JP2012023270A - Holder for substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、薄い半導体ウェーハを保持、搬送、輸送等する際に使用される基板用保持具に関するものである。 The present invention relates to a substrate holder used when holding, transporting, transporting, etc. a thin semiconductor wafer.
半導体ウェーハは、薄い半導体パッケージに適合させる観点から、バックグラインド工程で100μm以下、最近では50μm以下の薄さに研削され、シッピングボックスに収納されて搬送されたり、輸送される。しかしながら、半導体ウェーハは、バックグラインドされると、非常に薄く撓み易くなるので、そのままの状態で直接シッピングボックスに収納されると、搬送や輸送の際の振動で損傷したり、破損するおそれがある(特許文献1、2参照)。
From the viewpoint of adapting to a thin semiconductor package, a semiconductor wafer is ground to a thickness of 100 μm or less, and recently, 50 μm or less in a back grinding process, and is transported or transported in a shipping box. However, when semiconductor wafers are back-ground, they become very thin and bend easily, so if they are stored directly in the shipping box as they are, they may be damaged or broken by vibration during transportation or transportation. (See
そこで、バックグラインドされた薄い半導体ウェーハは、そのままの状態で搬送や輸送に供されるのではなく、ダイシングフレーム等の基板用保持具に保持された状態でシッピングボックスに収納され、搬送や輸送に供される。 Therefore, back-ground thin semiconductor wafers are not transported or transported as they are, but are stored in a shipping box while being held by a substrate holder such as a dicing frame for transport and transport. Provided.
従来の薄い半導体ウェーハは、以上のように基板用保持具に保持された状態でシッピングボックスに収納されるが、基板用保持具の粘着テープに単に保持されるに止まる場合には、振動や衝撃に対する十分な保護が期待できず、依然として搬送や輸送の際に損傷したり、破損するおそれがある。 Conventional thin semiconductor wafers are stored in the shipping box while being held by the substrate holder as described above. However, if the wafer is simply held by the adhesive tape of the substrate holder, vibration or shock However, there is a risk of damage or breakage during transportation or transportation.
本発明は上記に鑑みなされたもので、搬送や輸送の際に薄い半導体ウェーハが損傷したり、破損するおそれを有効に排除することのできる基板用保持具を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a substrate holder that can effectively eliminate the possibility of damage or breakage of a thin semiconductor wafer during transportation or transportation.
本発明においては上記課題を解決するため、保持リングの可撓性を有する粘着層に薄い半導体ウェーハを着脱自在に粘着保持させる保持具であって、
保持リングを第一、第二の保持リングに分割し、この第一、第二の保持リングを重ねてその対向する一対の粘着層の間に薄い半導体ウェーハを挟み持たせ、第一の保持リングの粘着層と第二の保持リングの粘着層のいずれか一方を強粘着層とするとともに、他方を弱粘着層としたことを特徴としている。
In the present invention, in order to solve the above-mentioned problem, a holder for detachably sticking a thin semiconductor wafer on a flexible adhesive layer of a holding ring,
The holding ring is divided into first and second holding rings, and the first and second holding rings are stacked so that a thin semiconductor wafer is sandwiched between a pair of opposing adhesive layers. One of the adhesive layer and the adhesive layer of the second holding ring is a strong adhesive layer, and the other is a weak adhesive layer.
なお、第一の保持リングは、相互に嵌め合わされる内リングと外リングとを備え、これら内リングと外リングとの間に強粘着層の周縁部を挟み持たせることができる。
また、第二の保持リングは、相互に嵌め合わされる内リングと外リングとを備え、これら内リングと外リングとの間に弱粘着層の周縁部を挟み持たせることができる。
The first holding ring includes an inner ring and an outer ring that are fitted to each other, and the peripheral edge portion of the strong adhesion layer can be sandwiched between the inner ring and the outer ring.
Further, the second holding ring includes an inner ring and an outer ring that are fitted to each other, and a peripheral edge portion of the weak adhesive layer can be sandwiched between the inner ring and the outer ring.
ここで、特許請求の範囲における薄い半導体ウェーハには、少なくともバックグラインドされたφ200、300、450mmのシリコンウェーハ等が含まれる。また、第一、第二の保持リングは、半導体ウェーハ以上の大きさであれば、材質を特に問うものではない。強粘着層は、第一の保持リングが半導体の製造工程でも使用される場合には、少なくとも耐熱性が付与されることが好ましい。さらに、本発明に係る基板用保持具は、薄い半導体ウェーハの搬送や輸送の場合に主に使用されるが、特にこれに限定されるものではなく、半導体の製造工程(例えばハンダリフロー工程等)等でも使用することができる。 Here, the thin semiconductor wafer in the claims includes at least back-ground silicon wafers of φ200, 300, and 450 mm. The first and second retaining rings are not particularly limited in material as long as they are larger than the semiconductor wafer. In the case where the first holding ring is also used in the semiconductor manufacturing process, it is preferable that the strong adhesion layer is imparted with at least heat resistance. Furthermore, the substrate holder according to the present invention is mainly used in the case of transporting and transporting a thin semiconductor wafer, but is not particularly limited thereto, and a semiconductor manufacturing process (for example, a solder reflow process). Etc. can also be used.
本発明によれば、薄い半導体ウェーハは、搬送されたり、輸送される際、第一、第二の保持リングの強粘着層と弱粘着層とに挟み持たれ、これら強粘着層と弱粘着層とが撓んで振動や衝撃を吸収・減衰するので、従来よりも厚く保護される。 According to the present invention, when a thin semiconductor wafer is transported or transported, it is sandwiched between the strong adhesive layer and the weak adhesive layer of the first and second retaining rings, and these strong adhesive layer and weak adhesive layer. Since it bends and absorbs and attenuates vibrations and shocks, it is protected thicker than before.
本発明によれば、搬送や輸送の際に薄い半導体ウェーハが損傷したり、破損するおそれを有効に排除することができるという効果がある。 According to the present invention, there is an effect that it is possible to effectively eliminate the possibility that a thin semiconductor wafer is damaged or broken during transportation or transportation.
また、請求項2記載の発明によれば、内リングと外リングとを強粘着層の周縁部を介して嵌め合わせれば、第一の保持リングを簡単に組み立てることができる。また、必要に応じ、強粘着層を簡単に交換することもできる。
また、請求項3記載の発明によれば、内リングと外リングとを弱粘着層の周縁部を介して嵌め合わせれば、第二の保持リングを容易に組み立てることができる。また、弱粘着層の交換も容易である。
According to the second aspect of the present invention, the first holding ring can be easily assembled by fitting the inner ring and the outer ring through the peripheral edge of the strong adhesive layer. In addition, the strong adhesive layer can be easily replaced as necessary.
According to the invention described in
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明すると、本実施形態における基板用保持具1は、図1ないし図4に示すように、同じ大きさの第一、第二の保持リング2・2Aを備え、この第一、第二の保持リング2・2Aを上下二段に積層してその相対向する一対の粘着層5の間にバックグラインドされた薄い半導体ウェーハWを挟持させる保持具であり、薄い半導体ウェーハWを挟持した後に専用のシッピングボックス10に収納される。
Hereinafter, the embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIGS. 1 to 4, the
第一の保持リング2は、図1、図3、図4に示すように、相互に密嵌される中空の内リング3と外リング4とを備え、これら内リング3の外周面と外リング4の内周面との間に、薄い半導体ウェーハWに下方から粘着する粘着層5である強粘着層6の周縁部が着脱自在に挟持される。
As shown in FIGS. 1, 3, and 4, the
内リング3と外リング4とは、金属材料で製造される場合には、ステンレスや表面にメッキが施されて錆の発生を防止可能な材料で製造されることが好ましい。これに対し、樹脂を含む成形材料で製造される場合には、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミド、ポリカーボネート、液晶ポリマー等を含有する成形材料で成形されることが好ましい。
When the
強粘着層6は、例えば自己粘着性、耐熱性、耐候性、難燃性、電気特性等に優れる屈曲可能な薄いシリコーンゴム製のシートからなり、導電フィラー等の各種のフィラーが必要に応じて配合されており、薄い半導体ウェーハWの大きさ以上の大きさの平面円形に形成される。この強粘着層6は、少なくとも薄い半導体ウェーハWに粘着する表面が弱粘着層7よりも粘着性に優れる強粘着性とされる。この強粘着性は、例えばシートの材質の選定やシートの表面に鏡面加工を適宜施すことにより実現される。 The strong adhesive layer 6 is made of a flexible silicone rubber sheet that is excellent in self-adhesion, heat resistance, weather resistance, flame retardancy, electrical properties, etc., and various fillers such as conductive fillers are used as necessary. It is compounded and formed into a planar circle having a size larger than that of the thin semiconductor wafer W. The strong adhesive layer 6 has a strong adhesive property in which at least the surface adhering to the thin semiconductor wafer W is more adhesive than the weak adhesive layer 7. This strong adhesiveness is realized, for example, by selecting the material of the sheet or appropriately applying a mirror finish to the surface of the sheet.
第二の保持リング2Aは、図1、図3、図4に示すように、相互に密嵌される中空の内リング3と外リング4とを備え、これら内リング3の外周面と外リング4の内周面との間に、薄い半導体ウェーハWに上方から粘着する粘着層5である弱粘着層7の周縁部が着脱自在に挟持されており、第一の保持リング2と視覚的に見分けることができるよう所定の模様や色彩等が適宜施される。この内リング3と外リング4とは、第一の保持リング2の内リング3や外リング4と同様の材料で製造される。
As shown in FIGS. 1, 3, and 4, the
弱粘着層7は、例えば強粘着層6と同様に薄いシリコーンゴム製のシートからなり、薄い半導体ウェーハWの大きさ以上の大きさの平面円形に形成されており、第一、第二の保持リング2・2Aの積層時に強粘着層6に近接して対向する。この弱粘着層7は、少なくとも薄い半導体ウェーハWに粘着する表面が強粘着層6よりも粘着性に劣る弱粘着性とされる。この弱粘着性は、例えばシートの材質の選定、シートの表面にシボ加工や凹凸加工を適宜施すことにより実現される。
The weak adhesive layer 7 is made of, for example, a thin silicone rubber sheet similar to the strong adhesive layer 6, and is formed in a planar circular shape having a size equal to or larger than the size of the thin semiconductor wafer W. When the
薄い半導体ウェーハWは、特に限定されるものではないが、例えばバックグラインド工程で100μm以下、特に50μm以下の薄さに研削されたφ200mmの割れ易いシリコンウェーハからなる。 The thin semiconductor wafer W is not particularly limited. For example, the thin semiconductor wafer W is made of a fragile silicon wafer having a diameter of 200 mm that is ground to a thickness of 100 μm or less, particularly 50 μm or less in a back grinding process.
シッピングボックス10は、図2に示すように、例えばトップオープンボックスのボックス本体11と、このボックス本体11の開口した上面に着脱自在に嵌合する蓋体12とを備え、これらボックス本体11と蓋体12との間に複数の基板用保持具1が上下方向に積層して収納される。ボックス本体11と蓋体12との間には、密封性を向上させる観点からエンドレスのシールガスケットが必要に応じて介在配備される。
As shown in FIG. 2, the shipping box 10 includes, for example, a
ボックス本体11と蓋体12とは、所定の樹脂を含有する成形材料によりそれぞれ射出成形される。この成形材料の所定の樹脂としては、例えばポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマーといった熱可塑性樹脂やこれらのアロイ等があげられる。
The
これら成形材料の樹脂には、カーボンブラック、炭素繊維、カーボンナノチューブ、金属繊維、金属酸化物、導電性ポリマー等の導電剤やアニオン、カチオン、非イオン系等の各種帯電防止剤が選択的に添加される。また、ベンゾトリアゾール系、サリシレート系、シアノアクリレート系、オキザリックアシッドアニリド系、ヒンダードアミン系の紫外線吸収剤を添加したり、剛性を向上させるガラス繊維や炭素繊維等を添加することも可能である。 Conductive agents such as carbon black, carbon fibers, carbon nanotubes, metal fibers, metal oxides, and conductive polymers, and various antistatic agents such as anions, cations, and nonionics are selectively added to these molding material resins. Is done. It is also possible to add benzotriazole-based, salicylate-based, cyanoacrylate-based, oxalic acid anilide-based, hindered amine-based UV absorbers, or glass fibers or carbon fibers that improve rigidity.
ボックス本体11の内底面には、基板用保持具1を包囲する複数の位置決めピン13が所定の間隔で立設される。また、蓋体12の天井内面には、基板用保持具1を包囲する複数の位置決めピン14が所定の間隔で選択的に配設される。
On the inner bottom surface of the
上記構成において、基板用保持具1にバックグラインドされた薄い半導体ウェーハWを挟持させる場合には、第一の保持リング2の緊張した強粘着層6上に薄い半導体ウェーハWを隙間なく粘着保持させ、第一の保持リング2に第二の保持リング2Aを積層して薄い半導体ウェーハWの露出面に緊張した弱粘着層7を粘着すれば、第一、第二の保持リング2・2Aの強粘着層6と弱粘着層7とに薄い半導体ウェーハWを安定した姿勢で挟持させることができる。
In the above configuration, when the thin semiconductor wafer W back-ground is sandwiched between the
次に、基板用保持具1に挟持された薄い半導体ウェーハWをシッピングボックス10に収納する場合には、シッピングボックス10のボックス本体11内に基板用保持具1を水平状態に必要数収納して積層するとともに、この基板用保持具1を複数の位置決めピン13により位置決めし、ボックス本体11の開口した上面に蓋体12を被せて嵌合すれば、薄い半導体ウェーハWをシッピングボックス10に複数枚収納することができる。この際、後の取り外し作業を容易にする観点から、各基板用保持具1の第二の保持リング2Aを上方に位置させることが好ましい。
Next, when the thin semiconductor wafer W sandwiched between the
このようにしてシッピングボックス10に収納された薄い半導体ウェーハWは、搬送されたり、輸送されるが、強粘着層6と弱粘着層7とに上下方向から全面に亘って挟持され、しかも、これら強粘着層6と弱粘着層7とが上下方向に撓んで緩衝機能を発揮するので、十分な保護が期待できる。したがって、搬送や輸送の際の振動で薄い半導体ウェーハWが損傷したり、破損するおそれを有効に排除することができる。 The thin semiconductor wafer W thus housed in the shipping box 10 is transported or transported, and is sandwiched between the strong adhesive layer 6 and the weak adhesive layer 7 over the entire surface from the top and bottom directions, and these Since the strong adhesive layer 6 and the weak adhesive layer 7 are bent in the vertical direction to exhibit a buffer function, sufficient protection can be expected. Therefore, it is possible to effectively eliminate the possibility that the thin semiconductor wafer W is damaged or broken due to vibration during transportation or transportation.
また仮に、薄い半導体ウェーハWが損傷したり、破損したとしても、強粘着層6や弱粘着層7に薄い半導体ウェーハWの全面が既に粘着しているので、破損部分が周囲に飛散するおそれがない。したがって、他の薄い半導体ウェーハWに悪影響を及ぼすことが全くない。 Moreover, even if the thin semiconductor wafer W is damaged or broken, the entire surface of the thin semiconductor wafer W is already adhered to the strong adhesive layer 6 or the weak adhesive layer 7, so that there is a possibility that the damaged portion is scattered around. Absent. Therefore, the other thin semiconductor wafers W are not adversely affected.
搬送や輸送が終了した後、シッピングボックス10から取り出した薄い半導体ウェーハWに各種の加工や処理を施したい場合には、先ず剥離の容易な弱粘着層7に着目し、薄い半導体ウェーハWから上方の弱粘着層7を剥離して第二の保持リング2Aを取り外し、図示しないチャックテーブルの表面に薄い半導体ウェーハWを真空吸着し、その後、薄い半導体ウェーハWから強粘着層6を剥離して第一の保持リング2を取り外せば、薄い半導体ウェーハWに各種の加工や処理を施すことができる。
When the thin semiconductor wafer W taken out from the shipping box 10 is to be subjected to various types of processing and processing after the transportation and transportation are finished, first pay attention to the weakly adhesive layer 7 that is easy to peel off, and move upward from the thin semiconductor wafer W. The second adhesive ring 7 is peeled off, the
なお、シッピングボックス10から取り出した薄い半導体ウェーハWをハンダリフロー工程に供する場合には、後から取り外す第一の保持リング2の強粘着層6に十分な耐熱性を予め付与しておけば良い。こうすれば、ハンダリフロー工程で第一の保持リング2から薄い半導体ウェーハWを分離することなく、そのまま使用することができ、実に便利である。
When the thin semiconductor wafer W taken out from the shipping box 10 is subjected to a solder reflow process, sufficient heat resistance may be given in advance to the strong adhesive layer 6 of the
上記構成によれば、強粘着層6と弱粘着層7とが薄い半導体ウェーハWを全面に亘って挟持し、かつ上下方向に撓んで搬送時等の振動や衝撃を吸収したり、減衰するので、薄い半導体ウェーハWを十分に保護することができ、搬送や輸送の際に薄い半導体ウェーハWが損傷したり、破損するおそれが全くない。 According to the above configuration, the strong adhesive layer 6 and the weak adhesive layer 7 sandwich the thin semiconductor wafer W over the entire surface and bend in the vertical direction to absorb or attenuate vibrations and shocks during transportation. The thin semiconductor wafer W can be sufficiently protected, and there is no possibility that the thin semiconductor wafer W is damaged or broken during transportation or transportation.
また、一対の強粘着層6を単に使用するのではなく、強粘着層6と弱粘着層7とを使用して粘着性に差異をもたせるので、薄く脆い半導体ウェーハWに対する粘着力が過剰になるのを抑制することができる。したがって、薄く脆い半導体ウェーハWから粘着層5を剥離する際、薄い半導体ウェーハWがその厚さ方向の中心部付近で破損するのを抑制防止することができる。
In addition, since the strong adhesive layer 6 and the weak adhesive layer 7 are used instead of simply using the pair of strong adhesive layers 6, the adhesiveness to the thin and brittle semiconductor wafer W becomes excessive. Can be suppressed. Accordingly, when the
なお、上記実施形態では第一の保持リング2に強粘着層6を挟持させ、第二の保持リング2Aに弱粘着層7を挟持させたが、第一の保持リング2に弱粘着層7を挟持させ、第二の保持リング2Aに強粘着層6を挟持させても良い。また、第一、第二の保持リング2・2Aは、半導体ウェーハWに対応する平面リング形が好ましいが、枠形等でも良い。また、内リング3の外周面と外リング4の内周面のいずれか一方に凹部を、他方には凸部を形成し、これら凹部と凸部とをきつく嵌合して内リング3と外リング4の分離を防止するようにしても良い。
In the above embodiment, the strong adhesive layer 6 is sandwiched between the
また、上記実施形態では強粘着層6と弱粘着層7とをシリコーンゴム製のシートとしたが、何らこれに限定されるものではない。例えば強粘着層6や弱粘着層7を、フッ素系のゴム、ポリオレフィン系やポリエステル系、ウレタン系のエラストマーフィルム、ポリエステル製のフィルムに再剥離可能なアクリル系やシリコーン系の粘着層5が積層された積層フィルムの加工により形成しても良い。さらに、ボックス本体11の位置決めピン13の代わりに位置決め用のガイド片を所定の間隔で配設したり、蓋体12の位置決めピン14を省略することもできる。
In the above embodiment, the strong adhesive layer 6 and the weak adhesive layer 7 are made of silicone rubber, but the present invention is not limited to this. For example, the strong adhesive layer 6 and the weak adhesive layer 7 are laminated with a fluorine-based rubber, polyolefin-based, polyester-based, urethane-based elastomer film, or a polyester-based acrylic or silicone-based
1 基板用保持具
2 第一の保持リング
2A 第二の保持リング
3 内リング
4 外リング
5 粘着層
6 強粘着層
7 弱粘着層
10 シッピングボックス
11 ボックス本体
12 蓋体
W 半導体ウェーハ
DESCRIPTION OF
Claims (3)
保持リングを第一、第二の保持リングに分割し、この第一、第二の保持リングを重ねてその対向する一対の粘着層の間に薄い半導体ウェーハを挟み持たせ、第一の保持リングの粘着層と第二の保持リングの粘着層のいずれか一方を強粘着層とするとともに、他方を弱粘着層としたことを特徴とする基板用保持具。 A holder for a substrate for detachably sticking and holding a thin semiconductor wafer on a flexible adhesive layer of a holding ring,
The holding ring is divided into first and second holding rings, and the first and second holding rings are stacked so that a thin semiconductor wafer is sandwiched between a pair of opposing adhesive layers. One of the adhesive layer and the adhesive layer of the second holding ring is a strong adhesive layer, and the other is a weak adhesive layer.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010161418A JP2012023270A (en) | 2010-07-16 | 2010-07-16 | Holder for substrate |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2010161418A JP2012023270A (en) | 2010-07-16 | 2010-07-16 | Holder for substrate |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013179112A (en) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | Jig for semiconductor wafer, and method for handling semiconductor wafer |
-
2010
- 2010-07-16 JP JP2010161418A patent/JP2012023270A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013179112A (en) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | Jig for semiconductor wafer, and method for handling semiconductor wafer |
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