JP2012052207A

JP2012052207A - Device for processing substrate

Info

Publication number: JP2012052207A
Application number: JP2010197357A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Toyoda; 一行豊田; Eisuke Nishitani; 英輔西谷; Hiroyuki Takadera; 浩之高寺; Yasushi Kikuta; 康司菊田; Hiroyoshi Kamimura; 大義上村; Mitsunori Ishizaka; 光範石坂; Masami Miyamoto; 正巳宮本
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2010-09-03
Filing date: 2010-09-03
Publication date: 2012-03-15

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device for processing a substrate, which increases production efficiency to increase the efficiency in the use of a treatment gas.SOLUTION: The device for processing a substrate includes: a processing chamber; a plurality of susceptors for incorporating a substrate to be processed; a moving device for moving the plurality of aligned susceptors by a constant distance inside the processing chamber; a heating device for heating the susceptors that are moved by the moving device; and a gas feeding device for feeding a reactant gas into the inside of the susceptor.

Description

本発明は、基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus.

基板処理装置の一例として、ロードポート、ロードロック室、搬送室、処理室の順にウエハは搬送され、処理室において処理される。
処理室はゲートバルブで遮蔽された独立した空間であり、各室では個別にウエハの処理が可能である。 As an example of a substrate processing apparatus, a wafer is transferred in the order of a load port, a load lock chamber, a transfer chamber, and a processing chamber, and processed in the processing chamber.
The processing chambers are independent spaces shielded by gate valves, and wafers can be processed individually in each chamber.

特許文献１は、真空容器を複数の処理室に区画して、未処理基板をベルトに載置し、各々の処理室に順次搬送されて処理される構成を開示する。 Patent Document 1 discloses a configuration in which a vacuum container is divided into a plurality of processing chambers, an unprocessed substrate is placed on a belt, and is sequentially transported to each processing chamber and processed.

特開平３−１６１９２９号公報JP-A-3-161929

図１７は、従来の基板処理装置１００の一例であり、内部構造が見えるようにして示した図である。
石英製の反応管壁１０４と、反応管壁１０４を覆うように形成されたドーム状の反応管１０６と、反応管壁１０４の下端に配置された下反応室１０８により処理室１１０が気密に構成されている。
処理室１１０内には、導電性のサセプタ１１２が設けられ、このサセプタ１１２の上に複数のウエハ１が載置される。
また、サセプタ１１２の下側には加熱手段であるコイル（不図示）が設けられ、このコイルに低周波電力を印加してサセプタ１１２を誘導加熱しながら処理ガスを処理室１１０内に供給して、同時に排気口（不図示）から処理室１１０内の処理ガスを排気しながらウエハ１上に薄膜を形成する。ウエハ１の成膜の均一性を図るために、成膜中はサセプタ１１２は回転される。 FIG. 17 is an example of a conventional substrate processing apparatus 100, showing the internal structure in a visible manner.
A processing chamber 110 is hermetically configured by a quartz reaction tube wall 104, a dome-shaped reaction tube 106 formed so as to cover the reaction tube wall 104, and a lower reaction chamber 108 disposed at the lower end of the reaction tube wall 104. Has been.
A conductive susceptor 112 is provided in the processing chamber 110, and a plurality of wafers 1 are placed on the susceptor 112.
Further, a coil (not shown) as a heating means is provided below the susceptor 112, and a processing gas is supplied into the processing chamber 110 while applying low frequency power to the coil to inductively heat the susceptor 112. At the same time, a thin film is formed on the wafer 1 while exhausting the processing gas in the processing chamber 110 from the exhaust port (not shown). The susceptor 112 is rotated during film formation in order to achieve uniformity of film formation on the wafer 1.

図１８は、上述の従来の基板処理装置１００の動作の一例を示している。
（ステップ１）
最初に、処理室１１０内のガスをポンプ（不図示）で排気し、所定の圧力以下に一定時間保持し、その後窒素（Ｎ₂）を供給して、残留ガスを処理室１１０内部から排除する。人体に危険なガスや発火性のガスを使用する場合は、それらのガスの濃度を測定する機器により残留量を測定する。残留ガス濃度が所定の値より高い場合は排気と窒素ガスの供給を繰返す。
残留ガスの濃度が所定の値より下がったら、反応管壁１０４と反応管１０６を開いて、複数のウエハ１を搬入してサセプタ１１２の上に載置する。自動搬送機構がある場合は、これらの作業を自動的に行う。
（ステップ２）
サセプタ１１２の上にすべてのウエハ１を載置したら反応管壁１０４と反応管１０６を元の状態に閉めて、処理室１１０内を密閉状態にする。この状態で処理室１１０内の空気をポンプ（不図示）で排気し、所定の圧力に到達したら一定時間保持し、その後所定のガスを供給し、大気圧に戻す。
（ステップ３）
その後サセプタ１１２の下側に設けたコイル（不図示）に低周波電力を印加し、サセプタ１１２を誘導加熱する。
（ステップ４）
ウエハ１が所定の温度に到達したら、処理室１１０内に処理ガスを供給し、サセプタ１１２を回転させながらウエハ１に薄膜を形成する。
（ステップ５）
ウエハ１へ所定の厚さの薄膜を形成後、処理室１１０内に供給したガスを止めて、ポンプ（不図示）で処理室１１０内のガスを排気する。
同時にサセプタ１１２を加熱するために印加していた低周波電力を停止してウエハ１を搬出することができる温度まで冷却する。
処理室１１０内の圧力が所定の圧力に到達した時点でポンプを停止し、窒素等のガスを供給する。
（ステップ６）
処理室１１０内の圧力が大気圧となり、サセプタ１１２の温度が６０℃程度まで下がると共に、残留ガスの濃度が例えば１００ｐｐｍ以下に下がったら、反応管壁１０４と反応管１０６を開いて、サセプタ１１２の上のウエハ１を搬出し、新しいウエハ１をサセプタ１１２上に載置する。残留ガス濃度が１００ｐｐｍ以上であった場合は排気と窒素ガス供給等のガス置換を繰返す。
これらの一連の手順を繰返して薄膜の形成を継続する。 FIG. 18 shows an example of the operation of the conventional substrate processing apparatus 100 described above.
(Step 1)
First, the gas in the processing chamber 110 is evacuated by a pump (not shown), held at a predetermined pressure or lower for a certain time, and then nitrogen (N ₂ ) is supplied to remove residual gas from the processing chamber 110. . When using dangerous gases or ignitable gases for the human body, measure the residual amount with a device that measures the concentration of those gases. When the residual gas concentration is higher than a predetermined value, the exhaust gas and the supply of nitrogen gas are repeated.
When the concentration of the residual gas falls below a predetermined value, the reaction tube wall 104 and the reaction tube 106 are opened, and a plurality of wafers 1 are loaded and placed on the susceptor 112. If there is an automatic transport mechanism, these operations are performed automatically.
(Step 2)
When all the wafers 1 are placed on the susceptor 112, the reaction tube wall 104 and the reaction tube 106 are closed to the original state, and the inside of the processing chamber 110 is sealed. In this state, the air in the processing chamber 110 is exhausted by a pump (not shown), and when a predetermined pressure is reached, the air is held for a certain period of time.
(Step 3)
Thereafter, low frequency power is applied to a coil (not shown) provided on the lower side of the susceptor 112 to inductively heat the susceptor 112.
(Step 4)
When the wafer 1 reaches a predetermined temperature, a processing gas is supplied into the processing chamber 110 and a thin film is formed on the wafer 1 while rotating the susceptor 112.
(Step 5)
After a thin film having a predetermined thickness is formed on the wafer 1, the gas supplied into the processing chamber 110 is stopped, and the gas in the processing chamber 110 is exhausted by a pump (not shown).
At the same time, the low-frequency power applied to heat the susceptor 112 is stopped and the wafer 1 is cooled to a temperature at which it can be unloaded.
When the pressure in the processing chamber 110 reaches a predetermined pressure, the pump is stopped and a gas such as nitrogen is supplied.
(Step 6)
When the pressure in the processing chamber 110 becomes atmospheric pressure, the temperature of the susceptor 112 decreases to about 60 ° C. and the concentration of the residual gas decreases to, for example, 100 ppm or less, the reaction tube wall 104 and the reaction tube 106 are opened, and the susceptor 112 The upper wafer 1 is unloaded and a new wafer 1 is placed on the susceptor 112. When the residual gas concentration is 100 ppm or more, gas replacement such as exhaust and nitrogen gas supply is repeated.
These series of steps are repeated to continue the formation of the thin film.

すなわち、従来の基板処理装置では、図１８に示すように、成膜を終了してから次の成膜までの間に、ガスの入れ替えを少なくとも２回、サセプタの昇温と降温を各１回、複数のウエハの搬入と搬出を各１回ずつ行う必要があり、１回の成膜工程の中に占める実際に成膜する時間の割合が小さくなり、成膜処理間の待ち時間が多くなっていた。単位時間当たりの生産枚数を増やすためには、この待ち時間を短縮する必要があった。また、従来の処理室の構成では、ウエハの表面に薄膜を形成する際、処理室に供給される処理ガスはウエハの成膜に寄与せずに排気される割合が大きかった。 That is, in the conventional substrate processing apparatus, as shown in FIG. 18, the gas is exchanged at least twice and the susceptor is heated and lowered once each time after the film formation is completed until the next film formation. In addition, it is necessary to carry in and out a plurality of wafers once, and the ratio of the actual film formation time in one film formation process is reduced, and the waiting time between film formation processes is increased. It was. In order to increase the number of sheets produced per unit time, it was necessary to shorten this waiting time. Further, in the conventional processing chamber configuration, when a thin film is formed on the surface of the wafer, the processing gas supplied to the processing chamber is largely exhausted without contributing to the film formation of the wafer.

本発明の目的は、生産効率を向上させ、処理ガスの使用効率を高めることができる基板処理装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving the production efficiency and increasing the use efficiency of the processing gas.

本発明の一態様によれば、処理室と、被処理基板を内蔵するための複数のサセプタと、前記処理室内にあって、前記複数のサセプタを並べて一定距離ずつ移動させる移動手段と、この移動手段により移動されるサセプタを加熱する加熱手段と、前記サセプタ内部へ反応性ガスを供給するガス供給手段と、を有する基板処理装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, a processing chamber, a plurality of susceptors for containing a substrate to be processed, a moving unit in the processing chamber that moves the plurality of susceptors side by side, and the movement There is provided a substrate processing apparatus comprising heating means for heating a susceptor moved by the means, and gas supply means for supplying a reactive gas into the susceptor.

本発明によれば、生産効率を向上させ、処理ガスの使用効率を高めることができる基板処理装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the substrate processing apparatus which can improve production efficiency and can improve the use efficiency of process gas can be provided.

本発明の実施形態で用いられる基板処理装置の全体構成図の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the whole block diagram of the substrate processing apparatus used by embodiment of this invention. 図１で示された基板処理装置のＡ−Ａ線断面図である。It is the sectional view on the AA line of the substrate processing apparatus shown by FIG. 本発明の実施形態に係る基板処理装置の内部構造が見えるようにして示した斜視図である。1 is a perspective view showing an internal structure of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る基板処理装置に用いたサセプタ周辺の（ａ）は縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ線断面図、（ｄ）はＣ−Ｃ線断面図である。(A) of the periphery of a susceptor used in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is a longitudinal sectional view, (b) is a sectional view taken along line AA in (a), and (c) is a sectional view taken along line BB. FIG. 4D is a cross-sectional view taken along the line CC. 本発明の実施形態に係る基板処理装置の動作を示す図である。It is a figure which shows operation | movement of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係るサセプタ搬送装置によってサセプタが搬送される様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that a susceptor is conveyed by the susceptor conveyance apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態に係るサセプタ搬送装置によってサセプタが搬送される様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that a susceptor is conveyed by the susceptor conveyance apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施形態で用いられる基板処理装置の全体構成図の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the whole block diagram of the substrate processing apparatus used by the 3rd Embodiment of this invention. 図８で示された基板処理装置のＡ−Ａ線断面図である。It is the sectional view on the AA line of the substrate processing apparatus shown by FIG. 本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置の内部構造が見えるようにして示した斜視図である。It is the perspective view shown so that the internal structure of the substrate processing apparatus concerning the 3rd Embodiment of this invention could be seen. 本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置に用いたサセプタ周辺の（ａ）は縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ線断面図、（ｄ）はＣ−Ｃ線断面図である。(A) of a susceptor periphery used for the substrate processing apparatus concerning the 3rd Embodiment of this invention is a longitudinal cross-sectional view, (b) is the sectional view on the AA line of (a), (c) is B- B line sectional drawing, (d) is CC line sectional drawing. 本発明の第４の実施形態に係るサセプタ周辺の断面図である。It is sectional drawing of the susceptor periphery which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第５の実施形態に係るサセプタを説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the susceptor which concerns on the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第５の実施形態に係る基板処理装置の処理室を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the process chamber of the substrate processing apparatus which concerns on the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第６の実施形態に係る基板処理装置の処理室を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the process chamber of the substrate processing apparatus which concerns on the 6th Embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る基板処理装置と従来の基板処理装置の動作を比較するための図である。It is a figure for comparing operation | movement of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention, and the conventional substrate processing apparatus. 従来の基板処理装置の内部構造が見えるようにして示した斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing an internal structure of a conventional substrate processing apparatus in a visible manner. 従来の基板処理装置の動作を示す図である。It is a figure which shows operation | movement of the conventional substrate processing apparatus.

次に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は、本発明の実施形態で用いられる基板処理装置１０の全体構成図の縦断面図である。
図２は、図1で示された基板処理装置１０のＡ−Ａ線断面図である。
図３は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の内部構造が見えるようにして示した斜視図である。 FIG. 1 is a longitudinal sectional view of an overall configuration diagram of a substrate processing apparatus 10 used in an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of the substrate processing apparatus 10 shown in FIG.
FIG. 3 is a perspective view showing the internal structure of the substrate processing apparatus 10 according to the embodiment of the present invention.

本発明の実施形態で用いられる基板処理装置１０は、箱状の反応管壁１３で四方を気密に囲まれた処理室１２を有し、処理室１２を中心として、処理室１２の両側にゲート弁１４ａを介して搬入側搬送室１６と、ゲート弁１４ｂを介して搬出側搬送室１８が配置されている。
搬入側搬送室１６及び搬出側搬送室１８の内部には、後述するサセプタ２０を搬送するためのロボット２２がそれぞれ配置されている。 A substrate processing apparatus 10 used in an embodiment of the present invention has a processing chamber 12 hermetically surrounded by a box-shaped reaction tube wall 13 on both sides, and gates are formed on both sides of the processing chamber 12 around the processing chamber 12. A carry-in side transfer chamber 16 is arranged via a valve 14a, and a carry-out side transfer chamber 18 is arranged via a gate valve 14b.
Inside the carry-in side transfer chamber 16 and the carry-out side transfer chamber 18, robots 22 for transferring a susceptor 20 to be described later are arranged.

処理室１２の内部には、サセプタ２０に複数枚内蔵された被処理基板であるウエハ１を予備加熱する予備加熱ステージ２４と、サセプタ２０に複数枚内蔵されたウエハ１を成膜処理する第１の成膜ステージ２６ａ、第２の成膜ステージ２６ｂ、第３の成膜ステージ２６ｃと、サセプタ２０に複数枚内蔵されたウエハ１を冷却する冷却ステージ２８の５つのステージが設けられている。これらは、サセプタ２０の搬送方向に予備加熱ステージ２４、第１の成膜ステージ２６ａ、第２の成膜ステージ２６ｂ、第３の成膜ステージ２６ｃ及び冷却ステージ２８の順に一方向に並べて配置されている。なお、処理能力を上げるために、処理室１２の長さを延長して適宜処理ステージを増やしてもよい。 Inside the processing chamber 12, a preheating stage 24 that preheats the wafer 1 that is a substrate to be processed built in a plurality of substrates in the susceptor 20, and a first film forming process for forming a plurality of wafers 1 built in the susceptor 20. The film forming stage 26 a, the second film forming stage 26 b, the third film forming stage 26 c, and the cooling stage 28 for cooling the plurality of wafers 1 incorporated in the susceptor 20 are provided. These are arranged in one direction in the order of the preheating stage 24, the first film forming stage 26a, the second film forming stage 26b, the third film forming stage 26c, and the cooling stage 28 in the conveying direction of the susceptor 20. Yes. In order to increase the processing capacity, the length of the processing chamber 12 may be extended to increase the number of processing stages as appropriate.

また、処理室１２内の予備加熱ステージ２４、第１の成膜ステージ２６ａ、第２の成膜ステージ２６ｂ、第３の成膜ステージ２６ｃには、各ステージに配置されたサセプタ２０を上方向から加熱する第１の加熱手段である上ランプ３３ａと、下方向から加熱する第２の加熱手段である下ランプ３３ｂが搬送方向に複数本配置され、予備加熱ステージ２４、第１の成膜ステージ２６ａ、第２の成膜ステージ２６ｂ及び第３の成膜ステージ２６ｃに配置されたサセプタ２０が加熱されるようになっている。サセプタ２０は、例えば石英等の誘電体材料で構成され、サセプタ２０が加熱されることで、サセプタ２０に内蔵されたウエハ１が加熱されるようになっている。 Further, in the preheating stage 24, the first film forming stage 26a, the second film forming stage 26b, and the third film forming stage 26c in the processing chamber 12, the susceptor 20 disposed in each stage is provided from above. A plurality of upper lamps 33a, which are first heating means for heating, and a plurality of lower lamps 33b, which are second heating means for heating from below, are arranged in the transport direction, and the preheating stage 24 and the first film forming stage 26a are arranged. The susceptor 20 disposed on the second film forming stage 26b and the third film forming stage 26c is heated. The susceptor 20 is made of a dielectric material such as quartz, for example, and the wafer 1 built in the susceptor 20 is heated by heating the susceptor 20.

また、処理室１２の内部には、複数のサセプタ２０を並べて一方向に一定距離ずつ移動させ、各ステージへ移動させる移動手段である一対のサセプタ搬送装置３４が設けられている。サセプタ搬送装置３４は、バー形状で、各ステージの両側面に搬送方向に延びて配置されている。それぞれのサセプタ搬送装置３４の下面には駆動部３６が設けられ、この一対の駆動部３６を同時に上下又は進行方向に移動させることによって、一対のサセプタ搬送装置３４は上下又は進行方向に移動され、サセプタ２０を移動させる。 Further, inside the processing chamber 12, a pair of susceptor transfer devices 34 are provided as moving means for moving a plurality of susceptors 20 side by side by a fixed distance in one direction and moving them to each stage. The susceptor transport device 34 has a bar shape, and is disposed on both side surfaces of each stage so as to extend in the transport direction. A drive unit 36 is provided on the lower surface of each susceptor transport device 34. By moving the pair of drive units 36 in the vertical direction or the traveling direction simultaneously, the pair of susceptor transport devices 34 is moved in the vertical direction or the traveling direction, The susceptor 20 is moved.

サセプタ２０は、密閉された例えば箱形状であり、サセプタ搬送装置３４が配置される側の両側の側面には支持片４８が設けられている。すなわち、一対のサセプタ搬送装置３４が上昇されることで、サセプタ２０の支持片４８が上方に押し上げられ、さらに前進動作により、複数のサセプタ２０を一括して同一方向に移動させる。 The susceptor 20 has a sealed box shape, for example, and support pieces 48 are provided on both side surfaces on the side where the susceptor transfer device 34 is disposed. That is, by raising the pair of susceptor transport devices 34, the support piece 48 of the susceptor 20 is pushed upward, and the plurality of susceptors 20 are collectively moved in the same direction by a forward movement.

第１の成膜ステージ２６ａ、第２の成膜ステージ２６ｂ、第３の成膜ステージ２６ｃには、それぞれのステージに配置されたサセプタ２０内に反応性ガスを供給するガス供給管３０と、サセプタ２０内の残留ガスを排気するガス排気管３２が接続されている。 The first film-forming stage 26a, the second film-forming stage 26b, and the third film-forming stage 26c include a gas supply pipe 30 that supplies a reactive gas into the susceptor 20 disposed on each stage, and a susceptor. A gas exhaust pipe 32 for exhausting the residual gas in 20 is connected.

第１の成膜ステージ２６ａ、第２の成膜ステージ２６ｂ、第３の成膜ステージ２６ｃの両側面であって、一対のサセプタ搬送装置３４の内側には、各ステージに配置されたサセプタ２０内に反応性ガスを供給し、サセプタ２０内のガスを排気するガス供給手段であるガス供給排気部３８が設けられ、この一対のガス供給排気部の上面にサセプタ２０が載置されるようになっている。ガス供給排気部３８には、反応性ガスをサセプタ２０内へ供給するガス供給口４０と、サセプタ２０内のガスを排気するガス排気口４２がそれぞれ一対設けられている。ガス供給口４０はガス供給管３０と接続され、ガス排気口４２はガス排気管３２と接続される。ここで、ガス供給口４０はガス排気口４２より小さくする。ガス供給口４０を小さくすることで、ガス供給口４０に残留ガスが流れるのを防止し、ガス排気口４２を大きくすることで排気しやすい状況にしている。さらに、このような構成にすることで、圧力を一定に維持しやすくなっている。 Inside the susceptor 20 disposed on each stage on both sides of the first film formation stage 26a, the second film formation stage 26b, and the third film formation stage 26c, and inside the pair of susceptor transfer devices 34 A gas supply / exhaust section 38 is provided as a gas supply means for supplying reactive gas to the susceptor 20 and exhausting the gas in the susceptor 20, and the susceptor 20 is placed on the upper surfaces of the pair of gas supply / exhaust sections. ing. The gas supply / exhaust section 38 is provided with a pair of gas supply ports 40 for supplying reactive gas into the susceptor 20 and gas exhaust ports 42 for exhausting the gas in the susceptor 20. The gas supply port 40 is connected to the gas supply pipe 30, and the gas exhaust port 42 is connected to the gas exhaust pipe 32. Here, the gas supply port 40 is made smaller than the gas exhaust port 42. By making the gas supply port 40 small, it is possible to prevent residual gas from flowing into the gas supply port 40, and by making the gas exhaust port 42 large, it is easy to exhaust. Furthermore, it becomes easy to maintain a constant pressure by setting it as such a structure.

図４は、サセプタ２０周辺の（ａ）は縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ線断面図、（ｄ）はＣ−Ｃ線断面図である。 4A is a longitudinal sectional view around the susceptor 20, FIG. 4B is a sectional view taken along the line AA in FIG. 4A, FIG. 4C is a sectional view taken along the line BB, and FIG. FIG.

サセプタ２０の一端の下面には、ガス供給排気部３８のガス供給口４０と連通する第１の開口部であるガス供給ポート４４とガス排気口４２と連通する第２の開口部であるガス排気ポート４６が設けられ、サセプタ２０の他端の下面にも、ガス供給排気部３８のガス排気口４２と連通するガス排気ポート４６とガス供給口４０と連通するガス供給ポート４４がそれぞれ一対設けられている。すなわち、サセプタ２０の一端の下面に設けられたガス供給ポート４４は、他端の下面に設けられたガス排気ポート４６と対向して設けられ、サセプタ２０の一端の下面に設けられたガス排気ポート４６は、他端の下面に設けられたガス供給ポート４４と対向して設けられている。 On the lower surface of one end of the susceptor 20, a gas exhaust that is a second opening communicating with the gas supply port 44 and the gas exhaust 42 that is a first opening communicating with the gas supply port 40 of the gas supply and exhaust part 38. A port 46 is provided, and a gas exhaust port 46 communicating with the gas exhaust port 42 of the gas supply exhaust unit 38 and a pair of gas supply ports 44 communicating with the gas supply port 40 are also provided on the lower surface of the other end of the susceptor 20. ing. That is, the gas supply port 44 provided on the lower surface of one end of the susceptor 20 is provided to face the gas exhaust port 46 provided on the lower surface of the other end, and the gas exhaust port provided on the lower surface of one end of the susceptor 20. 46 is provided opposite to the gas supply port 44 provided on the lower surface of the other end.

したがって、複数のサセプタ２０が一対のガス供給排気部３８の上に載置され、一方のガス供給排気部３８に設けられたガス供給口４０から所用のガスがサセプタ２０内へガス供給ポート４４を経由して供給され、サセプタ２０の反対側の側面の下面に設けられたガス排気ポート４６を経由して他方のガス供給排気部３８に設けられたガス排気口４２から排気される構造となっており、所用のガスをサセプタ２０内部に交互に両方から流すことができるようになっている。 Therefore, a plurality of susceptors 20 are placed on a pair of gas supply / exhaust portions 38, and a desired gas is supplied from the gas supply port 40 provided in one gas supply / exhaust portion 38 into the susceptor 20. And is exhausted from a gas exhaust port 42 provided in the other gas supply exhaust part 38 via a gas exhaust port 46 provided on the lower surface of the opposite side surface of the susceptor 20. Thus, the required gas can be alternately flowed from both into the susceptor 20.

また、サセプタ２０内には例えばカーボンからなる発熱体５２を有し、この発熱体５２の周囲が石英で囲われている。
また、図４（ｂ）に示すように、発熱体５２は誘電体枠５４で囲われている。誘電体枠５４は、例えば不透明石英であり、発熱体５２からの熱の流れを抑制することができる。また、図４（ｃ）に示すように、ウエハ１は発熱体５２の上下の内壁面に配置された支持部に載置され、処理ガスが効率よく基板処理のために消費される構造となっている。また、図４（ｄ）に示すように、ウエハ１はサセプタ２０の内側の上下面にそれぞれ４枚ずつ、合計８枚配置される。 The susceptor 20 has a heating element 52 made of, for example, carbon, and the periphery of the heating element 52 is surrounded by quartz.
In addition, as shown in FIG. 4B, the heating element 52 is surrounded by a dielectric frame 54. The dielectric frame 54 is made of, for example, opaque quartz, and can suppress the flow of heat from the heating element 52. Further, as shown in FIG. 4C, the wafer 1 is placed on the support portions disposed on the upper and lower inner wall surfaces of the heating element 52, so that the processing gas is efficiently consumed for substrate processing. ing. Further, as shown in FIG. 4D, four wafers 1 are arranged on the upper and lower surfaces inside the susceptor 20, for a total of eight wafers.

次に、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の動作について詳述する。
図５は、基板処理装置１０の処理室１２内の各ステージにおけるサセプタ２０の処理の流れを示す。縦軸がサセプタ２０の位置を示し、横軸が時間経過を示す。
なお、以下の説明において、基板処理装置１０を構成する各部の動作はコントローラ８４により制御される。 Next, the operation of the substrate processing apparatus 10 according to the embodiment of the present invention will be described in detail.
FIG. 5 shows a processing flow of the susceptor 20 in each stage in the processing chamber 12 of the substrate processing apparatus 10. The vertical axis indicates the position of the susceptor 20, and the horizontal axis indicates the passage of time.
In the following description, the operation of each part constituting the substrate processing apparatus 10 is controlled by the controller 84.

（ステップ１）
まず、ウエハ１を内蔵した第１のサセプタ２０が、搬入側搬送室１６内に搬入される。この際、ゲート弁１４aを閉じて、搬入側搬送室１６内をウエハ１の処理に支障のないガスで置換する。第１のサセプタ２０を搬入し、ガス置換を行う時間は例えば１分である。 (Step 1)
First, the first susceptor 20 containing the wafer 1 is carried into the carry-in side transfer chamber 16. At this time, the gate valve 14 a is closed, and the inside of the loading-side transfer chamber 16 is replaced with a gas that does not interfere with the processing of the wafer 1. The time for carrying in the first susceptor 20 and performing gas replacement is, for example, 1 minute.

（ステップ２）
次に、ゲート弁１４ａを開けてロボット２２によって第１のサセプタ２０が予備加熱ステージ２４へ搬送される。そして、次に処理するウエハ１を内蔵した第２のサセプタ２０が搬入側搬送室１６内に搬入される。図示しないゲート弁を閉じて、ウエハ１の処理に支障のないガスで搬入側搬送室１６内を置換する。第２のサセプタ２０が搬入されガス置換を行う時間は、例えば１分である。第２のサセプタ２０の搬入が開始されてから例えば１０秒後に予備加熱ステージ２４に配置された第１のサセプタ２０は、予備加熱される。これにより、ウエハ昇温時間が短縮される。第２のサセプタ２０の搬入が開始されてから予備加熱を終了するまでの時間は、例えば５分である。 (Step 2)
Next, the gate valve 14 a is opened and the first susceptor 20 is transported to the preheating stage 24 by the robot 22. Then, the second susceptor 20 containing the wafer 1 to be processed next is loaded into the loading-side transfer chamber 16. The gate valve (not shown) is closed, and the inside of the loading-side transfer chamber 16 is replaced with a gas that does not interfere with the processing of the wafer 1. The time for carrying out the gas replacement when the second susceptor 20 is carried in is, for example, 1 minute. The first susceptor 20 disposed on the preheating stage 24 is preheated, for example, 10 seconds after the second susceptor 20 is carried in. This shortens the wafer heating time. The time from the start of carrying in the second susceptor 20 to the end of the preheating is, for example, 5 minutes.

（ステップ３）
次に、第１のサセプタ２０内が所定の温度に達したら、サセプタ搬送装置３４によって第１のサセプタ２０は第１の成膜ステージ２６ａへ、ゲート弁１４ａを開けてロボット２２によって第２のサセプタ２０は予備加熱ステージ２４へ搬送される。そして、次に処理するウエハ１を内蔵した第３のサセプタ２０が搬入側搬送室１６内に搬入される。図示しないゲート弁を閉じて、ウエハ１の処理に支障のないガスで搬入側搬送室１６内を置換する。第３のサセプタ２０が搬入されガス置換を行う時間は、例えば１分である。第３のサセプタ２０の搬入が開始されてから例えば１０秒後に予備加熱ステージ２４に配置された第２のサセプタ２０は、予備加熱される。同時に、第１の成膜ステージ２６ａに配置された第１のサセプタ２０は、上ランプ３３ａ及び下ランプ３３ｂにより加熱され、第１のサセプタ２０内が所定の温度に達したら第１のサセプタ２０内に処理ガスがガス供給ポート４４から供給されると共に、対向する側のガス排気ポート４６から排気されてウエハ１への成膜が行われる。ここで、処理ガスとして例えばＨ₂とＳｉＨＣｌ₃（トリクロロシラン）が用いられ、処理室１２内は例えばＡｒ又はＨ₂雰囲気とする。第３のサセプタ２０の搬入が開始されてから第２のサセプタ２０の予備加熱を終了するまで及び第１のサセプタ２０の成膜処理が終了するまでの時間は、例えば５分である。 (Step 3)
Next, when the inside of the first susceptor 20 reaches a predetermined temperature, the susceptor transfer device 34 causes the first susceptor 20 to go to the first film forming stage 26a, and the robot 22 opens the second susceptor by opening the gate valve 14a. 20 is conveyed to the preheating stage 24. Then, the third susceptor 20 containing the wafer 1 to be processed next is loaded into the loading-side transfer chamber 16. The gate valve (not shown) is closed, and the inside of the loading-side transfer chamber 16 is replaced with a gas that does not interfere with the processing of the wafer 1. The time when the third susceptor 20 is carried in and gas replacement is performed is, for example, 1 minute. The second susceptor 20 disposed on the preheating stage 24 is preheated, for example, 10 seconds after the third susceptor 20 is carried in. At the same time, the first susceptor 20 disposed on the first film formation stage 26a is heated by the upper lamp 33a and the lower lamp 33b, and when the first susceptor 20 reaches a predetermined temperature, the first susceptor 20 is heated. Then, the processing gas is supplied from the gas supply port 44 and exhausted from the gas exhaust port 46 on the opposite side, so that the film is formed on the wafer 1. Here, for example, H ₂ and SiHCl ₃ (trichlorosilane) are used as the processing gas, and the inside of the processing chamber 12 is, for example, an Ar or H ₂ atmosphere. The time from the start of loading of the third susceptor 20 to the end of preheating of the second susceptor 20 and the end of the film forming process of the first susceptor 20 is, for example, 5 minutes.

（ステップ４）
次に、サセプタ搬送装置３４によって第１のサセプタ２０は第２の成膜ステージ２６ｂへ、第２のサセプタ２０は第１の成膜ステージ２６ａへ、ゲート弁１４ａを開けてロボット２２によって第３のサセプタ２０が予備加熱ステージ２４へ搬送される。そして、次に処理するウエハ１を内蔵した第４のサセプタ２０が搬入側搬送室１６内に搬入される。図示しないゲート弁を閉じて、ウエハ１の処理に支障のないガスで搬入側搬送室１６内を置換する。第４のサセプタ２０が搬入されガス置換を行う時間は、例えば１分である。第４のサセプタ２０の搬入が開始されてから例えば１０秒後に予備加熱ステージ２４に配置された第３のサセプタ２０は、予備加熱される。同時に、第１の成膜ステージ２６ａに配置された第２のサセプタ２０は、上ランプ３３ａ及び下ランプ３３ｂにより加熱され、第２のサセプタ２０内が所定の温度に達したら第２のサセプタ２０内に処理ガスがガス供給ポート４４から供給されると共に、対向する側のガス排気ポート４６から排気されてウエハ１への成膜が行われる。また、第２の成膜ステージ２６ｂに配置された第１のサセプタ２０も同様の処理により成膜が行われる。第４のサセプタ２０の搬入が開始されてから第３のサセプタ２０の予備加熱を終了するまで及び第１と第２のサセプタ２０の成膜処理が終了するまでの時間は、例えば５分である。 (Step 4)
Next, the first susceptor 20 is moved to the second film-forming stage 26b by the susceptor transfer device 34, the second susceptor 20 is moved to the first film-forming stage 26a, the gate valve 14a is opened, and the robot 22 performs the third operation. The susceptor 20 is conveyed to the preheating stage 24. Then, the fourth susceptor 20 containing the wafer 1 to be processed next is carried into the carry-in side transfer chamber 16. The gate valve (not shown) is closed, and the inside of the loading-side transfer chamber 16 is replaced with a gas that does not interfere with the processing of the wafer 1. The time when the fourth susceptor 20 is carried in and gas replacement is performed is, for example, 1 minute. The third susceptor 20 disposed on the preheating stage 24 is preheated, for example, 10 seconds after the fourth susceptor 20 is carried in. At the same time, the second susceptor 20 disposed on the first film forming stage 26a is heated by the upper lamp 33a and the lower lamp 33b, and when the second susceptor 20 reaches a predetermined temperature, the second susceptor 20 is heated. Then, the processing gas is supplied from the gas supply port 44 and exhausted from the gas exhaust port 46 on the opposite side, so that the film is formed on the wafer 1. The first susceptor 20 disposed on the second film formation stage 26b is also formed by the same process. The time from the start of loading of the fourth susceptor 20 to the end of preheating of the third susceptor 20 and the end of the film forming process of the first and second susceptors 20 is, for example, 5 minutes. .

（ステップ５）
次に、サセプタ搬送装置３４によって第１のサセプタ２０は第３の成膜ステージ２６ｃへ、第２のサセプタ２０は第２の成膜ステージ２６ｂへ、第３のサセプタ２０は第１の成膜ステージ２６aへ、ゲート弁１４ａを開けてロボット２２によって第４のサセプタ２０が予備加熱ステージ２４へ搬送される。そして、次に処理するウエハ１を内蔵した第５のサセプタ２０が搬入側搬送室１６内に搬入される。図示しないゲート弁を閉じて、ウエハ１の処理に支障のないガスで搬入側搬送室１６内を置換する。第５のサセプタ２０が搬入されガス置換を行う時間は、例えば１分である。第５のサセプタ２０の搬入が開始されてから例えば１０秒後に予備加熱ステージ２４に配置された第４のサセプタ２０は、予備加熱される。同時に、第１の成膜ステージ２６ａに配置された第３のサセプタ２０は、上ランプ３３ａ及び下ランプ３３ｂにより加熱され、第３のサセプタ２０内が所定の温度に達したら第３のサセプタ２０内に処理ガスがガス供給ポート４４から供給されると共に、対向する側のガス排気ポート４６から排気されてウエハ１への成膜が行われる。また、第２の成膜ステージ２６ｂに配置された第２のサセプタ２０と第３の成膜ステージ２６ｃに配置された第１のサセプタ２０も同様の処理により成膜が行われる。第５のサセプタ２０の搬入が開始されてから第４のサセプタ２０の予備加熱を終了するまで及び第１、第２及び第３のサセプタ２０の成膜処理が終了するまでの時間は、例えば５分である。 (Step 5)
Next, the susceptor transfer device 34 causes the first susceptor 20 to move to the third film-forming stage 26c, the second susceptor 20 to move to the second film-forming stage 26b, and the third susceptor 20 to move to the first film-forming stage 26c. 26a, the gate valve 14a is opened and the fourth susceptor 20 is transferred to the preheating stage 24 by the robot 22. Then, the fifth susceptor 20 containing the wafer 1 to be processed next is loaded into the loading-side transfer chamber 16. The gate valve (not shown) is closed, and the inside of the loading-side transfer chamber 16 is replaced with a gas that does not interfere with the processing of the wafer 1. The time for carrying out the gas replacement when the fifth susceptor 20 is carried in is, for example, 1 minute. The fourth susceptor 20 disposed on the preheating stage 24 is preheated, for example, 10 seconds after the delivery of the fifth susceptor 20 is started. At the same time, the third susceptor 20 disposed on the first film forming stage 26a is heated by the upper lamp 33a and the lower lamp 33b, and when the inside of the third susceptor 20 reaches a predetermined temperature, the inside of the third susceptor 20 Then, the processing gas is supplied from the gas supply port 44 and exhausted from the gas exhaust port 46 on the opposite side, so that the film is formed on the wafer 1. In addition, the second susceptor 20 disposed on the second film formation stage 26b and the first susceptor 20 disposed on the third film formation stage 26c are also formed by the same process. The time from the start of the loading of the fifth susceptor 20 to the end of the preheating of the fourth susceptor 20 and the end of the film forming process of the first, second and third susceptors 20 is, for example, 5 Minutes.

（ステップ６）
次に、サセプタ搬送装置３４によって第１のサセプタ２０は冷却ステージ２８へ、第２のサセプタ２０は第３の成膜ステージ２６ｃへ、第３のサセプタ２０は第２の成膜ステージ２６ｂへ、第４のサセプタ２０は第１の成膜ステージ２６aへ、ゲート弁１４aを開けてロボット２２によって第５のサセプタ２０が予備加熱ステージ２４へ搬送される。そして、次に処理するウエハ１を内蔵した第６のサセプタ２０が搬入側搬送室１６内に搬入される。図示しないゲート弁を閉じて、ウエハ１の処理に支障のないガスで搬入側搬送室１６内を置換する。第６のサセプタ２０が搬入されガス置換を行う時間は、例えば１分である。第６のサセプタ２０の搬入が開始されてから例えば１０秒後に予備加熱ステージ２４に配置された第５のサセプタ２０は、予備加熱される。同時に、第１の成膜ステージ２６ａに配置された第４のサセプタ２０は、上ランプ３３ａ及び下ランプ３３ｂにより加熱され、第４のサセプタ２０内が所定の温度に達したら第４のサセプタ２０内に処理ガスが搬入されると共に、対向する側の排気ポート４６から排気されてウエハ１への成膜が行われる。また、第２の成膜ステージ２６ｂに配置された第３のサセプタ２０と第３の成膜ステージ２６ｃに配置された第２のサセプタ２０も同様の処理により成膜が行われる。また、冷却ステージ２８に配置された第１のサセプタ２０は冷却される。これにより、ウエハ冷却時間が短縮される。第６のサセプタ２０の搬入が開始されてから第５のサセプタ２０の予備加熱を終了するまで及び第２、第３及び第４のサセプタ２０の成膜処理が終了するまで及び第１のサセプタの冷却が終了するまでの時間は、例えば５分である。 (Step 6)
Next, the first susceptor 20 is moved to the cooling stage 28, the second susceptor 20 is moved to the third film forming stage 26c, the third susceptor 20 is moved to the second film forming stage 26b, and the second susceptor 20 is moved to the second film forming stage 26b. The fourth susceptor 20 opens the gate valve 14a to the first film formation stage 26a, and the fifth susceptor 20 is transferred to the preheating stage 24 by the robot 22. Then, the sixth susceptor 20 containing the wafer 1 to be processed next is loaded into the loading-side transfer chamber 16. The gate valve (not shown) is closed, and the inside of the loading-side transfer chamber 16 is replaced with a gas that does not interfere with the processing of the wafer 1. The time for carrying out the gas replacement when the sixth susceptor 20 is carried in is, for example, 1 minute. The fifth susceptor 20 disposed on the preheating stage 24 is preheated, for example, 10 seconds after the sixth susceptor 20 is carried in. At the same time, the fourth susceptor 20 disposed on the first film formation stage 26a is heated by the upper lamp 33a and the lower lamp 33b, and when the inside of the fourth susceptor 20 reaches a predetermined temperature, the inside of the fourth susceptor 20 Then, the processing gas is carried in, and is exhausted from the exhaust port 46 on the opposite side, so that the film is formed on the wafer 1. The third susceptor 20 disposed on the second film formation stage 26b and the second susceptor 20 disposed on the third film formation stage 26c are also formed by the same process. Further, the first susceptor 20 arranged on the cooling stage 28 is cooled. This shortens the wafer cooling time. From the start of the carry-in of the sixth susceptor 20 until the preheating of the fifth susceptor 20 is completed, until the film formation process of the second, third, and fourth susceptors 20 is completed and the first susceptor 20 The time until the cooling is completed is, for example, 5 minutes.

（ステップ７）
次に、ゲート弁１４ｂを開けてロボット２２によって第１のサセプタ２０が、搬出側搬送室１８へ搬出される。そして、サセプタ搬送装置３４によって第２のサセプタ２０は冷却ステージ２８へ、第３のサセプタ２０は第３の成膜ステージ２６ｃへ、第４のサセプタ２０は第２の成膜ステージ２６ｂへ、第５のサセプタ２０は第１の成膜ステージ２６aへ、ゲート弁１４ａを開けてロボット２２によって第６のサセプタ２０が予備加熱ステージ２４へ搬送される。そして、次に処理するウエハ１を内蔵した第７のサセプタ２０が搬入側搬送室１６内に搬入される。図示しないゲート弁を閉じて、ウエハ１の処理に支障のないガスで搬入側搬送室１６内及び搬出側搬送室１８内を置換する。第７のサセプタ２０が搬入されガス置換を行う時間は、例えば１分である。第７のサセプタ２０の搬入が開始されてから例えば１０秒後に予備加熱ステージ２４に配置された第６のサセプタ２０は、予備加熱される。同時に、第１の成膜ステージ２６ａに配置された第５のサセプタ２０は、上ランプ３３ａ及び下ランプ３３ｂにより加熱され、第５のサセプタ２０内が所定の温度に達したら第５のサセプタ２０内に処理ガスがガス供給ポート４４から供給されると共に、対向する側のガス排気ポート４６から排気されてウエハ１への成膜が行われる。また、第２の成膜ステージ２６ｂに配置された第４のサセプタ２０と第３の成膜ステージ２６ｃに配置された第３のサセプタ２０も同様の処理により成膜が行われる。また、冷却ステージ２８に配置された第２のサセプタ２０は冷却される。第７のサセプタ２０の搬入が開始されてから第６のサセプタ２０の予備加熱を終了するまで及び第３、第４及び第５のサセプタ２０の成膜処理が終了するまで及び第２のサセプタの冷却が終了するまでの時間は、例えば５分である。 (Step 7)
Next, the gate valve 14 b is opened and the first susceptor 20 is carried out to the carry-out side transfer chamber 18 by the robot 22. Then, the second susceptor 20 is moved to the cooling stage 28, the third susceptor 20 is moved to the third film-forming stage 26c, the fourth susceptor 20 is moved to the second film-forming stage 26b, and the fifth susceptor is transferred to the fifth film-forming stage 26b. The susceptor 20 is opened to the first film forming stage 26 a, the gate valve 14 a is opened, and the sixth susceptor 20 is transferred to the preheating stage 24 by the robot 22. Then, the seventh susceptor 20 containing the wafer 1 to be processed next is loaded into the loading-side transfer chamber 16. The gate valve (not shown) is closed and the inside of the carry-in side transfer chamber 16 and the inside of the carry-out side transfer chamber 18 are replaced with a gas that does not interfere with the processing of the wafer 1. The time when the seventh susceptor 20 is carried in and gas replacement is performed is, for example, 1 minute. The sixth susceptor 20 disposed on the preheating stage 24 is preheated, for example, 10 seconds after the introduction of the seventh susceptor 20 is started. At the same time, the fifth susceptor 20 disposed on the first film formation stage 26a is heated by the upper lamp 33a and the lower lamp 33b, and when the inside of the fifth susceptor 20 reaches a predetermined temperature, the inside of the fifth susceptor 20 Then, the processing gas is supplied from the gas supply port 44 and exhausted from the gas exhaust port 46 on the opposite side, so that the film is formed on the wafer 1. In addition, the fourth susceptor 20 arranged on the second film-forming stage 26b and the third susceptor 20 arranged on the third film-forming stage 26c are also formed by the same process. In addition, the second susceptor 20 disposed on the cooling stage 28 is cooled. From the start of loading of the seventh susceptor 20 until the preheating of the sixth susceptor 20 is completed, until the film forming process of the third, fourth, and fifth susceptors 20 is completed, and the second susceptor 20 The time until the cooling is completed is, for example, 5 minutes.

これらの動作を繰り返して処理室１２内でサセプタ２０が順次搬送されて処理が行われる。 By repeating these operations, the susceptor 20 is sequentially conveyed in the processing chamber 12 to perform processing.

このように、搬入側搬送室１６からサセプタ２０は、一定間隔で処理室１２内に搬入され、予備加熱ステージ２４、第１の成膜ステージ２６ａ、第２の成膜ステージ２６ｂ、第３の成膜ステージ２６ｃを順次移動する。処理室１２内の４つのサセプタ２０はサセプタ搬送装置３４によって同時に搬送され、場所が空いた予備加熱ステージ２４には新たなサセプタ２０が搬入される。また、各成膜ステージで成膜を並行して行い、最後に冷却ステージ２８を経て搬出側搬送室１８へ搬出される。ここで、各成膜ステージで行われる処理は同一であり、例えばシリコンのエピ膜生成に用いられる。各ステージの処理ガスが同じため、サセプタそのものを気密にしなくてもよく、すなわち、サセプタから漏れたガスが他のサセプタに入っても問題はない。また、各成膜ステージにおいて、１ステージ目は例えば右から左へガスを供給し、２ステージ目は左から右へガスを供給するといったように、ステージ毎にガス供給口を逆にして供給する。これにより、膜厚の平均化が図れる。また、予備加熱ステージ２４からステージが進むごとに温度を上げ、冷却ステージ２８に近づくにつれて温度が下がるように雰囲気温度を制御する。これにより、所定の温度で処理しつつ、予備加熱ステージ２４、冷却ステージ２８での処理時間の節約を図ることができる。
これらの動作を繰り返して装置内にサセプタ２０を順次搬送させて連続して処理を行う。 As described above, the susceptor 20 is carried into the processing chamber 12 from the carry-in side transfer chamber 16 at regular intervals, and the preheating stage 24, the first film-forming stage 26a, the second film-forming stage 26b, and the third film-forming stage. The film stage 26c is moved sequentially. The four susceptors 20 in the processing chamber 12 are simultaneously transported by the susceptor transport device 34, and a new susceptor 20 is transported to the preheating stage 24 which is free. Further, film formation is performed in parallel at each film formation stage, and finally, the film is carried out to the carry-out side transfer chamber 18 through the cooling stage 28. Here, the processing performed in each film-forming stage is the same, and is used, for example, for generating an epitaxial film of silicon. Since the processing gas at each stage is the same, the susceptor itself does not have to be airtight, that is, there is no problem even if gas leaked from the susceptor enters another susceptor. Further, in each film forming stage, the gas is supplied with the gas supply port reversed for each stage, for example, the first stage supplies gas from right to left and the second stage supplies gas from left to right. . Thereby, the film thickness can be averaged. Further, the ambient temperature is controlled so that the temperature is raised each time the stage advances from the preheating stage 24 and the temperature is lowered as the stage approaches the cooling stage 28. Thereby, it is possible to save processing time in the preheating stage 24 and the cooling stage 28 while processing at a predetermined temperature.
By repeating these operations, the susceptor 20 is sequentially transported into the apparatus to continuously perform processing.

図６は、複数のサセプタ２０がサセプタ搬送装置３４によってそれぞれ次のステージに一括して搬送される様子を示す。
図６（ａ）は、例えば上述のステップ５の状態であり、第１のサセプタ２０が第３の成膜ステージ２６ｃに、第２のサセプタ２０が第２の成膜ステージ２６ｂに、第３のサセプタ２０が第１の成膜ステージ２６ａのガス供給排気部３８上に載置され、第４のサセプタ２０が予備加熱ステージ２４に配置されている。
搬送が開始されると、図６（ｂ）に示すように、サセプタ搬送装置３４が上昇され、第１のサセプタ２０、第２のサセプタ２０、第３のサセプタ２０及び第４のサセプタ２０のそれぞれの支持片４８を同時に突き上げて上昇させる。
この状態で、図６（ｃ）に示すように、搬送方向に１ステージ分移動し、図６（ｄ）に示すようにサセプタ搬送装置３４が下降して、上述のステップ６の状態となり、第１のサセプタ２０が冷却ステージ２８に配置され、第２のサセプタ２０が第３の成膜ステージ２６ｃ、第３のサセプタ２０が第２の成膜ステージ２６ｂ、第４のサセプタ２０が第１の成膜ステージ２６ａのガス供給排気部３８上に載置される。
ガス供給排気部３８には、例えば不図示のくさび形の凹部を設け、サセプタ２０の下面には、くさび形の凹部に対応する部分に凸部を設け、ガス供給排気部３８の凹部とサセプタ２０の凸部が噛み合うことで、ガス供給排気部３８のガス供給口４０とサセプタ２０のガス供給ポート４４と、ガス供給排気部３８のガス排気口４２とサセプタ２０のガス排気ポート４６がそれぞれ連通し、位置決めされる。
そして、図６（ｅ）に示すように、サセプタ搬送装置３４は搬送方向と逆方向に移動して元の状態に戻る。
そして、図６（ｆ）に示すように、冷却ステージ２８に載置された第１のサセプタ２０は搬出側搬送室１８に搬出され、予備加熱ステージ２４には新たな第５のサセプタ２０が搬入される。 FIG. 6 shows a state in which a plurality of susceptors 20 are collectively transported to the next stage by the susceptor transport device 34.
FIG. 6A shows, for example, the state of step 5 described above, in which the first susceptor 20 is placed on the third deposition stage 26c, the second susceptor 20 is placed on the second deposition stage 26b, and the third The susceptor 20 is placed on the gas supply / exhaust section 38 of the first film formation stage 26 a, and the fourth susceptor 20 is placed on the preheating stage 24.
When the conveyance is started, as shown in FIG. 6B, the susceptor conveyance device 34 is raised, and each of the first susceptor 20, the second susceptor 20, the third susceptor 20, and the fourth susceptor 20 is raised. The support pieces 48 are simultaneously pushed up and raised.
In this state, as shown in FIG. 6C, the stage is moved by one stage in the transfer direction, and the susceptor transfer device 34 is lowered as shown in FIG. The first susceptor 20 is disposed on the cooling stage 28, the second susceptor 20 is the third film-forming stage 26c, the third susceptor 20 is the second film-forming stage 26b, and the fourth susceptor 20 is the first film-forming stage 26c. It is placed on the gas supply / exhaust section 38 of the film stage 26a.
The gas supply / exhaust section 38 is provided with, for example, a wedge-shaped recess (not shown), and the lower surface of the susceptor 20 is provided with a protrusion corresponding to the wedge-shaped recess, and the recess of the gas supply / exhaust section 38 and the susceptor 20 are provided. The gas supply port 40 of the gas supply exhaust unit 38 and the gas supply port 44 of the susceptor 20 communicate with each other, and the gas exhaust port 42 of the gas supply exhaust unit 38 and the gas exhaust port 46 of the susceptor 20 communicate with each other. Is positioned.
Then, as shown in FIG. 6E, the susceptor transfer device 34 moves in the direction opposite to the transfer direction and returns to the original state.
Then, as shown in FIG. 6 (f), the first susceptor 20 placed on the cooling stage 28 is carried out to the carry-out side transfer chamber 18, and a new fifth susceptor 20 is carried into the preheating stage 24. Is done.

図７は、本発明の第２の本実施形態として上述の基板処理装置１０に用いた移動手段であるサセプタ搬送装置３４のかわりに、サセプタ搬送装置５３を用いた例を示す。
サセプタ搬送装置５３は、複数の回転体と、この複数の回転体に掛けられたベルトから構成される。サセプタ搬送装置５３は、複数の回転体の回転によって、この回転体に掛けられたベルトを移動させることでサセプタ２０を左右に搬送する。また、サセプタ搬送装置５３は上下方向にも移動する。
図７（ａ）は、上述の図６（ａ）同様、第１のサセプタ２０が第３の成膜ステージ２６ｃに、第２のサセプタ２０が第２の成膜ステージ２６ｂに、第３のサセプタ２０が第１の成膜ステージ２６ａのガス供給排気部３８上に載置され、第４のサセプタ２０が予備加熱ステージ２４に配置されている。
搬送が開始されると、図７（ｂ）に示すように、サセプタ搬送装置５３が上昇され、第１のサセプタ２０、第２のサセプタ２０、第３のサセプタ２０及び第４のサセプタ２０のそれぞれの支持片４８を同時に突き上げて上昇させる。
この状態で、図７（ｃ）に示すように、回転体が反時計方向に回転して搬送方向に１ステージ分サセプタ２０を移動させる。
そして、図７（ｄ）に示すように、サセプタ搬送装置５３が下降して、第１のサセプタ２０が冷却ステージ２８に配置され、第２のサセプタが第３の成膜ステージ２６ｃに、第３のサセプタ２０が第２の成膜ステージ２６ｂに、第４のサセプタ２０が第１の成膜ステージ２６ａのガス供給排気部３８上に載置される。
これを繰り返すことにより、複数のサセプタ２０を一括して順次次のステージに搬送することができる。 FIG. 7 shows an example in which a susceptor transfer device 53 is used instead of the susceptor transfer device 34 which is a moving means used in the above-described substrate processing apparatus 10 as the second embodiment of the present invention.
The susceptor transport device 53 includes a plurality of rotating bodies and a belt hung on the plurality of rotating bodies. The susceptor transporting device 53 transports the susceptor 20 to the left and right by moving a belt hung on the rotating body by the rotation of the plurality of rotating bodies. Further, the susceptor transfer device 53 also moves in the vertical direction.
In FIG. 7A, the first susceptor 20 is placed on the third film-forming stage 26c, the second susceptor 20 is placed on the second film-forming stage 26b, and the third susceptor, as in FIG. 20 is placed on the gas supply / exhaust section 38 of the first film forming stage 26 a, and the fourth susceptor 20 is arranged on the preheating stage 24.
When the conveyance is started, as shown in FIG. 7B, the susceptor conveyance device 53 is raised, and each of the first susceptor 20, the second susceptor 20, the third susceptor 20, and the fourth susceptor 20 is raised. The support pieces 48 are simultaneously pushed up and raised.
In this state, as shown in FIG. 7C, the rotating body rotates counterclockwise to move the susceptor 20 by one stage in the transport direction.
Then, as shown in FIG. 7D, the susceptor transfer device 53 is lowered, the first susceptor 20 is disposed on the cooling stage 28, the second susceptor is moved to the third film forming stage 26c, and the third susceptor 20 is moved to the third film forming stage 26c. The susceptor 20 is placed on the second film forming stage 26b, and the fourth susceptor 20 is placed on the gas supply / exhaust section 38 of the first film forming stage 26a.
By repeating this, a plurality of susceptors 20 can be collectively transported to the next stage.

次に、本発明の第３の実施形態として上述の基板処理装置１０に用いた加熱手段である上ランプ３３ａと下ランプ３３ｂのかわりに、上コイル５４ａと下コイル５４ｂを用いた例を示す。
図８は、本発明の第３の実施形態で用いられる基板処理装置１０の全体構成図の縦断面図である。
図９は、図８で示された基板処理装置１０のＡ−Ａ線断面図であり、図１０は、内部構造が見えるようにして示した斜視図である。
また、図１１は、サセプタ２０周辺の（ａ）は縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ線断面図、（ｄ）はＣ−Ｃ線断面図である。 Next, an example in which the upper coil 54a and the lower coil 54b are used in place of the upper lamp 33a and the lower lamp 33b, which are heating means used in the substrate processing apparatus 10 described above, will be described as a third embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a longitudinal sectional view of the overall configuration diagram of the substrate processing apparatus 10 used in the third embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view taken along line AA of the substrate processing apparatus 10 shown in FIG. 8, and FIG. 10 is a perspective view showing the internal structure to be seen.
11A is a longitudinal sectional view around the susceptor 20, FIG. 11B is a sectional view taken along the line AA of FIG. 11A, FIG. 11C is a sectional view taken along the line BB, and FIG. It is CC sectional view taken on the line.

すなわち、予備加熱ステージ２４、第１の成膜ステージ２６ａ、第２の成膜ステージ２６ｂ、第３の成膜ステージ２６ｃには、各ステージに配置されたサセプタ２０を上方向から加熱する上コイル５４ａと、下方向から加熱する下コイル５４ｂが配置され、予備加熱ステージ２４、第１の成膜ステージ２６ａ、第２の成膜ステージ２６ｂ、第３の成膜ステージ２６ｃ上のサセプタ２０が加熱されるようになっている。
上コイル５４ａと下コイル５４ｂは、サセプタ２０内部のカーボン等の導電性材料で構成された発熱体５２を誘電加熱する。本実施形態によれば、発熱体５２を直接加熱することができるので、発熱体５２の周囲に断熱材を設けることで加熱効率を向上させることができる。 That is, in the preheating stage 24, the first film forming stage 26a, the second film forming stage 26b, and the third film forming stage 26c, an upper coil 54a that heats the susceptor 20 disposed on each stage from above. The lower coil 54b that heats from below is disposed, and the susceptor 20 on the preheating stage 24, the first film forming stage 26a, the second film forming stage 26b, and the third film forming stage 26c is heated. It is like that.
The upper coil 54 a and the lower coil 54 b dielectrically heat the heating element 52 made of a conductive material such as carbon inside the susceptor 20. According to the present embodiment, since the heating element 52 can be directly heated, heating efficiency can be improved by providing a heat insulating material around the heating element 52.

図１１（ｂ）に示すように、発熱体５２の周辺のサセプタベース５８を例えば石英で構成し、且つ発熱体５２の周辺部は断熱性を高めた例えば不透明石英６０で構成する。このような構成とすることで、ウエハ１が載置される空間はホットウォール構造となり、ウエハ１を均一に加熱することができる。 As shown in FIG. 11B, the susceptor base 58 around the heating element 52 is made of, for example, quartz, and the periphery of the heating element 52 is made of, for example, opaque quartz 60 with improved heat insulation. With such a configuration, the space in which the wafer 1 is placed has a hot wall structure, and the wafer 1 can be heated uniformly.

図１２は、本発明の第４の実施形態に係るサセプタ２０周辺の断面図である。第４の実施形態では、サセプタ２０内に発熱体５２を設けずに、ウエハ１を直接誘電体製のサセプタに設置する。これにより、発熱部の熱容量が小さくなった分、ウエハ１の昇降温時間を短縮することができる。 FIG. 12 is a sectional view around the susceptor 20 according to the fourth embodiment of the present invention. In the fourth embodiment, the heating element 52 is not provided in the susceptor 20 and the wafer 1 is directly installed on a dielectric susceptor. Thereby, the temperature raising / lowering time of the wafer 1 can be shortened by the amount that the heat capacity of the heat generating portion is reduced.

図１３は、本発明の第５の実施形態に係るサセプタ２０の斜視図であり、図１４は、処理室１２内を示す断面図である。第５の実施形態では、ガス排気ポート４６とガス供給ポート４４をそれぞれ両端に設けたサセプタベース５８上にウエハ１を例えば４枚並べて載置された加熱板６２を載せ、その上にさらにサセプタベース５８に設けられたガス排気ポート４６とガス供給ポート４４を覆うように石英製のシャワーヘッド６４を載せる。シャワーヘッド６４の下面には、ガス吹き出し孔６６が複数設けられている。これにより、ガス供給ポート４４から供給された処理ガスはシャワーヘッド６４を経由してガス吹き出し孔６６からウエハ１上へ吹き出し、ガス排気ポート４６から排気される。また、シャワーヘッド６４の上には反射板６８を設ける。すなわち、ウエハ１の加熱は、図１４に示すように下ランプ３３ｂのみで効率よくできる。また、反射板６８の上方には、反射板６８及びシャワーヘッド６４を冷却するための冷却板７０を設ける。 FIG. 13 is a perspective view of a susceptor 20 according to the fifth embodiment of the present invention, and FIG. 14 is a cross-sectional view showing the inside of the processing chamber 12. In the fifth embodiment, a heating plate 62 on which, for example, four wafers 1 are placed side by side is placed on a susceptor base 58 provided with gas exhaust ports 46 and gas supply ports 44 at both ends, and further on the susceptor base. A quartz shower head 64 is placed so as to cover the gas exhaust port 46 and the gas supply port 44 provided in 58. A plurality of gas blowing holes 66 are provided on the lower surface of the shower head 64. As a result, the processing gas supplied from the gas supply port 44 is blown out from the gas blowing hole 66 onto the wafer 1 via the shower head 64 and is exhausted from the gas exhaust port 46. A reflective plate 68 is provided on the shower head 64. That is, the heating of the wafer 1 can be efficiently performed only by the lower lamp 33b as shown in FIG. A cooling plate 70 for cooling the reflection plate 68 and the shower head 64 is provided above the reflection plate 68.

図１５は、本発明の第６の実施形態に係る基板処理装置１０の処理室１２内を示す断面図である。
第６の実施形態においては、上述の第５の実施形態の反射板６８を設けるかわりに冷却板７０の底面を反射率を高めるように構成する。 FIG. 15 is a cross-sectional view showing the inside of the processing chamber 12 of the substrate processing apparatus 10 according to the sixth embodiment of the present invention.
In the sixth embodiment, the bottom surface of the cooling plate 70 is configured to increase the reflectance instead of providing the reflection plate 68 of the fifth embodiment described above.

図１３乃至１５に示すように、シャワーヘッド６４を用いて処理ガスを供給することで、ウエハ１に対する成膜の均一性を高めることができる。 As shown in FIGS. 13 to 15, the uniformity of film formation on the wafer 1 can be improved by supplying the processing gas using the shower head 64.

図１６は、本実施形態における基板処理装置１０と従来の基板処理装置１００（枚葉装置）を用いて４枚のウエハを処理した場合の処理時間を比較した図であり、（ａ）は本実施形態に係る基板処理装置１０の動作、（ｂ）は従来の基板処理装置１００の動作の一例を示している。ここで、縦軸は各ウエハに対する基板処理装置の動作を示し、横軸は時間経過を示す。
本発明の実施形態に係る基板処理装置１０を用いて、基板処理を行った場合には、従来例に係る基板処理装置１００を用いて基板処理を行った場合と比較しておよそ３分の１の処理時間で行えることが確認された。すなわち、従来例に係る基板処理装置１００の場合は、成膜処理の前後に処理室の温度の昇降作業をその都度行う必要があったが、それに対して、本実施形態に係る基板処理装置１０では、それぞれのステージを一度に加熱してしまうため、処理室の温度の昇降作業を制御する必要がなく、サセプタが連続して処理室に投入処理され、連続して出力されるので待ち時間を極力少なくすることができた。 FIG. 16 is a diagram comparing processing times when four wafers are processed using the substrate processing apparatus 10 in the present embodiment and the conventional substrate processing apparatus 100 (single wafer apparatus), and FIG. Operation of the substrate processing apparatus 10 according to the embodiment, (b) shows an example of the operation of the conventional substrate processing apparatus 100. Here, the vertical axis represents the operation of the substrate processing apparatus for each wafer, and the horizontal axis represents the passage of time.
When the substrate processing is performed using the substrate processing apparatus 10 according to the embodiment of the present invention, about one third of the case where the substrate processing is performed using the substrate processing apparatus 100 according to the conventional example. It was confirmed that it can be done in the processing time. That is, in the case of the substrate processing apparatus 100 according to the conventional example, it is necessary to perform the temperature raising / lowering operation of the processing chamber before and after the film forming process, but in contrast thereto, the substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment. Then, since each stage is heated at a time, there is no need to control the temperature raising / lowering operation of the processing chamber, and the susceptor is continuously charged into the processing chamber and continuously output. We could reduce it as much as possible.

したがって、ガスを出し入れできる密閉構造のサセプタに複数のウエハを載置して、密閉構造のサセプタ毎に加熱しながら複数のサセプタを一括搬送することで、構造がシンプルなものになる。また、成膜の待ち時間を減らし、スループットを高めて、生産効率を向上させることができる。また、被処理基板であるウエハを極力隙間無く載置することで、処理ガスが他へ迂回することなくウエハで囲まれた空間の中を通過し、サセプタ内に供給された処理ガスの大部分が成膜に寄与することとなり、処理ガスの使用効率を高めることができ、フットプリントにも優れている。 Therefore, the structure is simplified by placing a plurality of wafers on a susceptor having a sealed structure in which gas can be taken in and out, and transferring the plurality of susceptors at a time while heating each susceptor having the sealed structure. In addition, the film formation waiting time can be reduced, the throughput can be increased, and the production efficiency can be improved. Also, by placing the wafer, which is the substrate to be processed, without gaps as much as possible, the processing gas passes through the space surrounded by the wafer without detouring to the other, and most of the processing gas supplied into the susceptor Contributes to film formation, can improve the use efficiency of the processing gas, and has an excellent footprint.

好ましくは、前記処理室の少なくとも一方に設けられ、前記処理室へ被処理基板を搬送する搬送室と、この搬送室と前記処理室との間に設けられたゲート弁と、をさらに有する。 Preferably, the apparatus further includes a transfer chamber that is provided in at least one of the process chambers and transfers a substrate to be processed to the process chamber, and a gate valve provided between the transfer chamber and the process chamber.

また、好ましくは、前記サセプタは、複数枚の被処理基板を該サセプタの内側の上下面、または上下面と側面に支持する。 Preferably, the susceptor supports a plurality of substrates to be processed on the inner upper and lower surfaces or on the upper and lower surfaces and side surfaces of the susceptor.

また、好ましくは、前記サセプタの一端の下面に、前記サセプタ内へ反応性ガスを供給する第１の開口部と、他端の下面に、前記サセプタ内の残留ガスを排気する第２の開口部とを有する。 Preferably, a first opening for supplying reactive gas into the susceptor is provided on the lower surface of one end of the susceptor, and a second opening for exhausting residual gas in the susceptor on the lower surface of the other end. And have.

また、好ましくは、前記ガス供給手段は、前記第１の開口部に連通するガス供給口と、前記第２の開口部に連通するガス排気口を有する。 Preferably, the gas supply means has a gas supply port communicating with the first opening and a gas exhaust port communicating with the second opening.

また、好ましくは、前記サセプタは、一対の前記ガス供給手段に載置される。 Preferably, the susceptor is placed on a pair of the gas supply means.

また、好ましくは、前記移動手段は、一対のバーであり、複数のサセプタを一括搬送する為に、該移動手段が上昇して前記複数のサセプタを受け取り、一方向に一定距離ずつ移動し、停止後下降して前記複数のサセプタを同時に降ろし、前記移動手段はさらに下降した後、元に位置に戻る。 Preferably, the moving means is a pair of bars, and the moving means ascends to receive the plurality of susceptors in order to collectively transport a plurality of susceptors, moves in a direction by a certain distance, and stops. The plurality of susceptors are lowered at the same time, and the moving means is further lowered and then returned to the original position.

また、好ましくは、前記移動手段は、ベルト機構であり、複数のサセプタを一括搬送する為に、該移動手段が上昇して前記複数のサセプタを受け取り、ベルトの移動により一方向に一定距離ずつ移動し、停止後下降して前記複数のサセプタを同時に降ろし、前記移動手段はさらに下降した後、元に位置に戻る。 Preferably, the moving means is a belt mechanism, and the moving means ascends to receive the plurality of susceptors to move the plurality of susceptors at a time, and moves by a constant distance in one direction by movement of the belt. After the stop, the plurality of susceptors are lowered at the same time, and the moving means is further lowered and then returned to the original position.

また、好ましくは、前記加熱手段は、ランプであり、被処理基板を内蔵した複数のサセプタの外側からこのランプの光を照射して前記複数のサセプタを加熱し、該複数のサセプタに内蔵された被処理基板を一様に加熱する。 Preferably, the heating means is a lamp, and the plurality of susceptors are heated by irradiating light of the lamp from the outside of the plurality of susceptors containing the substrate to be processed, and are incorporated in the plurality of susceptors. The substrate to be processed is heated uniformly.

また、好ましくは、前記加熱手段は、誘電加熱用のコイルであり、前記サセプタは導電性材料で形成され、被処理基板を内蔵した複数のサセプタの外側から前記コイルに交流電力を印加して前記複数のサセプタを加熱し、該複数のサセプタに内蔵された被処理基板を一様に加熱する。 Preferably, the heating means is a coil for dielectric heating, the susceptor is formed of a conductive material, and AC power is applied to the coil from the outside of a plurality of susceptors containing a substrate to be processed. The plurality of susceptors are heated, and the substrate to be processed incorporated in the plurality of susceptors is uniformly heated.

また、好ましくは、前記サセプタは石英等の透明の誘電体材料で形成され、被処理基板を内蔵した前記サセプタの外側からランプの光を照射して、基板を加熱する。 Preferably, the susceptor is made of a transparent dielectric material such as quartz, and the substrate is heated by irradiating light from a lamp from the outside of the susceptor containing the substrate to be processed.

また、好ましくは、前記サセプタは石英等の誘電体で形成され、前記サセプタと該サセプタに内蔵された被処理基板との間に導電性の板を設け、前記サセプタの外側に設けた誘導加熱コイルに交流電力を印加して、前記導電性の板を加熱すると共に、該導電性の板の周囲の材質を不透明石英等の光を遮断する部材として、保温性を高める。 Preferably, the susceptor is made of a dielectric material such as quartz, a conductive plate is provided between the susceptor and a substrate to be processed built in the susceptor, and an induction heating coil provided outside the susceptor. AC power is applied to the conductive plate to heat the conductive plate, and the material around the conductive plate is used as a member for blocking light such as opaque quartz to enhance heat retention.

また、好ましくは、前記第１の開口部と前記第２の開口部が形成されたサセプタベースを有し、このサセプタベースの上に被処理基板を載置した加熱板を設け、さらにその上に前記第１の開口部と前記第２の開口部を覆うように石英等の誘電体製のシャワーヘッドを設け、前記第１の開口部から供給された反応性ガスが前記シャワーヘッドを経由して、該シャワーヘッドに設けられた複数の孔を通過して被処理基板に供給され、反応性生物と共に前記第２の開口部から排気される。 Preferably, the apparatus has a susceptor base in which the first opening and the second opening are formed, and a heating plate on which a substrate to be processed is placed is provided on the susceptor base. A shower head made of a dielectric material such as quartz is provided so as to cover the first opening and the second opening, and the reactive gas supplied from the first opening passes through the shower head. Then, it passes through a plurality of holes provided in the shower head, is supplied to the substrate to be processed, and is exhausted from the second opening together with the reactive organism.

本発明の他の態様によれば、処理室と、被処理基板を内蔵する複数のサセプタと、前記処理室内にあって、前記複数のサセプタを並べて一方向に一定距離ずつ移動させる移動手段と、この移動手段により移動されるサセプタを加熱する加熱手段と、前記サセプタ内部へ反応性ガスを供給するガス供給手段と、を有し、前記移動手段は、一対のバーであり、複数のサセプタを一括搬送する為に、該移動手段が上昇して前記複数のサセプタを受け取り、一方向に一定距離ずつ移動し、停止後下降して前記複数のサセプタを同時に降ろし、前記移動手段はさらに下降した後、元に位置に戻り、これらを繰返して前記サセプタを搬送する基板処理方法。 According to another aspect of the present invention, a processing chamber, a plurality of susceptors containing a substrate to be processed, and a moving unit that is in the processing chamber and moves the plurality of susceptors side by side by a fixed distance; A heating means for heating the susceptor moved by the moving means; and a gas supply means for supplying a reactive gas into the susceptor. The moving means is a pair of bars, and a plurality of susceptors are collectively In order to convey, the moving means ascends to receive the plurality of susceptors, move by a fixed distance in one direction, descend after stopping and simultaneously lower the plurality of susceptors, and the moving means further descends, A substrate processing method for returning to the original position and transporting the susceptor by repeating these steps.

好ましくは、前記ガス供給手段には、前記サセプタ内へ反応性ガスを供給するためのガス供給口と、前記サセプタ内の残留ガスを排気するためのガス排気口が設けられ、ガスの供給と排気を一定時間ごとに交代しながら成膜する。 Preferably, the gas supply means is provided with a gas supply port for supplying a reactive gas into the susceptor and a gas exhaust port for exhausting a residual gas in the susceptor. The film is formed while changing at regular intervals.

１ウエハ
１０基板処理装置
１２処理室
１４ａ、１４ｂゲート弁
１６搬入側搬送室
１８搬出側搬送室
２０サセプタ
２４予備加熱ステージ
２６ａ、２６ｂ、２６ｃ成膜ステージ
２８冷却ステージ
３０ガス供給管
３２ガス排気管
３３ａ上ランプ（第１の加熱手段）
３３ｂ下ランプ（第２の加熱手段）
３４サセプタ搬送装置（移動手段）
３８ガス供給排気部（ガス供給手段）
４４ガス供給ポート（第１の開口部）
４６ガス排気ポート（第２の開口部）
４８支持片
８４コントローラ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 10 Substrate processing apparatus 12 Processing chamber 14a, 14b Gate valve 16 Loading side transfer chamber 18 Unloading side transfer chamber 20 Susceptor 24 Preheating stage 26a, 26b, 26c Film-forming stage 28 Cooling stage 30 Gas supply pipe 32 Gas exhaust pipe 33a Upper lamp (first heating means)
33b Lower lamp (second heating means)
34 Susceptor transfer device (moving means)
38 Gas supply exhaust section (gas supply means)
44 Gas supply port (first opening)
46 Gas exhaust port (second opening)
48 Support piece 84 Controller

Claims

A processing chamber;
A plurality of susceptors for containing a substrate to be processed;
A moving means in the processing chamber for moving the plurality of susceptors side by side by a fixed distance;
Heating means for heating the susceptor moved by the moving means;
Gas supply means for supplying a reactive gas into the susceptor;
A substrate processing apparatus.

2. The transfer chamber according to claim 1, further comprising: a transfer chamber provided in at least one of the process chambers for transferring a substrate to be processed to the process chamber; and a gate valve provided between the transfer chamber and the process chamber. Substrate processing equipment.

The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the susceptor supports a plurality of substrates to be processed on the upper and lower surfaces inside the susceptor or on the upper and lower surfaces and side surfaces.