JP2012070261A - 電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】オン駆動用抵抗１２１ｂとオフ駆動用抵抗１２２ｂの抵抗値は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがともにオンした場合に、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が、オン電圧が増加するオン、オフの閾値電圧付近の所定範囲外であって、オン、オフの閾値電圧より低くなるように設定されている。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障等したときにオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンしても、オン電圧が増加してＩＧＢＴ１１０ｄの発熱が増大することなく、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフすることができる。従って、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止することができる。
【選択図】図２

Description

本発明は、スイッチング素子と、駆動回路とを備えた電子装置に関する。

従来、スイッチング素子と、駆動回路とを備えた電子装置として、例えば特許文献１に開示されている電力変換器がある。

この電力変換器は、ＩＧＢＴと、３つのＭＯＳＦＥＴと、制御回路とを備えている。第１のＭＯＳＦＥＴのソースは駆動回路電源に、ドレインはＩＧＢＴのゲートに、ゲートは制御回路にそれぞれ接続されている。第２及び第３のＭＯＳＦＥＴのソースはＩＧＢＴのエミッタに、ドレインはＩＧＢＴのゲートに、ゲートは制御回路にそれぞれ接続されている。

制御回路は、外部から入力される駆動信号に基づいて３つのＭＯＳＦＥＴを制御してＩＧＢＴを駆動する。駆動信号がＩＧＢＴのオンを指示すると、制御回路は、第１のＭＯＳＦＥＴをオンするとともに、第２のＭＯＳＦＥＴをオフする。これにより、駆動回路電源からＩＧＢＴのゲートに電荷が充電される。その結果、ゲート電圧がオン、オフの閾値電圧より高くなり、ＩＧＢＴがオンする。

一方、駆動信号がＩＧＢＴのオフを指示すると、制御回路は、第１のＭＯＳＦＥＴをオフするとともに、第２のＭＯＳＦＥＴをオンする。これにより、ＩＧＢＴのゲートから電荷が放電される。その結果、ゲート電圧がオン、オフの閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴがオフする。そして、ゲート電圧が所定値以下になると、制御回路は、第３のＭＯＳＦＥＴをオンする。これにより、ＩＧＢＴのゲートから電荷がさらに放電され、ＩＧＢＴのオフ状態が保持される。

特許第３４３０８７８号公報

ところで、前述した電力変換器において、第１のＭＯＳＦＥＴがオン故障や、誤動作によってオンしたときに第２のＭＯＳＦＥＴがオンすると、ＩＧＢＴのゲート電圧が低下せず、ＩＧＢＴをオフできない異常状態が発生する。このとき、ＩＧＢＴのゲート電圧が、オン、オフの閾値電圧付近の所定範囲内の電圧であると、コレクタ−エミッタ間電圧、つまりオン電圧が増加し、ＩＧＢＴの発熱が増大する。このような異常状態が継続すると、ＩＧＢＴが発熱し熱破壊する可能性がある。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、第１のＭＯＳＦＥＴに相当するオン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供することを目的とする。

そこで、本発明者らは、この課題を解決すべく鋭意研究し試行錯誤を重ねた結果、オン駆動用抵抗とオフ駆動用抵抗の抵抗値を調整することで、オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子のオン電圧の増加を抑え、スイッチング素子の熱破壊を防止できることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、請求項１に記載の電子装置は、制御端子の電圧を制御することで駆動される第１スイッチング素子と、第１スイッチング素子を駆動するための電圧を供給する駆動用電源回路と、一端が駆動用電源回路の正極端子に、他端がオン駆動用抵抗を介して第１スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで第１スイッチング素子の制御端子にオン駆動用抵抗を介して電荷を充電するオン駆動用スイッチング素子と、一端が駆動用電源回路の負極端子に、他端がオフ駆動用抵抗を介して第１スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで第１スイッチング素子の制御端子からオフ駆動用抵抗を介して電荷を放電するオフ駆動用スイッチング素子と、入力される駆動信号に基づいてオン駆動用スイッチング素子とオフ駆動用スイッチング素子を制御することで、第１スイッチング素子の制御端子の電圧を制御して第１スイッチング素子を駆動する制御回路と、を備えた電子装置において、オン駆動用スイッチング素子とオフ駆動用スイッチング素子がともにオンした場合に、第１スイッチング素子の制御端子の電圧が、オン、オフの閾値電圧を含む所定範囲内の電圧とならないように、オン駆動用抵抗とオフ駆動用抵抗の抵抗値が設定されていることを特徴とする。

この構成によれば、オン駆動用スイッチング素子がオン故障や、誤動作によってオンしたときにオフ駆動用スイッチング素子がオンすると、駆動用電源回路の正負極端子間に、オン駆動用抵抗とオフ駆動用抵抗が直列接続されることになる。そのため、第１スイッチング素子の制御端子には、駆動用電源回路の出力電圧を、オン駆動用抵抗とオフ駆動用抵抗で分圧した電圧が供給される。しかし、オン駆動用抵抗とオフ駆動用抵抗の抵抗値は、オン駆動用スイッチング素子とオフ駆動用スイッチング素子がともにオンした場合に、第１スイッチング素子の制御端子の電圧が、オン電圧が増加するオン、オフの閾値電圧付近の所定範囲内の電圧とならないように設定されている。そのため、オン駆動用スイッチング素子とオフ駆動用スイッチング素子がともにオンしても、オン電圧が増加して第１スイッチング素子の発熱が増大することはない。従って、第１スイッチング素子の熱破壊を防止することができる。

請求項２に記載の電子装置は、オン駆動用スイッチング素子とオフ駆動用スイッチング素子がともにオンした場合に、第１スイッチング素子の制御端子の電圧が、オン、オフの閾値電圧より低くなるように、オン駆動用抵抗とオフ駆動用抵抗の抵抗値が設定されていることを特徴とする。

この構成によれば、オン駆動用スイッチング素子がオン故障や、誤動作によってオンしたときにオフ駆動用スイッチング素子がオンしても、第１スイッチング素子をオフすることができる。そのため、第１スイッチング素子の熱破壊を確実に防止することができる。

請求項３に記載の電子装置は、制御端子の電圧を制御することで駆動され、第１スイッチング素子に直列接続される第２スイッチング素子と、 入力される駆動信号に基づいて第２スイッチング素子の制御端子の電圧を制御して第２スイッチング素子を駆動するとともに、第２スイッチング素子に異常電流が流れたとき、第２スイッチング素子をオフする駆動回路と、を有し、オン駆動用スイッチング素子とオフ駆動用スイッチング素子がともにオンした場合に、第１スイッチング素子の制御端子の電圧が、オン、オフの閾値電圧より高くなるように、オン駆動用抵抗とオフ駆動用抵抗の抵抗値が設定されていることを特徴とする。

この構成によれば、オン駆動用スイッチング素子がオン故障や、誤動作によってオンしたときに、第２スイッチング素子がオンすると、第１及び第２スイッチング素子がともにオン状態となり、第１及び第２スイッチング素子に異常電流が流れる。第２スイッチング素子に異常電流が流れると、駆動回路が、第２スイッチング素子をオフする。そのため、第１スイッチング素子に流れる異常電流を遮断することができる。従って、第１スイッチング素子の熱破壊を防止することができる。

請求項４に記載の電子装置は、一端が駆動用電源回路の負極端子に、他端が遮断用抵抗を介して第１スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで第１スイッチング素子の制御端子から電荷を放電する遮断用スイッチング素子を有し、制御回路は、第１スイッチング素子に異常電流が流れたとき、遮断用スイッチング素子を制御して第１スイッチング素子をオフし、オン駆動用スイッチング素子と遮断用スイッチング素子がともにオンした場合に、第１スイッチング素子の制御端子の電圧がオン、オフの閾値電圧より低くなるように、オン駆動用抵抗と遮断用抵抗の抵抗値が設定されていることを特徴とする。

この構成によれば、オン駆動用スイッチング素子がオン故障や、誤動作によってオンしたときに、遮断用スイッチング素子がオンすると、駆動用電源回路の正負極端子間に、オン駆動用抵抗と遮断用抵抗が直列接続されることになる。そのため、第１スイッチング素子の制御端子には、駆動用電源回路の出力電圧を、オン駆動用抵抗と遮断用抵抗で分圧した電圧が供給される。しかし、オン駆動用抵抗と遮断用抵抗の抵抗値は、オン駆動用スイッチング素子と遮断用スイッチング素子がともにオンした場合に、第１スイッチング素子の制御端子の電圧が、オン、オフの閾値電圧より低くなるように設定されている。そのため、オン駆動用スイッチング素子がオン故障や、誤動作によってオンしたときに遮断用スイッチング素子がオンしても、第１スイッチング素子をオフすることができる。従って、第１スイッチング素子の熱破壊を防止することができる。

請求項５に記載の電子装置は、一端が駆動用電源回路の負極端子に、他端が遮断用抵抗を介して第１スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで第１スイッチング素子の制御端子から電荷を放電する遮断用スイッチング素子を有し、制御回路は、第１スイッチング素子に異常電流が流れたとき、遮断用スイッチング素子を制御して第１スイッチング素子をオフし、オフ駆動用スイッチング素子をオンするとき、遮断用スイッチング素子も同期してオンし、第１スイッチング素子をオフすることを特徴とする。

この構成によれば、オフ駆動用スイッチング素子と遮断用スイッチング素子で第１スイッチング素子の制御端子から電荷を放電する。そのため、第１スイッチング素子の制御端子から速やかに電荷を放電することができる。従って、第１スイッチング素子のオフする際のスイッチング速度を速くすることができる。

請求項６に記載の電子装置は、制御回路は、第１スイッチング素子の入出力端子間の電圧が所定値以下の場合に、遮断用スイッチング素子をオフ駆動用スイッチング素子に同期してオンすることを特徴とする。

この構成によれば、第１スイッチング素子のサージ電圧は、入出力端子間の電圧が高いほど、また、スイッチング速度が速いほど高くなる。サージ電圧が許容値を超えると、第１スイッチング素子が破壊する。しかし、制御回路は、第１スイッチング素子の入出力端子間の電圧が所定値以下の場合に、遮断用スイッチング素子をオフ駆動用スイッチング素子に同期してオンし、第１スイッチング素子のオフする際のスイッチング速度を速くする。つまり、入出力端子間の電圧に対応するサージ電圧が低い場合に限ってスイッチング速度を速くする。従って、サージ電圧による第１スイッチング素子の破壊を防止することができる。

請求項７に記載の電子装置は、制御回路は、駆動用電源回路の電圧が所定値以下の場合に、遮断用スイッチング素子をオフ駆動用スイッチング素子に同期してオンすることを特徴とする。

この構成によれば、第１スイッチング素子のサージ電圧は、制御端子の電圧が高いほど、また、スイッチング速度は速いほど高くなる。サージ電圧が許容値を超えると、第１スイッチング素子が破壊する。しかし、制御回路は、制御端子に電圧を供給する駆動用電源回路の電圧が所定値以下の場合に、遮断用スイッチング素子をオフ駆動用スイッチング素子に同期してオンし、第１スイッチング素子のオフする際のスイッチング速度を速くする。つまり、制御端子の電圧に対応するサージ電圧が低い場合に限ってスイッチング速度を速くする。従って、サージ電圧による第１スイッチング素子の破壊を防止することができる。

請求項８に記載の電子装置は、制御回路は、第１スイッチング素子の温度又は第１スイッチング素子の周囲温度が所定値以上の場合に、遮断用スイッチング素子をオフ駆動用スイッチング素子に同期してオンすることを特徴とする。

この構成によれば、第１スイッチング素子のサージ電圧に対する許容値は、第１スイッチング素子の温度又は周囲温度が高いほど高くなる。また、第１スイッチング素子のサージ電圧は、スイッチング速度が速いほど高くなる。サージ電圧が許容値を超えると、第１スイッチング素子が破壊する。しかし、制御回路は、第１スイッチング素子の温度又は周囲温度が所定値以上の場合に、遮断用スイッチング素子をオフ駆動用スイッチング素子に同期してオンし、第１スイッチング素子のオフする際のスイッチング速度を速くする。つまり、サージ電圧の許容値が高い場合に限ってスイッチング速度を速くする。そのため、サージ電圧による第１スイッチング素子の破壊を防止することができる。

なお、第１及び第２スイッチング素子は、スイッチング素子を区別するために便宜的に導入したものである。

第１実施形態におけるモータ制御装置の回路図である。 図１における制御装置の回路図である。

次に実施形態を挙げ、本発明をより詳しく説明する。本実施形態では、本発明に係る電子装置を、車両に搭載され、車両駆動用モータを制御するモータ制御装置に適用した例を示す。

（第１実施形態）
まず、図１を参照して第１実施形態のモータ制御装置の構成について説明する。ここで、図１は、第１実施形態におけるモータ制御装置の回路図である。

図１に示すモータ制御装置１（電子装置）は、車体から絶縁された高電圧バッテリＢ１の出力する直流高電圧（例えば２８８Ｖ）を３相交流電圧に変換して車両駆動用モータＭ１に供給し、車両駆動用モータＭ１を制御する装置である。モータ制御装置１は、平滑コンデンサ１０と、インバータ装置１１と、制御装置１２とを備えている。

平滑コンデンサ１０は、高電圧バッテリＢ１の直流高電圧を平滑化するための素子である。平滑コンデンサ１０の一端は、高電圧バッテリＢ１の正極端子に接続されている。また、他端は、高電圧バッテリＢ１の負極端子に接続されている。さらに、高電圧バッテリＢ１の負極端子は、車体から絶縁された高電圧バッテリ用のグランドに接続されている。

インバータ装置１１は、平滑コンデンサ１０によって平滑化された直流電圧を３相交流電圧に変換して車両駆動用モータＭ１に供給する装置である。インバータ装置１１は、ＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｆと、電流センス抵抗１１１ａ〜１１１ｆとを備えている。

ＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｆは、ゲート（制御端子）の電圧を制御することで駆動され、オン、オフすることで平滑コンデンサ１０に平滑化された直流電圧を３相交流電圧に変換するためのスイッチング素子である。ＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｆは、コレクタ電流に比例し、コレクタ電流より小さい電流が流れる電流センス端子を備えている。ＩＧＢＴ１１０ａ（第２スイッチング素子）、１１０ｄ（第１スイッチング素子）、ＩＧＢＴ１１０ｂ、１１０ｅ及びＩＧＢＴ１１０ｃ、１１０ｆはそれぞれ直列接続されている。具体的には、ＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｃのエミッタが、ＩＧＢＴ１１０ｄ〜１１０ｆのコレクタにそれぞれ接続されている。直列接続された３組のＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｄ、ＩＧＢＴ１１０ｂ、１１０ｅ及びＩＧＢＴ１１０ｃ、１１０ｆは並列接続されている。ＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｃのコレクタは平滑コンデンサ１０の一端に、ＩＧＢＴ１１０ｄ〜１１０ｆのエミッタは平滑コンデンサ１０の他端にそれぞれ接続されている。また、ＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｆのゲートとエミッタは制御装置１２にそれぞれ接続されている。さらに、直列接続されたＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｄ、ＩＧＢＴ１１０ｂ、１１０ｅ及びＩＧＢＴ１１０ｃ、１１０ｆの直列接続点は、車両駆動用モータＭ１にそれぞれ接続されている。

電流センス抵抗１１１ａ〜１１１ｆは、ＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｆに流れる電流を電圧に変換するための素子である。具体的には、電流センス端子に流れる電流を電圧に変換する素子である。電流センス抵抗１１１ａ〜１１１ｆの一端はＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｆの電流センス端子に、他端はＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｆのエミッタにそれぞれ接続されている。また、電流センス抵抗１１１ａ〜１１１ｆの両端は、制御装置１２にそれぞれ接続されている。

制御装置１２は、ＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｆを制御する装置である。制御装置１２は、ＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｆのゲートとエミッタにそれぞれ接続されている。また、ＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｆに流れる電流を検出するため、電流センス抵抗１１１ａ〜１１１ｆの両端にそれぞれ接続されている。

次に、図２を参照して制御装置について詳細に説明する。ここで、図２は、図１における制御装置の回路図である。具体的には、１つのＩＧＢＴに対する回路部分を示す回路図である。

図２に示すように、制御装置１２は、ＩＧＢＴ１１０ｄに対して、駆動用電源回路１２０と、オン駆動用回路１２１と、オフ駆動用回路１２２と、オフ保持用回路１２３と、遮断用回路１２４と、過電流検出回路１２６と、短絡検出回路１２７と、制御回路１２８とを備えている。制御装置１２は、他のＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｃ、１１０ｅ、１１０ｆに対しても、それぞれ同様に、駆動用電源回路と、オン駆動用回路と、オフ駆動用回路と、オフ保持用回路と、遮断用回路と、過電流検出回路と、短絡検出回路と、制御回路とを備えている。

駆動用電源回路１２０は、ＩＧＢＴ１１０ｄを駆動するための電圧を供給する回路である。駆動用電源回路１２０は、電源回路（図略）から供給される電圧を安定化して出力する。駆動用電源回路１２０の入力端子は、電源回路に接続されている。また、正極端子はオン駆動用回路１２１に接続されている。さらに、負極端子は車体から絶縁された高電圧バッテリ用のグランドに接続され、高電圧バッテリ用のグランドを介してＩＧＢＴ１１０ｄのエミッタに接続されている。加えて、制御端子は、制御回路１２８に接続されている。

オン駆動用回路１２１は、ＩＧＢＴ１１０ｄをオンするための回路である。具体的には、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに電荷を充電して、ゲート電圧をオン、オフする閾値電圧より高くし、ＩＧＢＴ１１０ｄをオンする回路である。オン駆動回路１２１は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａ（オン駆動用スイッチング素子）と、オン駆動用抵抗１２１ｂとを備えている。

オン駆動用ＦＥＴ１２１ａは、ゲートの電圧を制御することで駆動され、オンすることでＩＧＢＴのゲートに電荷を充電するスイッチング素子である。具体的には、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴである。オン駆動用ＦＥＴ１２１ａのソース（一端）は、駆動用電源回路１２０の正極端子に接続されている。また、ドレイン（他端）は、オン駆動用抵抗１２１ｂを介してＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに接続されている。さらに、ゲートは、制御回路１２８に接続されている。

オフ駆動用回路１２２は、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフするための回路である。具体的には、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートから電荷を放電して、ゲート電圧をオン、オフする閾値電圧より低くし、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフする回路である。オフ駆動用回路１２２は、オフ駆動用ＦＥＴ１２２ａ（オフ駆動用スイッチング素子）と、オフ駆動用抵抗１２２ｂとを備えている。

オフ駆動用ＦＥＴ１２２ａは、ゲートの電圧を制御することで駆動され、オンすることでＩＧＢＴ１１０ｄのゲートから電荷を放電するスイッチング素子である。具体的には、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴである。オフ駆動用ＦＥＴ１２２ａのソース（一端）は、車体から絶縁された高電圧バッテリ用のグランドに接続され、高電圧バッテリ用のグランドを介して駆動用電源回路１２０の負極端子とＩＧＢＴ１１０ｄのエミッタに接続されている。また、ドレイン（他端）は、オフ駆動用抵抗１２２ｂを介してＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに接続されている。さらに、ゲートは、制御回路１２８に接続されている。

オフ保持用回路１２３は、ＩＧＢＴ１１０ｄのオフ状態を保持する回路である。具体的には、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧がオン、オフの閾値電圧より低いオフ保持閾値以下になると、オフ駆動用回路１２２に比べ速やかにＩＧＢＴ１１０ｄのゲートから電荷を放電して、ゲート電圧をオン、オフする閾値電圧より低くし、ＩＧＢＴ１１０ｄのオフ状態を保持する回路である。オフ保持用回路１２３は、オフ保持用ＦＥＴ１２３ａ（オフ保持用スイッチング素子）と、ゲート抵抗１２３ｂとを備えている。

オフ保持用ＦＥＴ１２３ａは、ゲートの電圧を制御することで駆動され、オンすることでＩＧＢＴ１１０ｄのゲートから電荷を放電するスイッチング素子である。具体的には、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴである。オフ保持用ＦＥＴ１２３ａのソースは、車体から絶縁された高電圧バッテリ用のグランドに接続され、高電圧バッテリ用のグランドを介して駆動用電源回路１２０の負極端子とＩＧＢＴ１１０ｄのエミッタに接続されている。また、ドレインは、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに接続されている。さらに、ゲートは、ゲート抵抗１２３ｂを介して制御回路１２８に接続されている。

遮断用回路１２４は、ＩＧＢＴ１１０ｄに異常電流が流れたとき、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフする回路である。具体的には、ＩＧＢＴ１１０ｄに過電流又は短絡電流（異常電流）が流れたとき、オフ駆動用回路１２２に比べ緩やかにＩＧＢＴ１１０ｄのゲートから電荷を放電して、ゲート電圧をオン、オフする閾値電圧より低くし、ＩＧＢＴ１１０ｄのオフする回路である。遮断用回路１２４は、遮断用ＦＥＴ１２４ａ（遮断用スイッチング素子）と、遮断用抵抗１２４ｂとを備えている。

遮断用ＦＥＴ１２４ａは、ゲートの電圧を制御することで駆動され、オンすることでＩＧＢＴ１１０ｄのゲートから電荷を放電するスイッチング素子である。具体的には、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴである。遮断用ＦＥＴ１２４ａのソース（一端）は、車体から絶縁された高電圧バッテリ用のグランドに接続され、高電圧バッテリ用のグランドを介して駆動用電源回路１２０の負極端子とＩＧＢＴ１１０ｄのエミッタに接続されている。また、ドレイン（他端）は、遮断用抵抗１２４ｂを介してＩＧＢＴのゲートに接続されている。さらに、ゲートは、制御回路１２８に接続されている。

ここで、オン駆動用抵抗１２１ｂとオフ駆動用抵抗１２２ｂの抵抗値は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがともにオンした場合に、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が、オン、オフの閾値電圧を含む所定範囲外であって、オン、オフの閾値電圧より低くなるように設定されている。具体的には、オン電圧が増加するオン、オフの閾値電圧付近の所定範囲外であって、オン、オフの閾値電圧より低くなるように設定されている。また、オン駆動用抵抗１２１ｂと遮断用抵抗１２４ｂの抵抗値は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａと遮断用ＦＥＴ１２４ａがともにオンした場合に、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が、オン電圧が増加するオン、オフの閾値電圧付近の所定範囲外であって、オン、オフの閾値電圧より低くなるように設定されている。

過電流検出回路１２６は、ＩＧＢＴ１１０ｄに過電流が流れているか否かを検出する回路である。具体的には、ＩＧＢＴ１１０ｄに流れる電流が過電流閾値より大きくなると、ＩＧＢ１１０ｄＴに過電流が流れていると判断する回路である。過電流検出回路１２６の入力端子は、電流センス抵抗１１１ｄの一端に接続されている。また、出力端子は、制御回路１２８に接続されている。

短絡検出回路１２７は、ＩＧＢＴ１１０ｄが短絡状態にあるか否かを検出する回路である。具体的には、ＩＧＢＴ１１０ｄに流れる電流が、過電流閾値より大きい短絡電流閾値より大きくなると、ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｄがともにオンした短絡状態となり、ＩＧＢＴ１１０ｄに短絡電流が流れていると判断する回路である。短絡検出回路１２７の入力端子は、電流センス抵抗１１１ｄの一端に接続されている。また、出力端子は、制御回路１２８に接続されている。

制御回路１２８は、外部から入力される駆動信号に基づいてオン駆動用回路１２１とオフ駆動用回路１２２を制御して、ＩＧＢＴ１１０ｄを駆動するとともに、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧に基づいてオフ保持用回路１２３を制御して、ＩＧＢＴ１１０ｄのオフ状態を保持する回路である。また、ＩＧＢＴ１１０ｄに過電流が流れたり、ＩＧＢＴ１１０ｄが短絡状態になった場合に、遮断用回路１２４を制御してＩＧＢＴ１１０ｄをオフする回路でもある。制御回路１２８は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａ及びオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａのゲートにそれぞれ接続されている。また、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに接続されるとともに、ゲート抵抗１２３ｂを介してオフ保持用ＦＥＴ１２３ａのゲートに接続されている。さらに、過電流検出回路１２６及び短絡検出回路１２７の出力端子、並びに、遮断用ＦＥＴ１２４ａのゲートにそれぞれ接続されている。

ここで、駆動用電源回路１２０、オン駆動用ＦＥＴ１２０ａ、オフ駆動用ＦＥＴ１２２ａ、遮断用ＦＥＴ１２４ａ、過電流検出回路１２６、短絡検出回路１２７及び制御回路１２８は、ＩＣとして一体的に構成されている。

次に、図１を参照してモータ制御装置の動作について説明する。車両のイグニッションスイッチ（図略）がオンすると、図１に示すモータ制御装置１が動作を開始する。高電圧バッテリＢ１の直流高電圧は、平滑コンデンサ１０によって平滑化される。制御装置１２は、外部から入力される駆動信号に基づいて、インバータ装置１１を構成するＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｆを制御する。具体的には、ＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｆを所定周期でオン、オフする。インバータ装置１１は、平滑コンデンサ１０によって平滑化された直流高電圧を３相交流電圧に変換して車両駆動用モータＭ１に供給する。このようにして、モータ制御装置１が車両駆動用モータＭ１を制御する。

次に、図２を参照してＩＧＢＴの駆動動作と、オン駆動用ＦＥＴがオン故障等した場合の動作について説明する。図２に示すように、制御回路１２８は、外部から入力される駆動信号に基づいてオン駆動用ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａを制御してＩＧＢＴ１１０ｄを駆動する。

駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオンを指示すると、制御回路１２８は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａをオンするとともに、オフ駆動用ＦＥＴ１２２ａをオフする。これにより、駆動用電源回路１２０からオン駆動用抵抗１２１ｂを介してＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに電荷が充電される。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より高くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオンする。

一方、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示すると、制御回路１２８は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａをオフするとともに、オフ駆動用ＦＥＴ１２２ａをオンする。これにより、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートからオフ駆動用抵抗１２２ｂを介して電荷が放電される。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。そして、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低いオフ保持閾値以下になると、制御回路１２８は、オフ保持用ＦＥＴ１２３ａをオンする。これにより、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートからオフ保持用抵抗１２３ｂを介して電荷がさらに放電され、ＩＧＢＴ１１０ｄのオフ状態が保持される。

ところで、ＩＧＢＴ１１０ｄに流れる電流が過電流閾値より大きくなると、過電流検出回路１２６は、ＩＧＢＴ１１０ｄに過電流が流れていると判断する。過電流検出回路１２６が過電流と判断すると、制御回路１２８は、遮断用ＦＥＴ１２４ａをオンする。これにより、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートから遮断抵抗１２４ｂを介して電荷が放電される。その結果、ゲート電圧が、オフ駆動回路１２２に比べ緩やかにオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。

また、ＩＧＢＴ１１０ｄに流れる電流が短絡電流閾値より大きくなると、短絡検出回路１２７は、ＩＧＢＴ、１１０ａ、１１０ｄがともにオンした短絡状態にあると判断する。短絡検出回路１２７が短絡状態と判断すると、制御回路１２８は、過電流と判断した場合と同様に、遮断用ＦＥＴ１２４ａをオンし、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフする。

さらに、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障や、誤動作によってオンしたときにオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンすると、駆動用電源回路１２０の正負極端子間に、オン駆動用抵抗１２１ｂとオフ駆動用抵抗１２２ｂが直列接続されることになる。そのため、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートには、駆動用電源回路１２０の出力電圧を、オン駆動用抵抗１２１ｂとオフ駆動用抵抗１２２ｂで分圧した電圧が供給される。しかし、オン駆動用抵抗１２１ｂとオフ駆動用抵抗１２２ｂの抵抗値は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがともにオンした場合に、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が、オン、オフの閾値電圧付近の所定範囲外であって、オン、オフの閾値電圧より低くなるように設定されている。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがともにオンしても、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフすることができる。

加えて、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオンし、ＩＧＢＴ１１０ｄに異常電流が流れると、制御回路１２８は、遮断用ＦＥＴ１２４ａをオンする。オン駆動用ＦＥＴ１２１ａと遮断用ＦＥＴ１２４ａがともにオンすると、駆動用電源回路１２０の正負極端子間にオン駆動用抵抗１２１ｂと遮断用抵抗１２４ｂが直列接続されることになる。オン駆動用抵抗１２１ｂと遮断用抵抗１２４ｂの抵抗値は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａと遮断用ＦＥＴ１２４ａがともにオンした場合に、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が、オン、オフの閾値電圧付近の所定範囲外であって、オン、オフの閾値電圧より低くなるように設定されている。そのため、ＩＧＢＴ１１０ｄをより確実にオフすることができる。

次に、効果について説明する。第１実施形態によれば、オン駆動用抵抗１２１ｂとオフ駆動用抵抗１２２ｂの抵抗値は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがともにオンした場合に、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧がオン、オフの閾値電圧を含む所定範囲内の電圧とならないように設定されている。具体的には、オン電圧が増加するオン、オフの閾値電圧付近の所定範囲の電圧とならないように設定されている。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障や、誤動作によってオンしたときにオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンしても、オン電圧が増加してＩＧＢＴ１１０ｄの発熱が増大することはない。従って、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止することができる。

また、第１実施形態によれば、オン駆動用抵抗１２１ｂとオフ駆動用抵抗１２２ｂの抵抗値は、オン駆動ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動ＦＥＴ１２２ａがともにオンした場合に、
ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧がオン、オフの閾値電圧より低くなるように設定されている。そのため、オン駆動ＦＥＴ１２１ａがオン故障や、誤動作によってオンしたときにオフ駆動ＦＥＴ１２２ａがオンしても、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフすることができる。そのため、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を確実に防止することができる。

さらに、第１実施形態によれば、オン駆動用抵抗１２１ｂと遮断用抵抗１２４ｂの抵抗値は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａと遮断用ＦＥＴ１２４ａがともにオンした場合に、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧がオン、オフの閾値電圧より低くなるように設定されている。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障や、誤動作によってオンしたときに遮断用ＦＥＴ１２４ａがオンしても、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフすることができる。従って、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止することができる。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態のモータ制御装置について説明する。第２実施形態のモータ制御装置は、第１実施形態のモータ制御装置が、オン駆動用ＦＥＴとオフ駆動用ＦＥＴがともにオンした場合、ＩＧＢＴのゲート電圧がオン、オフの閾値電圧より低くなるように抵抗値を設定してＩＧＢＴをオフするのに対して、ＩＧＢＴのゲート電圧がオン、オフの閾値電圧より高くなるように抵抗値を設定してＩＧＢＴをオンするようにしたものである。第２実施形態のモータ制御装置は、オン駆動用抵抗とオフ駆動用抵抗の抵抗値の設定を除いて第１実施形態のモータ制御装置と同一構成である。そのため、図１及び図２を参照して説明する。

まず、図２を参照して制御装置について説明する。オン駆動用抵抗１２１ｂとオフ駆動用抵抗１２２ｂの抵抗値は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがともにオンした場合に、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が、オン、オフの閾値電圧付近の所定範囲外であって、オン、オフの閾値電圧より高くなるように設定されている。

次に、図１及び図２を参照してオン駆動用ＦＥＴがオン故障等した場合の動作について説明する。図２においてオン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障や、誤動作によってオンしたときにオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンすると、駆動用電源回路１２０の正負極端子間にオン駆動用抵抗１２１ｂとオフ駆動用抵抗１２２ｂが直列接続されることになる。そのため、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートには、駆動用電源回路１２０の出力電圧を、オン駆動用抵抗１２１ｂとオフ駆動用抵抗１２２ｂで分圧した電圧が供給される。しかし、オン駆動用抵抗１２１ｂとオフ駆動用抵抗１２２ｂの抵抗値は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがともにオンした場合に、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が、オン、オフの閾値電圧付近の所定範囲外であって、オン、オフの閾値電圧より高くなるように設定されている。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがともにオンすると、ＩＧＢＴ１１０ｄがオンする。

図１において、ＩＧＢＴ１１０ｄがオンしたときにＩＧＢＴ１１０ａがオンすると、直列接続されたＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｄがともにオン状態となり、ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｄに短絡電流が流れる。ＩＧＢＴ１１０ａに短絡電流が流れると、ＩＧＢＴ１１０ａを制御する制御回路、（駆動回路）が、ＩＧＢＴ１１０ｄの場合と同様に、ＩＧＢＴ１１０ａをオフする。そのため、ＩＧＢＴ１１０ｄに流れる短絡電流を遮断することができる。

次に、効果について説明する。第２実施形態によれば、オン駆動用抵抗１２１ｂとオフ駆動用抵抗１２２ｂの抵抗値は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがともにオンした場合に、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が、オン、オフの閾値電圧より高くなるように設定されている。オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障や、誤動作によってオンしたときにＩＧＢＴ１１０ａがオンすると、ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｄがともにオン状態となり、ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｄに短絡電流が流れる。ＩＧＢＴ１１０ａに短絡電流が流れると、ＩＧＢＴ１１０ａに対する制御回路がＩＧＢＴ１１０ａをオフする。そのため、ＩＧＢＴ１１０ｄに流れる短絡電流を遮断することができる。従って、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止することができる。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態のモータ制御装置について説明する。第３実施形態のモータ制御装置は、第１実施形態のモータ制御装置が、通常時において、オン駆動用ＦＥＴをオフするとともにオフ駆動用ＦＥＴをオンすることでＩＧＢＴをオフするのに対して、所定条件を満たすとき、遮断用ＦＥＴをオフ駆動用ＦＥＴに同期してオンすることでＩＧＢＴをオフするようにしたものである。第３実施形態のモータ制御装置は、通常時におけるＩＧＢＴのオフ動作を除いて第１実施形態のモータ制御装置と同一構成である。そのため、図２を参照して説明する。

まず、図２を参照して通常時におけるＩＧＢＴのオフ動作について説明する。駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示すると、制御回路１２８は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａをオフするとともに、オフ駆動用ＦＥＴ１２２ａをオンする。制御回路１２８は、駆動用電源回路１２０の電圧が所定値以下の場合に、遮断用ＦＥＴ１２４ａをオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａに同期してオンする。これにより、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートからオフ駆動用抵抗１２２ｂ及び遮断用抵抗１２４ｂを介して電荷が放電される。その結果、ゲート電圧が速やかにオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄが速やかにオフする。

次に、効果について説明する。第３実施形態によれば、オフ駆動用ＦＥＴ１２２ａと遮断用ＦＥＴ１２４ａでＩＧＢＴ１１０ｄのゲートから電荷を放電する。そのため、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートから速やかに電荷を放電することができる。従って、ＩＧＢＴ１１０ｄのオフする際のスイッチング速度を速くすることができる。

また、第３実施形態によれば、制御回路１２８は、駆動用電源回路１２０の電圧が所定値以下の場合に、遮断用ＦＥＴ１２４ａをオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａに同期してオンする。ＩＧＢＴ１１０ｄのサージ電圧は、ゲート電圧が高いほど、また、スイッチング速度が速いほど高くなる。サージ電圧が許容値を超えると、ＩＧＢＴ１１０ｄが破壊する。しかし、制御回路１２８は、ゲートに電圧を供給する駆動用電源回路１２０の電圧が所定値以下の場合に、遮断用ＦＥＴ１２４ａをオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａに同期してオンし、ＩＧＢＴ１１０ｄのオフする際のスイッチング速度を速くする。つまり、ゲート電圧に対応するサージ電圧が低い場合に限ってスイッチング速度を速くする。従って、サージ電圧によるＩＧＢＴ１１０ｄの破壊を防止することができる。

なお、第３実施形態では、駆動用電源回路１２０の電圧が所定値以下の場合に、遮断用ＦＥＴ１２４ａをオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａに同期してオンする例を挙げているが、これに限られるものではない。ＩＧＢＴ１１０ｄのコレクタ−エミッタ間電圧（入出力端子間の電圧）が所定値以下の場合に、遮断用ＦＥＴ１２４ａをオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａに同期してオンするようにしてもよい。ＩＧＢＴ１１０ｄのサージ電圧は、コレクタ−エミッタ間電圧の電圧が高いほど、また、スイッチング速度が速いほど高くなる。サージ電圧が許容値を超えると、ＩＧＢＴ１１０ｄが破壊する。しかし、制御回路１２８は、ＩＧＢＴ１１０ｄのコレクタ−エミッタ間電圧が所定値以下の場合に、遮断用ＦＥＴ１２４ａをオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａに同期してオンし、ＩＧＢＴ１１０ｄのオフする際のスイッチング速度を速くする。つまり、コレクタ−エミッタ間電圧に対応するサージ電圧が低い場合に限ってスイッチング速度を速くする。従って、サージ電圧によるＩＧＢＴ１１０ｄの破壊を防止することができる。

また、ＩＧＢＴ１１０ｄの温度、又は、ＩＧＢＴ１１０ｄの周囲温度が所定値以上の場合に、遮断用ＦＥＴ１２４ａをオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａに同期してオンするようにしてもよい。ＩＧＢＴ１１０ｄのサージ電圧に対する許容値は、ＩＧＢＴ１１０ｄの温度又は周囲温度が高いほど高くなる。また、ＩＧＢＴ１１０ｄのサージ電圧は、スイッチング速度が速いほど高くなる。サージ電圧が許容値を超えると、ＩＧＢＴ１１０ｄが破壊する。しかし、制御回路１２８は、ＩＧＢＴ１１０ｄの温度又は周囲温度が所定値以上の場合に、遮断用ＦＥＴ１２４ａをオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａに同期してオンし、ＩＧＢＴ１１０ｄのオフする際のスイッチング速度を速くする。つまり、サージ電圧の許容値が高い場合に限ってスイッチング速度を速くする。そのため、サージ電圧によるＩＧＢＴ１１０ｄの破壊を防止することができる。

１・・・モータ制御装置（電子装置）、１０・・・平滑コンデンサ、１１・・・インバータ装置、１１０ａ・・・ＩＧＢＴ（第２スイッチング素子）、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｅ、１１０ｆ・・・ＩＧＢＴ、１１０ｄ・・・ＩＧＢＴ（第１スイッチング素子）、１２、２２、３２、４２・・・制御装置、１２０、２２０、３２０、４２０・・・駆動用電源回路、１２１、２２１、３２１、４２１・・・オン駆動用回路、１２１ａ、２２１ａ、３２１ａ、４２１ａ・・・オン駆動用ＦＥＴ（オン駆動用スイッチング素子）、１２１ｂ、２２１ｂ、３２１ｂ、４２１ｂ・・・オン駆動用抵抗、１２２、２２２、３２２、４２２・・・オフ駆動用回路、１２２ａ、２２２ａ、３２２ａ、４２２ａ・・・オフ駆動用ＦＥＴ（オフ駆動用スイッチング素子）、１２２ｂ、２２２ｂ、３２２ｂ、４２２ｂ・・・オフ駆動用抵抗、１２３、２２３、３２３、４２３・・・オフ保持用回路、１２３ａ、２２３ａ、３２３ａ、４２３ａ・・・オフ保持用ＦＥＴ（オフ保持用スイッチング素子）、１２３ｂ、２２３ｂ、３２３ｂ、４２３ｂ・・・ゲート抵抗、１２４、２２４、３２４、４２４・・・遮断用回路、１２４ａ、２２４ａ、３２４ａ、４２４ａ・・・遮断用ＦＥＴ（遮断用スイッチング素子）、１２４ｂ、２２４ｂ、３２４ｂ、４２４ｂ・・・遮断用抵抗、１２６、２２６、３２６、４２６・・・過電流検出回路、１２７、２２７、３２７、４２７・・・短絡検出回路、１２８、３２８、４２８・・・制御回路、Ｂ１・・・高電圧バッテリ、Ｍ１・・・車両駆動用モータ

Claims (8)

1. 制御端子の電圧を制御することで駆動される第１スイッチング素子と、
   前記第１スイッチング素子を駆動するための電圧を供給する駆動用電源回路と、
   一端が前記駆動用電源回路の正極端子に、他端がオン駆動用抵抗を介して前記第１スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで前記第１スイッチング素子の制御端子に前記オン駆動用抵抗を介して電荷を充電するオン駆動用スイッチング素子と、
   一端が前記駆動用電源回路の負極端子に、他端がオフ駆動用抵抗を介して前記第１スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで前記第１スイッチング素子の制御端子から前記オフ駆動用抵抗を介して電荷を放電するオフ駆動用スイッチング素子と、
   入力される駆動信号に基づいて前記オン駆動用スイッチング素子と前記オフ駆動用スイッチング素子を制御することで、前記第１スイッチング素子の制御端子の電圧を制御して前記第１スイッチング素子を駆動する制御回路と、
   を備えた電子装置において、
   前記オン駆動用スイッチング素子と前記オフ駆動用スイッチング素子がともにオンした場合に、前記第１スイッチング素子の制御端子の電圧が、オン、オフの閾値電圧を含む所定範囲内の電圧とならないように、前記オン駆動用抵抗と前記オフ駆動用抵抗の抵抗値が設定されていることを特徴とする電子装置。
2. 前記オン駆動用スイッチング素子と前記オフ駆動用スイッチング素子がともにオンした場合に、前記第１スイッチング素子の制御端子の電圧が、オン、オフの閾値電圧より低くなるように、前記オン駆動用抵抗と前記オフ駆動用抵抗の抵抗値が設定されていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
3. 制御端子の電圧を制御することで駆動され、前記第１スイッチング素子に直列接続される第２スイッチング素子と、
   入力される駆動信号に基づいて前記第２スイッチング素子の制御端子の電圧を制御して前記第２スイッチング素子を駆動するとともに、前記第２スイッチング素子に異常電流が流れたとき、前記第２スイッチング素子をオフする駆動回路と、
   を有し、
   前記オン駆動用スイッチング素子と前記オフ駆動用スイッチング素子がともにオンした場合に、前記第１スイッチング素子の制御端子の電圧が、オン、オフの閾値電圧より高くなるように、前記オン駆動用抵抗と前記オフ駆動用抵抗の抵抗値が設定されていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
4. 一端が前記駆動用電源回路の負極端子に、他端が遮断用抵抗を介して前記第１スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで前記第１スイッチング素子の制御端子から電荷を放電する遮断用スイッチング素子を有し、
   前記制御回路は、前記第１スイッチング素子に異常電流が流れたとき、前記遮断用スイッチング素子を制御して前記第１スイッチング素子をオフし、
   前記オン駆動用スイッチング素子と前記遮断用スイッチング素子がともにオンした場合に、前記第１スイッチング素子の制御端子の電圧がオン、オフの閾値電圧より低くなるように、前記オン駆動用抵抗と前記遮断用抵抗の抵抗値が設定されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子装置。
5. 一端が前記駆動用電源回路の負極端子に、他端が遮断用抵抗を介して前記第１スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで前記第１スイッチング素子の制御端子から電荷を放電する遮断用スイッチング素子を有し、
   前記制御回路は、前記第１スイッチング素子に異常電流が流れたとき、前記遮断用スイッチング素子を制御して前記第１スイッチング素子をオフし、前記オフ駆動用スイッチング素子をオンするとき、前記遮断用スイッチング素子も同期してオンし、前記第１スイッチング素子をオフすることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子装置。
6. 前記制御回路は、前記第１スイッチング素子の入出力端子間の電圧が所定値以下の場合に、前記遮断用スイッチング素子を前記オフ駆動用スイッチング素子に同期してオンすることを特徴とする請求項５に記載の電子装置。
7. 前記制御回路は、前記駆動用電源回路の電圧が所定値以下の場合に、前記遮断用スイッチング素子を前記オフ駆動用スイッチング素子に同期してオンすることを特徴とする請求項５に記載の電子装置。
8. 前記制御回路は、前記第１スイッチング素子の温度又は前記第１スイッチング素子の周囲温度が所定値以上の場合に、前記遮断用スイッチング素子を前記オフ駆動用スイッチング素子に同期してオンすることを特徴とする請求項５に記載の電子装置。

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