JP2012099515A - 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法、表示装置及び照明装置 - Google Patents
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Description
下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
(2)
前記一般式(1)のXがO原子またはS原子であり、A1〜A13が各々C原子であることを特徴とする(1)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
前記一般式(1)のR1〜R13のうち、少なくとも2つが前記一般式(2)または一般式(3)で表される基で置換されることを特徴とする(1)又は(2)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
前記一般式(1)のR1が前記一般式(2)または一般式(3)で表される基で置換されることを特徴とする(1)〜(3)の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
陽極と陰極により挟まれた、少なくとも発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、少なくとも1層が(1)〜(4)のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記発光層が(1)〜(4)のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料を含有することを特徴とする(5)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記発光層が燐光発光性の金属錯体を含有することを特徴とする(5)又は(6)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記燐光発光性の金属錯体がIr錯体であることを特徴とする(7)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(5)〜(8)のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子がウェットプロセスで作製されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
(5)〜(8)のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。
(5)〜(8)のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。
本発明の有機EL素子材料について説明する。
本発明に係る一般式(1)で表される化合物について説明する。
窒素気流下、6.5gの中間体1(16mmol)のテトラヒドロフラン溶液160mlを−78℃に冷却した後、n−ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.65mol/L)20mlをゆっくりと滴下し、1時間撹拌を行った。この反応溶液にジクロロフェニルホスフィン2.9g(16mmol)をゆっくりと滴下した。反応液を室温に戻し、撹拌を1時間行った。反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた油状の粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製(ヘプタン)し、中間体2を2.0g(収率48%)得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。
2.0gの中間体2(5.9mmol)の酢酸溶液20mlを0℃に冷却した後、35%過酸化水素水1mlをゆっくりと滴下した。反応液を室温に戻し、2時間撹拌を行った。減圧下で濃縮後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた油状の粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製(酢酸エチル)し、中間体3を1.78g(収率85%)得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。
窒素気流下、酢酸パラジウム0.22g、トリブチルホスフィンの50%キシレン溶液1.6mlを加え、室温で30分間撹拌した。続いて、脱水キシレン17ml、1.78gの中間体3(5.0mmol)、カルバゾール0.5g(5.0mmol)、ナトリウムt−ブチラート1.4g(15.0mmol)を加え、8時間加熱環流を行った。反応液を室温まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた油状の粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製(酢酸エチル:ヘプタン=9:1)し、例示化合物1−13を1.43g(収率65%)得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。
窒素気流下、4.0gの中間体4(11.4mmol)の塩化メチレン溶液100mlを−40℃に冷却した後、一塩化ヨウ素5.6g(34.2mmol)の塩化メチレン溶液40mlをゆっくりと滴下し、1時間撹拌を行った。反応液にチオ硫酸ナトリウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた油状の粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製(酢酸エチル)し、中間体5を3.2g(収率69%)得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。
窒素気流下、酢酸パラジウム0.36g、トリブチルホスフィンの50%キシレン溶液2.6mlを加え、室温で30分間撹拌した。続いて、脱水キシレン80ml、3.2gの中間体3(8.0mmol)、カルバゾール0.85g(8.0mmol)、ナトリウムt−ブチラート2.3g(24mmol)を加え、12時間加熱環流を行った。反応液を室温まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた油状の粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製(酢酸エチル:ヘプタン=9:1)し、例示化合物1−11を1.6g(収率43%)得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。
窒素気流下、6.5gの中間体1(16mmol)のテトラヒドロフラン溶液53mlを−78℃に冷却した後、n−ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.65mol/L)20mlをゆっくりと滴下し、1時間撹拌を行った。この反応溶液にジクロロジエチルアミノホスフィン2.4ml(16mmol)をゆっくりと滴下した。反応液を室温に戻し、撹拌を1時間行った。この反応液を再び−78℃に冷却した後、塩化水素のジエチルエーテル溶液(1.0mol/L)16mlをゆっくりと滴下した。反応液を室温に戻し、撹拌を1時間行った。窒素下で白色固体をろ取後、ろ液を減圧下で濃縮した。得られたアメ状の粗生成物を窒素下でセライトろ過し、減圧下で濃縮した。得られた黄色固体2.5gはこれ以上の精製は行わず、次の反応へと用いた。
窒素気流下、m−ブロモフェニルカルバゾール3.7g(11.5mmol)のジエチルエーテル溶液38mlを−78℃に冷却した後、n−ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.65mol/L)7mlをゆっくりと滴下し、1時間撹拌を行った。この反応溶液を2.5g(11.5mmol)の中間体6のジエチルエーテル溶液38ml中へゆっくりと滴下した。反応液を室温に戻し、撹拌を8時間行った。反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた油状の粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製(酢酸エチル:ヘプタン=1:9)し、中間体7を4.2g(収率72%)得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。
窒素気流下、4.2gの中間体7(8.3mmol)の塩化メチレン溶液83mlに、硫黄2.6g(83mol)を加え、1時間撹拌を行った。固体をろ取後、減圧下で濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製(酢酸エチル)し、中間体8を4.9g(収率82%)得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。
窒素気流下、酢酸パラジウム0.31g、トリブチルホスフィンの50%キシレン溶液2.2mlを加え、室温で30分間撹拌した。続いて、脱水キシレン68ml、4.9gの中間体8(6.8mmol)、カルバゾール0.73g(6.8mmol)、ナトリウムt−ブチラート2.0g(20mmol)を加え、10時間加熱環流を行った。反応液を室温まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた油状の粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製(酢酸エチル:ヘプタン=9:1)し、例示化合物1−47を2.2g(収率53%)得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。
窒素気流下、5.0gの中間体9(14.7mmol)のジエチルエーテル溶液50mlを−78℃に冷却した後、n−ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.65mol/L)18mlをゆっくりと滴下し、1時間撹拌を行った。この反応溶液を8.7g(29.4mmol)の中間体6のジエチルエーテル溶液50ml中へゆっくりと滴下した。反応液を室温に戻し、撹拌を6時間行った。反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製(酢酸エチル:ヘプタン=1:9)し、中間体10を6.8g(収率65%)得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。
6.8gの中間体10(9.5mmol)の酢酸溶液30mlを0℃に冷却した後、35%過酸化水素水4mlをゆっくりと滴下した。反応液を室温に戻し、2時間撹拌を行った。減圧下で濃縮後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製(酢酸エチル)し、中間体11を5.7g(収率82%)得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。
窒素気流下、酢酸パラジウム0.7g、トリブチルホスフィンの50%キシレン溶液5mlを加え、室温で30分間撹拌した。続いて、脱水キシレン25ml、5.7gの中間体11(7.74mmol)、カルバゾール1.66g(15.5mmol)、ナトリウムt−ブチラート2.2g(23.2mmol)を加え、12時間加熱環流を行った。反応液を室温まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製(酢酸エチル:ヘプタン=9:1)し、例示化合物1−29を3.2g(収率46%)得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。
本発明の有機EL素子の構成層について説明する。本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
本発明においては、有機EL素子の各層いずれに一般式(1)で表される化合物を含有していても良いが、中でも正孔輸送層、発光層、電子輸送層のいずれか1つ以上の層に含有することが好ましく、発光層または電子輸送層に含有することがより好ましい。更には、発光層に一般式(1)で表される化合物を含有することが特に好ましい形態としてあげられる。
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
本発明に用いられる発光ホスト化合物としては、構造的には特に制限はないが、代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族ボラン誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、または、カルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体(ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも1つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す。)等が挙げられる。
発光ドーパントについて説明する。
本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。
蛍光ドーパント(蛍光性化合物)としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In2O3−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常は、10〜1000nmの範囲であり、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。
一方、陰極としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
本発明の有機EL素子に用いることのできる支持基板(以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
有機EL素子は空気よりも屈折率の高い(屈折率が1.7〜2.1程度)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
本発明の有機EL素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなる有機EL素子の作製法を説明する。
本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置(家庭用照明、車内照明)、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
《有機EL素子1−1の作製》
有機EL素子を以下のように作製した。
有機EL素子1−1の作製において、表1に記載のよう発光層のCBPを表1に示す化合物に置き換えた以外は同様にして、有機EL素子1−2〜1−18を作製した。
以下のようにして作製した有機EL素子の評価を行い、その結果を表1に示す。
有機EL素子1−1は、初期駆動電圧3Vで電流が流れ始め、発光層のドーパントである燐光性化合物からの緑色の発光を示した。作製した有機EL素子について、23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で10V直流電圧を印加した時の発光輝度(cd/m2)、発光効率(lm/W)を測定した。発光輝度、発光効率は有機EL素子1−1を100とした時の相対値で表した。発光輝度については、CS−1000(ミノルタ製)を用いて測定した。
2.5mA/cm2の一定電流で駆動したときに初期輝度が元の半分に低下するのに要した時間である半減寿命時間を指標として表した。半減寿命時間は有機EL素子1−1を100とした時の相対値で表した。
有機EL素子を室温(約23〜25℃)、2.5mA/cm2の定電流条件下により駆動した時の電圧を各々測定し、測定結果を下記に示すように有機EL素子1−1(比較)を100として各々相対値で示した。
駆動電圧=(各素子の初期駆動電圧/有機EL素子1−1の初期駆動電圧)×100
なお、値が小さいほど比較に対して駆動電圧が小さいことを示す。
有機EL素子を室温下、2.5mA/cm2の定電流条件下により連続点灯を行い、初期輝度の70%の輝度となった時の駆動電圧を各々測定した。測定結果は下記に示すように、有機EL素子1−1(比較)が100となるように各々相対値で示した。
各素子の駆動電圧変化=各素子の輝度70%時の駆動電圧/各素子の初期駆動電圧
駆動電圧τ1/7=各素子の駆動電圧変化/駆動電圧変化1×100
《有機EL素子2−1〜2−18の作製》
実施例1の有機EL素子1−1の燐光性化合物Ir(ppy)3をIr−15に、CBPを表2に示す化合物に置き換えた以外は全く同じ方法で有機EL素子2−1〜2−18を作製した。青色の発光を示すこれらの素子について、実施例1と同様の方法で発光輝度、発光効率、駆動電圧を測定した。得られた結果を表2に示す。
前記実施例1及び2で作製した有機EL素子1−5(緑色発光有機EL素子)と、有機EL素子2−5(青色発光有機EL素子)と、有機EL素子1−5の燐光性化合物Ir(ppy)3をIr−9に置き換えた以外は有機EL素子1−1と同様にして作製した有機EL素子(赤色発光有機EL素子)とを同一基板上に並置し、図1に示すアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製した。Aが表示部、Bは制御部である。図2には作製したフルカラー表示装置の表示部Aの模式図のみを示した。即ち同一基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と、並置した複数の画素3(発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等)とを有し、配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示せず)。前記複数の画素3は、それぞれの発光色に対応した有機EL素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。このように各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
実施例4
《白色の有機EL素子の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
3 画素
5 走査線
6 データ線
A 表示部
B 制御部
Claims (11)
- 下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
- 前記一般式(1)のXがO原子またはS原子であり、A1〜A13が各々C原子であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
- 前記一般式(1)のR1〜R13のうち、少なくとも2つが前記一般式(2)または一般式(3)で表される基で置換されることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
- 前記一般式(1)のR1が前記一般式(2)または一般式(3)で表される基で置換されることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
- 陽極と陰極により挟まれた、少なくとも発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、少なくとも1層が請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層が請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料を含有することを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層が燐光発光性の金属錯体を含有することを特徴とする請求項5又は6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記燐光発光性の金属錯体がIr錯体であることを特徴とする請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項5〜8のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子がウェットプロセスで作製されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 請求項5〜8のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。
- 請求項5〜8のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。
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