JP2012009690A5 - - Google Patents

Description

以上の課題を解決するため、本発明の第１の態様によれば、第一電極と、前記第一電極の表面に成膜され、所定の波長の光を吸収することにより導電性が変化する光導電性膜と、前記光導電性膜の表面に成膜され、前記所定の波長の光を透過する第二電極と、前記第一電極に電気的に接続された第一の引き出し線と、前記第二電極に電気的に接続された第二の引き出し線と、を備え、前記第１の引き出し線及び前記第二の引き出し線は遮光性を有していることを特徴とする光センサーが提供される。

前記光導電性膜は、Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）、ＺｎＯ、ダイヤモンド、Ｇａ_２Ｏ_３、Ａｌ_ｘＧａ_１―ｘＮ（０＜ｘ＜１）、β−Ｇａ_２Ｏ_３のいずれかからなることが好ましい。
前記光導電性膜は、非結晶であることが好ましい。
前記第二電極は、Ｐｔ，Ａｌ、Ａｕ、導電性ポリマーのいずれかからなることが好ましい。
前記第二電極の表面を被覆し、前記所定の波長の光を透過する絶縁性保護膜をさらに備えることが好ましい。
前記絶縁性保護膜はＳｉＮであることが好ましい。
前記第一電極の前記光導電性膜が形成された面の一部または全部が球面であってもよい。
あるいは、前記第一電極の前記光導電性膜が形成された面の一部または全部が平面であってもよい。
前記第一電極と前記第二電極との間のインピーダンスを測定するインピーダンス測定器をさらに備えることが好ましい。

本発明の第３の態様によれば、第一電極の表面に、所定の波長の光を吸収することにより導電性が変化する光導電性膜を成膜し、次に、前記光導電性膜の表面に、前記所定の波長の光を透過する第二電極を成膜し、前記第一電極に遮光性を有する第一の引き出し線を電気的に接続するとともに、前記第二電極に遮光性を有する第二の引き出し線を電気的に接続することを特徴とする光センサーの製造方法が提供される。

前記光導電性膜を非結晶となるように成膜することが好ましい。
スプレー法、スパッタ法、ミストＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法、ゾルゲル法、ＭＯＶＰＥ法、ＨＶＰＥ法、ＭＢＥ法及びマイクロ波プラズマＣＶＤ法のうち何れかにより前記光導電性膜の成膜を行うことが好ましい。
前記第一電極の前記光導電性膜が形成された面の一部または全部が球面であってもよい。
あるいは、前記第一電極の前記光導電性膜が形成された面の一部または全部が平面であってもよい。
前記第二電極の成膜後、前記第一電極の一部を露出させる第一コンタクトホールをエッチングにより形成することが好ましい。
前記第一コンタクトホールの形成後、
前記所定の波長の光を透過する絶縁性保護膜を、前記第二電極と、前記光導電性膜、前記第一電極及び前記第二電極の前記第一コンタクトホールによって露出された領域とを被覆するように成膜し、
次に、前記第一コンタクトホール内において前記第一電極を露出させる第二コンタクトホールと、前記第一コンタクトホール外において前記第二電極を露出させる第三コンタクトホールとを、前記絶縁性保護膜をエッチングすることで形成することが好ましい。
前記第二コンタクトホール及び前記第三コンタクトホールを同時に形成することが好ましい。
前記第二コンタクトホールを介して前記第一電極に前記第一の引き出し線を接続するとともに、前記第三コンタクトホールを介して前記第二電極に前記第二の引き出し線を接続することが好ましい。
前記第一コンタクトホールを介して前記第一電極に第一の引き出し線を接続することが好ましい。
前記第一電極と前記第二電極の間のインピーダンスを計測するインピーダンス測定器を接続することが好ましい。

Claims (21)

1. 第一電極と、
   前記第一電極の表面に成膜され、所定の波長の光を吸収することにより導電性が変化する光導電性膜と、
   前記光導電性膜の表面に成膜され、前記所定の波長の光を透過する第二電極と、
   前記第一電極に電気的に接続された第一の引き出し線と、
   前記第二電極に電気的に接続された第二の引き出し線と、
   を備え、
   前記第１の引き出し線及び前記第二の引き出し線は遮光性を有していることを特徴とする光センサー。
2. 前記光導電性膜は、ＭｇｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）、ＺｎＯ、ダイヤモンド、Ｇａ_２Ｏ_３、Ａｌ_ｘＧａ_１―ｘＮ（０＜ｘ＜１）、β−Ｇａ_２Ｏ_３のいずれかからなることを特徴とする請求項１に記載の光センサー。
3. 前記光導電性膜は、非結晶であることを特徴とする請求項１または２に記載の光センサー。
4. 前記第二電極は、Ｐｔ，Ａｌ、Ａｕ、導電性ポリマーのいずれかからなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光センサー。
5. 前記第二電極の表面を被覆し、前記所定の波長の光を透過する絶縁性保護膜をさらに備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の光センサー。
6. 前記絶縁性保護膜はＳｉＮであることを特徴とする請求項５に記載の光センサー。
7. 前記第一電極の前記光導電性膜が形成された面の一部または全部が曲面であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の光センサー。
8. 前記第一電極の前記光導電性膜が形成された面の一部または全部が平面であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の光センサー。
9. 前記第一電極と前記第二電極との間のインピーダンスを測定するインピーダンス測定器をさらに備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の光センサー。
10. 請求項９に記載の光センサーと、
    前記光センサーのインピーダンス測定器により計測されるインピーダンスの変化から火災か否かを判定する火災検知判定回路と、
    前記火災検知判定回路が火災と判定した場合に警報を出力する警報回路と、を備え、
    前記火災検知判定回路は、前記光センサーのインピーダンスが不規則に変化する場合に火災と判定することを特徴とする火災報知機。
11. 第一電極の表面に、所定の波長の光を吸収することにより導電性が変化する光導電性膜を成膜し、
    次に、前記光導電性膜の表面に、前記所定の波長の光を透過する第二電極を成膜し、
    前記第一電極に遮光性を有する第一の引き出し線を電気的に接続するとともに、前記第二電極に遮光性を有する第二の引き出し線を電気的に接続することを特徴とする光センサーの製造方法。
12. 前記光導電性膜を非結晶となるように成膜することを特徴とする請求項１１に記載の光センサーの製造方法。
13. スプレー法、スパッタ法、ミストＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法、ゾルゲル法、ＭＯＶＰＥ法、ＨＶＰＥ法、ＭＢＥ法及びマイクロ波プラズマＣＶＤ法のうち何れかにより前記光導電性膜の成膜を行うことを特徴とする請求項１１または１２に記載の光センサーの製造方法。
14. 前記第一電極の前記光導電性膜が形成された面の一部または全部が曲面であることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の光センサーの製造方法。
15. 前記第一電極の前記光導電性膜が形成された面の一部または全部が平面であることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の光センサーの製造方法。
16. 前記第二電極の成膜後、前記第一電極の一部を露出させる第一コンタクトホールをエッチングにより形成することを特徴とする請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の光センサーの製造方法。
17. 前記第一コンタクトホールの形成後、
    前記所定の波長の光を透過する絶縁性保護膜を、前記第二電極と、前記光導電性膜、前記第一電極及び前記第二電極の前記第一コンタクトホールによって露出された領域とを被覆するように成膜し、
    次に、前記第一コンタクトホール内において前記第一電極を露出させる第二コンタクトホールと、前記第一コンタクトホール外において前記第二電極を露出させる第三コンタクトホールとを、前記絶縁性保護膜をエッチングすることで形成することを特徴とする請求項１６に記載の光センサーの製造方法。
18. 前記第二コンタクトホール及び前記第三コンタクトホールを同時に形成することを特徴とする請求項１７に記載の光センサーの製造方法。
19. 前記第二コンタクトホールを介して前記第一電極に前記第一の引き出し線を接続するとともに、前記第三コンタクトホールを介して前記第二電極に前記第二の引き出し線を接続することを特徴とする請求項１７または１８に記載の光センサーの製造方法。
20. 前記第一コンタクトホールを介して前記第一電極に前記第一の引き出し線を接続することを特徴とする請求項１６に記載の光センサーの製造方法。
21. 前記第一電極と前記第二電極の間のインピーダンスを計測するインピーダンス測定器を接続することを特徴とする請求項１１〜２０のいずれか一項に記載の光センサーの製造方法。