JP2012039246A - 比較回路及び信号変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】比較回路22は、コンパレータ22aが、第1の入力端子に接続される第1の電圧源により、第1の入力端子に印加される電圧と、第2の入力端子に入力される入力信号の電圧とを比較する。コンデンサ22bが、第1の入力端子に一方の端子が接続され、第1の電圧源側に他方の端子が接続される。スイッチ22cが、第1の入力端子への基準電圧源22の接続を選択的に遮断する。スイッチ22dが、コンデンサ22bの他方の端子への第1の電圧源の接続を選択的に遮断する。基準電圧源22fが、コンデンサ22bの他方の端子に接続される。スイッチ22eが、基準電圧源22fによりコンデンサ22bの他方の端子に印加される電圧を選択的に遮断する。
【選択図】図2
Description
撮像装置に適用される信号変換装置は、2次元に配列された画素によって光電変換する固体撮像部から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換する。撮像装置に適用される信号変換装置において、固体撮像部の各画素から行単位に並列して連続的に読み出されるアナログ信号を、列線にそれぞれ配置されるアナログデジタル(AD)変換部によって変換処理をするカラム型アナログデジタル(AD)変換装置がある。カラム型AD変換装置において、シングルスロープ積分型AD変換器が知られている(例えば、特許文献1)。
カラム型シングルスロープ積分型AD変換器では、単調に変化するスロープ波形を基準信号とする比較器(比較回路)を用いて、等しいと判定されたアナログ信号の値を検出する。
しかしながら、特許文献1に示されるカラム型シングルスロープ積分型AD変換装置において高分解能化を行うには高速かつ高分解能のデジタルアナログ(DA)変換器、DA変換器に信号を供給する高速なカウンター、カウンターの値を保持するレジスターとが必要とされる。例えば、信号変換周期を同じにしたままで、1ビット分解能を向上させるには、DA変換器、カウンター、レジスターを倍の速度に対応させることが必要になる。
また、冗長な回路構成を有することから変換精度の確保が困難である。すなわち、階段波を発生する電圧源を2個に分けていることにより、比較電圧の誤差が生じやすい。また、アンプ部の3個のコンデンサは、実装面積が増大するだけでなく、容量比設定によるゲイン設定を行っているのでコンデンサの静電容量のばらつきによってゲイン誤差が生じる要因となるという問題がある。
これにより、比較回路は、1個の容量素子を用いて実現でき、アナログデジタル変換の分解能を向上させることが可能となる。
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。
図1は、本発明の第1実施形態における比較回路を適用した固体撮像装置の構成を示す概略ブロック図である。
この図に示される固体撮像装置1は、撮像部10、出力部20及びタイミング信号発生部30を備える。
固体撮像装置1における撮像部10は、行列の2次元に配列された画素11−11から画素11−mn(まとめて示すときは「画素11」という)及び垂直シフトレジスタ12を備える。
画素11は、それぞれ受光した光量に応じて光電変換を行い、それぞれの光量に対応した電圧によって示されるアナログ信号に変換する。同じ行選択線に接続された画素11は、供給される選択信号によって選択されたことを検出すると、それぞれ接続される垂直信号線にアナログ信号を供給する。画素11の詳細は図示しないが、例えば、C−MOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)センサなどを適用できる。画素11は、フォトダイオード、電荷電圧変換部、セレクタスイッチを含んで構成される。画素11のセレクタスイッチを垂直シフトレジスタ12から供給される選択信号により制御することで、選択された特定の行の画素の出力回路から画素信号が出力される。
垂直シフトレジスタ12は、供給されるタイミング信号に応じて、選択する画素11のいずれかの行に対応する行選択線に選択信号を順に供給する。
この出力部20は、サンプルホールド回路21−1から21−n(まとめて示すときは「サンプルホールド回路21」という)、比較回路22−1から22−n(まとめて示すときは「比較回路22」という)、DAコンバータ23、上位メモリ24−1から24−n(まとめて示すときは「上位メモリ24」という)、下位メモリ25−1から25−n(まとめて示すときは「下位メモリ25」という)及びカウンター26を備える。
それぞれの上位メモリ24と下位メモリ25を組み合わせることによって、一体化したレジスタ部27とする。レジスタ部27として、上位メモリ24と下位メモリ25に応じて、レジスタ部27−1から27−nをまとめて示す。
また、DAコンバータ23とカウンター26は、各列に共通に機能する。サンプルホールド回路21、比較回路22、上位メモリ24及び下位メモリ25は、各列にそれぞれ個別に配置される。
比較回路22は、入力信号の電圧とサンプルホールド回路21から供給される信号VRとDAコンバータ23から供給される信号VC1(VC2)との比較を行い、判定結果を信号Vcompとして出力する。
比較回路22は、判定結果が反転した場合に、カウンター26によって計数された値を上位メモリ24と下位メモリ25からなるレジスタ部27(レジスタ部)に保持させる。比較回路22は、タイミング信号発生部30から供給される制御信号に応じて、上位ビットにおける比較処理と下位ビットの比較処理とが切り換えられる。比較回路2の詳細は、後述する。
下位メモリ25は、供給される下位ビットDlsbの信号を、信号Vcompの変化に応じて保持する。上位メモリ24と下位メモリ25が合わせて参照されることにより、それぞれがレジスタ部27における上位と下位のビットに割り付けられた一連の情報を示す。
カウンター26は、下位ビットDlsb(下位の桁)を固定すると共に、固定した下位の桁を除いた上位ビットDusb(上位の桁)により計数を行う場合と、上位ビットDusbを固定すると共に、下位ビットDlsbにより計数を行う場合と、を選択的に切り換える。
図2は、比較回路22の構成を示すブロック図である。
図に示される比較回路22は、端子Tb22xに信号VRが供給され、端子Tb22yに比較信号VC1またはVC2が供給され、比較結果を端子Tb22zに出力する。
この比較回路22は、コンパレータ22a、コンデンサ(C1)22b、スイッチ22cから22e及び基準電圧源22を備える。
コンパレータ22aは、反転入力端子(第1の入力端子)が端子Tb22yに接続され、DAコンバータ23(図1、第1の電圧源)から端子Tb22yに印加される信号VC1(またはVC2)の電圧と、非反転入力端子(第2の入力端子)に供給される信号VR(入力信号)の電圧とを比較する。
スイッチ22cは、コンパレータ22aの判定結果に応じて、コンパレータ22aの反転入力端子へのDAコンバータ23(図1)の接続を選択的に遮断する。
スイッチ22dは、コンデンサ22bの他方の端子へのDAコンバータ23(図1)の接続を選択的に遮断する。
電圧源22f(第2の電圧源)は、コンデンサ22bの他方の端子に接続される。
電圧源22fは、DAコンバータ23(図1)の最小出力電圧と等しい電圧(電圧VS)を出力する。この電圧VSは、構成や動作方法によって最大出力電圧とすることもできる。
スイッチ22eは、電圧源22fによりコンデンサ22bの他方の端子に印加される電圧を、選択的に遮断する。
スイッチ22dとスイッチ22eは、タイミング信号発生部30において生成されるタイミング信号に基づいた動作タイミングによってDAコンバータ23(図1)の接続を選択的に遮断する。また、スイッチ22dとスイッチ22eは、相補的に遮断するように切り換え制御が行われる。
図3は、比較回路22の動作を示すタイミングチャートである。
(a)に示すCLKは、クロックCLKの変化を示す。
(b)に示すDATAは、DAコンバータ23に供給されるカウンター26からのデータを示し、この図に示される実施形態の場合では、上位、下位のビットともそれぞれ2ビットの信号を示す。
(d)に示す比較信号VC2は、DAコンバータ23から比較回路22に与えられる電圧の変化を示す。また、電圧V021から電圧V023は、下位ビットを変化させたときに段階的に変化するDAコンバータ23の出力電圧を示す。また、電圧V00から電圧V02と信号VRは、(c)の記載と同じである。
(e)に示すSW1からSW3は、それぞれがスイッチ21c、21d、21eの切り替えタイミングを示す。
時刻t0において、サンプルホールド回路が保持した信号VRとDAコンバータ23の出力電圧の比較を開始する。DAコンバータ23は、供給される上位ビットの信号において、上位2ビットが順に低下するのにしたがって、出力する比較信号VC1を変化させる。比較信号VC1は、比較回路22内で直接コンパレータ22aの反転入力端子にスイッチ22cを介して接続される。すなわち、比較信号VC1は、比較信号VC2と同一の電位となって変化する(時刻t2)。
スイッチ22cをOFF状態としたことにより、コンデンサ22bは、比較信号VC1の現在の電圧を保持する。
また、この比較回路22における比較結果により、DATAの値「02」を上位ビットの値として上位メモリ24に保持させる。
時刻t6以降もカウンター26は、クロックCLKを計数し、DAコンバータ23の最低出力電圧VSとなるまで、すなわちカウンター26の下限値となるまで計数を続ける。
時刻t15において、比較信号VC2の電位が、次の電位(V023)に上昇するが、信号VRに比較するとまだ低い値である。
時刻t19において、比較電圧VC2はさらに上昇するが、下位メモリ25に記録されたデータの値は変化しない。
それぞれの列においてAD変換が行われ、レジスタ部27に変換されたデータが保持される。
なお、コンパレータ22aは、一般的な比較器を用いる形態を示したが、インバータを用いるなど、他の方法でもかまわない。
また、比較回路22及びコンパレータ22aの入力端子を反転することにより、出力される信号の論理を反転することができる。その論理に応じた回路を構成することは容易に行うことができる。
図4は、比較回路22を適用した固体撮像装置の構成を示す概略ブロック図である。
この図に示される固体撮像装置1aは、撮像部10a、出力部20a及びタイミング信号発生部30を備える。図1と同じ構成には同じ符号を附す。
画素11−11aの列と、画素11−11aの列に隣接する画素11−11bの列は、対となりいずれか一方の列において変換が行われる。画素11−12aの列と画素11−12bの列から、画素11−1naの列と画素11−1nbの列についても同様に、対となりいずれか一方の変換が行われる。
この出力部20aは、第1実施形態に示した出力部20に加え、スイッチ41から4nを備える。
スイッチ41から4nは、撮像部10aにおける画素11において、垂直信号線2列ごとに配置され、いずれかの垂直信号線を選択して、それぞれ、サンプルホールド回路21−1から21−nに供給する。
したがって、出力部20aは、撮像部10aにおける画素11を1列おきに並列に変換が行われる。すなわち、固体撮像装置1aにおけるAD変換は、スイッチ41から4nによって切り換えられ、2度に分けて処理を行う。
図に示した固体撮像装置1aでは、1列おきにAD変換の処理が行われることになるが、それぞれのAD変換処理は、前述の実施形態1と同様の方法によって実施可能である。
上記の撮像部10(10a)は、C−MOSセンサーに限らず他の光電変換方式の画素11を有するものであってもよい。また、撮像部10(10a)は、垂直シフトレジスタ12のように周辺回路を含むか否かは、任意である。
また、AD変換処理のビット数は例として示したものであり、全ビット数、上位ビットと下位ビットとの分割についても任意に設定できる。したがって、ビット数に応じて図3に示したタイミングチャートでは、必要に応じてクロック数や電圧変化のステップ数の変更が必要になる。
第2実施形態に示した撮像部10aでは、2列ごとに組わけを行う形態を示したが、必要に応じた列数の組とすることも可能である。その際に、全列の処理を行うには、組み合わせた列数と同じ回数に分けて処理を繰り返すこととする。
これにより、比較回路22は、1個のコンデンサー22bを用いて実現でき、アナログデジタル変換の分解能を向上させることが可能となる。すなわち、複数のコンデンサーによりゲイン設定を行う回路では、コンデンサーの容量誤差により変換誤差が生じたり、広い実装面積が必要となったりするという実装上の問題が生じるが、本実施形態に示したように、その問題を回避することが可能となる。
これにより、コンパレータ22aによって検出された入力信号の電圧に基づいた電圧を、コンデンサー22bに保持することが可能となる。
これにより、コンパレータ22aに入力される信号を切り換える際に生じるノイズの影響を低減させることが可能となる。
これにより、コンデンサー22bに印加されるバイアス電位を切り換えることができる。
これにより、生成されたデジタル値にしたがってDAコンバータ23によって変換された電圧をコンデンサー22bに保持することが可能となる。
これにより、上記に記した比較回路22の特徴を生かした出力部20を構成することができ、出力部20によって行われるアナログデジタル変換処理における分解能の向上が可能となる。
これにより、カウンター26におけるクロックCLKの計数を単調に増加または減少させることができ、その値に応じてDAコンバータ23から出力される信号の電圧を段階的に設定することが可能となる。
これにより、カウンター26が、上位の桁と下位の桁を独立させて計数することができるので、上位の桁だけ変化させた概略値を発生することができ、その概略値に基づいて詳細値を発生させることにより、少ないクロック数で、詳細値を判定することができる。すなわち、詳細値を判定するまでの時間に対するクロック数を少なく設定できることから、クロック周波数を抑えることが可能となり、低いクロック周波数を用いた回路であっても分解能を高めることが可能となる。
22a コンパレータ
22b コンデンサ(C1)
22c、22d、22e スイッチ
22f 基準電圧
Claims (8)
- 一方の入力端子に入力される入力信号の電圧と他方の入力端子に接続される比較電圧源から印加される比較電圧とを比較する比較部と、
前記比較部の前記他方の入力端子に一方の端子が接続される容量素子と、
前記比較部の前記他方の入力端子への前記比較電圧源の接続を選択的に遮断する第1のスイッチと、
前記容量素子の他方の端子への前記比較電圧源の接続を選択的に遮断する第2のスイッチと、
前記容量素子の前記他方の端子に接続される基準電圧源から印加される基準電位を選択的に遮断する第3のスイッチと、
を備えることを特徴とする比較回路。 - 前記第1のスイッチは、
前記比較部の判定結果に応じて前記比較部の他方の入力端子への前記比較電圧源の接続を選択的に遮断する
ことを特徴とする請求項1に記載の比較回路。 - 前記第2のスイッチと第3のスイッチは、
階段状に変化する電圧が前記比較電圧源から印加され、前記比較部の判定結果に応じて前記比較電圧源の接続を選択的に遮断する
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の比較回路。 - 前記第2のスイッチと第3のスイッチとは、
相補的に遮断するように切り換え制御が行われる
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の比較回路。 - 前記容量素子は、
前記比較電圧源によって印加された電圧を保持する
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の比較回路。 - 請求項1から請求項5のいずれかに記載の比較回路
を備えることを特徴とする信号変換装置。 - 与えられたクロックに応じて加算又は減算可能なカウンター部と、
前記カウンター部で計数された値を前記比較部の判定結果に応じて保持するレジスタ部と、
前記カウンター部で計数された値に応じて前記階段状に変化する電圧を生成する比較電圧源と、
を備え、
前記比較回路は、
前記比較電圧源が発生した電圧と前記入力信号の電圧とを比較して、判定結果が反転した場合に、前記カウンター部によって計数された値を前記レジスタ部に保持する
ことを特徴とする請求項6に記載の信号変換装置。 - 前記カウンター部は、
下位の桁を固定すると共に、前記固定した下位の桁を除いた上位の桁により計数を行う場合と、前記上位の桁を固定すると共に、前記下位の桁により計数を行う場合と、を選択的に切り換えられる
ことを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の信号変換装置。
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