以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
[実施の形態1]
はじめに、本発明の実施の形態1について説明する。図1は、本発明の実施の形態1におけるスピン偏極装置の構成を示す断面図である。このスピン偏極装置は、まず、基板101の上に形成された電子供給層102と、電子供給層102の上に形成された第1半導体層103と、第1半導体層103の上に形成された第1半導体層103よりバンドギャップエネルギーが小さい第2半導体層104と、第2半導体層104の上に形成された第2半導体層104よりバンドギャップエネルギーが大きい第3半導体層105とを備える。
また、このスピン偏極装置は、第3半導体層105の上に形成されて一部の第2半導体層104に電界を印加する電界印加電極106と、基板101の平面方向に電界印加電極106を挟んで配置されて第2半導体層104に接続する第1オーミック電極107および第2オーミック電極108とを備える。なお、第2半導体層104は、基板101の上に他の層とともに積層されており、第1オーミック電極107および第2オーミック電極108は、第2半導体層104の平面方向に、電界印加電極106を挟んで配置されている。本実施の形態では、第1オーミック電極107および第2オーミック電極108は、第3半導体層105の上に配置され、合金層を形成することで、第2半導体層104に電気的に接続している。
加えて、第1オーミック電極107は、電界印加電極106との間の第2半導体層104に電界印加電極106による電界が印加されない領域が形成される範囲に電界印加電極106と離間して形成されている。従って、電界印加電極106と第1オーミック電極107と間の第2半導体層104に、電界印加電極106により電界が印加されない領域が設けられる。また、第2半導体層104には、電界が印加されると、第2半導体層104の層厚方向の中央部に、層厚方向の両端部より伝導帯端のポテンシャルが高い領域が形成される構成となっている。
例えば、基板101は、高抵抗InPから構成すればよい。また、電子供給層102は、n型としたInAlAsから構成すればよい。また、第1半導体層103は、InAlAsから構成すればよい。また、第2半導体層104は、InGaAsから構成すればよく、層厚は10〜20nm程度とすればよい。また、第3半導体層105は、第1半導体層103と同様であり、InAlAsから構成すればよい。これらの各層は、例えば、有機金属気相成長法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:MOCVD)および分子線エピタキシー法(Molecular Beam Epitaxy:MBE)などの、半導体の結晶成長技術により形成することができる。
また、電界印加電極106は、Auから構成すればよく、例えば、第3半導体層105にショットキー接続させればよい。また、第1オーミック電極107および第2オーミック電極108は、AuGeNi/Auから構成すればよく、第2半導体層104にまで合金領域が形成されていればよい。これらの電極は、例えば、真空蒸着法やスパッタ法などの堆積技術を用いたリフトオフ法により形成することができる。
本実施の形態におけるスピン偏極装置は、量子井戸層となる第2半導体層104において、図2の(a)に示すように、電界印加電極106により電界が印加された状態では、層厚方向の中央部に層厚方向の両端部より伝導帯端のポテンシャルが高い領域が形成され、層厚方向の両端部に、よりポテンシャルの低い2つの井戸(電子に対する井戸)が形成されるところに、第1の特徴がある。この状態は、図2の(a)のポテンシャルの図において、実線で示している。
このように2つの井戸が形成される二重量子井戸構造とすることで、任意の1つの向きに流れる電子に対し、一方の井戸では、スピン・ダウンの電子のエネルギーがスピン・アップの電子のエネルギーよりも大きく、他方の井戸では、スピン・アップの電子のエネルギーがスピン・ダウンの電子のエネルギーよりも大きい状態となる。この状態は、図2の(a)のポテンシャルの図において、点線で示している。この結果、電界印加電極106により電界が印加される領域では、電子供給層102より供給される電子は、第2半導体層104の層厚方向の2つの領域に、各々異なる方向にスピン偏極して偏在するようになる。
上述した状態で、第1オーミック電極107と第2オーミック電極108との間に、ある特定の電圧を印加すると、この電圧印加によって発生する電子の流れの反対方向に、電流を流すことが可能となる。従って、図2の(a)に示す電界印加電極106による電界が印加される領域(電界印加電極106の下の領域)では、第1オーミック電極107と第2オーミック電極108との間に電圧が印加されている状態で、電界印加電極106による電界が印加されると、スピン偏極した電流を流せる状態となる。
また、本実施の形態におけるスピン偏極装置は、図2の(b)に示す、電界印加電極106の電界が印加されない領域(電界印加電極106と第1オーミック電極107との間の領域)では、層厚方向の中央部に層厚方向の両端部より伝導帯端のポテンシャルが高い領域は形成されないようにするところに、第2の特徴がある。言い換えると、層厚方向に、第1半導体層103の側(もしくは第3半導体層105の側)に、1つの井戸(電子に対する井戸)が形成されるところに特徴がある。この状態は、図2の(b)のポテンシャルの図において、実線で示している。
このため、電界印加電極106による電界が印加されない電界印加電極106と第1オーミック電極107との間の領域では、電子供給層102より供給される電子によるチャネルが形成されるようになる。従って、図2の(b)に示す電界印加電極106と第1オーミック電極107との間の領域では、電子が移動できる状態となり、電流が流れる状態となっている。
上述したことからわかるように、本実施の形態によれば、第1オーミック電極107と第2オーミック電極108との間に印加する電圧を制御し、電界印加電極106により電界を印加することで、第1オーミック電極107と第2オーミック電極108との間に、スピン偏極させた電流が流せるようになる。例えば、このスピン偏極装置において、第1オーミック電極107に対して正の電圧が印加されるように、第1オーミック電極107および第2オーミック電極108の間に電圧を印加する。この状態で、電界印加電極106に正の電圧を印加すると、第2半導体層104の電界印加電極106と第1オーミック電極107との間の領域で、図1の紙面で奥の方向にスピンの方向が揃った(偏極した)電子が、第1オーミック電極107に向かって図1に示すように走行するようになる。
ところで、上述では、1つの層からなる第2半導体層104を、電界の印加により層厚方向の中央部に層厚方向の両端部より伝導帯端のポテンシャルが高い領域が形成される構成としたが、これに限るものではない。例えば、図3に示すように、第1半導体層103よりバンドギャップエネルギーが小さい量子井戸層141および量子井戸層142で、量子井戸層141および量子井戸層142よりバンドギャップエネルギーの大きい障壁層143を挟む構成としてもよい。これは、第2半導体層104の層厚方向の中央部に、第2半導体層104よりバンドギャップエネルギーの大きい第4半導体層(障壁層)を備えるようにした構成と同じである。
このように、量子井戸層141,量子井戸層142,および障壁層143からなる2重量子井戸構造としても、前述した実施の形態と同様である。この構成としても、量子井戸層141,量子井戸層142,および障壁層143の全体としては、図3の(a)に示すように、電界印加電極106により電界が印加された状態では、層厚方向の中央部に層厚方向の両端部より伝導帯端のポテンシャルが高い領域(障壁層143)が形成され、層厚方向の両端部(量子井戸層141,量子井戸層142)に、よりポテンシャルの低い2つの井戸が形成される。この状態は、図3の(a)のポテンシャルの図において、実線で示している。
従って、量子井戸層141,量子井戸層142,および障壁層143からなる2重量子井戸構造としても、図3の(a)のポテンシャルの図に点線で示すように、2つの電子エネルギー状態が形成され、電界印加電極106により電界が印加される領域では、電子供給層102より供給される電子は、量子井戸層141,量子井戸層142の2つの領域に、各々異なる方向にスピン偏極して偏在するようになる。
また、図3の(b)に示す、電界印加電極106の電界が印加されない領域(電界印加電極106と第1オーミック電極107との間の領域)では、層厚方向に、第1半導体層103の側の量子井戸層141に、1つの井戸が形成されるようになる。この状態は、図3の(b)のポテンシャルの図において、実線で示している。
このため、電界印加電極106による電界が印加されない電界印加電極106と第1オーミック電極107との間の領域では、前述同様にチャネルが形成されて電流が流れる状態となっている。
従って、量子井戸層141,量子井戸層142,および障壁層143からなる2重量子井戸構造としても、第1オーミック電極107と第2オーミック電極108との間に印加する電圧を制御し、電界印加電極106により電界を印加することで、第1オーミック電極107と第2オーミック電極108との間に、スピン偏極させた電流が流せるようになる。なお、量子井戸層141,量子井戸層142,および障壁層143とする構成は、後述する他の実施の形態にも適用可能であることは、いうまでもない。
上述した本実施の形態によれば、半導体層の平面方向にスピン偏極電流が流せるので、集積されている他の素子に対してスピン偏極装置を基板の平面方向に並べて配置すれば、これらの間の電気的な接続が容易にできる。このように、本実施の形態によれば、スピン偏極装置と他の素子の電気的な接続が、より容易に行えるようになる。
[実施の形態2]
次に、本発明の実施の形態2について説明する。図4は、本発明の実施の形態2におけるスピン偏極装置の構成を示す平面図である。本実施の形態では、複数のスピン偏極装置を並列に配置している。図4に示すように、第1オーミック電極107および第2オーミック電極108の間に、複数の素子部401を配列している。素子部401は、図1を用いて説明したように、電子供給層102、第1半導体層103、第2半導体層104、第3半導体層105、および電界印加電極106を備える。図4では、電子供給層102、第1半導体層103、および第2半導体層104は、示していない。
また、各素子部401は、基板101の上で、各々離間し、第1オーミック電極107および第2オーミック電極108を共通に備えている。なお、図4のYY線の断面が、図1に相当する。
このスピン偏極装置において、第1オーミック電極107に対して正の電圧が印加されるように、第1オーミック電極107および第2オーミック電極108の間に電圧を印加する。この状態で、電界印加電極106に正の電圧(ゲート電圧)を印加すると、電界印加電極106の下の領域の第2半導体層104(図4には不図示)は2重量子井戸状態となり、図4の紙面の左右の方向にスピンの方向が揃った(偏極した)電子が、第2オーミック電極108から第1オーミック電極107にかけて走行するようになる。
このように、本実施の形態によれば、半導体層の平面方向にスピン偏極電流が流せるので、基板101の平面上に並べて形成した第1オーミック電極107および第2オーミック電極108を共通とした簡単な構成で、複数の素子部401を配列させて接続することが容易である。
[実施の形態3]
次に、本発明の実施の形態3について説明する。図5は、本発明の実施の形態3におけるスピン偏極装置の構成を示す断面図である。また、図6は、本発明の実施の形態3におけるスピン偏極装置の構成を示す平面図である。このスピン偏極装置は、まず、第1半導体層501と、第1半導体層501の上に形成された第1半導体層501よりバンドギャップエネルギーが小さい第2半導体層502と、第2半導体層502の上に形成された第2半導体層502よりバンドギャップエネルギーが大きい第3半導体層503とを備える。なお、図5では、基板および電子供給層を省略しているが、これらの構成は前述した実施の形態1と同様である。
また、このスピン偏極装置は、第3半導体層503の上に形成されて第2半導体層502に電界を印加する電界印加電極504と、基板(不図示)の平面方向に電界印加電極504を挟むように配置されて第2半導体層502に接続する第1オーミック電極505および第2オーミック電極506とを備える。なお、第2半導体層502は、基板(不図示)の上に他の層とともに積層されており、第1オーミック電極505および第2オーミック電極506は、第2半導体層502の平面方向に、電界印加電極504を挟んで配置されている。
ここで、本実施の形態では、電界印加電極504は、第2オーミック電極506を囲う形状に形成され、第1オーミック電極505は、電界印加電極504を囲う形状に形成されている。例えば、図6に示すように、平面視円形に形成された第2オーミック電極506の周囲に、平面視円環状に形成された電界印加電極504が配置されている。また、電界印加電極504の周囲に、平面視円環状に形成された第1オーミック電極505が配置されている。
また、第1オーミック電極505は、電界印加電極504との間の下の第2半導体層502に電界印加電極504による電界が印加されない領域が形成される範囲に、電界印加電極504と離間して形成されている。従って、電界印加電極504と第1オーミック電極505と間の第2半導体層502に、電界印加電極504により電界が印加されない領域が設けられる。また、第2半導体層502には、電界が印加されると、第2半導体層502の層厚方向の中央部に層厚方向の両端部より伝導帯端のポテンシャルが高い領域が形成される構成となっている。
例えば、基板(不図示)は、高抵抗InPから構成すればよい。また、電子供給層(不図示)は、n型としたInAlAsから構成すればよい。また、第1半導体層501は、InAlAsから構成すればよい。また、第2半導体層502は、InGaAsから構成すればよく、層厚は10〜20nm程度とすればよい。また、第3半導体層503は、第1半導体層501と同様であり、InAlAsから構成すればよい。また、電界印加電極504は、Auから構成すればよく、例えば、第3半導体層503にショットキー接続させればよい。また、第1オーミック電極505および第2オーミック電極506は、AuGeNi/Auから構成すればよく、第2半導体層502にまで合金領域が形成されていればよい。
本実施の形態におけるスピン偏極装置においても、前述した実施の形態と同様であり、量子井戸層となる第2半導体層502において、電界印加電極504により電界が印加された状態では、層厚方向の中央部に層厚方向の両端部より伝導帯端のポテンシャルが高い領域が形成され、層厚方向の両端部に、よりポテンシャルの低い2つの井戸が形成される。この結果、電界印加電極504により電界が印加される領域では、電子供給層(不図示)より供給される電子は、第2半導体層502の層厚方向の2つの領域に、各々異なる方向にスピン偏極して偏在するようになる。
上述した状態で、第1オーミック電極505と第2オーミック電極506との間に、ある特定の電圧を印加すると、この電圧印加によって発生する電子の流れの反対方向に、電流を流すことが可能となる。この結果、電界印加電極504の下の領域では、第1オーミック電極505と第2オーミック電極506との間に電圧が印加されている状態で、電界印加電極504による電界が印加されると、スピン偏極した電流を流せる状態となる。
また、本実施の形態におけるスピン偏極装置においても、前述した実施の形態と同様であり、電界印加電極504の電界が印加されない領域(電界印加電極504と第1オーミック電極505との間の領域)では、層厚方向に、第1半導体層501の側(もしくは第3半導体層503の側)に、1つの井戸(電子に対する井戸)が形成される。この結果、電界印加電極504と第1オーミック電極505との間の領域では、電子が移動できる状態となり、スピン偏極した電流が流れる状態となっている。
従って、本実施の形態においても、第1オーミック電極505と第2オーミック電極506との間に印加する電圧を制御し、電界印加電極504により電界を印加することで、第1オーミック電極505と第2オーミック電極506との間に、スピン偏極させた電流が流せるようになる。
また、本実施の形態では、電界印加電極504および第1オーミック電極505を、平面視円環形状としているので、上述したスピン偏極電流は、円環形状の中心部に配置されている第2オーミック電極506より、放射状に流れるようになる。例えば、このスピン偏極装置において、第1オーミック電極505に対して正の電圧が印加されるように、第1オーミック電極505および第2オーミック電極506の間に電圧を印加する。この状態で、電界印加電極504に正の電圧(ゲート電圧)を印加すると、第2半導体層502の電界印加電極504と第1オーミック電極505との間の領域で、図6の紙面上で反時計回りにスピンの方向が揃った(偏極した)電子が、第1オーミック電極505に向かって図6に示すように放射状に走行するようになる。
このように、本実施の形態においても、半導体層の平面方向にスピン偏極電流が流せるので、基板(不図示)の平面上に並べて形成した他の素子と接続することが容易である。
[実施の形態4]
次に、本発明の実施の形態4について説明する。図7は、本発明の実施の形態4におけるスピン偏極装置の構成を示す断面図である。また、図8は、本発明の実施の形態4におけるスピン偏極装置の構成を示す平面図である。このスピン偏極装置は、まず、第1半導体層701と、第1半導体層701の上に形成された第1半導体層701よりバンドギャップエネルギーが小さい第2半導体層702と、第2半導体層702の上に形成された第2半導体層702よりバンドギャップエネルギーが大きい第3半導体層703とを備える。なお、図7では、基板および電子供給層を省略しているが、これらの構成は、前述した実施の形態と同様である。
また、このスピン偏極装置は、第3半導体層703の上に形成されて第2半導体層702に電界を印加する電界印加電極704と、基板(不図示)の平面方向に電界印加電極704を挟むように配置されて第2半導体層702に接続する第1オーミック電極705および第2オーミック電極706とを備える。なお、第2半導体層702は、基板(不図示)の上に他の層とともに積層されており、第1オーミック電極705および第2オーミック電極706は、第2半導体層702の平面方向に、電界印加電極704を挟んで配置されている。
また、電界印加電極704は、第2オーミック電極706を囲う形状に形成され、第1オーミック電極705は、電界印加電極704を囲う形状に形成されている。例えば、図8に示すように、平面視円形に形成された第2オーミック電極706の周囲に、平面視円環状に形成された電界印加電極704が配置されている。また、電界印加電極704の周囲に、平面視円環状に形成された第1オーミック電極705が配置されている。
また、第1オーミック電極705は、電界印加電極704との間の下の第2半導体層702に電界印加電極704による電界が印加されない領域が形成される範囲に、電界印加電極704と離間して形成されている。従って、電界印加電極704と第1オーミック電極705と間の第2半導体層702に、電界印加電極704により電界が印加されない領域が設けられる。また、第2半導体層702には、電界が印加されると、第2半導体層702の層厚方向の中央部に層厚方向の両端部より伝導帯端のポテンシャルが高い領域が形成される構成となっている。
加えて、本実施の形態では、第1オーミック電極705を強磁性体から構成し、また、第1オーミック電極705が、第2半導体層702の側部に接続して形成されているようにした。従って、本実施の形態では、第1オーミック電極705は、第2半導体層702に直接接触することで接続している。
例えば、基板(不図示)は、高抵抗InPから構成すればよい。また、電子供給層(不図示)は、n型としたInAlAsから構成すればよい。また、第1半導体層701は、InAlAsから構成すればよい。また、第2半導体層702は、InGaAsから構成すればよく、層厚は10〜20nm程度とすればよい。また、第3半導体層703は、第1半導体層701と同様であり、InAlAsから構成すればよい。
また、電界印加電極704は、Auから構成すればよく、例えば、第3半導体層703にショットキー接続させればよい。また、第2オーミック電極706は、AuGeNi/Auから構成すればよく、第2半導体層702にまで合金領域が形成されていればよい。第2オーミック電極706は、例えば、真空蒸着法やスパッタ法などの堆積技術を用いたリフトオフ法により形成することができる。一方、第1オーミック電極705は、ニッケルと鉄との合金(パーマロイ)およびコバルトなどの強磁性体金属から構成すればよい。第1オーミック電極705は、例えば、第1半導体層701,第2半導体層702,および第3半導体層703を積層して形成した後、第1半導体層701に到達する溝部を形成し、この溝部に、上述した金属を充填するように堆積して形成すればよい。
本実施の形態におけるスピン偏極装置においても、前述した実施の形態と同様であり、第1オーミック電極705と第2オーミック電極706との間に印加する電圧を制御し、電界印加電極704により電界を印加することで、第1オーミック電極705と第2オーミック電極706との間に、スピン偏極させた電流が流せるようになる。
また、本実施の形態でも、電界印加電極704および第1オーミック電極705を、平面視円環形状としているので、上述したスピン偏極電流は、円環形状の中心部に配置されている第2オーミック電極706より、放射状に流れるようになる。例えば、このスピン偏極装置において、第1オーミック電極705に対して正の電圧が印加されるように、第1オーミック電極705および第2オーミック電極706の間にソース・ドレイン電圧を印加する。この状態で、電界印加電極704に正の電圧(ゲート電圧)を印加すると、第2半導体層702の電界印加電極704と第1オーミック電極705との間の領域で、図8の紙面で反時計回りにスピンの方向が揃った(偏極した)電子が、第1オーミック電極705に向かって図8に示すように放射状に走行するようになる。
加えて、本実施の形態では、第1オーミック電極705を強磁性体で構成しているので、第1オーミック電極705の磁化の状態を制御すれば、第1オーミック電極705における電子のスピンの方向を偏極させることができる。この磁化の制御は、磁場制御部711により行う。磁場制御部711は、第1オーミック電極705の平面方向の磁化方向を制御する。この磁化制御により、上述したように第1オーミック電極705および第2オーミック電極706の間を走行するスピン偏極させた電子が、第1オーミック電極705に対して入り込みやすい状態と、入り込みにくい状態との2つの状態を構成することが可能となる。電子が入り込みやすい状態は、第1オーミック電極705および第2オーミック電極706の間が低抵抗な状態であり、電子が入り込みにくい状態は、第1オーミック電極705および第2オーミック電極706の間が高抵抗な状態となる。
例えば、図7および図8に示すように、磁場制御部711の制御により、電界印加電極704の形成されている側より見て、円環状の第1オーミック電極705が反時計回りに磁化された状態とする。この状態で、電界印加電極704に正の電圧を印加した状態で、第1オーミック電極705の側が正となるように、第1オーミック電極705および第2オーミック電極706の間に電圧を印加すると、第1オーミック電極705および第2オーミック電極706の間が低抵抗な状態となる。
一方、図9および図10に示すように、磁場制御部711の制御により、電界印加電極704の形成されている側より見て、円環状の第1オーミック電極705が時計回りに磁化された状態とする。この状態で、電界印加電極704に正の電圧を印加した状態で、第1オーミック電極705の側が正となるように、第1オーミック電極705および第2オーミック電極706の間に電圧を印加すると、第1オーミック電極705および第2オーミック電極706の間が高抵抗な状態となる。
上述したように2つの状態をとることができるので、本実施の形態におけるスピン偏極装置は、メモリ(強磁性体メモリ)として用いることができる。第1オーミック電極705の磁界の方向の違いが、記憶される2値であり、これらの違いは、第1オーミック電極705および第2オーミック電極706の間の抵抗の違いとして読み出すことができる。また、本実施の形態によれば、円環状の第1オーミック電極705の磁界の方向により、2つの状態(2値)を形成しており、漏れ磁場が少ないために高集積が可能である(非特許文献1参照)。ところで、このように円環形状により漏れ磁場が少ない場合、磁場の状態を検出することには困難が伴う。しかしながら、本実施の形態によれば、磁界の方向の違いを、電気的な抵抗値の違いとして読み出すので、磁場を読み出す場合に比較して読み出しが容易である。
ところで、上述した実施の形態4では、第1オーミック電極705を第2半導体層702の側部に接続して形成されているようにしたが、これに限るものではない。例えば、図11に示すように、強磁性体金属からなる第1オーミック電極1105を第3半導体層703の上に配置してもよい。この場合、第2半導体層702にまで合金領域が形成されていればよい。また、このように構成しても、前述同様にメモリとして機能させることができる。図11では、電界印加電極704の形成されている側より見て、円環状の第1オーミック電極1105が反時計回りに磁化され、第1オーミック電極1105および第2オーミック電極706の間が低抵抗な状態を示している。
[実施の形態5]
次に、本発明の実施の形態5について説明する。図12は、本発明の実施の形態5におけるスピン偏極装置の構成を示す断面図である。また、図13は、本発明の実施の形態5におけるスピン偏極装置の構成を示す平面図である。このスピン偏極装置は、まず、第1半導体層1201と、第1半導体層1201の上に形成された第1半導体層1201よりバンドギャップエネルギーが小さい第2半導体層1202と、第2半導体層1202の上に形成された第2半導体層1202よりバンドギャップエネルギーが大きい第3半導体層1203とを備える。なお、図12では、基板および電子供給層を省略しているが、これらの構成は前述した実施の形態と同様である。
また、このスピン偏極装置は、第3半導体層1203の上に形成されて第2半導体層1202に電界を印加する電界印加電極1204と、基板(不図示)の平面方向に電界印加電極1204を挟むように配置されて第2半導体層1202に接続する第1オーミック電極1205および第2オーミック電極1206とを備える。なお、第2半導体層1202は、基板(不図示)の上に他の層とともに積層されており、第1オーミック電極1205および第2オーミック電極1206は、第2半導体層1202の平面方向に、電界印加電極1204を挟んで配置されている。
また、電界印加電極1204は、第2オーミック電極1206を囲う形状に形成され、第1オーミック電極1205は、電界印加電極1204を囲う形状に形成されている。例えば、図13に示すように、平面視円形に形成された第2オーミック電極1206の周囲に、平面視円環状に形成された電界印加電極1204が配置されている。また、電界印加電極1204の周囲に、平面視円環状に形成された第1オーミック電極1205が配置されている。
また、第1オーミック電極1205は、電界印加電極1204との間の下の第2半導体層1202に電界印加電極1204による電界が印加されない領域が形成される範囲に、電界印加電極1204と離間して形成されている。従って、電界印加電極1204と第1オーミック電極1205と間の第2半導体層1202に、電界印加電極1204により電界が印加されない領域が設けられる。また、第2半導体層1202には、電界が印加されると、第2半導体層1202の層厚方向の中央部に層厚方向の両端部より伝導帯端のポテンシャルが高い領域が形成される構成となっている。
加えて、本実施の形態では、第1オーミック電極1205を強磁性体から構成し、また、第1オーミック電極1205が、第2半導体層1202の側部に接続して形成されているようにした。従って、本実施の形態では、第1オーミック電極1205は、第2半導体層1202に直接接触することで接続している。
例えば、基板(不図示)は、高抵抗InPから構成すればよい。また、電子供給層(不図示)は、n型としたInAlAsから構成すればよい。また、第1半導体層1201は、InAlAsから構成すればよい。また、第2半導体層1202は、InGaAsから構成すればよく、層厚は10〜20nm程度とすればよい。また、第3半導体層1203は、第1半導体層1201と同様であり、InAlAsから構成すればよい。
また、電界印加電極1204は、Auから構成すればよく、例えば、第3半導体層1203にショットキー接続させればよい。また、第2オーミック電極1206は、AuGeNi/Auから構成すればよく、第2半導体層1202にまで合金領域が形成されていればよい。一方、第1オーミック電極1205は、ニッケルと鉄との合金(パーマロイ)およびコバルトなどの強磁性体の金属から構成すればよい。これらの構成は、前述した実施の形態4と同様である。
本実施の形態におけるスピン偏極装置においても、前述した実施の形態と同様であり、第1オーミック電極1205と第2オーミック電極1206との間に印加する電圧を制御し、電界印加電極1204により電界を印加することで、第1オーミック電極1205と第2オーミック電極1206との間に、スピン偏極させた電流が流せるようになる。
また、本実施の形態でも、電界印加電極1204および第1オーミック電極1205を、平面視円環形状としているので、上述したスピン偏極電流は、円環形状の中心部に配置されている第2オーミック電極1206より、放射状に流れるようになる。例えば、このスピン偏極装置において、第1オーミック電極1205に対して正の電圧が印加されるように、第1オーミック電極1205および第2オーミック電極1206の間にソース・ドレイン電圧を印加する。この状態で、電界印加電極1204に正の電圧(ゲート電圧)を印加すると、第2半導体層1202の電界印加電極1204と第1オーミック電極1205との間の領域で、図13の紙面で反時計回りにスピンの方向が揃った(偏極した)電子が、第1オーミック電極1205に向かって図13に示すように放射状に走行するようになる。
加えて、本実施の形態では、第1オーミック電極1205を強磁性体で構成し、この磁化の方向を、例えば、電界印加電極1204の形成されている側より見て反時計回りの状態に一定とした。この結果、本実施の形態によれば、電界印加電極1204に印加する電圧を制御することで、第1オーミック電極1205および第2オーミック電極1206の間の抵抗状態を制御することができる。
例えば、図12および図13に示すように、電界印加電極1204に正の電圧を印加する。この場合、電子のスピンは、電界印加電極1204の形成されている側より見て反時計回りの方向に偏極する。この状態で、第1オーミック電極1205の側が正となるように、第1オーミック電極1205および第2オーミック電極1206の間に電圧を印加すると、第1オーミック電極1205および第2オーミック電極1206の間が低抵抗な状態となる。
一方、図14および図15に示すように、電界印加電極1204に負の電圧を印加すると、電子のスピンは、電界印加電極1204の形成されている側より見て時計回の方向に偏極する。この状態で、第1オーミック電極1205の側が正となるように、第1オーミック電極1205および第2オーミック電極1206の間に電圧を印加すると、第1オーミック電極1205および第2オーミック電極1206の間が高抵抗な状態となる。
上述したように、電界印加電極1204に印加する電圧を制御することで、第1オーミック電極1205および第2オーミック電極1206の間の電流が制御できるので、本実施の形態におけるスピン偏極装置は、所謂スピントランジスタとして用いることができる。本実施の形態では、電界印加電極1204に印加する電圧の制御でスピン偏極電流のスピンの向きを反転させているスピントランジスタである。この場合、電界印加電極1204が、ゲート電極であり、第1オーミック電極1205および第2オーミック電極1206が、ソースおよびドレインとなる。
また、本実施の形態によれば、電圧の制御によりスピン偏極電流のスピン方向を反転させているので、ソースとドレインの両方に強磁性体が必要なスピントランジスタ(非特許文献2参照)に比較して、高集積化が可能となる。また、本実施の形態においても、第1オーミック電極1205を円環状としているので、漏れ磁場が少なく、この点においても高集積が可能である。
ところで、上述した実施の形態5では、第1オーミック電極1205を第2半導体層1202の側部に接続して形成されているようにしたが、これに限るものではない。例えば、図16に示すように、強磁性体金属からなる第1オーミック電極1605を第3半導体層1203の上に配置してもよい。この場合、第2半導体層1202にまで合金領域が形成されていればよい。また、このように構成しても、前述同様にスピントランジスタとして機能させることができる。図16では、電界印加電極1204に正の電圧が印加され、電界印加電極1204の形成されている側より見て、電子のスピンが反時計回の方向に偏極し、第1オーミック電極1605および第2オーミック電極1206の間が低抵抗な状態を示している。
[実施の形態6]
次に、本発明の実施の形態6について説明する。図17は、本発明の実施の形態6におけるスピン偏極装置の構成を示す断面図である。また、図18は、本発明の実施の形態6におけるスピン偏極装置の構成を示す平面図である。このスピン偏極装置は、まず、第1半導体層1701と、第1半導体層1701の上に形成された第1半導体層1701よりバンドギャップエネルギーが小さい第2半導体層1702と、第2半導体層1702の上に形成された第2半導体層1702よりバンドギャップエネルギーが大きい第3半導体層1703とを備える。なお、図17では、基板および電子供給層を省略しているが、これらの構成は前述した実施の形態と同様である。
また、このスピン偏極装置は、第3半導体層1703の上に形成されて第2半導体層1702に電界を印加する電界印加電極1704と、基板(不図示)の平面方向に電界印加電極1704を挟むように配置されて第2半導体層1702に接続する第1オーミック電極1705および第2オーミック電極1706とを備える。なお、第2半導体層1702は、基板(不図示)の上に他の層とともに積層されており、第1オーミック電極1705および第2オーミック電極1706は、第2半導体層1702の平面方向に、電界印加電極1704を挟んで配置されている。
また、第1オーミック電極1705は、電界印加電極1704との間の下の第2半導体層1702に電界印加電極1704による電界が印加されない領域が形成される範囲に、電界印加電極1704と離間して形成されている。従って、電界印加電極1704と第1オーミック電極1705との間の第2半導体層1702に、電界印加電極1704により電界が印加されない領域が設けられる。また、第2半導体層1702には、電界が印加されると、第2半導体層1702の層厚方向の中央部に層厚方向の両端部より伝導帯端のポテンシャルが高い領域が形成される構成となっている。
また、本実施の形態では、複数のスピン偏極装置を並列に配置している。図18に示すように、第1オーミック電極1705および第2オーミック電極1706の間に、複数の素子部1721を配列している。素子部1721は、図17を用いて説明したように、電子供給層(不図示)、第1半導体層1701、第2半導体層1702、第3半導体層1703、および電界印加電極1704を備える。図18では、第1半導体層1701および第2半導体層1702は、示していない。
また、各素子部1721は、基板1711の上で各々離間し、第1オーミック電極1705および第2オーミック電極1706を共通に備えている。なお、図18のYY線の断面が、図17に相当する。
加えて、本実施の形態では、第1オーミック電極1705を強磁性体から構成し、また、第1オーミック電極1705が、第2半導体層1702の側部に接続して形成されているようにした。第1オーミック電極1705は、複数の素子部1721の第2半導体層1702の側部に、共通して接続している。従って、本実施の形態では、第1オーミック電極1705は、各々の素子部1721の第2半導体層1702に直接接触することで接続している。
例えば、基板(不図示)は、高抵抗InPから構成すればよい。また、電子供給層(不図示)は、n型としたInAlAsから構成すればよい。また、第1半導体層1701は、InAlAsから構成すればよい。また、第2半導体層1702は、InGaAsから構成すればよく、層厚は10〜20nm程度とすればよい。また、第3半導体層1703は、第1半導体層1701と同様であり、InAlAsから構成すればよい。
また、電界印加電極1704は、Auから構成すればよく、例えば、第3半導体層1703にショットキー接続させればよい。また、第2オーミック電極1706は、AuGeNi/Auから構成すればよく、第2半導体層1702にまで合金領域が形成されていればよい。一方、第1オーミック電極1705は、ニッケルと鉄との合金(パーマロイ)およびコバルトなどの強磁性体の金属から構成すればよい。
本実施の形態におけるスピン偏極装置においても、前述した実施の形態と同様であり、第1オーミック電極1705と第2オーミック電極1706との間に印加する電圧を制御し、電界印加電極1704により電界を印加することで、第1オーミック電極1705と第2オーミック電極1706との間に、スピン偏極させた電流が流せるようになる。
また、本実施の形態では、第1オーミック電極1705を強磁性体で構成し、この磁化の方向を、例えば、図17においては、紙面の奥の方向へ、図18においては、右から左の方向へ一定としてある。従って、本実施の形態においても、電界印加電極1704に印加する電圧を制御することで、第1オーミック電極1705および第2オーミック電極1706の間の抵抗状態を制御することができる。
例えば、図17および図18に示すように、電界印加電極1704に正の電圧を印加する。この場合、電子のスピンは、図17においては、紙面の奥の方向へ、図18においては、右から左の方向へ偏極する。これは、電子スピンの方向と第1オーミック電極1705における磁化方向とが一致する状態である。この状態で、第1オーミック電極1705の側が正となるように、第1オーミック電極1705および第2オーミック電極1706の間に電圧を印加すると、第1オーミック電極1705および第2オーミック電極1706の間が低抵抗な状態となる。
一方、図19および図20に示すように、電界印加電極1704に負の電圧を印加すると、電子のスピンは、図19においては、紙面の手前の方向へ、図20においては、左から右の方向へ偏極する。従って、電子スピンの方向が、第1オーミック電極1705における磁化方向と異なる状態となる。この結果、第1オーミック電極1705の側が正となるように、第1オーミック電極1705および第2オーミック電極1706の間に電圧を印加すると、第1オーミック電極1705および第2オーミック電極1706の間が高抵抗な状態となる。
上述したように、電界印加電極1704に印加する電圧を制御することで、第1オーミック電極1705および第2オーミック電極1706の間の電流が制御できるので、本実施の形態におけるスピン偏極装置も、スピントランジスタとして用いることができる。本実施の形態では、電界印加電極1704に印加する電圧の制御でスピン偏極電流のスピン方向を反転させているスピントランジスタである。この場合、電界印加電極1704が、ゲート電極であり、第1オーミック電極1705および第2オーミック電極1706が、ソースおよびドレインとなる。
また、本実施の形態によれば、電圧の制御によりスピン偏極電流のスピンの向きを反転させているので、ソースとドレインの両方に強磁性体が必要なスピントランジスタ(非特許文献2参照)に比較して、高集積化が可能となる。
ところで、上述した実施の形態6では、第1オーミック電極1705を第2半導体層1702の側部に接続して形成されているようにしたが、これに限るものではない。例えば、図21に示すように、強磁性体金属からなる第1オーミック電極2105を第3半導体層1703の上に配置してもよい。この場合、第2半導体層1702にまで合金領域が形成されていればよい。また、このように構成しても、前述同様にスピントランジスタとして機能させることができる。
[実施の形態7]
次に、本発明の実施の形態7について説明する。図22は、本発明の実施の形態7におけるスピン偏極装置の構成を示す断面図である。また、図23は、本発明の実施の形態7におけるスピン偏極装置の構成を示す平面図である。このスピン偏極装置は、まず、第1半導体層2201と、第1半導体層2201の上に形成された第1半導体層2201よりバンドギャップエネルギーが小さい第2半導体層2202と、第2半導体層2202の上に形成された第2半導体層2202よりバンドギャップエネルギーが大きい第3半導体層2203とを備える。なお、図22では、基板および電子供給層を省略しているが、これらの構成は前述した実施の形態と同様である。
また、このスピン偏極装置は、第3半導体層2203の上に形成されて第2半導体層2202に電界を印加する電界印加電極2204と、基板(不図示)の平面方向に電界印加電極2204を挟むように配置されて、第2半導体層2202に接続する第1オーミック電極2205および第2オーミック電極2206とを備える。なお、第2半導体層2202は、基板(不図示)の上に他の層とともに積層されており、第1オーミック電極2205および第2オーミック電極2206は、第2半導体層2202の平面方向に、電界印加電極2204を挟んで配置されている。
また、第1オーミック電極2205は、電界印加電極2204との間の下の第2半導体層2202に電界印加電極2204による電界が印加されない領域が形成される範囲に、電界印加電極2204と離間して形成されている。従って、電界印加電極2204と第1オーミック電極2205と間の第2半導体層2202に、電界印加電極2204により電界が印加されない領域が設けられる。また、第2半導体層2202には、電界が印加されると、第2半導体層2202の層厚方向の中央部に層厚方向の両端部より伝導帯端のポテンシャルが高い領域が形成される構成となっている。
また、本実施の形態では、複数のスピン偏極装置を並列に配置している。図23に示すように、第1オーミック電極2205および第2オーミック電極2206の間に、複数の素子部2221を配列している。素子部2221は、図22を用いて説明したように、電子供給層(不図示)、第1半導体層2201、第2半導体層2202、第3半導体層2203、および電界印加電極2204を備える。図23では、第1半導体層2201および第2半導体層2202は、示していない。
また、各素子部2221は、基板2211の上で各々離間し、第1オーミック電極2205および第2オーミック電極2206を共通に備えている。なお、図23のYY線の断面が、図22に相当する。
加えて、本実施の形態では、第1オーミック電極2205を強磁性体から構成し、また、第1オーミック電極2205が、第2半導体層2202の側部に接続して形成されているようにした。第1オーミック電極2205は、複数の素子部2221の第2半導体層2202の側部に、共通して接続している。従って、本実施の形態では、第1オーミック電極2205は、第2半導体層2202に直接接触することで接続している。
例えば、基板(不図示)は、高抵抗InPから構成すればよい。また、電子供給層(不図示)は、n型としたInAlAsから構成すればよい。また、第1半導体層2201は、InAlAsから構成すればよい。また、第2半導体層2202は、InGaAsから構成すればよく、層厚は10〜20nm程度とすればよい。また、第3半導体層2203は、第1半導体層2201と同様であり、InAlAsから構成すればよい。
また、電界印加電極2204は、Auから構成すればよく、例えば、第3半導体層2203にショットキー接続させればよい。また、第2オーミック電極2206は、AuGeNi/Auから構成すればよく、第2半導体層2202にまで合金領域が形成されていればよい。一方、第1オーミック電極2205は、ニッケルと鉄との合金(パーマロイ)およびコバルトなどの強磁性体の金属から構成すればよい。
本実施の形態におけるスピン偏極装置においても、前述した実施の形態と同様であり、第1オーミック電極2205と第2オーミック電極2206との間に印加する電圧を制御し、電界印加電極2204により電界を印加することで、第1オーミック電極2205と第2オーミック電極2206との間に、スピン偏極させた電流が流せるようになる。
加えて、本実施の形態では、第1オーミック電極2205を強磁性体で構成しているので、第1オーミック電極2205の磁化の状態を制御すれば、第1オーミック電極2205における電子のスピンの方向を偏極させることができる。この磁化の制御は、磁場制御部2231により行う。磁場制御部2231は、素子部2221の配列方向における、第1オーミック電極2205の磁化方向を制御する。この磁化制御により、上述したように第1オーミック電極2205および第2オーミック電極2206の間を走行するスピン偏極させた電子が、第1オーミック電極2205に対して入り込みやすい状態と、入り込みにくい状態との2つの状態を構成することが可能となる。電子が入り込みやすい状態は、第1オーミック電極2205および第2オーミック電極2206の間が低抵抗な状態であり、電子が入り込みにくい状態は、第1オーミック電極2205および第2オーミック電極2206の間が高抵抗な状態となる。
例えば、図22および図23に示すように、磁場制御部2231の制御により、図22においては、紙面の奥の方向へ、図23においては、右から左の方向へ、第1オーミック電極2205の磁化方向を制御する。この状態で、電界印加電極2204に正の電圧を印加する。この場合、電子スピンは、図22においては、紙面の奥の方向へ、図23においては、右から左の方向へ偏極する。これは、電子スピンの方向と第1オーミック電極2205における磁化方向とが一致する状態である。この状態で、第1オーミック電極2205の側が正となるように、第1オーミック電極2205および第2オーミック電極2206の間に電圧を印加すると、第1オーミック電極2205および第2オーミック電極2206の間が低抵抗な状態となる。
一方、図24および図25に示すように、磁場制御部2231の制御により、図24においては、紙面の手前の方向へ、図25においては、左から右の方向へ、第1オーミック電極2205の磁化方向を制御する。この状態で、電界印加電極2204に正の電圧を印加する。この場合、電子スピンは、図24においては、紙面の奥の方向へ、図25においては、右から左の方向へ偏極し、第1オーミック電極2205における磁化方向と一致しない状態である。この状態で、第1オーミック電極2205の側が正となるように、第1オーミック電極2205および第2オーミック電極2206の間に電圧を印加すると、第1オーミック電極2205および第2オーミック電極2206の間が高抵抗な状態となる。
上述したように2つの状態をとることができるので、本実施の形態におけるスピン偏極装置は、メモリ(強磁性体メモリ)として用いることができる。第1オーミック電極2205の磁界の方向の違いが、記憶される2値であり、これらの違いは、第1オーミック電極2205および第2オーミック電極2206の間の抵抗の違いとして読み出すことができる。
ところで、上述した実施の形態7では、第1オーミック電極2205を第2半導体層2202の側部に接続して形成されているようにしたが、これに限るものではない。例えば、図26に示すように、強磁性体金属からなる第1オーミック電極2605を第3半導体層2203の上に配置してもよい。この場合、第2半導体層2202にまで合金領域が形成されていればよい。また、このように構成しても、前述同様にメモリとして機能させることができる。
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの組み合わせおよび変形が実施可能であることは明白である。例えば、本発明は、スピンを用いた半導体量子ビットの情報読み取りデバイス(非特許文献3参照)へ応用することも可能である。
また、上述では、InP基板を用い、InAlAsおよびInGaAsなどの化合物半導体を用いるようにしたが、これに限るものではなく、他の半導体を用いるようにしてもよい。例えば、第1半導体層および第3半導体層をAlSbから構成し、第2半導体層をInAsから構成してもよい。また、電子供給層を第1半導体層の基板側に配置するようにしたが、これに限るものではなく、第3半導体層の電極形成側に電子供給層を配置してもよい。また、両方に、電子供給層を配置してもよい。電子供給層は、基板と第1半導体層との間および第3半導体層と電界印加電極との間の少なくとも一方に形成されていればよい。また、基板の上に、バッファ層を介して各層を結晶成長させるようにしてもよい。例えば、InP基板を用いる場合、InGaAsからなるバッファ層を形成し、この上に、各層を形成(エピタキシャル成長)させてもよい。