JP2012050301A - 半導体装置、及び静電アクチュエータの駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置10は、下部電極43,44と、下部電極43,44の上方にアンカーによって支持されかつ下に駆動する上部電極45と、下部電極43,44と上部電極45との間に設けられた絶縁膜46とを有し、下部電極43及び上部電極45から構成される第1の可変容量素子と、下部電極44及び上部電極45から構成される第2の可変容量素子とを有する静電アクチュエータ11と、下部電極43に接続された第1の固定容量素子と、下部電極44に接続された第2の固定容量素子と、上部電極45に接続され、絶縁膜46に蓄積された電荷量を検知する検知回路15とを含む。
【選択図】 図1
Description
図1は、実施形態に係る半導体装置10の構成を示すブロック図である。半導体装置10は、静電アクチュエータ11と、静電アクチュエータ11を駆動するための2個のスイッチ回路12及び13と、スイッチ回路12及び13に電圧Vholdを供給するチャージポンプ(CP)14と、静電アクチュエータ11の絶縁膜に蓄積された電荷量を検知する電荷検知回路15と、電荷検知動作に必要な電圧を生成する電圧生成回路16と、2個のローパスフィルタ(LPF)17及び18と、半導体装置10の動作を制御する制御回路19とを備えている。
MEMS可変容量11は、2個のポートP1及びP2を備えており、例えば、ポートP1は高周波信号を転送する信号線に接続され、ポートP2は接地される。MEMS可変容量11は、2個の可変容量素子CMEMS1及びCMEMS2と、2個の固定容量素子CMIM1及びCMIM2とを備えている。
次に、スイッチ回路12及び13の構成について説明する。スイッチ回路12及び13は、MEMS可変容量11を駆動する駆動回路である。スイッチ回路12及び13の構成は同じであり、以下にスイッチ回路12を例に挙げて説明する。なお、図2には、スイッチ回路12の回路構成のみ図示している。
次に、電荷検知回路15の構成について説明する。MEMS可変容量11がアップ状態とダウン状態とを繰り返すと、上部電極45と下部電極43及び44との間の絶縁膜46に電荷が蓄積される、いわゆるチャージングが発生する。この蓄積電荷量がある閾値以上になると、上部電極45が絶縁膜46から離れなくなる、いわゆるスティクション不良が発生する。電荷検知回路15は、絶縁膜46に蓄積された電荷量を、MEMS可変容量11の容量から判定するものである。
CREF1=(CMEMS1_up+CMEMS1_dn)/2
CMEMS1_upは、MEMS可変容量11がアップ状態における可変容量素子CMEMS1の容量である。CMEMS1_dnは、MEMS可変容量11がダウン状態における可変容量素子CMEMS1の容量である。
CREF2=(CMEMS2_up+CMEMS2_dn)/2
CMEMS2_upは、MEMS可変容量11がアップ状態における可変容量素子CMEMS2の容量である。CMEMS2_dnは、MEMS可変容量11がダウン状態における可変容量素子CMEMS2の容量である。
先ず、MEMS可変容量11の動作について説明する。アップ状態では、上部電極45と下部電極43(又は、44)との電位差は、プルイン電圧未満である。プルイン電圧とは、上部電極45が下に動くために要する電圧であり、上部電極45が下部電極43に引き付けられる静電引力がバネ47の復元力よりも大きくなる電圧である。ダウン状態は、例えば、スイッチ回路12が上部電極45に接地電圧Vssを印加し、スイッチ回路13が下部電極43及び44に接地電圧Vssを印加することで実現できる。具体的な動作としては、スイッチ回路12及び13の各々において、NMOSFET23がオンし、ノードN1が接地電圧Vssまで放電される。
(2)NMOSFET21:オフ
(3)NMOSFET22:オン
ステップ(1)において、ブーストキャパシタCBTがチャージポンプ14によって充電され、ノードN1が電圧Vhold付近に設定される。この電圧Vholdは、MEMS可変容量11のホールド電圧であり、プルイン電圧未満に設定される。したがって、この時点では、MEMS可変容量11はアップ状態のままである。プルイン電圧とは、上部電極45が下に動くのに要する電圧である。ホールド電圧とは、上部電極45が下に動いて絶縁膜46と接触した後、この状態を保持するのに要する電圧である。
以下に、本実施形態の動作1に係る半導体装置10の実験結果について説明する。半導体装置10の実験結果を測定するに当たって、下記表に示す数値を用いた。また、表の(1)〜(3)と条件を変えて3パターンの測定を行った。
図9から理解できるように、3つの条件(1)〜(3)のどれを取っても、電位差δVが大きくなっている。
次に、MEMS可変容量11を駆動する際に、下部電極43と上部電極45との間に、下部電極43から上部電極45へ向かう電界(下向きの電界)を印加する例について説明する。
以下に、本実施形態の動作2に係る半導体装置10の実験結果について説明する。半導体装置10の実験結果を測定するに当たって使用したパラメータの数値は、上記表と同じである。
図12から理解できるように、3つの条件(1)〜(3)のどれを取っても、電位差δVが大きくなっている。
図13は、半導体装置10の他の構成例を示すブロック図である。半導体装置10は、n(nは2以上の整数)個のバンクBK1〜BKnを備えている。各バンクBKは、図1の回路と同じである。なお、チャージポンプ14、電圧生成回路16及び制御回路19は、複数のバンクBKで共用される。このようなバンク構造を有する半導体装置10でも、各バンクBKが前述した動作を行うことができる。
以上詳述したように本実施形態では、半導体装置10は、上部電極45及び下部電極43(若しくは44)とこれらの間に設けられた絶縁膜46とを有する静電アクチュエータ11と、この絶縁膜46に蓄積された電荷量を検知する電荷検知回路15とを備えている。電荷検知回路15は、上部電極45及び下部電極43のうち寄生容量が小さい方(本実施形態では、上部電極45側)に接続される。そして、電界を下向きに印加する第1の電荷検知動作において、上部電極45にモニタ電圧Vmonを印加した状態で、上部電極45をブーストするブーストキャパシタCBTの一端に電圧Vholdを印加する。この時の上部電極45の電圧変化量を電荷検知回路15により検知することで、モニタ電圧Vmonが印加された状態で静電アクチュエータ11がアップ状態であるかダウン状態であるかを判定するようにしている。
Claims (6)
- 第1及び第2の下部電極と、前記第1及び第2の下部電極の上方にアンカーによって支持されかつ下に駆動する上部電極と、前記第1及び第2の下部電極と前記上部電極との間に設けられた絶縁膜とを有し、前記第1の下部電極及び前記上部電極から構成される第1の可変容量素子と、前記第2の下部電極及び前記上部電極から構成される第2の可変容量素子とを有する静電アクチュエータと、
前記第1の下部電極に接続された第1の固定容量素子と、
前記第2の下部電極に接続された第2の固定容量素子と、
前記上部電極に接続され、前記絶縁膜に蓄積された電荷量を検知する検知回路と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 下部電極と、前記下部電極の上方にアンカーによって支持されかつ下に駆動する上部電極と、前記下部電極及び前記上部電極間に設けられた絶縁膜とを有する静電アクチュエータと、
前記下部電極及び前記上部電極のうち寄生容量が小さい方に接続され、前記絶縁膜に蓄積された電荷量を検知する検知回路と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記上部電極に第1の電極が接続されたブーストキャパシタを有し、前記下部電極及び前記上部電極間に下向きの電界を印加して前記上部電極を下に駆動し、前記静電アクチュエータをダウン状態にする駆動回路と、
前記絶縁膜に蓄積された電荷量が閾値以上であるか否かを判定するためのモニタ電圧を生成する電圧生成回路と、
前記静電アクチュエータがダウン状態において前記上部電極に前記モニタ電圧を印加した後、前記ブーストキャパシタの第2の電極に第1の電圧を印加する制御回路と、
をさらに具備し、
前記検知回路は、前記第1の電圧の印加時に、前記上部電極の電圧変化量を検知することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記下部電極及び前記上部電極間に上向きの電界を印加して前記上部電極を下に駆動し、前記静電アクチュエータをダウン状態にする駆動回路と、
前記絶縁膜に蓄積された電荷量が閾値以上であるか否かを判定するためのモニタ電圧を生成する電圧生成回路と、
前記静電アクチュエータがダウン状態において前記下部電極に前記モニタ電圧を印加した後、前記下部電極に第1の電圧を印加する制御回路と、
をさらに具備し、
前記検知回路は、前記第1の電圧の印加時に、前記上部電極の電圧変化量を検知することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 下部電極と、前記下部電極の上方にアンカーによって支持されかつ下に駆動する上部電極と、前記下部電極及び前記上部電極間に設けられた絶縁膜とを有する静電アクチュエータの駆動方法であって、
前記下部電極及び前記上部電極間に下向きの電界を印加する工程と、
前記上部電極を下に駆動し、前記静電アクチュエータをダウン状態にする工程と、
前記上部電極に、前記絶縁膜に蓄積された電荷量が閾値以上であるか否かを判定するためのモニタ電圧を印加する工程と、
前記上部電極に第1の電極が接続されたブーストキャパシタの第2の電極に第1の電圧を印加する工程と、
前記上部電極の電圧変化量を検知する工程と、
を具備することを特徴とする静電アクチュエータの駆動方法。 - 下部電極と、前記下部電極の上方にアンカーによって支持されかつ下に駆動する上部電極と、前記下部電極及び前記上部電極間に設けられた絶縁膜とを有する静電アクチュエータの駆動方法であって、
前記下部電極及び前記上部電極間に上向きの電界を印加する工程と、
前記上部電極を下に駆動し、前記静電アクチュエータをダウン状態にする工程と、
前記下部電極に、前記絶縁膜に蓄積された電荷量が閾値以上であるか否かを判定するためのモニタ電圧を印加する工程と、
前記下部電極に第1の電圧を印加する工程と、
前記上部電極の電圧変化量を検知する工程と、
を具備することを特徴とする静電アクチュエータの駆動方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010192599A JP5591629B2 (ja) | 2010-08-30 | 2010-08-30 | 半導体装置、及び静電アクチュエータの駆動方法 |
PCT/JP2011/069969 WO2012029933A2 (en) | 2010-08-30 | 2011-08-26 | Semiconductor device and drive method of electrostatic actuator |
CN201180029396.7A CN102959850B (zh) | 2010-08-30 | 2011-08-26 | 半导体器件和静电致动器的驱动方法 |
TW100131127A TWI497897B (zh) | 2010-08-30 | 2011-08-30 | 半導體裝置及靜電致動器之驅動方法 |
US13/719,924 US8604725B2 (en) | 2010-08-30 | 2012-12-19 | Semiconductor device and drive method of electrostatic actuator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010192599A JP5591629B2 (ja) | 2010-08-30 | 2010-08-30 | 半導体装置、及び静電アクチュエータの駆動方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012050301A true JP2012050301A (ja) | 2012-03-08 |
JP5591629B2 JP5591629B2 (ja) | 2014-09-17 |
Family
ID=44789569
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010192599A Expired - Fee Related JP5591629B2 (ja) | 2010-08-30 | 2010-08-30 | 半導体装置、及び静電アクチュエータの駆動方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8604725B2 (ja) |
JP (1) | JP5591629B2 (ja) |
CN (1) | CN102959850B (ja) |
TW (1) | TWI497897B (ja) |
WO (1) | WO2012029933A2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP5050022B2 (ja) | 2009-09-16 | 2012-10-17 | 株式会社東芝 | Memsデバイス |
JP5204066B2 (ja) | 2009-09-16 | 2013-06-05 | 株式会社東芝 | Memsデバイス |
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-
2010
- 2010-08-30 JP JP2010192599A patent/JP5591629B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-08-26 CN CN201180029396.7A patent/CN102959850B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-26 WO PCT/JP2011/069969 patent/WO2012029933A2/en active Application Filing
- 2011-08-30 TW TW100131127A patent/TWI497897B/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-12-19 US US13/719,924 patent/US8604725B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5591629B2 (ja) | 2014-09-17 |
TW201230654A (en) | 2012-07-16 |
US20130106318A1 (en) | 2013-05-02 |
WO2012029933A2 (en) | 2012-03-08 |
US8604725B2 (en) | 2013-12-10 |
CN102959850A (zh) | 2013-03-06 |
WO2012029933A3 (en) | 2012-04-26 |
TWI497897B (zh) | 2015-08-21 |
CN102959850B (zh) | 2015-09-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120809 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131205 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131212 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140107 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140109 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140116 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140310 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140701 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140730 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |