JP2012048819A - 荷電粒子線装置および試料観察方法 - Google Patents
荷電粒子線装置および試料観察方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012048819A JP2012048819A JP2010186734A JP2010186734A JP2012048819A JP 2012048819 A JP2012048819 A JP 2012048819A JP 2010186734 A JP2010186734 A JP 2010186734A JP 2010186734 A JP2010186734 A JP 2010186734A JP 2012048819 A JP2012048819 A JP 2012048819A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- detector
- optical system
- ion beam
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching for microworking, e.g. etching of gratings, trimming of electrical components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/024—Moving components not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/18—Vacuum control means
- H01J2237/184—Vacuum locks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31745—Etching microareas for preparing specimen to be viewed in microscopes or analyzed in microanalysers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31749—Focused ion beam
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
【解決手段】試料の観察面を観察するための電子ビームを発生させる電子ビーム光学系カラムと、試料を加工するイオンビームを発生させるイオンビーム光学系カラムと、試料から発生した二次信号または透過電子を検出する検出器と、該検出器を載置し電子ビームの光軸とイオンビームの光軸とが交わるクロスポイントを中心として両光軸を含む平面内で回転可能であり、試料の観察面とクロスポイントとの間の距離を変えることができる試料ステージとを備える。
【選択図】 図1
Description
2 イオンビーム光学系
3 電子ビーム光学系
4 デポジションガス源
5 試料室
6 第1試料ステージ
7 第2試料ステージ
8 第2検出器
9 第1検出器
10 プローブ
11 プローブ駆動機構
12 搬送機構
13 搬送アーム
20,21 コネクタ
22 センサ
30,62 電子ビーム
31,41 主軸
40,60 イオンビーム
51,65 透過電子
52 明視野透過電子
53 暗視野透過電子
54 明視野検出部
55 暗視野検出部
61 デポジションガス
71 バルク試料
72 微小試料
73 薄膜試料
Claims (10)
- イオンビームを試料へ照射するイオンビーム光学系カラムと、
電子ビームを前記試料へ照射する電子ビーム光学系カラムと、
前記試料を載置し平面移動及び傾斜移動可能な第1試料ステージと、
前記試料から発生する信号を検出する検出器と、
前記試料または前記検出器を搭載可能な第2試料ステージとを備え、
前記検出器が、前記第1試料ステージを中心に傾斜可能であることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記検出器が前記第2試料ステージに着脱可能であることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記検出器が、透過電子像および二次信号像を取得できることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記電子ビーム光学系カラムの光軸と前記イオンビーム光学系カラムの光軸のクロスポイントを中心に、前記第2試料ステージが傾斜可能であることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 試料の観察面を観察するために使用する光学系が選択される光学系選択ステップと、
前記試料の観察面の角度が設定される観察面角度設定ステップと、
前記試料から発生する二次信号を検出する検出器の位置が設定される検出器位置設定ステップと
を有することを特徴とする試料観察方法。 - 請求項5の記載において、
前記光学系選択ステップでは、イオンビーム光学系または電子ビーム光学系のいずれかが選択されることを特徴とする試料観察方法。 - 請求項5の記載において、
前記観察面角度設定ステップでは、前記試料の観察面が前記電子ビーム光学系に向く方向と、前記イオンビーム光学系に向く方向と、前記イオンビーム光学系の光軸に平行となる方向とに傾斜することが可能であることを特徴とする試料観察方法。 - 請求項5の記載において、
前記検出器位置設定ステップでは、前記検出器が前記試料の観察面の法線に対して、前記電子ビーム光学系の光軸と前記検出器の主軸とが線対称になる位置と、前記イオンビーム光学系の光軸と前記検出器の主軸が線対称になる位置と、前記電子ビーム光学系の光軸上であって、前記試料を透過した電子ビームが通過する位置とのいずれかに移動可能であることを特徴とする試料観察方法。 - 試料の観察面を観察するための電子ビームを発生させる電子ビーム光学系カラムと、
前記試料を加工するイオンビームを発生させるイオンビーム光学系カラムと、
前記試料から発生した二次信号または透過電子を検出する検出器と、
該検出器を載置し前記電子ビームの光軸と前記イオンビームの光軸とが交わるクロスポイントを中心として両光軸を含む平面内で回転可能であり、前記試料の観察面とクロスポイントとの間の距離を変えることができる試料ステージとを備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 試料の観察面を観察するための電子ビームを発生させる電子ビーム光学系カラムと、
前記試料を加工するイオンビームを発生させるイオンビーム光学系カラムと、
前記イオンビームを用いた加工により前記試料から切り出された微小試料を載置する第1試料ステージと、
前記微小試料を切り出す前の試料と該試料からの透過電子を検出する検出器とを載置し、水平方向の移動,垂直方向の移動,傾斜が可能な第2試料ステージとを備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010186734A JP5386453B2 (ja) | 2010-08-24 | 2010-08-24 | 荷電粒子線装置および試料観察方法 |
PCT/JP2011/067638 WO2012026291A1 (ja) | 2010-08-24 | 2011-08-02 | 荷電粒子線装置および試料観察方法 |
US13/817,644 US8791413B2 (en) | 2010-08-24 | 2011-08-02 | Charged particle beam device and sample observation method using a rotating detector |
EP11819755.7A EP2610891B1 (en) | 2010-08-24 | 2011-08-02 | Charged particle beam device and sample observation method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010186734A JP5386453B2 (ja) | 2010-08-24 | 2010-08-24 | 荷電粒子線装置および試料観察方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012048819A true JP2012048819A (ja) | 2012-03-08 |
JP5386453B2 JP5386453B2 (ja) | 2014-01-15 |
Family
ID=45723298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010186734A Active JP5386453B2 (ja) | 2010-08-24 | 2010-08-24 | 荷電粒子線装置および試料観察方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8791413B2 (ja) |
EP (1) | EP2610891B1 (ja) |
JP (1) | JP5386453B2 (ja) |
WO (1) | WO2012026291A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120286159A1 (en) * | 2011-03-31 | 2012-11-15 | Doenitz Dietmar | Particle beam device having a detector arrangement |
WO2016088249A1 (ja) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置による観察方法 |
JP2017182923A (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 試料ホルダー、集束イオンビーム装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6085150B2 (ja) * | 2012-03-16 | 2017-02-22 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 試料作製装置及び試料作製方法 |
JP6529264B2 (ja) * | 2014-01-22 | 2019-06-12 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置および試料観察方法 |
JP6346016B2 (ja) * | 2014-07-17 | 2018-06-20 | 日本電子株式会社 | 放射線分析装置 |
JP6711655B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2020-06-17 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 集束イオンビーム装置 |
CZ309656B6 (cs) * | 2018-10-10 | 2023-06-21 | Tescan Brno, S.R.O. | Zařízení s alespoň jedním polohovatelným držákem vzorků a způsob změny úhlu náklonu držáku a způsob přípravy lamely |
EP3644341A1 (en) | 2018-10-25 | 2020-04-29 | Bruker Nano GmbH | Moveable detector |
US11719923B2 (en) | 2020-06-15 | 2023-08-08 | Saudi Arabian Oil Company | Sample holder for using mounted SEM samples in upright and inverted optical microscopes and spectrometers |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5568059A (en) * | 1978-11-17 | 1980-05-22 | Jeol Ltd | Automatic position setter for reflective electron beam detector in scanning electronic microscope |
JPS59201356A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-14 | Shimadzu Corp | 走査型電子顕微鏡 |
JPS6188442A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム照射装置 |
JP2002150990A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-24 | Hitachi Ltd | 微小試料加工観察方法及び装置 |
JP2008210702A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム装置及び印加電圧制御方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2602287B2 (ja) * | 1988-07-01 | 1997-04-23 | 株式会社日立製作所 | X線マスクの欠陥検査方法及びその装置 |
EP1209737B2 (en) * | 2000-11-06 | 2014-04-30 | Hitachi, Ltd. | Method for specimen fabrication |
JP4664041B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2011-04-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置及び試料作製方法 |
JP4679978B2 (ja) * | 2005-06-28 | 2011-05-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム応用装置 |
JP4878135B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2012-02-15 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 荷電粒子ビーム装置及び試料加工方法 |
US7834315B2 (en) * | 2007-04-23 | 2010-11-16 | Omniprobe, Inc. | Method for STEM sample inspection in a charged particle beam instrument |
DE102008064781B3 (de) * | 2007-04-23 | 2016-01-07 | Hitachi High-Technologies Corporation | lonenstrahlbearbeitungs-/Betrachtungsvorrichtung |
US8835845B2 (en) * | 2007-06-01 | 2014-09-16 | Fei Company | In-situ STEM sample preparation |
US20100025580A1 (en) * | 2008-08-01 | 2010-02-04 | Omniprobe, Inc. | Grid holder for stem analysis in a charged particle instrument |
EP2175473B1 (en) * | 2008-10-08 | 2011-03-09 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle detection apparatus and detection method |
-
2010
- 2010-08-24 JP JP2010186734A patent/JP5386453B2/ja active Active
-
2011
- 2011-08-02 EP EP11819755.7A patent/EP2610891B1/en active Active
- 2011-08-02 US US13/817,644 patent/US8791413B2/en active Active
- 2011-08-02 WO PCT/JP2011/067638 patent/WO2012026291A1/ja active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5568059A (en) * | 1978-11-17 | 1980-05-22 | Jeol Ltd | Automatic position setter for reflective electron beam detector in scanning electronic microscope |
JPS59201356A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-14 | Shimadzu Corp | 走査型電子顕微鏡 |
JPS6188442A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム照射装置 |
JP2002150990A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-24 | Hitachi Ltd | 微小試料加工観察方法及び装置 |
JP2008210702A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム装置及び印加電圧制御方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120286159A1 (en) * | 2011-03-31 | 2012-11-15 | Doenitz Dietmar | Particle beam device having a detector arrangement |
US8901510B2 (en) * | 2011-03-31 | 2014-12-02 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Particle beam device having a detector arrangement |
WO2016088249A1 (ja) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置による観察方法 |
JPWO2016088249A1 (ja) * | 2014-12-05 | 2017-09-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置による観察方法 |
JP2017182923A (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 試料ホルダー、集束イオンビーム装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012026291A1 (ja) | 2012-03-01 |
EP2610891A1 (en) | 2013-07-03 |
JP5386453B2 (ja) | 2014-01-15 |
EP2610891B1 (en) | 2018-05-30 |
EP2610891A4 (en) | 2015-01-14 |
US20130146765A1 (en) | 2013-06-13 |
US8791413B2 (en) | 2014-07-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5386453B2 (ja) | 荷電粒子線装置および試料観察方法 | |
JP4307470B2 (ja) | 荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置 | |
US8723144B2 (en) | Apparatus for sample formation and microanalysis in a vacuum chamber | |
US9384941B2 (en) | Charged particle beam apparatus and sample observation method | |
KR20160119840A (ko) | 시료에 따른 전자 회절 패턴 분석을 수행하는 방법 | |
JP5066393B2 (ja) | 異物・欠陥検査・観察システム | |
WO2011011661A2 (en) | Method and apparatus for the monitoring of sample milling in a charged particle instrument | |
JP2007018928A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP5125123B2 (ja) | 微小試料加工観察方法及び装置 | |
JP3874011B2 (ja) | 微小試料加工観察方法及び装置 | |
JP4100450B2 (ja) | 微小試料加工観察方法及び装置 | |
JP5125174B2 (ja) | 微小試料加工観察方法及び装置 | |
JP3941816B2 (ja) | 微小試料加工観察方法及び装置 | |
JP2016143532A (ja) | 荷電粒子ビーム装置および欠陥検査システム | |
JP2008014631A (ja) | 真空チャンバーにおけるサンプル形成及びマイクロ分析のための方法及び装置 | |
JP3904020B2 (ja) | 微小試料加工観察方法及び装置 | |
JP5125184B2 (ja) | 微小試料加工観察方法及び装置 | |
JP3904018B2 (ja) | 微小試料加工観察方法及び装置 | |
JP2005203383A (ja) | 微小試料加工観察方法及び装置 | |
JP2005285776A (ja) | 微小試料加工観察方法及び装置 | |
JP5125143B2 (ja) | 微小試料加工観察方法及び装置 | |
JP2011180153A (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
JP2008210811A (ja) | 微小試料加工観察方法及び装置 | |
JP2007128923A (ja) | 微小試料加工観察方法及び装置 | |
JP2009049021A (ja) | 微小試料加工観察方法及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120227 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120518 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130611 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130910 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131007 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5386453 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |