JP2012048162A - 放射線撮影装置、及び放射線撮影システム - Google Patents

Abstract

【課題】撮影される放射線画像の画質の低下を抑制できる放射線撮影装置、及び放射線撮影システムを提供する。
【解決手段】光源９５からの光を放射線検出器６０に導光する導光板６１の白濁を検出を行い、導光板６１の白濁が検出された場合、報知を行う。
【選択図】図７

Description

本発明は、放射線撮影装置、及び放射線撮影システムに係り、特に、放射線源から射出されて被検者を透過した放射線により示される放射線画像の撮影を行う放射線撮影装置、及び放射線撮影システムに関する。

近年、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス基板上に放射線感応層を配置し、Ｘ線などの放射線を直接デジタルデータに変換できるＦＰＤ（Flat Panel Detector）等の放射線検出器が実用化されており、この放射線検出器を用いて、照射された放射線により表わされる放射線画像を撮影する放射線撮影装置が実用化されている。この放射線検出器を用いた放射線撮影装置は、従来のＸ線フィルムやイメージングプレートを用いた放射線撮影装置に比べて、即時に画像を確認でき、連続的に放射線画像の撮影を行う透視撮影（動画撮影）も行うことができるといったメリットがある。

この種の放射線検出器は、種々のタイプのものが提案されており、例えば、放射線を一度ＣｓＩ：Ｔｌ、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）などのシンチレータで光に変換し、変換した光をフォトダイオードなどのセンサ部で電荷に変換して蓄積する間接変換方式等がある。放射線撮影装置では、放射線検出器に蓄積された電荷を電気信号として読み出し、読み出した電気信号をアンプで増幅した後にＡ／Ｄ（アナログ／デジタル）変換部でデジタルデータに変換している。

ところで、間接変換方式の放射線検出器では、フォトダイオードなどのセンサ部内の不純物電位に電荷がトラップされてしまい、残像を生じる場合がある。

この残像を消去する技術として、放射線検出器の基板を光透過性を有する材料で形成し、基板側に導光板を配置して基板側から光を照射して放射線検出器の各センサ部の不純物電位を撮影前に埋めておくことでノイズを低下させる光キャリブレーション法が知られている。

例えば、特許文献１には、入射する放射線を光に変換するシンチレータと、光を電気信号に変換する複数の光電変換素子が２次元アレイ状に配置された光電変換素子基板とを具備した放射線撮影装置において、光電変換素子基板のシンチレータ側と反対側の面に導光板を配置し、導光板を介して光を検出する光検出器と、導光板を介して光を照射する光源とを設けた放射線撮影装置が提案されている。この特許文献１の放射線撮影装置では、シンチレータの光を導光板を介して光検出器で検出することにより、放射線の照射量を検出している。また、特許文献１の放射線撮影装置では、光電変換素子基板の各光電変換素子に導光板を介して光源からの光を照射することで、光電変換素子の特性を改善する光キャリブレーションを行っている。

また、特許文献１には、イメージングプレートに導光板を用いて消去光を照射する画像消去装置において、導光板の端面に光を検出するセンサを設けて、消去光の光量を制御する技術が記載されている。

特開２００７−１４７３７０号公報 特開２００８−１５２４９号公報

ところで、導光板は、経時的に白濁を生じたりや黄色に変色する場合があり、導光板が白濁したり黄色に変色するなど変性した場合、放射線検出器の各センサ部に光を十分に導けず、残像を十分に消去できないため、撮影される放射線画像の画質が低下する場合がある。また、導光板の白濁や黄色への変色は一様に進行するとは限らず、白濁や黄色に変色した部分のムラによって撮影される放射線画像にムラが発生し、撮影される放射線画像の画質が低下する場合もある。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、撮影される放射線画像の画質の低下を抑制できる放射線撮影装置、及び放射線撮影システムを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、請求項１に記載の放射線撮影装置は、平板状でかつ光透過性を有する基板の一方の面の撮影領域に光を検出する複数のセンサ部が形成され、当該複数のセンサ部上に照射された放射線を光に変換する変換層が形成された撮影パネルと、
前記基板の他方の面に少なくとも前記撮影領域を覆うように配置され、光透過性を有するプラスチック材料により形成されて入射した光を前記撮影領域に導光する導光板と、前記導光板に光を照射する光源と、前記導光板の変性を検出する検出手段と、前記検出手段により前記導光板の変性が検出された場合、報知手段による報知、前記撮影パネルの撮影領域の周辺部分を用いる撮影の制限、及び前記導光板の破損が防止される撮影方法のガイドの少なくとも１つを行うように制御する制御手段と、を備えている。

請求項１によれば、撮影パネルは、平板状でかつ光透過性を有する基板の一方の面の撮影領域に光を検出する複数のセンサ部が形成され、当該複数のセンサ部上に照射された放射線を光に変換する変換層が形成されている。また、基板の他方の面に少なくとも撮影領域を覆うように、光透過性を有するプラスチック材料により形成されて入射した光を撮影領域に導光する導光板が配置されており、光源から導光板に光が照射される。

そして、検出手段により、導光板の変性の検出が行われ、検出手段により前記導光板の変性が検出された場合、制御手段により、報知手段による報知、前記撮影パネルの撮影領域の周辺部分を用いる撮影の制限、及び前記導光板の破損が防止される撮影方法のガイドの少なくとも１つが行うように制御される。

このように、請求項１に記載の発明によれば、導光板の変性が検出された場合、報知を行うことにより、導光板の交換などのメンテナンスを促すことができるため、撮影される放射線画像の画質の低下を抑制できる。また、導光板の変性が検出された場合、撮影パネルの撮影領域の周辺部分を用いる撮影の制限して撮影領域の中央部での撮影を行うことにより、撮影される放射線画像の画質の低下を抑制できる。また、導光板の変性が検出された場合、導光板の破損が防止される撮影方法のガイドを行うことにより、導光板の破損が防止されるため、撮影される放射線画像の画質の低下を抑制できる。

なお、本発明は、請求項２記載の発明のように、前記検出手段が、前記導光板に前記光源から光を照射した状態で前記撮影パネルの各センサ部により光を検出して得られた画像の変化に基づき、前記導光板の変性を検出してもよい。

また、請求項２記載の発明は、請求項３記載の発明のように、前記検出手段が、前記画像の中央部分と周辺部分の画素値の変化に基づき、前記導光板の変性を検出してもよい。

また、請求項１記載の発明は、請求項４記載の発明のように、前記導光板を導光される光の光量を検出する光検出部をさらに備え、前記検出手段が、前記導光板に前記光源から光を照射した状態で前記光検出部により検出される光量の経時的な変化に基づき、前記導光板の変性を検出してもよい。

また、請求項４記載の発明は、請求項５記載の発明のように、前記光源と前記光検出部が、前記導光板の側面に互いに対向するように設けらることが好ましい。

また、本発明は、請求項６記載の発明のように、前記放射線撮影装置のメンテナンスを行う外部のデータセンタのサーバ・コンピュータと通信を行う通信手段をさらに備え、制御手段が、前記検出手段により前記導光板の変性が検出された場合、前記通信手段を介してサーバ・コンピュータに前記導光板の変性が検出されたことの通知を行うものとしてもよい。

また、本発明は、請求項７記載の発明のように、前記導光板の変性を、前記導光板の白濁及び黄色への変色とてもよい。

一方、上記目的を達成するために、請求項８記載の放射線撮影システムは、平板状でかつ光透過性を有する基板の一方の面の撮影領域に光を検出する複数のセンサ部が形成され、当該複数のセンサ部上に照射された放射線を光に変換する変換層が形成された撮影パネルと、前記基板の他方の面に少なくとも前記撮影領域を覆うように配置され、光透過性を有するプラスチック材料により形成されて入射した光を前記撮影領域に導光する導光板と、前記導光板に光を照射する光源と、前記導光板の変性を検出する検出手段と、前記検出手段により前記導光板の変性が検出された場合、報知手段による報知、前記撮影パネルの撮影領域の周辺部分を用いる撮影の制限、及び前記導光板の破損が防止される撮影方法のガイドの少なくとも１つを行うように制御する制御手段と、を有している。

従って、本発明によれば、請求項１同様に作用するため、撮影される放射線画像の画質の低下を抑制できる。

本発明によれば、撮影される放射線画像の画質の低下を抑制できる、という効果が得られる。

第１の実施の形態に係る放射線情報システムの構成を示すブロック図である。 第１の実施の形態に係る放射線画像撮影システムの放射線撮影室における各装置の配置状態の一例を示す側面図である。 第１の実施の形態に係る電子カセッテの内部構成を示す透過斜視図である。 第１の実施の形態に係る放射線検出器及び放射線検出部の構成を模式的に示した断面図である。 第１の実施の形態に係る放射線検出器の薄膜トランジスタ及びコンデンサの構成を示した断面図である。 第１の実施の形態に係るＴＦＴ基板の構成を示す平面図である。 第１の実施の形態に係る電子カセッテ内部の構成を示す側面図である。 第１の実施の形態に係る電子カセッテの電気系の要部構成を示すブロック図である。 実施の形態に係るコンソール及び放射線発生装置の電気系の要部構成を示すブロック図である。 第１の実施の形態に係る白濁検出処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。 第１の実施の形態に係る撮影された画像における中央部分と複数の周辺部分を示した模式図である。 第２の実施の形態に係る電子カセッテ内部の構成を示す側面図である。 第２の実施の形態に係る電子カセッテの電気系の要部構成を示すブロック図である。 第２の実施の形態に係る白濁検出処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。 第２の実施の形態に係る光検出部により検出される光量の変化の一例を示すグラフである。

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、ここでは、本発明を、可搬型の放射線撮影装置（以下「電子カセッテ」ともいう。）を用いて放射線画像の撮影を行う放射線画像撮影システムに適用した場合の形態例について説明する。また、以下では導光板が変性により白濁する場合を例にして説明する。

［第１の実施の形態］
まず、図１を参照して、本実施の形態に係る放射線情報システム（以下、「ＲＩＳ（Radiology Information System）」と称する。）１０の構成について説明する。

ＲＩＳ１０は、放射線科部門内における、診療予約、診断記録等の情報管理を行うためのシステムであり、病院情報システム（以下、「ＨＩＳ（Hospital Information System）」と称する。）の一部を構成する。

ＲＩＳ１０は、複数台の撮影依頼端末装置（以下、「端末装置」と称する。）１２、ＲＩＳサーバ１４、及び病院内の放射線撮影室（あるいは手術室）の個々に設置された放射線画像撮影システム（以下、「撮影システム」と称する。）１８を有しており、これらが有線や無線のＬＡＮ（Local Area Network）等から成る病院内ネットワーク１６に各々接続されて構成されている。なお、ＲＩＳ１０は、同じ病院内に設けられたＨＩＳの一部を構成しており、病院内ネットワーク１６には、ＨＩＳ全体を管理するＨＩＳサーバ（図示省略。）も接続されている。

端末装置１２は、医師や放射線技師が、診断情報や施設予約の入力、閲覧等を行うためのものであり、放射線画像の撮影依頼や撮影予約もこの端末装置１２を介して行われる。各端末装置１２は、表示装置を有するパーソナル・コンピュータを含んで構成され、ＲＩＳサーバ１４と病院内ネットワーク１６を介して相互通信が可能とされている。

この病院内ネットワーク１６は、ルータなどの不図示のネットワーク機器を介してインターネットなどの外部ネットワークＮＥＴと接続されており、外部ネットワークＮＥＴを介して、電子カセッテ３２のメンテナンスを行う外部のデータセンタ２００に設けられたサーバ・コンピュータ（以下「サーバ」という。）２０２と通信を行うことも可能とされている
一方、ＲＩＳサーバ１４は、各端末装置１２からの撮影依頼を受け付け、撮影システム１８における放射線画像の撮影スケジュールを管理するものであり、データベース１４Ａを含んで構成されている。

データベース１４Ａは、患者（被検者）の属性情報（氏名、性別、生年月日、年齢、血液型、体重、患者ＩＤ（Identification）等）、病歴、受診歴、過去に撮影した放射線画像等の患者に関する情報、撮影システム１８で用いられる、後述する電子カセッテ３２の識別番号（ＩＤ情報）、型式、サイズ、感度、使用可能な撮影部位（対応可能な撮影依頼の内容）、使用開始年月日、使用回数等の電子カセッテ３２に関する情報、及び電子カセッテ３２を用いて放射線画像を撮影する環境、すなわち、電子カセッテ３２を使用する環境（一例として、放射線撮影室や手術室等）を示す環境情報を含んで構成されている。

撮影システム１８は、ＲＩＳサーバ１４からの指示に応じて医師や放射線技師の操作により放射線画像の撮影を行う。撮影システム１８は、放射線源１３０（図２も参照。）から曝射条件に従った線量とされた放射線Ｘ（図３も参照。）を被検者に照射する放射線発生装置３４と、被検者の撮影部位を透過した放射線Ｘを吸収して電荷を発生し、発生した電荷量に基づいて放射線画像を示す画像情報を生成する放射線検出器６０（図３も参照。）を内蔵する電子カセッテ３２と、電子カセッテ３２に内蔵されているバッテリを充電するクレードル４０と、電子カセッテ３２，放射線発生装置３４，及びクレードル４０を制御するコンソール４２と、を備えている。

コンソール４２は、ＲＩＳサーバ１４からデータベース１４Ａに含まれる各種情報を取得して後述するＨＤＤ１１０（図９参照。）に記憶し、当該情報に基づいて、電子カセッテ３２、放射線発生装置３４、及びクレードル４０の制御を行う。

図２には、本実施の形態に係る撮影システム１８の放射線撮影室４４における各装置の配置状態の一例が示されている。

同図に示すように、放射線撮影室４４には、立位での放射線撮影を行う際に用いられる立位台４５と、臥位での放射線撮影を行う際に用いられる臥位台４６とが設置されており、立位台４５の前方空間は立位での放射線撮影を行う際の被検者の撮影位置４８とされ、臥位台４６の上方空間は臥位での放射線撮影を行う際の被検者の撮影位置５０とされている。

立位台４５には電子カセッテ３２を保持する保持部１５０が設けられており、立位での放射線画像の撮影を行う際には、電子カセッテ３２が保持部１５０に保持される。同様に、臥位台４６には電子カセッテ３２を保持する保持部１５２が設けられており、臥位での放射線画像の撮影を行う際には、電子カセッテ３２が保持部１５２に保持される。

また、放射線撮影室４４には、単一の放射線源１３０からの放射線によって立位での放射線撮影も臥位での放射線撮影も可能とするために、放射線源１３０を、水平な軸回り（図２の矢印Ａ方向）に回動可能で、鉛直方向（図２の矢印Ｂ方向）に移動可能で、さらに水平方向（図２の矢印Ｃ方向）に移動可能に支持する支持移動機構５２が設けられている。ここで、支持移動機構５２は、放射線源１３０を水平な軸回りに回動させる駆動源と、放射線源１３０を鉛直方向に移動させる駆動源と、放射線源１３０を水平方向に移動させる駆動源を各々備えている（何れも図示省略。）。

一方、クレードル４０には、電子カセッテ３２を収納可能な収容部４０Ａが形成されている。

電子カセッテ３２は、未使用時にはクレードル４０の収容部４０Ａに収納された状態で内蔵されているバッテリに充電が行われ、放射線画像の撮影時には放射線技師等によってクレードル４０から取り出され、撮影姿勢が立位であれば立位台４５の保持部１５０に保持され、撮影姿勢が臥位であれば臥位台４６の保持部１５２に保持される。

ここで、本実施の形態に係る撮影システム１８では、放射線発生装置３４とコンソール４２とをそれぞれケーブルで接続して有線通信によって各種情報の送受信を行うが、図２では、放射線発生装置３４とコンソール４２を接続するケーブルを省略している。また、電子カセッテ３２とコンソール４２との間は、無線通信によって各種情報の送受信を行う。なお、放射線発生装置３４とコンソール４２の間の通信も無線通信によって通信を行うものとしてもよい。

なお、電子カセッテ３２は、立位台４５の保持部１５０や臥位台４６の保持部１５２で保持された状態のみで使用されるものではなく、その可搬性から、保持部に保持されていない状態で使用することもできる。

図３には、本実施の形態に係る電子カセッテ３２の内部構成が示されている。

同図に示すように、電子カセッテ３２は、放射線Ｘを透過させる材料からなる筐体５４を備えており、防水性、密閉性を有する構造とされている。電子カセッテ３２は、手術室等で使用されるとき、血液やその他の雑菌が付着するおそれがある。そこで、電子カセッテ３２を防水性、密閉性を有する構造として、必要に応じて殺菌洗浄することにより、１つの電子カセッテ３２を繰り返し続けて使用することができる。

筐体５４の内部には、被検者を透過した放射線Ｘによる放射線画像を撮影する放射線検出器６０、放射線検出器６０の残像を消去するための光を放射線検出器６０へ導くための導光板６１が順に配設されている。

また、筐体５４の内部の一端側には、マイクロコンピュータを含む電子回路及び充電可能で、かつ着脱可能なバッテリ９６Ａを収容するケース３１が配置されている。放射線検出器６０、及び電子回路は、ケース３１に配置されたバッテリ９６Ａから供給される電力によって作動する。ケース３１内部に収容された各種回路が放射線Ｘの照射に伴って損傷することを回避するため、ケース３１の撮影面５６側には鉛板等を配設しておくことが望ましい。なお、本実施の形態に係る電子カセッテ３２は、撮影面５６の形状が長方形とされた直方体とされており、その長手方向一端部にケース３１が配置されている。

また、筐体５４の外壁の所定位置には、‘レディ状態’，‘データ送信中’といった動作モード、バッテリ９６Ａの残容量の状態等の電子カセッテ３２の動作状態を示す表示を行う表示部５６Ａが設けられている。なお、本実施の形態に係る電子カセッテ３２では、表示部５６Ａとして、発光ダイオードを適用しているが、これに限らず、発光ダイオード以外の発光素子や、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等の他の表示手段としてもよい。

図４には、本実施形態に係る放射線検出器６０の構成を模式的に示した断面図が示されている。

放射線検出器６０は、絶縁性基板６４に薄膜トランジスタ（TFT：Thin Film Transistor、以下「ＴＦＴ」という）７０、及び蓄積容量６８が形成されたＴＦＴアクティブマトリクス基板（以下、「ＴＦＴ基板」という）６６を備えている。

このＴＦＴ基板６６上には、入射される放射線を光に変換するシンチレータ７１が配置される。

シンチレータ７１としては、例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）を用いることができる。なお、シンチレータ７１は、これらの材料に限られるものではない。

絶縁性基板６４としては、光透過性を有し且つ放射線の吸収が少ないものであれば何れでもよく、例えば、ガラス基板、透明セラミック基板、光透過性の樹脂基板を用いることができる。なお、絶縁性基板６４は、これらの材料に限られるものではない。

ＴＦＴ基板６６には、シンチレータ７１によって変換された光が入射されることにより電荷を発生するセンサ部７２が形成されている。また、ＴＦＴ基板６６には、ＴＦＴ基板６６上を平坦化するための平坦化層６７が形成されている。また、ＴＦＴ基板６６とシンチレータ７１との間であって、平坦化層６７上には、シンチレータ７１をＴＦＴ基板６６に接着するための接着層６９が形成されている。

センサ部７２は、上部電極７２Ａ、下部電極７２Ｂ、及び該上下の電極間に配置された光電変換膜７２Ｃを有している。

上部電極７２Ａ、及び下部電極７２ＢはＩＴＯ（酸化インジウムスズ）やＩＺＯ（酸化亜鉛インジウム）などの光透過性の高い材料を用いて形成しており、光透過性を有する。

光電変換膜７２Ｃは、シンチレータ７１から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。光電変換膜７２Ｃは、光が照射されることにより電荷を発生する材料により形成すればよく、例えば、アモルファスシリコンや有機光電変換材料などにより形成することができる。アモルファスシリコンを含む光電変換膜７２Ｃであれば、幅広い吸収スペクトルを持ち、シンチレータ７１による発光を吸収することができる。有機光電変換材料を含む光電変換膜７２Ｃであれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ７１による発光以外の電磁波が光電変換膜７２Ｃに吸収されることがほとんどなく、Ｘ線等の放射線が光電変換膜７２Ｃで吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。

本実施の形態では、光電変換膜７２Ｃに有機光電変換材料を含んで構成する。有機光電変換材料としては、例えば、キナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えば、キナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は５６０ｎｍであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ７１の材料としてＣｓＩ（Ｔｉ）を用いれば、上記ピーク波長の差を５ｎｍ以内にすることが可能となり、光電変換膜７２Ｃで発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。この光電変換膜７２Ｃとして適用可能な有機光電変換材料については、特開２００９−３２８５４号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。

図５には、本実施の形態に係るＴＦＴ基板６６に形成されたＴＦＴ７０及び蓄積容量６８の構成が概略的に示されている。

絶縁性基板６４上には、下部電極７２Ｂに対応して、下部電極７２Ｂに移動した電荷を蓄積する蓄積容量６８と、蓄積容量６８に蓄積された電荷を電気信号に変換して出力するＴＦＴ７０が形成されている。蓄積容量６８及びＴＦＴ７０の形成された領域は、平面視において下部電極７２Ｂと重なる部分を有しており、このような構成とすることで、各画素部における蓄積容量６８及びＴＦＴ７０とセンサ部７２とが厚さ方向で重なりを有することとなり、少なく面積で蓄積容量６８及びＴＦＴ７０とセンサ部７２を配置できる。

蓄積容量６８は、絶縁性基板６４と下部電極７２Ｂとの間に設けられた絶縁膜６５Ａを貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する下部電極７２Ｂと電気的に接続されている。これにより、下部電極７２Ｂで捕集された電荷を蓄積容量６８に移動させることができる。

ＴＦＴ７０は、ゲート電極７０Ａ、ゲート絶縁膜６５Ｂ、及び活性層（チャネル層）７０Ｂが積層され、さらに、活性層７０Ｂ上にソース電極７０Ｃとドレイン電極７０Ｄが所定の間隔を開けて形成されている。また、放射線検出器６０では、活性層７０Ｂが非晶質酸化物により形成されている。活性層７０Ｂを構成する非晶質酸化物としては、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうちの少なくとも１つを含む酸化物（例えば、Ｉｎ−Ｏ系）が好ましく、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうちの少なくとも２つを含む酸化物（例えば、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｇａ系、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系）がより好ましく、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含む酸化物が特に好ましい。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、ＩｎＧａＺｎＯ４がより好ましい。

ＴＦＴ７０の活性層７０Ｂを非晶質酸化物で形成したものとすれば、Ｘ線等の放射線を吸収せず、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、ノイズの発生を効果的に抑制することができる。

ここで、ＴＦＴ７０の活性層７０Ｂを構成する非晶質酸化物や、光電変換膜７２Ｃを構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、絶縁性基板６４としては、石英基板、及びガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の可撓性基板を用いることができる。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば、持ち運び等に有利となる。なお、絶縁性基板６４には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。

アラミドは、２００度以上の高温プロセスを適用できるために、透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバＩＣの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ＩＴＯ（indium tin oxide）やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して絶縁性基板６４を形成してもよい。

バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束（バクテリアセルロース）と透明樹脂との複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅５０ｎｍと可視光波長に対して１／１０のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を６０−７０％も含有しながら、波長５００nmで約９０％の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数（３−７ｐｐｍ）を有し、鋼鉄並の強度(４６０ＭＰa)、高弾性(３０ＧＰａ)で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄く絶縁性基板６４を形成できる。

図６には、本実施の形態に係るＴＦＴ基板６６の構成を示す平面図が示されている。

ＴＦＴ基板６６には、上述のセンサ部７２、蓄積容量６８、ＴＦＴ７０と、を含んで構成される画素７４が一定方向（図６の行方向）及び一定方向に対する交差方向（図６の列方向）に２次元状に複数設けられている。

また、ＴＦＴ基板６６には、一定方向（行方向）に延設され各ＴＦＴ７０をオン・オフさせるための複数本のゲート配線７６と、交差方向（列方向）に延設されオン状態のＴＦＴ７０を介して電荷を読み出すための複数本のデータ配線７８が設けられている。

放射線検出器６０は、平板状で平面視において外縁に４辺を有する四辺形状をしている。具体的には矩形状に形成されている。

本実施形態に係る放射線検出器６０は、図４に示すように、このようなＴＦＴ基板６６の表面にシンチレータ７１が貼り付けられて形成される。

シンチレータ７１は、例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ等の柱状結晶で形成しようとする場合、蒸着基板７３への蒸着によって形成される。このように蒸着によってシンチレータ７１を形成する場合、蒸着基板７３は、Ｘ線の透過率、コストの面からＡｌの板がよく使用され、蒸着の際のハンドリング性、自重による反り防止、輻射熱による変形等からある程度（数ｍｍ程度）の厚みが必要となる。なお、シンチレータ７１としてＧＯＳを用いる場合、蒸着基板７３を用いずにＴＦＴ基板６６の表面にＧＯＳを塗布することにより、シンチレータ７１を形成してもよい。

図７には、第１の実施形態に係る電子カセッテ３２内部の構成を示す側面図が示されている。なお、図７では、ＴＦＴ基板６６の画素７４が２次元状に複数設けられた撮影領域６６Ａを識別しやすくするため、撮影領域６６Ａを層として示している。

電子カセッテ３２内部には、シンチレータ７１側が筐体５４の撮影面５６側と対向するように放射線検出器６０が配置されている。

また、放射線検出器６０には、ＴＦＴ基板６６のシンチレータ７１側と反対側の面に平板状の導光板６１が配置されている。

導光板６１の１つの側面には、光源９５が配置されている。導光板６１には、光源９５からの光が入射する。導光板６１は、ＴＦＴ基板６６の画素７４が２次元状に複数設けられた矩形状の撮影領域６６Ａよりも大きいサイズで形成されており、撮影領域６６Ａを覆うように配置されている。導光板６１は、撮影領域６６Ａの周縁部の画素７４まで光源９５からの光を導光できる。

図８には、第１の実施の形態に係る電子カセッテ３２の電気系の要部構成を示すブロック図が示されている。

放射線検出器６０は、上述したように、センサ部７２、蓄積容量６８、ＴＦＴ７０を備えた画素７４がマトリクス状に多数個配置されており、電子カセッテ３２への放射線Ｘの照射に伴ってセンサ部７２で発生された電荷は、個々の画素７４の蓄積容量６８に蓄積される。これにより、電子カセッテ３２に照射された放射線Ｘに担持されていた画像情報は電荷情報へ変換されて放射線検出器６０に保持される。

また、放射線検出器６０の個々のゲート配線７６はゲート線ドライバ８０に接続されており、個々のデータ配線７８は信号処理部８２に接続されている。個々の画素７４の蓄積容量６８に電荷が蓄積されると、個々の画素７４のＴＦＴ７０は、ゲート線ドライバ８０からゲート配線７６を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、ＴＦＴ７０がオンされた画素７４の蓄積容量６８に蓄積されている電荷は、アナログの電気信号としてデータ配線７８を伝送されて信号処理部８２に入力される。従って、個々の画素７４の蓄積容量６８に蓄積されている電荷は行単位で順に読み出される。

信号処理部８２は、個々のデータ配線７８毎に設けられた増幅器及びサンプルホールド回路を備えており、個々のデータ配線７８を伝送された電気信号は増幅器で増幅された後にサンプルホールド回路に保持される。また、サンプルホールド回路の出力側にはマルチプレクサ、Ａ／Ｄ（アナログ／デジタル）変換器が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電気信号はマルチプレクサに順に（シリアルに）入力され、Ａ／Ｄ変換器によってデジタルデータへ変換される。

信号処理部８２には画像メモリ９０が接続されており、信号処理部８２のＡ／Ｄ変換器から出力されたデジタルデータは画像メモリ９０に順に記憶される。画像メモリ９０は複数フレーム分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、放射線検出器６０の各画素７４のデジタルデータが画像データとして画像メモリ９０に順次記憶される。

画像メモリ９０は電子カセッテ３２全体の動作を制御するカセッテ制御部９２と接続されている。カセッテ制御部９２はマイクロコンピュータを含んで構成されており、ＣＰＵ（中央処理装置）９２Ａ、ＲＯＭ（Read Only Memory）及びＲＡＭ（Random Access Memory）を含むメモリ９２Ｂ、ＨＤＤ（ハードディスク・ドライブ）やフラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部９２Ｃを備えている。

カセッテ制御部９２には、光源９５が接続されている。カセッテ制御部９２は光源９５の発光を制御することができる。

また、カセッテ制御部９２には無線通信部９４が接続されている。本実施の形態に係る無線通信部９４は、ＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）８０２．１１ａ／ｂ／ｇ等に代表される無線ＬＡＮ（Local Area Network）規格に対応しており、無線通信による外部機器との間での各種情報の伝送を制御する。カセッテ制御部９２は、無線通信部９４を介してコンソール４２と無線通信が可能とされており、コンソール４２との間で各種情報の送受信が可能とされている。

また、電子カセッテ３２には電源部９６が設けられており、上述した各種回路や各素子（ゲート線ドライバ８０、信号処理部８２、画像メモリ９０、無線通信部９４、カセッテ制御部９２、光源９５等）は、電源部９６から供給された電力によって作動する。電源部９６は、電子カセッテ３２の可搬性を損なわないように、前述したバッテリ（二次電池）９６Ａを内蔵しており、充電されたバッテリ９６Ａから各種回路や各素子へ電力を供給する。なお、図８では、電源部９６と各種回路や各素子を接続する配線の図示を省略している。

図９には、本実施の形態に係るコンソール４２及び放射線発生装置３４の電気系の要部構成を示すブロック図が示されている。

コンソール４２は、サーバ・コンピュータとして構成されており、操作メニューや撮影された放射線画像等を表示するディスプレイ１００と、複数のキーを含んで構成され、各種の情報や操作指示が入力される操作パネル１０２と、を備えている。

また、本実施の形態に係るコンソール４２は、装置全体の動作を司るＣＰＵ１０４と、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたＲＯＭ１０６と、各種データを一時的に記憶するＲＡＭ１０８と、各種データを記憶して保持するＨＤＤ１１０と、ディスプレイ１００への各種情報の表示を制御するディスプレイドライバ１１２と、操作パネル１０２に対する操作状態を検出する操作入力検出部１１４と、を備えている。また、コンソール４２は、接続端子４２Ａ及び通信ケーブル３５を介して放射線発生装置３４との間で後述する曝射条件等の各種情報の送受信を行う通信インタフェース（Ｉ／Ｆ）部１１６と、電子カセッテ３２との間で無線通信により曝射条件や画像データ等の各種情報の送受信を行う無線通信部１１８と、を備えている。

ＣＰＵ１０４、ＲＯＭ１０６、ＲＡＭ１０８、ＨＤＤ１１０、ディスプレイドライバ１１２、操作入力検出部１１４、通信インタフェース部１１６、及び無線通信部１１８は、システムバスＢＵＳを介して相互に接続されている。従って、ＣＰＵ１０４は、ＲＯＭ１０６、ＲＡＭ１０８、ＨＤＤ１１０へのアクセスを行うことができると共に、ディスプレイドライバ１１２を介したディスプレイ１００への各種情報の表示の制御、通信Ｉ／Ｆ部１１６を介した放射線発生装置３４との各種情報の送受信の制御、及び無線通信部１１８を介した放射線発生装置３４との各種情報の送受信の制御を各々行うことができる。また、ＣＰＵ１０４は、操作入力検出部１１４を介して操作パネル１０２に対するユーザの操作状態を把握することができる。

一方、放射線発生装置３４は、放射線源１３０と、コンソール４２との間で曝射条件等の各種情報を送受信する通信Ｉ／Ｆ部１３２と、受信した曝射条件に基づいて放射線源１３０を制御する線源制御部１３４と、を備えている。

線源制御部１３４もマイクロコンピュータを含んで構成されており、受信した曝射条件等を記憶する。このコンソール４２から受信する曝射条件には管電圧、管電流の情報が含まれている。線源制御部１３４は、受信した曝射条件に基づいて放射線源１３０から放射線Ｘを照射させる。

次に、本実施の形態に係る撮影システム１８の作用を説明する。

最初に、撮影の流れを簡単に説明する。

端末装置１２（図１参照。）は、放射線画像の撮影する場合、医師又は放射線技師からの撮影依頼を受け付ける。当該撮影依頼では、撮影対象とする患者、撮影対象とする撮影部位等、管電圧、管電流などが必要に応じて指定される。

端末装置１２は、受け付けた撮影依頼の内容をＲＩＳサーバ１４に通知する。ＲＩＳサーバ１４は、端末装置１２から通知された撮影依頼の内容をデータベース１４Ａに記憶する。

コンソール４２は、ＲＩＳサーバ１４にアクセスすることにより、ＲＩＳサーバ１４から撮影依頼の内容及び撮影対象とする患者の属性情報を取得し、撮影依頼の内容及び患者の属性情報をディスプレイ１００（図９参照。）に表示する。

撮影者は、ディスプレイ１００に表示された撮影依頼の内容に基づいて放射線画像の撮影を開始する。

例えば、図２に示すように、臥位台４６上に横臥した被検者の患部の撮影を行う際、臥位台４６の保持部１５２に電子カセッテ３２を配置する。

そして、撮影者は、操作パネル１０２に対して放射線Ｘを照射する際の管電圧、管電流、照射期間等を指定する。

コンソール４２は、指定された管電圧、管電流、照射期間を曝射条件として放射線発生装置３４及び電子カセッテ３２へ送信する。放射線発生装置３４の線源制御部１３４は、コンソール４２から曝射条件を受信すると、受信した曝射条件を記憶する。電子カセッテ３２のカセッテ制御部９２は、コンソール４２から曝射条件を受信すると、受信した曝射条件を記憶部９２Ｃに記憶する。また、カセッテ制御部９２は、コンソール４２から曝射条件を受信すると、光源９５を発光させて導光板６１を介してＴＦＴ基板６６の各画素７４に光を照射して放射線検出器６０の各画素７４のセンサ部７２の不純物電位を撮影前に埋めておく光キャリブレーションを行う。

撮影者は、撮影準備完了すると、コンソール４２の操作パネル１０２に対して撮影を指示する撮影指示操作を行う。

コンソール４２は、操作パネル１０２に対して撮影開始操作が行なわれた場合、曝射開始を指示する指示情報を放射線発生装置３４及び電子カセッテ３２へ送信する。

放射線発生装置３４は、コンソール４２から受信した曝射条件に応じた管電圧、管電流、及び照射期間で放射線を発生・射出する。

電子カセッテ３２のカセッテ制御部９２は、曝射開始を指示する指示情報を受信してから曝射条件で指定された照射期間の経過後にゲート線ドライバ８０を制御してゲート線ドライバ８０から１ラインずつ順に各ゲート配線７６にオン信号を出力させ、各ゲート配線７６に接続された各ＴＦＴ７０を１ラインずつ順にオンさせる。

放射線検出器６０は、各ゲート配線７６に接続された各ＴＦＴ７０を１ラインずつ順にオンされると、１ラインずつ順に各蓄積容量６８に蓄積された電荷が電気信号として各データ配線７８に流れ出す。各データ配線７８に流れ出した電気信号は信号処理部８２でデジタルの画像データに変換されて、画像メモリ９０に記憶される。

カセッテ制御部９２は、撮影終了後、画像メモリ９０に記憶された画像情報を無線通信によりコンソール４２へ送信する。

コンソール４２は、電子カセッテ３２から画像情報を受信すると、受信した画像情報に対してシェーディング補正などの各種の補正する画像処理を行ない、画像処理後の画像情報をＨＤＤ１１０に記憶する。

ＨＤＤ１１０に記憶された画像情報は、撮影した放射線画像の確認等のためにディスプレイ１００に表示されると共に、ＲＩＳサーバ１４に転送されてデータベース１４Ａにも格納される。これにより、医師が撮影された放射線画像の読影や診断等を行うことが可能となる。

ところで、導光板６１は、経時的に白濁を生じる場合がある。例えば、導光板６１をプラスチック材料などにより形成した場合、加水分解等により周辺部分から白濁が発生する。このような場合、放射線検出器６０の各センサ部７２に光を十分に導けず、残像を十分に消去できないため、撮影される放射線画像の画質が低下する場合がある。

そこで、本実施の形態に係る電子カセッテ３２は、所定の処理タイミングで導光板６１の白濁状態を検出する白濁検出処理を行う。この処理タイミングは、例えば、電子カセッテ３２の電源がオンされた起動処理のタイミングとしてもよく、また、一定期間（例えば、１週間）毎としてもよく、また、コンソール４２から白濁検出を指示する指示情報が受信されたタイミングとしてもよい。また、コンソール４２から曝射条件を受信して光キャリブレーションを行う際に同時に白濁の検出を行うものとしてもよい。

図１０にはカセッテ制御部９２のＣＰＵ９２Ａにより実行される白濁検出処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートが示されている。なお、当該プログラムはメモリ９２Ｂ（ＲＯＭ）の所定の領域に予め記憶されている。

同図のステップＳ１０では、光源９５を発光状態とする。これにより、放射線検出器６０の各画素７４各センサ部７２には導光板６１を介して光が照射される。

次のステップＳ１２では、ゲート線ドライバ８０を制御してゲート線ドライバ８０から１ラインずつ順に各ゲート配線７６にオン信号を出力させ、各ゲート配線７６に接続された各ＴＦＴ７０を１ラインずつ順にオンさせて、光源９５から光を照射した状態で画像の撮影を行う。

これにより、放射線検出器６０は、各ゲート配線７６に接続された各ＴＦＴ７０を１ラインずつ順にオンされ、１ラインずつ順に各蓄積容量６８に蓄積された電荷が電気信号として各データ配線７８に流れ出す。各データ配線７８に流れ出した電気信号は信号処理部８２でデジタルの画像データに変換されて、画像メモリ９０に記憶される。

次のステップＳ１４では、導光板６１の白濁の検出を行う。

ここで、上述したように、導光板６１をプラスチック材料などにより形成した場合、加水分解等により周辺部分から白濁が発生する。

そこで、本実施の形態では、白濁が発生しずらい中央部分と白濁が発生しやすい周辺部分の画素値の変化に基づいて白濁の検出を行っている。具体的には、図１１に示すように、画像メモリ９０に記憶された画像データにより示される画像１２０の中央部分１２２と予め定めた複数の周辺部分１２４でそれぞれ各画素７４の画素値の平均値を求める。なお、中央部分１２２と周辺部分１２４の範囲は、図１１に限定されるものではない。

そして、各周辺部分１２４の画素値の平均値と中央部分１２２の画素値の平均値とを比較し、画素値の平均値が中央部分１２２よりも予め定めた白濁検知用のしきい値以上低下している周辺部分１２４を白濁しているものと検出する。

次のステップＳ１６では、上記ステップＳ１４の処理で白濁が検出されたか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップＳ１８へ移行し、否定判定となった場合はステップＳ２０へ移行する。

ステップＳ１８では、導光板６１の白濁を検出したことを通知する通知情報をコンソール４２へ送信する。

次のステップＳ２０では、光源９５を発光を停止し、処理を終了する。

コンソール４２は、電子カセッテ３２から導光板６１の白濁を検出したことを通知する通知情報を受信すると、導光板６１が白濁している旨の警告をディスプレイ１００（図９参照。）に表示して報知を行う。これにより、撮影者が電子カセッテ３２の導光板６１に白濁が発生していることが分かるため、電子カセッテ３２のメンテナンスの動機付けとなる。

また、コンソール４２は、放射線検出器６０の撮影領域６６Ａの周辺部分まで用いる撮影の制限する。導光板６１が加水分解等による劣化で白濁する場合、導光板６１の周辺部から劣化する。このため、放射線検出器６０で撮影される放射線画像の周辺部にムラが発生し、撮影される放射線画像の周辺部分で画質が低下する。そこで、撮影領域６６Ａの中央部のみで読影可能な撮影部位や撮影手技での撮影を許可するが、撮影領域６６Ａの周辺部分を用いる撮影を行う場合、ディスプレイ１００に警告を行ったり、撮影を禁止することにより撮影を制限するようにしてもよい。撮影領域６６Ａの中央部のみで読影可能な撮影部位としては、比較的小さな撮影部位の撮影が相当し、例えば“手”、“腕”などの整形関連の撮影が該当する。また、撮影領域６６Ａの周辺部分を用いる撮影としては、例えば、癌の撮影が該当し、また、乳房の撮影は胸部付け根部分の情報が重要となるので撮影領域６６Ａの周辺部分まで画質を維持ことが読影の精度を維持するために重要である。

なお、導光板６１は加水分解すると強度が落ち、荷重がかかるとそのストレスで割れたり、クラックが発生する場合がある。このため、コンソール４２は、導光板６１の劣化が検出された場合、導光板６１の破損が防止される撮影方法をディスプレイ１００に表示してガイドを行うものとしてもよい。例えば、立位台４５の保持部１５０や臥位台４６のの保持部１５２に取り付けた撮影を推奨する。または、破損防止を目的とした保護カバー（所謂ジャケット）を利用を推奨する。または、患者情報を含むオーダ情報から体重の重い患者の撮影や、体重が電子カセッテ３２にかかる撮影（腰部撮影、足で電子カセッテ３２を踏んで荷重をかけての足指関節の撮影など）は警告するか他の撮影システム１８にオーダを割り振るようにガイドしてもよい。

コンソール４２は、ディスプレイ１００に導光板６１が白濁している旨の警告の表示、及び放射線検出器６０の撮影領域６６Ａの周辺部分まで用いる撮影の制限、及び導光板６１の破損が防止される撮影方法のガイドの少なくとも１つを行うものとしてもよい。

また、コンソール４２は、病院内ネットワーク１６及び外部ネットワークＮＥＴを介してデータセンタ２００に設けられたサーバ２０２と通信を行い、電子カセッテ３２の導光板６１が白濁していることを通知してメンテナンス要員の派遣を要求するようにしてもよい。

また、電子カセッテ３２は、表示部５６Ａを所定のパターンで点灯させて導光板６１が白濁している旨の報知を行うようにしてもよい。

以上のように、本実施の形態によれば、光源９５からの光を放射線検出器６０に導光する導光板６１の白濁を検出を行い、導光板６１の白濁が検出された場合、コンソール４２のディスプレイ１００に導光板６１が白濁している旨の警告を表示して報知を行うことにより、導光板６１の交換などのメンテナンスを促すことができるため、撮影される放射線画像の画質の低下を抑制できる。

また、本実施の形態によれば、導光板６１の白濁が検出された場合、放射線検出器６０の撮影領域６６Ａの周辺部分を用いる撮影を制限し、撮影領域６６Ａの中央部での撮影を行うことにより、撮影される放射線画像の画質の低下を抑制できる。

また、本実施の形態によれば、導光板６１の破損が防止される撮影方法をディスプレイ１００に表示してガイドを行うことにより、導光板６１の破損が防止されるため、撮影される放射線画像の画質の低下を抑制できる。

また、本実施の形態によれば、撮影した画像が導光板６１の白濁を検出できるため、瀬白濁を検出するためのセンサを別途設ける必要がない。

また、本実施の形態によれば、撮影した画像が導光板６１の白濁の検出を行うことにより、白濁した部分も特定できる。

［第２の実施の形態］
次に、第２の実施の形態について説明する。

第２の実施の形態に係るＲＩＳ１０、撮影システム１８、電子カセッテ３２、放射線検出器６０の構成は、上記第１の実施の形態（図１〜図６、図９参照）と同一であるので、ここでの説明は省略する。

図１２には、第２の実施形態に係る電子カセッテ３２内部の構成を示す側面図が示されている。なお、第１の実施の形態（図７）と同一部分については同一の符号を付して説明を省略する。

本実施の形態に係る電子カセッテ３２では、導光板６１の１つの側面に光源９５が配置され、導光板６１の光源９５の反対側の側面に光を検出する光検出部９７が設けられている。すなわち、光源９５と光検出部９７は、導光板６１の側面に互いに対向するように設けられている。光検出部９７は、１チップのフォトダイオードとしてもよく、フォトトランジスタとしてもよく、また、有機光電変換材料を含んで構成されたセンサとしてもよい。本実施の形態では、光検出部９７を有機光電変換材料を含んで構成されたセンサとする。

本実施の形態に係る電子カセッテ３２は、定期的に光源９５を発光させて一方の端部から導光板６１に光を入射させ、光検出部９７により導光板６１の他方の端部に到達した光の光量を検出して記憶し、記憶された光量の経時的な変化から導光板６１の白濁状態を検出している。

図１３には、第２の実施の形態に係る電子カセッテ３２の電気系の要部構成を示すブロック図が示されている。なお、第１の実施の形態（図８）と同一部分については同一の符号を付して説明を省略する。

光検出部９７はカセッテ制御部９２と接続されている。カセッテ制御部９２は光検出部９７による検出結果を把握することができる。

図１４には、第２の実施の形態に係る白濁検出処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートが示されている。

同図のステップＳ３０では、光源９５を発光状態とする。これにより、放射線検出器６０の各画素７４各センサ部７２には導光板６１を介して光が照射される。

次のステップＳ３２では、光検出部９７により導光板６１の他方の端部に到達した光の光量を検出する。

次のステップＳ３４では、上記ステップＳ３２で検出した光量を記憶部９２Ｃに記憶する。

次のステップＳ３６では、記憶部９２Ｃに記憶されている、光検出部９７により検出される光量の経時的な変化に基づき、導光板６１の白濁の検出を行う。

ここで、図１５に示すように、光検出部９７により検出される光量は、光源９５の劣化等によって緩やかに低下するが、導光板６１に白濁が発生した場合、急に低下するため、光量の低下度合が大きく変化する変曲点が発生する。

そこで、本実施の形態では、記憶部９２Ｃに記憶された光量の経時的な変化に変曲点が存在するの検出を行い、変曲点が存在する場合は白濁しているものと検出する。この変曲点の検出は、種々の検出方法を用いることができる。例えば、最初に検出された光量以外の全てにおいて１回前に検出された光量との光量差を求め、全て光量差の平均値を算出する。また、直前所定回（例えば、３回）で１回前に検出された光量との光量差の平均値を算出する。そして、直前所定回の平均値が全ての平均値よりも変曲点が生じたと見なせる所定の割合（例えば、１．３倍）以上変化している場合に変曲点が存在すると検出する。

次のステップＳ３８では、上記ステップＳ３６の処理で白濁が検出されたか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップＳ４０へ移行し、否定判定となった場合はステップＳ４２へ移行する。

ステップＳ４０では、導光板６１の白濁を検出したことを通知する通知情報をコンソール４２へ送信する。

次のステップＳ４２では、光源９５を発光を停止し、処理を終了する。

コンソール４２は、電子カセッテ３２から導光板６１の白濁を検出したことを通知する通知情報を受信すると、導光板６１が白濁している旨の警告をディスプレイ１００（図９参照。）に表示して報知を行う。

以上のように、本実施の形態によれば、光源９５からの光を放射線検出器６０に導光する導光板６１の白濁を検出を行い、導光板６１の白濁が検出された場合、コンソール４２のディスプレイ１００に導光板６１が白濁している旨の警告を表示して報知を行うことにより、導光板６１の交換などのメンテナンスを促すことができるため、撮影される放射線画像の画質の低下を抑制できる。

また、本実施の形態によれば、光検出部９７により光量を検出して白濁の検出を行うため、画像の撮影動作を行うことなく白濁の検出を行うことができる。

以上、本発明を第１及び第２の実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記各実施の形態に記載の範囲には限定されない。発明の要旨を逸脱しない範囲で上記各実施の形態に多様な変更または改良を加えることができ、当該変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれる。

また、上記の実施の形態は、クレーム（請求項）にかかる発明を限定するものではなく、また実施の形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。前述した実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜の組み合わせにより種々の発明を抽出できる。実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、効果が得られる限りにおいて、この幾つかの構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。

例えば、上記各実施の形態では、可搬型の放射線撮影装置である電子カセッテ３２に本発明を適応した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、据置型の放射線撮影装置に適用してもよい。

また、上記第１の実施の形態では、撮影よって得られた画像データにより示される画像の進行しずらい中央部分１２２の画素値の平均値と劣化が進行しやすい周辺部分１２４の画素値の平均値を比較して劣化の検出を行う場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、中央部分１２２の画素値の平均値に対して周辺部分１２４で白濁検知用のしきい値以上低下している画素の数が許容数以上である場合に、当該周辺部分１２４で白濁が発生していると検出してもよい。また、光源９５を発光状態で撮影された画像データにより示される画像の画素値の分布の分散度合を求め、画素値の分散度合が予め定めた白濁検知用の分散しきい値以上の場合に、白濁が発生していると検出してもよい。

また、例えば、導光板６１の劣化の少ない初期状態で光源９５から一定の光量を入射させて撮影した画像の画像データを劣化の少ない初期状態の画像として記憶部９２Ｃに予め記憶させておき、白濁検出処理によって撮影された画像の初期状態の画像からの画素値の低下量を白濁による劣化とみなして、白濁検知用のしきい値以上低下している画素の数が許容数以上である場合に、白濁が発生していると検出してもよい。また、白濁検出処理によって撮影された画像の中央部分１２２と周辺部分１２４で、初期状態の画像からの画素値の低下量の平均値を求め、各周辺部分１２４の画素値の低下量の平均値と中央部分１２２の画素値の低下量の平均値とを比較し、画素値の低下量の平均値が中央部分１２２よりも白濁検知用のしきい値以上低下している周辺部分１２４を白濁しているものと検出してもよい。初期状態の画像は、電子カセッテ３２の製造時や出荷検査時に撮影を行って記憶させてもよく、また、電子カセッテ３２の最初の起動時に自動的に撮影を行って記憶させるものとしてもよい。

また、上記第２の実施の形態においも、導光板６１の劣化の少ない初期状態で光源９５から一定の光量を入射させて光検出部９７により検出した光量を光量データを劣化の少ない初期状態の光量として記憶部９２Ｃに予め記憶させておき、白濁検出処理によって光検出部９７により検出された光量の初期状態の光量からの低下量を白濁による劣化とみなして、白濁を検出するものとしてもよい。この場合も、初期状態の光量は、電子カセッテ３２の製造時や出荷検査時に検出を行って記憶させてもよく、また、電子カセッテ３２の最初の起動時に自動的に検出を行って記憶させるものとしてもよい。

また、上記第１の実施の形態では、１つの白濁検知用のしきい値により、白濁を検出する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、白濁の度合に応じて複数のしきい値を設けて、中央部分１２２の画素値の平均値からの各周辺部分１２４の画素値の平均値の低下量を当該複数のしきい値と比較して、白濁の度合を段階的に検出するようにしてもよい。このように白濁の度合を段階的に検出することにより、白濁の度合の変化から導光板６１の寿命を予測できるようになる、導光板６１の交換時期を予測することもできる。

また、上記各実施の形態では、導光板６１が変性により白濁する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、導光板６１が変性により黄色に変色する場合でも、撮影される放射線画像の画素値の変化から導光板の黄色に変色度合を検出することができる。すなわち、撮影される放射線画像の変化に基づき、導光板６１の変性を検出できる。

また、導光板６１は、周縁部への導光が多くなるように周縁部の微細加工等を施したものとしてもよい。

また、上記では、電子カセッテ３２のカセッテ制御部９２において白濁の検出を行う場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、カセッテ制御部９２が画像データを随時コンソール４２へ送信するものとし、コンソール４２において白濁の検出を行うものとしてもよい。

また、上記各実施の形態では、放射線としてＸ線を検出することにより放射線画像を撮影する放射線撮影装置に本発明を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、検出対象とする放射線は、Ｘ線の他、ガンマ線、粒子線等いずれであってもよい。

その他、上記各実施の形態で説明した構成は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要な部分を削除したり、新たな部分を追加したり、接続状態等を変更したりすることができることは言うまでもない。

さらに、上記各実施の形態で説明した各種プログラムの処理の流れも一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ換えたりすることができることは言うまでもない。

１８ 撮影システム
３２ 電子カセッテ
４２ コンソール
５６Ａ 表示部（報知手段）
６０ 放射線検出器（撮影パネル）
６１ 導光板
６４ 絶縁性基板
６６Ａ 撮影領域
７１ シンチレータ（変換層）
７２ センサ部
９２ カセッテ制御部（検出手段）
９２Ａ ＣＰＵ（検出手段、制御手段）
９５ 光源
９７ 光検出部
１００ ディスプレイ（報知手段）
１０４ ＣＰＵ（制御手段）
２００ データセンタ
２０２ サーバ

Claims (8)

1. 平板状でかつ光透過性を有する基板の一方の面の撮影領域に光を検出する複数のセンサ部が形成され、当該複数のセンサ部上に照射された放射線を光に変換する変換層が形成された撮影パネルと、
   前記基板の他方の面に少なくとも前記撮影領域を覆うように配置され、光透過性を有するプラスチック材料により形成されて入射した光を前記撮影領域に導光する導光板と、
   前記導光板に光を照射する光源と、
   前記導光板の変性を検出する検出手段と、
   前記検出手段により前記導光板の変性が検出された場合、報知手段による報知、前記撮影パネルの撮影領域の周辺部分を用いる撮影の制限、及び前記導光板の破損が防止される撮影方法のガイドの少なくとも１つを行うように制御する制御手段と、
   を備えた放射線撮影装置。
2. 前記検出手段は、前記導光板に前記光源から光を照射した状態で前記撮影パネルの各センサ部により光を検出して得られた画像の変化に基づき、前記導光板の変性を検出する
   請求項１記載の放射線撮影装置。
3. 前記検出手段は、前記画像の中央部分と周辺部分の画素値の変化に基づき、前記導光板の変性を検出する
   請求項２記載の放射線撮影装置。
4. 前記導光板を導光される光の光量を検出する光検出部をさらに備え、
   前記検出手段は、前記導光板に前記光源から光を照射した状態で前記光検出部により検出される光量の経時的な変化に基づき、前記導光板の変性を検出する
   請求項１記載の放射線撮影装置。
5. 前記光源と前記光検出部は、前記導光板の側面に互いに対向するように設けられた
   請求項４記載の放射線撮影装置。
6. 前記放射線撮影装置のメンテナンスを行う外部のデータセンタのサーバ・コンピュータと通信を行う通信手段をさらに備え、
   前記制御手段は、前記検出手段により前記導光板の変性が検出された場合、前記通信手段を介してサーバ・コンピュータに前記導光板の変性が検出されたことの通知を行う
   請求項１〜請求項５の何れか１項記載の放射線撮影装置
7. 前記導光板の変性を、前記導光板の白濁及び黄色への変色とした
   請求項１〜請求項６の何れか１項記載の放射線撮影装置
8. 平板状でかつ光透過性を有する基板の一方の面の撮影領域に光を検出する複数のセンサ部が形成され、当該複数のセンサ部上に照射された放射線を光に変換する変換層が形成された撮影パネルと、
   前記基板の他方の面に少なくとも前記撮影領域を覆うように配置され、光透過性を有するプラスチック材料により形成されて入射した光を前記撮影領域に導光する導光板と、
   前記導光板に光を照射する光源と、
   前記導光板の変性を検出する検出手段と、
   前記検出手段により前記導光板の変性が検出された場合、報知手段による報知、前記撮影パネルの撮影領域の周辺部分を用いる撮影の制限、及び前記導光板の破損が防止される撮影方法のガイドの少なくとも１つを行うように制御する制御手段と、
   を有する放射線撮影システム。

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