JP2012089572A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012089572A5 JP2012089572A5 JP2010232752A JP2010232752A JP2012089572A5 JP 2012089572 A5 JP2012089572 A5 JP 2012089572A5 JP 2010232752 A JP2010232752 A JP 2010232752A JP 2010232752 A JP2010232752 A JP 2010232752A JP 2012089572 A5 JP2012089572 A5 JP 2012089572A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting elements
- column
- different
- directions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
次に、発光素子20R,20G,20Bを実装する配線基板10を用意する(図10(A)または図10(B))。続いて、配線基板10のパッド電極13上に、発光素子20R,20G,20Bを実装する。具体的には、仮固定用基板200Rおよび配線基板10を互いに貼り合わせたのち、レーザ照射により発光素子20Rを仮固定用基板200Rから剥離する。このとき、仮固定用基板200R上の全ての発光素子20Rに対して同時にレーザ照射するのではなく、仮固定用基板200R上の一部の発光素子20Rに対してレーザ照射する。簡単に言えば、間引き転写を行う。例えば、図13に示したように、仮固定用基板200R上の全ての発光素子20Rを複数のブロックB1,B2,…i,…(iは正の整数)に分け、ブロックBiごとに1つずつ、発光素子20Rをレーザ照射により剥離する。このようにして、発光素子20Rが、広いピッチで、配線基板10に転写される。このとき、発光素子20Rは、所定の位置のパッド電極13の直上に配置される(図14)。さらに、同様の方法によって、仮固定用基板200G上の発光素子20Gと、仮固定用基板200B上の発光素子20Bが配線基板10の表面に転写される(図15)。なお、図14、図15では、配線基板10は、図10(A)に記載の態様のものだけでなく、図10(B)に記載の態様のものも含まれる。
次に、仮固定用基板400上の複数の発光素子20Rのうち特定の発光素子20R(図18中で丸で囲んだ素子)だけを配線基板10上の所定の領域a1内に転写する(図19)。例えば、特定の列(例えば右から1,5)に含まれる複数の発光素子20Rのうち3つの発光素子20Rごとに1つずつ、配線基板10上に転写する。次に、仮固定用基板400を180°回転させて、仮固定用基板400上の各発光素子20Rの結晶軸の向きを180°回転させたのち、仮固定用基板400上の複数の発光素子20Rのうち特定の発光素子20Rだけを配線基板10上の所定の領域a1内に転写する(図20)。例えば、既に転写の行われた列とは異なる列(例えば図18において左から1,5列)に含まれる複数の発光素子20Rのうち3つの発光素子20Rごとに1つずつ、配線基板10上の発光素子20R同士の間に転写する。同様にして、配線基板10上の他の領域a2,a3,a4,…に対しても、発光素子20Rを転写する(図21)さらに、同様にして、配線基板10上に、発光素子20G,20Bを転写する(図22)。
(その1)
まず、複数の発光素子120Rが形成されたウェハ500を用意する(図24)。このとき、各発光素子120Rの1つの結晶軸の向き(図中の矢印)が同一の方向を向いている。なお、図24には、各素子の座標が、結晶軸の向きを示す矢印とともに記載されている。次に、ウェハ500上の全ての発光素子120Rを仮固定基板600に転写したのち、上述した方法と同様の方法を用いて発光素子20Rを形成する(図25)。仮固定用基板600は、例えば、透明基板(例えば石英基板またはサファイア基板)上に、未硬化の接着層が配置されたものである。なお、転写に伴い図25中の各素子の座標が図24中の座標を左右反転させた状態になっている。
まず、複数の発光素子120Rが形成されたウェハ500を用意する(図24)。このとき、各発光素子120Rの1つの結晶軸の向き(図中の矢印)が同一の方向を向いている。なお、図24には、各素子の座標が、結晶軸の向きを示す矢印とともに記載されている。次に、ウェハ500上の全ての発光素子120Rを仮固定基板600に転写したのち、上述した方法と同様の方法を用いて発光素子20Rを形成する(図25)。仮固定用基板600は、例えば、透明基板(例えば石英基板またはサファイア基板)上に、未硬化の接着層が配置されたものである。なお、転写に伴い図25中の各素子の座標が図24中の座標を左右反転させた状態になっている。
(その2)
まず、複数の発光素子120Rが形成されたウェハ300を用意したのち(図17)、仮固定基板400上に複数の発光素子20Rを形成する(図18)。次に、仮固定用基板400上の複数の発光素子20Rのうち特定の発光素子20R(図31中で丸で囲んだ素子)だけを配線基板10上の所定の領域a1内に転写する(図32)。例えば、特定の列(例えば図32において右から1,3,5,7列)に含まれる複数の発光素子20Rのうち6つの発光素子20Rごとに1つずつ、配線基板10上に転写する。このとき、図32に示したように、各発光素子20Rを互い違いに、配線基板10上に転写する。次に、仮固定用基板400を180°回転させて、仮固定用基板400上の各発光素子20の結晶軸の向きを180°回転させたのち、仮固定用基板400上の複数の発光素子20Rのうち特定の発光素子20R(図33中で丸で囲んだ素子)だけを配線基板10上の所定の領域a1内に転写する(図34)。例えば、特定の列(例えば図33において右から1,3,5,7列)に含まれる複数の発光素子20Rのうち一部の発光素子20Rを互い違いに、配線基板10上に転写する。同様にして、配線基板10上の他の領域a2,a3,a4,…に対しても、発光素子20Rを転写する(図35)さらに、同様にして、配線基板10上に、発光素子20G,20Bを転写する(図36)。
まず、複数の発光素子120Rが形成されたウェハ300を用意したのち(図17)、仮固定基板400上に複数の発光素子20Rを形成する(図18)。次に、仮固定用基板400上の複数の発光素子20Rのうち特定の発光素子20R(図31中で丸で囲んだ素子)だけを配線基板10上の所定の領域a1内に転写する(図32)。例えば、特定の列(例えば図32において右から1,3,5,7列)に含まれる複数の発光素子20Rのうち6つの発光素子20Rごとに1つずつ、配線基板10上に転写する。このとき、図32に示したように、各発光素子20Rを互い違いに、配線基板10上に転写する。次に、仮固定用基板400を180°回転させて、仮固定用基板400上の各発光素子20の結晶軸の向きを180°回転させたのち、仮固定用基板400上の複数の発光素子20Rのうち特定の発光素子20R(図33中で丸で囲んだ素子)だけを配線基板10上の所定の領域a1内に転写する(図34)。例えば、特定の列(例えば図33において右から1,3,5,7列)に含まれる複数の発光素子20Rのうち一部の発光素子20Rを互い違いに、配線基板10上に転写する。同様にして、配線基板10上の他の領域a2,a3,a4,…に対しても、発光素子20Rを転写する(図35)さらに、同様にして、配線基板10上に、発光素子20G,20Bを転写する(図36)。
次に、仮固定用基板800上の複数の発光素子20Rのうち特定の発光素子20R(図38中で丸で囲んだ素子)だけを配線基板10上の所定の領域a1内に転写する(図39)。例えば、特定の列(例えば右から1,4,7,10列)に含まれる複数の発光素子20Rのうち6つの発光素子20Rごとに1つずつ、配線基板10上に転写する。このとき、図39に示したように、各発光素子20Rを互い違いに、配線基板10上に転写する。次に、仮固定用基板800を90°回転させて、仮固定用基板800上の各発光素子20Rの結晶軸の向きを90°回転させたのち、仮固定用基板800上の複数の発光素子20Rのうち特定の発光素子20R(図40中で丸で囲んだ素子)だけを配線基板10上の所定の領域a1内に転写する(図41)。例えば、既に転写の行われた列とは異なる列(例えば図40において左から1,4,7,10列)に含まれる複数の発光素子20Rのうち6つの発光素子20Rごとに1つずつ、配線基板10上の発光素子20R同士の間に転写する。このとき、図41に示したように、各発光素子20Rを互い違いに、配線基板10上に転写する。同様にして、配線基板10上の他の領域a2,a3,a4,…に対しても、発光素子20Rを転写する(図42)さらに、同様にして、配線基板10上に、発光素子20G,20Bを転写する(図43)。
<5.第3の実施の形態>
[構成]
次に、本発明の第3の実施の形態に係る照明装置3について説明する。照明装置3は、上記実施の形態に係る発光装置1が照明パネル全面に配置されたものである。なお、照明装置3は、上記実施の形態に係る複数の発光装置1が、照明パネル全面にマトリクス状(格子状)またはハニカム状に配置されたものであってもよい。
[構成]
次に、本発明の第3の実施の形態に係る照明装置3について説明する。照明装置3は、上記実施の形態に係る発光装置1が照明パネル全面に配置されたものである。なお、照明装置3は、上記実施の形態に係る複数の発光装置1が、照明パネル全面にマトリクス状(格子状)またはハニカム状に配置されたものであってもよい。
<6.第3の実施の形態の変形例>
上記第3の実施の形態では、全ての色のLEDの結晶軸の向きが面内で揃わないようにしていたが、例えば、3色のLEDのうち1色のLEDの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。例えば、赤色のLEDの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、緑色のLEDの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、青色のLEDの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。また、例えば、3色のLEDのうち2色のLEDの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。例えば、赤色のLEDと緑色のLEDの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、赤色のLEDと青色のLEDの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、緑色のLEDと青色のLEDの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。
上記第3の実施の形態では、全ての色のLEDの結晶軸の向きが面内で揃わないようにしていたが、例えば、3色のLEDのうち1色のLEDの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。例えば、赤色のLEDの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、緑色のLEDの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、青色のLEDの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。また、例えば、3色のLEDのうち2色のLEDの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。例えば、赤色のLEDと緑色のLEDの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、赤色のLEDと青色のLEDの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、緑色のLEDと青色のLEDの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。
また、上記第3の実施の形態およびその変形例では、照明装置3は、照明画素17として3色のLEDを備えていたが、4色のLEDを備えていてもよいし、1色または2色のLEDだけを備えていてもよい。
Claims (18)
- 共通の配線基板上に行列状に実装された複数の第1の発光素子を備え、
各第1の発光素子は、単結晶からなる半導体積層構造を有し、かつ所定の波長帯の光を発するチップ状の半導体素子であり、
前記複数の第1の発光素子のうち所定の領域内に属する複数の第1の発光素子に着目したときに、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する第1の発光 素子同士の共通の結晶軸の向きが互いに異なる方向を向いている
発光装置。 - 前記結晶軸の向きは、前記結晶軸を矢印で表したときに、その矢印を平面上に投影した ときの、その矢印の向きである
請求項1に記載の発光装置。 - 前記複数の第1の発光素子のうち所定の領域内に属する複数の第1の発光素子に着目したときに、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する第1の発光素子同士の共通の結晶軸の向きが互いに90°±5°の範囲内または180°±5°の範囲内で異なる方向を向いている
請求項2に記載の発光装置。 - 前記配線基板上に、前記複数の第1の発光素子と共に行列状に実装された複数の第2の発光素子を備え、
各第2の発光素子は、単結晶からなる半導体積層構造を有し、かつ前記第1の発光素子とは異なる波長帯の光を発するチップ状の半導体素子であり、
前記複数の第2の発光素子のうち前記所定の領域内に属する複数の第2の発光素子に着目したときに、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する第2の発光素子同士の共通の結晶軸の向きが互いに異なる方向を向いている
請求項2または請求項3に記載の発光装置。 - 前記複数の第2の発光素子のうち所定の領域内に属する複数の第2の発光素子に着目したときに、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する第2の発光素子同士の共通の結晶軸の向きが互いに90°±5°の範囲内または180°±5°の範囲内で異なる方向を向いている
請求項4に記載の発光装置。 - 前記複数の第1の発光素子によって構成される行列のうち互いに近接する第1の列および第2の列に着目したときに、前記第1の列と前記第2の列とにおいて、共通の結晶軸の向きが互いに異なる方向を向いている
請求項2または請求項3に記載の発光装置。 - 前記第1の列と前記第2の列とにおいて、共通の結晶軸の向きが互いに180°±5°の範囲内で異なる方向を向いている
請求項6に記載の発光装置。 - 前記複数の第1の発光素子によって構成される行列のうち互いに近接する第1の列および第2の列に着目したときに、前記第1の列と前記第2の列とにおいて、共通の結晶軸の向きが互いに異なる方向を向いており、
前記複数の第2の発光素子によって構成される行列のうち互いに近接する第3の列および第4の列に着目したときに、前記第3の列と前記第4の列とにおいて、共通の結晶軸の向きが互いに異なる方向を向いている
請求項4に記載の発光装置。 - 前記第1の列と前記第2の列とにおいて、共通の結晶軸の向きが互いに180°±5°の範囲内で異なる方向を向いており、
前記第3の列と前記第4の列とにおいて、共通の結晶軸の向きが互いに180°±5°の範囲内で異なる方向を向いている
請求項8に記載の発光装置。 - 前記複数の第1の発光素子によって構成される行列のうち互いに近接する第1の列および第2の列に着目したときに、前記第1の列および前記第2の列に含まれる全ての第1の発光素子の共通の結晶軸の面内レイアウトにおいて、互いに隣り合う結晶軸の向きは互いに異なる方向を向いている
請求項2に記載の発光装置。 - 前記互いに隣り合う結晶軸の向きは互いに90°±5°の範囲内で異なる方向を向いている
請求項10に記載の発光装置。 - 前記複数の第1の発光素子によって構成される行列のうち互いに近接する第1の列および第2の列に着目したときに、前記第1の列および前記第2の列に含まれる全ての第1の発光素子の共通の結晶軸の面内レイアウトにおいて、互いに隣り合う結晶軸の向きは互いに異なる方向を向いており、
前記複数の第2の発光素子によって構成される行列のうち互いに近接する第3の列および第4の列に着目したときに、前記第3の列および前記第4の列に含まれる全ての第2の発光素子の共通の結晶軸の面内レイアウトにおいて、互いに隣り合う結晶軸の向きは互いに異なる方向を向いている
請求項4に記載の発光装置。 - 前記互いに隣り合う結晶軸の向きは互いに90°±5°の範囲内で異なる方向を向いている
請求項8に記載の発光装置。 - 各第1の発光素子および各第2の発光素子は、複数の電極を有し、
前記配線基板は、前記複数の電極のうち1つの電極に電気的に接続された第1配線と、
前記複数の電極のうち他の電極に電気的に接続された第2配線とを有し、
前記第1配線および前記第2配線のレイアウトは、前記所定の領域内に属する全ての第1の発光素子および複数の第2の発光素子との関係で互いに等しくなっている部分を有する
請求項4に記載の発光装置。 - 共通の配線基板上に行列状に実装された複数の第1の発光素子を有する表示パネルと、
映像信号に基づいて前記複数の第1の発光素子を駆動する駆動回路と
を備え、
各第1の発光素子は、単結晶からなる半導体積層構造を有し、かつ所定の波長帯の光を発するチップ状の半導体素子であり、
前記複数の第1の発光素子のうち所定の領域内に属する複数の第1の発光素子に着目したときに、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する第1の発光素子同士の共通の結晶軸の向きが互いに異なる方向を向いている
表示装置。 - 前記配線基板上に、前記複数の第1の発光素子と共に行列状に実装された複数の第2の発光素子を備え、
各第2の発光素子は、単結晶からなる半導体積層構造を有し、かつ前記第1の発光素子とは異なる波長帯の光を発するチップ状の半導体素子であり、
前記複数の第2の発光素子のうち所定の領域内に属する複数の第2の発光素子に着目したときに、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する第2の発光素子同士の共通の結晶軸の向きが互いに異なる方向を向いている
請求項15に記載の表示装置。 - 各第1の発光素子および各第2の発光素子は、複数の電極を有し、
前記配線基板は、前記複数の電極のうち1つの電極に電気的に接続された第1配線と、
前記複数の電極のうち他の電極に電気的に接続された第2配線とを有し、
前記第1配線および前記第2配線のレイアウトは、前記所定の領域内に属する全ての第1の発光素子および複数の第2の発光素子との関係で互いに等しくなっている部分を有する
請求項16に記載の表示装置。 - 前記第1の発光素子および前記第2の発光素子は、列方向に交互に配置されており、
前記複数の第1の発光素子および前記複数の第2の発光素子のうち前記所定の領域内に属する複数の第1の発光素子および複数の第2の発光素子を、列方向において互いに近接する第1の発光素子および第2の発光素子ごとにグループ分けしたときに、一のグループから発せられる光の偏光成分と、他のグループから発せられる光の偏光成分とが互いに異なっている
請求項16に記載の表示装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010232752A JP5740901B2 (ja) | 2010-10-15 | 2010-10-15 | 発光装置および表示装置 |
US13/268,245 US9373274B2 (en) | 2010-10-15 | 2011-10-07 | Light-emitting device and display device |
US15/167,410 US9786638B2 (en) | 2010-10-15 | 2016-05-27 | Light-emitting device and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010232752A JP5740901B2 (ja) | 2010-10-15 | 2010-10-15 | 発光装置および表示装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012089572A JP2012089572A (ja) | 2012-05-10 |
JP2012089572A5 true JP2012089572A5 (ja) | 2013-11-14 |
JP5740901B2 JP5740901B2 (ja) | 2015-07-01 |
Family
ID=45933785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010232752A Expired - Fee Related JP5740901B2 (ja) | 2010-10-15 | 2010-10-15 | 発光装置および表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9373274B2 (ja) |
JP (1) | JP5740901B2 (ja) |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5845557B2 (ja) | 2010-03-30 | 2016-01-20 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
JP5740901B2 (ja) * | 2010-10-15 | 2015-07-01 | ソニー株式会社 | 発光装置および表示装置 |
US9356070B2 (en) | 2012-08-15 | 2016-05-31 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
TWI457890B (zh) * | 2012-08-17 | 2014-10-21 | Macroblock Inc | Display structure and display |
KR101452768B1 (ko) | 2012-08-21 | 2014-10-21 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
US9252375B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-02-02 | LuxVue Technology Corporation | Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test |
KR101820275B1 (ko) * | 2013-03-15 | 2018-01-19 | 애플 인크. | 리던던시 스킴을 갖춘 발광 다이오드 디스플레이 및 통합 결함 검출 테스트를 갖는 발광 다이오드 디스플레이를 제작하는 방법 |
DE102013104046A1 (de) * | 2013-04-22 | 2014-10-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optische Anordnung und Anzeigegerät |
US9111464B2 (en) | 2013-06-18 | 2015-08-18 | LuxVue Technology Corporation | LED display with wavelength conversion layer |
JP2015092529A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-05-14 | ソニー株式会社 | 発光装置、発光ユニット、表示装置、電子機器、および発光素子 |
US9450147B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-09-20 | Apple Inc. | LED with internally confined current injection area |
JP6328497B2 (ja) * | 2014-06-17 | 2018-05-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体発光素子、パッケージ素子、および発光パネル装置 |
US9633883B2 (en) * | 2015-03-20 | 2017-04-25 | Rohinni, LLC | Apparatus for transfer of semiconductor devices |
CN105552190B (zh) * | 2015-04-30 | 2018-10-09 | 美科米尚技术有限公司 | 微型发光二极管 |
CN105405943A (zh) * | 2015-05-21 | 2016-03-16 | 美科米尚技术有限公司 | 微型发光二极管 |
KR102377794B1 (ko) * | 2015-07-06 | 2022-03-23 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
KR102396325B1 (ko) * | 2015-10-12 | 2022-05-13 | 삼성전자주식회사 | 엘이디 디스플레이 장치의 광학 부재 및 엘이디 디스플레이 장치 |
CN106097900B (zh) * | 2016-06-22 | 2019-04-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微发光二极管显示面板 |
TWI589023B (zh) * | 2016-06-27 | 2017-06-21 | 國立暨南國際大學 | 半導體裝置用基材及使用其之半導體裝置 |
US10356858B2 (en) * | 2016-09-26 | 2019-07-16 | Prilit Optronics, Inc. | MicroLED display panel |
US10529701B2 (en) * | 2016-09-26 | 2020-01-07 | Prilit Optronics, Inc. | MicroLED display panel |
US10141215B2 (en) | 2016-11-03 | 2018-11-27 | Rohinni, LLC | Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices |
JP6298962B1 (ja) * | 2016-11-21 | 2018-03-28 | 台湾▲ロ▼旦股▲分▼有限公司 | チップの固定方法 |
US10471545B2 (en) | 2016-11-23 | 2019-11-12 | Rohinni, LLC | Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices |
US10504767B2 (en) | 2016-11-23 | 2019-12-10 | Rohinni, LLC | Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die |
KR102415243B1 (ko) * | 2017-09-19 | 2022-06-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 모듈 및 이를 포함하는 표시 장치 |
JP6411685B1 (ja) * | 2017-10-12 | 2018-10-24 | ルーメンス カンパニー リミテッド | ディスプレイ用ledモジュール組立体 |
KR102419272B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2022-07-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 사운드 소자, 사운드 출력 장치 및 디스플레이 장치 |
KR101953797B1 (ko) * | 2017-12-26 | 2019-03-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마이크로led 표시장치 제조방법 |
JP7157331B2 (ja) * | 2017-12-27 | 2022-10-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11037911B2 (en) | 2017-12-27 | 2021-06-15 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10593852B2 (en) * | 2018-06-20 | 2020-03-17 | Innolux Corporation | Display device having a plurality of main pads, a plurality of redundant pads, and a light-emitting device |
US11094571B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-08-17 | Rohinni, LLC | Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment |
KR102558857B1 (ko) | 2018-11-16 | 2023-07-25 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 모듈 및 이를 이용한 대형 디스플레이 장치 |
KR102653341B1 (ko) | 2018-11-16 | 2024-04-02 | 삼성전자주식회사 | 마스크를 포함하는 마이크로 led 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 led 전사 방법 |
KR102652723B1 (ko) | 2018-11-20 | 2024-04-01 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 led 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 led 전사 방법 |
WO2020167401A1 (en) * | 2019-02-12 | 2020-08-20 | Corning Incorporated | Uniformizing an array of leds having asymmetric optical characteristics |
KR20200114077A (ko) | 2019-03-27 | 2020-10-07 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 led 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 led 전사 방법 |
WO2020213937A1 (en) | 2019-04-16 | 2020-10-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Led transferring method and display module manufactured by the same |
KR20200126234A (ko) * | 2019-04-29 | 2020-11-06 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 led 전사 방법 및 이에 의해 제조된 디스플레이 모듈 |
KR20210007705A (ko) | 2019-07-12 | 2021-01-20 | 삼성전자주식회사 | Led 전사 방법 및 이에 의해 제조된 디스플레이 모듈 |
WO2021042385A1 (zh) * | 2019-09-06 | 2021-03-11 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种led模块及led显示装置 |
TWI727428B (zh) * | 2019-09-20 | 2021-05-11 | 東貝光電科技股份有限公司 | 微型led面板之製造方法及其微型led面板 |
US11574895B2 (en) * | 2019-12-19 | 2023-02-07 | Innolux Corporation | Method of manufacturing electronic device |
WO2020256272A2 (ko) * | 2020-04-23 | 2020-12-24 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6072197A (en) * | 1996-02-23 | 2000-06-06 | Fujitsu Limited | Semiconductor light emitting device with an active layer made of semiconductor having uniaxial anisotropy |
JP4538951B2 (ja) | 2000-12-15 | 2010-09-08 | ソニー株式会社 | 素子の選択転写方法、画像表示装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法 |
JP4178385B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2008-11-12 | 東芝ライテック株式会社 | 照明装置 |
JP2005306189A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Kojima Press Co Ltd | 光源ユニットおよび照明装置 |
JP2006041283A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Sony Corp | 転写方法及び電子装置 |
JP5564162B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2014-07-30 | フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光ダイオード装置 |
JP2010161221A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Sony Corp | 実装基板の製造方法、実装基板および発光装置 |
JP5740901B2 (ja) | 2010-10-15 | 2015-07-01 | ソニー株式会社 | 発光装置および表示装置 |
-
2010
- 2010-10-15 JP JP2010232752A patent/JP5740901B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-10-07 US US13/268,245 patent/US9373274B2/en active Active
-
2016
- 2016-05-27 US US15/167,410 patent/US9786638B2/en active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012089572A5 (ja) | ||
JP7473702B2 (ja) | シリコン上のカラーiledディスプレイ | |
JP5740901B2 (ja) | 発光装置および表示装置 | |
US8476826B2 (en) | Manufacturing method of display device and display device | |
JP5740981B2 (ja) | 発光装置、照明装置および表示装置 | |
CN109037270B (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
JP2015092529A (ja) | 発光装置、発光ユニット、表示装置、電子機器、および発光素子 | |
CN110246953B (zh) | 一种Micro-LED芯片、显示设备及Micro-LED芯片的制作方法 | |
US10325888B2 (en) | Manufacturing method of display | |
JP2020501192A5 (ja) | ||
CN111508989B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示面板及其制备方法 | |
JP6107060B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
TW201904050A (zh) | 具有透光基材之微發光二極體顯示模組及其製造方法 | |
JP6220171B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
TWI611573B (zh) | 微發光二極體顯示模組的製造方法 | |
US10996517B2 (en) | Backlight and liquid crystal display device | |
CN109494216A (zh) | 堆叠结构微型led显示器 | |
JP2009015100A5 (ja) | ||
WO2020248201A1 (zh) | 微型发光二极管的巨量转移方法及系统 | |
CN106992230A (zh) | 一种led微粒转印方法 | |
TWI715323B (zh) | 顯示裝置 | |
TWI548083B (zh) | 顯示裝置、顯示模組及其畫素結構 | |
KR20190025305A (ko) | Led 발광 유닛 및 led 디스플레이 장치 | |
JP2011524994A (ja) | 小さな投影面積を有するプロジェクタ、ならびに、プロジェクタに対するマルチカラーledの使用 | |
WO2012171154A1 (zh) | 全彩顶部发光型有机电致发光显示器的彩色滤色片 |