JP2009176827A - Electromagnetic wave absorbing film and forming method thereof - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electromagnetic wave absorbing film which is superior in electromagnetic wave absorbing capacity and workability and light in weight. <P>SOLUTION: The electromagnetic wave absorbing film includes a plastic film 10, a first metal thin film 11a provided on one surface of the plastic film, and a second metal vapor-deposited thin film 11b formed thereon. The first and second metals are non-magnetic and magnetic, respectively, and a number of substantially parallel linear marks are formed on the side of the second metal thin film. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は電磁波吸収能に優れた軽量な電磁波吸収フィルム及びその製造方法に関する。 The present invention relates to lightweight electromagnetic wave absorption film and a manufacturing method thereof excellent in electromagnetic wave absorption capability.

携帯電話、パーソナルコンピュータ等の電気・電子機器には、電磁波ノイズの漏洩及び進入を防止するシールド材が使用されているが、使用周波数の高周波化や、電気・電子機器の小型化及び軽量化によりシールド材に一層のシールド性の向上及び軽量化が求められている。 Mobile phone, the electric and electronic equipment such as a personal computer, but the shielding member to prevent leakage and ingress of electromagnetic noise is used, and a high frequency of use frequency, the size and weight of the electrical and electronic equipment further shield improvement and weight of the shielding material is required. 特開平11-40980号(特許文献1)は、高分子フィルムと、その一面に形成した厚さ0.2〜2μmの銅蒸着層と、その上に形成した厚さ0.05〜0.2μmのニッケル蒸着層とを有する軽量な電磁波シ−ルド材を提案している。 JP 11-40980 (Patent Document 1), and the polymer film, and a copper deposition layer having a thickness of 0.2~2μm formed on one surface thereof, and a nickel deposition layer having a thickness of 0.05~0.2μm formed thereon lightweight electromagnetic waves having - proposes field material. しかしこのシ−ルド材は、電磁波吸収能が十分とはいえない。 However, this sheet - shield materials, electromagnetic wave absorption capability is not sufficient.

特開平11-40980号公報 JP-11-40980 discloses

従って本発明の目的は、電磁波吸収能及び加工性に優れた軽量な電磁波吸収フィルム、及びその製造方法を提供することである。 Accordingly, an object of the present invention is to provide lightweight electromagnetic wave absorption film having excellent electromagnetic wave absorption capability and workability, and a manufacturing method thereof.

上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者は、プラスチックフィルムに二層の金属薄膜を形成した後、多数の実質的に平行な線状痕を形成すると、電磁波吸収能及び加工性に優れた軽量な電磁波吸収フィルムが得られることを発見し、本発明に想到した。 As a result of intense research in view of the above object, the present inventors have, after forming a metal thin film of two layers of plastic film, to form a plurality of substantially parallel linear scratches, excellent in electromagnetic wave absorption capability and processability It discovered that lightweight electromagnetic wave absorption film is obtained, and conceived the present invention.

すなわち、本発明の電磁波吸収フィルムは、プラスチックフィルムと、その一面に設けた第一の金属の薄膜と、その上に形成した第二の金属の蒸着薄膜とを有し、前記第一及び第二の金属の一方が非磁性金属で他方が磁性金属であり、前記第二の金属の薄膜の側に多数の実質的に平行な線状痕が形成されていることを特徴とする。 That is, the electromagnetic wave absorption film of the present invention, a plastic film, a first metal thin film provided on one surface thereof, and a vapor deposition thin film of a second metal formed thereon, the first and second other one is a non-magnetic metal of the metal is magnetic metal, wherein the plurality of substantially parallel linear scratches on the side of the thin film of the second metal is formed.

前記非磁性金属は銅であるのが好ましく、前記磁性金属はニッケルであるのが好ましい。 Is preferably the non-magnetic metal is copper, the magnetic metal is preferably nickel.

前記線状痕の幅の分布は0.5〜10μmであるのが好ましい。 Distribution in the width of the linear scratches is preferably 0.5 to 10 [mu] m. 前記線状痕の平均分布密度は1,000〜5,000本/cm幅であるのが好ましい。 The average distribution density of the linear scratches is preferably 1,000 to 5,000 present / cm width.

本発明の好ましい例では、前記第一の金属の薄膜は蒸着層である。 In a preferred embodiment of the present invention, a thin film of the first metal is deposited layer.

本発明の別の好ましい例では、前記第一の金属の薄膜はメッキ層又は箔であり、前記第二の金属の薄膜は蒸着層と、その上に形成したメッキ層とからなる。 In another preferred embodiment of the present invention, a thin film of the first metal is plated layer or foil, a thin film of the second metal consists of a deposition layer, a plating layer formed thereon.

第二の金属の薄膜の上にプラスチック層が設けられているのが好ましい。 Preferably, the plastic layer is provided on the thin film of the second metal.

本発明の電磁波吸収フィルムは、前記線状痕の延在方向に対して直交する方向の抵抗が、前記線状痕の延在方向の抵抗より大きいので、電磁波吸収能の異方性を有する。 Electromagnetic wave absorption film of the present invention, the direction of the resistor perpendicular to the extending direction of the linear marks is greater than the extending direction of the resistance of the linear scratches, having anisotropy of electromagnetic wave absorption capability.

本発明の電磁波吸収フィルムの製造方法は、プラスチックフィルムの少なくとも一面に第一の金属の薄膜及び第二の金属の薄膜を順に形成し、得られた複合フィルムを多数の高硬度の微粒子を表面に有するロールに摺接させることにより、前記第二の金属薄膜の側に多数の実質的に平行な線状痕を形成することを特徴とする。 Method for producing an electromagnetic wave absorbing film of the present invention, a thin film and a thin film of the second metal of the first metal are sequentially formed on at least one surface of the plastic film, the resultant composite film a number of high-hardness particles on the surface by sliding contact with the roll having, and forming a plurality of substantially parallel linear scratches on a side of the second metal thin film.

前記ロールを前記複合フィルムの進行方向と逆方向に回転させるのが好ましい。 Preferably, rotate the rolls in the direction opposite to the traveling direction of the composite film.

前記線状痕を形成した後に、プラスチック層を形成するのが好ましい。 After forming the line-trace, it is preferable to form the plastic layer.

本発明の電磁波吸収フィルムは、電磁波吸収能に優れ、軽量であるので、小型軽量化が要求される電気・電子機器における電磁波シールド材に適している。 Electromagnetic wave absorption film of the present invention is excellent in electromagnetic wave absorption capability, since it is light weight and is suitable for electromagnetic shielding material in the electric and electronic equipment smaller and lighter is required.

[1] 電磁波吸収フィルム 図1(a)〜(d)は、本発明の電磁波吸収フィルムの一例を示す。 [1] electromagnetic wave absorbing film Figure 1 (a) ~ (d) show an example of an electromagnetic wave absorbing film of the present invention. この電磁波吸収フィルムでは、プラスチックフィルム10の一面に第一及び第二の金属の薄膜11a,11bが形成されており、第一及び第二の金属の一方が非磁性金属で他方が磁性金属であり、第二の金属の薄膜11bの側に多数の実質的に平行な線状痕14が全面的に形成されている。 In the electromagnetic wave absorbing film, the first and second metal thin film 11a on one surface of the plastic film 10, 11b are formed, the other one of the first and second metal being in the non-magnetic metal is located in the magnetic metal a number of substantially parallel linear scratches 14 are entirely formed on the side of the second metal thin film 11b.

(1) プラスチックフィルム プラスチックフィルム10を形成する樹脂は、絶縁性、変形性及び加工性を有する限り特に制限されず、例えばポリエステル、ポリアリーレンサルファイド(ポリフェニレンサルファイド等)、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン、ABS樹脂、ポリウレタン、フッ素樹脂、ポリオレフィン(ポリエチレン、ポリプロピレン等)、ポリ塩化ビニル、熱可塑性エラストマー等が挙げられる。 (1) a resin for forming the plastic film plastic film 10, insulating, not particularly limited as long as it has a deformability and workability, such as polyester, polyarylene sulfide (polyphenylene sulfide, etc.), polyamide, polyimide, polyamideimide, poly polyether sulfone, polyether ether ketone, polycarbonate, acrylic resin, polystyrene, ABS resin, polyurethane, fluororesin, polyolefin (polyethylene, polypropylene), polyvinyl chloride, thermoplastic elastomer, and the like. 中でもポリエステル、ポリアリーレンサルファイド、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン及びポリエーテルエーテルケトンのような高耐熱性樹脂が好ましく、特にポリエステル、ポリフェニレンサルファイド及びポリイミドが好ましい。 Among these polyesters, polyarylene sulfide, polyamide, polyimide, polyamideimide, highly heat-resistant resins such as polyether sulfone and polyether ether ketone are preferred, polyesters, polyphenylene sulfide and polyimide are preferable. ポリエステルとしては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート等が挙げられる。 The polyester, polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), polyethylene naphthalate, polybutylene naphthalate, and the like. 中でもPET及びPBTはフィルムとして安価に市販されているので好ましい。 Of these PET and PBT are preferred because they are inexpensive, commercially available as films.

(2) 金属薄膜 電界及び磁界の両方を吸収するため、第一及び第二の金属薄膜11a,11bの一方を磁性金属で形成し、他方を非磁性金属で形成するのが好ましい。 (2) to absorb both the metal thin film electric and magnetic fields, the first and second metal thin film 11a, one was made of a magnetic metal 11b, preferably formed of other nonmagnetic metal. 磁性金属として、ニッケル、コバルト、クロム又はこれらの合金が挙げられる。 As the magnetic metal, nickel, cobalt, chromium, or alloys thereof. 非磁性金属として、銅、銀、アルミニウム、錫等が挙げられる。 As the non-magnetic metal, copper, silver, aluminum, tin, and the like. 好ましい組合せは銅とニッケルである。 Preferred combinations are copper and nickel. 非磁性金属薄膜の厚さは0.1〜10μmが好ましく、磁性金属薄膜の厚さは0.01〜10μmが好ましい。 The thickness of the non-magnetic metal film is preferably 0.1 to 10 [mu] m, the thickness of the magnetic metal thin film 0.01~10μm is preferred.

プラスチックフィルムと接する第一の金属薄膜11aは蒸着層、めっき層又は箔で良いが、第一の金属薄膜11aと接する第二の金属薄膜11bは蒸着により形成するのが好ましい。 First metal film 11a is vapor-deposited layer in contact with the plastic film, although good for plating layer or foil, preferably the second metal thin film 11b in contact with the first metal thin film 11a is formed by vapor deposition. ただし第一の金属薄膜11aと接する側が蒸着膜である限り、その上に第二の金属のめっき層を形成しても良い。 However as long as the side in contact with the first metal thin film 11a is vapor-deposited film may be formed a plating layer of a second metal thereon.

(3) 傾斜組成層 図1(d)に示すように、第一の金属の薄膜11aと第二の金属の薄膜11bとの間では、蒸着された第二の金属原子11b'が第一の金属原子11a'の間に部分的に進入し、いわゆる傾斜組成層12を形成していると考えられる。 (3) As shown in the graded composition layer Figure 1 (d), a first metal thin film 11a in between the second metal thin film 11b, a second metal atom 11b deposited 'is first partially enters between the metal atom 11a ', are considered to form a so-called gradient composition layer 12. 傾斜組成層12では、第二の金属原子11b'の組成比(濃度)は第二の金属の薄膜11bから第一の金属の薄膜11aにかけて徐々に減少している。 In graded composition layer 12, the composition ratio of the second metal atom 11b '(concentration) is gradually decreased toward the first metal thin film 11a from the second metal thin film 11b. このため、傾斜組成層12は非晶質であると推定される。 Thus, the graded composition layer 12 is estimated to be amorphous.

(4) 線状痕 優れた電磁波吸収能を得るために、第二の金属の薄膜11bの側に多数の実質的に平行な線状痕14を形成する。 (4) in order to obtain a linear traces excellent electromagnetic wave absorption capability to form a plurality of substantially parallel linear scratches 14 on the side of the second metal thin film 11b. 線状痕14は、後述するようにロール上に設けた高硬度微粒子による第二の金属の薄膜11bの塑性変形により生ずる。 Linear scratches 14 is caused by the plastic deformation of the second metal thin film 11b by the high hardness particles provided on the roll as will be described later. ロール上での高硬度微粒子の分布はランダムであるので、線状痕14の配列もランダムである。 Distribution of high hardness particles on the roll because there random sequence of linear scratches 14 are also random. 第二の金属の薄膜11bは薄いので、図1(c)に示すように、線状痕14の形成により第一の金属の薄膜11aも塑性変形し、両金属11a'、11b'が部分的に混合すると考えられる。 Since the second metal thin film 11b is thin, as shown in FIG. 1 (c), also the first metal thin film 11a by the formation of linear scratches 14 is plastically deformed, the two metal 11a ', 11b' partial It is considered to be mixed in.

線状痕14の長さはロール及びフィルムの周速により決まり、線状痕14の深さはロール表面に設けた高硬度の微粒子の高さにより決まる。 The length of the linear scratches 14 is determined by the peripheral speed of the roll and the film, the depth of the linear scratches 14 is determined by the height of the fine particles of high hardness provided on the roll surface. 第一及び第二の金属薄膜11a,11bの塑性変形域を十分に確保するために、線状痕14の長さは0.5〜50 mm程度が好ましく、線状痕14の深さは0.1〜10μm程度が好ましく、0.1〜5μmがより好ましい。 In order to ensure sufficient first and second metal thin film 11a, the plastic deformation zone 11b, the length of the linear scratches 14 is preferably about 0.5 to 50 mm, the depth of the linear scratches 14 0.1~10μm degree is preferred, 0.1 to 5 [mu] m is more preferable. なお、高硬度微粒子がロール上にランダムに設けられているために、線状痕14に深さの分布はあるが、大半の線状痕14はほぼ同じ長さを有する。 In order to high hardness particles are provided at random on the roll, there is distribution of depth linear scratches 14, linear scratches 14 Most have approximately the same length. また高硬度の微粒子の外径により決まる線状痕14の幅の分布は、0.1〜50μmであるのが好ましく、0.3〜20μmであるのがより好ましい。 The distribution of the width of the linear scratches 14 which is determined by the outer diameter of the high hardness particles is preferably from 0.1 to 50 [mu] m, and more preferably ordinarily from 0.3 to 20 m. さらに線状痕14の平均分布密度は1,000〜5,000本/cm幅であるのが好ましい。 Furthermore the average distribution density of the linear scratches 14 is preferably 1,000 to 5,000 present / cm width. 線状痕14の平均分布密度が1,000本/cm幅未満であると、電磁波吸収能の向上効果が十分でない。 If the average distribution density of the linear scratches 14 is less than 1,000 / cm width, the effect of improving the electromagnetic wave absorption capability is not sufficient. 一方5,000本/cm幅超としても、電磁波吸収能のさらなる向上は得られない。 Meanwhile even 5,000 / cm width greater, further improvement of the electromagnetic wave absorption capability can not be obtained. 線状痕14の長さ、深さ、幅及び平均分布密度は、電磁波吸収フィルム1の原子間力顕微鏡写真の観察により求めることができる。 The length of the linear scratches 14, the depth, width and the average distribution density can be determined by an electromagnetic wave absorbing film 1 atomic force microscope photograph observation.

図2(a)及び図2(b)は、上記電磁波吸収フィルムにおいて第一の金属薄膜11aが金属箔からなる場合を示す。 2 (a) and 2 (b) shows a case where the first metal thin film 11a is made of a metal foil in the electromagnetic wave absorption film. 第一の金属薄膜11aとプラスチックフィルム10との間に接着層13が設けられている。 Adhesive layer 13 is provided between the first metal thin film 11a and the plastic film 10.

(5) 微細孔 図3(a)〜(c)は電磁波吸収フィルムの別の例を示す。 (5) microporous Figure 3 (a) ~ (c) shows another example of an electromagnetic wave absorbing film. この電磁波吸収フィルム1は、第二の金属薄膜11bの側から線状痕14の他に多数の微細孔15も設けられている以外、図1に示すものと同じである。 The electromagnetic wave absorbing film 1, except that another large number of fine holes 15 to be provided in the second linear scratches 14 from the side of the metallic thin film 11b, is the same as that shown in FIG. 多数の微細孔15は、ロール上に設けた高硬度微粒子による第二の金属の薄膜11bの塑性変形により生ずる。 Large number of fine pores 15 is caused by the plastic deformation of the second metal thin film 11b by the high hardness particles provided on the roll. 第二の金属の薄膜11bは薄いので、図3(c)に示すように、微細孔15の形成により第一の金属の薄膜11aも塑性変形し、両金属11a'、11b'が部分的に混合すると考えられる。 Since the second metal thin film 11b is thin, as shown in FIG. 3 (c), first be plastically deformed metal thin film 11a by the formation of micropores 15, both metals 11a ', 11b' partially It is considered mixed. 微細孔15の平均開口径は0.1〜100μmが好ましく、0.5〜50μmがより好ましい。 The average opening diameter of the fine pores 15 is preferably 0.1 to 100 [mu] m, 0.5 to 50 [mu] m is more preferable. 平均開口径の上限に関しては、20μmがさらに好ましく、10μmが最も好ましい。 Regarding the upper limit of the average opening diameter, more preferably 20 [mu] m, 10 [mu] m are most preferred. また微細孔15は0.1〜10μm程度の深さ分布を有しても良い。 The micropores 15 may have a depth distribution of about 0.1 to 10 [mu] m. この深さ分布は0.1〜5μmが好ましい。 The depth distribution is 0.1~5μm is preferred. 微細孔15の平均密度は500個/cm 2以上であるのが好ましく、1×10 4 〜3×10 5個/cm 2であるのがより好ましく、1×10 4 〜2×10 5個/cm 2であるのが最も好ましい。 The average density of the fine pores 15 preferably at 500 / cm 2 or more, more preferably from 1 × 10 4 ~3 × 10 5 cells / cm 2, 1 × 10 4 ~2 × 10 5 cells / most preferably a cm 2. 微細孔15の平均開口径、深さ及び平均密度は、電磁波吸収フィルム1の原子間力顕微鏡写真の観察により求めることができる。 The average opening diameter of fine holes 15, the depth and the average density can be determined by an electromagnetic wave absorbing film 1 atomic force microscope photograph observation.

(6) プラスチック層 図4に示すように、第二の金属の薄膜11bの上に、線状痕14(及び微細孔15)を覆うようにプラスチック層10'が形成されているのが好ましい。 (6) As shown in the plastic layer 4, on the second metal thin film 11b, preferably plastic layer 10 to cover the linear scratches 14 (and fine pores 15) 'are formed. プラスチック層10'は、第二のプラスチックフィルムを熱ラミネート法等で第二の金属の薄膜11bに接着することにより形成できる。 Plastic layer 10 ', a second plastic film can be formed by bonding the second metal thin film 11b by thermal lamination method. プラスチック層の厚さは10〜100μmが好ましい。 The thickness of the plastic layer 10~100μm is preferred.

[2] 電磁波吸収フィルムの製造方法 電磁波吸収フィルム1は、プラスチックフィルム10の一面に蒸着法、めっき法又は箔接合法により第一の金属薄膜11aを形成し、その上に蒸着法又は蒸着法及びめっき法により第二の金属薄膜11bを形成し、得られた複合フィルムの第二の金属薄膜11bの側を多数の高硬度の微粒子を表面に有するロールに摺接させることにより、多数の実質的に平行な線状痕14を形成することにより製造する。 [2] The method for producing an electromagnetic wave absorbing film 1 of the electromagnetic wave absorbing film, a vapor deposition method on one surface of the plastic film 10, by plating or foil bonding method to form a first metal thin film 11a, vapor deposition or vapor deposition thereon and the second metal thin film 11b is formed by plating, by sliding contact with the side of the second metal thin film 11b of the resulting composite film a number of high hardness particles in roll having a surface, a number of substantial produced by forming parallel linear scratches 14.

(1) 金属薄膜の形成 金属の蒸着は、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法、プラズマCVD法、熱CVD法、光CVD法等の化学気相蒸着法等により行うことができる。 (1) Deposition of forming metal of the metal thin film, for example, vacuum deposition, sputtering, physical vapor deposition or ion plating method, a plasma CVD method, thermal CVD method, a chemical vapor deposition method such as light CVD method It can be carried out.

(2) 線状痕の形成 線状痕14は、例えばWO2003/091003号に記載されている方法により形成することができる。 (2) linear scars forming linear scratches 14 can be formed by the method described in example No. WO2003 / 091,003. 図5(a)及び図5(b)に示すように、鋭い角部を有する多数の高硬度(例えば、モース硬度5以上)の微粒子(例えば、ダイヤモンド微粒子)が表面に付着したロール2に、複合フィルム1'の第二の金属薄膜11bの側を摺接させるのが好ましい。 Figure 5 (a) and as shown in FIG. 5 (b), a number of high hardness with sharp corners (e.g., Mohs hardness of 5 or more) particles (e.g., diamond particles) on the roll 2 is attached to the surface, preferable to sliding contact with the side of the second metal thin film 11b of the composite film 1 '. ロール2を、複合フィルム1'の進行方向と逆方向に回転させるのが好ましい。 Roll 2 is preferably rotate in the traveling direction opposite to the direction of the composite film 1 '. ロール2の前後に設けたニップロール3,3により、複合フィルム1'に張力を掛けるのが好ましい。 The nip rolls 3,3 which is provided before and after the roll 2, preferably tension the composite film 1 '. 図5(b)に示すように、ロール2の微粒子が複合フィルム1'のロール摺接面に接触する間に、長さLの線状痕が形成される。 As shown in FIG. 5 (b), while the fine particles of the roll 2 is in contact with the roll sliding surface of the composite film 1 ', linear scratches of length L is formed. このようにして、図1(b)に示すように、多数の実質的に平行な線状痕14がランダムな配列で形成される。 In this way, as shown in FIG. 1 (b), a number of substantially parallel linear scratches 14 are formed in a random sequence. 線状痕14は複合フィルム1'の全面に均一に設けるのが好ましい。 Linear scratches 14 are preferably provided uniformly over the entire surface of the composite film 1 '.

以上のような線状痕14の形成により、抵抗が増加し、優れた電磁波吸収能が得られる。 The linear scratches 14 formed of the above, resistance increases, resulting excellent electromagnetic wave absorption capability. 限定的ではないが、複合フィルム1'の進行速度は5〜200 m/分が好ましく、ロール2の周速は10〜300 m/分が好ましく、複合フィルム1'に掛ける張力は、0.05〜5 kgf/cm幅が好ましい。 Without limitation, the composite film 1 'rate of progression is preferably 5 to 200 m / min, the peripheral speed of the roll 2 is preferably 10 to 300 m / min, the composite film 1' tension applied to the 0.05 to 5 kgf / cm width is preferable.

(3) 微細孔の形成 図3に示すように電磁波吸収フィルム1の金属薄膜11a,11bに多数の微細孔15も形成する場合、いわゆるポーラス加工法を用いる。 (3) of the metal thin film 11a electromagnetic wave absorbing film 1 as shown in formation Figure 3 of the micropores, when a large number of micropores 15 is also formed to 11b, a so-called porous processing method. 微細孔15は線状痕14より前に形成するのが好ましい。 Micropores 15 are preferably formed prior to the linear scratches 14. ポーラス加工法は、例えば特許第2063411号、特許第2542772号、特許第2643730号、特許第2703151号、特開平9-99492号、特開平9-57860号、特開2002-059487号等に記載されている。 Porous machining method, for example Japanese Patent No. 2063411, Japanese Patent No. 2542772, Japanese Patent No. 2643730, Japanese Patent No. 2703151, JP-A-9-99492, JP-A-9-57860, is described in JP 2002-059487, etc. ing. 例えば、鋭い角部を有する多数のモース硬度5以上の粒子が表面に付着した第一ロール(上記線状痕形成用ロールと同じ)と、表面が平滑な第二ロールとの間に、金属薄膜11a,11bを第一ロールの側にして、複合フィルム1'を均一な押圧力下で通過させる。 For example, a first roll which many Mohs hardness of 5 or more particles having a sharp corner portion is attached to the surface (same as the linear trace formed roll), while the surface of the smooth second roll, the metal thin film 11a, 11b and in the side of the first roll, passing the composite film 1 'under a uniform pressing force. 第二ロールとしては、例えば鉄系ロール、Niメッキ、Crメッキ等を施した鉄系ロール、ステンレス系ロール、特殊鋼ロール等を用いることができる。 The second roll can be used, for example, iron-based roll, Ni plating, iron-based roll subjected to Cr plating, stainless steel roll, a special steel roll or the like. 微細孔15の平均開口径及び平均密度は、第一ロールの微粒子の粒径及び密度を調整することにより調整できる。 The average opening diameter and the average density of the micropores 15 may be adjusted by adjusting the particle size and density of the fine particles of the first roll. 第一ロール及び第二ロール間の押圧力により、微細孔15の深さ、及び電磁波吸収フィルムを貫通するか否かが決まる。 By the pressing force between the first roll and second roll, the depth of the fine holes 15, and whether it is determined through the electromagnetic wave absorbing film. 微細孔15は電磁波吸収フィルム1に均一に設けるのが好ましい。 Micropores 15 are preferably provided uniformly to the electromagnetic wave absorbing film 1. 微細孔15を高密度に形成する場合、第一及び第二のロールからなる二つ以上のユニットをタンデムに設けたポーラス加工装置を用いるのが好ましい。 When forming the fine holes 15 densely, it is preferable to use a porous machining apparatus provided with two or more units comprised of first and second rolls in tandem.

多数の微細孔15が形成される際、微細孔15の壁面金属薄膜11a,11bは塑性変形し、微細孔15の壁面を少なくとも部分的に覆う。 When a large number of fine holes 15 are formed, the wall metal thin film 11a of the micropores 15, 11b is plastically deformed, at least partly covers the wall surfaces of the micropores 15.

(4) プラスチック層の形成 図4に示すように、第二の金属の薄膜11bの上に、プラスチック層10'を形成する場合、複合フィルム1'に線状痕14(及び微細孔15)を形成した後、第二のプラスチックフィルムを熱ラミネート法等で第二の金属の薄膜11bに接着すればよい。 (4) As shown in form 4 of the plastic layer, on the second metal thin film 11b, 'the case of forming a composite film 1' plastic layer 10 in the linear scratches 14 (and fine pores 15) after formation, the second plastic film may be bonded to the second metal thin film 11b by thermal lamination method.

[3] 電磁波吸収フィルムの特性及び用途 第二の金属の薄膜11bは、自由空間の特性インピーダンス(377Ω)に近い面抵抗を有するので、電磁波の反射を抑制することができ、高い電磁波吸収能が得られる。 [3] Characteristics and uses the second metal thin film 11b of the electromagnetic wave absorbing film, since it has a sheet resistance close to the characteristic impedance of free space (377 ohms), it is possible to suppress the reflection of electromagnetic waves, high electromagnetic wave absorption capability can get. 具体的には、電磁波吸収フィルム1の、線状痕14の延在方向に対して直交する方向の面抵抗は、金属薄膜11a,11bが銅とニッケルの組合せの場合、10〜500Ωが好ましく、200〜400Ωがより好ましい。 Specifically, the electromagnetic wave absorbing film 1, the direction of the surface resistance perpendicular to the extending direction of the linear scratches 14, the metal thin film 11a, when 11b is a combination of copper and nickel, 10~500Omu are preferred, 200~400Ω is more preferable. 面抵抗は、図6に示すように、30 cm×15 cmの電磁波吸収フィルム1(線状痕14は長手方向に延在する)の両長辺1a,1a間の抵抗値である。 Surface resistance, as shown in FIG. 6, a resistance value between both long sides 1a, 1a of 30 cm × 15 cm of the electromagnetic wave absorbing film 1 (the linear scratches 14 extending in the longitudinal direction).

電磁波吸収フィルム1は、線状痕14の延在方向に対して直交する方向の抵抗が、線状痕14の延在方向の抵抗より大きい。 Electromagnetic wave-absorbing film 1, the direction of the resistor perpendicular to the extending direction of the linear scratches 14 is greater than the extending direction of the linear scratches 14 resistance. 具体的には、上記面抵抗は、線状痕14の延在方向の抵抗(図6に示す30 cm×15 cmの電磁波吸収フィルム1の両短辺1b,1b間の抵抗値)の2〜10倍程度である。 Specifically, the surface resistance is 2 to the extending direction of the resistance of the linear scratches 14 (resistance value between both short sides 1b, 1b of the electromagnetic wave absorbing film 1 of 30 cm × 15 cm as shown in FIG. 6) is about 10 times. そのため電磁波吸収フィルム1は、電磁波吸収能の異方性を有する。 Therefore the electromagnetic wave absorbing film 1 has anisotropy of electromagnetic wave absorption capability.

本発明の電磁波吸収フィルムは、電磁波吸収能及び加工性に優れ、軽量である。 Electromagnetic wave absorption film of the present invention is excellent in electromagnetic wave absorption capability and workability, lightweight. 電磁波吸収フィルムが優れた電磁波吸収能を有するのは、10〜500Ωの適度な面抵抗により電磁波が反射され難く、多数の線状痕において電磁波が干渉することにより減衰することによると考えられる。 It has a electromagnetic wave absorbing ability electromagnetic wave absorbing film is excellent, the electromagnetic wave is hardly reflected by moderate sheet resistance of the 10~500Omu, believed to be due to attenuation by electromagnetic waves to interfere in a number of linear scratches. 電磁波吸収フィルムは、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の電気・電子機器における電磁波ノイズの漏洩及び進入の防止や情報の漏洩防止、健康管理機器への電磁波ノイズの進入防止、テレビゴースト防止、高度道路交通システム用レーダや室内無線LAN等の電波の虚像防止等の用途に適している。 Electromagnetic wave absorbing film, mobile phone, leakage prevention of prevention and information leakage and entrance of electromagnetic noise in electrical and electronic equipment such as a personal computer, enters the prevention of electromagnetic noise to the health care equipment, TV ghost prevention, advanced road traffic system It is suitable for use of the virtual image such as prevention of radio wave, such as use radar or indoor wireless LAN. 電磁波吸収フィルムは、電子機器筺体の内外壁、建築物の内外壁、乗物内の壁、バンパー筺体内部等に配置することができる。 Electromagnetic wave absorption film, inner and outer walls of the electronic device housing, inner and outer walls of buildings, the walls of the vehicle, can be placed bumper casing inside the like.

電子機器筺体の内壁に電磁波吸収フィルムを設ける場合、例えば金属部品等とともに電磁波吸収フィルムを予め金型内に設置し、そこに樹脂を充填するインサート成形法を用いることができる。 When providing the electromagnetic wave absorbing film on the inner wall of the electronic device housing, for example, metal parts such as pre-installed in a mold an electromagnetic wave absorbing film with, there can be used an insert molding method to fill the resin. 複数の電磁波吸収フィルムを、線状痕の延在方向が直交するように積層したり、面上に配列したりしてもよい。 A plurality of electromagnetic wave absorbing film, or stacked so that the extending direction of the linear scratches orthogonal, may be or are arranged on the surface. 複数の電磁波吸収フィルムを積層する場合、各々の金属薄膜を電気的に接続するのが好ましい。 When stacking a plurality of electromagnetic wave absorbing film, it is preferable to electrically connect each of the metal thin film.

本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。 It is illustrated in more detail by the following examples of the present invention, but the invention is not limited to them.

実施例1 Example 1
(1) 電磁波吸収フィルムの作製 (1) Preparation of the electromagnetic wave absorbing film
(a) 複合フィルムの作製 二軸延伸PETフィルム[厚さ:12μm、誘電率:3.2(1 MHz)、誘電正接:1.0%(1 MHz)、融点:265℃、ガラス転移温度:75℃]の一面に、真空蒸着法により厚さ0.6μmの銅層を形成し、その上に真空蒸着法により厚さ0.05μmのニッケル層を形成した。 (A) Preparation biaxially oriented PET film of the composite film [thickness: 12 [mu] m, dielectric constant: 3.2 (1 MHz), dissipation factor: 1.0% (1 MHz), melting point: 265 ° C., a glass transition temperature: 75 ° C.] of on one side, to form a copper layer having a thickness of 0.6μm by vacuum evaporation to form a nickel layer having a thickness of 0.05μm by vacuum deposition thereon.

(b) 線状痕の形成 図5に示す装置を用い、粒径の分布が50〜80μmのダイヤモンド微粒子を電着したロール2に、ニッケル層をロール2の側にして複合フィルム1'を摺接させた。 Using the apparatus shown in formation Figure 5 (b) linear traces, the roll 2 having a particle size distribution are electrodeposited diamond particles of 50 to 80 [mu] m, sliding the composite film 1 'and the nickel layer on the side of the roll 2 It was allowed to contact. 複合フィルム1'の進行速度を10 m/分とし、ロール2の周速を20 m/分とし、複合フィルム1'に掛ける張力を0.1 kgf/cm幅とした。 Composite film 1 'progression rate of from 10 m / min, to the peripheral speed of the roll 2 20 m / min, the composite film 1' and the tension applied to the 0.1 kgf / cm width. 得られた電磁波吸収フィルムの原子間力顕微鏡写真を図7に示す。 The atomic force micrograph of the resulting electromagnetic wave absorption film shown in FIG. 電磁波吸収フィルムの線状痕の深さの分布は0.1〜1μmであり、線状痕の幅の分布は0.5〜5μmであり、平均分布密度は4,200本/cm幅であった。 The depth of the distribution of linear scratches of the electromagnetic wave absorbing film is 0.1 to 1 [mu] m, the distribution width of the linear scratches is 0.5 to 5 [mu] m, the average distribution density was 4,200 present / cm width. 線状痕が形成された際に、ダイヤモンド微粒子で線状痕の両側に押しやられた部分が塑性変形し、隆起しているのが分かる。 When linear scratches are formed, both sides pushed portion of the linear scratches with diamond particles are plastically deformed, is seen that raised. 原子間力顕微鏡により表層を観察した結果、線状痕の長さの分布は0.5〜10 mmであった。 The atomic force microscope result of observation of the surface layer, the distribution of the length of the linear scratches was 0.5 to 10 mm. 電磁波吸収フィルムを、長手方向に線状痕が延在するように30 cm×15 cmにカットした試験片の面抵抗(図6参照。両長辺間の抵抗を測定)は250Ωであった。 The electromagnetic wave absorbing film, the surface resistance in the longitudinal direction in linear scratches were cut into 30 cm × 15 cm so as to extend the test piece (measuring the resistance between the reference Fig. Both the long side) was 250 [Omega].

(2) 電磁波吸収能の評価 電磁波吸収フィルムの電磁波吸収能を以下の方法により評価した。 (2) The electromagnetic wave absorption capability of the evaluation electromagnetic wave absorption film of the electromagnetic wave absorption capability were evaluated by the following methods.
(a) 高周波発振器のスプリアス特性測定 (A) spurious characteristic measurement of the high-frequency oscillator
(i) スプリアス特性測定用高周波伝送線路の作製 二軸延伸PETフィルムの一面に、真空蒸着法により厚さ0.3μmの銅層を形成し、5 mmの幅d 1にスリットした。 on one surface of a manufacturing biaxially oriented PET film (i) spurious characteristic measuring the high-frequency transmission line, to form a copper layer having a thickness of 0.3μm by vacuum evaporation to a slit to a width d 1 of 5 mm. 図8に示すように、長さ50 cmの2本の帯状の銅/PETフィルム100'を、PETフィルムを下にして塩化ビニル樹脂製基板(長さ50 cm、凸部400の高さh2mm)40に3 mmの間隔d 2で平行に接着し、平行線路型のスプリアス特性測定用高周波伝送線路を作製した。 As shown in FIG. 8, the two strip-shaped copper / PET film 100 'in length 50 cm, and the PET film on the lower substrate made of a vinyl chloride resin (length 50 cm, height h2mm of the convex portion 400) 40 parallel to the adhesive in 3 mm spacing d 2 of, to produce a parallel line type of spurious characteristic measuring the high-frequency transmission line.

(ii) スプリアス特性測定 図9に示すように、ケーブル70及び鰐口クリップ7を介して、スプリアス特性測定用高周波伝送線路4の銅/PETフィルム100',100'の一端に高周波発振器5を接続し、他端に高周波受信器6を接続した。 (Ii) As shown in spurious characteristic Measurement Figure 9, via the cable 70 and crocodile clamp 7, the copper / PET film 100 spurious characteristic measuring the high-frequency transmission line 4 ', 100' of the high-frequency oscillator 5 is connected to one end of , it was connected to RF receiver 6 at the other end. インピーダンスを整合し、高周波伝送率を精確に測定するために、整合器8を高周波発振器5の直後及び受信器6の直前に設けた。 And impedance matching, in order to accurately measure the high frequency transmission rate, provided a matching unit 8 immediately before the immediately following high-frequency oscillator 5 and a receiver 6. 図10に示すように、高周波発振器5は、電圧制御発振器(VCO)51、伝送する信号の周波数に応じて切り替えるようになっている3個の高周波発振モジュール52,52',52''及び2個の高周波アンプ53,53'を具備している。 As shown in FIG. 10, the high frequency oscillator 5, a voltage controlled oscillator (VCO) 51, a signal of three high-frequency oscillation module adapted to switch in accordance with the frequency of the transmission 52, 52 ', 52' 'and 2 It is provided with a number of high-frequency amplifier 53, 53 '. 高周波発振器5は、100〜200 MHz、260〜550 MHz及び600〜1,050 MHzの範囲の信号を伝送することができる。 High-frequency oscillator 5 can transmit 100 to 200 MHz, the signals in the range of 260-550 MHz and 600~1,050 MHz. 発振器5から100、200、300、500、700及び1,000 MHzの信号を伝送し、スプリアス特性を調べた。 From the oscillator 5 transmits a signal of 100,200,300,500,700 and 1,000 MHz, we examined the spurious characteristic. 結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1. この高周波発振器5は高調波の発生が少なく、高調波以外のスプリアスがなかった。 The high-frequency oscillator 5 has less harmonic generation, there is no spurious non harmonics.

(b) 伝送係数の設定 ケーブル70(図9参照)で発振器5と受信器6を接続し、1.0 Vの出力振幅で、120 MHzから1,050 MHzまで2〜6 MHz間隔で周波数を上げながら、発振器5から信号を伝送した。 (B) setting the transmission coefficient cable 70 to connect the receiver 6 and an oscillator 5 (see FIG. 9), the output amplitude of 1.0 V, while increasing the frequency at 2 to 6 MHz intervals from 120 MHz to 1,050 MHz, oscillator 5 to transmit the signal from. 図11(a)に示すように、発振器5の出力端子50,50から信号が(+)側から出力するように伝送した場合(信号パターン1)と、図11(b)に示すように、発振器5の出力端子50,50から信号が(−)側から出力するように伝送した場合(信号パターン2:信号パターン1に対して位相が1/2波長ずれている)との両方について入力振幅を求めた。 As shown in FIG. 11 (a), when transmitting from the output terminal 50, 50 of the oscillator 5 so that the signal is output from the (+) side and (signal pattern 1), as shown in FIG. 11 (b), signal from the output terminal 50, 50 of the oscillator 5 (-) when transmitted to output from the side: input amplitude for both the (signal pattern 2 phase to the signal pattern 1 is shifted 1/2 wavelength) I was asked. 式:伝送係数=入力振幅(V)/出力振幅(V)に従い、各周波数における伝送係数を求め、信号パターン1及び2の各々について周波数−伝送係数曲線を作成した。 Formula: In accordance with the transmission coefficient = input amplitude (V) / output amplitude (V), obtains the transmission coefficient at each frequency, the frequency for each of the signal patterns 1 and 2 - to create a transmission factor curve.

(c) 電磁波吸収能評価用高周波伝送線路の作製 二軸延伸PETフィルムの一面に、真空蒸着法により厚さ0.3μmの銅層を形成し、その上に真空蒸着法により厚さ0.02 μmのニッケル層を形成し、5mmの幅d 1にスリットした。 (C) on one side of the manufacturing biaxially oriented PET film of the electromagnetic wave absorption capability evaluation high-frequency transmission line, to form a copper layer having a thickness of 0.3μm by vacuum evaporation, thickness 0.02 [mu] m nickel by vacuum deposition thereon to form a layer, and slit to a width d 1 of 5 mm. 長さ25 cmの2本の帯状のニッケル/銅/PETフィルムを、PETフィルムを下にして塩化ビニル樹脂製基板(長さ25 cm、凸部400の高さh2mm)40に接着した以外上記と同様にして、平行線路型の電磁波吸収能評価用高周波伝送線路を作製した。 Two belt-like nickel / copper / PET film of length 25 cm, and the non-adhered to a PET film vinyl resin substrate chloride was down to 40 (length 25 cm, height h2mm of the convex portion 400) Similarly, to produce an electromagnetic wave absorbing capacity evaluation for high frequency transmission line parallel line type.

(d) 高周波伝送率の測定 図12(a)及び図12(b)に示すように、電磁波吸収フィルムの試験片(30 cm×15 cm)100をニッケル層を上にして置き、その線状痕14の延在方向に沿って、電磁波吸収能評価用高周波伝送線路4'を、ニッケル/銅/PETフィルム101'を下にして配置し、伝送線路4'に、発振器5及び受信器6を接続し、整合器8を発振器5の直後及び受信器6の直前に設けた。 (D) As shown in the measurement view 12 of the high-frequency transmission rate (a) and FIG. 12 (b), the placing specimens electromagnetic wave absorption film (30 cm × 15 cm) 100 in the upper nickel layer, the linear along the extending direction of the marks 14, 'the nickel / copper / PET film 101' electromagnetic wave absorbing ability evaluation high-frequency transmission line 4 in the lower place, the transmission line 4 ', the oscillator 5 and a receiver 6 connected, it is provided a matching unit 8 immediately before and immediately after the receiver 6 of oscillator 5. 1.0 Vの出力振幅(V)で、120 MHzから1,050 MHzまで2〜6 MHz間隔で周波数を上げながら、発振器5から信号(信号パターン1及び2)を伝送し、入力振幅(V)を求めた。 In 1.0 V output amplitude (V), while increasing the frequency at 2 to 6 MHz intervals from 120 MHz to 1,050 MHz, and transmission from the oscillator 5 a signal (signal patterns 1 and 2), was determined input amplitude (V) . 上記周波数−伝送係数曲線から求められる伝送係数を用い、各測定周波数における高周波伝送率(%)を、式:高周波伝送率(%)=入力振幅(V)/(出力振幅(V)×伝送係数)×100に従い、算出した。 Said frequency - using a transmission coefficient obtained from the transmission factor curve, the high frequency transmission rate at each measurement frequency (%), wherein: the high frequency rate (%) = input amplitude (V) / (output amplitude (V) × transmission coefficient ) in accordance with × 100, it was calculated. 周波数と高周波伝送率の関係をプロットした結果を図13に示す。 The result of plotting the relation between the frequency and the high frequency transmission rate shown in FIG. 13. 信号パターン1に対して、高周波伝送率が、概ね120〜650 MHz、800〜900MHz及び1,000〜1,050 MHzの広い帯域でほぼ0%であった。 With respect to the signal pattern 1, the high frequency transmission rate was almost 0% generally 120-650 MHz, with a wide band of 800~900MHz and 1,000~1,050 MHz. 信号パターン2に対して、高周波伝送率が、概ね120〜180 MHz、260〜650 MHz、800〜870 MHz及び1,000〜1,050 MHzの広い帯域でほぼ0%であった。 With respect to the signal pattern 2, the high frequency transmission rate, generally 120 to 180 MHz, 260-650 MHz, it was nearly 0% in a broad band of 800-870 MHz and 1,000~1,050 MHz. 電磁波吸収フィルムは、信号パターン1及び2に対して、電磁波吸収能に優れていた。 Electromagnetic wave absorbing film, to the signal patterns 1 and 2, were excellent in electromagnetic wave absorption capability.

電磁波吸収フィルムを、幅方向に線状痕が延在するように30 cm×15 cmにカットし、試験片を得た。 The electromagnetic wave absorbing film was cut into 30 cm × 15 cm as linear scratches in the width direction extends, a test piece was obtained. 試験片の両長辺間の抵抗は10.5Ωであった。 Resistance between both long sides of the test piece was 10.5Omu. 図14に示すように、試験片101の線状痕14の延在方向に直交するように、電磁波吸収能評価用高周波伝送線路4'を配置した以外実施例1と同様にして、高周波伝送率を測定した。 As shown in FIG. 14, so as to be perpendicular to the extending direction of the linear scratches 14 of the test strip 101, in the same manner as in Example 1 except placing the electromagnetic wave absorption capability evaluation high-frequency transmission line 4 ', the high frequency transmission rate It was measured. 結果を図15に示す。 The results are shown in Figure 15. 伝送線路4'を線状痕14の延在方向に沿って配置した場合に比べて、信号パターン1及び2のいずれに対しても、高周波伝送率が0%の帯域が明らかに狭く、電磁波吸収フィルムは電磁波吸収能の異方性を有することが分かった。 As compared with the case where the transmission line 4 'arranged along the extending direction of the linear scratches 14, for any of the signal patterns 1 and 2, the high frequency transmission rate is clearly narrower band of 0%, the electromagnetic wave absorption film was found to have an anisotropy of electromagnetic wave absorption capability.

実施例2 Example 2
上記複合フィルムを、定位置に固定した第一ロール(粒径15〜30μmのダイヤモンド微粒子を電着したもの)と金属製第二ロールとの間に、ニッケル層が第一ロール側となるようにして通過させた。 The composite film, between the first roll is fixed in position (as electrodeposited with diamond particles having a particle size of 15 to 30 [mu] m) and the metallic second roll, so the nickel layer becomes the first roll side It was passed through Te. 得られた多孔質複合フィルムは、ニッケル層及び銅層にのみ微細孔が形成され、微細孔の平均開口径が3μmであり、微細孔の平均密度が5×10 4個/cm 2であった。 The resulting porous composite film is formed only micropores nickel layer and a copper layer is 3μm average opening diameter of the micropores, the average density of the fine pores was 5 × 10 4 cells / cm 2 . 多孔質複合フィルムについて、実施例1と同様にして線状痕を形成することにより、電磁波吸収フィルムを作製した。 For porous composite film, by forming linear scratches in the same manner as in Example 1 to prepare an electromagnetic wave absorbing film. この電磁波吸収フィルムを、長手方向に線状痕が延在するように30 cm×15 cmにカットした試験片(面抵抗:1.9Ω)を用いた以外実施例1と同様にして、高周波伝送率を測定した。 The electromagnetic wave absorbing film, longitudinally linear scratches were cut into 30 cm × 15 cm so as to extend the test piece (surface resistance: 1.9Ω) in the same manner as in Example 1 except for using, high frequency transmission rate It was measured. 結果を図16に示す。 The results are shown in Figure 16. 信号パターン1に対して、高周波伝送率が、概ね120〜170 MHz、260〜320 MHz、480〜650 MHz、800〜900 MHz及び1,000〜1,050 MHzの広い帯域でほぼ0%であった。 With respect to the signal pattern 1, the high frequency transmission rate, generally 120~170 MHz, 260~320 MHz, 480~650 MHz, it was nearly 0% in a broad band of 800 to 900 MHz and 1,000~1,050 MHz. 信号パターン2に対して、高周波伝送率が、概ね120〜180 MHz、260〜380 MHz、520〜650 MHz、800〜870 MHz及び1,000〜1,050 MHzの広い帯域でほぼ0%であった。 With respect to the signal pattern 2, the high frequency transmission rate, generally 120 to 180 MHz, 260-380 MHz, 520-650 MHz, it was nearly 0% in a broad band of from 800 to 870 MHz and 1,000~1,050 MHz. 電磁波吸収フィルムは、信号パターン1及び2に対して、電磁波吸収能に優れていた。 Electromagnetic wave absorbing film, to the signal patterns 1 and 2, were excellent in electromagnetic wave absorption capability.

比較例1 Comparative Example 1
上記複合フィルムを30 cm(MD)×15 cm(TD)にカットした試験片(面抵抗:1.3Ω)を用いた以外実施例1と同様にして、高周波伝送率を測定した。 The composite film 30 cm (MD) × 15 cm (TD) was cut into a test piece (surface resistance: 1.3Ω) in the same manner as in Example 1 except for using to measure the high frequency transmission rate. 結果を図17に示す。 The results are shown in Figure 17. 複合フィルムは線状痕を有さないので、信号パターン1及び2のいずれに対しても、高周波伝送率が0%の帯域が、実施例1及び2の電磁波吸収フィルムに比べて明らかに狭く、電磁波吸収能が劣っていた。 Since the composite film has no linear scratches, for any of the signal patterns 1 and 2, the band of the high frequency transmission rate of 0% is clearly narrower than the electromagnetic wave absorbing film of Example 1 and 2, electromagnetic wave absorption capability was poor.

比較例2 Comparative Example 2
実施例2で得た多孔質複合フィルムを30 cm(MD)×15 cm(TD)にカットした試験片(面抵抗:1.9Ω)を用いた以外実施例1と同様にして、高周波伝送率を測定した。 Obtained in Example 2 was porous composite film 30 cm (MD) × 15 cm (TD) was cut into a test piece (surface resistance: 1.9Ω) in the same manner as in Example 1 except for using a high frequency transmission rate It was measured. 結果を図18に示す。 The results are shown in Figure 18. 多孔質複合フィルムは多数の微細孔を有するものの、線状痕を有さないので、信号パターン1及び2のいずれに対しても、高周波伝送率が0%の帯域が、実施例1及び2の電磁波吸収フィルムに比べて明らかに狭く、電磁波吸収能が劣っていた。 Although porous composite film having a large number of micropores, since no linear scratches, for any of the signal patterns 1 and 2, the band of the high frequency transmission rate of 0 percent, of Example 1 and 2 clearly narrower than the electromagnetic wave absorbing film, the electromagnetic wave absorption capability was poor.

比較例3 Comparative Example 3
二軸延伸ポリイミドフィルム[厚さ:25μm、誘電率:3.3(1 MHz)、誘電正接:0.0079(1 MHz)、ガラス転移温度:280℃以上]の一面に、無電解めっき法により厚さ3μmの銅層を形成し、その上に電解めっき法により厚さ10μmのニッケル層を形成した。 Biaxially oriented polyimide film [thickness: 25 [mu] m, dielectric constant: 3.3 (1 MHz), dissipation factor: 0.0079 (1 MHz), glass transition temperature: 280 ° C. or higher] on one surface of a thickness of 3μm by the electroless plating method forming a copper layer to form a nickel layer having a thickness of 10μm by electroplating thereon. 得られた複合フィルムを30 cm(MD)×15 cm(TD)にカットした試験片(面抵抗:0.9Ω)を用いた以外実施例1と同様にして、高周波伝送率を測定した。 The resulting composite film 30 cm (MD) × 15 cm test pieces cut (TD) (surface resistance: 0.9Ω) in the same manner as in Example 1 except for using to measure the high frequency transmission rate. 結果を図19に示す。 The results are shown in Figure 19. この複合フィルムは、ニッケル層がめっき法により形成されており、しかも線状痕を有さないので、信号パターン1及び2のいずれに対しても、高周波伝送率が0%の帯域が、実施例1及び2の電磁波吸収フィルムに比べて狭く、電磁波吸収能が劣っていた。 This composite film, a nickel layer is formed by plating, and since no linear scratches, for any of the signal patterns 1 and 2, the high frequency transmission rate bandwidth of 0%, Example narrower than the first and second electromagnetic wave absorbing film, the electromagnetic wave absorption capability was poor.

比較例4 Comparative Example 4
比較例3で得た複合フィルムについて、実施例1と同様にして線状痕を形成した。 For composite films obtained in Comparative Example 3 was formed linear scratches in the same manner as in Example 1. この複合フィルムを、長手方向に線状痕が延在するように30 cm×15 cmにカットした試験片(面抵抗:0.9Ω)を用いた以外実施例1と同様にして、高周波伝送率を測定した。 The composite film, longitudinally linear scratches were cut into 30 cm × 15 cm so as to extend the test piece (surface resistance: 0.9Ω) in the same manner as in Example 1 except for using a high frequency transmission rate It was measured. 結果を図20に示す。 The results are shown in Figure 20. この複合フィルムは、線状痕を有するものの、ニッケル層がめっき法により形成されているので、信号パターン1及び2のいずれに対しても、高周波伝送率が0%の帯域が、実施例1及び2の電磁波吸収フィルムに比べて狭く、電磁波吸収能が劣っていた。 This composite film, although having linear scratches, since the nickel layer is formed by plating, for either of the signal patterns 1 and 2, the high frequency transmission rate bandwidth of 0%, Example 1 and narrower than the second electromagnetic wave absorbing film, the electromagnetic wave absorption capability was poor.

比較例5 Comparative Example 5
銅線の織布を用いた市販の電磁波吸収材(商品名「OAエプロン」、エレコム株式会社製)を30 cm×15 cmにカットした試験片(面抵抗:0.4Ω)を用いた以外実施例1と同様にして、高周波伝送率を測定した。 Commercially available electromagnetic wave absorbing material using the woven copper wire (trade name "OA apron", Elecom Co., Ltd.) test piece cut into 30 cm × 15 cm (surface resistance: 0.4 ohm) Example except for using 1 in the same manner as to measure the high frequency transmission rate. 結果を図21に示す。 The results are shown in Figure 21. 信号パターン1及び2のいずれに対しても、高周波伝送率が0%の帯域が、実施例1の電磁波吸収フィルムに比べて明らかに狭く、電磁波吸収能が劣っていた。 For any signal pattern 1 and 2, the high frequency transmission rate band of 0% is clearly narrower than the electromagnetic wave absorbing film of Example 1, the electromagnetic wave absorption capability was poor.

本発明の一実施例による電磁波吸収フィルムを示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing the electromagnetic wave absorption film according to an embodiment of the present invention. 図1(a)のフィルムの平面図である。 Is a plan view of the film of FIG. 1 (a). 図1(a)のA部分を概略的に示す拡大断面図である。 Is an enlarged cross-sectional view schematically showing the portion A of FIG. 1 (a). 図1(c)のA'部分を概略的に示す拡大断面図である。 It is an enlarged cross-sectional view schematically showing the A 'part in FIG. 1 (c). 本発明の別の実施例による電磁波吸収フィルムを示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing the electromagnetic wave absorption film according to another embodiment of the present invention. 図2(a)のB部分を概略的に示す拡大断面図である。 Is an enlarged cross-sectional view schematically showing a portion B in FIG. 2 (a). 本発明のさらに別の実施例による電磁波吸収フィルムを示す断面図である。 It is a sectional view showing still electromagnetic wave absorption film according to another embodiment of the present invention. 図3(a)のフィルムの平面図である。 Is a plan view of the film of FIG. 3 (a). 図3(a)のC部分を概略的に示す拡大断面図である。 Is an enlarged cross-sectional view schematically showing a portion C of FIG. 3 (a). 本発明のさらに別の実施例による電磁波吸収フィルムを示す断面図である。 It is a sectional view showing still electromagnetic wave absorption film according to another embodiment of the present invention. 複合フィルムに線状痕を形成する装置の一例を示す概略図である。 Is a schematic diagram showing an example of an apparatus for forming a linear scratches in the composite film. 図5(a)の装置において、フィルムがロールと摺接する様子を示す部分拡大断面図である。 In the apparatus of FIG. 5 (a), is a partially enlarged cross-sectional view showing a state in which the film contacts the roll and sliding. 面抵抗を測定する電磁波吸収フィルムの一例を示す平面図である。 Is a plan view showing an example of an electromagnetic wave absorbing film to measure the sheet resistance. 実施例1の電磁波吸収フィルムの原子間力顕微鏡写真である。 Atomic force of the electromagnetic wave absorbing film of Example 1 is a micrograph. 高周波発振器のスプリアス特性の測定に使用した高周波伝送線路を示す斜視図である。 It is a perspective view showing a high-frequency transmission line that was used to measure spurious characteristic of the high frequency oscillator. 高周波伝送線路に発振器及び受信器を接続した状態を示す概略図である。 It is a schematic diagram showing a state of connecting the oscillator and receiver in the high-frequency transmission line. 高周波伝送率の測定に使用した発振器の構成を概略的に示す回路図である。 An oscillator configuration that was used to measure the high-frequency transmission rate is a circuit diagram schematically illustrating. 発振器から信号が(+)側から出力するように伝送した場合の信号パターンを示す概略図である。 It is a schematic diagram showing a signal pattern when the signal from the oscillator is transmitted (+) to output from the side. 発振器から信号が(−)側から出力するように伝送した場合の信号パターンを示す概略図である。 Signal from the oscillator (-) is a schematic diagram showing a signal pattern in the case of transmission to output from the side. 電磁波吸収能の評価のために、電磁波吸収フィルムの試験片上に、高周波伝送線路を配置した状態を概略的に示す平面図である。 For the evaluation of the electromagnetic wave absorbing ability, the specimen of the electromagnetic wave absorbing film is a plan view schematically showing a state of arranging the high-frequency transmission line. 図12(a)のD−D断面図である。 Is a D-D sectional view of FIG. 12 (a). 実施例1の電磁波吸収フィルム上に配置した高周波伝送線路における周波数と高周波伝送率の関係を示すグラフである。 Is a graph showing the relationship between the frequency and the high frequency transmission rate in the high-frequency transmission line which is arranged on the electromagnetic wave absorbing film of Example 1. 電磁波吸収能の評価のために、電磁波吸収フィルムの試験片上に、高周波伝送線路を配置した状態を概略的に示す別の平面図である。 For the evaluation of the electromagnetic wave absorbing ability, the specimen of the electromagnetic wave absorbing film, is another plan view schematically showing a state of arranging the high-frequency transmission line. 実施例1の電磁波吸収フィルム上に配置した高周波伝送線路における周波数と高周波伝送率の関係を示す別のグラフである。 Is another graph showing the relationship between the frequency and the high frequency transmission rate in the high-frequency transmission line which is arranged on the electromagnetic wave absorbing film of Example 1. 実施例2の電磁波吸収フィルム上に配置した高周波伝送線路における周波数と高周波伝送率の関係を示すグラフである。 Is a graph showing the relationship between the frequency and the high frequency transmission rate in the high-frequency transmission line which is arranged on the electromagnetic wave absorbing film of Example 2. 比較例1の複合フィルム上に配置した高周波伝送線路における周波数と高周波伝送率の関係を示すグラフである。 Is a graph showing the relationship between the frequency and the high frequency transmission rate in the high-frequency transmission line disposed on the composite film of Comparative Example 1. 比較例2の多孔質複合フィルム上に配置した高周波伝送線路における周波数と高周波伝送率の関係を示すグラフである。 It is a graph showing the relationship between the frequency and the high frequency transmission rate in the high-frequency transmission line disposed on a porous composite film of Comparative Example 2. 比較例3の複合フィルム上に配置した高周波伝送線路における周波数と高周波伝送率の関係を示すグラフである。 Is a graph showing the relationship between the frequency and the high frequency transmission rate in the high-frequency transmission line disposed on the composite film of Comparative Example 3. 比較例4の線状痕を有する複合フィルム上に配置した高周波伝送線路における周波数と高周波伝送率の関係を示すグラフである。 Is a graph showing the relationship between the frequency and the high frequency transmission rate in the high-frequency transmission line disposed on the composite film having linear scratches of Comparative Example 4. 比較例5の電磁波吸収材上に配置した高周波伝送線路における周波数と高周波伝送率の関係を示すグラフである。 Is a graph showing the relationship between the frequency and the high frequency transmission rate in the high-frequency transmission line disposed on the electromagnetic wave absorbing material of Comparative Example 5.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1・・・電磁波吸収フィルム 1 ... electromagnetic wave absorbing film
10,10'・・・プラスチックフィルム 10, 10 '... plastic film
11a,11b・・・金属薄膜 11a, 11b · · · metal thin film
11a'',11b''・・・金属原子 11a '', 11b '' ··· metal atom
12・・・傾斜組成層 12 ... gradient composition layer
13・・・接着層 13 ... adhesive layer
14・・・線状痕 14 ... line-trace
15・・・微細孔 15 ... micropores
1'・・・複合フィルム 1 '... composite film
100,101・・・試験片 2・・・ロール 3・・・ニップロール 4,4'・・・高周波伝送線路 100,101 ... test piece 2 ... rolls 3 ... nip rolls 4, 4 '... high-frequency transmission line
40・・・基板 40 ... substrate
400・・・凸部 5・・・高周波発振器 400 ... the convex portion 5: high-frequency oscillator
50・・・出力端子 50 ... output terminal
51・・・電圧制御発振器 51 ... voltage controlled oscillator
52,52',52''・・・高周波発振モジュール 52, 52 ', 52' '... high-frequency oscillation module
53,53'・・・高周波アンプ 6・・・高周波受信器 7・・・鰐口クリップ 8・・・整合器 53, 53 '... RF amplifier 6 ... RF receiver 7 ... crocodile clamp 8 ... matcher
70・・・ケーブル 70 ... cable
100'・・・銅/PETフィルム 100 '... copper / PET film
101'・・・ニッケル/銅/PETフィルム 101 '... nickel / copper / PET film

Claims (10)

  1. プラスチックフィルムと、その一面に設けた第一の金属の薄膜と、その上に形成した第二の金属の蒸着薄膜とを有し、前記第一及び第二の金属の一方が非磁性金属で他方が磁性金属であり、前記第二の金属の薄膜の側に多数の実質的に平行な線状痕が形成されていることを特徴とする電磁波吸収フィルム。 And a plastic film, a first metal thin film provided on one surface thereof, and a vapor deposition thin film of a second metal formed thereon, one of said first and second metal the other a non-magnetic metal There is a magnetic metal, electromagnetic wave absorption film, wherein a plurality of substantially parallel linear scratches are formed on the side of the thin film of the second metal.
  2. 請求項1に記載の電磁波吸収フィルムにおいて、前記非磁性金属が銅であり、前記磁性金属がニッケルであることを特徴とする電磁波吸収フィルム。 In the electromagnetic wave absorption film according to claim 1, wherein a non-magnetic metal is copper, the electromagnetic wave absorption film, wherein the magnetic metal is nickel.
  3. 請求項1又は2に記載の電磁波吸収フィルムにおいて、前記線状痕の幅の分布が0.5〜10μmであり、前記線状痕の平均分布密度が1,000〜5,000本/cm幅であることを特徴とする電磁波吸収フィルム。 In the electromagnetic wave absorption film according to claim 1 or 2, the distribution of the width of the linear marks are 0.5 to 10 [mu] m, and wherein the average distribution density of the linear marks is 1,000 to 5,000 present / cm width electromagnetic wave absorbing film to be.
  4. 請求項1〜3のいずれかに記載の電磁波吸収フィルムにおいて、前記第一の金属の薄膜が蒸着層であることを特徴とする電磁波吸収フィルム。 In the electromagnetic wave absorption film according to any one of claims 1 to 3, an electromagnetic wave absorbing film which thin film of the first metal is characterized in that a vapor-deposited layer.
  5. 請求項1〜3のいずれかに記載の電磁波吸収フィルムにおいて、前記第一の金属の薄膜がメッキ層又は箔であり、前記第二の金属の薄膜が蒸着層と、その上に形成したメッキ層とからなることを特徴とする電磁波吸収フィルム。 In the electromagnetic wave absorption film according to claim 1, wherein the first a thin plating layer or foil of metal, said a second metal thin film is deposited layer, the plating layer formed thereon electromagnetic wave absorption film characterized by comprising a.
  6. 請求項1〜5のいずれかに記載の電磁波吸収フィルムにおいて、前記第二の金属の薄膜の上にプラスチック層が設けられていることを特徴とする電磁波吸収フィルム。 Electromagnetic wave absorption film in the electromagnetic absorbing film according to claim 1, wherein the plastic layer is provided on the thin film of the second metal.
  7. 請求項1〜6のいずれかに記載の電磁波吸収フィルムにおいて、前記線状痕の延在方向に対して直交する方向の抵抗が、前記線状痕の延在方向の抵抗より大きいことを特徴とする電磁波吸収フィルム。 In the electromagnetic wave absorption film according to any one of claims 1 to 6, and wherein the direction of the resistor perpendicular to the extending direction of the linear marks, greater than the extending direction of the resistance of the wire-trace electromagnetic wave absorbing film to be.
  8. プラスチックフィルムの少なくとも一面に第一の金属の薄膜及び第二の金属の薄膜を順に形成し、得られた複合フィルムを多数の高硬度の微粒子を表面に有するロールに摺接させることにより、前記第二の金属薄膜の側に多数の実質的に平行な線状痕を形成することを特徴とする電磁波吸収フィルムの製造方法。 By a thin film and a thin film of the second metal of the first metal are sequentially formed on at least one surface of the plastic film, thereby sliding the resultant composite film a number of high-hardness particles on the roll having a surface, said first method for producing an electromagnetic wave absorbing film, which comprises forming a plurality of substantially parallel linear scratches on the side of the second metal thin film.
  9. 請求項8に記載の電磁波吸収フィルムの製造方法において、前記ロールを、前記複合フィルムの進行方向と逆方向に回転させることを特徴とする方法。 In the manufacturing method of the electromagnetic wave absorption film according to claim 8, wherein the rotating the roll, in the direction opposite to the traveling direction of the composite film.
  10. 請求項8又は9に記載の電磁波吸収フィルムの製造方法において、前記線状痕を形成した後に、プラスチック層を形成することを特徴とする方法。 In the manufacturing method of the electromagnetic wave absorption film according to claim 8 or 9, after forming the wire-trace, wherein forming a plastic layer.
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