JP2012054302A - Exposure method and exposure device - Google Patents

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正康 金尾
Toshihiro Ueki
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress overexposure at the joint of adjoining exposure patterns by a simple method.SOLUTION: In the exposure method performing joint exposure by irradiating an article to be exposed with light source light through a mask pattern of a photomask and then overlapping end regions of adjoining exposure patterns, the joint exposure is performed while gradually reducing the exposure amount in the end region of the exposure pattern from near the center toward an adjoining end of the exposure pattern.

Description

本発明は、被露光体上にフォトマスクのマスクパターンを通して光源光を照射し、互いに隣接する露光パターンの端部領域を重ね合わせてつなぎ露光する露光方法に関し、特に隣接する露光パターンのつなぎ部のオーバー露光を簡単な方法で抑制しようとする露光方法及び露光装置に係るものである。   The present invention relates to an exposure method in which exposure light is irradiated onto a body to be exposed through a mask pattern of a photomask, and end regions of exposure patterns adjacent to each other are overlapped and exposed, and in particular, a connection portion between adjacent exposure patterns. The present invention relates to an exposure method and an exposure apparatus that attempt to suppress overexposure by a simple method.

従来のこの種の露光方法は、露光装置の1回の露光で可能なフィールドサイズ以上の領域の所望パターンを複数に分割し、この分割されたパターンを一部がオーバーラップするようにつなぎ合わせて露光するものとなっていた(例えば、特許文献1参照)。   This type of conventional exposure method divides a desired pattern in an area larger than the field size possible in one exposure of an exposure apparatus into a plurality of pieces, and connects the divided patterns so that a part of them overlaps. The exposure was performed (see, for example, Patent Document 1).

このようなパターンの一部をオーバーラップさせてつなぎ露光する方法では、オーバーラップ部が重複露光されるため、このオーバーラップ部の線幅が他の部分よりも細くなる問題がある。そこで、この問題に対処するために、上記従来技術においては、オーバー露光により線幅が細くなる分を補正するように、予めフォトマスクの上記オーバーラップ部の線幅を他の部分の線幅よりも幅広に形成していた。   In the method of connecting and exposing by overlapping a part of such a pattern, since the overlap part is overlapped and exposed, there is a problem that the line width of the overlap part becomes narrower than other parts. Therefore, in order to cope with this problem, in the above prior art, the line width of the overlap portion of the photomask is previously set to be smaller than the line width of the other portion so as to correct the thinning of the line width due to overexposure. Was also formed wide.

特開平5−6849号公報JP-A-5-6849

しかし、このような従来の露光方法においては、フォトマスクの上記オーバーラップ部の線幅を他の部分の線幅よりも幅広となるように予め形成しておく必要があり、マスクパターンの形状が複雑となり、フォトマスクの製造コストが高くなるという問題がある。   However, in such a conventional exposure method, the line width of the overlap portion of the photomask needs to be formed in advance so as to be wider than the line width of other portions, and the shape of the mask pattern is There is a problem that it becomes complicated and the manufacturing cost of the photomask increases.

また、オーバーラップ部の重ね合わせ精度が悪いと線状パターンの一部に突起が生じる等の問題がある。したがって、オーバーラップ部のパターンの重ね合わせを正確に行う必要があり、露光が困難であるという問題がある。特に、緻密なパターンを露光する際には、上記オーバーラップ部の重ね合わせには、より高精度な位置決めが要求され、露光装置の製造コストが高価になるという問題がある。   In addition, when the overlapping accuracy of the overlap portion is poor, there is a problem that a protrusion is generated in a part of the linear pattern. Therefore, there is a problem that it is necessary to accurately superimpose the overlap portion pattern, and that exposure is difficult. In particular, when a dense pattern is exposed, there is a problem that the overlapping of the overlap part requires higher-precision positioning, and the manufacturing cost of the exposure apparatus becomes expensive.

そこで、本発明は、このような問題点に対処し、隣接する露光パターンのつなぎ部のオーバー露光を簡単な方法で抑制しようとする露光方法及び露光装置を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide an exposure method and an exposure apparatus that address such a problem and attempt to suppress overexposure at a joint portion between adjacent exposure patterns by a simple method.

上記目的を達成するために、本発明による露光方法は、被露光体上にフォトマスクのマスクパターンを通して光源光を照射し、互いに隣接する露光パターンの端部領域を重ね合わせてつなぎ露光する露光方法であって、前記露光パターンの前記端部領域の露光量を前記露光パターンの中央寄りから隣接端部に向かって漸減させて露光するものである。   In order to achieve the above object, an exposure method according to the present invention irradiates a light source light on an object to be exposed through a mask pattern of a photomask and overlays end regions of adjacent exposure patterns so as to perform joint exposure. Then, exposure is performed by gradually decreasing the exposure amount of the end area of the exposure pattern from the center of the exposure pattern toward the adjacent end.

このような構成により、被露光体上にフォトマスクのマスクパターンを通して光源光を照射し、互いに隣接する端部領域の露光量をパターンの中央寄りから隣接端部に向かって漸減させて形成した露光パターンの互いに隣接する端部領域を重ね合わせて露光パターンをつなぎ露光する。   With such a configuration, exposure is formed by irradiating the object to be exposed with light source light through the mask pattern of the photomask and gradually decreasing the exposure amount of the adjacent end regions from the center of the pattern toward the adjacent end. The exposure pattern is connected and exposed by superimposing adjacent end regions of the pattern.

また、前記露光パターンの前記端部領域の露光量を漸減させる露光は、前記被露光体と前記フォトマスクとを前記互いに隣接する露光パターンの中央部から隣接端部に向かう軸に沿って相対移動させるものである。これにより、被露光体とフォトマスクとを互いに隣接する露光パターンの中央部から隣接端部に向かう軸に沿って相対移動させ、露光パターンの端部領域の露光量を漸減させる。   In the exposure for gradually decreasing the exposure amount in the end region of the exposure pattern, the object to be exposed and the photomask are relatively moved along the axis from the center portion of the adjacent exposure pattern to the adjacent end portion. It is something to be made. As a result, the object to be exposed and the photomask are relatively moved along the axis from the center portion of the exposure pattern adjacent to each other to the adjacent end portion, thereby gradually decreasing the exposure amount in the end region of the exposure pattern.

さらに、前記露光パターンの前記端部領域の露光量を漸減させる露光は、前記フォトマスクと前記露光パターンの前記端部領域に対応した前記マスクパターンの部分を遮光するシャッタとを前記互いに隣接する露光パターンの中央部から隣接端部に向かう軸に沿って相対移動させるものである。これにより、フォトマスクと露光パターンの端部領域に対応したマスクパターンの部分を遮光するシャッタとを互いに隣接する露光パターンの中央部から隣接端部に向かう軸に沿って相対移動させ、露光パターンの端部領域の露光量を漸減させる。   Further, in the exposure for gradually decreasing the exposure amount of the end area of the exposure pattern, the photomask and the shutter that shields the portion of the mask pattern corresponding to the end area of the exposure pattern are adjacent to each other. Relative movement is performed along an axis from the center of the pattern toward the adjacent end. As a result, the photomask and the shutter that shields the portion of the mask pattern corresponding to the end region of the exposure pattern are relatively moved along the axis from the center portion of the adjacent exposure pattern to the adjacent end portion, so that the exposure pattern The exposure amount in the end area is gradually decreased.

そして、前記露光パターンを複数ショットの前記光源光により形成するものである。これにより、複数ショットの光源光により露光パターンを形成する。   The exposure pattern is formed by a plurality of shots of the light source light. Thereby, an exposure pattern is formed by a plurality of shots of light source light.

また、本発明による露光装置は、被露光体上にフォトマスクのマスクパターンを通して光源光を照射し、互いに隣接する露光パターンの端部領域を重ね合わせてつなぎ露光する露光装置であって、前記被露光体と前記フォトマスク、又は前記フォトマスクと前記露光パターンの前記端部領域に対応した前記マスクパターンの部分を遮光するシャッタとを前記互いに隣接する露光パターンの中央部から隣接端部に向かう軸に沿って相対移動させることにより、前記露光パターンの前記端部領域の露光量を前記露光パターンの中央寄りから隣接端部に向かって漸減させる構成としたものである。   An exposure apparatus according to the present invention is an exposure apparatus that irradiates a light source light through a mask pattern of a photomask onto an object to be exposed, and performs edge exposure by overlapping end regions of adjacent exposure patterns. An axis extending from the center portion of the adjacent exposure pattern to the adjacent end portion of the exposure body and the photomask, or the shutter that shields the photomask and the portion of the mask pattern corresponding to the end region of the exposure pattern. The exposure amount of the end region of the exposure pattern is gradually decreased from the center of the exposure pattern toward the adjacent end portion by moving the exposure pattern relatively.

このような構成により、被露光体上にフォトマスクのマスクパターンを通して光源光を照射し、被露光体とフォトマスク、又はフォトマスクと露光パターンの端部領域に対応したマスクパターンの部分を遮光するシャッタとを互いに隣接する露光パターンの中央部から隣接端部に向かう軸に沿って相対移動させることにより、互いに隣接する端部領域の露光量をパターンの中央寄りから隣接端部に向かって漸減させて形成した露光パターンの互いに隣接する端部領域を重ね合わせて露光パターンをつなぎ露光する。   With such a configuration, the object to be exposed is irradiated with light source light through the mask pattern of the photomask, and the object to be exposed and the photomask, or the portion of the mask pattern corresponding to the end region of the photomask and the exposure pattern are shielded. By relatively moving the shutter along the axis from the central part of the exposure pattern adjacent to the adjacent end part to the adjacent end part, the exposure amount of the end region adjacent to each other is gradually decreased from the center of the pattern toward the adjacent end part. The exposure patterns are connected and exposed by overlapping the adjacent end regions of the exposure patterns formed in this manner.

さらに、前記露光パターンを複数ショットの前記光源光により形成するものである。これにより、複数ショットの光源光により露光パターンを形成する。   Further, the exposure pattern is formed by a plurality of shots of the light source light. Thereby, an exposure pattern is formed by a plurality of shots of light source light.

そして、前記複数ショットの光源光の繰り返し周期に同期させて前記被露光体と前記フォトマスク、又は前記フォトマスクと前記シャッタとを相対移動させるものである。これにより、複数ショットの光源光の繰り返し周期に同期させて被露光体とフォトマスク、又はフォトマスクとシャッタとを相対移動させながら露光し、複数ショットの光源光により露光パターンを形成する。   Then, the object to be exposed and the photomask, or the photomask and the shutter are relatively moved in synchronization with the repetition cycle of the light sources of the plurality of shots. Thus, exposure is performed while relatively moving the object to be exposed and the photomask or the photomask and the shutter in synchronization with the repetition cycle of the light sources of the plurality of shots, and an exposure pattern is formed by the light sources of the plurality of shots.

請求項1に係る発明によれば、隣接する露光パターンのつなぎ部のオーバー露光を容易に抑制することができる。したがって、フォトマスクは通常のものがそのまま使用でき、フォトマスクの製造コストの上昇を抑制することができる。また、つなぎ部の位置合わせ精度も通常のままでよく、露光装置の製造コストの上昇を抑えることができる。   According to the invention which concerns on Claim 1, the overexposure of the connection part of an adjacent exposure pattern can be suppressed easily. Accordingly, a normal photomask can be used as it is, and an increase in manufacturing cost of the photomask can be suppressed. Further, the alignment accuracy of the connecting portion may be kept as usual, and an increase in the manufacturing cost of the exposure apparatus can be suppressed.

また、請求項2又は3に係る発明によれば、被露光体とフォトマスク、又はフォトマスクとシャッタとを相対移動させるだけで露光パターンの端部領域の露光量を漸減させることができる。   According to the second or third aspect of the present invention, the exposure amount in the end region of the exposure pattern can be gradually decreased only by relatively moving the object to be exposed and the photomask or the photomask and the shutter.

そして、請求項4に係る発明によれば、被露光体とフォトマスク、又はフォトマスクとシャッタとの相対移動速度を複数ショットの光源光の繰り返し周期により調整することができ、速度制御を容易に行なうことができる。   According to the fourth aspect of the present invention, the relative movement speed between the object to be exposed and the photomask, or the photomask and the shutter can be adjusted by the repetition period of the light source light of a plurality of shots, and the speed control is facilitated. Can be done.

また、請求項5に係る発明によれば、隣接する露光パターンのつなぎ部のオーバー露光を簡単な方法で容易に抑制することができる。したがって、フォトマスクは通常のものがそのまま使用でき、フォトマスクの製造コストの上昇を抑制することができる。また、つなぎ部の位置合わせ精度も通常のままでよく、露光装置の製造コストの上昇を抑えることができる。   Moreover, according to the invention which concerns on Claim 5, the overexposure of the connection part of an adjacent exposure pattern can be easily suppressed with a simple method. Accordingly, a normal photomask can be used as it is, and an increase in manufacturing cost of the photomask can be suppressed. Further, the alignment accuracy of the connecting portion may be kept as usual, and an increase in the manufacturing cost of the exposure apparatus can be suppressed.

さらに、請求項6に係る発明によれば、被露光体とフォトマスク、又はフォトマスクとシャッタとの相対移動速度を複数ショットの光源光の繰り返し周期により調整することができ、速度制御を容易に行なうことができる。   Furthermore, according to the invention of claim 6, the relative movement speed between the object to be exposed and the photomask or between the photomask and the shutter can be adjusted by the repetition cycle of the light source light of a plurality of shots, and the speed control is facilitated. Can be done.

そして、請求項7に係る発明によれば、一方の露光パターンの端部領域における露光量の不足分を他方の露光パターンの端部領域の露光量で完全に補完して露光することができ、露光領域全体に亘ってより均一に露光することができる。   According to the invention of claim 7, exposure can be performed by completely complementing the shortage of the exposure amount in the end region of one exposure pattern with the exposure amount of the end region of the other exposure pattern, More uniform exposure can be performed over the entire exposure region.

本発明による露光装置の第1の実施形態の構成を示す概要図である。1 is a schematic diagram showing a configuration of a first embodiment of an exposure apparatus according to the present invention. 上記第1の実施形態において使用するフォトマスクの一構成例を示す平面図である。It is a top view which shows one structural example of the photomask used in the said 1st Embodiment. 上記フォトマスクを使用して被露光体上に露光される露光パターンを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the exposure pattern exposed on a to-be-exposed body using the said photomask. 上記第1の実施形態において使用するシャッタの一構成例を示す平面図である。It is a top view which shows one structural example of the shutter used in the said 1st Embodiment. 上記第1の実施形態において使用する制御手段の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the control means used in the said 1st Embodiment. 上記第1の実施形態の動作及び本発明の露光方法を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the operation | movement of the said 1st Embodiment and the exposure method of this invention. 上記被露光体の第1の領域に対する露光を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the exposure with respect to the 1st area | region of the said to-be-exposed body. 上記第1の領域における露光量の変化を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the change of the exposure amount in the said 1st area | region. 上記被露光体の第2の領域に対する露光を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the exposure with respect to the 2nd area | region of the said to-be-exposed body. 上記第2の領域における露光量の変化を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the change of the exposure amount in the said 2nd area | region. 上記露光の結果得られる露光パターンの露光量の均一性について示す説明図である。It is explanatory drawing shown about the uniformity of the exposure amount of the exposure pattern obtained as a result of the said exposure. 本発明による露光装置の第2の実施形態の要部を示す平面図である。It is a top view which shows the principal part of 2nd Embodiment of the exposure apparatus by this invention. 上記第2の実施形態による露光について示す説明図である。It is explanatory drawing shown about the exposure by the said 2nd Embodiment. 上記第2の実施形態の変形例であり、シャッタを使用した場合の要部を示す平面図である。It is a modification of the said 2nd Embodiment, and is a top view which shows the principal part at the time of using a shutter.

以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明による露光装置の第1の実施形態の構成を示す概要図である。この露光装置は、被露光体上にフォトマスクのマスクパターンを通して光源光を照射し、互いに隣接する露光パターンの端部領域(以下「オーバーラップ部」という)を重ね合わせてつなぎ露光するもので、ステージ1と、光源2と、フォトマスク3と、シャッタ4と、制御手段5と、を備えて構成されている。なお、以下の説明において、上記露光パターンは、「露光パターン形成領域」を含む概念である。   Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic view showing the arrangement of a first embodiment of an exposure apparatus according to the present invention. This exposure apparatus irradiates light source light through a mask pattern of a photomask on an object to be exposed, and overlaps and exposes end regions (hereinafter referred to as “overlap portions”) of adjacent exposure patterns. A stage 1, a light source 2, a photomask 3, a shutter 4, and a control means 5 are provided. In the following description, the exposure pattern is a concept including an “exposure pattern forming region”.

上記ステージ1は、上面1aに被露光体6を載置して後述の制御手段5により制御されてXY平面内を任意の方向に移動可能に構成されたXYステージである。   The stage 1 is an XY stage configured such that an object to be exposed 6 is placed on the upper surface 1a, and is controlled by a control means 5 described later so as to be movable in an arbitrary direction on the XY plane.

上記ステージ1の上方には、光源2が配設されている。この光源2は、紫外線の光源光7を被露光体6に照射して露光するためのものであり、超高圧水銀ランプ、キセノンランプ、紫外線放射のレーザ光源等である。なお、以下の説明においては、上記光源2は、後述の制御手段5によって制御されて一定の繰返し周期で点灯及び消灯するフラッシュランプであり、Nショット(Nは正の整数)の光源光7で予定の露光量が得られるように光量調整ができるようになっている。   A light source 2 is disposed above the stage 1. The light source 2 is for irradiating the object to be exposed 6 with ultraviolet light source light 7 and is an ultrahigh pressure mercury lamp, a xenon lamp, a laser light source of ultraviolet radiation, or the like. In the following description, the light source 2 is a flash lamp that is controlled by the control means 5 described later to be turned on and off at a constant repetition period, and is an N-shot (N is a positive integer) light source light 7. The amount of light can be adjusted so that a predetermined exposure amount can be obtained.

上記光源2からステージ1に向かう光軸上には、フォトマスク3が配設されている。このフォトマスク3は、例えば、図2に示すように1枚の透明な基材上に外形寸法がW1×W2の第1及び第2のマスクパターン8A,8Bを各マスクパターンの中心線間隔が寸法L1となるように離して平行に並べて形成したものであり、上記ステージ1の上面1aに近接対向して配設されている。そして、図示省略の移動機構により、上記ステージ1の上面1aに平行な面内を図1おいてX軸方向に移動できるように構成され、上記二つのマスクパターンのうち、いずれか一方のマスクパターンの中心を光源光7の光軸に合致させることによってマスクパターンの選択が可能になっている。 A photomask 3 is disposed on the optical axis from the light source 2 toward the stage 1. For example, as shown in FIG. 2, the photomask 3 includes first and second mask patterns 8A and 8B having an outer dimension of W 1 × W 2 on a single transparent base material. They are formed so as to be spaced apart and arranged in parallel so that the distance is the dimension L 1, and are disposed in close proximity to the upper surface 1 a of the stage 1. The moving mechanism (not shown) is configured to be movable in the X-axis direction in FIG. 1 within a plane parallel to the upper surface 1a of the stage 1, and one of the two mask patterns. The mask pattern can be selected by matching the center of the light source with the optical axis of the light source light 7.

ここで、上記第1のマスクパターン8Aと第2のマスクパターン8Bとは、図3に示すように被露光体6上に形成される露光パターン9の全領域を例えば左右に2分割した第1及び第2の領域10A,10Bの第1及び第2の露光パターン9A,9Bに対応したパターン形状を有し、且つ夫々図2において斜線を付して示す端部領域11に、被露光体6上に形成される露光パターン9の図3に示すオーバーラップ部12に対応した共通のパターンを設けている。   Here, the first mask pattern 8A and the second mask pattern 8B are a first mask obtained by dividing the entire area of the exposure pattern 9 formed on the exposed body 6 into, for example, left and right as shown in FIG. And the end region 11 having a pattern shape corresponding to the first and second exposure patterns 9A and 9B in the second regions 10A and 10B and hatched in FIG. A common pattern corresponding to the overlap portion 12 shown in FIG. 3 of the exposure pattern 9 formed above is provided.

上記フォトマスク3のマスク面3aに近接対向してシャッタ4が設けられている。このシャッタ4は、フォトマスク3の第1及び第2のマスクパターン8A,8Bの端部領域11であって、被露光体6に形成される第1及び第2の露光パターン9A,9Bのオーバーラップ部12に対応した部分を遮光するものであり、図4に示すようにフォトマスク3の第1及び第2のマスクパターン8A,8Bの外形寸法と略同じ寸法(W1×W3でW2≦W3)の開口部13を形成している。そして、後述の制御手段5によって制御されて図示省略の移動機構が駆動され、図3に示すオーバーラップ部12のX軸方向の幅wと等しい距離wだけ同方向に移動可能に形成されている。 A shutter 4 is provided in close proximity to the mask surface 3 a of the photomask 3. The shutter 4 is an end region 11 of the first and second mask patterns 8A and 8B of the photomask 3 and is over the first and second exposure patterns 9A and 9B formed on the object to be exposed 6. The portion corresponding to the wrap portion 12 is shielded from light, and as shown in FIG. 4, the outer dimensions of the first and second mask patterns 8A and 8B of the photomask 3 are substantially the same (W 1 × W 3 W 2 ≦ W 3 ) is formed. Then, a moving mechanism (not shown) is driven under the control of the control means 5 described later, and is formed to be movable in the same direction by a distance w equal to the width w in the X-axis direction of the overlap portion 12 shown in FIG. .

なお、図1において、符号14は、光源2から放射された光源光7の輝度分布を均一化すると共に、平行光にしてフォトマスク3に照射させるカップリング光学系である。   In FIG. 1, reference numeral 14 denotes a coupling optical system that equalizes the luminance distribution of the light source light 7 emitted from the light source 2 and irradiates the photomask 3 with parallel light.

上記ステージ1、光源2、フォトマスク3、シャッタ4に電気的に結線して制御手段5が設けられている。この制御手段5は、シャッタ4を互いに隣接する第1及び第2の露光パターン9A,9Bの中央部から隣接端部9Aa,9Baに向かう軸(X軸)に沿って移動させることにより、第1及び第2の露光パターン9A,9Bのオーバーラップ部12の露光量を第1及び第2の露光パターン9A,9Bの中央寄りから隣接端部9Aa,9Baに向かって漸減させるものであり、図5に示すようにステージ駆動コントローラ15と、光源駆動コントローラ16と、フォトマスク駆動コントローラ17と、シャッタ駆動コントローラ18と、メモリ19と、演算部20と、制御部21と、を備えて構成されている。   A control means 5 is provided electrically connected to the stage 1, the light source 2, the photomask 3, and the shutter 4. The control means 5 moves the shutter 4 along the axis (X axis) from the central portion of the first and second exposure patterns 9A and 9B adjacent to each other toward the adjacent end portions 9Aa and 9Ba. And the exposure amount of the overlap portion 12 of the second exposure patterns 9A and 9B is gradually decreased from the center of the first and second exposure patterns 9A and 9B toward the adjacent end portions 9Aa and 9Ba. As shown in FIG. 2, the stage drive controller 15, the light source drive controller 16, the photomask drive controller 17, the shutter drive controller 18, the memory 19, the calculation unit 20, and the control unit 21 are configured. .

ここで、ステージ駆動コントローラ15は、ステージ1をXY方向に移動させるものである。また、光源駆動コントローラ16は、光源2を一定周期で点灯及び消灯させるものである。さらに、フォトマスク駆動コントローラ17は、フォトマスク3をX軸方向に移動させて第1のマスクパターン8Aと第2のマスクパターン8Bとを切り替えるものである。また、シャッタ駆動コントローラ18は、上記光源2の点灯及び消灯の繰り返し周期に同期してシャッタ4をX軸方向にステップ移動させるものである。さらに、メモリ19は、例えばステージ1のX軸方向への移動距離の目標値WT、光源2の点灯及び消灯の繰り返し周期T及び予定の露光量を得るのに必要な光源光7のショット数の目標値N、フォトマスク3のX軸方向への移動距離の目標値LT、上記光源2の点灯及び消灯の繰り返し周期Tに同期したシャッタ4のX軸方向へのステップ移動距離の目標値wT(=w/N)等を予め記憶するものである。さらにまた、演算部20は、ステージ1、フォトマスク3及びシャッタ4の移動距離とメモリ19から読み出した各移動距離の目標値とを比較して、ステージ1、フォトマスク3及びシャッタ4が予め定められた距離だけ適切に移動するようにステージ駆動コントローラ15、フォトマスク駆動コントローラ17、及びシャッタ駆動コントローラ18を制御するものである。そして、制御部21は、上記各構成要素が適切に駆動するように統合して制御するものである。 Here, the stage drive controller 15 moves the stage 1 in the XY directions. The light source drive controller 16 turns on and off the light source 2 at a constant cycle. Further, the photomask drive controller 17 switches the first mask pattern 8A and the second mask pattern 8B by moving the photomask 3 in the X-axis direction. Further, the shutter drive controller 18 moves the shutter 4 stepwise in the X-axis direction in synchronization with the repetition cycle of turning on and off the light source 2. Further, the memory 19 is, for example, the target value W T of the moving distance of the stage 1 in the X-axis direction, the repetition period T of turning on and off the light source 2, and the number of shots of the light source light 7 necessary for obtaining a predetermined exposure amount. , Target value L T of the movement distance of the photomask 3 in the X-axis direction, and target value of the step movement distance of the shutter 4 in the X-axis direction synchronized with the repetition cycle T of turning on and off the light source 2. w T (= w / N) and the like are stored in advance. Furthermore, the calculation unit 20 compares the movement distances of the stage 1, the photomask 3 and the shutter 4 with the target values of the movement distances read from the memory 19, and the stage 1, the photomask 3 and the shutter 4 are determined in advance. The stage drive controller 15, the photomask drive controller 17, and the shutter drive controller 18 are controlled so as to appropriately move by the specified distance. And the control part 21 is integrated and controlled so that each said component may drive appropriately.

次に、このように構成された第1の実施形態の露光装置の動作及び本発明の露光方法について図6のフローチャートを参照して説明する。
先ず、図示省略の入力手段により入力して各初期設定値がメモリ19に記憶される。また、フォトマスク3は、第1のマスクパターン8Aが選択され、その中心が光源光7の光軸に合致されている。さらに、シャッタ4は、開口部13の中心を光源光7の光軸に合致させた状態(スタート位置)で停止している。そして、ステージ1は、その上面に載置された被露光体6上の予め定められた第1の領域10Aに第1の露光パターン9Aが形成できるように位置決めされて停止している。
Next, the operation of the exposure apparatus of the first embodiment configured as described above and the exposure method of the present invention will be described with reference to the flowchart of FIG.
First, each initial setting value is stored in the memory 19 by an input means (not shown). For the photomask 3, the first mask pattern 8 </ b> A is selected, and the center thereof coincides with the optical axis of the light source light 7. Further, the shutter 4 is stopped in a state (start position) in which the center of the opening 13 is aligned with the optical axis of the light source light 7. The stage 1 is positioned and stopped so that the first exposure pattern 9A can be formed in a predetermined first area 10A on the exposure target 6 placed on the upper surface thereof.

このような状態において、先ず、ステップS1においては、光源駆動コントローラ16が駆動されて光源2が一定時間点灯され、図7(a)に示すようにフォトマスク3を介して被露光体6に1ショットの光源光7が照射され、第1の領域10Aが露光される。このとき、第1の領域10Aが受ける露光量は、目標の露光量Eの1/Nである(図8(a)参照)。また、光源駆動コントローラ16は、光源光7のショット数nをカウントする。   In such a state, first, in step S1, the light source drive controller 16 is driven to turn on the light source 2 for a certain period of time. As shown in FIG. The shot light source light 7 is irradiated, and the first region 10A is exposed. At this time, the exposure amount received by the first region 10A is 1 / N of the target exposure amount E (see FIG. 8A). Further, the light source drive controller 16 counts the number of shots n of the light source light 7.

次に、ステップS2においては、光源駆動コントローラ16でカウントされた光源光7のショット数nとメモリ19から読み出したショット数の目標値Nとが演算部20で比較され、ショット数nが目標値Nに達した(n=N)か否かが判定される。この段階においては、ショット数nは目標値Nに未達であるため、”NO”判定となってステップS3に進む。   Next, in step S2, the number of shots n of the light source light 7 counted by the light source drive controller 16 is compared with the target value N of the number of shots read from the memory 19, and the number of shots n is the target value. It is determined whether or not N has been reached (n = N). At this stage, since the number of shots n has not reached the target value N, the determination is “NO” and the process proceeds to step S3.

ステップS3においては、光源2が消灯している間にシャッタ4がシャッタ駆動コントローラ18によって制御されて、図7(b)に示すように矢印A方向にステップ移動距離の目標値wTに等しい距離(wT=w/N)だけ移動される。そして、ステップS1に戻って、同図(b)に示すように次の1ショットの光源光7が被露光体6に照射されて第1の領域10Aが露光される。このとき、第1の領域10Aが受ける積算露光量は2E/Nである(図8(b)参照)。 In step S3, while the light source 2 is turned off, the shutter 4 is controlled by the shutter drive controller 18, and as shown in FIG. 7B, a distance equal to the target value w T of the step movement distance in the direction of arrow A. It is moved by (w T = w / N). Then, returning to step S1, as shown in FIG. 5B, the next one shot of the light source light 7 is irradiated onto the object to be exposed 6, and the first region 10A is exposed. At this time, the integrated exposure amount received by the first region 10A is 2E / N (see FIG. 8B).

以降、ステップS2において”YES”判定となるまで、ステップS1〜S3が繰り返され、複数ショットの光源光7の繰り返し周期に同期させてシャッタ4を矢印A方向にステップ移動させながら、図7(c)に示すように露光が実行される。そして、ショット数nが目標値Nに合致して第1の領域10Aが受ける積算露光量が目標の露光量Eに達すると(図8(c)参照)第1の領域10Aに対する予定の露光が終了し、第1の露光パターン9Aが形成される。   Thereafter, steps S1 to S3 are repeated until “YES” determination is made in step S2, and the shutter 4 is moved stepwise in the direction of arrow A in synchronization with the repetition cycle of the light source light 7 of a plurality of shots. The exposure is executed as shown in FIG. When the number of shots n matches the target value N and the integrated exposure amount received by the first region 10A reaches the target exposure amount E (see FIG. 8C), the planned exposure for the first region 10A is performed. Then, the first exposure pattern 9A is formed.

このとき、第1の露光パターン9Aのオーバーラップ部12における露光量は、図8(c)に示すように第1の露光パターン9Aの中央寄りから隣接端部9Aaに向かって漸減している。   At this time, the exposure amount in the overlap portion 12 of the first exposure pattern 9A is gradually decreased from the center of the first exposure pattern 9A toward the adjacent end portion 9Aa as shown in FIG. 8C.

次に、ステップS4においては、図9(a)に示すようにシャッタ4が矢印Aとは反対の矢印B方向に移動されてスタート位置まで戻される。また、フォトマスク3がフォトマスク駆動コントローラ17によって制御されて同図に示す矢印C方向に距離L1だけ移動され、マスクパターンが第1のマスクパターン8Aから第2のマスクパターン8Bに切り替えられる。さらに、ステージ1がステージ駆動コントローラ15によって制御されて同図に示す矢印D方向に距離(W1−w)だけ移動され、被露光体6の第2の領域10Bが第2のマスクパターン8Bの下に位置付けられる。 Next, in step S4, as shown in FIG. 9A, the shutter 4 is moved in the arrow B direction opposite to the arrow A and returned to the start position. Further, the photomask 3 is moved in the direction of arrow C shown in the figure is controlled by the photomask drive controller 17 by a distance L 1, the mask pattern is switched from the first mask pattern 8A to the second mask pattern 8B. Further, the stage 1 is controlled by the stage drive controller 15 and is moved by a distance (W 1 −w) in the direction of arrow D shown in the figure, so that the second region 10B of the object 6 is exposed to the second mask pattern 8B. Positioned below.

続いて、ステップS5においては、光源駆動コントローラ16が駆動されて光源2が一定時間点灯され、図9(a)に示すようにフォトマスク3を介して被露光体6に1ショットの光源光7が照射され、第2の領域10Bが露光される。このとき、第2の領域10Bが受ける露光量は、E/Nである(図10(a)参照)。また、光源駆動コントローラ16は、光源光7のショット数nをカウントする。   Subsequently, in step S5, the light source drive controller 16 is driven to turn on the light source 2 for a certain period of time. As shown in FIG. 9A, one shot of the light source light 7 is applied to the object to be exposed 6 through the photomask 3. Is irradiated, and the second region 10B is exposed. At this time, the exposure amount received by the second region 10B is E / N (see FIG. 10A). Further, the light source drive controller 16 counts the number of shots n of the light source light 7.

ステップS6においては、光源駆動コントローラ16でカウントされた光源光7のショット数nとメモリ19から読み出したショット数の目標値Nとが演算部20で比較され、ショット数nが目標値Nに達した(n=N)か否かが判定される。この段階においては、ショット数nは目標値Nに未達であるため、”NO”判定となってステップS7に進む。   In step S6, the number of shots n of the light source light 7 counted by the light source drive controller 16 is compared with the target value N of the number of shots read from the memory 19, and the number of shots n reaches the target value N. It is determined whether or not (n = N). At this stage, since the number of shots n has not reached the target value N, the determination is “NO” and the process proceeds to step S7.

ステップS7においては、光源2が消灯している間にシャッタ4がシャッタ駆動コントローラ18によって制御されて、図9(b)に示すように矢印Aとは反対の矢印B方向にステップ移動距離の目標値wTに等しい距離(wT=w/N)だけ移動される。そして、同図(b)に示すように次の1ショットの光源光7が被露光体6に照射されて第2の領域10Bが露光される。このとき、第2の領域10Bが受ける積算露光量は2E/Nである(図10(b)参照)。 In step S7, the shutter 4 is controlled by the shutter drive controller 18 while the light source 2 is turned off, and the target of the step movement distance in the direction of the arrow B opposite to the arrow A as shown in FIG. It is moved by a distance equal to the value w T (w T = w / N). Then, as shown in FIG. 6B, the next one shot of the light source light 7 is applied to the object 6 to expose the second region 10B. At this time, the integrated exposure amount received by the second region 10B is 2E / N (see FIG. 10B).

以降、ステップS6において”YES”判定となるまで、ステップS5〜S7が繰り返され、複数ショットの光源光7の繰り返し周期に同期させてシャッタ4を矢印B方向にステップ移動させながら、図9(c)に示すように露光が実行される。そして、ショット数nが目標値Nに合致して第2の領域10Bが受ける積算露光量が目標の露光量Eに達すると(図10(c)参照)第2の領域10Bに対する予定の露光が終了し、第2の露光パターン9Bが形成される。   Thereafter, steps S5 to S7 are repeated until “YES” is determined in step S6, and the shutter 4 is moved stepwise in the direction of arrow B in synchronization with the repetition cycle of the light source light 7 of a plurality of shots. The exposure is executed as shown in FIG. When the number of shots n matches the target value N and the integrated exposure amount received by the second region 10B reaches the target exposure amount E (see FIG. 10C), the planned exposure for the second region 10B is performed. Then, the second exposure pattern 9B is formed.

このとき、第2の露光パターン9Bのオーバーラップ部12における露光量は、図10(c)に示すように第2の露光パターン9Bの中央寄りから隣接端部9Baに向かって漸減している。   At this time, the exposure amount at the overlap portion 12 of the second exposure pattern 9B gradually decreases from the center of the second exposure pattern 9B toward the adjacent end portion 9Ba as shown in FIG.

しかしながら、上記オーバーラップ部12の露光量は、第1の露光パターン9Aの当該部分の露光量と第2の露光パターン9Bの当該部分の露光量とを加算したものであるので、結果的にその露光量は目標の露光量Eとなる。したがって、図11に示すように第1の露光パターン9Aと第2の露光パターン9Bとを、端部領域をオーバーラップさせてつなぎ露光した場合でも全体に亘って均一に露光することができる。   However, the exposure amount of the overlap portion 12 is the sum of the exposure amount of the portion of the first exposure pattern 9A and the exposure amount of the portion of the second exposure pattern 9B. The exposure amount is the target exposure amount E. Therefore, as shown in FIG. 11, even when the first exposure pattern 9A and the second exposure pattern 9B are connected and exposed with the end regions overlapped, they can be uniformly exposed throughout.

なお、上記第1の実施形態においては、シャッタ4を移動する場合について説明したが、本発明はこれに限られず、フォトマスク3側を移動してもよい。   In the first embodiment, the case of moving the shutter 4 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the photomask 3 may be moved.

図12は本発明による露光装置の第2の実施形態の概略構成を示す正面図である。ここでは、第1の実施形態と異なる部分について説明する。
この第2の実施形態は、ステージ1によって被露光体6を同図に矢印Fで示す一定方向に移動しながら、複数の単位マスク22を被露光体6の移動方向と交差する方向に互い違いに2列に並べて有するフォトマスク3により露光するものであり、各単位マスク22は、同図に示すように矢印F方向に見て左右に隣接するマスクパターン23の隣接端部23aが接するように配置されている。また、矢印F方向に先後して位置する単位マスク22の中心線間隔はL2に設定されている。そして、各単位マスク22は、被露光体6が停止状態において、複数ショットの光源光7の繰り返し周期に同期して矢印G又はH方向に連動して移動するようになっている。なお、各単位マスク22に対応して夫々個別に光源2及びカップリング光学系14が設けられている。
FIG. 12 is a front view showing a schematic configuration of the second embodiment of the exposure apparatus according to the present invention. Here, a different part from 1st Embodiment is demonstrated.
In this second embodiment, a plurality of unit masks 22 are staggered in a direction intersecting with the moving direction of the object to be exposed 6 while the object to be exposed 6 is moved in the constant direction indicated by the arrow F in FIG. The exposure is performed by the photomasks 3 arranged in two rows, and each unit mask 22 is arranged so that the adjacent end portions 23a of the mask patterns 23 adjacent to the left and right as viewed in the direction of the arrow F are in contact with each other as shown in FIG. Has been. The center line spacing of the unit mask 22 positioned in the front-rear direction of the arrow F is set to L 2. Each unit mask 22 moves in synchronization with the direction of the arrow G or H in synchronization with the repetition cycle of the light source light 7 of a plurality of shots when the object to be exposed 6 is stopped. A light source 2 and a coupling optical system 14 are individually provided for each unit mask 22.

このように構成された第2の実施形態は、次のように動作する。
先ず、ステージ1が矢印F方向に移動されて被露光体6の最初の露光領域(図12のO−O線の位置)がフォトマスク3の矢印F方向後列の複数の単位マスク22の位置に達するとステージ1が停止し、Nショットの光源光7がフォトマスク3に照射される。同時に、フォトマスク3(各単位マスク22)は、Nショットの光源光7の繰り返し周期に同期して図12に示す矢印G方向にステップ移動距離の目標値wTに等しい距離(wT=w/N)ずつステップ移動しながらトータル距離wだけ移動する。これにより、第1の露光パターン9Aが予定の露光量で形成される。このとき、第1の露光パターン9Aの端部領域(オーバーラップ部12)の露光量は、図13(a)に示すようにパターンの中央寄りから隣接端部9Aaに向かって漸減する。
The second embodiment configured as described above operates as follows.
First, the stage 1 is moved in the direction of arrow F, and the first exposure region (the position of the OO line in FIG. 12) of the exposure object 6 is positioned at the positions of the plurality of unit masks 22 in the rear row of the photomask 3 in the direction of arrow F. When it reaches, the stage 1 stops and the photomask 3 is irradiated with the N-shot light source light 7. At the same time, the photomask 3 (each unit mask 22) is a distance (w T = w) equal to the target value w T of the step movement distance in the direction of arrow G shown in FIG. / N) Moves the total distance w while stepping by steps. Thereby, the first exposure pattern 9A is formed with a predetermined exposure amount. At this time, the exposure amount of the end region (overlap portion 12) of the first exposure pattern 9A gradually decreases from the center of the pattern toward the adjacent end portion 9Aa as shown in FIG.

次に、ステージ1の矢印F方向への移動が再開され、被露光体6が距離L2だけ移動して最初の露光領域(図12のO−O線の位置)がフォトマスク3の矢印F方向前列の複数の単位マスク22の位置(図12のP−P線の位置)に達するとステージ1が停止し、Nショットの光源光7がフォトマスク3に照射される。同時に、フォトマスク3(各単位マスク22)は、Nショットの光源光7の繰り返し周期に同期して図12に示す矢印H方向にステップ移動距離の目標値wTに等しい距離(wT=w/N)ずつステップ移動しながらトータル距離wだけ移動する。これにより、第2の露光パターン9Bが予定の露光量で形成される。このとき、第2の露光パターン9Bの端部領域(オーバーラップ部12)の露光量は、図13(b)に示すようにパターンの中央寄りから隣接端部9Baに向かって漸減する。 Next, the movement of the stage 1 in the direction of arrow F is resumed, the object 6 is moved by the distance L 2, and the first exposure region (the position of the OO line in FIG. 12) is the arrow F of the photomask 3. When the position of the plurality of unit masks 22 in the front row (the position of the PP line in FIG. 12) is reached, the stage 1 stops and the photomask 3 is irradiated with the N-shot light source light 7. At the same time, the photomask 3 (each unit mask 22) is a distance (w T = w) equal to the target value w T of the step movement distance in the direction of arrow H shown in FIG. / N) Moves the total distance w while stepping by steps. Thereby, the second exposure pattern 9B is formed with a predetermined exposure amount. At this time, the exposure amount of the end region (overlap portion 12) of the second exposure pattern 9B gradually decreases from the center of the pattern toward the adjacent end portion 9Ba as shown in FIG.

以降、上述と同様の動作が繰り返し実行され、被露光体の全面に亘って露光が行われる。この場合、第1の露光パターン9Aと第2の露光パターン9Bとは、それらの端部領域が重ね合わされてつなぎ露光されるため、各露光パターン9A,9Bのオーバーラップ部12は、一方の露光パターンの端部領域における露光量の不足分を他方の露光パターンの端部領域の露光量で補完して予定の露光量とすることができ、図13(c)に示すように露光領域全体に亘って一定の露光量で露光することができる。   Thereafter, the same operation as described above is repeatedly performed, and exposure is performed over the entire surface of the object to be exposed. In this case, since the first exposure pattern 9A and the second exposure pattern 9B are connected and exposed by overlapping their end regions, the overlap portion 12 of each of the exposure patterns 9A and 9B has one exposure. The shortage of the exposure amount in the end region of the pattern can be supplemented with the exposure amount in the end region of the other exposure pattern to obtain a planned exposure amount, and as shown in FIG. It is possible to expose with a constant exposure amount.

なお、上記第2の実施形態においては、フォトマスク3を矢印G又はH方向に移動する場合について説明したが、本発明はこれに限られず、ステージ1側を矢印G又はH方向に移動してもよい。   In the second embodiment, the case where the photomask 3 is moved in the direction of the arrow G or H has been described. However, the present invention is not limited to this, and the stage 1 side is moved in the direction of the arrow G or H. Also good.

また、図14に示すように、複数の単位マスク22に近接対向して複数のシャッタ4を設け、該各シャッタ4を連動させて矢印G又はH方向に移動してもよい。この場合、矢印F方向に見て左右に隣接する単位マスク22のマスクパターン8の端部領域11が寸法wだけ重なるように配置すると共に、シャッタ4の開口部13の矢印G又はH方向の幅をマスクパターンの同方向の幅よりも寸法wだけ小さく形成するとよい。これにより、図13と同様にオーバーラップ部12の露光量がパターンの中央寄りから隣接端部に向かって漸減した露光パターンを形成することができる。   Further, as shown in FIG. 14, a plurality of shutters 4 may be provided in close proximity to and opposed to the plurality of unit masks 22, and the shutters 4 may be linked to move in the direction of arrow G or H. In this case, the end regions 11 of the mask patterns 8 of the unit masks 22 adjacent to the left and right when viewed in the direction of the arrow F overlap with each other by the dimension w, and the width of the opening 13 of the shutter 4 in the direction of the arrow G or H Is preferably smaller than the width of the mask pattern in the same direction by a dimension w. As a result, an exposure pattern in which the exposure amount of the overlap portion 12 gradually decreases from the center of the pattern toward the adjacent end as in FIG. 13 can be formed.

さらに、以上の説明においては、複数ショットの光源光7の繰り返し周期に同期させてシャッタ4又はフォトマスク3を移動させる場合について述べたが、本発明はこれに限られず、1ショットの光源光7で予定の露光量を得ると共に、この1ショット中に被露光体6とフォトマスク3、又はフォトマスク3とシャッタ4とを相対移動させてもよい。この場合、各要素の移動はステップ移動ではなく、直線的な移動となる。   Furthermore, in the above description, the case where the shutter 4 or the photomask 3 is moved in synchronization with the repetition period of the light sources 7 for a plurality of shots has been described. However, the present invention is not limited to this, and the light source light 7 for one shot is used. In addition to obtaining a predetermined exposure amount, the object 6 and the photomask 3 or the photomask 3 and the shutter 4 may be moved relative to each other during the one shot. In this case, the movement of each element is not a step movement but a linear movement.

3…フォトマスク
4…シャッタ
6…被露光体
7…光源光
8A…第1のマスクパターン
8B…第2のマスクパターン
9…露光パターン
9A…第1の露光パターン
9B…第2の露光パターン
9Aa,9Ba…隣接端部
12…オーバーラップ部(端部領域)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 ... Photomask 4 ... Shutter 6 ... Exposed body 7 ... Light source light 8A ... 1st mask pattern 8B ... 2nd mask pattern 9 ... Exposure pattern 9A ... 1st exposure pattern 9B ... 2nd exposure pattern 9Aa, 9Ba ... Adjacent end 12 ... Overlap part (end part region)

Claims (7)

被露光体上にフォトマスクのマスクパターンを通して光源光を照射し、互いに隣接する露光パターンの端部領域を重ね合わせてつなぎ露光する露光方法であって、
前記露光パターンの前記端部領域の露光量を前記露光パターンの中央寄りから隣接端部に向かって漸減させて露光することを特徴とする露光方法。
An exposure method of irradiating a light source light on an object to be exposed through a mask pattern of a photomask and superimposing edge regions of exposure patterns adjacent to each other to perform joint exposure,
An exposure method, wherein exposure is performed by gradually decreasing the exposure amount of the end area of the exposure pattern from the center of the exposure pattern toward the adjacent end.
前記露光パターンの前記端部領域の露光量を漸減させる露光は、前記被露光体と前記フォトマスクとを前記互いに隣接する露光パターンの中央部から隣接端部に向かう軸に沿って相対移動させて行なうことを特徴とする請求項1記載の露光方法。   In the exposure for gradually decreasing the exposure amount in the end region of the exposure pattern, the object to be exposed and the photomask are relatively moved along an axis from the central portion of the adjacent exposure pattern to the adjacent end portion. The exposure method according to claim 1, wherein the exposure method is performed. 前記露光パターンの前記端部領域の露光量を漸減させる露光は、前記フォトマスクと前記露光パターンの前記端部領域に対応した前記マスクパターンの部分を遮光するシャッタとを前記互いに隣接する露光パターンの中央部から隣接端部に向かう軸に沿って相対移動させて行なうことを特徴とする請求項1記載の露光方法。   The exposure for gradually decreasing the exposure amount of the end area of the exposure pattern is performed by using the photomask and a shutter that shields a portion of the mask pattern corresponding to the end area of the exposure pattern of the adjacent exposure patterns. 2. The exposure method according to claim 1, wherein the exposure is performed by relatively moving along an axis from the central portion toward the adjacent end portion. 前記露光パターンを複数ショットの前記光源光により形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の露光方法。   The exposure method according to claim 1, wherein the exposure pattern is formed by a plurality of shots of the light source light. 被露光体上にフォトマスクのマスクパターンを通して光源光を照射し、互いに隣接する露光パターンの端部領域を重ね合わせてつなぎ露光する露光装置であって、
前記被露光体と前記フォトマスク、又は前記フォトマスクと前記露光パターンの前記端部領域に対応した前記マスクパターンの部分を遮光するシャッタとを前記互いに隣接する露光パターンの中央部から隣接端部に向かう軸に沿って相対移動させることにより、前記露光パターンの前記端部領域の露光量を前記露光パターンの中央寄りから隣接端部に向かって漸減させる構成としたことを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus that irradiates light source light through a mask pattern of a photomask on an object to be exposed, and overlays end regions of adjacent exposure patterns to perform joint exposure,
The exposure object and the photomask, or the photomask and a shutter that shields a portion of the mask pattern corresponding to the end region of the exposure pattern, from a central portion of the adjacent exposure pattern to an adjacent end portion. An exposure apparatus characterized in that the exposure amount in the end region of the exposure pattern is gradually reduced from the center of the exposure pattern toward the adjacent end portion by relatively moving along the direction of the axis.
前記露光パターンを複数ショットの前記光源光により形成することを特徴とする請求項5記載の露光装置。   6. The exposure apparatus according to claim 5, wherein the exposure pattern is formed by a plurality of shots of the light source light. 前記複数ショットの光源光の繰り返し周期に同期させて前記被露光体と前記フォトマスク、又は前記フォトマスクと前記シャッタとを相対移動させることを特徴とする請求項6記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 6, wherein the object to be exposed and the photomask or the photomask and the shutter are relatively moved in synchronization with a repetition cycle of the light sources of the plurality of shots.
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