JP2012038891A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104040724B (zh) * 2012-01-11 2016-11-09 夏普株式会社 半导体装置、显示装置和半导体装置的制造方法
US8901556B2 (en) 2012-04-06 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
TWI611511B (zh) * 2012-08-31 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9166021B2 (en) * 2012-10-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5722293B2 (ja) * 2012-10-19 2015-05-20 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ
JP5960626B2 (ja) * 2013-03-08 2016-08-02 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタを備えた半導体装置の製造方法
US9312392B2 (en) * 2013-05-16 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102455711B1 (ko) * 2016-12-02 2022-10-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2020027862A (ja) * 2018-08-10 2020-02-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3777706B2 (ja) * 1997-02-21 2006-05-24 ソニー株式会社 表示装置
JPWO2009075281A1 (ja) * 2007-12-13 2011-04-28 出光興産株式会社 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4678403B2 (ja) * 2007-12-19 2011-04-27 トヨタ自動車株式会社 自動変速機の制御装置、制御方法、その方法を実現させるプログラムおよびそのプログラムを記録した記録媒体
JP5704790B2 (ja) * 2008-05-07 2015-04-22 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ、および、表示装置
JP4623179B2 (ja) * 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
TWI467663B (zh) * 2008-11-07 2015-01-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和該半導體裝置的製造方法
JP2010165961A (ja) * 2009-01-19 2010-07-29 Videocon Global Ltd 薄膜トランジスタ、表示装置及びこれらの製造方法

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