JP2012222024A

JP2012222024A - Substrate processing device and semiconductor device manufacturing method

Info

Publication number: JP2012222024A
Application number: JP2011083496A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Toyoda; 一行豊田; Osamu Kasahara; 修笠原; 義朗 ▲ひろせ▼; Yoshiro Hirose; Hiroyuki Takadera; 浩之高寺; Hiroyoshi Kamimura; 大義上村; Hisashi Nomura; 久志野村
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2011-04-05
Filing date: 2011-04-05
Publication date: 2012-11-12

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing device and a semiconductor device manufacturing method capable of suppressing effects of other processes in a series of processing steps including different processes.SOLUTION: A substrate processing device comprises: a rotating tray which is movable and includes four mounting parts on which a wafer is mounted; a first shower head which supplies a first gas for processing the wafer; a second shower head which supplies a second gas for processing the wafer; and a control module which suppresses movement of the rotating tray. The control module performs control so as to form a first processing room, at least a part of which is surrounded by the first shower head and the mounting parts, and a second processing room, at least a part of which is surrounded by the second shower head and the mounting parts.

Description

本発明は、基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a semiconductor device manufacturing method.

反応室に二種の反応ガス（例えば、ジクロロシラン及びアンモニア）を供給すると、これらの反応ガスが気相反応し、反応生成物が生じる場合がある。
排気の際これらの反応ガスが混合すると、反応生成物が生じ、反応室の壁部や排気経路等に付着する。
このため、頻繁に付着物を除去する必要があり、装置の稼働率が低下する。 When two kinds of reaction gases (for example, dichlorosilane and ammonia) are supplied to the reaction chamber, these reaction gases may react in a gas phase to generate a reaction product.
When these reaction gases are mixed during exhaust, a reaction product is generated and adheres to the wall of the reaction chamber, the exhaust path, or the like.
For this reason, it is necessary to frequently remove deposits, and the operating rate of the apparatus is reduced.

また、種々の処理が同一圧力下で行われる構造の装置においては、基板に成膜された膜の膜質が低下する。 In addition, in an apparatus having a structure in which various processes are performed under the same pressure, the film quality of the film formed on the substrate is degraded.

本発明の目的は、異なる処理を含む一連の処理工程において他の処理からの影響を抑制することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a semiconductor device manufacturing method capable of suppressing the influence from other processes in a series of processing steps including different processes.

本発明の第１の特徴とするところは、基板を載置する載置部を複数備え移動する移動体と、基板を処理する第一のガスを供給する第一のガス供給部と、基板を処理する第二のガスを供給する第二のガス供給部と、前記移動体の移動を制御する移動制御部と、を有し、前記移動制御部は、前記第一のガス供給部と前記載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第一の処理空間と、前記第二のガス供給部と前記載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第二の処理空間と、を形成するように制御する基板処理装置にある。 The first feature of the present invention is that a moving body including a plurality of mounting units for mounting a substrate, a first gas supply unit for supplying a first gas for processing the substrate, and a substrate are provided. A second gas supply unit configured to supply a second gas to be processed; and a movement control unit configured to control movement of the movable body, wherein the movement control unit includes the first gas supply unit and the above-described description. Forming a first processing space at least partially surrounded by the placement portion, and a second processing space at least partially surrounded by the second gas supply portion and the placement portion. In the substrate processing apparatus to be controlled.

本発明の第２の特徴とするところは、基板を載置する載置部を複数備え移動する移動体に基板を搬送する工程と、基板を処理する第一のガスを供給する第一のガス供給部と前記載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第一の処理空間と、基板を処理する第二のガスを供給する第二のガス供給部と前記載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第二の処理空間と、を形成するように前記移動体を移動させる工程と、基板に第一のガスを供給する工程と、基板に第二のガスを供給する工程と、を有する半導体装置の製造方法にある。 The second feature of the present invention is that a step of transporting a substrate to a moving body provided with a plurality of mounting portions for mounting the substrate, and a first gas for supplying a first gas for processing the substrate The first processing space at least partially surrounded by the supply unit and the placement unit, the second gas supply unit for supplying the second gas for processing the substrate, and the placement unit at least in part. A step of moving the moving body so as to form a second processing space surrounded by: a step of supplying a first gas to the substrate; and a step of supplying a second gas to the substrate. A method of manufacturing a semiconductor device.

本発明によれば、異なる処理を含む一連の処理工程において他の処理からの影響を抑制することができる。 According to the present invention, influences from other processes can be suppressed in a series of process steps including different processes.

本発明の一実施形態に係る基板処理装置の側方からの概略図であり、回転トレーが下降した状態を示すものである。It is the schematic from the side of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention, and shows the state which the rotation tray fell. 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の側方からの概略図であり、回転トレーが上昇した状態を示すものである。It is the schematic from the side of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention, and shows the state which the rotation tray raised. 図１のａ−ａ矢視図である。It is an aa arrow line view of FIG. 図１のｂ−ｂ矢視図である。It is a bb arrow line view of FIG. 本発明の一実施形態に係る第一の処理部及び第二の処理部のガス流通経路の概略図である。It is the schematic of the gas distribution route of the 1st processing part and the 2nd processing part concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る回転トレーの周辺構造、及び回転トレーの動作を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the periphery structure of the rotation tray which concerns on one Embodiment of this invention, and operation | movement of a rotation tray. 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the control structure of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention.

本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１、２は、基板処理装置１０の側方からの概略図であり、第一の反応部４０及び第二の反応部４２を示す。図１は、回転トレー１４が下降している状態であり、図２は、回転トレー１４が上昇している状態である。
図３は、図１のａ−ａ矢視図を示す。
図４は、図１のｂ−ｂ矢視図を示す。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
1 and 2 are schematic views from the side of the substrate processing apparatus 10, and show a first reaction unit 40 and a second reaction unit 42. FIG. 1 shows a state where the rotating tray 14 is lowered, and FIG. 2 shows a state where the rotating tray 14 is raised.
FIG. 3 shows an aa arrow view of FIG.
FIG. 4 shows a bb arrow view of FIG.

基板処理装置１０は、略円柱状に形成された基板処理装置本体１２を有する。
基板処理装置本体１２の内部には、移動体として用いられる回転トレー１４が回転自在に設けられている。回転トレー１４には、基板としてのウエハ２を載置する載置部１６が複数、形成されている。本実施形態においては、載置部１６はそれぞれが周方向に対して90 度の間隔となるように、四つ設けられている（図３参照）。
載置部１６それぞれの周囲の上下には、ガスの流入出を防止するOリング１８が設けられている。 The substrate processing apparatus 10 has a substrate processing apparatus main body 12 formed in a substantially cylindrical shape.
A rotating tray 14 used as a moving body is rotatably provided inside the substrate processing apparatus main body 12. A plurality of mounting portions 16 for mounting the wafer 2 as a substrate are formed on the rotating tray 14. In the present embodiment, four mounting portions 16 are provided so that each is spaced by 90 degrees with respect to the circumferential direction (see FIG. 3).
O-rings 18 for preventing gas inflow and outflow are provided on the upper and lower sides of the periphery of each mounting portion 16.

回転トレー１４の下方には、モータ等により構成される回転駆動部２０が設けられており、この回転駆動部２０は、回転軸２２を介して回転トレー１４に接続されている。回転トレー１４は、回転駆動部２０が回転軸２２を回転させるのに従って、回転するようになっている。回転トレー１４が回転することで、四つの載置部１６それぞれが一括して回転される。 Below the rotating tray 14, a rotation driving unit 20 configured by a motor or the like is provided, and the rotation driving unit 20 is connected to the rotating tray 14 via a rotation shaft 22. The rotating tray 14 rotates as the rotation driving unit 20 rotates the rotating shaft 22. As the rotating tray 14 rotates, each of the four placement units 16 is rotated together.

また、回転トレー１４の下方には、載置昇降部２４が設けられている。載置昇降部２４は、回転トレー１４を昇降させるように構成されている。
このように、回転トレー１４は、回転自在及び昇降自在に構成されている。 In addition, a placement lifting unit 24 is provided below the rotating tray 14. The mounting elevating unit 24 is configured to raise and lower the rotary tray 14.
As described above, the rotating tray 14 is configured to be rotatable and liftable.

回転軸２２が連通する開口には、回転トレー１４の昇降に対応して伸縮する伸縮部２６が設けられており、基板処理装置本体１２内が密閉に保たれるようになっている。 The opening through which the rotary shaft 22 communicates is provided with an expansion / contraction portion 26 that expands and contracts in response to the raising and lowering of the rotary tray 14 so that the inside of the substrate processing apparatus main body 12 is kept hermetically sealed.

基板処理装置本体１２内であって回転トレー１４の下方には、基台３０が複数（本実施形態においては四つ）配設されている。
基台３０それぞれの上部には、ヒータ等により構成される基台加熱部３２が設けられている。基台加熱部３２それぞれは、別個に制御されるようになっている。 A plurality of bases 30 (four in this embodiment) are disposed in the substrate processing apparatus main body 12 and below the rotating tray 14.
A base heating unit 32 composed of a heater or the like is provided on the top of each base 30. Each of the base heating units 32 is controlled separately.

基台３０の下方には、基台昇降部３４が設けられており、この基台昇降部３４は、支持軸３６を介して基台３０に接続されている。
支持軸３６が連通する開口には、基台３０の昇降に対応して伸縮する伸縮部３８が設けられており、基板処理装置本体１２内が密閉に保たれるようになっている。
なお、基台３０それぞれは、別個に昇降するように構成してもよいし、一体として昇降するように構成してもよい。本図では、基台３０を垂直に昇降させるためのスライド（ガイド）機構は省略している。 A base lift 34 is provided below the base 30, and the base lift 34 is connected to the base 30 via a support shaft 36.
The opening through which the support shaft 36 communicates is provided with an expansion / contraction part 38 that expands and contracts in response to the raising and lowering of the base 30 so that the inside of the substrate processing apparatus main body 12 is kept hermetically closed.
Each of the bases 30 may be configured to move up and down separately, or may be configured to move up and down as a unit. In this figure, a slide (guide) mechanism for vertically moving the base 30 is omitted.

基板処理装置本体１２の天板部１２ａには、円形状に形成された複数の開口１２ｂが形成されている。本実施形態においては、開口１２ｂは、天板部１２ａの周方向に対してそれぞれ90 度の間隔で四つ形成されている（図４参照）。開口１２ｂの直径は、載置部１６に載置されるウエハ２の直径よりも大きく、回転トレー１４に設けられたOリング１８の直径よりも小さく構成されている。
天板部１２ａの上部には、第一の反応部４０と、第二の反応部４２とが設けられている。 A plurality of circular openings 12 b are formed in the top plate portion 12 a of the substrate processing apparatus body 12. In the present embodiment, four openings 12b are formed at intervals of 90 degrees with respect to the circumferential direction of the top plate portion 12a (see FIG. 4). The diameter of the opening 12 b is larger than the diameter of the wafer 2 placed on the placement unit 16 and smaller than the diameter of the O-ring 18 provided on the rotating tray 14.
A first reaction portion 40 and a second reaction portion 42 are provided on the top plate portion 12a.

第一の反応部４０と第二の反応部４２とは、周方向に対して交互となるようにそれぞれ複数、等間隔に設けられている。本実施形態においては、第一の反応部４０と第二の反応部４２とは、周方向に対して90 度の間隔で交互となるように二つずつ設けられている（図４参照）。
第一の反応部４０及び第二の反応部４２それぞれは、開口１２ｂの上方を覆うようにして設けられている。また、第一の反応部４０及び第二の反応部４２それぞれは、基台３０の基台加熱部３２に対向するように設けられている。 A plurality of first reaction units 40 and second reaction units 42 are provided at equal intervals so as to be alternately arranged in the circumferential direction. In the present embodiment, two first reaction parts 40 and two second reaction parts 42 are provided so as to alternate at an interval of 90 degrees with respect to the circumferential direction (see FIG. 4).
Each of the first reaction unit 40 and the second reaction unit 42 is provided so as to cover the upper part of the opening 12b. In addition, each of the first reaction unit 40 and the second reaction unit 42 is provided to face the base heating unit 32 of the base 30.

第一の反応部４０は、ガス供給部として用いられる第一のシャワーヘッド５０を備える。
第一のシャワーヘッド５０には、第一のガス供給管５２が接続されている。第一のガス供給管５２は、ガス流路を開閉する第一の開閉部５４、及びガスの流量を制御する第一の流量制御部５６を介して、第一のガス供給源５８に接続している。 The first reaction unit 40 includes a first shower head 50 used as a gas supply unit.
A first gas supply pipe 52 is connected to the first shower head 50. The first gas supply pipe 52 is connected to a first gas supply source 58 via a first opening / closing part 54 that opens and closes the gas flow path and a first flow rate control part 56 that controls the flow rate of the gas. ing.

第一のシャワーヘッド５０には、ヒータ等により構成される第一の加熱部６０が設けられている。第一の加熱部６０は、後述する第一の処理室１１０の加熱源として機能する。 The first shower head 50 is provided with a first heating unit 60 composed of a heater or the like. The 1st heating part 60 functions as a heating source of the 1st processing chamber 110 mentioned below.

第一のガス供給管５２の周囲には、第一のコイル６２が設けられており、この第一のコイル６２は、第一の高周波電源６４に接続されている。第一のコイル６２に電圧を印加することで、第一のガス供給管５２を流れるガスがプラズマ励起されるようになっている。 A first coil 62 is provided around the first gas supply pipe 52, and the first coil 62 is connected to a first high-frequency power source 64. By applying a voltage to the first coil 62, the gas flowing through the first gas supply pipe 52 is plasma-excited.

第一のシャワーヘッド５０に供給されたガスは、第一の供給孔６６からウエハ２に向けて供給される。 The gas supplied to the first shower head 50 is supplied toward the wafer 2 from the first supply hole 66.

このように、第一の反応部４０は、所定の温度に温められた第一の処理室１１０に、プラズマ励起されたガスを供給する構成となっている。なお、第一の反応部４０は、ガスをプラズマ励起することなく供給するようにしてもよい。 As described above, the first reaction unit 40 is configured to supply the plasma-excited gas to the first processing chamber 110 heated to a predetermined temperature. The first reaction unit 40 may supply the gas without plasma excitation.

第一のシャワーヘッド５０には、この第一のシャワーヘッド５０に供給されたガスを排出する第一のガス排出管６８が接続されている。第一のガス排出管６８は、圧力を調整する第一のAPC（Auto Pressure Controller）バルブ７０を介して、第一の排出装置７２に接続されている。 The first shower head 50 is connected to a first gas discharge pipe 68 that discharges the gas supplied to the first shower head 50. The first gas discharge pipe 68 is connected to a first discharge device 72 via a first APC (Auto Pressure Controller) valve 70 that adjusts the pressure.

第二の反応部４２は、ガス供給部として用いられる第二のシャワーヘッド８０を備える。
第二のシャワーヘッド８０には、第二のガス供給管８２が接続されている。第二のガス供給管８２は、ガス流路を開閉する第一の開閉部８４、ガスの流量を制御する第一の流量制御部８６を介して、第二のガス供給源８８に接続している。 The 2nd reaction part 42 is provided with the 2nd shower head 80 used as a gas supply part.
A second gas supply pipe 82 is connected to the second shower head 80. The second gas supply pipe 82 is connected to a second gas supply source 88 via a first opening / closing part 84 for opening and closing the gas flow path and a first flow rate control part 86 for controlling the flow rate of the gas. Yes.

第二のシャワーヘッド８０には、ヒータ等により構成される第二の加熱部９０が設けられている。第二の加熱部９０は、後述する第二の処理室１１２の加熱源として機能する。
第二のガス供給管８２の周囲には、第二のコイル９２が設けられており、この第二のコイル９２は、第二の高周波電源９４に接続されている。第二のコイル９２に電圧を印加することで、第二のガス供給管８２を流れるガスがプラズマ励起されるようになっている。 The second shower head 80 is provided with a second heating unit 90 configured by a heater or the like. The 2nd heating part 90 functions as a heating source of the 2nd processing chamber 112 mentioned below.
A second coil 92 is provided around the second gas supply pipe 82, and the second coil 92 is connected to a second high-frequency power source 94. By applying a voltage to the second coil 92, the gas flowing through the second gas supply pipe 82 is plasma-excited.

第二のシャワーヘッド８０に供給されたガスは、第二の供給孔９６からウエハ２に向けて供給される。 The gas supplied to the second shower head 80 is supplied toward the wafer 2 from the second supply hole 96.

このように、第二の反応部４２は、所定の温度に温められた第二の処理室１１２に、プラズマ励起されたガスを供給する構成となっている。なお、第二の反応部４２は、ガスをプラズマ励起することなく供給するようにしてもよい。 As described above, the second reaction section 42 is configured to supply the plasma-excited gas to the second processing chamber 112 heated to a predetermined temperature. The second reaction unit 42 may supply the gas without plasma excitation.

第二のシャワーヘッド８０には、この第二のシャワーヘッド８０に供給されたガスを排出する第二のガス排出管９８が接続されている。第二のガス排出管９８は、圧力を調整する第二のAPCバルブ１００を介して、第二の排出装置１０２に接続されている。 The second shower head 80 is connected to a second gas discharge pipe 98 that discharges the gas supplied to the second shower head 80. The second gas discharge pipe 98 is connected to the second discharge device 102 via the second APC valve 100 that adjusts the pressure.

図２に示すように、回転トレー１４が上昇すると、載置部１６はそれぞれ、この載置部１６及びその周辺部によって開口１２ｂの下方を覆うようにして配置される。この際、天板部１２ａの下部であって開口１２ｂの法線方向外側に、Oリング１８が配置される。
これにより、開口１２ｂを挟むようにして、載置部１６と第一のシャワーヘッド５０とにより囲まれ密閉された第一の処理空間である第一の処理室１１０が形成される。第一の処理室１１０は、少なくともその一部が載置部１６及び第一のシャワーヘッド５０によって構成されている。
同様に、開口１２ｂを挟むようにして、載置部１６と第二のシャワーヘッド８０とにより囲まれ密閉された第二の処理空間である第二の処理室１１２が形成される。第二の処理室１１２は、少なくともその一部が載置部１６及び第二のシャワーヘッド８０によって構成されている。 As shown in FIG. 2, when the rotating tray 14 is raised, the placement portions 16 are arranged so as to cover the lower portion of the opening 12 b with the placement portion 16 and its peripheral portion. At this time, the O-ring 18 is disposed below the top plate portion 12a and outside the opening 12b in the normal direction.
As a result, the first processing chamber 110 which is a first processing space enclosed and sealed by the mounting portion 16 and the first shower head 50 is formed so as to sandwich the opening 12b. At least a part of the first processing chamber 110 is configured by the placement unit 16 and the first shower head 50.
Similarly, a second processing chamber 112, which is a second processing space enclosed and sealed by the mounting portion 16 and the second shower head 80, is formed so as to sandwich the opening 12b. At least a part of the second processing chamber 112 is configured by the placement unit 16 and the second shower head 80.

第一の処理室１１０及び第二の処理室１１２は相互に、流体的に隔絶された空間を構成するようになっている。
載置部１６それぞれの周囲にはOリング１８が設けられているため、本構成を有さない場合と比較して、第一の処理室１１０及び第二の処理室１１２の密閉性が向上する。 The first processing chamber 110 and the second processing chamber 112 constitute a fluid-isolated space.
Since the O-ring 18 is provided around each placement unit 16, the sealing performance of the first processing chamber 110 and the second processing chamber 112 is improved as compared with the case where this configuration is not provided. .

回転トレー１４の上昇に合わせて基台３０を上昇させると、載置部１６それぞれの下方に基台加熱部３２が配置される。このように、基台加熱部３２は、第一の加熱部６０又は第二の加熱部９０とともに、第一の処理室１１０又は第二の処理室１１２を加熱する加熱源として機能する。 When the base 30 is raised in accordance with the rise of the rotating tray 14, the base heating unit 32 is disposed below the placement unit 16. As described above, the base heating unit 32 functions as a heating source for heating the first processing chamber 110 or the second processing chamber 112 together with the first heating unit 60 or the second heating unit 90.

図５は、第一の反応部４０及び第二の反応部４２のガス流通経路の概略図を示す。 FIG. 5 shows a schematic diagram of gas flow paths of the first reaction unit 40 and the second reaction unit 42.

二つの第一のシャワーヘッド５０それぞれに接続された第一のガス供給管５２は上流側で合流し、同一の第一の開閉部５４、第一の流量制御部５６を介して、第一のガス供給源５８に接続している。
また、二つの第一のシャワーヘッド５０それぞれに接続された第一のガス排出管６８は上流側で合流し、同一の第一のAPCバルブ７０を介して、第一の排出装置７２に接続している。 The first gas supply pipes 52 connected to each of the two first shower heads 50 merge on the upstream side, and through the same first opening / closing part 54 and first flow rate control part 56, A gas supply source 58 is connected.
The first gas discharge pipe 68 connected to each of the two first shower heads 50 joins upstream and is connected to the first discharge device 72 through the same first APC valve 70. ing.

一方、二つの第二のシャワーヘッド８０それぞれに接続された第二のガス供給管８２は上流側で合流し、同一の第一の開閉部８４、第一の流量制御部８６を介して、第二のガス供給源８８に接続している。
また、二つの第二のシャワーヘッド８０それぞれに接続された第二のガス排出管９８は上流側で合流し、同一の第二のAPCバルブ１００を介して、第二の排出装置１０２に接続している。 On the other hand, the second gas supply pipe 82 connected to each of the two second shower heads 80 merges on the upstream side, and passes through the same first opening / closing part 84 and the first flow rate control part 86, thereby A second gas supply source 88 is connected.
In addition, the second gas discharge pipes 98 connected to the two second shower heads 80 merge on the upstream side and are connected to the second discharge device 102 via the same second APC valve 100. ing.

第一の反応部４０と第二の反応部４２とでは、ガスを供給する経路及び排出する経路が、別個に設けられた構成となっている。このため、第一の反応部４０で用いられるガスと、第二の反応部４２で用いられるガスとが、混合しない（気相反応しない）ようになっている。 In the first reaction unit 40 and the second reaction unit 42, a gas supply path and a discharge path are provided separately. For this reason, the gas used in the first reaction unit 40 and the gas used in the second reaction unit 42 are not mixed (no gas phase reaction).

このように、第一の処理室１１０及び第二の処理室１１２はそれぞれ、温度や圧力、供給するガス等が別個に制御されるようになっている。すなわち、回転トレー１４が移動することで、別個に制御される処理室が基板処理装置本体１２内に複数形成されることとなる。 As described above, the first processing chamber 110 and the second processing chamber 112 are individually controlled in temperature, pressure, supplied gas, and the like. That is, when the rotating tray 14 moves, a plurality of processing chambers that are controlled separately are formed in the substrate processing apparatus main body 12.

次に、回転トレー１４の周辺構造、及びこの回転トレー１４の動作について説明する。
図６は、回転トレー１４の周辺構造、及び回転トレー１４の動作を説明する説明図を示す。 Next, the peripheral structure of the rotating tray 14 and the operation of the rotating tray 14 will be described.
FIG. 6 is an explanatory view for explaining the peripheral structure of the rotating tray 14 and the operation of the rotating tray 14.

基板処理装置本体１２には、気密に構成された搬入出室１２０が開閉弁１２２を介して隣接するように設けられている。開閉弁１２２が開かれることで、基板処理装置本体１２内と搬入出室１２０内とが連通するようになっている。
搬入出室１２０には、ウエハ２を搬送する搬送装置１２４が設けられている。搬送装置１２４は、外部の装置（非図示）と回転トレー１４の載置部１６との間で、ウエハ２を搬送する。 The substrate processing apparatus main body 12 is provided with an airtight loading / unloading chamber 120 adjacent to each other via an on-off valve 122. By opening the on-off valve 122, the inside of the substrate processing apparatus main body 12 and the inside of the loading / unloading chamber 120 are communicated.
In the loading / unloading chamber 120, a transfer device 124 for transferring the wafer 2 is provided. The transfer device 124 transfers the wafer 2 between an external device (not shown) and the mounting unit 16 of the rotating tray 14.

図６（ａ）は、回転トレー１４が搬送位置にある状態を示す。
載置部１６にウエハ２を搬送する際、回転トレー１４は搬送位置に移動される。具体的には、回転トレー１４は、下降した位置（図１に示す位置）となり、載置部１６が、第一の反応部４０又は第二の反応部４２とは回転方向に対して45 度ずれた位置（対向しない位置）となる。
そして、開閉弁１２２が開かれ、搬送装置１２４によって、搬入出室１２０に近接する載置部１６にウエハ２が搬送される。 FIG. 6A shows a state in which the rotating tray 14 is at the transport position.
When the wafer 2 is transferred to the mounting unit 16, the rotating tray 14 is moved to the transfer position. Specifically, the rotating tray 14 is in the lowered position (the position shown in FIG. 1), and the placement unit 16 is 45 degrees from the first reaction unit 40 or the second reaction unit 42 with respect to the rotation direction. The position is shifted (a position that does not face).
Then, the opening / closing valve 122 is opened, and the wafer 2 is transferred by the transfer device 124 to the placement unit 16 adjacent to the carry-in / out chamber 120.

一番目のウエハ２が載置部１６に搬送されると、回転トレー１４は、反時計方向に90 度回転し、空の載置部１６が搬入出室１２０に近接するように移動する。
そして、搬送装置１２４によって、搬入出室１２０に近接する載置部１６に二番目のウエハ２が搬送される。
この動作を繰り返し、四枚のウエハ２を四つの載置部１６それぞれに搬送する。 When the first wafer 2 is transferred to the placement unit 16, the rotating tray 14 rotates 90 degrees counterclockwise and moves so that the empty placement unit 16 is close to the loading / unloading chamber 120.
Then, the second wafer 2 is transferred by the transfer device 124 to the placement unit 16 adjacent to the loading / unloading chamber 120.
This operation is repeated, and the four wafers 2 are transferred to each of the four placement units 16.

図６（ｂ）は、回転トレー１４が処理位置にある状態を示す。
ウエハ２に処理をする際、回転トレー１４は処理位置に移動される。具体的には、回転トレー１４は、上昇した位置（図２に示す位置）となり、載置部１６が、第一の反応部４０又は第二の反応部４２と対向する位置（第一の処理室１１０、第二の処理室１１２を形成する位置）となる。
本実施形態においては、搬送位置にある回転トレー１４が上昇され、反時計方向に45 度回転されることで、この回転トレー１４は処理位置に移動される。 FIG. 6B shows a state where the rotating tray 14 is at the processing position.
When processing the wafer 2, the rotating tray 14 is moved to the processing position. Specifically, the rotating tray 14 is in the raised position (position shown in FIG. 2), and the placement unit 16 is opposed to the first reaction unit 40 or the second reaction unit 42 (first processing). The chamber 110 and the second processing chamber 112 are formed).
In the present embodiment, the rotating tray 14 at the transport position is lifted and rotated 45 degrees counterclockwise, whereby the rotating tray 14 is moved to the processing position.

次に、基板処理装置１０の制御構成について説明する。
図７は、基板処理装置１０の制御構成を示すブロック図を示す。 Next, the control configuration of the substrate processing apparatus 10 will be described.
FIG. 7 is a block diagram showing a control configuration of the substrate processing apparatus 10.

回転駆動部２０や載置昇降部２４、基台加熱部３２、基台昇降部３４、第一の開閉部５４、第一の流量制御部５６、第一の加熱部６０、第二の開閉部８４、第二の流量制御部８６、第二の加熱部９０、第一の高周波電源６４、第一のAPCバルブ７０、第一の排出装置７２、第二の高周波電源９４、第二のAPCバルブ１００、第二の排出装置１０２、搬送装置１２４等は、制御部１５０に電気的に接続されている。
制御部１５０は、これら基板処理装置１０を構成する各部を制御するようになっている。 Rotation drive unit 20, mounting elevating unit 24, base heating unit 32, base elevating unit 34, first opening / closing unit 54, first flow rate control unit 56, first heating unit 60, second opening / closing unit 84, second flow rate control unit 86, second heating unit 90, first high frequency power source 64, first APC valve 70, first discharge device 72, second high frequency power source 94, second APC valve 100, the second discharge device 102, the transport device 124, and the like are electrically connected to the control unit 150.
The control unit 150 controls each unit constituting the substrate processing apparatus 10.

次に、基板処理装置１０を用いて実施される半導体装置（デバイス）の製造工程について説明する。
以下、ウエハ２に絶縁膜として窒化シリコン（SiN）膜を形成する場合を例に説明する。
具体的には、第一の元素であるシリコン（Si）を含む第一のガス（シリコン含有ガス）としてジシクロシラン（DCS）を、第二の元素である窒素（N）を含む第二のガス（窒素含有ガス）としてアンモニア（NH₃）をそれぞれ用い、これらを交互に供給してSiN膜を一層ずつ形成するALD（Atomic Layer Deposition）法による成膜を示す。 Next, a manufacturing process of a semiconductor device (device) performed using the substrate processing apparatus 10 will be described.
Hereinafter, a case where a silicon nitride (SiN) film is formed as an insulating film on the wafer 2 will be described as an example.
Specifically, dicyclosilane (DCS) is used as the first gas (silicon-containing gas) containing silicon (Si) as the first element, and second gas (nitrogen (N) as the second element ( Deposition using an ALD (Atomic Layer Deposition) method in which ammonia (NH ₃ ) is used as a nitrogen-containing gas and these are alternately supplied to form a SiN film layer by layer.

＜搬入工程＞
搬入出室１２０の開閉弁１２２が開かれ、搬送装置１２４によってウエハ２が載置部１６に搬送される。四枚のウエハ２が四つの載置部１６に搬送された後、開閉弁１２２が閉じられる。 <Import process>
The on-off valve 122 of the loading / unloading chamber 120 is opened, and the wafer 2 is transferred to the placement unit 16 by the transfer device 124. After the four wafers 2 are transferred to the four placement units 16, the on-off valve 122 is closed.

＜処理工程＞
四枚のウエハ２の搬送後、回転トレー１４は、反時計方向に45 度回転して上昇し、処理位置に移動する。
このようにして、基板処理装置本体１２内に第一の処理室１１０及び第二の処理室１１２が形成され、それぞれのウエハ２は、これら第一の処理室１１０又は第二の処理室１１２の内部に搬送された状態となる。 <Processing process>
After the transfer of the four wafers 2, the rotating tray 14 is rotated 45 degrees counterclockwise and moved up to the processing position.
In this way, the first processing chamber 110 and the second processing chamber 112 are formed in the substrate processing apparatus main body 12, and the respective wafers 2 are stored in the first processing chamber 110 or the second processing chamber 112. It will be in the state where it was conveyed inside.

第一の処理室１１０においては、ウエハ２にSi含有層が形成される。
まず、第一の排出装置７２を作動し、第一のAPCバルブ７０の開度を調整して、第一の処理室１１０内が所定の圧力（例えば、10 Torr）となるように制御する。また、第一の処理室１１０に対応する基台加熱部３２及び第一の加熱部６０を作動し、第一の処理室１１０内のウエハ２が所定の温度（例えば、400 ℃）となるように制御する。 In the first processing chamber 110, a Si-containing layer is formed on the wafer 2.
First, the first discharge device 72 is operated and the opening degree of the first APC valve 70 is adjusted to control the inside of the first processing chamber 110 to be a predetermined pressure (for example, 10 Torr). Further, the base heating unit 32 and the first heating unit 60 corresponding to the first processing chamber 110 are operated so that the wafer 2 in the first processing chamber 110 reaches a predetermined temperature (for example, 400 ° C.). To control.

続いて、第一の開閉部５４を開き、第一の流量制御部５６で流量を調整しながら、第一のガス供給源５８からDCSを供給する。第一のガス供給源５８から供給されたDCSは、第一のガス供給管５２を通って第一のシャワーヘッド５０から第一の処理室１１０内に供給される。 Subsequently, the first opening / closing unit 54 is opened, and DCS is supplied from the first gas supply source 58 while the flow rate is adjusted by the first flow rate control unit 56. The DCS supplied from the first gas supply source 58 is supplied from the first shower head 50 into the first processing chamber 110 through the first gas supply pipe 52.

DCSの供給により、第一の処理室１１０内のウエハ２にSiを含む第一の層が形成される。本実施形態においては、ウエハ２上に1原子層未満から数原子層のSi層（Si含有層）を形成するように制御する。Si含有層には、DCSの化学吸着層（表面吸着層）が含まれる。
なお、Siは、それ単独で固体となる元素である。 By supplying DCS, a first layer containing Si is formed on the wafer 2 in the first processing chamber 110. In the present embodiment, control is performed so that a Si layer (Si-containing layer) of less than one atomic layer to several atomic layers is formed on the wafer 2. The Si-containing layer includes a DCS chemical adsorption layer (surface adsorption layer).
Si is an element that becomes a solid by itself.

Si含有層には、Siにより構成される連続的な層の他、これらが重なって構成される薄膜が含まれる。
DCSの化学吸着層には、DCS分子が連続した化学吸着層の他、不連続な化学吸着層が含まれる。 The Si-containing layer includes a continuous layer composed of Si and a thin film composed of these layers.
The chemical adsorption layer of DCS includes a discontinuous chemical adsorption layer in addition to a chemical adsorption layer in which DCS molecules are continuous.

ウエハ２上に形成されるSi含有層の最小は、1原子未満となる。
一方、ここで形成されるSi含有層が数原子層よりも大きくなると、後続する処理の効果が十分に得られない（窒化の作用が行き届かない）場合がある。
このため、Si含有層は一度の処理において、1原子未満から数原子層とすることが好ましい。 The minimum Si-containing layer formed on the wafer 2 is less than one atom.
On the other hand, if the Si-containing layer formed here is larger than several atomic layers, the effect of the subsequent treatment may not be sufficiently obtained (the effect of nitriding may not be achieved).
For this reason, the Si-containing layer is preferably formed from less than one atom to several atomic layers in a single treatment.

処理条件（温度や圧力等）の設定により、ウエハ２上に形成される層が調整される。
具体的には、DCSガスが自己分解する条件下では、ウエハ２上にSiが堆積してSi層が形成され、DCSガスが自己分解しない条件下では、ウエハ２上にDCSガスが化学吸着してDCSの化学吸着層が形成される。 The layer formed on the wafer 2 is adjusted by setting processing conditions (temperature, pressure, etc.).
Specifically, Si is deposited on the wafer 2 to form a Si layer under conditions where the DCS gas is self-decomposing, and DCS gas is chemisorbed onto the wafer 2 under conditions where the DCS gas is not self-decomposing. Thus, a chemical adsorption layer of DCS is formed.

ウエハ２に所定のSi含有層が形成された後、第一の開閉部５４を閉じ、DCSの供給を停止する。そして、第一のAPCバルブ７０を開き、第一の処理室１１０内を排気する。 After a predetermined Si-containing layer is formed on the wafer 2, the first opening / closing part 54 is closed and the supply of DCS is stopped. Then, the first APC valve 70 is opened and the inside of the first processing chamber 110 is exhausted.

第二の処理室１１２においては、ウエハ２に窒化処理がなされる。
第二の排出装置１０２を作動し、第二のAPCバルブ１００の開度を調整して、第二の処理室１１２内が所定の圧力（例えば、1 Pa）となるように制御する。また、第二の処理室１１２に対応する基台加熱部３２及び第二の加熱部９０を作動し、第二の処理室１１２内のウエハ２が所定の温度（例えば、400 ℃）となるように制御する。 In the second processing chamber 112, the wafer 2 is subjected to nitriding.
The second discharge device 102 is operated and the opening degree of the second APC valve 100 is adjusted so that the second processing chamber 112 is controlled to have a predetermined pressure (for example, 1 Pa). Further, the base heating unit 32 and the second heating unit 90 corresponding to the second processing chamber 112 are operated so that the wafer 2 in the second processing chamber 112 reaches a predetermined temperature (for example, 400 ° C.). To control.

続いて、第二の第一の流量制御部８６により流量を制御しながら、第二のガス供給源８８からNH₃を供給する。NH₃は、第二のガス供給管８２を通過する際にプラズマ励起（活性化）され、プラズマ励起された状態（活性種）で第二の処理室１１２に供給される。
このように、NH₃をプラズマ励起して供給することで、本構成を有さない場合と比較して、処理条件が緩くなる（例えば、温度、圧力がより常温、常圧に近い条件となる）。 Subsequently, NH ₃ is supplied from the second gas supply source 88 while the flow rate is controlled by the second first flow rate control unit 86. NH ₃ is plasma-excited (activated) when passing through the second gas supply pipe 82 and is supplied to the second processing chamber 112 in a plasma-excited state (active species).
In this way, by supplying NH ₃ with plasma excitation, the processing conditions are relaxed compared to the case where this configuration is not provided (for example, the temperature and pressure are closer to normal temperature and normal pressure). ).

なお、NH₃はプラズマ励起せずに供給するようにしてもよい。この場合、例えば、第二の処理室１１２内の圧力を50 - 3000 Paとし、第二の処理室１１２内のウエハ２の温度を600 ℃以上となるようにする。
NH₃をプラズマ励起でなく熱的に活性化させて供給する場合、本構成を有さない場合と比較して、反応が緩やかに進行する（ソフトな反応となる）。 NH ₃ may be supplied without plasma excitation. In this case, for example, the pressure in the second processing chamber 112 is set to 50 to 3000 Pa, and the temperature of the wafer 2 in the second processing chamber 112 is set to 600 ° C. or higher.
When NH ₃ is supplied by activating it instead of plasma excitation, the reaction proceeds more slowly (soft reaction) than in the case without this configuration.

活性化されたNH₃は、ウエハ２上に形成されたSi含有層と反応する。これにより、Si含有層は窒化され、Si及びNを含むSiN層へ改質される。 The activated NH ₃ reacts with the Si-containing layer formed on the wafer 2. As a result, the Si-containing layer is nitrided and modified into a SiN layer containing Si and N.

ウエハ２に所定のSiN層が形成された後、第二の開閉部８４を閉じ、NH₃の供給を停止する。そして、第二のAPCバルブ１００を開き、第二の処理室１１２内を排気する。 After a predetermined SiN layer is formed on the wafer 2, the second opening / closing part 84 is closed and the supply of NH ₃ is stopped. Then, the second APC valve 100 is opened and the inside of the second processing chamber 112 is exhausted.

第一の処理室１１０における処理と、第二の処理室１１２における処理とは、並行して行われる。
第一の処理室１１０及び第二の処理室１１２での処理が終了した後、回転トレー１４は下降し反時計方向に90 度回転して、再度、処理位置に移動する。 The processing in the first processing chamber 110 and the processing in the second processing chamber 112 are performed in parallel.
After the processing in the first processing chamber 110 and the second processing chamber 112 is completed, the rotating tray 14 descends and rotates 90 degrees counterclockwise, and again moves to the processing position.

これによりウエハ２は、隣り合う処理室へと搬送される。具体的には、回転トレー１４が反時計方向に90 度回転することで、第一の処理室１１０で処理されたウエハ２は第二の処理室１１２に搬送され、一方、第二の処理室１１２で処理されたウエハ２は第一の処理室１１０に搬送されることとなる。 As a result, the wafer 2 is transferred to the adjacent processing chamber. Specifically, the rotating tray 14 rotates 90 degrees counterclockwise, so that the wafer 2 processed in the first processing chamber 110 is transferred to the second processing chamber 112, while the second processing chamber The wafer 2 processed in 112 is transferred to the first processing chamber 110.

ウエハ２上に形成されるSiN膜が所定の膜厚となるまで、第一の処理室１１０及び第二の処理室１１２における一連の処理を繰り返す。
例えば、第一の処理室１１０及び第二の処理室１１２においてそれぞれ一度ずつ処理した場合、ウエハ２に形成されるSiN膜の膜厚は1 Å程度であり、これらの処理を300回繰り返した場合、SiN膜の膜厚は300 Å程度となる。 A series of processing in the first processing chamber 110 and the second processing chamber 112 is repeated until the SiN film formed on the wafer 2 has a predetermined thickness.
For example, when processing is performed once in each of the first processing chamber 110 and the second processing chamber 112, the thickness of the SiN film formed on the wafer 2 is about 1 mm, and when these processing is repeated 300 times The film thickness of the SiN film is about 300 mm.

なお、第一の処理室１１０において処理がなされていないウエハ２（Si含有層が形成されていないウエハ２）に対しては、第２の処理室１１２における処理を停止するようにしてもよい。
例えば、四枚のウエハ２が搬入されてから、最初に行う処理においては、第一の処理室１１０に搬送された二枚のウエハ２についてのみ行うようにしてもよい。このように処理することで、搬入されるウエハ２の全てに対して、同様の条件で処理がなされることとなる。 Note that the processing in the second processing chamber 112 may be stopped for the wafer 2 that has not been processed in the first processing chamber 110 (the wafer 2 in which the Si-containing layer is not formed).
For example, the first processing after the four wafers 2 are carried in may be performed only for the two wafers 2 transferred to the first processing chamber 110. By processing in this way, the processing is performed on the same conditions for all of the wafers 2 to be loaded.

＜搬出工程＞
搬入出室１２０の開閉弁１２２が開かれ、搬送装置１２４によってウエハ２が載置部１６から搬入出室１２０に搬送される。四枚のウエハ２が四つの載置部１６から搬送された後、開閉弁１２２が閉じられる。 <Unloading process>
The on-off valve 122 of the loading / unloading chamber 120 is opened, and the wafer 2 is transferred from the placement unit 16 to the loading / unloading chamber 120 by the transfer device 124. After the four wafers 2 are transferred from the four placement units 16, the on-off valve 122 is closed.

このようにして、ウエハ２にSiN膜を形成する工程が行われる。 In this way, a process of forming a SiN film on the wafer 2 is performed.

なお、搬入工程と処理工程とを並行して行うようにしてもよい。
例えば、まず、搬送位置にある回転トレー１４に一番目のウエハ２を搬送し、この回転トレー１４を反時計方向に45 度回転して、処理位置に移動する。そして、第一の処理室１１０においてこの一番目のウエハ２を処理する。
次いで、回転トレー１４を反時計方向に45 度回転し、再度、搬送位置とする。そして、二番目のウエハ２を回転トレー１４に搬送する。回転トレー１４をさらに反時計方向に45 度回転して処理位置に移動する。そして、第二の処理室１１２において一番目のウエハ２を処理し、第一の処理室１１０において二番目のウエハ２を処理する。 Note that the carrying-in process and the processing process may be performed in parallel.
For example, first, the first wafer 2 is transferred to the rotary tray 14 at the transfer position, and the rotary tray 14 is rotated 45 degrees counterclockwise and moved to the processing position. Then, the first wafer 2 is processed in the first processing chamber 110.
Next, the rotating tray 14 is rotated 45 degrees counterclockwise to return to the transport position. Then, the second wafer 2 is transferred to the rotating tray 14. The rotating tray 14 is further rotated 45 degrees counterclockwise and moved to the processing position. Then, the first wafer 2 is processed in the second processing chamber 112, and the second wafer 2 is processed in the first processing chamber 110.

これを繰り返すようにすることで、搬入工程と処理工程とが並行して行われる。
同様に、回転トレー１４からウエハ２を搬出する際も、搬出工程と処理工程とを並行して行うようにしてもよい。 By repeating this, the carrying-in process and the processing process are performed in parallel.
Similarly, when unloading the wafer 2 from the rotating tray 14, the unloading step and the processing step may be performed in parallel.

上記実施形態においては、第一のコイル６２、第二のコイル９２それぞれによって、第一のガス供給源５８、第二のガス供給源８８から供給されるガスをプラズマ励起する構成について説明したが、これに限らず、くし型に形成されたくし型電極対、あるいはリモートプラズマ機構を設け、これらによりプラズマ励起する構成としてもよい。 In the above embodiment, the configuration in which the gas supplied from the first gas supply source 58 and the second gas supply source 88 is plasma-excited by the first coil 62 and the second coil 92 has been described. However, the present invention is not limited to this, and a comb-shaped electrode pair formed in a comb shape or a remote plasma mechanism may be provided, and plasma excitation may be performed by these.

第一の反応部４０及び第二の反応部４２をそれぞれ二つずつ設けた構成について説明したが、これに限らず、これら反応部の数やガス流通系の構成は、目的に応じて適宜変更することができる。
また、全ての反応部を独立して制御するようにしてもよい。 Although the structure which provided the 1st reaction part 40 and the 2nd reaction part 42 2 each was demonstrated, not only this but the number of these reaction parts and the structure of a gas distribution system change suitably according to the objective. can do.
Further, all the reaction units may be controlled independently.

移動体として回転する回転トレー１４を用いた構成について説明したが、これに限らず、直線状に移動する等、移動方法は、目的に応じて適時変更することができる。 Although the configuration using the rotating tray 14 that rotates as the moving body has been described, the movement method is not limited to this, and the moving method such as moving in a straight line can be changed as appropriate according to the purpose.

ALD法により成膜する場合について説明したが、これに限らず、CVD（Chemical Vapor Deposition）法による成膜についても適用することができる。
CVD法により成膜する場合、個別に制御される複数の処理室において連続的に処理を行うことで、）積層された膜が形成されることとなる。このため、本構成を有さない場合と比較して、他の処理の影響（他の処理室の処理条件の影響）が抑制される。 Although the case where the film is formed by the ALD method has been described, the present invention is not limited thereto, and the present invention can also be applied to the film formation by the CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
When a film is formed by the CVD method, a laminated film is formed by performing processing continuously in a plurality of individually controlled processing chambers. For this reason, compared with the case where this configuration is not provided, the influence of other processing (the influence of processing conditions in other processing chambers) is suppressed.

［本発明の好ましい態様］
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。 [Preferred embodiment of the present invention]
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be additionally described.

本発明の一態様によれば、基板を支持する基板載置部を円周状に配置した基板支持部と、前記基板載置部と対向するように設けられ、第一の処理空間を構成する第一のガス供給部と、第二の処理空間を構成する第二のガス供給部とが設けられた蓋部と、前記基板支持部を回転させ前記基板載置部を前記それぞれのガス供給部と対向する位置に停止すると共に、前記ガス供給部と前記基板載置部とで処理空間を構成するよう前記基板支持部と前記蓋部を相対的に移動させる基板支持部駆動機構と、を有する基板処理装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, a substrate support part that circumferentially arranges a substrate mounting part that supports a substrate, and the substrate mounting part are provided so as to face the first processing space. A lid provided with a first gas supply unit and a second gas supply unit constituting a second processing space; and rotating the substrate support unit to move the substrate mounting unit to the respective gas supply unit. And a substrate support part drive mechanism for moving the substrate support part and the lid part relatively so as to form a processing space between the gas supply part and the substrate mounting part. A substrate processing apparatus is provided.

好ましくは、基板支持部を介して、前記それぞれのガス供給部のガス供給口と対向して、前記ガス供給部に対向した前記基板を加熱する加熱部がそれぞれ設けられている。 Preferably, a heating unit that heats the substrate facing the gas supply unit is provided opposite to the gas supply port of each gas supply unit via the substrate support unit.

好ましくは、前記それぞれの処理空間には、ガス供給部及びガス排気部がそれぞれ設けられている。 Preferably, each of the processing spaces is provided with a gas supply unit and a gas exhaust unit.

本発明の他の態様によれば、基板を支持する基板載置部を円周状に設けた基板支持部と、前記基板支持面と対向するように設けられ、第一の処理空間を構成する第一のガス供給部と、第二の処理空間を構成する第二のガス供給部とが設けられた蓋部と、前記基板支持部を回転させ前記基板支持部と前記蓋部を相対的にいい移動させる基板支持部駆動機構と、を有する基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、前記基板載置部に基板を載置する工程と、前記基板支持部駆動機構が前記基板支持部を回転させ前記基板載置部を前記それぞれのガス供給部と対向する位置に停止すると共に、前記第一のガス供給部及び前記第二のガス供給部とで処理空間を構成するよう前記基板支持部と前記蓋部を相対的に移動させる工程と、前記第一のガス供給部から第一のガスを供給し、前記第一の処理空間にて基板を処理する工程と、前記第二のガス供給部から第二のガスを供給し、前記第二の処理空間にて基板を処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。 According to another aspect of the present invention, a substrate support portion that supports a substrate is provided in a circumferential shape, and is provided so as to face the substrate support surface, thereby forming a first processing space. A lid provided with a first gas supply unit and a second gas supply unit constituting a second processing space; and the substrate support unit is rotated to relatively move the substrate support unit and the lid unit. A method of manufacturing a semiconductor device using a substrate processing apparatus having a substrate support unit driving mechanism for moving the substrate, the step of mounting a substrate on the substrate mounting unit, and the substrate support unit driving mechanism including the substrate The support unit is rotated to stop the substrate placement unit at a position facing the respective gas supply units, and the first gas supply unit and the second gas supply unit form a processing space. A step of relatively moving the substrate support portion and the lid portion, and the first Supplying a first gas from a gas supply unit and processing the substrate in the first processing space; supplying a second gas from the second gas supply unit; and supplying the second processing space to the second processing space. And a step of processing the substrate.

本発明の他の態様によれば、複数のシャワーヘッド（ガス供給部）と複数の被処理基板を搬送するためのトレーと、複数の被処理基板を載置する複数のサセプタベースで密閉された複数の反応室を構成して被処理基板を処理する多連密閉式処理装置が提供される。 According to another aspect of the present invention, a plurality of shower heads (gas supply units), a tray for transporting a plurality of substrates to be processed, and a plurality of susceptor bases for mounting the plurality of substrates to be processed are sealed. Provided is a multiple sealed processing apparatus configured to process a substrate to be processed by forming a plurality of reaction chambers.

好ましくは、複数の処理室を同心円状に配置し、円板状のトレーの上に被処理基板を載置してトレーが回転することによって複数の被処理基板を各々別のシャワーヘッド（ガス供給部）の位置に一括搬送する構造とする。 Preferably, the plurality of processing chambers are concentrically arranged, and the plurality of substrates to be processed are separated into separate shower heads (gas supply) by placing the substrate to be processed on the disc-shaped tray and rotating the tray. Part)).

好ましくは、固定された上部のシャワーヘッド（ガス供給部）側にトレーとサセプタベースが移動することによって密閉された反応室を構成する構造とする。 Preferably, the reaction chamber is configured to be sealed by moving the tray and the susceptor base toward the fixed upper shower head (gas supply unit) side.

本発明の他の態様によれば、複数の被処理基板を円板状の回転トレーに載置してトレーを回転させることで、密閉された各反応室に被処理基板を順次一括搬送しながら、反応室毎に設定したレシピで被処理基板の処理を行う成膜方法が提供される。 According to another aspect of the present invention, a plurality of substrates to be processed are placed on a disc-shaped rotating tray and the tray is rotated, so that the substrates to be processed are sequentially and collectively transferred to each sealed reaction chamber. A film forming method for processing a substrate to be processed using a recipe set for each reaction chamber is provided.

２ウエハ
１０基板処理装置
１２基板処理装置本体
１４回転トレー
１６載置部
２０回転駆動部
２４載置昇降部
３２基板加熱部
３４基台昇降部
４０第一の反応部
４２第二の反応部
５０第一のシャワーヘッド
８０第二のシャワーヘッド
１１０第一の処理室
１１２第二の処理室
１５０制御部 2 Wafer 10 Substrate Processing Device 12 Substrate Processing Body 14 Rotating Tray 16 Placement Unit 20 Rotation Drive Unit 24 Placement Lifting Unit 32 Substrate Heating Unit 34 Base Lifting Unit 40 First Reaction Unit 42 Second Reaction Unit 50 First One shower head 80 Second shower head 110 First processing chamber 112 Second processing chamber 150 Control unit

Claims

A moving body that includes a plurality of placement units on which the substrate is placed;
A first gas supply unit for supplying a first gas for processing the substrate;
A second gas supply unit for supplying a second gas for processing the substrate;
A movement control unit for controlling movement of the moving body;
Have
The movement control unit includes at least one of a first processing space surrounded at least in part by the first gas supply unit and the placement unit, and the second gas supply unit and the placement unit. A substrate processing apparatus that controls to form a second processing space surrounded by a portion.

Heating means for separately heating the first processing space and the second processing space;
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising:

A step of transporting the substrate to a moving body provided with a plurality of mounting portions for mounting the substrate;
A first processing space that is at least partially surrounded by a first gas supply unit that supplies a first gas for processing a substrate and the placement unit, and a second gas that supplies a second gas for processing the substrate. A step of moving the movable body so as to form a second processing space at least partially surrounded by the second gas supply unit and the placement unit,
Supplying a first gas to the substrate;
Supplying a second gas to the substrate;
A method for manufacturing a semiconductor device comprising: