電体の厚さが吸収すべき電磁波の中心波長λの1/12〜1/2であることを特徴とする透明電磁波吸収体。 The transparent electromagnetic wave absorber according to any one of claims 8 to 13, wherein the thickness of the transparent dielectric is 1/12 to 1/2 of the center wavelength λ of the electromagnetic wave to be absorbed. Absorber. 1枚又は複数枚の電磁波吸収フィルムを誘電体を介して導電性反射板と積層してなる電磁波吸収体であって、前記電磁波吸収フィルムはプラスチックフィルムの一方の面に金属薄膜からなる導電体層を有するとともに、他方の面に不規則な幅及び間隔で実質的に平行な多数の断続的な線状痕群が複数方向に形成されていることを特徴とする電磁波吸収体。 An electromagnetic wave absorber formed by laminating one or a plurality of electromagnetic wave absorption films with a conductive reflector through a dielectric, wherein the electromagnetic wave absorption film is a conductor layer made of a metal thin film on one surface of a plastic film. An electromagnetic wave absorber characterized in that a large number of intermittent linear trace groups substantially parallel with irregular widths and intervals are formed in a plurality of directions on the other surface. 請求項15に記載の電磁波吸収体において、前記金属薄膜が100〜1000Ω／□の表面抵抗を有することを特徴とする電磁波吸収体。 16. The electromagnetic wave absorber according to claim 15, wherein the metal thin film has a surface resistance of 100 to 1000Ω / □. 請求項16に記載の電磁波吸収体において、前記金属薄膜がアルミニウム又はニッケルの薄膜であることを特徴とする電磁波吸収体。 17. The electromagnetic wave absorber according to claim 16, wherein the metal thin film is an aluminum or nickel thin film. 請求項15〜17のいずれかに記載の電磁波吸収体において、各電磁波吸収フィルムの線状痕が二方向に配向しており、その交差角が30〜90°であることを特徴とする電磁波吸収体。 The electromagnetic wave absorber according to any one of claims 15 to 17, wherein the linear traces of each electromagnetic wave absorbing film are oriented in two directions, and the crossing angle is 30 to 90 °. body. 請求項15〜18のいずれかに記載の電磁波吸収体において、前記線状痕の幅は90％以上が0.1〜100μmの範囲内にあって、平均1〜50μmであり、前記線状痕の間隔は0.1〜200μmの範囲内にあって、平均1〜100μmであることを特徴とする電磁波吸収体。 The electromagnetic wave absorber according to any one of claims 15 to 18, wherein a width of the linear scar is 90% or more in a range of 0.1 to 100 µm and an average of 1 to 50 µm, and the interval between the linear scars Is in the range of 0.1 to 200 μm and has an average of 1 to 100 μm. 請求項15〜19のいずれかに記載の電磁波吸収体において、前記誘電体を介して隣接する電磁波吸収フィルムの線状痕の配向及び／又は交差角が異なることを特徴とする電磁波吸収体。 20. The electromagnetic wave absorber according to any one of claims 15 to 19, wherein the orientation and / or crossing angle of the linear traces of the electromagnetic wave absorbing films adjacent to each other through the dielectric are different. 請求項15〜20のいずれかに記載の電磁波吸収体において、前記透明誘電体の厚さが吸収すべき電磁波の中心波長λの1/12〜1/2であることを特徴とする電磁波吸収体。 21. The electromagnetic wave absorber according to claim 15, wherein the thickness of the transparent dielectric is 1/12 to 1/2 of the center wavelength λ of the electromagnetic wave to be absorbed. .
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