JP2012053594A - Transparent conductive film for touch panel - Google Patents
Transparent conductive film for touch panel Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012053594A JP2012053594A JP2010194692A JP2010194692A JP2012053594A JP 2012053594 A JP2012053594 A JP 2012053594A JP 2010194692 A JP2010194692 A JP 2010194692A JP 2010194692 A JP2010194692 A JP 2010194692A JP 2012053594 A JP2012053594 A JP 2012053594A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- transparent conductive
- metal layer
- alloy
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 328
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 113
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 113
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 18
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 30
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017768 LaF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 229910002668 Pd-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、タッチパネル用透明導電性フィルムに係り、特に、静電容量方式のタッチパネルに有利に用いられ得る透明導電性フィルムに関するものである。 The present invention relates to a transparent conductive film for a touch panel, and more particularly to a transparent conductive film that can be advantageously used for a capacitive touch panel.
近年、液晶パネル等の表示装置の表面にタブレット型の位置入力装置が配置され、液晶パネルにおける画像表示領域に表示された指示画像を参照しながら、この指示画像が表示されている箇所を指などで触れることにより、指示画像に対応する情報の入力が行える機器が増えてきている。このような、表示装置（液晶パネル等）と位置入力装置とを組み合わせた電子部品は、タッチパネルと称されて、携帯電話、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、各種券売機や銀行の端末等において幅広く採用されている。 In recent years, a tablet-type position input device has been arranged on the surface of a display device such as a liquid crystal panel, and the location where the instruction image is displayed is referred to with a finger while referring to the instruction image displayed in the image display area of the liquid crystal panel. The number of devices that can input information corresponding to the instruction image is increasing. Such an electronic component combining a display device (liquid crystal panel, etc.) and a position input device is called a touch panel and is widely used in mobile phones, car navigation systems, personal computers, various ticket machines, bank terminals, and the like. ing.
ここで、タッチパネルは、その動作原理より、抵抗膜方式や静電容量方式等に分類される。抵抗膜式のタッチパネルは、例えば、フィルム及びガラスの二層構造からなる基板を２枚、所定間隔を隔てて組み付け、上側の基板を押下してショートさせる構造のため、動作温度範囲の狭さや、経時変化に弱いという欠点を有している。 Here, the touch panel is classified into a resistance film method, a capacitance method, and the like based on its operation principle. The resistive touch panel is, for example, a structure in which two substrates having a two-layer structure of film and glass are assembled at a predetermined interval and the upper substrate is pressed to short-circuit, so that the operating temperature range is narrow, It has the disadvantage of being vulnerable to changes over time.
これに対して、静電容量方式のタッチパネルは、例えば、互いに交差する方向に電極を延在させて、指等が接触した際、電極間の静電容量が変化することを検知して入力位置を検出するタイプのものがある。 On the other hand, the capacitive touch panel, for example, extends the electrodes in a direction crossing each other and detects that the capacitance between the electrodes changes when a finger or the like touches the input position. There is a type of detecting.
ところで、タッチパネルを製造する際には、一般に、ガラスや樹脂フィルム等からなる基材の表面に少なくとも透明導電性層が設けられてなる透明導電膜が用いられ、かかる透明導電膜の上面に、制御回路を接続するための金属製の引出し回線（以下、引出し電極ともいう）が形成される（特許文献１を参照）。 By the way, when manufacturing a touch panel, generally, a transparent conductive film in which at least a transparent conductive layer is provided on the surface of a base material made of glass, a resin film, or the like is used. A metal lead line (hereinafter also referred to as a lead electrode) for connecting circuits is formed (see Patent Document 1).
そこにおいて用いられる透明導電膜の透明導電層は、従来より、酸化錫を含有する酸化インジウム（ＩＴＯ）を始めとする酸化インジウムを主成分とする金属酸化物にて構成されている（以下、透明導電層をＩＴＯ層ともいう）ところ、かかるＩＴＯ層の表面に引出し電極を設ける技術としては、様々なものが提案されている。 The transparent conductive layer of the transparent conductive film used therein is conventionally composed of a metal oxide mainly composed of indium oxide including indium oxide (ITO) containing tin oxide (hereinafter referred to as transparent). However, various techniques have been proposed for providing an extraction electrode on the surface of the ITO layer.
具体的には、特許文献２及び特許文献３においては、透明基板上にＩＴＯ層を設け、その上にＣｕ等の金属膜（層）を、スパッタリングやメッキ法にてコーティングする技術が提案されている。 Specifically, in Patent Document 2 and Patent Document 3, a technique is proposed in which an ITO layer is provided on a transparent substrate and a metal film (layer) such as Cu is coated thereon by sputtering or plating. Yes.
また、特許文献４においては、透明基板上にＩＴＯ膜を設け、その上に箔状の導線を導電性ペーストで配置する技術が提案されている。 Patent Document 4 proposes a technique in which an ITO film is provided on a transparent substrate, and a foil-like lead wire is disposed thereon with a conductive paste.
さらに、特許文献５〜８には、透明基板上にＩＴＯ膜を設け、その上に金属箔を接着剤で配置し、かかる金属箔とＩＴＯ膜とを導電性インクで接続する技術が提案されている。 Furthermore, Patent Documents 5 to 8 propose a technique in which an ITO film is provided on a transparent substrate, a metal foil is disposed thereon with an adhesive, and the metal foil and the ITO film are connected with a conductive ink. Yes.
その他にも、タッチパネル用の透明導電性フィルムにおける引出し電極は、一般に、銀ペースト等の導電性ペーストや導電性インクを、インクジェットやその他の印刷方法で印刷することにより形成されている。 In addition, the extraction electrode in the transparent conductive film for touch panels is generally formed by printing a conductive paste such as a silver paste or a conductive ink by ink jet or other printing methods.
しかしながら、純銀又は銀合金からなる配線は、ガラスや樹脂等との密着性が悪く、また、外部装置との接続部分において基板上で凝集することにより、電気抵抗の増加や断線等による不良を招く、といった問題がある。 However, wiring made of pure silver or a silver alloy has poor adhesion to glass, resin, etc., and causes aggregation due to aggregation on the substrate at the connection portion with the external device, leading to defects due to increase in electrical resistance or disconnection. There is a problem such as.
なお、銀ペーストによる引出し配線の信頼性を向上させた技術として、配線の一部をメッキ又は金属箔で形成する方法が知られている。しかしながら、かかる方法では、メッキ又は金属箔で形成された配線と外部装置との接続部分に銀ペーストを使用することに変わりないため、配線と外部装置の接続部分の強度をより高めることが困難である。 As a technique for improving the reliability of the lead wiring with silver paste, a method of forming a part of the wiring with plating or metal foil is known. However, in this method, it is difficult to further increase the strength of the connection portion between the wiring and the external device because silver paste is used for the connection portion between the wiring formed of plating or metal foil and the external device. is there.
また、耐久性に優れる導電性ペーストとして、銀粉、有機樹脂及び溶剤からなるものが知られている。しかしながら、かかる導電性ペーストを用いて得られる引出し電極は、電気抵抗率が１×１０-4Ω・ｃｍ程度と、アルミニウムのバルクの電気抵抗率の約３０倍であることから、電気抵抗の十分に低い配線とは言い難いものである。 Moreover, what consists of silver powder, an organic resin, and a solvent is known as an electrically conductive paste excellent in durability. However, the extraction electrode obtained by using such a conductive paste has an electrical resistivity of about 1 × 10 −4 Ω · cm, which is about 30 times the bulk electrical resistivity of aluminum. It is hard to say low wiring.
上述したように、純銀又は銀合金からなる導電性ペーストを用いて形成された引出し電極は、耐久性が十分であるとは言い難く、タッチパネル使用中に引出し電極が損傷し易いという問題がある。引出し電極が損傷すると、かかる電極の電気抵抗が大きくなって電圧降下が生じ、タッチパネルセンサーの位置検出の精度が低下する。また、ペンタッチ方式を採用する場合には、引出し電極の狭ピッチ化が必要であるが、一般に、導電性ペーストを用いる場合には、引出し電極を塗布法で形成するため、狭ピッチ化が難しい。 As described above, the extraction electrode formed using a conductive paste made of pure silver or a silver alloy cannot be said to have sufficient durability, and there is a problem that the extraction electrode is easily damaged during use of the touch panel. If the extraction electrode is damaged, the electrical resistance of the electrode increases and a voltage drop occurs, which decreases the accuracy of position detection of the touch panel sensor. In addition, when the pen touch method is adopted, it is necessary to narrow the pitch of the extraction electrode. However, in general, when the conductive paste is used, it is difficult to narrow the pitch because the extraction electrode is formed by a coating method.
このように、従来の、プラスチックフィルム上の透明導電層の表面に引出し電極用の金属層が設けられてなる透明導電性フィルムにあっては、各種のタッチパネルに採用した場合、透明導電層と金属層との密着性が不十分であるという問題点があったのである。 Thus, in the case of the conventional transparent conductive film in which the metal layer for the extraction electrode is provided on the surface of the transparent conductive layer on the plastic film, when used for various touch panels, the transparent conductive layer and the metal There was a problem that the adhesion to the layer was insufficient.
ここにおいて、本発明はかかる事情を背景にして為されたものであって、その解決すべき課題とするところは、密着性に優れた引出し電極形成用の金属層を有するタッチパネル用透明導電性フィルムを提供することにある。 Here, the present invention has been made in the background of such circumstances, and the problem to be solved is a transparent conductive film for a touch panel having a metal layer for forming an extraction electrode having excellent adhesion. Is to provide.
そして、本発明は、そのような課題を有利に解決するために、透明フィルム基材の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の機能層を介して透明導電層が設けられていると共に、引出し電極形成用の金属層が最外層として設けられてなるタッチパネル用透明導電性フィルムにおいて、前記透明導電層と前記金属層との間に、酸化アルミニウムを５重量％以下の割合にて含有する酸化亜鉛、又は酸化ガリウムを１０重量％以下の割合にて含有する酸化亜鉛からなる密着層が設けられていることを特徴とするタッチパネル用透明導電性フィルムを、その要旨とするものである。 In order to advantageously solve such a problem, the present invention has a transparent conductive layer provided on at least one surface of the transparent film substrate directly or via one or more functional layers, and is drawn out. In the transparent conductive film for a touch panel in which a metal layer for electrode formation is provided as an outermost layer, zinc oxide containing aluminum oxide at a ratio of 5% by weight or less between the transparent conductive layer and the metal layer The gist of the transparent conductive film for a touch panel is provided with an adhesion layer made of zinc oxide containing 10% by weight or less of gallium oxide.
なお、そのような本発明に従うタッチパネル用透明導電性フィルムの好ましい第一の態様においては、前記密着層の厚さが１〜２０ｎｍである。 In addition, in the preferable 1st aspect of the transparent conductive film for touchscreens according to such this invention, the thickness of the said contact | adherence layer is 1-20 nm.
また、本発明に係るタッチパネル用透明導電性フィルムの好ましい第二の態様においては、前記金属層がＡｇ又はＡｇ合金にて構成されている。 Moreover, in the 2nd preferable aspect of the transparent conductive film for touchscreens which concerns on this invention, the said metal layer is comprised with Ag or Ag alloy.
さらに、本発明のタッチパネル用透明導電性フィルムにおける好ましい第三の態様においては、前記金属層の厚さが５０〜５００ｎｍである。 Furthermore, in the 3rd preferable aspect in the transparent conductive film for touchscreens of this invention, the thickness of the said metal layer is 50-500 nm.
加えて、本発明のタッチパネル用透明導電性フィルムにおける好ましい第四の態様においては、前記金属層が、Ｍｏ又はＭｏ合金からなる保護金属層と、Ａｌ又はＡｌ合金からなる主金属層と、Ｍｏ又はＭｏ合金からなる保護金属層とが順次、積層形成されてなる三層構造を呈している。 In addition, in the fourth preferred embodiment of the transparent conductive film for a touch panel of the present invention, the metal layer comprises a protective metal layer made of Mo or Mo alloy, a main metal layer made of Al or Al alloy, Mo or A protective metal layer made of an Mo alloy has a three-layer structure in which layers are sequentially formed.
また、上記した、本発明のタッチパネル用透明導電性フィルムにおける好ましい第四の態様においては、有利には、前記主金属層の厚さが５０〜５００ｎｍであり、また、前記保護金属層の厚さが１０〜５０ｎｍである。 Moreover, in the preferable 4th aspect in the transparent conductive film for touchscreens of this invention mentioned above, the thickness of the said main metal layer is 50-500 nm advantageously, Moreover, the thickness of the said protective metal layer Is 10 to 50 nm.
さらに、上述した本発明に従うタッチパネル用透明導電性フィルムにおける好ましい各態様においては、前記透明導電層が酸化インジウムを主成分とするものである。 Furthermore, in each preferable aspect in the transparent conductive film for touch panels according to this invention mentioned above, the said transparent conductive layer has an indium oxide as a main component.
このように、本発明に従うタッチパネル用透明導電性フィルムにあっては、最外層たる引出し電極形成用の金属層と、透明導電層との間に、酸化アルミニウム又は酸化ガリウムを各々、所定割合にて含有する酸化亜鉛からなる密着層が設けられているところから、金属層の密着性が十分に確保され、以て、優れた耐久性を発揮するのである。 As described above, in the transparent conductive film for a touch panel according to the present invention, aluminum oxide or gallium oxide is respectively provided at a predetermined ratio between the metal layer for forming the extraction electrode as the outermost layer and the transparent conductive layer. Since the adhesion layer made of zinc oxide contained is provided, the adhesion of the metal layer is sufficiently secured, and thus exhibits excellent durability.
以下、図面を適宜、参酌しながら、本発明を具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with appropriate reference to the drawings.
図１には、本発明に従うタッチパネル用透明導電性フィルムの代表的な実施形態の一例が、また、図２には他の一例が、それぞれ、厚さ方向の断面において概略的に示されている。先ず、図１及び図２において、１０は基材フィルムであり、かかる基材フィルム１０は、透明性基材１２と、二層のハードコート層１４と、アンダーコート層１６と、透明導電層１８とから構成されている。
FIG. 1 schematically shows an example of a representative embodiment of a transparent conductive film for a touch panel according to the present invention, and FIG. 2 schematically shows another example in a cross section in the thickness direction. . First, in FIGS. 1 and 2,
ここで、透明性基材１２は、一般に、透明性を有する各種のプラスチックにて構成されている。透明性基材１２を構成するプラスチックとしては、ポリエステル系樹脂、アセテート系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリフェニレンサルファイド系樹脂等を、例示することが出来る。それらの中でも、特に、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂等が有利に用いられる。
Here, the
透明性基材１２の厚さは、２〜３００μｍの範囲内にあることが好ましく、２０〜２００μｍの範囲内にあることがより好ましい。この範囲内であれば、透明導電性フィルム全体の機械的強度を確保しつつ、フィルムの薄膜化が可能ならしめられるからである。
The thickness of the
また、透明性基材１２の両面に設けられているハードコート層１４は、無機物、有機物、又は無機物と有機物との混合物により構成されている。ハードコート層１４を構成する無機物としては、ＬａＦ3 、ＣｅＦ3 、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2 等を、また、有機物としては、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、シロキサン系ポリマー、有機シラン縮合物等を、それぞれ、例示することが出来る。
Moreover, the
さらに、二層のハードコート層１４における一方の層（図１及び図２においては上側の層）の表面に設けられているアンダーコート層１６は、一般に、ハードコート層１４を構成する材料より屈折率が低い材料にて構成されている。かかるハードコート層１４を構成する材料としては、ＳｉＯ2 等を挙げることが出来る。
Furthermore, the
加えて、アンダーコート層１６の表面には、透明導電層１８が設けられている。透明導電層１８は、通常、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、アンチモン、チタン、珪素、ジルコニウム、マグネシウム、アルミニウム、金、銀、銅、パラジウム又はタングステン等の酸化物にて構成される。それらの中でも、酸化インジウムや、酸化錫を含有する酸化インジウム（ＩＴＯ）等の酸化インジウムを主成分とするものが、特に有利に用いられる。
In addition, a transparent
なお、上述したハードコート層１４、アンダーコート層１６及び透明導電層１８は、従来より公知の各種手法に従って、最終的に目的とする透明導電性フィルムの特性に応じた厚さとなるように、各々、設けられる。また、本発明において用いられる基材フィルム１０としては、上述したハードコート層１４、アンダーコート層１６及び透明導電層１８に加えて、他の機能層、例えば、フィルムの色相を調整するための色相調整層等を有するものであっても、本発明の目的を阻害しない限りにおいて、使用することが出来る。
The
そして、本発明に従うタッチパネル用透明導電性フィルム２０（３０）においては、透明導電層１８と、引出し電極形成用の金属層２２（２６）との間に、酸化アルミニウム又は酸化ガリウムを所定の割合にて含有する酸化亜鉛からなる密着層２４が設けられているところに、大きな特徴が存するのである。即ち、そのような所定の酸化亜鉛からなる密着層２４が設けられていることによって、金属層２２（２６）の密着性が向上し、以て、本発明のタッチパネル用透明導電性フィルム２０（３０）は、優れた耐久性を発揮するのである。
And in the transparent conductive film 20 (30) for touchscreens according to this invention, aluminum oxide or a gallium oxide is made into a predetermined ratio between the transparent
ここで、密着層２４は、(Ａ)酸化アルミニウムを含有する酸化亜鉛（以下、ＡＺＯともいう）であって、酸化アルミニウムの含有割合が５重量％以下、好ましくは２〜３重量％であるもの、又は、（Ｂ)酸化ガリウムを含有する酸化亜鉛（以下、ＧＺＯともいう）であって、酸化ガリウムの含有割合が１０重量％以下、好ましくは４〜６重量％であるものにて、構成されている。酸化アルミニウムや酸化ガリウムの含有割合が多すぎても、後述する金属層２２（２６）の密着性において大きな変化はなく、経済性等の点で不利益となる。
Here, the
また、本発明において、密着層２４の厚さは、１〜２０ｎｍの範囲内とされる。密着層２４の厚さが１ｎｍ未満では、金属層２２（２６）の密着性を向上させることが出来ない恐れがあり、その一方、２０ｎｍを超える密着層２４を設けても、金属層２２（２６）の密着性に格段の向上が認められず、不経済である。密着層２４の厚さ、及び後述する金属層２２（２６）の厚さは、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いた透明導電性フィルム２０（３０）の断面観察によって測定されるものである。
In the present invention, the thickness of the
さらに、上述した密着層２４の表面には、最外層として、引出し電極形成用の金属層２２（２６）が設けられている。
Furthermore, on the surface of the
かかる金属層２２（２６）を構成する材料としては、従来より公知の各種金属材料の何れをも用いることが可能であり、具体的には、Ａｇ、Ａｇ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金等を例示することが出来る。 As the material constituting the metal layer 22 (26), any of various conventionally known metal materials can be used. Specifically, Ag, Ag alloy, Al, Al alloy, Cu, Cu An alloy etc. can be illustrated.
本発明における金属層を構成する材料として、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｃｕ又はＣｕ合金を用いる場合には、通常、図１に示される如き構成、より具体的には、透明導電層２０の表面に、密着層２４を介して、金属層２２が設けられる。この場合、金属層２２の厚さは、５０〜５００ｎｍの範囲内、好ましくは１００〜４００ｎｍの範囲内とされる。金属層２２を構成するＡｇ合金としては、Ｐｄ及びＣｕが添加されてなる合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ）等を、また、金属層２２を構成するＣｕ合金としては、Ｃａが添加された合金（Ｃｕ−Ｃａ）やＭｇが添加された合金（Ｃｕ−Ｍｇ）等を、それぞれ例示することが出来る。
When Ag, Ag alloy, Cu or Cu alloy is used as the material constituting the metal layer in the present invention, usually, the structure as shown in FIG. 1, more specifically, on the surface of the transparent
一方、密着層の表面にＡｌ又はＡｌ合金を用いて金属層を形成すると、それらの層の界面が酸化し、導通しなくなる恐れがあるため、Ａｌ又はＡｌ合金を用いる場合には、通常、図２に示される如き構成が採用される。具体的には、金属層２６を、Ｍｏ又はＭｏ合金からなる保護金属層２６ａと、Ａｌ又はＡｌ合金からなる主金属層２６ｂと、Ｍｏ又はＭｏ合金からなる保護金属層２６ｃとからなる三層構造とし、これら三層からなる金属層２６が密着層２４の表面に設けられる。
On the other hand, if a metal layer is formed on the surface of the adhesion layer using Al or an Al alloy, the interface between those layers may be oxidized and become non-conductive. 2 is employed. Specifically, the
保護金属層２６ａ、２６ｃを構成するＭｏ合金としては、ＭｏにＮｂが添加された合金（Ｍｏ−Ｎｂ）やＴａが添加された合金（Ｍｏ−Ｔａ）等を、例示することが出来る。保護金属層２６ａ、２６ｃは、同じ組成のＭｏ又はＭｏ合金を用いて形成可能であることは勿論のこと、両者を異なる組成とすること、例えば、２６ａをＭｏにて形成する一方、２６ｃをＭｏ合金にて形成することも、可能である。
Examples of the Mo alloy constituting the
図２に示されるように、金属層２６を三層構造とする場合、保護金属層２６ａ、２６ｃの厚さは１０〜５０ｎｍの範囲内、好ましくは２０〜４０ｎｍの範囲内であり、一方、主金属層２６ｂの厚さは５０〜５００ｎｍの範囲内、好ましくは１００〜４００ｎｍの範囲内とされる。
As shown in FIG. 2, when the
上述した密着層２４、金属層２２（保護金属層２６ａ、２６ｃ及び主金属層２６ｂからなる金属層２６）の形成は、例えば、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法等のスパッタリング法、電子ビーム蒸着等の真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って、実施される。それらの中でも、得られる各層の耐久性に優れるという観点から、スパッタリング法が特に有利に用いられる。
The formation of the
なお、スパッタリング法に従う密着層２４等の形成は、バッチ方式、或いはロール・ツー・ロール方式の何れにおいても可能であるが、生産性に優れ、製造コストを低く抑えることが出来るロール・ツー・ロール方式が有利に採用される。
The
そして、以上の如くして得られたタッチパネル用透明導電性フィルム２０（３０）にあっては、透明導電性１８と金属層２２（２６）との間に、所定の酸化亜鉛合金からなる密着層２４が設けられているところから、金属層２２（２６）の密着性が十分に確保されることとなる。従って、本発明に従うタッチパネル用透明導電性フィルム２０（３０）の金属層２２（２６）に対して、例えばエッチング処理等を施すことによって、金属層２２（２６）の一部を引出し電極とすると、かかる引出し電極は、優れた耐久性を発揮することとなるのである。そのようにして引出し電極が形成されたフィルム（引出し電極フィルム）は、特に、静電容量方式のタッチパネルに有利に用いられるのである。 In the transparent conductive film 20 (30) for a touch panel obtained as described above, an adhesion layer made of a predetermined zinc oxide alloy is formed between the transparent conductive 18 and the metal layer 22 (26). Since 24 is provided, sufficient adhesion of the metal layer 22 (26) will be ensured. Therefore, when a part of the metal layer 22 (26) is used as the extraction electrode, for example, by performing an etching process on the metal layer 22 (26) of the transparent conductive film 20 (30) for the touch panel according to the present invention, Such an extraction electrode exhibits excellent durability. The film in which the extraction electrode is thus formed (the extraction electrode film) is particularly advantageously used for a capacitive touch panel.
以下に、本発明の実施例を幾つか示し、本発明を更に具体的に明らかにすることとするが、本発明が、そのような実施例の記載によって、何等の制約をも受けるものでないことは、言うまでもないところである。また、本発明には、以下の実施例の他にも、更には、上述の具体的記述以外にも、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて、種々なる変更、修正、改良等を加え得るものであることが、理解されるべきである。 Some examples of the present invention will be shown below to clarify the present invention more specifically. However, the present invention is not limited by the description of such examples. Needless to say. In addition to the following examples, the present invention includes various modifications based on the knowledge of those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention, in addition to the above-described specific description. It should be understood that modifications, improvements, etc. can be made.
なお、基材フィルムとして、図１及び図２に示す基材フィルム１０と同様の構成を有するもの（透明性基材：厚さが１２５μｍのPET フィルム、透明導電層はＩＴＯ層）を用いた。また、以下の実施例及び比較例において得られた透明導電性フィルムについては、各々、以下に述べる手法によって密着層の厚さを測定し、特性を測定乃至は評価した。測定結果及び評価結果を、下記表１に示す。
In addition, what has the structure similar to the
−密着層の厚さの測定−
株式会社日立ハイテクノロジーズ製の透過型電子顕微鏡（型番：H-9000UHR ）を用いて、得られたフィルムの断面を観察し、測定した。
-Measurement of adhesion layer thickness-
The cross section of the obtained film was observed and measured using a transmission electron microscope (model number: H-9000UHR) manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation.
−表面抵抗の測定−
MITSUBISHI CHEMICAL ANALYTECH 社製の表面抵抗計（商品名：Loresta-EP）を用いて、４探針法により測定した。
-Measurement of surface resistance-
Using a surface resistance meter (trade name: Loresta-EP) manufactured by MITSUBISHI CHEMICAL ANALYTECH, the measurement was performed by the four-probe method.
−密着性の評価−
３Ｍ社製の粘着テープ（商品番号：610 ）をフィルムに貼り付け、その後、粘着テープをフィルムから引き剥がすことにより、金属層の剥離の程度を目視で観察した。粘着テープを貼り付けた部分の金属層が全く剥がれない場合を○と、一部が剥がれる場合を△と、全てが剥がれる場合を×と、それぞれ評価した。
-Evaluation of adhesion-
An adhesive tape made by 3M (product number: 610) was attached to the film, and then the adhesive tape was peeled off from the film to visually observe the degree of peeling of the metal layer. The case where the metal layer of the part where the adhesive tape was affixed was not peeled off at all, the case where a part was peeled off was evaluated as Δ, and the case where all were peeled off were evaluated as x.
−実施例１−
基材フィルムの透明導電層（ＩＴＯ層）の表面に、酸化アルミニウムを３重量％（wt％）の割合において含有する酸化亜鉛（ＡＺＯ）をターゲット材料として用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、密着層（ＡＺＯ層）を設けた。具体的には、チャンバー内を５×１０-4Ｐａ以下となるまで真空排気した後に、Ａｒガス（濃度：９９．９％。以下、同じ。）を導入し、チャンバー内の圧力を０．２〜０．３Ｐａとし、密着層（ＡＺＯ層）の厚さが４ｎｍとなるように実施した。
Example 1
An adhesion layer is formed on the surface of the transparent conductive layer (ITO layer) of the base film by DC magnetron sputtering using zinc oxide (AZO) containing aluminum oxide in a proportion of 3% by weight (wt%) as a target material. (AZO layer) was provided. Specifically, after evacuating the inside of the chamber to 5 × 10 −4 Pa or less, Ar gas (concentration: 99.9%, hereinafter the same) is introduced, and the pressure in the chamber is set to 0.2. It carried out so that it might be -0.3Pa and the thickness of an adhesion layer (AZO layer) might be set to 4 nm.
引き続いて、チャンバー内を大気開放することなく、密着層（ＡＺＯ層）の表面に、銀合金（Ａｇ合金）をターゲット材料として用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、厚さが１５０ｎｍの金属層（Ａｇ合金層）を形成した。尚、スパッタガスとしてはＡｒガスを使用し、チャンバー内の圧力は０．２〜０．３Ｐａとした。 Subsequently, a metal layer (Ag) having a thickness of 150 nm is formed on the surface of the adhesion layer (AZO layer) by a DC magnetron sputtering method using a silver alloy (Ag alloy) as a target material without opening the chamber to the atmosphere. Alloy layer) was formed. Ar gas was used as the sputtering gas, and the pressure in the chamber was 0.2 to 0.3 Pa.
−実施例２−
密着層（ＡＺＯ層）の厚さが２ｎｍとなるように条件を変更した以外は実施例１と同様の条件に従い、密着層（ＡＺＯ層）を形成し、更にその表面に金属層（Ａｇ合金層）を形成した。
-Example 2-
An adhesion layer (AZO layer) was formed according to the same conditions as in Example 1 except that the conditions were changed so that the thickness of the adhesion layer (AZO layer) was 2 nm, and a metal layer (Ag alloy layer) was formed on the surface. ) Was formed.
−実施例３−
密着層（ＡＺＯ層）の厚さが１．３ｎｍとなるように条件を変更した以外は実施例１と同様の条件に従い、密着層（ＡＺＯ層）を形成し、更にその表面に金属層（Ａｇ合金層）を形成した。
Example 3
An adhesion layer (AZO layer) was formed according to the same conditions as in Example 1 except that the conditions were changed so that the thickness of the adhesion layer (AZO layer) was 1.3 nm, and a metal layer (Ag layer) was formed on the surface. Alloy layer) was formed.
−実施例４−
密着層（ＡＺＯ層）の厚さが０．５ｎｍとなるように条件を変更した以外は実施例１と同様の条件に従い、密着層（ＡＺＯ層）を形成し、更にその表面に金属層（Ａｇ合金層）を形成した。
Example 4
An adhesion layer (AZO layer) was formed according to the same conditions as in Example 1 except that the conditions were changed so that the thickness of the adhesion layer (AZO layer) was 0.5 nm, and a metal layer (Ag layer) was formed on the surface. Alloy layer) was formed.
−実施例５−
密着層（ＡＺＯ層）の厚さが２５ｎｍとなるように条件を変更した以外は実施例１と同様の条件に従い、密着層（ＡＺＯ層）を形成し、更にその表面に金属層（Ａｇ合金層）を形成した。
-Example 5
An adhesion layer (AZO layer) was formed according to the same conditions as in Example 1 except that the conditions were changed so that the thickness of the adhesion layer (AZO layer) was 25 nm, and a metal layer (Ag alloy layer) was formed on the surface. ) Was formed.
−実施例６−
密着層（ＡＺＯ層）の厚さが１５ｎｍとなるように条件を変更した以外は実施例１と同様の条件に従い、密着層（ＡＺＯ層）を形成し、更にその表面に金属層（Ａｇ合金層）を形成した。
-Example 6
An adhesion layer (AZO layer) was formed according to the same conditions as in Example 1 except that the conditions were changed so that the thickness of the adhesion layer (AZO layer) was 15 nm, and a metal layer (Ag alloy layer) was formed on the surface. ) Was formed.
−実施例７−
密着層（ＡＺＯ層）の厚さが１０ｎｍとなるように条件を変更した以外は実施例１と同様の条件に従い、密着層（ＡＺＯ層）を形成し、更にその表面に金属層（Ａｇ合金層）を形成した。
-Example 7-
An adhesion layer (AZO layer) was formed according to the same conditions as in Example 1 except that the conditions were changed so that the thickness of the adhesion layer (AZO layer) was 10 nm, and a metal layer (Ag alloy layer) was formed on the surface. ) Was formed.
−実施例８−
基材フィルムの透明導電層（ＩＴＯ層）の表面に、酸化ガリウムを５重量％（wt％）の割合において含有する酸化亜鉛（ＧＺＯ）をターゲット材料として用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、密着層（ＧＺＯ層）を設けた。具体的には、チャンバー内を５×１０-4Ｐａ以下となるまで真空排気した後に、Ａｒガスを導入し、チャンバー内の圧力を０．２〜０．３Ｐａとし、密着層（ＧＺＯ層）の厚さが４ｎｍとなるように実施した。
-Example 8-
An adhesion layer is formed on the surface of the transparent conductive layer (ITO layer) of the base film by a DC magnetron sputtering method using zinc oxide (GZO) containing gallium oxide in a proportion of 5 wt% (wt%) as a target material. (GZO layer) was provided. Specifically, after evacuating the inside of the chamber to 5 × 10 −4 Pa or less, Ar gas was introduced, the pressure in the chamber was set to 0.2 to 0.3 Pa, and the adhesion layer (GZO layer) It implemented so that thickness might be set to 4 nm.
引き続いて、チャンバー内を大気開放することなく、密着層（ＧＺＯ層）の表面に、銀合金（Ａｇ合金）をターゲット材料として用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、厚さが１６０ｎｍの金属層（Ａｇ合金層）を形成した。尚、スパッタガスとしてはＡｒガスを使用し、チャンバー内の圧力は０．２〜０．３Ｐａとした。 Subsequently, a metal layer (Ag) having a thickness of 160 nm is formed on the surface of the adhesion layer (GZO layer) by a DC magnetron sputtering method using a silver alloy (Ag alloy) as a target material without opening the chamber to the atmosphere. Alloy layer) was formed. Ar gas was used as the sputtering gas, and the pressure in the chamber was 0.2 to 0.3 Pa.
−実施例９−
密着層（ＧＺＯ層）の厚さが２ｎｍとなるように条件を変更した以外は実施例８と同様の条件に従い、密着層（ＧＺＯ層）を形成し、更にその表面に金属層（Ａｇ合金層）を形成した。
-Example 9-
An adhesion layer (GZO layer) was formed according to the same conditions as in Example 8 except that the conditions were changed so that the thickness of the adhesion layer (GZO layer) was 2 nm, and a metal layer (Ag alloy layer) was formed on the surface. ) Was formed.
−実施例１０−
密着層（ＧＺＯ層）の厚さが１．３ｎｍとなるように条件を変更した以外は実施例８と同様の条件に従い、密着層（ＧＺＯ層）を形成し、更にその表面に金属層（Ａｇ合金層）を形成した。
-Example 10-
An adhesion layer (GZO layer) was formed according to the same conditions as in Example 8 except that the conditions were changed so that the thickness of the adhesion layer (GZO layer) was 1.3 nm, and a metal layer (Ag) was formed on the surface thereof. Alloy layer) was formed.
−実施例１１−
基材フィルムの透明導電層（ＩＴＯ層）の表面に、酸化アルミニウムを３重量％（wt％）の割合において含有する酸化亜鉛（ＡＺＯ）をターゲット材料として用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、密着層（ＡＺＯ層）を設けた。具体的には、チャンバー内を５×１０-4Ｐａ以下となるまで真空排気した後に、Ａｒガスを導入し、チャンバー内の圧力を０．２〜０．３Ｐａとし、密着層（ＡＺＯ層）の厚さが４ｎｍとなるように実施した。
-Example 11-
An adhesion layer is formed on the surface of the transparent conductive layer (ITO layer) of the base film by DC magnetron sputtering using zinc oxide (AZO) containing aluminum oxide in a proportion of 3% by weight (wt%) as a target material. (AZO layer) was provided. Specifically, after evacuating the inside of the chamber to 5 × 10 −4 Pa or less, Ar gas was introduced, the pressure in the chamber was set to 0.2 to 0.3 Pa, and the adhesion layer (AZO layer) It implemented so that thickness might be set to 4 nm.
引き続いて、チャンバー内を大気開放することなく、密着層（ＡＺＯ層）の表面に、Ｍｏ合金をターゲット材料として用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、厚さが３０ｎｍの保護金属層（Ｍｏ合金層）を形成した。尚、スパッタガスとしてはＡｒガスを使用し、チャンバー内の圧力は０．２〜０．３Ｐａとした。 Subsequently, a protective metal layer (Mo alloy layer) having a thickness of 30 nm is formed on the surface of the adhesion layer (AZO layer) by a DC magnetron sputtering method on the surface of the adhesion layer (AZO layer) without opening the chamber to the atmosphere. Formed. Ar gas was used as the sputtering gas, and the pressure in the chamber was 0.2 to 0.3 Pa.
さらに、チャンバー内を大気開放することなく、保護金属層（Ｍｏ合金層）の表面に、Ａｌ合金をターゲット材料として用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、厚さが１６０ｎｍの主金属層（Ａｌ合金層）を形成した。尚、スパッタガスとしてはＡｒガスを使用し、チャンバー内の圧力は０．２〜０．３Ｐａとした。 Further, the main metal layer (Al alloy layer) having a thickness of 160 nm is formed on the surface of the protective metal layer (Mo alloy layer) by using a DC magnetron sputtering method on the surface of the protective metal layer (Mo alloy layer) without opening the chamber to the atmosphere. ) Was formed. Ar gas was used as the sputtering gas, and the pressure in the chamber was 0.2 to 0.3 Pa.
加えて、チャンバー内を大気開放することなく、主金属層（Ａｌ合金層）の表面に、Ｍｏ合金をターゲット材料として用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、厚さが３０ｎｍの保護金属層（Ｍｏ合金層）を形成した。尚、スパッタガスとしてはＡｒガスを使用し、チャンバー内の圧力は０．２〜０．３Ｐａとした。 In addition, a protective metal layer (Mo alloy) having a thickness of 30 nm is formed on the surface of the main metal layer (Al alloy layer) by a DC magnetron sputtering method on the surface of the main metal layer (Al alloy layer) without opening the chamber to the atmosphere. Layer). Ar gas was used as the sputtering gas, and the pressure in the chamber was 0.2 to 0.3 Pa.
−実施例１２−
密着層（ＡＺＯ層）の厚さが２ｎｍとなるように条件を変更した以外は実施例１１と同様の条件に従い、密着層（ＡＺＯ層）、保護金属層（Ｍｏ合金層）、主金属層（Ａｌ合金層）及び保護金属層（Ｍｏ合金層）を、順次、積層形成した。
-Example 12-
According to the same conditions as in Example 11 except that the conditions were changed so that the thickness of the adhesion layer (AZO layer) was 2 nm, the adhesion layer (AZO layer), the protective metal layer (Mo alloy layer), the main metal layer ( An Al alloy layer) and a protective metal layer (Mo alloy layer) were sequentially laminated.
−実施例１３−
密着層（ＡＺＯ層）の厚さが１．３ｎｍとなるように条件を変更した以外は実施例１１と同様の条件に従い、密着層（ＡＺＯ層）、保護金属層（Ｍｏ合金層）、主金属層（Ａｌ合金層）及び保護金属層（Ｍｏ合金層）を、順次、積層形成した。
-Example 13-
According to the same conditions as in Example 11 except that the conditions were changed so that the thickness of the adhesion layer (AZO layer) was 1.3 nm, the adhesion layer (AZO layer), the protective metal layer (Mo alloy layer), the main metal A layer (Al alloy layer) and a protective metal layer (Mo alloy layer) were sequentially laminated.
−実施例１４−
基材フィルムの透明導電層（ＩＴＯ層）の表面に、酸化ガリウムを５重量％（wt％）の割合において含有する酸化亜鉛（ＧＺＯ）をターゲット材料として用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、密着層（ＧＺＯ層）を設けた。具体的には、チャンバー内を５×１０-4Ｐａ以下となるまで真空排気した後に、Ａｒガスを導入し、チャンバー内の圧力を０．２〜０．３Ｐａとし、密着層（ＧＺＯ層）の厚さが４ｎｍとなるように実施した。
-Example 14-
An adhesion layer is formed on the surface of the transparent conductive layer (ITO layer) of the base film by a DC magnetron sputtering method using zinc oxide (GZO) containing gallium oxide in a proportion of 5 wt% (wt%) as a target material. (GZO layer) was provided. Specifically, after evacuating the inside of the chamber to 5 × 10 −4 Pa or less, Ar gas was introduced, the pressure in the chamber was set to 0.2 to 0.3 Pa, and the adhesion layer (GZO layer) It implemented so that thickness might be set to 4 nm.
引き続いて、チャンバー内を大気開放することなく、密着層（ＧＺＯ層）の表面に、Ｍｏ合金をターゲット材料として用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、厚さが３０ｎｍの保護金属層（Ｍｏ合金層）を形成した。尚、スパッタガスとしてはＡｒガスを使用し、チャンバー内の圧力は０．２〜０．３Ｐａとした。 Subsequently, a protective metal layer (Mo alloy layer) having a thickness of 30 nm is formed on the surface of the adhesion layer (GZO layer) by using a DC magnetron sputtering method on the surface of the adhesion layer (GZO layer) without opening the chamber to the atmosphere. Formed. Ar gas was used as the sputtering gas, and the pressure in the chamber was 0.2 to 0.3 Pa.
さらに、チャンバー内を大気開放することなく、保護金属層（Ｍｏ合金層）の表面に、Ａｌ合金をターゲット材料として用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、厚さが１６０ｎｍの主金属層（Ａｌ合金層）を形成した。尚、スパッタガスとしてはＡｒガスを使用し、チャンバー内の圧力は０．２〜０．３Ｐａとした。 Further, the main metal layer (Al alloy layer) having a thickness of 160 nm is formed on the surface of the protective metal layer (Mo alloy layer) by using a DC magnetron sputtering method on the surface of the protective metal layer (Mo alloy layer) without opening the chamber to the atmosphere. ) Was formed. Ar gas was used as the sputtering gas, and the pressure in the chamber was 0.2 to 0.3 Pa.
加えて、チャンバー内を大気開放することなく、主金属層（Ａｌ合金層）の表面に、Ｍｏ合金をターゲット材料として用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、厚さが３０ｎｍの保護金属層（Ｍｏ合金層）を形成した。尚、スパッタガスとしてはＡｒガスを使用し、チャンバー内の圧力は０．２〜０．３Ｐａとした。 In addition, a protective metal layer (Mo alloy) having a thickness of 30 nm is formed on the surface of the main metal layer (Al alloy layer) by a DC magnetron sputtering method on the surface of the main metal layer (Al alloy layer) without opening the chamber to the atmosphere. Layer). Ar gas was used as the sputtering gas, and the pressure in the chamber was 0.2 to 0.3 Pa.
−実施例１５−
密着層（ＧＺＯ層）の厚さが２ｎｍとなるように条件を変更した以外は実施例１４と同様の条件に従い、密着層（ＧＺＯ層）、保護金属層（Ｍｏ合金層）、主金属層（Ａｌ合金層）及び保護金属層（Ｍｏ合金層）を、順次、積層形成した。
-Example 15-
According to the same conditions as in Example 14 except that the conditions were changed so that the thickness of the adhesion layer (GZO layer) was 2 nm, the adhesion layer (GZO layer), the protective metal layer (Mo alloy layer), the main metal layer ( An Al alloy layer) and a protective metal layer (Mo alloy layer) were sequentially laminated.
−実施例１６−
密着層（ＧＺＯ層）の厚さが１．３ｎｍとなるように条件を変更した以外は実施例１４と同様の条件に従い、密着層（ＧＺＯ層）、保護金属層（Ｍｏ合金層）、主金属層（Ａｌ合金層）及び保護金属層（Ｍｏ合金層）を、順次、積層形成した。
-Example 16-
According to the same conditions as in Example 14 except that the conditions were changed so that the thickness of the adhesion layer (GZO layer) was 1.3 nm, the adhesion layer (GZO layer), the protective metal layer (Mo alloy layer), and the main metal A layer (Al alloy layer) and a protective metal layer (Mo alloy layer) were sequentially laminated.
−比較例１−
密着層（ＡＺＯ層）を形成しなかった点以外は実施例１と同様の条件に従い、透明導電性フィルムを作製した。
-Comparative Example 1-
A transparent conductive film was produced according to the same conditions as in Example 1 except that the adhesion layer (AZO layer) was not formed.
−比較例２−
密着層を形成する際に、酸化アルミニウムを３重量％（wt％）の割合において含有する酸化亜鉛（ＡＺＯ）に代えて、酸化錫を５重量％の割合において含有する酸化インジウムをターゲット材料として用いた以外は実施例１と同様の条件に従い、透明導電性フィルムを作製した。
-Comparative Example 2-
When forming the adhesion layer, indium oxide containing 5% by weight of tin oxide is used as a target material instead of zinc oxide (AZO) containing 3% by weight (wt%) of aluminum oxide. A transparent conductive film was produced according to the same conditions as in Example 1 except that.
−比較例３−
密着層（ＡＺＯ層）を形成しなかった点以外は実施例１１と同様の条件に従い、透明導電性フィルムを作製した。
-Comparative Example 3-
A transparent conductive film was produced according to the same conditions as in Example 11 except that the adhesion layer (AZO layer) was not formed.
−比較例４−
密着層を形成する際に、酸化アルミニウムを３重量％（wt％）の割合において含有する酸化亜鉛（ＡＺＯ）に代えて、酸化錫を５重量％の割合において含有する酸化インジウムをターゲット材料として用いた以外は実施例１１と同様の条件に従い、透明導電性フィルムを作製した。
-Comparative Example 4-
When forming the adhesion layer, indium oxide containing 5% by weight of tin oxide is used as a target material instead of zinc oxide (AZO) containing 3% by weight (wt%) of aluminum oxide. A transparent conductive film was produced according to the same conditions as in Example 11 except that.
かかる表１の結果からも明らかなように、透明導電層（ＩＴＯ層）と金属層（Ａｇ合金層、又は、Ｍｏ合金層／Ａｌ合金層／Ｍｏ合金層）との間に、密着層（ＡＺＯ層、ＧＺＯ層）が設けられてなる本発明の透明導電性フィルムにあっては、金属層の密着性が良好であることが認められる。特に、密着層の厚さが１．３ｎｍ以上の場合に、より優れた密着性を発揮することが認められる。これに対して、密着層を設けない場合（比較例１、３）や、透明導電層と金属層との間に本発明の範囲外に係る材料からなる層を設けても、金属層の密着性の向上を図り得ないことが認められる。 As is clear from the results in Table 1, an adhesion layer (AZO) is formed between the transparent conductive layer (ITO layer) and the metal layer (Ag alloy layer, or Mo alloy layer / Al alloy layer / Mo alloy layer). In the transparent conductive film of the present invention provided with a layer, a GZO layer), it is recognized that the adhesion of the metal layer is good. In particular, when the thickness of the adhesion layer is 1.3 nm or more, it is recognized that more excellent adhesion is exhibited. On the other hand, even when an adhesion layer is not provided (Comparative Examples 1 and 3), or even when a layer made of a material outside the scope of the present invention is provided between the transparent conductive layer and the metal layer, the adhesion of the metal layer It is recognized that the improvement of the property cannot be achieved.
１０ 基材フィルム １２ 透明性基材
１４ ハードコート層 １６ アンダーコート層
１８ 透明導電層 ２０ タッチパネル用透明導電性フィルム
２２ 金属層 ２４ 密着層
２６ 金属層 ２６ａ 保護金属層
２６ｂ 主金属層 ２６ｃ 保護金属層
３０ タッチパネル用透明導電性フィルム
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記透明導電層と前記金属層との間に、酸化アルミニウムを５重量％以下の割合にて含有する酸化亜鉛、又は酸化ガリウムを１０重量％以下の割合にて含有する酸化亜鉛からなる密着層が設けられていることを特徴とするタッチパネル用透明導電性フィルム。 A transparent conductive film for a touch panel in which a transparent conductive layer is provided on at least one surface of a transparent film substrate directly or via one or more functional layers, and a metal layer for forming an extraction electrode is provided as an outermost layer. Sex film
An adhesion layer made of zinc oxide containing aluminum oxide in a proportion of 5% by weight or less or zinc oxide containing gallium oxide in a proportion of 10% by weight or less is provided between the transparent conductive layer and the metal layer. A transparent conductive film for a touch panel, which is provided.
The transparent conductive film for a touch panel according to any one of claims 1 to 7, wherein the transparent conductive layer is mainly composed of indium oxide.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010194692A JP2012053594A (en) | 2010-08-31 | 2010-08-31 | Transparent conductive film for touch panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010194692A JP2012053594A (en) | 2010-08-31 | 2010-08-31 | Transparent conductive film for touch panel |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012053594A true JP2012053594A (en) | 2012-03-15 |
Family
ID=45906857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010194692A Pending JP2012053594A (en) | 2010-08-31 | 2010-08-31 | Transparent conductive film for touch panel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2012053594A (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013195576A (en) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Japan Display Inc | Liquid crystal display device |
| JP2013193446A (en) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Sekisui Nano Coat Technology Co Ltd | Conductive film, method for manufacturing the same, and touch panel including the conductive film |
| JP2013228782A (en) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Gunze Ltd | Conductive substrate, touch panel and method for manufacturing conductive substrate |
| JP2015056321A (en) * | 2013-09-12 | 2015-03-23 | 積水ナノコートテクノロジー株式会社 | Conductive film with metal layer, production method thereof and touch panel containing the same |
| JP2015227975A (en) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device and manufacturing method of the same |
| KR20160014577A (en) * | 2013-05-23 | 2016-02-11 | 린텍 가부시키가이샤 | Conductive film and electronic device having conductive film |
| US9330811B2 (en) | 2012-06-06 | 2016-05-03 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Transparent electrode and method for manufacturing the same |
| CN107578840A (en) * | 2014-11-06 | 2018-01-12 | Tdk株式会社 | Transparent conductive body and touch-screen |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008070685A (en) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Mitsui Chemicals Inc | Reflection sheet and reflector using the same |
| JP2008080743A (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Optrex Corp | Touch panel device |
-
2010
- 2010-08-31 JP JP2010194692A patent/JP2012053594A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008070685A (en) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Mitsui Chemicals Inc | Reflection sheet and reflector using the same |
| JP2008080743A (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Optrex Corp | Touch panel device |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013195576A (en) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Japan Display Inc | Liquid crystal display device |
| US8964134B2 (en) | 2012-03-16 | 2015-02-24 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| JP2013193446A (en) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Sekisui Nano Coat Technology Co Ltd | Conductive film, method for manufacturing the same, and touch panel including the conductive film |
| JP2013228782A (en) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Gunze Ltd | Conductive substrate, touch panel and method for manufacturing conductive substrate |
| US9330811B2 (en) | 2012-06-06 | 2016-05-03 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Transparent electrode and method for manufacturing the same |
| KR20160014577A (en) * | 2013-05-23 | 2016-02-11 | 린텍 가부시키가이샤 | Conductive film and electronic device having conductive film |
| US20160086683A1 (en) * | 2013-05-23 | 2016-03-24 | Lintec Corporation | Conductive film and electronic device having conductive film |
| US9859033B2 (en) * | 2013-05-23 | 2018-01-02 | Lintec Corporation | Conductive film and electronic device having conductive film |
| EP3001428B1 (en) * | 2013-05-23 | 2019-08-07 | Lintec Corporation | Conductive film and electronic device having conductive film |
| KR102194500B1 (en) | 2013-05-23 | 2020-12-23 | 린텍 가부시키가이샤 | Conductive film and electronic device having conductive film |
| JP2015056321A (en) * | 2013-09-12 | 2015-03-23 | 積水ナノコートテクノロジー株式会社 | Conductive film with metal layer, production method thereof and touch panel containing the same |
| JP2015227975A (en) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device and manufacturing method of the same |
| US9933646B2 (en) | 2014-06-02 | 2018-04-03 | Japan Display Inc. | Display device and manufacturing method thereof |
| CN107578840A (en) * | 2014-11-06 | 2018-01-12 | Tdk株式会社 | Transparent conductive body and touch-screen |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012053594A (en) | Transparent conductive film for touch panel | |
| US9674946B2 (en) | Conductive laminate, transparent conductive laminate with patterned wiring, and optical device | |
| JP5946847B2 (en) | Touch panel and manufacturing method thereof | |
| CN105830004B (en) | Touch-screen panel and image display | |
| TWI569289B (en) | Conductive structure body and method for manufacturing the same, and display device | |
| KR101389876B1 (en) | Touch sensing electrode and touch screen panel | |
| JP6533214B2 (en) | Transparent electrode pattern laminate and touch screen panel provided with the same | |
| JP5918614B2 (en) | Conductive substrate, touch panel, and method of manufacturing conductive substrate | |
| WO2013118314A1 (en) | Input device | |
| TWI631488B (en) | Transparent electrode patterned laminate and touch screen panel including the same | |
| JP2015069440A (en) | Touch panel sensor and touch panel module | |
| KR101401053B1 (en) | Touch sensing electrode and touch screen panel | |
| CN108475557A (en) | Transparent electrode and electronic device including it | |
| CN107003773B (en) | Touch screen panel and image display apparatus having the same | |
| KR101241632B1 (en) | Method for manufacturing touch panel | |
| JP5988671B2 (en) | Conductive substrate, touch panel, and method of manufacturing conductive substrate | |
| CN105468184A (en) | Transparent electrode layer laminate and touch screen panel comprising same | |
| JP2014194720A (en) | Touch panel sensor, touch panel module and method for manufacturing touch panel sensor | |
| TWI731149B (en) | Touch sensor and touch panel having touch sensor | |
| JP6096869B2 (en) | Conductive laminate, transparent conductive laminate with pattern wiring, and optical device | |
| JP6446209B2 (en) | Transparent electrode pattern laminate and touch screen panel provided with the same | |
| JP5982955B2 (en) | Touch panel sensor, touch panel module, and method for manufacturing touch panel sensor | |
| JP5848786B2 (en) | A conductive laminate, a transparent conductive laminate with a patterned wiring, and an optical device. | |
| KR20150078169A (en) | Touch screen panel and manufacturing method thereof | |
| JP2016224635A (en) | Touch panel sensor and touch panel module |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130425 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131120 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131210 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140408 |