JP2012014781A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】イオン注入処理の終了後、レジストパターンをアッシングする前に、レジストパターンをフッ素処理する。上記フッ素処理によって、イオンの照射により変質したレジストパターンは、上記アッシングによる除去処理に適した物質へ変換される。これにより、アッシング工程において効率よくレジストパターンを除去することが可能となる。また、レジストの残渣量が低減されることで、表面平坦度の高い磁気記録媒体を安定して製造することができる。
【選択図】図2
Description
上記磁性層の上に、開口部を有する有機材料のレジストパターンが形成される。
上記開口部から露出する上記磁性層の露出領域にイオンを注入することで、上記露出領域が非磁性化される。
上記レジストパターンはフッ素処理される。
上記フッ素処理したレジストパターンは、非フッ素系の反応性物質を用いてアッシングされる。
上記磁性層の上に、開口部を有する有機材料のレジストパターンが形成される。
上記開口部から露出する上記磁性層の露出領域にイオンを注入することで、上記露出領域が非磁性化される。
上記レジストパターンはフッ素処理される。
上記フッ素処理したレジストパターンは、非フッ素系の反応性物質を用いてアッシングされる。
上記フッ素処理により、レジストパターンは、アッシング処理時にガス化しやすい物質へ変換される。そして、上記アッシング処理により、当該フッ素処理されたレジストパターンを効率よく除去することができる。
上記比率が5%未満の場合、レジストパターンに対してフッ素処理による効果が十分でないおそれがある。一方、上記比率が55%を超える場合、レジストパターンの下地層である磁性層に対するフッ素の影響が無視できなくなり、磁性層の保磁力の低下を招くおそれがある。したがって、上記比率を5%以上55%以下とすることにより、レジスト残渣量を低減しながら、所望の磁気特性を有する磁気記録媒体を製造することができる。
これにより、レジストパターンのフッ素処理を促進でき、フッ素処理に要する時間の短縮を図ることができる。上記バイアス電力が0.03W/cm2未満の場合、レジストパターンに対するフッ素処理が不十分となり、アッシング処理でレジストを効率よく除去できないおそれがある。一方、上記バイアス電力が5W/cm2を超える場合、レジストパターンの下地層である磁性層に対するフッ素の影響が無視できなくなり、磁性層の保磁力の低下を招くおそれがある。
磁性層上に形成した厚み30nmの有機レジストに窒素イオンを注入した後、当該レジストのアッシング処理を実施した。磁性層を構成する強磁性材料は、厚み20nmのCoCrPtとした。有機レジストには、市販のレジスト材料(モレキュラーインプリンツ社製)を用いた。イオンのドーズ量[atoms/cm2]は、1×1015(1E+15)、1×1016(1E+16)、5×1016(5E+16)とした。
(前処理)
ICP:アンテナ周波数12.5MHz、パワー密度6W/cm2
基板バイアス:周波数13.56MHz、パワー密度3W/cm2
処理ガス:CF4
圧力:5Pa
(後処理)
マイクロ波:周波数2.45GHz、パワー密度6W/cm2
処理ガス:10%N290%H2
圧力:100Pa
上記前処理の処理時間を12秒(時間比率20%)、上記後処理の処理時間を48秒とした以外は、実施例1と同一の条件でレジストの残渣量および磁性層の保磁力をそれぞれ測定した。
上記前処理の処理時間を30秒(時間比率50%)、上記後処理の処理時間を30秒とした以外は、実施例1と同一の条件でレジストの残渣量および磁性層の保磁力をそれぞれ測定した。
上記前処理の処理時間を33秒(時間比率55%)、上記後処理の処理時間を27秒とした以外は、実施例1と同一の条件でレジストの残渣量および磁性層の保磁力をそれぞれ測定した。
上記前処理を省略し、上記後処理のみを実施した以外は、上述の実施例1と同一の条件でレジストの残渣量および磁性層の保磁力をそれぞれ測定した。
上記前処理に先立って上記後処理を実施し、その後、上記前処理を実施した。上記後処理の処理時間を42秒(時間比率70%)、上記前処理の処理時間を18秒とした以外は、上述の実施例1と同一の条件でレジストの残渣量および磁性層の保磁力をそれぞれ測定した。
上記後処理の処理時間を48秒(時間比率80%)、上記前処理の処理時間を12秒とした以外は、上述の比較例2と同一の条件でレジストの残渣量および磁性層の保磁力をそれぞれ測定した。
上記後処理の処理時間を57秒(時間比率95%)、上記前処理の処理時間を3秒とした以外は、上述の比較例2と同一の条件でレジストの残渣量および磁性層の保磁力をそれぞれ測定した。
11…基板
12…磁性層
12a…強磁性層
12b…非磁性層
13…レジストパターン
14…保護膜
Claims (5)
- 基板の上に磁性層を形成し、
前記磁性層の上に、開口部を有する有機材料のレジストパターンを形成し、
前記開口部から露出する前記磁性層の露出領域にイオンを注入することで、前記露出領域を非磁性化し、
前記レジストパターンをフッ素処理し、
前記フッ素処理したレジストパターンを非フッ素系の反応性物質を用いてアッシングする
磁気記録媒体の製造方法。 - 請求項1に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、
前記レジストパターンのフッ素処理では、フッ素を含むガスのプラズマである第1のプラズマを用いて前記レジストパターンを処理し、
前記レジストパターンのアッシング処理では、非フッ素系のガスのプラズマである第2のプラズマを用いて前記レジストパターンを処理する磁気記録媒体の製造方法。 - 請求項2に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、
前記第1のプラズマを用いた処理時間を第1の時間、前記第2のプラズマを用いた処理時間を第2の時間としたとき、前記第1の時間および前記第2の時間の総和に対する前記第1の時間の比率は5%以上55%以下である磁気記録媒体の製造方法。 - 請求項2に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、
前記レジストパターンのフッ素処理は、前記基板に0.03W/cm2以上5W/cm2以下のバイアス電力を印加する工程を含む磁気記録媒体の製造方法。 - 請求項1に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、
前記イオンは、窒素イオンである磁気記録媒体の製造方法。
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JP2010149633A JP5605941B2 (ja) | 2010-06-30 | 2010-06-30 | 磁気記録媒体の製造方法 |
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---|---|---|---|---|
WO2009102802A2 (en) * | 2008-02-12 | 2009-08-20 | Applied Materials, Inc. | Magnetic domain patterning using plasma ion implantation |
JP2009301686A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体、及びこれを用いた磁気記録再生装置 |
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Patent Citations (2)
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WO2009102802A2 (en) * | 2008-02-12 | 2009-08-20 | Applied Materials, Inc. | Magnetic domain patterning using plasma ion implantation |
JP2009301686A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体、及びこれを用いた磁気記録再生装置 |
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