JP2012033578A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- -1 InN Chemical compound 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
【解決手段】窒化物半導体層19上に形成されたソース電極20、ゲート電極24およびドレイン電極22と、前記窒化物半導体層上に接して形成された窒化シリコン膜26と、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記窒化シリコン膜の上面に接して設けられた有機絶縁膜32と、を含む半導体装置。
【選択図】図2
Description
20 ソース電極
22 ドレイン電極
24 ゲート電極
26、28、36 窒化シリコン膜
32 フォトレジスト
34、44 有機絶縁膜
38 感光性ポリイミド膜
42 非感光性ポリイミド膜
Claims (11)
- 窒化物半導体層上に形成されたソース電極、ゲート電極およびドレイン電極と、
前記窒化物半導体層上に接して形成された窒化シリコン膜と、
前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記窒化シリコン膜の上面に接して設けられた有機絶縁膜と、
を含むことを特徴とする半導体装置。 - 前記有機絶縁膜は、前記ソース電極と前記ゲート電極との間に設けられていないことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記ソース電極および前記ドレイン電極上にそれぞれ形成された配線を含み、
前記有機絶縁膜は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間において、前記ソース電極と前記ドレイン電極との上面、さらに前記配線の上面に設けられていないことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記ソース電極および前記ドレイン電極上にそれぞれ形成された配線を含み、
前記有機絶縁膜は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間において、前記ソース電極と前記ドレイン電極との上面の一部に設けられ、かつ前記配線の上面に設けられていないことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記有機絶縁膜はポリイミド、ベンゾジクロブテンまたは感光性有機絶縁膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 窒化物半導体層上に、ソース電極、ゲート電極およびドレイン電極をそれぞれ形成する工程と、
前記窒化物半導体層上に接して窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記窒化シリコン膜の上面に接して有機絶縁膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記有機絶縁膜は、前記ソース電極と前記ゲート電極との間に設けられていないことを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ソース電極および前記ドレイン電極上にそれぞれ配線を形成する工程を含み、
前記有機絶縁膜は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間において、前記ソース電極と前記ドレイン電極との上面、さらに前記配線の上面に設けられていないことを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ソース電極および前記ドレイン電極上にそれぞれ配線を形成する工程を含み、
前記有機絶縁膜は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間において、前記ソース電極と前記ドレイン電極との上面の一部に設けられ、かつ前記配線の上面に設けられていないことを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記窒化シリコン膜の上面が露出した状態において300℃以上の熱処理を行なう工程を含むことを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 前記有機絶縁膜はポリイミド、ベンゾジクロブテンまたは感光性有機絶縁膜であることを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010169844A JP5725749B2 (ja) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010169844A JP5725749B2 (ja) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012033578A true JP2012033578A (ja) | 2012-02-16 |
JP5725749B2 JP5725749B2 (ja) | 2015-05-27 |
Family
ID=45846686
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010169844A Active JP5725749B2 (ja) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5725749B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016021495A (ja) * | 2014-07-14 | 2016-02-04 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008091392A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
JP2008177527A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体装置 |
JP2009524242A (ja) * | 2006-01-17 | 2009-06-25 | クリー インコーポレイテッド | 支持されたゲート電極を備えるトランジスタの作製方法およびそれに関連するデバイス |
JP2009200306A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置の製造方法 |
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JP2009524242A (ja) * | 2006-01-17 | 2009-06-25 | クリー インコーポレイテッド | 支持されたゲート電極を備えるトランジスタの作製方法およびそれに関連するデバイス |
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