JP2012074225A - Organic el element and manufacturing method thereof - Google Patents

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Akira Shoda
亮 正田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL element having high performance, long life, and high luminance at low cost with fewer processes, and provide a manufacturing method of the organic EL element.SOLUTION: An organic EL element 1 includes: a substrate 2; a plurality of first electrodes 4 formed so as to be patterned on the substrate 2; a barrier 6 formed on the substrate 2 and covering the side surface of each of the first electrodes 4; a light-emitting medium layer 8 formed on each of the first electrodes 4 and the barrier 6; and a second electrode 10 formed on the substrate 2 and the light-emitting medium layer 8. The organic EL element 1 further includes a liquid repellent layer 12 formed so as to be patterned on the barrier 6 between the light-emitting medium layer 8 and the second electrode 10, and the light-emitting medium layer 8 includes a carrier injection layer 14 formed so as to cover each of the first electrodes 4 and the barrier 6, and an organic light-emitting layer 16 formed so as to be patterned on each of the first electrodes 4 of a carrier injection layer 14. The liquid repellent layer 12 is formed between the carrier injection layer 14 and the second electrode 10.

Description

本発明は、情報表示端末等のディスプレイ等として、幅広い用途に用いられる有機EL素子及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an organic EL element used for a wide range of applications, such as a display of an information display terminal, and a method for manufacturing the same.

有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子は、二つの対向する電極の間に有機発光材料からなる有機発光層が形成されており、この有機発光層に電流を流すことで発光させるものである。
有機EL素子を効率よく発光させるためには、有機発光層の膜厚が重要である。
また、この有機EL素子をカラーディスプレイ化するためには、有機発光層を高精細にパターニングする必要がある。
In an organic EL (electroluminescence) element, an organic light emitting layer made of an organic light emitting material is formed between two opposing electrodes, and light is emitted by passing a current through the organic light emitting layer.
In order to efficiently emit light from the organic EL element, the thickness of the organic light emitting layer is important.
Further, in order to make this organic EL element into a color display, it is necessary to pattern the organic light emitting layer with high definition.

一般的に、カラーディスプレイ用の基板としては、パターニングされた感光性ポリイミドが、サブピクセルを区画するように隔壁状に形成されているものを用いる。その際、隔壁パターンは、陽極として成膜されている透明電極のエッジ部を覆うように形成される。
また、正孔キャリアを注入するためのキャリア注入層を成膜する方法としては、ドライ成膜法とウェット成膜法の二種類があるが、ウェット成膜法を用いる場合、一般的に、水に分散されたポリチオフェンの誘導体が用いられるが、水系インキは下地の影響を受けやすく、均一にコーティングすることが非常に困難である。
Generally, as a substrate for a color display, a substrate in which a patterned photosensitive polyimide is formed in a partition shape so as to partition subpixels is used. In that case, the partition pattern is formed so as to cover the edge portion of the transparent electrode formed as an anode.
In addition, there are two types of methods for forming a carrier injection layer for injecting hole carriers: a dry film formation method and a wet film formation method. A polythiophene derivative dispersed in the aqueous ink is used, but the water-based ink is easily affected by the base, and it is very difficult to coat uniformly.

一方、真空蒸着法蒸着による成膜は、均一な全面コーティングを簡便に行うことが可能である。
有機発光層を形成する方法も、キャリア注入層を成膜する方法と同様に、ドライ成膜法とウェット成膜法の二種類があるが、均一な成膜が容易なドライ成膜である真空蒸着法を用いる場合、微細パターンのマスクを用いてパターニングする必要があり、大型基板や微細パターニングが非常に困難である。
そこで、最近では、高分子材料を溶剤に溶かして塗工液にし、この塗工液を、ウェット成膜法で薄膜形成する方法が試みられている。
On the other hand, film formation by vacuum vapor deposition can easily perform uniform entire surface coating.
There are two methods for forming the organic light emitting layer, the dry film forming method and the wet film forming method, as in the method for forming the carrier injection layer. When the vapor deposition method is used, it is necessary to perform patterning using a fine pattern mask, which makes it very difficult to use a large substrate or fine patterning.
Therefore, recently, a method has been attempted in which a polymer material is dissolved in a solvent to form a coating liquid, and this coating liquid is formed into a thin film by a wet film forming method.

このように、高分子材料の塗工液を用いたウェット成膜法により、有機発光層を含む発光媒体層を形成する場合の層構成は、陽極側から、正孔輸送層、有機発光層と積層する二層構成が一般的である。
このとき、有機発光層は、カラーパネル化するために、赤(R)、緑(G)、青(B)の、それぞれの発光色を有する有機発光材料を、溶剤中に溶解、または、安定して分散させた有機発光インキを用いて塗り分けることが可能である(特許文献1、2参照)。
また、電極の間には、有機発光層以外にも、キャリア注入層(キャリア輸送層)が形成される。
As described above, the layer structure in the case of forming the light emitting medium layer including the organic light emitting layer by the wet film forming method using the coating liquid of the polymer material includes the hole transport layer, the organic light emitting layer and the like from the anode side. A two-layer structure is generally laminated.
At this time, in order to make the organic light emitting layer into a color panel, the organic light emitting materials having respective emission colors of red (R), green (G), and blue (B) are dissolved in a solvent or stable. It is possible to paint separately using the organic light-emitting ink dispersed (see Patent Documents 1 and 2).
In addition to the organic light emitting layer, a carrier injection layer (carrier transport layer) is formed between the electrodes.

ここで、キャリア注入層とは、電極から有機発光層へ電子を注入させる際に、電子の注入量を制御、または、もう一方の電極から有機発光層へ正孔が注入される際に、正孔の注入量を制御するのに用いられる層であり、電極と有機発光層の間に挿入される層である。
上記のような電子注入層としては、キノリノール誘導体の金属錯体等の、電子輸送性の有機物や、Ca、Ba等の、仕事関数の比較的小さい、例えば、アルカリ金属等が用いられ、あるいは、これらの機能を持つ層を複数積層する場合もある。
また、キャリア注入層としては、TPD(トリフェニレンアミン系誘導体:特許文献3参照)や、PEDOT:PSS(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸の混合物:特許文献4参照)、または、無機材料の正孔輸送材料(特許文献5参照)を用いることが可能である。
Here, the carrier injection layer means that when electrons are injected from the electrode into the organic light emitting layer, the amount of injected electrons is controlled or when holes are injected from the other electrode into the organic light emitting layer. It is a layer used to control the amount of holes injected, and is a layer inserted between the electrode and the organic light emitting layer.
As the electron injecting layer, an electron transporting organic material such as a metal complex of a quinolinol derivative, a relatively small work function such as Ca or Ba, such as an alkali metal, or the like is used. In some cases, a plurality of layers having the above functions are stacked.
As the carrier injection layer, TPD (triphenyleneamine derivative: see Patent Document 3), PEDOT: PSS (mixture of polythiophene and polystyrenesulfonic acid: see Patent Document 4), or a hole transport material of an inorganic material ( Patent Document 5) can be used.

特開2001−93668号公報JP 2001-93668 A 特開2001−155858号公報JP 2001-155858 A 特許第2916098号公報Japanese Patent No. 2916098 特許第2851185号公報Japanese Patent No. 2851185 特開平9−63771号公報JP-A-9-63771

上述したいずれのキャリア注入層も、電極と発光層の間に挿入することにより、電子と正孔の注入量を制御することによって発光効率を上げる目的を有している。
この場合、理想的には、RGBの、それぞれの発光層に対して、異なるキャリア注入層を用いることにより、性能を引き出すことが可能である。しかしながら、異なるキャリア注入層を用いる場合、量産プロセスにおいて工程が増えることと、高精細にパターニングが困難となることから、キャリア輸送層には、RGBに共通である、ベタ状の膜が形成されることが一般的である。
Any of the above carrier injection layers has the purpose of increasing the light emission efficiency by controlling the injection amount of electrons and holes by inserting it between the electrode and the light emitting layer.
In this case, ideally, it is possible to draw out performance by using different carrier injection layers for the respective light emitting layers of RGB. However, when different carrier injection layers are used, the number of steps is increased in the mass production process, and patterning with high definition becomes difficult. Therefore, a solid film common to RGB is formed in the carrier transport layer. It is common.

しかしながら、ベタ状の膜の上にパターンを成膜しようとすると、有機発光インキが流動して、ムラや弾きが発生する。このため、所望のパターンが得られない、均一な膜厚が得られない等の問題が生じる。
特に、RGBのパターン形成が不十分である場合、隣接する画素へ混色が生じて、発光色が変化してしまい、ディスプレイとしては致命的となる。
However, when an attempt is made to form a pattern on a solid film, the organic light-emitting ink flows to cause unevenness and repelling. For this reason, there arise problems that a desired pattern cannot be obtained and a uniform film thickness cannot be obtained.
In particular, when RGB pattern formation is insufficient, color mixture occurs in adjacent pixels and the emission color changes, which is fatal for a display.

RGBのパターンを形成する方法としては、印刷法、インクジェット法、ノズルプリント等があるが、特に、インクジェット法やノズルプリント法では、安定した吐出性を確保するために、低粘度の条件を採用する事が多く、溶液の流動性が高いため、より一層、混色するという問題があった。
本発明では、ベタ状に形成したキャリア注入層上でも、隣接する画素への混色が無く、安定して高精細にパターニングし、高効率、長寿命、高輝度であり、少ないプロセスで安価に提供することが可能な、有機EL素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
As a method of forming an RGB pattern, there are a printing method, an ink jet method, a nozzle print, and the like. In particular, the ink jet method and the nozzle print method adopt a low viscosity condition in order to ensure a stable discharge property. There are many problems, and the fluidity of the solution is high, so that there is a problem of further color mixing.
In the present invention, even on a solid carrier injection layer, there is no color mixing to adjacent pixels, patterning is stable and high-definition, high efficiency, long life, high brightness, low cost with few processes An object of the present invention is to provide an organic EL device and a method for manufacturing the same.

本発明のうち、請求項1に記載した発明は、基板と、当該基板上にパターン化して形成された複数の第一電極と、前記基板上に形成され、且つ前記各第一電極の側面を覆う隔壁と、前記各第一電極及び前記隔壁上に形成された発光媒体層と、前記基板及び前記発光媒体層上に形成された第二電極と、を備える有機EL素子であって、
前記発光媒体層は、前記各第一電極上及び前記隔壁上を覆うように形成されたキャリア注入層と、当該キャリア注入層上のうち前記各第一電極上にパターン化して形成された有機発光層と、を含み、
前記キャリア注入層と前記第二電極との間において前記隔壁上にパターン化して形成された撥液層を備えることを特徴とするものである。
Among the present inventions, the invention described in claim 1 is a substrate, a plurality of first electrodes formed by patterning on the substrate, and a side surface of each first electrode formed on the substrate. An organic EL device comprising: a partition wall to cover; the first electrode and a light emitting medium layer formed on the partition; and a second electrode formed on the substrate and the light emitting medium layer,
The light emitting medium layer includes a carrier injection layer formed so as to cover the first electrodes and the partition walls, and an organic light emission formed by patterning the first electrode among the carrier injection layers. A layer, and
A liquid repellent layer formed by patterning on the partition is provided between the carrier injection layer and the second electrode.

次に、本発明のうち、請求項2に記載した発明は、請求項1に記載した発明であって、前記キャリア注入層は、無機化合物であることを特徴とするものである。
次に、本発明のうち、請求項3に記載した発明は、請求項1に記載した発明であって、前記キャリア注入層は、有機化合物であることを特徴とするものである。
Next, of the present invention, the invention described in claim 2 is the invention described in claim 1, wherein the carrier injection layer is an inorganic compound.
Next, of the present invention, the invention described in claim 3 is the invention described in claim 1, wherein the carrier injection layer is an organic compound.

次に、本発明のうち、請求項4に記載した発明は、複数の第一電極を基板上にパターン化して形成する第一電極形成工程と、前記各第一電極の側面を覆う隔壁を前記基板上に形成する隔壁形成工程と、発光媒体層を前記各第一電極及び前記隔壁上に形成する発光媒体層形成工程と、前記基板及び前記発光媒体層上に第二電極を形成する第二電極形成工程と、を含む有機EL素子の製造方法であって、
撥液層を前記キャリア注入層と前記第二電極との間において前記隔壁上にパターン化して形成する撥液層形成工程を含み、
前記発光媒体層形成工程は、キャリア注入層を前記各第一電極上及び前記隔壁上を覆うように形成するキャリア注入層形成工程と、有機発光層を前記キャリア注入層上のうち前記各第一電極上にパターン化して形成する有機発光層形成工程と、を含み、
前記有機発光層形成工程では、前記各第一電極上及び前記隔壁上を覆うように形成された前記キャリア注入層上に、前記有機発光層の材料である有機発光材料を溶媒に溶解または分散させた有機発光インキを塗工して有機発光層をパターン化して形成することを特徴とするものである。
Next, among the present inventions, the invention described in claim 4 includes a first electrode forming step of patterning and forming a plurality of first electrodes on a substrate, and a partition covering the side surfaces of the first electrodes. A barrier rib forming step formed on the substrate, a light emitting medium layer forming step for forming a light emitting medium layer on each of the first electrodes and the barrier ribs, and a second electrode for forming a second electrode on the substrate and the light emitting medium layer. An organic EL device manufacturing method including an electrode forming step,
A liquid repellent layer forming step of forming a liquid repellent layer by patterning on the partition wall between the carrier injection layer and the second electrode;
The light emitting medium layer forming step includes a carrier injection layer forming step of forming a carrier injection layer so as to cover the first electrodes and the partition walls, and an organic light emitting layer of the first of the carrier injection layers. An organic light emitting layer forming step formed by patterning on the electrode,
In the organic light emitting layer forming step, an organic light emitting material that is a material of the organic light emitting layer is dissolved or dispersed in a solvent on the carrier injection layer formed so as to cover the first electrodes and the partition walls. The organic light emitting ink is applied to form an organic light emitting layer by patterning.

次に、本発明のうち、請求項5に記載した発明は、請求項4に記載した発明であって、前記有機発光層形成工程を、印刷法、インクジェット法及びノズルプリント法のうちいずれかを用いて行うことを特徴とするものである。
次に、本発明のうち、請求項6に記載した発明は、請求項4または請求項5に記載した発明であって、前記撥液層形成工程を、ラミネート転写法を用いて行うことを特徴とするものである。
Next, of the present invention, the invention described in claim 5 is the invention described in claim 4, wherein the organic light emitting layer forming step is performed by any one of a printing method, an inkjet method, and a nozzle printing method. It is characterized by being used.
Next, among the present inventions, the invention described in claim 6 is the invention described in claim 4 or 5, wherein the liquid repellent layer forming step is performed by using a laminate transfer method. It is what.

本発明によれば、各第一電極上及び隔壁上を覆うように形成されたキャリア注入層上のうち、隔壁上に撥液層をパターン化して形成することで、第一電極上に形成したキャリア注入層を平坦にすることが可能となる。
これにより、各画素の膜厚を均一にすることが可能となり、また、キャリア注入層上にパターン化して形成する有機発光層を、隣接する画素への混色が無く、安定して高精細にパターニングすることが可能となる。
このため、高効率、長寿命、高輝度であり、少ないプロセスで安価に提供することが可能な、有機EL素子及びその製造方法を提供することが可能となる。
According to the present invention, the liquid-repellent layer is formed on the partition by patterning on the first electrode and on the carrier injection layer formed so as to cover the partition, and formed on the first electrode. The carrier injection layer can be flattened.
As a result, the film thickness of each pixel can be made uniform, and the organic light-emitting layer formed by patterning on the carrier injection layer can be patterned stably and with high resolution without color mixing with adjacent pixels. It becomes possible to do.
For this reason, it is possible to provide an organic EL element and a method for manufacturing the organic EL element that have high efficiency, long life, and high brightness, and can be provided at low cost with a small number of processes.

本発明の第一実施形態における、有機EL素子の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the organic EL element in 1st embodiment of this invention. 基板の詳細な構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the detailed structure of a board | substrate. 凸版印刷法に用いる凸版印刷装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the relief printing apparatus used for a relief printing method. 本発明の第一実施形態における変形例の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the modification in 1st embodiment of this invention.

(第一実施形態)
以下、本発明の第一実施形態(以下、「本実施形態」と記載する)について、図面を参照しつつ、本実施形態に係る有機EL素子の構成と、有機EL素子の製造方法について説明する。
(構成)
まず、図1を用いて、本実施形態の有機EL素子1の構成を説明する。
図1は、本実施形態における有機EL素子1の概略構成を示す断面図である。
図1中に示すように、有機EL素子1は、基板2と、複数の第一電極4と、隔壁6と、発光媒体層8と、第二電極10と、撥液層12を備えている。
なお、本実施形態では、一例として、有機EL素子1を、第一電極4を陽極とし、第二電極10を陰極としたアクティブマトリクス駆動型の有機EL素子とした場合について説明する。
(First embodiment)
Hereinafter, a configuration of an organic EL element according to the present embodiment and a method for manufacturing the organic EL element according to the first embodiment of the present invention (hereinafter referred to as “this embodiment”) will be described with reference to the drawings. .
(Constitution)
First, the structure of the organic EL element 1 of this embodiment is demonstrated using FIG.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL element 1 in the present embodiment.
As shown in FIG. 1, the organic EL element 1 includes a substrate 2, a plurality of first electrodes 4, a partition wall 6, a light emitting medium layer 8, a second electrode 10, and a liquid repellent layer 12. .
In this embodiment, as an example, a case where the organic EL element 1 is an active matrix driving type organic EL element in which the first electrode 4 is an anode and the second electrode 10 is a cathode will be described.

この場合、第一電極4は、画素ごとに隔壁6で区画された画素電極として形成され、第二電極10は、素子全面に形成した対向電極として形成される。さらに、後述するキャリア注入層14は、正孔輸送性の正孔注入層となる。
なお、有機EL素子1の構成は、上記の構成に限定するものではなく、例えば、各電極(第一電極4、第二電極10)がそれぞれ直交するストライプ状とした、パッシプマトリクス駆動型の有機EL素子であってもよい。
また、第一電極4を陰極とし、第二電極10を陽極とした逆構造としてもよい。この場合には、キャリア注入層14は、電子輸送性の電子注入層となる。
In this case, the first electrode 4 is formed as a pixel electrode partitioned by the partition wall 6 for each pixel, and the second electrode 10 is formed as a counter electrode formed on the entire surface of the element. Further, the carrier injection layer 14 described later is a hole transporting hole injection layer.
The configuration of the organic EL element 1 is not limited to the above configuration. For example, a passive matrix driving type in which each electrode (first electrode 4 and second electrode 10) is formed in a stripe shape orthogonal to each other. It may be an organic EL element.
Alternatively, the first electrode 4 may be a cathode and the second electrode 10 may be an anode. In this case, the carrier injection layer 14 is an electron transporting electron injection layer.

(基板2の詳細な構成)
以下、図1を参照しつつ、図2を用いて、基板2の詳細な構成について説明する。
図2は、基板2の詳細な構成を示す断面図である。
なお、本実施形態では、基板2として、第一電極4及び隔壁6が設けられたTFT基板を用いた場合を例に挙げて説明する。
図2中に示すように、本実施形態の有機EL素子1が備える基板2は、薄膜トランジスタ20(TFT)と第一電極4(画素電極)が設けられている。
薄膜トランジスタ20と第一電極4とは、電気接続している。
(Detailed configuration of substrate 2)
Hereinafter, a detailed configuration of the substrate 2 will be described with reference to FIG. 1 and FIG. 2.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the substrate 2.
In the present embodiment, a case where a TFT substrate provided with the first electrode 4 and the partition 6 is used as the substrate 2 will be described as an example.
As shown in FIG. 2, the substrate 2 provided in the organic EL element 1 of the present embodiment is provided with a thin film transistor 20 (TFT) and a first electrode 4 (pixel electrode).
The thin film transistor 20 and the first electrode 4 are electrically connected.

薄膜トランジスタ20は基板2(支持体)で支持されている。
基板2としては、機械的強度及び絶縁性を有し、寸法安定性に優れていれば如何なる材料も使用することが可能である。
ここで、基板2の材料としては、例えば、ガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシートを用いることが可能である。
The thin film transistor 20 is supported by the substrate 2 (support).
As the substrate 2, any material can be used as long as it has mechanical strength and insulation and is excellent in dimensional stability.
Here, examples of the material of the substrate 2 include plastic films and sheets such as glass, quartz, polypropylene, polyethersulfone, polycarbonate, cycloolefin polymer, polyarylate, polyamide, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, and polyethylene naphthalate. Can be used.

また、基板2の材料としては、例えば、上記のプラスチックフィルムやシートに、酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウム等の金属窒化物、酸窒化珪素等の金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂等の高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた透光性基材や、アルミニウムやステンレス等の金属箔、シート、板等を用いることが可能である。   The material of the substrate 2 is, for example, a metal oxide such as silicon oxide or aluminum oxide, a metal fluoride such as aluminum fluoride or magnesium fluoride, silicon nitride, aluminum nitride, etc. Translucent substrate made of metal nitride, silicon oxynitride such as silicon oxynitride, polymer resin film such as acrylic resin, epoxy resin, silicone resin, polyester resin, etc., aluminum, stainless steel, etc. It is possible to use a metal foil, a sheet, a plate, or the like.

さらに、基板2の材料としては、例えば、上記のプラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレス等の金属膜を積層させた非透光性基材等を用いることが可能である。
ここで、基板2の透光性は、光の取出しをどちらの面から行うかに応じて選択すればよい。
上記の材料からなる基板2は、有機EL素子1内への水分の侵入を避けるために、無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布したりして、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好適である。特に、発光媒体層8への水分の侵入を避けるために、基板2における含水率及びガス透過係数を小さくすることが好適である。
薄膜トランジスタ20としては、公知の薄膜トランジスタを用いることが可能である。
Furthermore, as the material of the substrate 2, for example, a non-translucent base material in which a metal film such as aluminum, copper, nickel, stainless steel or the like is laminated on the above-described plastic film or sheet can be used.
Here, the translucency of the substrate 2 may be selected according to which surface the light is extracted from.
The substrate 2 made of the above material has been subjected to moisture-proofing treatment or hydrophobic treatment by forming an inorganic film or applying a fluororesin in order to avoid intrusion of moisture into the organic EL element 1. Is preferred. In particular, in order to avoid intrusion of moisture into the light emitting medium layer 8, it is preferable to reduce the moisture content and gas permeability coefficient in the substrate 2.
As the thin film transistor 20, a known thin film transistor can be used.

具体的には、主として、ソース/ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層22と、ゲート絶縁膜24及びゲート電極26から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。
ここで、薄膜トランジスタ20の構造は、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。
Specifically, a thin film transistor composed mainly of an active layer 22 in which a source / drain region and a channel region are formed, a gate insulating film 24, and a gate electrode 26 can be given.
Here, the structure of the thin film transistor 20 is not particularly limited, and examples thereof include a staggered type, an inverted staggered type, a top gate type, and a coplanar type.

活性層22の構成は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、または、チオフエンオリゴマー、ポリ(p−フェリレンビニレン)等の有機半導体材料により形成することが可能である。
上記の活性層22は、例えば、アモルファスシリコンをプラズマCVD法により積層し、イオンドーピングする方法を用いて形成する。
The configuration of the active layer 22 is not particularly limited, and for example, an inorganic semiconductor material such as amorphous silicon, polycrystalline silicon, microcrystalline silicon, cadmium selenide, thiophene oligomer, poly (p-ferri), or the like. It can be formed of an organic semiconductor material such as (lenvinylene).
The active layer 22 is formed by using, for example, a method of laminating amorphous silicon by plasma CVD and ion doping.

アモルファスシリコンをプラズマCVD法により積層し、イオンドーピングする方法としては、例えば、SiH4ガスを用いて、LPCVD法によりアモルファスシリコンを形成し、さらに、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法等が挙げられる。
また、アモルファスシリコンをプラズマCVD法により積層し、イオンドーピングする方法としては、例えば、Si26ガスを用いて、LPCVD法により、また、SiH4ガスを用いて、PECVD法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、さらに、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法(低温プロセス)等が挙げられる。
As a method of laminating amorphous silicon by plasma CVD and performing ion doping, for example, amorphous silicon is formed by LPCVD using SiH 4 gas, and amorphous silicon is crystallized by solid phase growth to form polysilicon. After obtaining the above, there may be mentioned a method of ion doping by ion implantation.
As a method of laminating amorphous silicon by plasma CVD and ion doping, for example, amorphous silicon is formed by LPCVD using Si 2 H 6 gas and PECVD using SiH 4 gas. In addition, there is a method (low temperature process) in which annealing is performed by a laser such as an excimer laser, and amorphous silicon is crystallized to obtain polysilicon, and then ion doping is performed by an ion doping method.

また、アモルファスシリコンをプラズマCVD法により積層し、イオンドーピングする方法としては、例えば、減圧CVD法またはLPCVD法によりポリシリコンを積層し、1000[℃]以上で熱酸化してゲート絶縁膜を形成し、その上にn+ポリシリコンのゲート電極8を形成し、その後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法(高温プロセス)等が挙げられる。   As a method of laminating amorphous silicon by plasma CVD and performing ion doping, for example, polysilicon is laminated by low pressure CVD or LPCVD, and thermally oxidized at 1000 [° C.] or higher to form a gate insulating film. A method (high temperature process) of forming an n + polysilicon gate electrode 8 thereon and then performing ion doping by an ion implantation method can be used.

ゲート絶縁膜24としては、一般的にゲート絶縁膜として使用されているものを用いることが可能である。すなわち、ゲート絶縁膜24としては、例えば、PECVD法、LPCVD法等により形成されたSiO2や、ポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO2等を用いることが可能である。
ゲート電極26としては、一般的にゲート電極として使用されているものを用いることが可能である。すなわち、ゲート電極26の材料としては、例えば、アルミ、銅等の金属(チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属)や、ポリシリコン、高融点金属のシリサイド、ポリサイド等が挙げられる。
As the gate insulating film 24, what is generally used as a gate insulating film can be used. That is, as the gate insulating film 24, for example, SiO 2 formed by PECVD, LPCVD, or the like, or SiO 2 obtained by thermally oxidizing a polysilicon film can be used.
As the gate electrode 26, what is generally used as a gate electrode can be used. That is, examples of the material of the gate electrode 26 include metals such as aluminum and copper (refractory metals such as titanium, tantalum, and tungsten), polysilicon, silicides of refractory metals, polycides, and the like.

なお、薄膜トランジスタ20の構造は、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極が三つ以上のマルチゲート構造であってもよい。また、LDD構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、一つの画素中に二つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。
また、本実施形態の有機EL素子1は、薄膜トランジスタ20が有機EL素子1のスイッチング素子として機能するように接続されている必要がある。このため、薄膜トランジスタ20のドレイン電極28と、第一電極4を電気的に接続している。なお、図2中では、ソース電極に符号30を付し、走査線に符号32を付している。
Note that the structure of the thin film transistor 20 may be a single gate structure, a double gate structure, or a multi-gate structure having three or more gate electrodes. Moreover, you may have a LDD structure and an offset structure. Further, two or more thin film transistors may be arranged in one pixel.
Moreover, the organic EL element 1 of this embodiment needs to be connected so that the thin film transistor 20 functions as a switching element of the organic EL element 1. For this reason, the drain electrode 28 of the thin film transistor 20 and the first electrode 4 are electrically connected. In FIG. 2, reference numeral 30 is assigned to the source electrode, and reference numeral 32 is assigned to the scanning line.

(第一電極4の詳細な構成)
以下、図1及び図2を参照して、第一電極4の詳細な構成について説明する。
各第一電極4は、基板2上にパターン化して形成されており、隔壁6によって区画されて、各画素に対応した画素電極を形成している。
第一電極4の材料としては、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物等の金属複合酸化物や、金、白金等の金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂等に分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものを、いずれも使用することが可能である。
(Detailed configuration of the first electrode 4)
Hereinafter, the detailed configuration of the first electrode 4 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
Each first electrode 4 is formed in a pattern on the substrate 2 and is partitioned by a partition wall 6 to form a pixel electrode corresponding to each pixel.
Examples of the material of the first electrode 4 include metal composite oxides such as ITO (indium tin composite oxide), indium zinc composite oxide, and zinc aluminum composite oxide, metal materials such as gold and platinum, and these metal oxides. In addition, it is possible to use either a single layer or a laminate of a fine particle dispersion film in which fine particles of a metal material are dispersed in an epoxy resin, an acrylic resin or the like.

ここで、第一電極4を陽極とする場合には、ITO等の仕事関数の高い材料を選択することが好適である。また、下方から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション構造の場合は、透光性のある材料を選択する必要がある。さらに、必要に応じて、第一電極4の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウム等の金属材料を補助電極として併設してもよい。   Here, when the first electrode 4 is used as an anode, it is preferable to select a material having a high work function such as ITO. In the case of a so-called bottom emission structure in which light is extracted from below, it is necessary to select a light-transmitting material. Further, if necessary, a metal material such as copper or aluminum may be provided as an auxiliary electrode in order to reduce the wiring resistance of the first electrode 4.

(隔壁6の詳細な構成)
以下、図1及び図2を参照して、隔壁6の詳細な構成について説明する。
隔壁6は、基板2上に形成されており、各第一電極4の側面を覆うことにより、画素に対応した発光領域を区画するように形成されている。
ここで、一般的に、アクティブマトリクス駆動型の有機EL素子1は、各画素(サブピクセル)に対して第一電極4が形成されており、それぞれの画素が、できるだけ広い面積を占有しようとするため、第一電極4の端部(側面)を覆うように形成される隔壁6の最も好適な形状は、各第一電極4を最短距離で区切る格子状を基本とする。
(Detailed configuration of partition wall 6)
Hereinafter, with reference to FIG.1 and FIG.2, the detailed structure of the partition 6 is demonstrated.
The partition wall 6 is formed on the substrate 2 and is formed so as to partition the light emitting region corresponding to the pixel by covering the side surface of each first electrode 4.
Here, in general, in the active matrix driving type organic EL element 1, the first electrode 4 is formed for each pixel (sub-pixel), and each pixel tries to occupy as wide an area as possible. Therefore, the most preferable shape of the partition wall 6 formed so as to cover the end portion (side surface) of the first electrode 4 is basically a lattice shape that divides each first electrode 4 by the shortest distance.

また、隔壁6の材料は、少なくとも、エチレン性不飽和化合物、光重合開始剤及びアルカリ可溶性バインダーを含有する。さらに、隔壁6の材料は、界面活性剤等を含有することが好適であり、溶剤も含有している。
隔壁6の好適な高さは、0.1[μm]以上〜10[μm]以下の範囲内であり、より好適には、0.5[μm]以上〜2[μm]以下の範囲内程度である。その理由は、隔壁6の高さが高すぎる場合、第二電極10(対向電極)の形成及び封止を妨げ、隔壁6の高さが低すぎる場合、第一電極4の端部を覆い切れない、または、発光媒体層8の形成時に、隣接する画素と混色してしまうためである。
Moreover, the material of the partition 6 contains an ethylenically unsaturated compound, a photoinitiator, and an alkali-soluble binder at least. Furthermore, the material of the partition wall 6 preferably contains a surfactant or the like, and also contains a solvent.
The suitable height of the partition wall 6 is in the range of 0.1 [μm] to 10 [μm], and more preferably in the range of 0.5 [μm] to 2 [μm]. It is. The reason is that if the height of the partition wall 6 is too high, the formation and sealing of the second electrode 10 (counter electrode) is hindered. If the height of the partition wall 6 is too low, the end of the first electrode 4 is completely covered. This is because there is no color mixing with adjacent pixels when the light emitting medium layer 8 is formed.

隔壁6の断面形状としては、順テーパ形状、逆テーパ形状等の台形状や、半円形等が挙げられ、また、多段状になっていても良い。
ここで、隔壁6の断面形状が多段状である場合には、下の基板側の下段と上の基板側の上段とが異なる材料・形成方法であっても、同じ材料・形成方法であってもよい。この場合、例えば、下段はSiN等の無機材料からなり、上段は上述した材料からなる構成等が挙げられる。
Examples of the cross-sectional shape of the partition wall 6 include a trapezoidal shape such as a forward taper shape and a reverse taper shape, a semicircular shape, and the like, and may have a multistage shape.
Here, when the cross-sectional shape of the partition wall 6 is a multi-stage shape, even if the lower stage on the lower substrate side and the upper stage on the upper substrate side are different materials / formation methods, the same material / formation method is used. Also good. In this case, for example, the lower stage is made of an inorganic material such as SiN, and the upper stage is made of the above-described material.

(発光媒体層8の詳細な構成)
以下、図1及び図2を参照して、発光媒体層8の詳細な構成について説明する。
発光媒体層8は、各第一電極4及び隔壁6上に形成されており、キャリア注入層14と、有機発光層16と、インターレイヤー層18を含んでいる。
キャリア注入層14は、各第一電極4上及び隔壁6上、具体的には、各第一電極4上と、隔壁6上の全面とを覆うように形成されている。これにより、画素領域での膜形状が平坦になるため、画素ごとの膜厚を均一にすることが可能となる。
(Detailed structure of the light emitting medium layer 8)
Hereinafter, the detailed configuration of the light emitting medium layer 8 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
The light emitting medium layer 8 is formed on each of the first electrodes 4 and the partition walls 6 and includes a carrier injection layer 14, an organic light emitting layer 16, and an interlayer layer 18.
The carrier injection layer 14 is formed so as to cover the first electrodes 4 and the partition walls 6, specifically, the first electrodes 4 and the entire surface of the partition walls 6. As a result, the film shape in the pixel region becomes flat, and the film thickness for each pixel can be made uniform.

なお、キャリア注入層14の詳細な構成については、後述する。
有機発光層16は、キャリア注入層14上のうち、各第一電極4上にパターン化して形成されている。なお、有機発光層16の詳細な構成については、後述する。
インターレイヤー層18は、キャリア注入層14と有機発光層16との間に形成されて、キャリア注入層14及び有機発光層16と積層している。また、インターレイヤー層18は、電子注入層、正孔注入層や電子ブロック層を形成している。
The detailed configuration of the carrier injection layer 14 will be described later.
The organic light emitting layer 16 is formed in a pattern on each first electrode 4 on the carrier injection layer 14. The detailed configuration of the organic light emitting layer 16 will be described later.
The interlayer layer 18 is formed between the carrier injection layer 14 and the organic light emitting layer 16 and laminated with the carrier injection layer 14 and the organic light emitting layer 16. In addition, the interlayer layer 18 forms an electron injection layer, a hole injection layer, and an electron block layer.

(キャリア注入層14の詳細な構成)
以下、図1及び図2を参照して、キャリア注入層14の詳細な構成について説明する。
キャリア注入層14は、隔壁6に沿った形状になっており、その頂部(最上段部の上面)に撥液層12を形成することで、キャリア注入層14上に形成される有機発光層16は、混色することなく撥液層12の領域外に形成されることになる。
これにより、有機EL素子1を、画素(サブピクセル)として配列することを可能とし、画像表示装置とすることが可能となる。すなわち、各画素を構成する有機発光層16を混色することなく、例えば、R(赤色)、G(緑色)及びB(青色)の三色に塗り分けることで、フルカラーのディスプレイパネルを作製することが可能となる。
(Detailed configuration of carrier injection layer 14)
Hereinafter, the detailed configuration of the carrier injection layer 14 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
The carrier injection layer 14 has a shape along the partition wall 6, and an organic light emitting layer 16 formed on the carrier injection layer 14 by forming the liquid repellent layer 12 on the top (upper surface of the uppermost step). Is formed outside the region of the liquid repellent layer 12 without color mixing.
As a result, the organic EL elements 1 can be arranged as pixels (subpixels), and an image display device can be obtained. That is, a full-color display panel is produced by, for example, separately applying R (red), G (green), and B (blue) colors without mixing the organic light-emitting layer 16 constituting each pixel. Is possible.

キャリア注入層14の膜厚は、20[nm]以上〜100[nm]以下の範囲内であることが好適である。これは、キャリア注入層14の膜厚が20[nm]よりも薄くなると、ショート欠陥が生じやすくなり、また、キャリア注入層14の膜厚が100[nm]を超えると、高抵抗化により低電流化してしまうためである。
キャリア注入層14の材料としては、任意の材料を用いることが可能であるが、例えば、画素間の短絡を妨げるために、抵抗率が104[Ω・cm]以上の材料を用いることが好適である。この場合、隔壁6の形状に段差を設けることで、キャリア注入層14の膜厚に変化をつけて、画素間の短絡を抑制しても良い。
The thickness of the carrier injection layer 14 is preferably in the range of 20 [nm] to 100 [nm]. This is because short defects are likely to occur when the thickness of the carrier injection layer 14 is thinner than 20 [nm], and when the thickness of the carrier injection layer 14 exceeds 100 [nm], the resistance is increased. This is because current is generated.
Any material can be used as the material of the carrier injection layer 14. For example, a material having a resistivity of 10 4 [Ω · cm] or more is preferably used to prevent a short circuit between pixels. It is. In this case, by providing a step in the shape of the partition wall 6, the film thickness of the carrier injection layer 14 may be changed to suppress a short circuit between pixels.

また、キャリア注入層14の材料としては、例えば、Cu2O、Cr23、Mn23、FeOx、NiO、CoO、Pr23、Ag2O、MoO2、Bi23、ZnO、TiO2、SnO2、ThO2、V25、Nb25、Ta25、MoO3、WO3、MnO2等の遷移金属酸化物及びこれらの窒化物、硫化物を一種以上含んだ無機化合物が挙げられる。 Examples of the material of the carrier injection layer 14 include Cu 2 O, Cr 2 O 3 , Mn 2 O 3 , FeOx, NiO, CoO, Pr 2 O 3 , Ag 2 O, MoO 2 , Bi 2 O 3 , One kind of transition metal oxides such as ZnO, TiO 2 , SnO 2 , ThO 2 , V 2 O 5 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , MoO 3 , WO 3 , MnO 2 , and nitrides and sulfides thereof. The inorganic compound contained above is mentioned.

また、キャリア注入層14の材料としては、例えば、ポリアニリン誘導体、オリゴアニリン誘導体、キノンジイミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール(PVK)誘導体、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)、ピロール誘導体、芳香族アミン、(トリフェニルアミン)ダイマー誘導体(TPD)、(α−ナフチルジフェニルアミン)ダイマー(α−NPD)、[(トリフェニルアミン)ダイマー]スピロダイマー(Spiro−TAD)等のトリアリールアミン類、4,4',4''-トリス[3-メチルフェニル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(m−MTDATA)、4,4',4''−トリス[1-ナフチル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(1−TNATA)等のスターバーストアミン類及び5,5'-α−ビス−{4−[ビス(4−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−2,2':5',2'−α−ターチオフェン(BMA−3T)等のオリゴチオフェン類、芳香族アミン含有高分子、芳香族ジアミン含有高分子、フルオレン含有芳香族アミン高分子、トリアゾール系、オキサゾール系、オキサジアゾール系、シロール系、ボロン系等の有機化合物が挙げられる。   Examples of the material for the carrier injection layer 14 include polyaniline derivatives, oligoaniline derivatives, quinonediimine derivatives, polythiophene derivatives, polyvinylcarbazole (PVK) derivatives, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), and pyrrole derivatives. , Aromatic amines, (triphenylamine) dimer derivative (TPD), (α-naphthyldiphenylamine) dimer (α-NPD), [(triphenylamine) dimer] spiro dimer (Spiro-TAD) 4,4 ′, 4 ″ -tris [3-methylphenyl (phenyl) amino] triphenylamine (m-MTDATA), 4,4 ′, 4 ″ -tris [1-naphthyl (phenyl) amino] tri Starburst amines such as phenylamine (1-TNATA) and 5, Oligothiophenes such as' -α-bis- {4- [bis (4-methylphenyl) amino] phenyl} -2,2 ': 5', 2'-α-terthiophene (BMA-3T), aromatic Examples include amine-containing polymers, aromatic diamine-containing polymers, fluorene-containing aromatic amine polymers, triazole-based, oxazole-based, oxadiazole-based, silole-based, and boron-based organic compounds.

特に、上述したように、キャリア注入層14が正孔輸送性の正孔注入層となっている場合、キャリア注入層14の材料としては、例えば、ポリアニリン誘導体、オリゴアニリン誘導体、キノンジイミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール(PVK)誘導体、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)、ピロール誘導体、芳香族アミン、(トリフェニルアミン)ダイマー誘導体(TPD)、(α−ナフチルジフェニルアミン)ダイマー(α−NPD)、[(トリフェニルアミン)ダイマー]スピロダイマー(Spiro−TAD)等のトリアリールアミン類、4,4',4''−トリス[3−メチルフェニル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(m−MTDATA)、4,4',4''−トリス[1-ナフチル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(1−TNATA)等のスターバーストアミン類及び5,5'−α−ビス−{4−[ビス(4−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−2,2':5',2'−αターチオフェン(BMA−3T)等のオリゴチオフェン類、芳香族アミン含有高分子、芳香族ジアミン含有高分子、フルオレン含有芳香族アミン高分子等が挙げられる。   In particular, as described above, when the carrier injection layer 14 is a hole transporting hole injection layer, examples of the material of the carrier injection layer 14 include polyaniline derivatives, oligoaniline derivatives, quinonediimine derivatives, and polythiophene derivatives. , Polyvinylcarbazole (PVK) derivative, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), pyrrole derivative, aromatic amine, (triphenylamine) dimer derivative (TPD), (α-naphthyldiphenylamine) dimer (α -NPD), [(triphenylamine) dimer] spiro dimer (Spiro-TAD) and the like triarylamines, 4,4 ′, 4 ″ -tris [3-methylphenyl (phenyl) amino] triphenylamine ( m-MTDATA), 4,4 ′, 4 ″ -Tris [1-naphthyl (pheny ) Starburst amines such as amino] triphenylamine (1-TNATA) and 5,5′-α-bis- {4- [bis (4-methylphenyl) amino] phenyl} -2,2 ′: 5 ′ , 2′-α terthiophene (BMA-3T), aromatic amine-containing polymers, aromatic diamine-containing polymers, fluorene-containing aromatic amine polymers, and the like.

また、上記のように、正孔注入層の材料として無機材料を用いる場合、無機材料としては、例えば、Cu2O、Cr23、Mn23、FeOx、NiO、CoO、Pr23、Ag2O、MoO2、Bi23、ZnO、TiO2、SnO2、ThO2、V25、Nb25、Ta25、MoO3、WO3、MnO2等の遷移金属酸化物、及びこれらの窒化物、硫化物を一種以上含んだ無機化合物を用いることが可能である。 As described above, when an inorganic material is used as the material for the hole injection layer, examples of the inorganic material include Cu 2 O, Cr 2 O 3 , Mn 2 O 3 , FeOx, NiO, CoO, and Pr 2 O. 3 , Ag 2 O, MoO 2 , Bi 2 O 3 , ZnO, TiO 2 , SnO 2 , ThO 2 , V 2 O 5 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , MoO 3 , WO 3 , MnO 2, etc. Transition metal oxides and inorganic compounds containing one or more of these nitrides and sulfides can be used.

ただし、上記の材料は、これらに限定されるものではない。すなわち、無機材料は、耐熱性及び電気化学的安定性に優れている材料が多いため、好適であるが、これらの材料は、単層または複数の層の積層構造や、混合層として形成することが可能である。この場合、好適な膜厚は5[nm]以上であり、より好適には、15[nm]程度以上である。
一方、上述したように、キャリア注入層14が電子輸送性の電子注入層となっている場合、キャリア注入層14の材料としては、例えば、一般的に電子輸送材料として用いられているものであれば良く、トリアゾール系、オキサゾール系、オキサジアゾール系、シロール系、ボロン系等の低分子系材料、フッ化リチウムや酸化リチウム等のアルカリ金属や、アルカリ土類金属の塩や、酸化物等を用いることが可能である。
However, the above materials are not limited to these. In other words, inorganic materials are suitable because many materials are excellent in heat resistance and electrochemical stability, but these materials should be formed as a single layer or a laminated structure of a plurality of layers or a mixed layer. Is possible. In this case, the preferable film thickness is 5 [nm] or more, and more preferably about 15 [nm] or more.
On the other hand, as described above, when the carrier injection layer 14 is an electron transporting electron injection layer, the material of the carrier injection layer 14 is, for example, generally used as an electron transport material. Low molecular materials such as triazole, oxazole, oxadiazole, silole, and boron, alkali metals such as lithium fluoride and lithium oxide, salts of alkaline earth metals, oxides, etc. It is possible to use.

(有機発光層16の詳細な構成)
以下、図1及び図2を参照して、有機発光層16の詳細な構成について説明する。
有機発光層16は、正孔と電子を再結合させることで発光する層であり、有機発光層16から放出される表示光が単色の場合は、インターレイヤー層18を被覆するように形成するが、多色の表示光を得るためには、必要に応じてパターニングを行うことにより、好適に用いることが可能である。
(Detailed structure of the organic light emitting layer 16)
Hereinafter, with reference to FIG.1 and FIG.2, the detailed structure of the organic light emitting layer 16 is demonstrated.
The organic light emitting layer 16 emits light by recombining holes and electrons. When the display light emitted from the organic light emitting layer 16 is monochromatic, it is formed so as to cover the interlayer layer 18. In order to obtain multicolor display light, it can be suitably used by performing patterning as necessary.

有機発光層16を形成する有機発光材料は、例えば、クマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、N,N’−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、N,N’−ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系等の発光性色素を、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系やポリフルオレン系の高分子材料が挙げられるが、本実施形態では、これらの材料に限定するわけではない。   Examples of the organic light emitting material for forming the organic light emitting layer 16 include coumarin, perylene, pyran, anthrone, porphyrene, quinacridone, N, N′-dialkyl-substituted quinacridone, naphthalimide, N, N ′. -Diaryl substituted pyrrolopyrrole, iridium complex and other luminescent dyes dispersed in polymers such as polystyrene, polymethyl methacrylate, polyvinylcarbazole, polyarylene, polyarylene vinylene and polyfluorene Although polymeric materials are mentioned, in this embodiment, it is not necessarily limited to these materials.

上記の有機発光材料は、溶媒に溶解または安定に分散させることにより、有機発光インキとなる。
ここで、有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等の単独、または、これらの混合溶媒が挙げられる。特に、トルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が、有機発光材料の溶解性の面から好適である。また、上記の有機発光インキには、必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されていてもよい。
Said organic luminescent material becomes organic luminescent ink by melt | dissolving or disperse | distributing stably to a solvent.
Here, examples of the solvent for dissolving or dispersing the organic light emitting material include toluene, xylene, acetone, anisole, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, and the like, or a mixed solvent thereof. In particular, aromatic organic solvents such as toluene, xylene, and anisole are preferable from the viewpoint of the solubility of the organic light emitting material. Moreover, surfactant, antioxidant, a viscosity modifier, a ultraviolet absorber, etc. may be added to said organic luminescent ink as needed.

また、有機発光層16を形成する有機発光材料としては、例えば、上述した高分子材料に加え、9,10−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、1,1,4,4−テトラフェニルブタジエン、トリス(8−キノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノラート)アルミニウム錯体、ビス(8−キノラート)亜鉛錯体、トリス(4−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−5−シアノ−8−キノラート)アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、トリス(8−キノリノラート)スカンジウム錯体、ビス[8−(パラ−トシル)アミノキノリン]亜鉛錯体及びカドミウム錯体、1,2,3,4−テトラフェニルシクロペンタジエン、ポリ−2,5−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン等の低分子系発光材料を使用することが可能である。   Examples of the organic light emitting material for forming the organic light emitting layer 16 include 9,10-diarylanthracene derivatives, pyrene, coronene, perylene, rubrene, 1,1,4,4-tetra, in addition to the polymer materials described above. Phenylbutadiene, tris (8-quinolato) aluminum complex, tris (4-methyl-8-quinolato) aluminum complex, bis (8-quinolato) zinc complex, tris (4-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolate) Aluminum complex, tris (4-methyl-5-cyano-8-quinolato) aluminum complex, bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) [4- (4-cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, Bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) [4- (4-sia Phenyl) phenolate] aluminum complex, tris (8-quinolinolato) scandium complex, bis [8- (para-tosyl) aminoquinoline] zinc complex and cadmium complex, 1,2,3,4-tetraphenylcyclopentadiene, poly-2 , 5-diheptyloxy-para-phenylene vinylene and other low molecular weight light emitting materials can be used.

(第二電極10の詳細な構成)
以下、図1及び図2を参照して、第二電極10の詳細な構成について説明する。
第二電極10は、基板2及び発光媒体層8上に形成されており、各第一電極4と対向している。
第二電極10の材料としては、第二電極10を陰極とする場合には、例えば、有機発光層16への電子注入効率が高い、仕事関数の低い物質を用いる。この場合、具体的には、Mg、Al、Yb等の金属単体を用いてもよく、発光媒体層8と接する界面に、Liや酸化Li、LiF等の化合物を1[nm]程度挟んだ状態で、安定性及び導電性の高い、AlやCuを積層して用いてもよい。
(Detailed configuration of the second electrode 10)
Hereinafter, the detailed configuration of the second electrode 10 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
The second electrode 10 is formed on the substrate 2 and the light emitting medium layer 8 and faces each first electrode 4.
As a material of the second electrode 10, when the second electrode 10 is a cathode, for example, a substance having a high electron injection efficiency into the organic light emitting layer 16 and a low work function is used. In this case, specifically, a simple metal such as Mg, Al, or Yb may be used, and a compound such as Li, oxidized Li, or LiF is sandwiched by about 1 [nm] at the interface contacting the light emitting medium layer 8. Therefore, Al or Cu having high stability and conductivity may be laminated.

また、第二電極10の材料としては、例えば、電子注入効率と安定性とを両立させるために、仕事関数が低い物質である、Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb等の金属を一種以上と、安定なAg、Al、Cu等の金属元素との合金系を用いてもよい。この場合、具体的には、MgAg、AlLi、CuLi等の合金を用いることが可能である。   The material of the second electrode 10 is, for example, Li, Mg, Ca, Sr, La, Ce, Er, Eu, which is a substance having a low work function in order to achieve both electron injection efficiency and stability. An alloy system of one or more metals such as Sc, Y, and Yb and a stable metal element such as Ag, Al, or Cu may be used. In this case, specifically, an alloy such as MgAg, AlLi, or CuLi can be used.

(撥液層12の詳細な構成)
以下、図1及び図2を参照して、撥液層12の詳細な構成について説明する。
撥液層12は、発光媒体層8と第二電極10との間、具体的には、キャリア注入層14と第二電極10との間において、隔壁6上にパターン化して形成されている。
撥液層12の材料としては、例えば、シリコン含有化合物やフッ素系化合物が挙げられるがフッ素系化合物が好適である。
また、撥液層12の材料において、撥液剤の分子量は特に制限されず、低分子量の化合物であっても、高分子量体であってもよい。
(Detailed configuration of the liquid repellent layer 12)
Hereinafter, the detailed configuration of the liquid repellent layer 12 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
The liquid repellent layer 12 is formed in a pattern on the partition 6 between the light emitting medium layer 8 and the second electrode 10, specifically, between the carrier injection layer 14 and the second electrode 10.
Examples of the material of the liquid repellent layer 12 include a silicon-containing compound and a fluorine compound, but a fluorine compound is preferable.
In the material of the liquid repellent layer 12, the molecular weight of the liquid repellent is not particularly limited, and may be a low molecular weight compound or a high molecular weight body.

上記のフッ素系化合物としては、パーフルオロアルキル基を含む化合物(パーフルオロアルキル基含有化合物)が好適であり、例えば、特開平7−35916号公報、特開平11−281815号公報、国際公開2004−042474号パンフレット、特開2005−60515号公報、特開2005−315984号公報、特開2006−171086号公報等に開示されている撥液性化合物等の他、ビッグケミー社製「BYK−340」、日油(株)社製「モディパーF200」、「モディパーF600」、「モディパーF3035」、ネオス社製「フタージェントMシリーズ、Sシリーズ、Fシリーズ、Gシリーズ、Dシリーズ、オリゴマーシリーズ」、ダイキン工業社製「ユニダイン」、信越シリコーン社製「トリフロロプロピルトリクロロシラン」、AGCセイミケミカル社製「サーフロンS−386」等の市販品や、パーフルオロ基含有アクリルモノマーを成分として共重合した樹脂等も挙げられる。   As the fluorine-based compound, a compound containing a perfluoroalkyl group (perfluoroalkyl group-containing compound) is suitable. For example, JP-A-7-35916, JP-A-11-281815, and International Publication 2004- In addition to the liquid repellent compounds disclosed in pamphlet No. 042474, JP-A 2005-60515, JP-A 2005-315984, JP-A 2006-71086, etc., “BYK-340” manufactured by Big Chemie, “Modiper F200”, “Modiper F600”, “Modiper F3035” manufactured by NOF Corporation, “Furgent M series, S series, F series, G series, D series, oligomer series” manufactured by Neos, Daikin Industries “Unidyne” manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd. “Trifluoropropyl” Rikuroroshiran ", commercially available products and the like AGC Seimi Chemical Co., Ltd.," Surflon S-386 ", a resin obtained by copolymerizing perfluoro group-containing acrylic monomer as a component and the like can also be mentioned.

さらには、安全性に懸念があるC6を超えるパーフルオロアルキル基を回避することが可能な、パーフルオロポリエーテル基等を含む化合物等も有効である。
また、上記のフッ素系化合物としては、フッ素化エポキシ樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、フッ素化ポリアミド樹脂、フッ素化ポリウレタン樹脂、フッ素化シロキサン樹脂及びそれらの変性樹脂等も用いることが可能である。
なお、撥液剤としては、撥液性樹脂を用いるのも有効であるが、これ以外にも、撥液剤としては、例えば、露光時に架橋反応をすることが可能な架橋性基を有する化合物(以下、「架橋性基含有撥液剤」と記載する場合がある)を用いることが好適である。
Furthermore, a compound containing a perfluoropolyether group or the like capable of avoiding a perfluoroalkyl group exceeding C6, which is concerned about safety, is also effective.
Moreover, as said fluorine-type compound, it is also possible to use a fluorinated epoxy resin, a fluorinated polyimide resin, a fluorinated polyamide resin, a fluorinated polyurethane resin, a fluorinated siloxane resin, and modified resins thereof.
As the liquid repellent, it is effective to use a liquid repellent resin, but besides this, as the liquid repellent, for example, a compound having a crosslinkable group capable of undergoing a cross-linking reaction at the time of exposure (hereinafter referred to as “liquid repellent”). , Which may be described as “cross-linkable group-containing liquid repellent”.

上記の架橋性基含有撥液剤であるフッ素含有化合物の具体例としては、例えば、パーフルオロアルキルスルホン酸、パーフルオロアルキルカルボン酸、パーフルオロアルキルアルキレンオキシド付加物、パーフルオロアルキルトリアルキルアンモニウム塩、パーフルオロアルキル基と親水基を含むオリゴマー、パーフルオロアルキル基と親油基を含むオリゴマー、パーフルオロアルキル基と親水基と新油基を含むオリゴマー、パーフルオロアルキルと親水基を含むウレタン、パーフルオロアルキルエステル、パーフルオロアルキル燐酸エステル等のフッ素含有有機化合物を挙げることができる。   Specific examples of the fluorine-containing compound as the crosslinkable group-containing liquid repellent include, for example, perfluoroalkylsulfonic acid, perfluoroalkylcarboxylic acid, perfluoroalkylalkylene oxide adduct, perfluoroalkyltrialkylammonium salt, Oligomers containing fluoroalkyl groups and hydrophilic groups, oligomers containing perfluoroalkyl groups and lipophilic groups, oligomers containing perfluoroalkyl groups, hydrophilic groups and new oil groups, urethanes containing perfluoroalkyl and hydrophilic groups, perfluoroalkyls Fluorine-containing organic compounds such as esters and perfluoroalkyl phosphate esters can be mentioned.

これらのフッ素含有化合物の市販品としては、例えば、大日本インキ化学工業社製の、「メガファックF116」、「メガファックF120」、「メガファックF142D」、「メガファックF144D」、「メガファックF150」、「メガファックF160」、「メガファックF171」、「メガファックF172」、「メガファックF173」、「メガファックF177」、「メガファックF178A」、「メガファックF178K」、「メガファックF179」、「メガファックF183」、「メガファックF184」、「メガファックF191」、「メガファックF812」、「メガファックF815」、「メガファックF824」、「メガファックF833」、「DEFENSAMCF300」、「メガファックMCF310」、「メガファックMCF312」、「メガファックMCF323」、「メガファックRS304」、「メガファックRS202」、「メガファックRS201」、「メガファックRS102」、「メガファックRS101」、「メガファックRS105」、「メガファックRS401」、「メガファックRS402」、「メガファックRS501」、「メガファックRS502」、「メガファックRS301」、「メガファックRS303」等の商品名で市販されている含フッ素有機化合物を使用することが可能である。   Commercially available products of these fluorine-containing compounds include, for example, “Megafac F116”, “Megafac F120”, “Megafac F142D”, “Megafac F144D”, “Megafac F150” manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. ”,“ Mega Fuck F160 ”,“ Mega Fuck F171 ”,“ Mega Fuck F172 ”,“ Mega Fuck F173 ”,“ Mega Fuck F177 ”,“ Mega Fuck F178A ”,“ Mega Fuck F178K ”,“ Mega Fuck F179 ”, “Megafuck F183”, “Megafuck F184”, “Megafuck F191”, “Megafuck F812”, “Megafuck F815”, “Megafuck F824”, “Megafuck F833”, “DEFENSAMCF300”, “Megafuck MCF310” " “Megafuck MCF312”, “Megafuck MCF323”, “Megafuck RS304”, “Megafuck RS202”, “Megafuck RS201”, “Megafuck RS102”, “Megafuck RS101”, “Megafuck RS105”, “Mega Use fluorine-containing organic compounds commercially available under trade names such as "Fuck RS401", "MegaFuck RS402", "MegaFuck RS501", "MegaFuck RS502", "MegaFuck RS301", "MegaFuck RS303", etc. Is possible.

また、フッ素含有化合物の市販品としては、上述したもの以外に、例えば、住友スリーエム社製の「フロラードFC430」、「メガファックFC431」や、旭硝子社製の「アサヒガードAG710」、「サーフロンS−382」、「メガファックSC−101」、「メガファックSC−102」、「メガファックSC−103」、「メガファックSC−104」、「メガファックSC−105」、「メガファックSC−106」や、ダイキン工業社製の「オブツールDAC」等の商品名で市販されている含フッ素有機化合物を使用することが可能である。
さらに好適な架橋性基含有撥液剤としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、アクリレート樹脂を主骨格に有する樹脂にフッ素原子置換した置換基を導入したものが挙げられる。
In addition to the above-mentioned commercial products of fluorine-containing compounds, for example, “Florard FC430”, “Megafac FC431” manufactured by Sumitomo 3M, “Asahi Guard AG710”, “Surflon S-” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. 382 "," Megafuck SC-101 "," Megafuck SC-102 "," Megafuck SC-103 "," Megafuck SC-104 "," Megafuck SC-105 "," Megafuck SC-106 " Alternatively, it is possible to use a fluorine-containing organic compound marketed under a trade name such as “Obtool DAC” manufactured by Daikin Industries, Ltd.
As a more preferable crosslinkable group-containing liquid repellent, for example, a resin having a fluorine atom-substituted substituent introduced into a resin having an epoxy resin, a phenol resin, a phenoxy resin, or an acrylate resin as a main skeleton can be mentioned.

以下、このような架橋性基含有撥液剤、特に、エポキシ樹脂を主骨格に有する樹脂にフッ素原子置換した置換基を導入したものである、エポキシ樹脂タイプ架橋性基含有撥液剤と、フェノール樹脂を主骨格に有する樹脂にフッ素原子置換した置換基を導入したものである、フェノール樹脂タイプ架橋性基含有撥液剤について、具体的に説明する。   Hereinafter, such a crosslinkable group-containing liquid repellent, in particular, an epoxy resin type crosslinkable group-containing liquid repellent that is obtained by introducing a fluorine atom-substituted substituent into a resin having an epoxy resin as a main skeleton, and a phenol resin. The phenol resin type crosslinkable group-containing liquid repellent, in which a fluorine atom-substituted substituent is introduced into the resin having the main skeleton, will be specifically described.

(エポキシ樹脂タイプ架橋性基含有撥液剤の説明)
エポキシ樹脂タイプ架橋性基含有撥液剤としては、エポキシ樹脂に、フッ素原子置換アルキル基、または、芳香環を有するカルボン酸(例えば、フッ素置換カルボン酸)を付加させたもの(例えば、フッ素置換酸変性エポキシ樹脂)を用いることが可能である。ここで、さらに、α,β−不飽和基含有カルボン酸をエポキシ樹脂に付加させたものが、光または熱処理により架橋して、隔壁6上からの溶出が防止されるため好適である。
(Description of epoxy resin type crosslinkable group-containing liquid repellent)
As an epoxy resin type crosslinkable group-containing liquid repellent, a fluorine atom-substituted alkyl group or a carboxylic acid having an aromatic ring (for example, fluorine-substituted carboxylic acid) added to an epoxy resin (for example, fluorine-substituted acid-modified) Epoxy resin) can be used. Here, the addition of an α, β-unsaturated group-containing carboxylic acid to an epoxy resin is preferable because it is cross-linked by light or heat treatment to prevent elution from the partition wall 6.

また、エポキシ樹脂タイプ架橋性基含有撥液剤としては、感光性組成物の溶剤または現像液であるアルカリ水溶液に対する溶解性を向上させるために、さらに、必要に応じて、上記のα,β−不飽和基含有カルボン酸付加で生成する水酸基に、多価カルボン酸(無水物)を付加させた、不飽和基及びカルボキシル基含有エポキシ樹脂が挙げられる。
上記のフッ素原子置換カルボン酸としては、例えば、パーフルオロヘプタン酸、パーフルオロオクタン酸、パーフルオロノナン酸等が挙げられる。
In addition, as the epoxy resin type crosslinkable group-containing liquid repellent, in order to improve the solubility of the photosensitive composition in an alkaline aqueous solution that is a solvent or a developer, the above α, β-insoluble liquid may be added as necessary. An unsaturated group and carboxyl group-containing epoxy resin in which a polyvalent carboxylic acid (anhydride) is added to a hydroxyl group generated by addition of a saturated group-containing carboxylic acid can be mentioned.
Examples of the fluorine atom-substituted carboxylic acid include perfluoroheptanoic acid, perfluorooctanoic acid, perfluorononanoic acid, and the like.

また、エポキシ樹脂、α,β−不飽和基含有カルボン酸及び多価カルボン酸(無水物)としては、上述した不飽和基及びカルボキシル基含有エポキシ樹脂において使用されるものを用い、上述したアルカリ可溶性バインダー中の不飽和基及びカルボキシル基含有エポキシ樹脂と同様の合成方法を用いることにより、フッ素置換酸変性エポキシ樹脂を得ることが可能である。
ここで、フッ素原子置換カルボン酸とα,β−不飽和モノカルボン酸のエポキシ樹脂への付加のモル比率は、1:0〜0.1:0.9の範囲内が好適である。
Moreover, as an epoxy resin, (alpha), (beta)-unsaturated group containing carboxylic acid, and polyhydric carboxylic acid (anhydride), what is used in the unsaturated group and carboxyl group-containing epoxy resin mentioned above is used, and the alkali solubility mentioned above is used. By using the same synthesis method as the unsaturated group- and carboxyl group-containing epoxy resin in the binder, it is possible to obtain a fluorine-substituted acid-modified epoxy resin.
Here, the molar ratio of addition of fluorine atom-substituted carboxylic acid and α, β-unsaturated monocarboxylic acid to the epoxy resin is preferably in the range of 1: 0 to 0.1: 0.9.

また、フッ素原子置換カルボン酸とα,β−不飽和モノカルボン酸は、合計で、エポキシ樹脂のエポキシ基の1化学当量に対して、通常は、0.5〜1化学当量の範囲内で付加させることが好適である。
また、上述した付加反応時の温度としては、通常、60[℃]以上〜150[℃]以下の範囲内、好適には、80[℃]以上〜120[℃]以下の範囲内の温度とすることが可能である。
さらに、多価カルボン酸(無水物)の付加量としては、上記の付加反応で生じた水酸基の1化学当量に対して、通常、0〜1化学当量の範囲内とすることが可能である。
In addition, the fluorine atom-substituted carboxylic acid and the α, β-unsaturated monocarboxylic acid are generally added within the range of 0.5 to 1 chemical equivalent to 1 chemical equivalent of the epoxy group of the epoxy resin. Is preferable.
The temperature during the addition reaction described above is usually in the range of 60 [° C.] to 150 [° C.], preferably in the range of 80 [° C.] to 120 [° C.]. Is possible.
Furthermore, the addition amount of the polyvalent carboxylic acid (anhydride) can usually be in the range of 0 to 1 chemical equivalent with respect to 1 chemical equivalent of the hydroxyl group generated by the above addition reaction.

(フェノール樹脂タイプ架橋性基含有撥液剤の説明)
フェノール樹脂タイプ架橋性基含有撥液剤としては、例えば、フェノール樹脂に、フッ素原子置換アルキル基または芳香環を有するエポキシ化合物(例えば、フッ素置換エポキシ化合物)、または、カルボン酸(例えば、フッ素置換カルボン酸)、または、イソシアネート化合物(例えば、フッ素置換イソシアネート化合物)を付加させたもの(例えば、フッ素置換エポキシ、酸、または、イソシアネート変性フェノール樹脂)を用いることが可能である。ここで、さらに、好適には、α,β−不飽和モノグリシジル化合物、α,β−不飽和モノカルボン酸、または、α,β−不飽和モノイソシアネート化合物をフェノール樹脂に付加させたものが、光または熱処理により架橋して隔壁上からの溶出が防止されるため、好適である。
(Description of phenolic resin type crosslinkable group-containing liquid repellent)
Examples of the phenol resin type crosslinkable group-containing liquid repellent include, for example, an epoxy compound having a fluorine atom-substituted alkyl group or an aromatic ring (for example, a fluorine-substituted epoxy compound) or a carboxylic acid (for example, a fluorine-substituted carboxylic acid). ) Or an isocyanate compound (for example, a fluorine-substituted isocyanate compound) added (for example, a fluorine-substituted epoxy, an acid, or an isocyanate-modified phenol resin) can be used. Here, more preferably, an α, β-unsaturated monoglycidyl compound, an α, β-unsaturated monocarboxylic acid, or an α, β-unsaturated monoisocyanate compound added to a phenol resin, It is suitable because it is cross-linked by light or heat treatment to prevent elution from the partition wall.

また、フェノール樹脂タイプ架橋性基含有撥液剤としては、さらに、必要に応じて、感光性組成物の溶剤または現像液であるアルカリ水溶液に対する溶解性を向上させるために、これらに、さらに多価カルボン酸(無水物)を付加させた、不飽和基及びカルボキシル基含有フェノール樹脂が挙げられる。
ここで、上記のフェノール樹脂としては、例えば、ビスフェノールAタイプノボラック樹脂、ビスフェノールFタイプノボラック樹脂、ビスフェノールSタイプノボラック樹脂、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、トリスフェノールタイプノボラック樹脂、フェノールとジシクロペンタンとの重合タイプノボラック樹脂、ジハイドロオキシルフルオレン型ノボラック樹脂、ジハイドロオキシルアルキレンオキシルフルオレン型タイプノボラック樹脂等が挙げられる。
In addition, as the phenol resin type crosslinkable group-containing liquid repellent, if necessary, in order to improve the solubility of the photosensitive composition in an alkaline aqueous solution as a solvent or a developer, a polyvalent carboxylic acid is further added. An unsaturated group- and carboxyl group-containing phenol resin to which an acid (anhydride) is added may be mentioned.
Here, examples of the phenol resin include bisphenol A type novolak resin, bisphenol F type novolak resin, bisphenol S type novolak resin, phenol novolak resin, cresol novolak resin, trisphenol type novolak resin, phenol and dicyclopentane, Polymerization type novolak resin, dihydroxyoxyfluorene type novolak resin, dihydroxyalkyleneoxylfluorene type novolak resin, and the like.

特に、フェノール樹脂としては、高い硬化膜強度の観点から、フェノールノボラック樹脂、または、クレゾールノボラック樹脂、フェノールとジシクロペンタジエンとの重合樹脂が好適である。
また、フッ素置換アルキル基を有するグリシジル化合物としては、例えば、パーフルオロヘキシルグリシジルエーテル、パーフルオロオクチルグリシジルエーテル、パーフルオロヘキシルグリシジルチオエーテル、パーフルオロオクチルグリシジルチオエーテル等が挙げられる。
In particular, the phenol resin is preferably a phenol novolac resin, a cresol novolac resin, or a polymer resin of phenol and dicyclopentadiene from the viewpoint of high cured film strength.
Examples of the glycidyl compound having a fluorine-substituted alkyl group include perfluorohexyl glycidyl ether, perfluorooctyl glycidyl ether, perfluorohexyl glycidyl thioether, and perfluorooctyl glycidyl thioether.

また、α,β−不飽和モノグリシジル化合物としては、例えば、アクロイルオキシエチルグリシジルエーテル、メタアクロイルオキシエチルグリシジルエーテル、エポキシアクリレート、エポキシメタアクリレート等が挙げられ、フッ素原子置換カルボン酸、及びα,β−不飽和モノカルボン酸としては、上記のエポキシ樹脂タイプ架橋性基含有撥液剤の説明において例示したものの中から、適宜選択して使用することが可能である。   Examples of the α, β-unsaturated monoglycidyl compound include acryloyloxyethyl glycidyl ether, methacryloyloxyethyl glycidyl ether, epoxy acrylate, epoxy methacrylate, and the like, fluorine atom-substituted carboxylic acid, and α The .beta.-unsaturated monocarboxylic acid can be appropriately selected from those exemplified in the description of the epoxy resin type crosslinkable group-containing liquid repellent.

また、フェノール樹脂に付加させる、フッ素原子置換化合物とα,β−不飽和基含有化合物のモル比は、1:0〜0.1:0.9の範囲が好適である。また、これらは、合計で、フェノール樹脂の水酸基の1化学当量に対して、通常、0.5〜1化学当量の範囲内で付加させることが好ましい。
また、上記の付加反応時の温度としては、通常60[℃]以上〜150[℃]以下の範囲内、好適には、80[℃]以上〜120[℃]以下の温度の範囲内とすることができる。さらに、多価カルボン酸(無水物)の付加量としては、上記の付加反応で生じた水酸基の1化学当量に対して、通常0〜1化学当量の範囲内とすることが可能である。
The molar ratio of the fluorine atom-substituted compound and the α, β-unsaturated group-containing compound to be added to the phenol resin is preferably in the range of 1: 0 to 0.1: 0.9. Moreover, it is preferable to add these normally in the range of 0.5-1 chemical equivalent with respect to 1 chemical equivalent of the hydroxyl group of a phenol resin.
The temperature during the above addition reaction is usually in the range of 60 [° C.] to 150 [° C.], and preferably in the range of 80 [° C.] to 120 [° C.]. be able to. Furthermore, the addition amount of the polyvalent carboxylic acid (anhydride) can usually be in the range of 0 to 1 chemical equivalent with respect to 1 chemical equivalent of the hydroxyl group generated by the above addition reaction.

(封止体について)
有機EL素子1は、電極(第一電極4、第二電極10)間に発光材料(発光媒体層8)を挟み、電流を流すことで発光させることが可能であるが、有機発光層16の材料である有機発光材料は、大気中の水分や酸素によって容易に劣化してしまう。
このため、通常、有機EL素子1には、外部と遮断するための封止体(図示せず)を設ける。このような封止体は、例えば、封止材上に樹脂層を設けて形成することが可能である。
(About sealed body)
The organic EL element 1 can emit light by sandwiching a light emitting material (light emitting medium layer 8) between electrodes (first electrode 4 and second electrode 10) and passing an electric current. The organic light emitting material as a material is easily deteriorated by moisture and oxygen in the atmosphere.
For this reason, normally, the organic EL element 1 is provided with a sealing body (not shown) for shielding from the outside. Such a sealing body can be formed by providing a resin layer on a sealing material, for example.

上記の封止材の材料としては、水分や酸素の透過性が低い基材を用いる必要がある。
また、封止材の材料としては、例えば、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、耐湿性フィルム等を挙げることができる。
耐湿性フィルムとしては、例えば、プラスチック基材の両面にSiOxをCVD法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルム、または、吸水剤を塗布した重合体フィルム等がある。ここで、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、10-6[g/m2/day]以下であることが好適である。
As a material for the sealing material, it is necessary to use a base material having low moisture and oxygen permeability.
Examples of the material for the sealing material include ceramics such as alumina, silicon nitride, and boron nitride, glass such as alkali-free glass and alkali glass, quartz, and moisture resistant film.
Examples of the moisture-resistant film include a film in which SiOx is formed on both surfaces of a plastic substrate by a CVD method, a film having a low permeability and a water absorption property, or a polymer film coated with a water absorbing agent. Here, the moisture permeability of the moisture-resistant film is preferably 10 −6 [g / m 2 / day] or less.

樹脂層の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂等からなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、二液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレート(EEA)ポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテート(EVA)等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物等の熱可塑性接着性樹脂を挙げることができる。   Examples of the material for the resin layer include a photo-curing adhesive resin, a thermosetting adhesive resin, a two-component curable adhesive resin, and an ethylene ethyl acrylate (EEA) made of an epoxy resin, an acrylic resin, a silicone resin, or the like. ) Acrylic resins such as polymers, vinyl resins such as ethylene vinyl acetate (EVA), thermoplastic resins such as polyamide and synthetic rubber, and thermoplastic adhesive resins such as acid-modified products of polyethylene and polypropylene. .

また、樹脂層を封止材の上に形成する方法としては、例えば、溶剤溶液法、押出ラミ法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法等を挙げることができる。
この場合、必要に応じて、吸湿性や吸酸素性を有する材料を含有させることも可能である。ここで、封止材上に形成する樹脂層の厚みは、封止する有機EL表示装置の大きさや形状により任意に決定されるが、5[μm]以上〜500[μm]以下の範囲内程度が好適である。
Examples of the method for forming the resin layer on the sealing material include a solvent solution method, an extrusion lamination method, a melt / hot melt method, a calendar method, a nozzle coating method, a screen printing method, a vacuum laminating method, and a hot roll. The laminating method etc. can be mentioned.
In this case, it is possible to contain a hygroscopic or oxygen-absorbing material as necessary. Here, the thickness of the resin layer formed on the sealing material is arbitrarily determined depending on the size and shape of the organic EL display device to be sealed, but is in the range of 5 [μm] to 500 [μm]. Is preferred.

なお、上記の説明では、封止体を、封止材上に樹脂層として形成したが、封止体を、有機EL素子1側に、直接形成することも可能である。
また、有機EL素子1と封止体との貼り合わせは、封止室で行う。
ここで、封止体を、封止材と樹脂層の二層構造とし、樹脂層に熱可塑性樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着のみ行うことが好適である。一方、樹脂層に熱硬化型接着樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着した後、さらに、硬化温度で加熱硬化を行うことが好適である。また、樹脂層に光硬化性接着樹脂を使用した場合は、ロールで圧着した後、さらに光を照射することで硬化を行うことが可能である。
In the above description, the sealing body is formed as a resin layer on the sealing material. However, the sealing body can be directly formed on the organic EL element 1 side.
The organic EL element 1 and the sealing body are bonded together in a sealing chamber.
Here, when the sealing body has a two-layer structure of a sealing material and a resin layer, and a thermoplastic resin is used for the resin layer, it is preferable to perform only pressure bonding with a heated roll. On the other hand, when a thermosetting adhesive resin is used for the resin layer, it is preferable to perform heat curing at a curing temperature after pressure bonding with a heated roll. Moreover, when using a photocurable adhesive resin for a resin layer, after crimping | bonding with a roll, it can harden | cure by further irradiating light.

(有機EL素子1の製造方法)
以下、図1及び2を参照しつつ、図3を用いて、有機EL素子1の製造方法を説明する。
有機EL素子1を製造する際には、まず、基板2上に、複数の第一電極4を、パターン化して形成する、第一電極形成工程を行う。すなわち、有機EL素子1の製造方法には、第一電極形成工程を含む。
第一電極形成工程において、第一電極4を形成する方法としては、第一電極4の材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の乾式成膜法を用いることが可能である。また、第一電極4を形成する方法としては、乾式成膜法以外にも、グラビア印刷法や、スクリーン印刷法等の湿式成膜法等を用いることが可能である。
(Method for producing organic EL element 1)
Hereinafter, the manufacturing method of the organic EL element 1 will be described with reference to FIGS. 1 and 2 and FIG.
When manufacturing the organic EL element 1, first, a first electrode forming process is performed in which a plurality of first electrodes 4 are formed by patterning on the substrate 2. That is, the manufacturing method of the organic EL element 1 includes a first electrode forming step.
In the first electrode forming step, the first electrode 4 is formed by a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, a sputtering method, depending on the material of the first electrode 4. It is possible to use a dry film forming method such as. Moreover, as a method of forming the first electrode 4, it is possible to use a gravure printing method, a wet film forming method such as a screen printing method, or the like other than the dry film forming method.

ここで、第一電極4のパターニング方法としては、第一電極4の材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法等の既存のパターニング法を用いることが可能である。なお、基板2としてTFTを形成した基板(図2参照)を用いる場合は、下層の画素に対応して導通を図ることができるように形成する。   Here, as a patterning method for the first electrode 4, an existing patterning method such as a mask vapor deposition method, a photolithography method, a wet etching method, or a dry etching method is used according to the material of the first electrode 4 and the film forming method. It is possible. Note that in the case where a substrate on which a TFT is formed (see FIG. 2) is used as the substrate 2, the substrate 2 is formed so as to be conductive corresponding to the lower pixel.

そして、基板2上に各第一電極4を形成した後、各第一電極4の側面を覆う隔壁6を、基板2上に形成する、隔壁形成工程を行う。すなわち、有機EL素子1の製造方法には、隔壁形成工程を含む。
隔壁形成工程では、各第一電極4を形成した基板2上に隔壁6を形成する方法としては、例えば、各第一電極4を形成した基板2上に無機膜を一様に形成し、レジストでマスキングした後、ドライエッチングを行う方法や、各第一電極4を形成した基板2上に感光性樹脂を積層し、フォトリソ法により所定のパターンとする方法が挙げられる。
And after forming each 1st electrode 4 on the board | substrate 2, the partition 6 formation process which forms the partition 6 which covers the side surface of each 1st electrode 4 on the board | substrate 2 is performed. That is, the method for manufacturing the organic EL element 1 includes a partition wall forming step.
In the partition formation step, as a method of forming the partition 6 on the substrate 2 on which each first electrode 4 is formed, for example, an inorganic film is uniformly formed on the substrate 2 on which each first electrode 4 is formed, and a resist is formed. And a method of performing dry etching, and a method of laminating a photosensitive resin on the substrate 2 on which each first electrode 4 is formed and forming a predetermined pattern by a photolithography method.

隔壁形成工程により基板2上に隔壁6を形成した後、発光媒体層8を各第一電極4及び隔壁6上に形成する、発光媒体層形成工程を行う。すなわち、有機EL素子1の製造方法には、発光媒体層形成工程を含む。
発光媒体層形成工程は、キャリア注入層14を各第一電極4上及び隔壁6上を覆うように形成するキャリア注入層形成工程と、有機発光層16をキャリア注入層14上のうち各第一電極4上にパターン化して形成する有機発光層形成工程を含む。
After the partition wall 6 is formed on the substrate 2 by the partition wall forming step, the light emitting medium layer forming step of forming the light emitting medium layer 8 on each first electrode 4 and the partition wall 6 is performed. That is, the method for manufacturing the organic EL element 1 includes a light emitting medium layer forming step.
The light emitting medium layer forming step includes a carrier injection layer forming step for forming the carrier injection layer 14 so as to cover the first electrodes 4 and the partition walls 6, and an organic light emitting layer 16 for each first of the carrier injection layers 14. An organic light emitting layer forming step of forming a pattern on the electrode 4 is included.

キャリア注入層形成工程では、キャリア注入層14の材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等のドライ成膜法や、スピンコート法、ゾルゲル法等のウェット成膜法等、既存の成膜法を用いる。また、これらの方法以外に、一般的な成膜法を用いてもよい。
ここで、キャリア注入層14が、上述した正孔注入層となっている場合、キャリア注入層形成工程において、キャリア注入層14を形成する方法としては、キャリア注入層14の材料を溶媒に溶解または分散させ、スピンコーター等を用いた各種塗布方法やスリットコート法、スプレーコート法、バーコート法、ディップコート法、凸版印刷法によって形成する方法や、抵抗加熱蒸着法によって形成する方法を用いる。
In the carrier injection layer forming step, depending on the material of the carrier injection layer 14, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, a dry film forming method such as a sputtering method, a spin coating method, or the like. An existing film formation method such as a wet film formation method such as a sol-gel method is used. In addition to these methods, a general film forming method may be used.
Here, when the carrier injection layer 14 is the hole injection layer described above, in the carrier injection layer forming step, as a method of forming the carrier injection layer 14, the material of the carrier injection layer 14 is dissolved in a solvent or Various coating methods using a spin coater or the like, a method of forming by a slit coating method, a spray coating method, a bar coating method, a dip coating method, a letterpress printing method, or a method of forming by a resistance heating vapor deposition method are used.

一方、キャリア注入層14が、上述した電子注入層となっている場合、キャリア注入層形成工程において、キャリア注入層14を形成する方法としては、真空蒸着法を用いることが可能である。また、電子注入層の電子輸送性材料、及び、これら電子輸送材料をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に溶解させ、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、水等の単独または混合溶媒に溶解または分散させて電子注入塗布液とし、印刷法により成膜する方法を用いることも可能である。   On the other hand, when the carrier injection layer 14 is the above-described electron injection layer, a vacuum deposition method can be used as a method for forming the carrier injection layer 14 in the carrier injection layer forming step. In addition, the electron transporting material of the electron injection layer, and these electron transporting materials are dissolved in a polymer such as polystyrene, polymethyl methacrylate, polyvinyl carbazole, etc., and toluene, xylene, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methanol It is also possible to use a method of forming a film by a printing method by dissolving or dispersing in ethanol, isopropyl alcohol, ethyl acetate, butyl acetate, water or the like alone or in a mixed solvent to form an electron injection coating solution.

また、有機発光層形成工程では、有機発光層16の材料に応じて、インクジェット印刷法、ノズルプリント印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法等のウェット成膜法等、既存の成膜法を用いる。特に、有機発光材料を、溶媒に溶解、または、安定に分散させた有機発光インキを用いて、有機発光層16を各発光色に塗り分ける場合には、隔壁6間にインキを転写してパターニングできるインクジェット法、ノズルプリント法、凸版印刷法が好適である。   In addition, in the organic light emitting layer forming step, existing film forming methods such as an ink jet printing method, a nozzle print printing method, a relief printing method, a gravure printing method, a screen printing method and the like are used depending on the material of the organic light emitting layer 16. A membrane method is used. In particular, when the organic light emitting layer 16 is applied to each light emitting color using an organic light emitting ink in which an organic light emitting material is dissolved or stably dispersed in a solvent, the ink is transferred between the partition walls 6 and patterned. An ink jet method, a nozzle printing method, and a relief printing method that can be used are suitable.

すなわち、有機発光層形成工程では、各第一電極4上及び隔壁6上を覆うように形成されたキャリア注入層14上に、有機発光層16の材料である有機発光材料を溶媒に溶解または分散させた有機発光インキを塗工して、有機発光層16をパターン化して形成する。
また、有機発光層形成工程は、印刷法、インクジェット法及びノズルプリント法のうちいずれかを用いて行う。
なお、上述した成膜法以外の方法を用いて、有機発光層16を形成してもよい。
That is, in the organic light emitting layer forming step, the organic light emitting material as the material of the organic light emitting layer 16 is dissolved or dispersed in the solvent on the carrier injection layer 14 formed so as to cover the first electrodes 4 and the partition walls 6. The organic light emitting ink thus applied is applied to form the organic light emitting layer 16 in a pattern.
In addition, the organic light emitting layer forming step is performed using any one of a printing method, an ink jet method, and a nozzle printing method.
In addition, you may form the organic light emitting layer 16 using methods other than the film-forming method mentioned above.

ここで、図3を用いて、上記の凸版印刷法により、有機発光層16を形成する手順を説明する。
図3は、凸版印刷法に用いる凸版印刷装置34の概略構成を示す図である。
図3中に示すように、凸版印刷装置34は、有機発光材料からなる有機発光インキを、第一電極4、キャリア注入層14、インターレイヤー層18が形成された基板2上にパターン印刷する際に用いる装置であり、インクタンク36と、インキチャンバー38と、アニロックスロール40と、凸部が設けられた凸版42がマウントされた版胴44を有している。
Here, the procedure for forming the organic light emitting layer 16 by the above-described relief printing method will be described with reference to FIG.
FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of the relief printing apparatus 34 used in the relief printing method.
As shown in FIG. 3, the relief printing apparatus 34 performs pattern printing of organic light emitting ink made of an organic light emitting material on the substrate 2 on which the first electrode 4, the carrier injection layer 14, and the interlayer layer 18 are formed. And an ink tank 36, an ink chamber 38, an anilox roll 40, and a plate cylinder 44 on which a relief plate 42 provided with projections is mounted.

インクタンク36には、溶剤で希釈された有機発光インキが収容されており、インキチャンバー38には、インクタンク36から、有機発光インキが送り込まれるようになっている。
アニロックスロール40は、インキチャンバー38のインキ供給部に接して、インキチャンバー38へ回転可能に支持されている。
上記のパターン印刷を行う際には、アニロックスロール40の回転に伴い、アニロックスロール40の表面に供給された有機発光インキのインキ層46が、均一な膜厚に形成される。このインキ層46のインキは、アニロックスロール40に近接して回転駆動される版胴44にマウントされた凸版42の凸部に転移する。
The ink tank 36 contains organic luminescent ink diluted with a solvent, and the organic luminescent ink is fed into the ink chamber 38 from the ink tank 36.
The anilox roll 40 is rotatably supported by the ink chamber 38 in contact with the ink supply unit of the ink chamber 38.
When the pattern printing is performed, the ink layer 46 of the organic light-emitting ink supplied to the surface of the anilox roll 40 is formed with a uniform film thickness as the anilox roll 40 rotates. The ink in the ink layer 46 is transferred to the convex portion of the relief plate 42 mounted on the plate cylinder 44 that is driven to rotate in the vicinity of the anilox roll 40.

そして、ステージ48には、被印刷基板2が設置されており、凸版42の凸部にあるインキが基板2に対して印刷され、必要に応じて乾燥工程を経て、基板2上に有機発光層16が形成されることとなる。なお、図3中には、ドクタに符号50を付している。
なお、他の発光媒体層(例えば、インターレイヤー層18)をインキ化して塗工する場合についても、上記と同様の形成方法を用いて、基板2上に層を形成することが可能である。
On the stage 48, the substrate 2 to be printed is installed, the ink on the convex portion of the relief plate 42 is printed on the substrate 2, and if necessary, a drying process is performed, and an organic light emitting layer is formed on the substrate 2. 16 will be formed. In FIG. 3, reference numeral 50 is assigned to the doctor.
In addition, also about the case where other luminescent medium layers (for example, interlayer layer 18) are made into ink and applied, it is possible to form a layer on the substrate 2 using the same formation method as described above.

ここで、本実施形態の有機EL素子1は、発光媒体層8が、キャリア注入層14と、有機発光層16と、インターレイヤー層18を含んでいる。
このため、本実施形態では、有機発光層形成工程の後工程として、インターレイヤー層18を形成するインターレイヤー層形成工程を行う。すなわち、本実施形態では、発光媒体層形成工程が、インターレイヤー層18を形成するインターレイヤー層形成工程を含んでいる。
Here, in the organic EL element 1 of the present embodiment, the light emitting medium layer 8 includes the carrier injection layer 14, the organic light emitting layer 16, and the interlayer layer 18.
For this reason, in this embodiment, the interlayer layer formation process which forms the interlayer layer 18 is performed as a post process of an organic light emitting layer formation process. That is, in this embodiment, the light emitting medium layer forming step includes an interlayer layer forming step for forming the interlayer layer 18.

インターレイヤー層形成工程において、インターレイヤー層18を形成する際には、インターレイヤー層18の材料として、ポリビニルカルバゾール、またはその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の、芳香族アミンを含むポリマー等を用い、これらの材料を、溶媒に溶解または分散させ、スピンコーター等を用いた各種塗布方法やインクジェット法、ノズルプリント法、凸版印刷法、スリットコート法、バーコート法を用いて形成する。   In forming the interlayer layer 18 in the interlayer layer forming step, the material of the interlayer layer 18 is polyvinylcarbazole, or a derivative thereof, a polyarylene derivative having an aromatic amine in the side chain or main chain, an arylamine. Derivatives, polymers containing aromatic amines such as triphenyldiamine derivatives, etc., these materials are dissolved or dispersed in a solvent, and various coating methods using a spin coater, ink jet method, nozzle printing method, letterpress printing It is formed using a method, a slit coat method, and a bar coat method.

上述した発光媒体層形成工程により発光媒体層8を形成した後、撥液層12を、キャリア注入層14と第二電極10との間において、隔壁6上にパターン化して形成する、撥液層形成工程を行う。すなわち、有機EL素子1の製造方法には、撥液層形成工程を含む。
ここで、隔壁6上とは、隔壁6上に形成されるキャリア注入層14上の意味であって、同じくキャリア注入層14上に形成されるインターレイヤー層18と有機発光層16が形成される部分以外の部分を示しており、隔壁6の直上の頂点付近を示している。
After the light emitting medium layer 8 is formed by the above-described light emitting medium layer forming step, the liquid repellent layer 12 is formed by patterning on the partition wall 6 between the carrier injection layer 14 and the second electrode 10. A formation process is performed. That is, the method for manufacturing the organic EL element 1 includes a liquid repellent layer forming step.
Here, “on the partition wall 6” means on the carrier injection layer 14 formed on the partition wall 6, and the interlayer layer 18 and the organic light emitting layer 16 are also formed on the carrier injection layer 14. A portion other than the portion is shown, and the vicinity of the apex immediately above the partition wall 6 is shown.

撥液層形成工程において、撥液層12を形成する方法としては、印刷法等のウエットプロセスによりパターン形成する方法、シャドウマスクと真空蒸着、プラズマCVD等のドライプロセスによりパターン形成する方法があり、これらの中から任意に選択可能である。
本実施形態では、キャリア注入層14へのダメージが小さく、パターン形成性に優れ、パターン表面にのみ、撥液性に優れた表面撥液性パターンを簡便な方法で形成可能な、ラミネート転写法を用いる。
In the liquid repellent layer forming step, as a method of forming the liquid repellent layer 12, there are a method of forming a pattern by a wet process such as a printing method, a method of forming a pattern by a dry process such as a shadow mask and vacuum deposition, plasma CVD, Any of these can be selected.
In the present embodiment, a laminate transfer method is used in which the damage to the carrier injection layer 14 is small, the pattern forming property is excellent, and the surface liquid repellent pattern having excellent liquid repellency can be formed only on the pattern surface by a simple method. Use.

ここで、ラミネート転写法を行う条件(ラミネート条件)は、所望の転写領域と膜厚が得られるように、適宜選択される事が好適である。また、フィルム上の撥液剤は、厚み5[nm]以上〜150[nm]以下の範囲内であることが好適である。
また、ロール温度は、100[℃]以上〜150[℃]以下の範囲内であることが好適である。さらに、搬送スピードは、100[mm/分]以上〜200[mm/分]以下の範囲内であることが好適である。また、押し圧は、0.2[MPa]以上〜1[MPa]以下の範囲内であることが好適である。
Here, it is preferable that the conditions for performing the laminate transfer method (laminate conditions) are appropriately selected so that a desired transfer region and film thickness can be obtained. Moreover, it is suitable for the liquid repellent on a film to exist in the range whose thickness is 5 [nm]-150 [nm].
The roll temperature is preferably in the range of 100 [° C.] to 150 [° C.]. Furthermore, the conveyance speed is preferably in the range of 100 [mm / min] to 200 [mm / min]. The pressing pressure is preferably in the range of 0.2 [MPa] to 1 [MPa].

上記の方法によって得られる撥液層12の膜厚は、十分な撥液性と陰極断線の抑制を両立するために、5[nm]以上〜100[nm]以下の範囲内であることが好適である。
撥液層形成工程により撥液層12を形成した後、基板2及び発光媒体層8上に、第二電極10を形成する、第二電極形成工程を行う。すなわち、有機EL素子1の製造方法には、第二電極形成工程を含む。
第二電極形成工程において、第二電極10を形成する方法としては、第二電極10の材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の乾式成膜法を用いることが可能である。
第二電極10を形成した後、上述した封止体を形成して、有機EL素子1の製造を終了する。
The film thickness of the liquid repellent layer 12 obtained by the above method is preferably in the range of 5 [nm] to 100 [nm] in order to achieve both sufficient liquid repellency and suppression of cathode disconnection. It is.
After the liquid repellent layer 12 is formed by the liquid repellent layer forming process, a second electrode forming process is performed in which the second electrode 10 is formed on the substrate 2 and the light emitting medium layer 8. That is, the method for manufacturing the organic EL element 1 includes a second electrode forming step.
In the second electrode forming step, the second electrode 10 is formed by a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, a sputtering method, depending on the material of the second electrode 10. It is possible to use a dry film forming method such as.
After forming the 2nd electrode 10, the sealing body mentioned above is formed and manufacture of the organic EL element 1 is complete | finished.

(第一実施形態の効果)
以下、第一実施形態の効果を記載する。
本実施形態の有機EL素子1及びその製造方法であれば、各第一電極4上及び隔壁6上を覆うように形成されたキャリア注入層14上のうち、隔壁6上に撥液層12をパターン化して形成することで、第一電極4上に形成したキャリア注入層14を、平坦にすることが可能となる。
このため、各画素の膜厚を均一にすることが可能となり、また、キャリア注入層14上にパターン化して形成する有機発光層16を、隣接する画素への混色が無く、安定して高精細にパターニングすることが可能となる。
その結果、高効率、長寿命、高輝度であり、少ないプロセスで安価に提供することが可能な、有機EL素子1及びその製造方法を提供することが可能となる。
(Effects of the first embodiment)
Hereinafter, effects of the first embodiment will be described.
In the organic EL element 1 and the manufacturing method thereof according to this embodiment, the liquid repellent layer 12 is formed on the partition wall 6 among the carrier injection layers 14 formed so as to cover the first electrodes 4 and the partition walls 6. By forming the pattern, the carrier injection layer 14 formed on the first electrode 4 can be flattened.
For this reason, it becomes possible to make the film thickness of each pixel uniform, and the organic light-emitting layer 16 formed by patterning on the carrier injection layer 14 has no color mixing with adjacent pixels and is stably high-definition. It becomes possible to perform patterning.
As a result, it is possible to provide the organic EL element 1 and a method for manufacturing the organic EL element 1 that have high efficiency, long life, and high luminance, and can be provided at low cost with few processes.

(変形例)
以下、第一実施形態の変形例を列挙する。
(1)本実施形態の有機EL素子1では、発光媒体層8の構成を、キャリア注入層14と、有機発光層16と、インターレイヤー層18を含んでいる構成としたが、これに限定するものではなく、図4中に示すように、発光媒体層8の構成を、インターレイヤー層18を含んでいない構成としてもよい。なお、図4は、本実施形態における変形例の概略構成を示す断面図である。
(2)本実施形態の有機EL素子1の製造方法では、発光媒体層形成工程が、インターレイヤー層18を形成するインターレイヤー層形成工程を含んでいるが、これに限定するものではなく、発光媒体層形成工程が、インターレイヤー層形成工程を含んでいなくともよい(図4参照)。
(Modification)
Hereinafter, modifications of the first embodiment will be listed.
(1) In the organic EL element 1 of the present embodiment, the configuration of the light emitting medium layer 8 is configured to include the carrier injection layer 14, the organic light emitting layer 16, and the interlayer layer 18, but is limited to this. Instead, as shown in FIG. 4, the configuration of the light emitting medium layer 8 may not include the interlayer layer 18. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a modified example of the present embodiment.
(2) In the manufacturing method of the organic EL element 1 of the present embodiment, the light emitting medium layer forming step includes the interlayer layer forming step of forming the interlayer layer 18, but the present invention is not limited to this. The medium layer forming step may not include the interlayer layer forming step (see FIG. 4).

(実施例)
以下、図1から図4を参照して、上述した第一実施形態の有機EL素子1と、比較例の有機EL素子を製造し、両者に対する物性の評価を行った結果について説明する。
なお、以下の説明では、第一実施形態の有機EL素子1を、「本発明例の有機EL素子」と記載する。同様に、以下の説明では、比較例の有機EL素子を、「比較例の有機EL素子」と記載する。
(Example)
Hereinafter, the results of manufacturing the organic EL element 1 of the first embodiment described above and the organic EL element of the comparative example and evaluating the physical properties of both will be described with reference to FIGS.
In the following description, the organic EL element 1 of the first embodiment is referred to as “organic EL element of the present invention example”. Similarly, in the following description, the organic EL element of the comparative example is described as “organic EL element of comparative example”.

(本発明例)
本発明例の有機EL素子1を製造する際には、基板2として、基板2上に設けられたスイッチング素子として機能する薄膜トランジスタ20と、その上方に形成された第一電極4(画素電極)とを備えたアクティブマトリクス基板を用いた。
また、アクティブマトリクス基板(基板2)のサイズは、200[mm]×200[mm]である。さらに、上記のアクティブマトリクス基板は、その中に対角が5インチであり、画素数が320×240のディスプレイが中央に配置されている。また、上記のアクティブマトリクス基板は、その基板端に、取出し電極とコンタクト部が形成されている。
そして、上記のアクティブマトリクス基板上に設けられている第一電極4の端部を被覆して画素を区画するような形状で、隔壁6を形成した。
(Example of the present invention)
When manufacturing the organic EL element 1 of the present invention example, as the substrate 2, a thin film transistor 20 functioning as a switching element provided on the substrate 2, and a first electrode 4 (pixel electrode) formed thereabove. An active matrix substrate provided with
The size of the active matrix substrate (substrate 2) is 200 [mm] × 200 [mm]. Further, the above active matrix substrate has a diagonal of 5 inches and a display having 320 × 240 pixels arranged in the center. The active matrix substrate has an extraction electrode and a contact portion at the substrate end.
And the partition 6 was formed in the shape which coat | covers the edge part of the 1st electrode 4 provided on said active matrix substrate, and partitions a pixel.

ここで、隔壁6を形成する際には、日本ゼオン社製の「ポジレジストZWD6216−6」をスピンコーターにて、アクティブマトリクス基板の全面に、厚さ2[μm]で形成した後、フォトリソグラフィーによって、幅40[μm]の隔壁6を形成した。これにより、サブピクセル数が960×240ドットであり、また、0.12[mm]×0.36[mm]ピッチの画素領域が区画された。   Here, when the partition wall 6 is formed, “positive resist ZWD6216-6” manufactured by ZEON Corporation is formed on the entire surface of the active matrix substrate with a thickness of 2 [μm] by a spin coater, and then photolithography is performed. Thus, the partition wall 6 having a width of 40 [μm] was formed. As a result, the number of subpixels was 960 × 240 dots, and pixel areas with a pitch of 0.12 [mm] × 0.36 [mm] were partitioned.

上記のように隔壁6を形成したアクティブマトリクス基板を、モリブデンターゲットが設置されているスパッタリング成膜装置に設置し、取り出し電極やコンタクト部に成膜されないように、表示領域上に正孔注入層(キャリア注入層14)をパターン化して成膜した。
このときのスパッタ条件は、圧力1[Pa]、電力1[kW]で、酸素のアルゴンガスに対する流量比が30[%]であった。また、正孔注入層の膜厚は、50[nm]とした。
The active matrix substrate on which the partition walls 6 are formed as described above is set in a sputtering film forming apparatus in which a molybdenum target is set, and a hole injection layer (on the display region is formed so as not to be formed on the extraction electrode or the contact portion). The carrier injection layer 14) was patterned and formed.
The sputtering conditions at this time were a pressure of 1 [Pa], a power of 1 [kW], and a flow rate ratio of oxygen to argon gas of 30 [%]. The film thickness of the hole injection layer was 50 [nm].

その後、厚みが30[nm]の撥液剤が形成されたフィルムを、ロール温度を120[℃]とし、押し圧を0.6[MPa]として、毎分150[mm]の速度でラミネートし、隔壁6上に形成されている正孔注入層上に、撥液層12を、その厚さが10[nm]となるようパターン化して形成した。
そして、インターレイヤー層18の材料であるポリビニルカルバゾール誘導体を、濃度が0.5[%]となるように、トルエンに溶解させたインキを用いて、上記のアクティブマトリクス基板を印刷機にセッティングし、絶縁層に挟まれた第一電極4の真上に、そのラインパターンに合わせて、凸版印刷法で印刷を行った。
Thereafter, the film on which the liquid repellent having a thickness of 30 [nm] is formed is laminated at a roll temperature of 120 [° C.] and a pressing pressure of 0.6 [MPa] at a speed of 150 [mm] per minute, On the hole injection layer formed on the partition wall 6, the liquid repellent layer 12 was patterned and formed so as to have a thickness of 10 [nm].
Then, using the ink in which the polyvinyl carbazole derivative, which is the material of the interlayer layer 18, is dissolved in toluene so that the concentration is 0.5 [%], the above active matrix substrate is set in a printing machine, Printing was performed by a relief printing method on the first electrode 4 sandwiched between the insulating layers according to the line pattern.

このとき、300線/インチのアニロックスロール及び感光性樹脂版を使用した。その結果、印刷・乾燥後のインターレイヤー層18の膜厚は、20[nm]となった。
次に、有機発光材料であるポリフェニレンビニレン誘導体を、その濃度が1[%]となるようにトルエンに溶解させた有機発光インキを用いて、上記のアクティブマトリクス基板を印刷機にセッティングし、絶縁層に挟まれた第一電極4の真上に、そのラインパターンに合わせて、有機発光層16を凸版印刷法で印刷した。
At this time, an anilox roll of 300 lines / inch and a photosensitive resin plate were used. As a result, the thickness of the interlayer layer 18 after printing and drying was 20 [nm].
Next, the above active matrix substrate is set in a printing machine using an organic light emitting ink in which a polyphenylene vinylene derivative, which is an organic light emitting material, is dissolved in toluene so that its concentration is 1 [%], and an insulating layer is formed. The organic light emitting layer 16 was printed by a relief printing method in accordance with the line pattern directly above the first electrode 4 sandwiched between the layers.

このとき、150線/インチのアニロックスロール及びピクセルのピッチに対応する感光性樹脂板を使用した。その結果、印刷・乾燥後の有機発光層16の膜厚は、80[nm]となった。
上記の工程を計三回繰り返し、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)の発光色に対応する有機発光層16を、各画素に形成した。
その後、電子注入層(キャリア注入層14)として、真空蒸着法を用いて、カルシウムを、厚みが10[nm]となるように成膜し、さらに、第二電極10として、アルミニウム膜を、厚みが150[nm]となるように成膜した。
At this time, a photosensitive resin plate corresponding to an anilox roll of 150 lines / inch and a pixel pitch was used. As a result, the film thickness of the organic light emitting layer 16 after printing and drying was 80 [nm].
The above steps were repeated a total of three times to form organic light emitting layers 16 corresponding to the emission colors of R (red), G (green), and B (blue) in each pixel.
Thereafter, as an electron injection layer (carrier injection layer 14), calcium is formed to have a thickness of 10 [nm] by using a vacuum deposition method, and an aluminum film is formed as the second electrode 10 to a thickness. The film was formed to have a thickness of 150 [nm].

そして、上記のように第二電極10を成膜したアクティブマトリクス基板に対し、封止材としたガラス板を、発光領域全てをカバーするように載せた後、約90[℃]で一時間程度、接着剤を熱硬化させて封止を行った。
上記の手順によって得られた、本発明例のアクティブマトリクス駆動型の有機EL素子1を備える表示装置を駆動させたところ、良好に駆動を行うことが可能であることが確認された。
Then, on the active matrix substrate on which the second electrode 10 is formed as described above, a glass plate as a sealing material is placed so as to cover the entire light emitting region, and then at about 90 [° C.] for about one hour. The adhesive was thermally cured and sealed.
When the display device provided with the active matrix driving type organic EL element 1 of the present invention obtained by the above-described procedure was driven, it was confirmed that the driving could be performed satisfactorily.

(比較例)
本発明例の有機EL素子1と同様のアクティブマトリクス基板を用い、隔壁6を形成した後、正孔輸送層を、本発明例と同じターゲットを用いて、同じスパッタリング条件により、膜厚が50[nm]の膜を形成した。
その後、撥液層を形成することなく、本発明例と同様の方法によりインターレイヤー層を形成した結果、インキが凸形状を乗り越えて、画素間で均一な膜厚を得る事ができなかった。
(Comparative example)
After the active matrix substrate similar to the organic EL element 1 of the present invention example was used and the partition wall 6 was formed, the hole transport layer was formed in a film thickness of 50 [ nm] was formed.
Thereafter, without forming a liquid repellent layer, an interlayer layer was formed by the same method as in the examples of the present invention. As a result, the ink got over the convex shape and a uniform film thickness could not be obtained between pixels.

また、インターレイヤー層の形成と同様、有機発光層の形成時においても、他画素への混色が発生した。その後、アクティブマトリクス基板に対し、封止材としたガラス板を、発光領域全てをカバーするように載せた後、約90[℃]で一時間程度、接着剤を熱硬化させて封止を行った。
上記の手順によって得られた、比較例のアクティブマトリクス駆動型の有機EL素子を備える表示装置を駆動させたところ、正常なRGB発光色が得られず、発光効率、輝度半減寿命が著しく低下していることが確認された。
以上により、本発明例の有機EL素子1は、比較例の有機EL素子よりも、正常なRGB発光色を得ることが可能であるとともに、発光効率の向上と、輝度半減寿命の延長が可能であるという結果を得た。
Similar to the formation of the interlayer layer, color mixing with other pixels occurred during the formation of the organic light emitting layer. After that, a glass plate as a sealing material is placed on the active matrix substrate so as to cover the entire light emitting region, and then the adhesive is thermally cured at about 90 [deg.] C. for about one hour for sealing. It was.
When a display device provided with the active matrix driving type organic EL element of the comparative example obtained by the above procedure is driven, normal RGB emission color cannot be obtained, and the luminous efficiency and luminance half-life are significantly reduced. It was confirmed that
As described above, the organic EL element 1 of the present invention can obtain a normal RGB emission color as compared with the organic EL element of the comparative example, and can improve the luminous efficiency and extend the luminance half-life. I got a result.

1 有機EL素子
2 基板
4 第一電極
6 隔壁
8 発光媒体層
10 第二電極
12 撥液層
14 キャリア注入層
16 有機発光層
18 インターレイヤー層
20 薄膜トランジスタ
22 活性層
24 ゲート絶縁膜
26 ゲート電極
28 ドレイン電極
30 ソース電極
32 走査線
34 凸版印刷装置
36 インクタンク
38 インキチャンバー
40 アニロックスロール
42 凸版
44 版胴
46 インキ層
48 ステージ
50 ドクタ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Organic EL element 2 Board | substrate 4 1st electrode 6 Partition 8 Light emission medium layer 10 2nd electrode 12 Liquid repellent layer 14 Carrier injection layer 16 Organic light emitting layer 18 Interlayer layer 20 Thin-film transistor 22 Active layer 24 Gate insulating film 26 Gate electrode 28 Drain Electrode 30 Source electrode 32 Scan line 34 Letterpress printing device 36 Ink tank 38 Ink chamber 40 Anilox roll 42 Letterpress 44 Plate cylinder 46 Ink layer 48 Stage 50 Doctor

Claims (6)

基板と、当該基板上にパターン化して形成された複数の第一電極と、前記基板上に形成され、且つ前記各第一電極の側面を覆う隔壁と、前記各第一電極及び前記隔壁上に形成された発光媒体層と、前記基板及び前記発光媒体層上に形成された第二電極と、を備える有機EL素子であって、
前記発光媒体層は、前記各第一電極上及び前記隔壁上を覆うように形成されたキャリア注入層と、当該キャリア注入層上のうち前記各第一電極上にパターン化して形成された有機発光層と、を含み、
前記キャリア注入層と前記第二電極との間において前記隔壁上にパターン化して形成された撥液層を備えることを特徴とする有機EL素子。
A substrate, a plurality of first electrodes patterned on the substrate, a partition formed on the substrate and covering a side surface of each first electrode, and on each of the first electrode and the partition An organic EL device comprising: a formed light emitting medium layer; and a second electrode formed on the substrate and the light emitting medium layer,
The light emitting medium layer includes a carrier injection layer formed so as to cover the first electrodes and the partition walls, and an organic light emission formed by patterning the first electrode among the carrier injection layers. A layer, and
An organic EL device comprising a liquid repellent layer formed by patterning on the partition between the carrier injection layer and the second electrode.
前記キャリア注入層は、無機化合物であることを特徴とする請求項1に記載した有機EL素子。   The organic EL device according to claim 1, wherein the carrier injection layer is an inorganic compound. 前記キャリア注入層は、有機化合物であることを特徴とする請求項1に記載した有機EL素子。   The organic EL device according to claim 1, wherein the carrier injection layer is an organic compound. 複数の第一電極を基板上にパターン化して形成する第一電極形成工程と、前記各第一電極の側面を覆う隔壁を前記基板上に形成する隔壁形成工程と、発光媒体層を前記各第一電極及び前記隔壁上に形成する発光媒体層形成工程と、前記基板及び前記発光媒体層上に第二電極を形成する第二電極形成工程と、を含む有機EL素子の製造方法であって、
撥液層を前記キャリア注入層と前記第二電極との間において前記隔壁上にパターン化して形成する撥液層形成工程を含み、
前記発光媒体層形成工程は、キャリア注入層を前記各第一電極上及び前記隔壁上を覆うように形成するキャリア注入層形成工程と、有機発光層を前記キャリア注入層上のうち前記各第一電極上にパターン化して形成する有機発光層形成工程と、を含み、
前記有機発光層形成工程では、前記各第一電極上及び前記隔壁上を覆うように形成された前記キャリア注入層上に、前記有機発光層の材料である有機発光材料を溶媒に溶解または分散させた有機発光インキを塗工して有機発光層をパターン化して形成することを特徴とする有機EL素子の製造方法。
A first electrode forming step of patterning and forming a plurality of first electrodes on the substrate; a barrier rib forming step of forming a partition wall covering the side surface of each first electrode on the substrate; and a light emitting medium layer A method for producing an organic EL device, comprising: a light emitting medium layer forming step formed on one electrode and the partition; and a second electrode forming step forming a second electrode on the substrate and the light emitting medium layer,
A liquid repellent layer forming step of forming a liquid repellent layer by patterning on the partition wall between the carrier injection layer and the second electrode;
The light emitting medium layer forming step includes a carrier injection layer forming step of forming a carrier injection layer so as to cover the first electrodes and the partition walls, and an organic light emitting layer of the first of the carrier injection layers. An organic light emitting layer forming step formed by patterning on the electrode,
In the organic light emitting layer forming step, an organic light emitting material that is a material of the organic light emitting layer is dissolved or dispersed in a solvent on the carrier injection layer formed so as to cover the first electrodes and the partition walls. A method for producing an organic EL device, comprising: forming an organic light emitting layer by applying an organic light emitting ink.
前記有機発光層形成工程を、印刷法、インクジェット法及びノズルプリント法のうちいずれかを用いて行うことを特徴とする請求項4に記載した有機EL素子の製造方法。   The method for producing an organic EL element according to claim 4, wherein the organic light emitting layer forming step is performed using any one of a printing method, an inkjet method, and a nozzle printing method. 前記撥液層形成工程を、ラミネート転写法を用いて行うことを特徴とする請求項4または5に記載した有機EL素子の製造方法。   6. The method of manufacturing an organic EL element according to claim 4, wherein the liquid repellent layer forming step is performed using a laminate transfer method.
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