JP2012023098A - プラズマ処理装置 - Google Patents

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015088695A (ja) * 2013-11-01 2015-05-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体製造方法
JP2017108167A (ja) * 2017-02-28 2017-06-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体製造方法
CN120453151A (zh) * 2025-05-09 2025-08-08 欧陆分析测试技术服务(广州)有限公司 智能数据处理与报告生成的电感耦合等离子体质谱仪系统

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04131379A (ja) * 1990-09-21 1992-05-06 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPH06120170A (ja) * 1992-10-08 1994-04-28 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマエッチング処理方法
JPH06291087A (ja) * 1993-04-01 1994-10-18 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法および製造装置
JPH08106995A (ja) * 1994-10-05 1996-04-23 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPH09161993A (ja) * 1995-12-12 1997-06-20 Hitachi Ltd ２重コイルを用いた多段コイルを有するプラズマ処理装置及び方法
JPH09312280A (ja) * 1996-05-22 1997-12-02 Sony Corp ドライエッチング方法
JPH11251300A (ja) * 1998-03-04 1999-09-17 Hitachi Ltd プラズマ処理方法および装置
JPH11340200A (ja) * 1998-05-22 1999-12-10 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP2000216138A (ja) * 1999-01-20 2000-08-04 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP2000306891A (ja) * 1999-04-22 2000-11-02 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP2007059696A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Hitachi High-Technologies Corp エッチング方法およびエッチング装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04131379A (ja) * 1990-09-21 1992-05-06 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPH06120170A (ja) * 1992-10-08 1994-04-28 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマエッチング処理方法
JPH06291087A (ja) * 1993-04-01 1994-10-18 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法および製造装置
JPH08106995A (ja) * 1994-10-05 1996-04-23 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPH09161993A (ja) * 1995-12-12 1997-06-20 Hitachi Ltd ２重コイルを用いた多段コイルを有するプラズマ処理装置及び方法
JPH09312280A (ja) * 1996-05-22 1997-12-02 Sony Corp ドライエッチング方法
JPH11251300A (ja) * 1998-03-04 1999-09-17 Hitachi Ltd プラズマ処理方法および装置
JPH11340200A (ja) * 1998-05-22 1999-12-10 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP2000216138A (ja) * 1999-01-20 2000-08-04 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP2000306891A (ja) * 1999-04-22 2000-11-02 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP2007059696A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Hitachi High-Technologies Corp エッチング方法およびエッチング装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015088695A (ja) * 2013-11-01 2015-05-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体製造方法
JP2017108167A (ja) * 2017-02-28 2017-06-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体製造方法
CN120453151A (zh) * 2025-05-09 2025-08-08 欧陆分析测试技术服务(广州)有限公司 智能数据处理与报告生成的电感耦合等离子体质谱仪系统

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