JP2012068138A - パターン画像測定方法及びパターン画像測定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のパターン画像測定方法は、パターン断面画像を画像処理して断面の輪郭線座標データを抽出し、前記輪郭線座標データからパターン上部と下部に相当する座標値を抽出し、パターンの高さ、計測範囲2点の座標値及び計測範囲の高さを算出する。前記2点の座標値に相当するx方向の輝度分布信号を取得し、信号から断面SEM画像特有の白い影部分に相当する範囲の信号成分を除去する。前記信号に対して、相互相関法を適用し、2つの信号間距離を算出し、側壁角度を算出する。
【選択図】図1
Description
3次元形状を計測する装置の一つに、パターンの断面形状を走査型電子顕微鏡(SEM、Scanning Electron Microscope)で計測するものがある。この装置は一般的に断面SEMと呼ばれ、試料に電子線を照射して試料内部から発生する二次電子を検出することによってパターンの断面像を得るもので、比較的簡便にパターンの断面を確認することが出来るため広く用いられている。
請求項3に記載の本発明は、請求項1又は2に記載のパターン画像測定方法であって、前記除去後の2つの信号に対して相互相関法を適用し、2つの信号のピーク間距離を算出する前記工程は、2つの信号の差分相関値を計算し、前記差分相関値が最小となるときの移動量を2つの信号間の距離とする工程を含んでいることを特徴とするパターン画像測定方法である。
請求項6に記載の本発明は、請求項4又は5に記載のパターン画像測定装置であって、前記除去後の2つの信号に対して相互相関法を適用し、2つの信号のピーク間距離を算出する前記手段は、2つの信号の差分相関値を計算し、前記差分相関値が最小となるときの移動量を2つの信号間の距離とする工程を含んでいることを特徴とするパターン画像測定装置である。
SEMは、電子線を照射した試料の試料面から発生する二次電子を検出器で集め、光電子増倍管で電気信号に変えて増幅し、その信号を電子プローブと同期して走査するディスプレイに送り、テレビジョンと同様な方式により2次元的な走査像を得る走査型電子顕微鏡である。主にSEMの走査像では二次電子発生量を256階調(8ビット)のグレイ画像で表現している。
本発明のパターン画像測定方法は、断面SEM画像に特有の白い影部分の信号成分を除去し、除去後の2つの信号に相互相関法を適用して、断面形状の側壁角度を算出する工程を備えていることを特徴とする。
本実施例ではフォトマスクパターンの断面形状を撮像したSEM画像に対して側壁角度の計測を行った。SEM画像は図3のように、パターンエッジ部に白い影が見られ画質が悪い場合の画像に対して実施した。
2・・・画像処理部
3・・・データ処理部
4・・・数値データ保存部
5・・・画像処理部
6・・・データ解析部
7・・・数値データ保存部
8・・・データ計算部
9・・・結果表示部
S10・・・断面SEM像の取得
S11・・・輪郭線座標データの抽出処理
S12・・・パターン上部と下部の座標値を抽出
S13・・・パターンの高さを算出
S14・・・角度計測範囲2点の座標値を抽出し、高さを算出
S15・・・2点の輝度分布信号を取得
S16・・・信号成分の一部を除去
S17・・・相互相関法を適用し、信号間距離を算出
S18・・・側壁角度を算出
A・・・パターン高さの80%に相当する線分
B・・・パターン高さの20%に相当する線分
C・・・計測対象範囲を示す線
Claims (6)
- 走査型電子顕微鏡で得られるパターン断面を撮像した画像から、パターン断面の側壁角度を計測する方法において、
撮像されたSEM画像を取得する工程と、
前記取得した画像を画像処理してパターン断面の輪郭線座標データを抽出する工程と、
前記輪郭線座標データから、パターン上部と下部の座標値を抽出する工程と、
前記座標値からパターンの高さを算出する工程と、
側壁角度を計測する範囲2点の座標値を抽出し、計測範囲の高さを算出する工程と、
前記SEM画像を画像処理して、前記2点の座標値に相当する輝度分布信号を生成する工程と、
前記輝度分布信号の一部の信号成分を除去する工程と、
前記除去後の2つの信号に対して相互相関法を適用し、2つの信号のピーク間距離を算出する工程と、
前記計測範囲の高さと前記信号ピーク間距離とから、側壁角度を算出する工程と、を具備することを特徴とするパターン画像測定方法。 - 請求項1に記載のパターン画像測定方法であって、
前記信号成分の除去範囲は、輝度分布信号の最大点から非パターン部にかけての白い影の影響が出ている範囲である
ことを特徴とするパターン画像測定方法。 - 請求項1又は2に記載のパターン画像測定方法であって、
前記除去後の2つの信号に対して相互相関法を適用し、2つの信号のピーク間距離を算出する前記工程は、2つの信号の差分相関値を計算し、前記差分相関値が最小となるときの移動量を2つの信号間の距離とする工程を含んでいる
ことを特徴とするパターン画像測定方法。 - 走査型電子顕微鏡で得られるパターン断面を撮像した画像から、パターン断面の側壁角度を計測する装置において、
撮像されたSEM画像を取得する手段と、
前記取得した画像を画像処理してパターン断面の輪郭線座標データを抽出する手段と、
前記輪郭線座標データから、パターン上部と下部の座標値を抽出する手段と、
前記座標値からパターンの高さを算出する手段と、
側壁角度を計測する範囲2点の座標値を抽出し、計測範囲の高さを算出する手段と、
前記SEM画像を画像処理して、前記2点の座標値に相当する輝度分布信号を生成する手段と、
前記輝度分布信号の一部の信号成分を除去する手段と、
前記除去後の2つの信号に対して相互相関法を適用し、2つの信号のピーク間距離を算出する手段と、
前記計測範囲の高さと前記信号ピーク間距離とから、側壁角度を算出する手段と、を具備することを特徴とするパターン画像測定装置。 - 請求項4に記載のパターン画像測定装置であって、
前記信号成分の除去範囲は、輝度分布信号の最大点から非パターン部にかけての白い影の影響が出ている範囲である
ことを特徴とするパターン画像測定装置。 - 請求項4又は5に記載のパターン画像測定装置であって、
前記除去後の2つの信号に対して相互相関法を適用し、2つの信号のピーク間距離を算出する前記手段は、2つの信号の差分相関値を計算し、前記差分相関値が最小となるときの移動量を2つの信号間の距離とする工程を含んでいる
ことを特徴とするパターン画像測定装置。
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