JP2012033402A - 臨界電流密度の磁場角度依存性に優れた超電導体 - Google Patents
臨界電流密度の磁場角度依存性に優れた超電導体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012033402A JP2012033402A JP2010172400A JP2010172400A JP2012033402A JP 2012033402 A JP2012033402 A JP 2012033402A JP 2010172400 A JP2010172400 A JP 2010172400A JP 2010172400 A JP2010172400 A JP 2010172400A JP 2012033402 A JP2012033402 A JP 2012033402A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- superconductor
- current density
- critical current
- field angle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title abstract description 39
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 229910000601 superalloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000002247 constant time method Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 241000954177 Bangana ariza Species 0.000 description 1
- 229910002482 Cu–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017082 Fe-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017133 Fe—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 102000011990 Sirtuin Human genes 0.000 description 1
- 108050002485 Sirtuin Proteins 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
- H10N60/855—Ceramic superconductors
- H10N60/857—Ceramic superconductors comprising copper oxide
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0828—Introducing flux pinning centres
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
【課題】従来と比較して磁場角度依存性に優れた超電導体を提供する。
【解決手段】基板上にＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ7-δ（δ＝０〜１）の超電導層を形成した酸化物超電導線材において、前記超電導層の内部に、柱状又は棒状のＢａＺｒＯ３が、超電導結晶のｃ軸に対して傾き、かつ、隣接する長手方向がねじれる状態で分散していることを特徴とする酸化物超電導線材。
【選択図】図１
【解決手段】基板上にＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ7-δ（δ＝０〜１）の超電導層を形成した酸化物超電導線材において、前記超電導層の内部に、柱状又は棒状のＢａＺｒＯ３が、超電導結晶のｃ軸に対して傾き、かつ、隣接する長手方向がねじれる状態で分散していることを特徴とする酸化物超電導線材。
【選択図】図１
Description
本発明は、第二種超電導体の内部に常電導性の粒子を分散した超電導体に関し、特に、臨界電流密度が高く、磁場角度依存性が小さい超電導体に関する。
第二種超電導体である酸化物超電導体膜中に、ナノロッドと呼ばれる、膜厚方向に延びた、常電導物質で構成された柱状又は棒状の結晶を、複数分散し、そのナノロッドをピンニング点とした超電導体膜について種々の検討がされている。
このような超電導体膜は、内部に形成されたナノロッドが強力なピンニングセンターとして作用することにより、高い臨界電流密度を有することが知られている。
特許文献１には、臨界電流密度が高く、磁場角度依存性が小さい超電導体膜として、ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏｘで表される超電導物質からなる超電導体層中に、Ｂａを含む常電導物質からなり、膜厚方向に間欠的に並んだ柱状結晶が形成された構造が開示されている。
しかしながら、超電導線材を用いた、超電導磁気エネルギー貯蔵（ＳＭＥＳ）、ケーブル、変圧器等の開発が進み、超電導体のさらなる特性向上が要求されており、従来の磁場角度依存性では不十分となっている。
本発明は、前記の事情にかんがみてなされたものであって、従来と比較して臨界電流密度の磁場角度依存性に優れた超電導体を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記の課題を解決するために、超電導体内のナノロッド配置について、鋭意検討した。その結果、超電導体内に、ナノロッドを傾斜させ、また、隣接するナノロッドをねじれる状態になるようにすることで、磁場角度依存性を向上させることができる知見を得た。
本発明は、上記の知見に基づきなされたものであって、その要旨は以下のとおりである。
（１）基板上にＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ7-δ（δ＝０〜１）の超電導層を形成した酸化物超電導線材において、
前記超電導層の内部に、柱状又は棒状のＢａＺｒＯ３が、超電導結晶のｃ軸に対して傾き、かつ、隣接する長手方向がねじれる状態で分散していることを特徴とする酸化物超電導線材。
前記超電導層の内部に、柱状又は棒状のＢａＺｒＯ３が、超電導結晶のｃ軸に対して傾き、かつ、隣接する長手方向がねじれる状態で分散していることを特徴とする酸化物超電導線材。
本発明によれば、従来にない臨界電流密度の磁場角度依存性が小さい超電導体を得ることができる。
以下、本発明を具体的に説明する。
図１は、本発明に係る超電導体膜の概略を示す図である。超電導体膜１０は、基板２０上に形成されており、ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ7-δからなる超電導体層１１中に、柱状又は棒状のＢａＺｒＯ３（ナノロッド）１２が、複数分散している。
ＢａＺｒＯ３は、ｃ軸（ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ7-δの成長方向）に対して傾きを有し、おおむね、ｃ軸方向に成長するように形成されている。この傾きは、特に規定するものではないが、１つの超電導結晶内に、０〜６０°程度の範囲で、様々な傾きを有するＢａＺｒＯ３が存在することが、臨界電流密度の磁場角度依存性を低減させるためには好ましい。
さらに、ＢａＺｒＯ３は、隣接する長手方向がねじれる状態で分散している。ＢａＺｒＯ３が、隣接するＢａＺｒＯ３となすねじれ角は、特に規定されるものではなく、それぞれのＢａＺｒＯ３が、隣接するＢａＺｒＯ３と様々なねじれ角でねじれる状態にあることが、臨界電流密度の磁場角度依存性を低減させるためには好ましい。
基板２０には、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｎｉ−ＷなどからなるＮｉ基合金基板、Ｃｕ、Ｃｕ−ＮｉなどからなるＣｕ基合金基板、Ｆｅ−Ｓｉ、ステンレス等からなるＦｉ基合金基板などを用いることができる。また、金属基板の上に、２軸配向した無機材料からなる複数の層を形成した基板を用いることもできる。
超電導物質であるＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ7-δと、ナノロッドを構成するＢａＺｒＯ３の比率は、特に制限されないが、通常は、重量比で９９．５：０．５〜９５：５程度である。
ＢａＺｒＯ３の比率が小さすぎると、磁場中での臨界電流密度を向上させる効果は得られない。また、一般に、ＢａＺｒＯ３の比率が大きくなるにつれて、臨界温度、自己磁場での臨界電流密度等の超電導特性は低下する。ＢａＺｒＯ３の比率は、超電導膜製造時の成膜条件や、超電導線材の使用環境（温度、磁場など）によって、最適な比率に設定される。
ナノロッドの長さは、特に制限されないが、通常は１〜２００ｎｍ程度である。ただし、本発明の課題である臨界電流密度の磁場角度依存性の改善に対しては、長さの短いロッドとすることが効果的である。
以上説明したように、超電導体膜中にナノロッドを形成することにより、臨界電流密度が高く、磁場角度依存性が小さい超電導体膜を得ることができる。上述のようにナノロッドが形成された超電導体膜の臨界電流密度の磁場角度依存性が小さくなるメカニズムは、様々な方向にナノロッドを配置することで、配置されたナノロッドが様々な角度の磁束ピンニング点として機能するので、構造由来による臨界電流密度の磁場角度依存性の異方性が改善されるものと考えられる。
次に、本発明の超電導体膜の製造方法を説明する。
本発明の超電導体膜の製造には、例えばパルスレーザ蒸着法（ＰＬＤ法）、スパッタ法、真空蒸着法などの公知の方法を用いることができる。
具体的には、超電導物質とナノロッドを構成する物質を所定の割合で混合して焼結したターゲットを用意し、ターゲットをパルスレーザ蒸着装置に取り付ける。
そして、パルスレーザ蒸着装置の中に取り付けられた基板を、減圧された酸素雰囲気下で加熱しつつ、基板上に、膜方向に延びるナノロッドを含む超電導層を形成する。
使用する基板は、特に制限されないが、二軸配向基板（ＰＬＤ−ＣｅＯ２／ＩＢＡＤ−Ｇｄ２Ｚｒ２Ｏ７／Ｎｉ−ｓｕｐｅｒａｌｌｏｙ）や、（ＰＬＤ−ＣｅＯ２／ＬａＭｎＯ３／ＩＢＡＤ−ＭｇＯ／Ｇｄ２Ｚｒ２Ｏ７／Ｎｉ−ｓｕｐｅｒａｌｌｏｙ）基板等が好適である。
上述したように超電導体膜が形成されるので、成膜温度及びパルスレーザエネルギー密度の増加により、基板に到達する吸着原子の移動度を向上させ、かつ、マルチプルーム方式を用いて擬似的にパルスレーザ発振周波数をさげる（成膜時の過飽和度を下げる）ことにより、ナノロッドの長さ、角度を調整することができる。
ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７＋ＺｒＯ２（５ｍｏｌ％）、及び、ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７＋ＢａＺｒＯ３（５ｍｏｌ％）を混合したターゲットを作製し、パルスレーザ蒸着装置に取り付けた。
その後、パルスエネルギー５００〜６００ｍＪ（２〜３Ｊ／ｃｍ２に相当）、パルスレート１７７Ｈｚ（４−ｐｌｕｍｅ）、基板温度８５０−９００℃、プロセス圧６００ｍＴｏｒｒの条件で、ＰＬＤ法により、成膜を行い、超電導体膜を作製した。
基板には、イオンビームアシスト蒸着法（ＩＢＡＤ法）により成膜したＧｄ２Ｚｒ２Ｏ７層を含む二軸配向基板（ＰＬＤ−ＣｅＯ２／ＩＢＡＤ−Ｇｄ２Ｚｒ２Ｏ７／Ｎｉ−ｓｕｐｅｒａｌｌｏｙ）を用いた。
作製した超電導体膜を、ＦＩＢ装置で薄片化して、板状及びピラー状のＳＴＥＭ試料を作製し、ＳＴＥＭ−ＣＴ法により、ＢＺＯナノロッドの分散状態を解析した。
＜比較例＞
純ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７ターゲットを作製し、スパッタ装置に取り付けた。
純ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７ターゲットを作製し、スパッタ装置に取り付けた。
その後、パルスエネルギー５００〜６００ｍＪ（２〜３Ｊ／ｃｍ２に相当）、パルスレート１７７Ｈｚ（４−ｐｌｕｍｅ）、基板温度８５０−９００℃、プロセス圧６００ｍＴｏｒｒの条件で、パルスレーザ蒸着法（ＰＬＤ法）により、成膜を行い、超電導体膜を作製した。
基板には、イオンビームアシスト蒸着法（ＩＢＡＤ法）により成膜したＧｄ２Ｚｒ２Ｏ７層を含む二軸配向基板（ＰＬＤ−ＣｅＯ２／ＩＢＡＤ−Ｇｄ２Ｚｒ２Ｏ７／Ｎｉ−ｓｕｐｅｒａｌｌｏｙ）を用いた。
作製した超電導体膜を、ＦＩＢ装置で薄片化して、板状及びピラー状のＳＴＥＭ試料を作製し、ＳＴＥＭ−ＣＴ法により、ＢＺＯナノロッドの分散状態を解析した。
図２に、７７．３Ｋにおける、臨界電流密度と印加磁場の入射角度との関係を示す。（ａ）は上記の比較例、（ｂ）は上記の実施例の結果である。本発明の超電導体膜は、臨界電流密度の磁場角度依存性が極めて小さいことが分かった。
図３に、実施例の超電導体膜の断面のＳＴＥＭ−ＬＡＡＤＦ像を、図４に、３次元再構築像を示す。３次元像の再構築には代数的反復（ＳＩＲＴ）法を用い、可視化にはＡｖｉｚｏ Ｆｉｒｅ６．１を使用した。さらに、図５に、ａｂ面断面の３次元再構築像から作成した１次元ＡＰＣｓ（ａｒｔｉｆｉｃｉａｌ ｐｉｎｎｉｎｇ ｃｅｎｔｅｒｓ）像を示す。
これらの結果から、本発明の超電導体膜は、超電導層の内部に、超電導結晶のｃ軸に対して傾いて、かつ、隣接する長手方向がねじれる状態で柱状又は棒状のＢａＺｒＯ３が分散していることが確認できた。
本発明によれば、従来にない臨界電流密度の磁場角度依存性が小さい超電導体を得ることができ、ＳＭＥＳ、ケーブル、変圧器等に適用することができるので、産業上の利用可能性は大きい。
１０ 超電導体膜
１１ 超電導体層（ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ7-δ）
１２ ナノロッド（棒状又は柱状のＢａＺｒＯ３）
２０ 基板
１１ 超電導体層（ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ7-δ）
１２ ナノロッド（棒状又は柱状のＢａＺｒＯ３）
２０ 基板
Claims (1)
- 基板上にＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ7-δ（δ＝０〜１）の超電導層を形成した酸化物超電導線材において、
前記超電導層の内部に、柱状又は棒状のＢａＺｒＯ３が、超電導結晶のｃ軸に対して傾き、かつ、隣接する長手方向がねじれる状態で分散していることを特徴とする酸化物超電導線材。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010172400A JP5634157B2 (ja) | 2010-07-30 | 2010-07-30 | 臨界電流密度の磁場角度依存性に優れた超電導体 |
| US13/111,063 US20120028808A1 (en) | 2010-07-30 | 2011-05-19 | Superconductor superior in dependency of critical current density on magnetic field angle |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010172400A JP5634157B2 (ja) | 2010-07-30 | 2010-07-30 | 臨界電流密度の磁場角度依存性に優れた超電導体 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012033402A true JP2012033402A (ja) | 2012-02-16 |
| JP2012033402A5 JP2012033402A5 (ja) | 2013-10-03 |
| JP5634157B2 JP5634157B2 (ja) | 2014-12-03 |
Family
ID=45527298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010172400A Expired - Fee Related JP5634157B2 (ja) | 2010-07-30 | 2010-07-30 | 臨界電流密度の磁場角度依存性に優れた超電導体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120028808A1 (ja) |
| JP (1) | JP5634157B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017217487A1 (ja) * | 2016-06-16 | 2017-12-21 | 株式会社フジクラ | 酸化物超電導線材及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080176749A1 (en) * | 2005-08-01 | 2008-07-24 | Amit Goyal | High performance devices enabled by epitaxial, preferentially oriented, nanodots and/or nanorods |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008130291A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 超電導体膜及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-07-30 JP JP2010172400A patent/JP5634157B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-05-19 US US13/111,063 patent/US20120028808A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080176749A1 (en) * | 2005-08-01 | 2008-07-24 | Amit Goyal | High performance devices enabled by epitaxial, preferentially oriented, nanodots and/or nanorods |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017217487A1 (ja) * | 2016-06-16 | 2017-12-21 | 株式会社フジクラ | 酸化物超電導線材及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5634157B2 (ja) | 2014-12-03 |
| US20120028808A1 (en) | 2012-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Yang et al. | Nanostructured high-temperature superconductors: creation of strong-pinning columnar defects in nanorod/superconductor composites | |
| Wee et al. | Engineering nanocolumnar defect configurations for optimized vortex pinning in high temperature superconducting nanocomposite wires | |
| Civale et al. | Understanding high critical currents in YBa 2 Cu 3 O 7 thin films and coated conductors | |
| US7763343B2 (en) | Mesh-type stabilizer for filamentary coated superconductors | |
| JP2008130291A (ja) | 超電導体膜及びその製造方法 | |
| Miura et al. | Vortex pinning at low temperature under high magnetic field in SmBa2Cu3Oy superconducting films with high number density and small size of BaHfO3 nano-rods | |
| Malmivirta et al. | Three ranges of the angular dependence of critical current of BaZrO3 doped YBa2Cu3O7− δ thin films grown at different temperatures | |
| WO2013002372A1 (ja) | Ｒｅ１２３系超電導線材およびその製造方法 | |
| JP5634157B2 (ja) | 臨界電流密度の磁場角度依存性に優れた超電導体 | |
| US8216977B2 (en) | High temperature superconductors | |
| JP6208897B2 (ja) | 二硼化マグネシウム超電導薄膜線材およびその製造方法 | |
| JP2008130255A (ja) | 超電導線材、およびその製造方法 | |
| Xu et al. | A new seeding approach to the melt texture growth of a large YBCO single domain with diameter above 53 mm | |
| JP2012022882A (ja) | 酸化物超電導導体用基材及びその製造方法と酸化物超電導導体及びその製造方法 | |
| Khatri et al. | Pre-fabricated nanorods in RE–Ba–Cu–O superconductors | |
| JP2005276465A (ja) | 超電導線材 | |
| JP7445238B2 (ja) | 超電導線材及び超電導線材の製造方法 | |
| JP2005056741A (ja) | 薄膜超電導線材およびその製造方法 | |
| JP4155795B2 (ja) | 基材上に中間層を介して酸化物高温超電導体薄膜を形成する方法 | |
| JP2010123433A (ja) | Ｒｅ１２３超電導薄膜線材の製造方法およびｒｅ１２３超電導薄膜線材 | |
| Matsumoto et al. | Flux pinning characteristics of artificial pinning centers with different dimension | |
| JPH07105751A (ja) | 安定化材複合型超電導導体およびその製造方法 | |
| Krinitsina et al. | Structural state of second-generation HTSCs obtained by laser ablation | |
| Panth et al. | The benefit of Ca in improving pinning of BaZrO3-Y2O3 doubly-doped YBa2Cu3O7-x/Ca0. 3Y0. 7Ba2Cu3O7-x multilayer nanocomposite films | |
| JP6187711B1 (ja) | 酸化物超電導線材 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130710 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130710 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130724 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140529 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140617 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140916 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141014 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5634157 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |