JP2012038446A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】電極パターンの断線を抑制し、大画面で高精細であっても均一なパターン幅を有するPDPを提供することを目的とする。
【解決手段】第1フォトマスク22は基準位置マーク41aを有し、第2フォトマスク24は位置確認マーク42aを有し、基準位置マーク41aと位置確認マーク42aの互いの位置を基準にして、第1フォトマスク22でメインパターンとして転写パターン41bを露光し、かつ、第2フォトマスク24でサブパターンとして転写パターン42bを露光しており、メインパターンとサブパターンの位置ずれ量に基づいて、第2露光時における第2フォトマスク24の露光位置をあらかじめオフセットする構成である。
【選択図】図5
【解決手段】第1フォトマスク22は基準位置マーク41aを有し、第2フォトマスク24は位置確認マーク42aを有し、基準位置マーク41aと位置確認マーク42aの互いの位置を基準にして、第1フォトマスク22でメインパターンとして転写パターン41bを露光し、かつ、第2フォトマスク24でサブパターンとして転写パターン42bを露光しており、メインパターンとサブパターンの位置ずれ量に基づいて、第2露光時における第2フォトマスク24の露光位置をあらかじめオフセットする構成である。
【選択図】図5
Description
ここに開示された技術は、液晶ディスプレイパネル(以下、LCDという)やプラズマディスプレイパネル(以下、PDPという)の製造方法に関するものである。
PDPは、ガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で蛍光体を励起して発光させることにより画像表示を行っている。
PDPには、大別して駆動方式ではAC型とDC型とがあり、放電形式では面放電型と対向放電型とがある。高精細化、大画面化および構造の簡素性に伴う製造の簡便性から、現状では、3電極構造の面放電型のPDPが主流である。その構造は、ガラス等の基板上に、走査電極と維持電極とからなる表示電極と、それを覆う誘電体層と、さらにそれを覆う保護層とを有する前面板と、表示電極に対して直交する複数のアドレス電極と、それを覆う誘電体層と、誘電体層上の隔壁とを有する背面板とを対向配置させることにより、表示電極とアドレス電極との交差部に放電セルを形成し、且つ放電セル内に蛍光体層を備えたものである。
表示電極およびアドレス電極のような電極には、その形状および配設ピッチに精度が要求される。したがって、例えば、フォトリソグラフィ法を用いて、所定の位置に所定形状の電極をパターニングして形成する。この形成法は、金属材料等のような導電性材料に、感光性材料を含有させた材料を基板全面に塗布し、その後、乾燥させ、さらに、電極のパターンに露光する露光パターンを備えたフォトマスクにより露光し、その後、それを現像するものである。
上述のようなフォトリソグラフィ法では、フォトマスクが備える露光パターンの露光部にダスト等が付着していると、その部分に対応する感光性材料が感光せず重合されない。電極を形成する際に、このようなことが発生すると、現像時に溶解して、「抜け」となってしまい、断線に至ってしまう。断線が発生すると、断線発生箇所より給電方向下流側の画素に電力を供給することができないので、画像表示に支障が生じる。
そこで、上述のような断線の発生を抑制するために、同一の露光パターンを備える複数のフォトマスクを用いて、複数回露光を行うという方法がある。これは、異なるフォトマスクのそれぞれの露光パターンは、そのパターンの同一箇所にダストが付着している可能性は非常に小さい。したがって、例えば、2枚のフォトマスクを用いて、フォトマスク毎にそれぞれ一回、合計2回の露光を行えば、一方のフォトマスクに付着したダストによって、そのフォトマスクでの露光が遮られ未感光となったとしても、もう一方のフォトマスクでの露光の際には感光する。すなわち、未感光となる領域を、ほとんどなくすことが可能となるというものである。このような技術は、例えば、特許文献1または特許文献2に開示されている。
さらに、露光パターンの幅が異なる複数のフォトマスクを用いて、複数回露光を行うという方法がある。これは、PDPの構造物に断線などの欠陥が発生することを抑制し、且つ、構造物の反り上がり、剥がれなども抑制することが可能となるというものである。このような技術は、例えば、特許文献3に開示されている。
LCDやPDP等を用いた薄型ディスプレイデバイスの製造工程では、一枚の基板に複数のパターンを一度に形成し、パターン完成後に分割するようにして、工数低減によるコスト削減を図っている。このため、薄型ディスプレイデバイスの製造工程に用いられる基板およびフォトマスクは大型化している。
さらに、地上波デジタルテレビジョン放送などに対応した高精細ディスプレイの需要が増加しているので、画素ピッチの小型化、構造パターンの細線化も進んでいる。
上述のように露光を複数回行うと、各々の露光工程で転写位置にずれが生じる。
このため、例えば、メインパターンを有するフォトマスクと、断線補償用にメインパターンより細いサブパターンを有するフォトマスクを用いて、2回の露光を行う方法が考えられる。
一般に、基板およびフォトマスクの大型化および高精細化が進むと、各々の露光工程で生じる転写位置ずれ量は拡大する傾向にある。したがって、断線補償用のサブパターンは、メインパターンに隠れるようにメインパターンより所定量だけ細く設計される。しかし、転写位置ずれが許容量を超えると、メインパターンからサブパターンがはみ出し、所定のパターン幅を得ることができなくなる。
仮に、転写位置ずれ量を測定できたり、転写位置を各々の露光工程で調整できたりすれば、メインパターンとサブパターンの転写位置を相対的に調整して、補正することが可能である。
しかしながら、メインパターンとサブパターンは重なることを前提として設計されている。このため、極端に大きな転写位置ずれ量が発生して、メインパターンとサブパターンが独立したパターンとして認識できない限り、メインパターンとサブパターンの転写位置ずれ量を確認することはできないという問題を有する。
ここに開示された技術は上記問題を解決し、電極パターンの断線を抑制し、大画面で高精細であっても均一なパターン幅を有するPDPの製造方法を提供することを目的とする。
上記問題を解決するためにここに開示された技術は、マスク用メインパターンを含む第1フォトマスクでメインパターンを露光する第1露光と、マスク用サブパターンを含む第2フォトマスクでサブパターンを露光する第2露光を備え、前記第1フォトマスクは基準位置マークを有し、前記第2フォトマスクは位置確認マークを有し、前記基準位置マークと前記位置確認マークの互いの位置を基準にして、前記第1フォトマスクで前記メインパターンを露光し、かつ、前記第2フォトマスクで前記サブパターンを露光しており、前記メインパターンと前記サブパターンの位置ずれ量に基づいて、第2露光時における第2フォトマスクの露光位置をあらかじめオフセットする構成である。
ここに開示された技術によれば、メインパターンの転写位置とサブパターンの転写位置を相対的に補正することで、フォトマスクに付着したダスト等によりPDPのパターンに断線などの欠陥が発生することを抑制し、且つ、大画面、高精細であっても均一なパターン幅を得ることができる。
以下、一実施の形態におけるPDPについて、図面を参照しながら説明する。
図1は、一実施の形態におけるPDPの概略構成を示す断面斜視図である。
図1において、PDP1は、前面板2を備えている。この前面板2は、平滑で透明、且つ、絶縁性のある前面基板3と、この前面基板3の一主面上に形成した、走査電極4および維持電極5とからなる表示電極6と、隣接する表示電極6間に配置した遮光層7と、表示電極6と遮光層7とを覆う誘電体層8と、この誘電体層8を覆う保護層9とを有する。
ここで、走査電極4と維持電極5は、電気抵抗の低減を目的としており、透明電極4a、5aに金属材料のような良導電性材料によるバス電極4b、5bを積層して形成している。保護層9は、MgOを含む材料で形成している。
また、PDP1は背面板10を備えている。この背面板10は、平滑で且つ絶縁性のある背面基板11と、この背面基板11の一主面上に形成したアドレス電極12と、このアドレス電極12を覆う誘電体層13と、隣り合うアドレス電極12の間に配置し、誘電体層13上に形成した隔壁14と、この隔壁14間に配置した蛍光体層15R、15G、15Bとを有する。
さらに、PDP1は、表示電極6とアドレス電極12が直交するように、前面板2と背面板10とを対向配置し、周囲を封着部材により封止して形成している。前面板2と背面板10との間に形成された放電空間16には、放電ガスとして、例えば、ネオンとキセノンの混合ガスが封入されている。
そして、放電空間16の表示電極6とアドレス電極12との交差部が、単位発光領域である放電セルとして動作する。
次に、PDP1の製造方法について図1を参照しながら説明する。
まず、前面板2の製造について説明する。
第1に、透明電極4a、5aの材料としてITOを用いた膜を前面基板3上に電子ビーム蒸着法により形成する。
第2に、透明電極4a、5aのパターンとして残るように、レジストをパターニングする。
第3に、ITOを用いた膜をエッチングするとともにレジストを剥離して、透明電極4a、5aを形成する。なお、透明電極4a、5aの材料としては、SnO2等も用いることができる。
第4に、透明電極4a、5a上にバス電極4b、5bを形成する。このバス電極4b、5bは、例えば、次にように形成する。
まず、黒色顔料、ガラスフリット(PbO−B2O3−SiO2系やBi2O3−B2O3−SiO2系等)、重合開始剤、光硬化性モノマー、有機溶剤を含む感光性黒色ペーストを用いたスクリーン印刷法等により、前面基板3上に黒色電極膜を成膜して、乾燥させる。
その後、スクリーン印刷法等により黒色電極膜の上にAgを材料に含有する導電性材料、ガラスフリット(PbO−B2O3−SiO2系やBi2O3−B2O3−SiO2系等)、重合開始剤、光硬化性モノマー、有機溶剤を含む感光性Agペーストを用いて金属電極膜を成膜し、再度、乾燥させる。
その後、フォトリソグラフィ法によってパターニングするとともに焼成して形成する。
以上、第1〜第4の工程によって、走査電極4および維持電極5からなる表示電極6をストライプ状に形成することができる。
第5に、遮光層7を形成する。この遮光層7は、例えば、次のように形成する。
まず、感光性黒色ペーストをスクリーン印刷法等により成膜する。
その後、フォトリソグラフィ法によってパターニングするとともに焼成して形成する。なお、遮光層7は、バス電極4b、5bの下地黒色層と同時に形成してもよい。黒色であるならペーストを用いた形成方法でなくともよい。バス電極4b、5b形成の前に形成してもよい。
第6に、表示電極6と遮光層7とを誘電体層8で被覆する。この誘電体層8は、例えば、次のように形成する。
まず、鉛系のガラス材料を含むペーストをスクリーン印刷で塗布し、乾燥させる。
その後、焼成して形成する。
第7に、誘電体層8を保護層9で被覆する。この保護層9は、例えば、蒸着やスパッタなどの成膜プロセスによりMgOを成膜して形成する。
次に、背面板10の製造について説明する。
第8に、背面基板11上にアドレス電極12をストライプ状に形成する。このアドレス電極12は、例えば、次のように形成する。
まず、アドレス電極12の材料として感光性Agペーストを背面基板11上にスクリーン印刷法等により塗布する。
その後、フォトリソグラフィ法などによってパターニングして焼成する。
第9に、アドレス電極12を誘電体層13により被覆する。この誘電体層13は、例えば、次のように形成する。
まず、鉛系のガラス材料を含むペーストをスクリーン印刷で塗布し、乾燥させる。
その後、焼成して形成する。なお、ペーストをスクリーン印刷する代わりに、成型されたフィルム状の誘電体層13の前駆体をラミネートして焼成して形成してもよい。
第9に、隔壁14を格子状に形成する。この隔壁14は、例えば、次のように形成する。
まず、Al2O3等の骨材とガラスフリットとを主剤とする感光性ペーストを印刷法やダイコート法等により成膜する。
その後、フォトリソグラフィ法によりパターニングし、焼成して形成する。なお、鉛系のガラス材料を含むペーストをスクリーン印刷法により所定のピッチで繰り返し塗布して、その後、乾燥させ、焼成して形成してもよい。
第10に、隔壁14と隔壁14との間の溝に、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各蛍光体粒子により構成される蛍光体層15R、15G、15Bを形成する。この蛍光体層15R、15G、15Bは、例えば、次のように形成する。
まず、各色の蛍光体粒子と有機バインダとからなるペースト状の蛍光体インキを塗布し、乾燥させる。
その後、400〜590℃の温度で焼成して有機バインダを焼失させる。これによって、各蛍光体粒子を結着させる。
以上、第1〜第10の工程によって形成した前面板2と背面板10を対向配置して重ね合わせる。このとき、前面板2の表示電極6と背面板10のアドレス電極12が直交するように重ねあわせる。
その後、前面板2と背面板10の周縁には封着用ガラス等の封着部材を塗布する。そして、例えば、450度程度で10〜20分間焼成して封着する。これによって、気密シール層(図示せず)が形成される。
その後、放電空間16内を高真空(例えば、1.1×10−4Pa)に排気した後、放電ガス(例えば、He−Xe系の不活性ガス)を封入することによってPDP1を製造している。
上述したPDP1の製造方における特徴的な点について説明する。
図2はアドレス電極12の製造工程図、図3は第1フォトマスク22と第2フォトマスク24の開口パターンの相対関係を模式的に示した拡大平面図である。
まず、図2(a)に示すように、アドレス電極12の材料となるAg材料を有する感光性Agペーストを用い、これをスクリーン印刷法等により背面基板11に均一に塗布することで、感光性Agペースト膜21を形成する。
次に、図2(b)に示すように、開口部22aを備える第1フォトマスク22を、所定の位置に位置合わせして設置する。この第1フォトマスク22には、マスク用メインパターンが形成されている。図3に示すように、第1フォトマスク22の開口部22aの開口幅W1は、コリメーション半角、デクリネーション角度による転写パターンのぼけを考慮し、図1に示すアドレス電極12のパターン幅Wを形成し得る幅に設定している。
この状態で、図2(c)に示すように、感光性Agペースト膜21に対する第1露光を行う。具体的には、マスク用メインパターンが形成された第1フォトマスクを介して、超高圧水銀ランプによる紫外線23を照射する。この露光により、図2(c)に示すように、アドレス電極12のパターンとして、メインパターン31が露光される。
次に、図2(d)に示すように、開口部24aを備える第2フォトマスク24を、所定の位置に位置合わせして設置する。この第2フォトマスク24には、マスク用サブパターンが形成されている。図3に示すように、第2フォトマスク24の開口部24aの開口幅W2は、第1フォトマスク22と第2フォトマスク24の転写位置誤差D1を考慮して、第1フォトマスク22における開口部22aの開口幅W1に対して小さく形成している。
そして、この状態で、図2(e)に示すように、マスク用サブパターンが形成された第2フォトマスク24を介して、超高圧水銀ランプによる紫外線23を照射し、感光性Agペースト膜21に対する第2露光を行う。この露光により、図2(e)に示すように、アドレス電極12のパターンとして、メインパタ−ン31に重複するようにサブパターン32が露光される。
以上のように、アドレス電極12のパターンとして、メインパターン31とサブパターン32を露光して、感光性Agペースト膜21を現像し、それを焼成すればアドレス電極12が完成する。
ここで、第1フォトマスク22および第2フォトマスク24に、それぞれダストが付着していたとしても、感光性Agペースト膜21に対する相対位置が一致する確率は非常に小さい。例えば、40インチクラスのPDP1の製造に用いられる第1フォトマスク22と第2フォトマスク24の各々に、直径100μmの粒状のダストが100個程度付着していたとき、第1フォトマスク22と第2フォトマスク24に付着したダストの位置が一致する確率は0.1%程度以下となる。
すなわち、第1フォトマスク22と第2フォトマスク24の交換毎に露光を行う場合、感光性Agペースト膜21に対して、ダストにより露光が遮られ未露光となり断線してしまうという領域を、大幅に抑制することが可能となる。
したがって、上述したような2回露光により、メインパタ−ン31と、サブパタ−ン32が重複する領域は、ダストの付着に関わらず1回は露光される確率が非常に高い。これにより、アドレス電極12のパターンが断線に至る確率は非常に小さくなる。
図3に示すように、第1フォトマスク22のマスク用メインパターンにより転写されるメインパターン31と第2フォトマスク24のマスク用サブパターンにより転写されるサブパターン32とは、第1露光と第2露光とで露光される領域の位置ずれDtが生じる。
さらに、図4に示すように、位置ずれDtは第1フォトマスク22と第2フォトマスク24の寸法精度、あるいは、製造工程の温度変動などに起因する平均的なずれ成分D2と、フォトマスクの位置合わせ誤差などに起因するばらつき成分D1に分類される。ここで、Dt=D1+D2となる。
この位置ずれDtによるパターン幅の精度悪化を抑制するために、第2フォトマスク24の開口部24aの開口幅W2は、第1フォトマスク22の開口部22aの開口幅W1より、D1だけ小さい設計としている。すなわち、W1=W2+D1としている。
さらに、第1フォトマスク22に基準位置マーク41aを配置し、第2フォトマスク24に位置確認マーク42aを配置し、第1フォトマスク22により転写されるメインパターン31と第2フォトマスク24により転写されるサブパターン32の平均的な位置ずれ量D2を基準位置マーク41aの転写パターン41bと位置確認マーク42aの転写パターン42bとを測定することで算出し、第2フォトマスクの位置合わせをオフセットすることで補正している。
具体的には、図5(a)に示す基準位置マーク41aと図5(b)に示す位置確認マーク42aは、それぞれ図5(c)に示す背面基板11上に形成されたアドレス電極12に転写された基準位置マ−クの転写パターン41bと位置確認マ−クの転写パタ−ン42bが位置ずれ測定装置の同一視野内で確認できるよう近接した状態、または、重なり合った状態となるように転写される。また、基準位置マ−クの転写パターン41bと位置確認マ−クの転写パタ−ン42bは、アドレス電極12のパターン形成の障害となることを避けるため、PDP1の主要構造物を避けるように外縁部に複数個、少なくとも2個以上設ける。複数の基準位置マーク位置から導出されるマスク用メインパターンの重心位置と、複数の位置確認マーク位置から導出されるマスク用サブパターンの重心位置を比較することで、位置ずれ量D2が算出できる。
一実施の形態では、第1フォトマスク22の外縁部に4個の基準位置マークを設け、第2フォトマスク24の外縁部に4個の位置確認マークを設けている。これにより、位置ずれDtに起因したパターン幅精度の悪化を抑制できる。
なお、一実施の形態における基準位置マークおよび位置確認マークの形状、配置数、配置位置は、単に、一例を示したに過ぎず、これに限定されるものではない。
また、一実施の形態では、アドレス電極12を例として説明したが、表示電極6、遮光層7、アドレス電極12、隔壁14等を形成する際にも適用でき、同様の効果を得ることができる。
ここに開示された技術は、電極等の形成における断線や欠陥の発生を抑制でき、かつ、大画面、高精細であっても均一なパターン幅を得ることができるので、PDPの製造に有用である。
1 PDP
2 前面板
3 前面基板
4 走査電極
4a、5a 透明電極
4b、5b バス電極
5 維持電極
6 表示電極
7 遮光層
8 誘電体層
9 保護層
10 背面板
11 背面基板
12 アドレス電極
13 誘電体層
14 隔壁
15R、15G、15B 蛍光体層
16 放電空間
21 感光性Agペースト膜
22 第1フォトマスク
22a 開口部
23 紫外線
24 第2フォトマスク
24a 開口部
31 メインパタ−ン
32 サブパタ−ン
41a 基準位置マーク
41b 転写パターン
42a 位置確認マーク
42b 転写パターン
2 前面板
3 前面基板
4 走査電極
4a、5a 透明電極
4b、5b バス電極
5 維持電極
6 表示電極
7 遮光層
8 誘電体層
9 保護層
10 背面板
11 背面基板
12 アドレス電極
13 誘電体層
14 隔壁
15R、15G、15B 蛍光体層
16 放電空間
21 感光性Agペースト膜
22 第1フォトマスク
22a 開口部
23 紫外線
24 第2フォトマスク
24a 開口部
31 メインパタ−ン
32 サブパタ−ン
41a 基準位置マーク
41b 転写パターン
42a 位置確認マーク
42b 転写パターン
Claims (2)
- マスク用メインパターンを含む第1フォトマスクでメインパターンを露光する第1露光と、
マスク用サブパターンを含む第2フォトマスクでサブパターンを露光する第2露光を備え、
前記第1フォトマスクは基準位置マークを有し、
前記第2フォトマスクは位置確認マークを有し、
前記基準位置マークと前記位置確認マークの互いの位置を基準にして、
前記第1フォトマスクで前記メインパターンを露光し、かつ、
前記第2フォトマスクで前記サブパターンを露光しており、
前記メインパターンと前記サブパターンの位置ずれ量に基づいて、
第2露光時における第2フォトマスクの露光位置をあらかじめオフセットする
プラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 前記マスク用メインパターンおよび前記マスク用サブパターンは開口部を有し、
前記マスク用メインパターンの開口部の幅よりも前記マスク用サブパターンの開口部の幅を狭くし、
前記マスク用メインパターンの開口部に対応したメインパターンの露光領域に、
前記マスク用サブパターンの開口部に対応したサブパターンの露光領域が含まれるように、
前記第1露光および前記第2露光をする
請求項1に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
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