JP2012007086A - Resin composition for sealing and electronic part device - Google Patents

Resin composition for sealing and electronic part device Download PDF

Info

Publication number
JP2012007086A
JP2012007086A JP2010144548A JP2010144548A JP2012007086A JP 2012007086 A JP2012007086 A JP 2012007086A JP 2010144548 A JP2010144548 A JP 2010144548A JP 2010144548 A JP2010144548 A JP 2010144548A JP 2012007086 A JP2012007086 A JP 2012007086A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
sealing
structural unit
phenol
mass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010144548A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yusuke Tanaka
祐介 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2010144548A priority Critical patent/JP2012007086A/en
Publication of JP2012007086A publication Critical patent/JP2012007086A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin composition for sealing, which has good flame resistance and solder resistance, and is excellent in fluidity and continuous moldability.SOLUTION: The resin composition for sealing comprises a phenol resin (A), an epoxy resin (B) and an inorganic filler (C), wherein the phenol resin (A) contains a phenol resin (A-1) containing a polymer component (a1) being a co-condensated polymer of a non-substituted phenol, substituted phenols and benzalehydes. There is also provided an electronic part device whose elements are sealed with a cured material of the resin composition for sealing.

Description

本発明は、封止用樹脂組成物及び電子部品装置に関するものである。   The present invention relates to a sealing resin composition and an electronic component device.

近年、集積回路（ＩＣ）、大規模集積回路（ＬＳＩ）、超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）等の電子部品や電子部品装置の高密度化、高集積化に伴い、それらの実装方式は、挿入実装から表面実装に移り変わりつつある。それに伴い、リードフレームの多ピン化およびリードの狭ピッチ化が要求されており、小型・軽量でかつ多ピン化に対応できる表面実装型のＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）等が各種の電子部品装置に用いられている。そして、その電子部品装置は、生産性、コスト、信頼性等のバランスに優れることからエポキシ樹脂組成物を用いて封止されるのが主流となっている。   In recent years, as electronic components such as integrated circuits (ICs), large-scale integrated circuits (LSIs), and very large-scale integrated circuits (VLSIs) and electronic component devices have become denser and highly integrated, their mounting methods are insertion mounting. To surface mounting. Along with this, there is a demand for a multi-pin lead frame and a narrow lead pitch, and the surface mount type QFP (Quad Flat Package), which is small, lightweight, and compatible with multi-pins, is used in various electronic component devices. It is used. And since the electronic component apparatus is excellent in the balance of productivity, cost, reliability, etc., it has become mainstream to seal using an epoxy resin composition.

従来、難燃性を付与する目的から、封止用エポキシ樹脂組成物には、臭素含有エポキシ樹脂、または酸化アンチモンが一般的に使用されてきた。しかし、近年、環境保護の観点からダイオキシン類似化合物を発生する危惧のある含ハロゲン化合物や、毒性の高いアンチモン化合物の使用を規制する動きが高まっている。こうした中、ブロム化エポキシ樹脂やアンチモン化合物代替の難燃剤として、水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウム等の金属酸化物が使用されている。しかし、これらの難燃剤の使用は、封止用エポキシ樹脂組成物における溶融樹脂粘度の上昇による流動性の低下及び離型性の悪化による連続成形性の低下、ならびに、電子部品装置における耐半田性の低下を引き起こす場合があった。   Conventionally, for the purpose of imparting flame retardancy, bromine-containing epoxy resins or antimony oxides have generally been used for sealing epoxy resin compositions. However, in recent years, there has been an increasing movement to regulate the use of halogen-containing compounds that are likely to generate dioxin-like compounds and highly toxic antimony compounds from the viewpoint of environmental protection. Under these circumstances, metal oxides such as aluminum hydroxide and magnesium hydroxide are used as flame retardants for replacing brominated epoxy resins and antimony compounds. However, the use of these flame retardants results in a decrease in fluidity due to an increase in the viscosity of the molten resin in the epoxy resin composition for sealing, a decrease in continuous formability due to a deterioration in releasability, and a solder resistance in electronic component devices. May cause a decrease in

上記のような状況から、含ハロゲン化合物、アンチモン化合物、あるいは、金属酸化物等の難燃性付与剤を添加せずとも良好な難燃性が得られる封止用エポキシ樹脂組成物として、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂及びフェノール樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物が提案されている（例えば、特許文献１、２）。これらのエポキシ樹脂組成物は、低吸水性、熱時低弾性率、高接着性で、難燃性に優れ、信頼性の高い電子部品装置を得ることができるという利点を有するものの、これらの樹脂は従来の樹脂と比べ、硬化性が劣り、素子の封止を行う際の連続成形性が十分でない場合があった。   From the above situation, a biphenylene skeleton is used as an epoxy resin composition for sealing which can obtain good flame retardancy without adding a flame retardant imparting agent such as a halogen-containing compound, an antimony compound, or a metal oxide. A phenol aralkyl type epoxy resin having an epoxy resin and an epoxy resin composition using the phenol resin have been proposed (for example, Patent Documents 1 and 2). Although these epoxy resin compositions have the advantage of being able to obtain a highly reliable electronic component device with low water absorption, low thermal modulus, high adhesion, excellent flame retardancy, these resins Compared with conventional resins, the curability is inferior, and the continuous formability at the time of sealing the device may not be sufficient.

特開２００４−２０３９１１号公報JP 2004-203911 A 特開２００４−１５５８４１号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-155841

そこで、本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、良好な耐燃性及び耐半田性を有するとともに、流動性と連続成形性に優れる、封止用樹脂組成物を提供するものである。   Then, this invention is made | formed in view of this situation, and provides the resin composition for sealing which has favorable flame resistance and solder resistance, and is excellent in fluidity | liquidity and continuous moldability.

フェノール樹脂（Ａ）と、エポキシ樹脂（Ｂ）と、無機充填材（Ｃ）とを含む封止用樹脂組成物であって、
前記フェノール樹脂（Ａ）が下記一般式（１）：

Figure 2012007086
（上記一般式（１）において、Ｒ１は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ２は炭素数１〜６の無置換の炭化水素基又は炭素数１〜６の置換炭化水素基である。ａは０〜５の整数である。）
の構造単位Ｘ又は構造単位Ｚを構造単位Ｙで連結した構造を有する１以上のからなり、構造単位Ｘと構造単位Ｚとを構造単位Ｙで連結した構造を有する重合体成分（ａ１）を含むフェノール樹脂（Ａ−１）を含むことを特徴とする封止用樹脂組成物。 A sealing resin composition comprising a phenol resin (A), an epoxy resin (B), and an inorganic filler (C),
The phenol resin (A) is represented by the following general formula (1):
Figure 2012007086
 (In the above general formula (1), R1 is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms and may be the same or different from each other. R2 is an unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or A substituted hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a is an integer of 0 to 5)
And a polymer component (a1) having a structure in which the structural unit X or the structural unit Z is connected by the structural unit Y, and the structural unit X and the structural unit Z are connected by the structural unit Y. A sealing resin composition comprising a phenol resin (A-1).

本発明の封止用樹脂組成物は、前記フェノール樹脂（Ａ−１）が、前記一般式（１）において構造単位Ｘを含まず、構造単位Ｚ同士を構造単位Ｙで連結した構造を有する重合体成分（ａ２）、又は構造単位Ｚを含まず、構造単位Ｘ同士を構造単位Ｙで連結した構造を有する重合体成分（ａ３）をも含むものとすることができる。   In the sealing resin composition of the present invention, the phenol resin (A-1) has a structure in which the structural unit X is not included in the general formula (1) and the structural units Z are connected by the structural unit Y. The polymer component (a2) or the polymer component (a3) which does not include the structural unit Z and has a structure in which the structural units X are connected by the structural unit Y can also be included.

本発明の封止用樹脂組成物は、ＦＤ−ＭＳで測定される、前記フェノール樹脂（Ａ−１）中における前記重合体成分（ａ１）のピーク強度の総和が、フェノール樹脂（Ａ−１）全体のピーク強度の総和に対して３０％以上、８０％以下であるものとすることができる。   In the sealing resin composition of the present invention, the total peak intensity of the polymer component (a1) in the phenol resin (A-1) measured by FD-MS is phenol resin (A-1). It can be 30% or more and 80% or less with respect to the total sum of peak intensities.

本発明の封止用樹脂組成物は、ＦＤ−ＭＳで測定される、前記フェノール樹脂（Ａ−１）中における前記重合体成分（ａ１）のピーク強度の総和Ｐ１と前記重合体成分（ａ３）のピーク強度の総和Ｐ３との比Ｐ１／Ｐ３が、０．４以上、４．０以下であるものとすることができる。 The sealing resin composition of the present invention is obtained by measuring the sum P 1 of peak intensities of the polymer component (a1) in the phenol resin (A-1) and the polymer component (a3) as measured by FD-MS. ) In the ratio P 1 / P 3 to the sum P 3 of peak intensities is 0.4 or more and 4.0 or less.

本発明の封止用樹脂組成物は、前記フェノール樹脂（Ａ−１）の１５０℃におけるＩＣＩ粘度が０．１ｄＰａ・ｓｅｃ以上、１０．０ｄＰａ・ｓｅｃ以下であるものとすることができる。   In the encapsulating resin composition of the present invention, the phenol resin (A-1) may have an ICI viscosity at 150 ° C. of 0.1 dPa · sec or more and 10.0 dPa · sec or less.

本発明の封止用樹脂組成物は、前記フェノール樹脂（Ａ−１）が前記フェノール樹脂（
Ａ）１００質量部中に５０質量部以上、１００質量部以下の割合で含まれるものとすることができる。 In the sealing resin composition of the present invention, the phenol resin (A-1) is the phenol resin (
A) 50 mass parts or more and 100 mass parts or less can be contained in 100 mass parts.

本発明の封止用樹脂組成物は、前記無機充填材（Ｃ）の含有割合が樹脂組成物全体に対して７０質量％以上、９３質量％以下であるものとすることができる。   In the sealing resin composition of the present invention, the content of the inorganic filler (C) may be 70% by mass or more and 93% by mass or less with respect to the entire resin composition.

本発明の封止用樹脂組成物は、硬化促進剤（Ｄ）をさらに含むものとすることができる。   The sealing resin composition of the present invention may further contain a curing accelerator (D).

本発明の封止用樹脂組成物は、前記硬化促進剤（Ｄ）が、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物からなる群から選択される少なくとも１種の硬化促進剤を含むものとすることができる。   In the encapsulating resin composition of the present invention, the curing accelerator (D) comprises a tetra-substituted phosphonium compound, a phosphobetaine compound, an adduct of a phosphine compound and a quinone compound, or an adduct of a phosphonium compound and a silane compound. It may contain at least one curing accelerator selected from the group.

本発明の封止用樹脂組成物は、芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｅ）をさらに含むものとすることができる。   The sealing resin composition of the present invention may further include a compound (E) in which a hydroxyl group is bonded to each of two or more adjacent carbon atoms constituting an aromatic ring.

本発明の封止用樹脂組成物は、カップリング剤（Ｆ）をさらに含むものとすることができる。   The sealing resin composition of the present invention may further contain a coupling agent (F).

本発明の封止用樹脂組成物は、無機難燃剤（Ｇ）をさらに含むものとすることができる。   The sealing resin composition of the present invention can further contain an inorganic flame retardant (G).

本発明の電子部品装置は、上述の封止用樹脂組成物の硬化物で素子が封止されていることを特徴とする。     The electronic component device of the present invention is characterized in that an element is sealed with a cured product of the above-described sealing resin composition.

本発明に従うと、ハロゲン化合物及びアンチモン化合物を使用することなく耐燃性を示し、従来よりも高いレベルで、流動性、耐半田性、高温保管特性、及び連続成形性のバランスに優れた封止用樹脂組成物、ならびに、当該封止用樹脂組成物を用いた信頼性に優れた電子部品装置を得ることができる。   According to the present invention, it exhibits flame resistance without using a halogen compound and an antimony compound, and has a higher level than before, and has excellent balance of fluidity, solder resistance, high-temperature storage characteristics, and continuous moldability. A resin composition and an electronic component device excellent in reliability using the sealing resin composition can be obtained.

本発明に係る封止用樹脂組成物を用いた電子部品装置の一例について、断面構造を示した図である。It is the figure which showed the cross-sectional structure about an example of the electronic component apparatus using the resin composition for sealing which concerns on this invention. 本発明に係る封止用樹脂組成物を用いた片面封止型の電子部品装置の一例について、断面構造を示した図である。It is the figure which showed the cross-sectional structure about an example of the electronic component apparatus of the single-sided sealing type using the resin composition for sealing which concerns on this invention. 実施例で用いたフェノール樹脂１のＦＤ−ＭＳチャートである。It is a FD-MS chart of the phenol resin 1 used in the Example. 実施例で用いらフェノール樹脂１のＧＰＣチャートである。It is a GPC chart of the phenol resin 1 used in the Example.

図面を用いて、本発明による封止用樹脂組成物及び電子部品装置の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Preferred embodiments of a sealing resin composition and an electronic component device according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the description of the drawings, the same reference numerals are assigned to the same elements, and duplicate descriptions are omitted.

本発明の封止用樹脂組成物は、フェノール樹脂（Ａ）と、エポキシ樹脂（Ｂ）と、無機充填材（Ｃ）とを含む封止用樹脂組成物であって、フェノール樹脂（Ａ）が一般式（１）の構造単位Ｘ又は構造単位Ｚを構造単位Ｙで連結した構造を有する１以上の重合体成分からなり、構造単位Ｘと構造単位Ｚとを構造単位Ｙで連結した構造を有する重合体成分（ａ１）を含むフェノール樹脂（Ａ−１）を含むことを特徴とする。また、本発明の電子部品
装置は、上記封止用樹脂組成物の硬化物で素子が封止されていることを特徴とする。以下、本発明について詳細に説明する。 The sealing resin composition of the present invention is a sealing resin composition containing a phenol resin (A), an epoxy resin (B), and an inorganic filler (C), wherein the phenol resin (A) It has one or more polymer components having a structure in which the structural unit X or the structural unit Z of the general formula (1) is connected by the structural unit Y, and has a structure in which the structural unit X and the structural unit Z are connected by the structural unit Y. It contains a phenol resin (A-1) containing a polymer component (a1). The electronic component device of the present invention is characterized in that an element is sealed with a cured product of the sealing resin composition. Hereinafter, the present invention will be described in detail.

まず、本発明の封止用樹脂組成物について説明する。本発明の封止用樹脂組成物では、フェノール樹脂（Ａ）として、下記一般式（１）の構造単位Ｘ又は構造単位Ｚを構造単位Ｙで連結した構造を有する１以上の重合体成分からなり、構造単位Ｘと構造単位Ｚとを構造単位Ｙで連結した構造を有する重合体成分（ａ１）を含むフェノール樹脂（Ａ−１）（以下、「フェノール樹脂（Ａ−１）」と称することがある。）を用いることができる。   First, the sealing resin composition of the present invention will be described. In the sealing resin composition of the present invention, the phenol resin (A) comprises at least one polymer component having a structure in which the structural unit X or the structural unit Z of the following general formula (1) is connected by the structural unit Y. The phenol resin (A-1) containing the polymer component (a1) having a structure in which the structural unit X and the structural unit Z are connected by the structural unit Y (hereinafter referred to as “phenol resin (A-1)”). Can be used).

Figure 2012007086
（上記一般式（１）において、Ｒ１は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ２は炭素数１〜６の無置換の炭化水素基又は炭素数１〜６の置換炭化水素基である。ａは０〜５の整数である。）
Figure 2012007086
 (In the above general formula (1), R1 is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms and may be the same or different from each other. R2 is an unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or A substituted hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a is an integer of 0 to 5)

フェノール樹脂（Ａ−１）は、一般式（１）において構造単位Ｘ又は構造単位Ｚを構造単位Ｙで連結した構造を有する１以上の重合体成分からなり、構造単位Ｘと構造単位Ｚとを構造単位Ｙで連結した構造を有する重合体成分、換言すると、無置換のフェノール、置換フェノール類とベンズアルデヒド類との共縮合重合物である重合体成分（ａ１）を含む。また、フェノール樹脂（Ａ−１）は、一般式（１）において構造単位Ｘを含まず、構造単位Ｚ同士を構造単位Ｙで連結した構造を有する重合体成分、換言すると、置換フェノール類とベンズアルデヒド類との縮合重合物である重合体成分（ａ２）、又は一般式（１）において構造単位Ｚを含まず、構造単位Ｘ同士を構造単位Ｙで連結した構造を有する重合体成分、換言すると、無置換のフェノールとベンズアルデヒド類との縮合重合物である重合体成分（ａ３）、を含むものであってもよい。   The phenol resin (A-1) is composed of one or more polymer components having a structure in which the structural unit X or the structural unit Z is connected by the structural unit Y in the general formula (1), and the structural unit X and the structural unit Z are A polymer component having a structure linked by the structural unit Y, in other words, a polymer component (a1) which is a co-condensation polymer of unsubstituted phenol and substituted phenols and benzaldehydes is included. The phenol resin (A-1) is a polymer component having a structure in which the structural unit X is not included in the general formula (1) and the structural units Z are connected to each other by the structural unit Y, in other words, substituted phenols and benzaldehyde. A polymer component (a2) which is a condensation polymer with a polymer, or a polymer component having a structure in which the structural unit X is not connected to the structural unit Y in the general formula (1), in other words, It may contain a polymer component (a3) which is a condensation polymer of unsubstituted phenol and benzaldehydes.

一般に、無置換のフェノールとベンズアルデヒド類との縮合重合物を用いた樹脂組成物は、硬化性に優れ、その硬化物は高ガラス転移温度（Ｔｇ）、低収縮となるが、流動性、耐燃性、耐半田クラック性が劣る傾向にある。一方、置換フェノール類の１つであるクレ
ゾール等とベンズアルデヒド類との縮合重合物を用いた樹脂組成物は、流動性に優れ、その硬化物は弾性率、耐燃性、耐半田クラック性に優れるが、硬化性、ガラス転移温度（Ｔｇ）が低下する傾向にあり、ガラス転移温度（Ｔｇ）があまりにも低い場合には、半田実装時の熱処理の際、パッケージクラックを起こしやすい。また、無置換のフェノールとベンズアルデヒド類との縮合重合物と、置換フェノール類の１つであるクレゾールとベンズアルデヒド類との縮合重合物と、の混合物を用いた樹脂組成物は、２種類の縮合重合物の特性の中間的なものになり、相乗効果が得られにくい。 In general, a resin composition using a condensation polymer of unsubstituted phenol and benzaldehyde is excellent in curability, and the cured product has a high glass transition temperature (Tg) and low shrinkage, but has fluidity and flame resistance. The solder crack resistance tends to be inferior. On the other hand, a resin composition using a condensation polymer of cresol or the like, which is one of substituted phenols, and benzaldehyde is excellent in fluidity, and the cured product is excellent in elastic modulus, flame resistance, and solder crack resistance. When the glass transition temperature (Tg) is too low, package cracks are likely to occur during heat treatment during solder mounting. In addition, a resin composition using a mixture of a condensation polymer of unsubstituted phenol and benzaldehyde and a condensation polymer of cresol, which is one of the substituted phenols, and benzaldehyde is two types of condensation polymerization. It becomes an intermediate property of the product and it is difficult to obtain a synergistic effect.

本発明の樹脂組成物は、無置換のフェノール、置換フェノール類とベンズアルデヒド類との共縮合重合物である重合体成分（ａ１）を含むフェノール樹脂（Ａ−１）を用いた樹脂組成物であるため、無置換のフェノールに由来する構造（一般式（１）の構造単位Ｘ）と置換フェノール類に由来する構造（一般式（１）の構造単位Ｚ）とが、ベンズアルデヒド類に由来する構造（一般式（１）の構造単位Ｙ）を介して、連続、交互又はランダムに配列され、樹脂組成物中に置換フェノール類に由来するアルキル基等の置換基が十分に分散されることが考えられる。そのため、従来の無置換のフェノールとベンズアルデヒド類との縮合重合物や、置換フェノール類とベンズアルデヒド類との縮合重合物を用いた樹脂組成物と比較して、流動性、耐燃性、耐半田クラック性と、硬化性、ガラス転移温度とのバランスに優れた封止用樹脂組成物を得ることができる。また、無置換のフェノールとベンズアルデヒド類との縮合重合物と置換フェノール類とベンズアルデヒド類との縮合重合物との混合物を用いた樹脂組成物との比較においても、流動性と硬化性とのバランス、ならびに、ガラス転移温度（Ｔｇ）と耐燃性、耐半田クラック性とのバランスに優れたものとなる。特に、無置換のフェノールに由来する構造（一般式（１）の構造単位Ｘ）と置換フェノール類由来する構造（一般式（１）の構造単位Ｚ）とが、ベンズアルデヒド類に由来する構造（一般式（１）の構造単位Ｙ）を介して、交互又はランダムに配列されていることがより好ましい。   The resin composition of the present invention is a resin composition using a phenol resin (A-1) containing a polymer component (a1) which is a co-condensation polymer of unsubstituted phenol and substituted phenols and benzaldehydes. Therefore, a structure derived from an unsubstituted phenol (structural unit X of general formula (1)) and a structure derived from substituted phenols (structural unit Z of general formula (1)) are derived from benzaldehydes ( It is considered that the substituents such as alkyl groups derived from substituted phenols are sufficiently dispersed in the resin composition, which are continuously, alternately or randomly arranged via the structural unit Y) of the general formula (1). . Therefore, compared to conventional condensation polymerization products of unsubstituted phenol and benzaldehyde, and resin compositions using condensation polymerization products of substituted phenols and benzaldehydes, fluidity, flame resistance, solder crack resistance And the resin composition for sealing excellent in balance with sclerosis | hardenability and glass transition temperature can be obtained. In addition, in the comparison with a resin composition using a mixture of a condensation polymer of an unsubstituted phenol and a benzaldehyde and a condensation polymer of a substituted phenol and a benzaldehyde, a balance between fluidity and curability, In addition, the glass transition temperature (Tg) is excellent in balance between flame resistance and solder crack resistance. In particular, a structure derived from benzaldehyde is a structure derived from an unsubstituted phenol (structural unit X in the general formula (1)) and a structure derived from a substituted phenol (the structural unit Z in the general formula (1)). More preferably, they are arranged alternately or randomly via the structural unit Y) of formula (1).

ＦＤ−ＭＳで測定される、重合体成分（ａ１）のピーク強度の総和が、フェノール樹脂（Ａ−１）全体のピーク強度の総和に対して３０％以上、８０％以下であるものが好ましく、また、重合体成分（ａ１）のピーク強度の総和Ｐ１と、重合体成分（ａ３）のピーク強度の総和Ｐ３との比Ｐ１／Ｐ３が、０．４以上、４．０以下であるものがより好ましい。これらの範囲内のとき、流動性、硬化性、ガラス転移温度（Ｔｇ）、耐燃性、耐半田クラック性のバランスの良い樹脂組成物になる。これらの範囲が下限値以上であれば、フェノール樹脂（Ａ−１）に含有される置換フェノール骨格が少なくなることによる、樹脂組成物における流動性、耐燃性の低下、ならびに、電子部品装置における耐半田クラック性の低下を抑制することができる。一方、これらの範囲が上限値以下であれば、フェノール樹脂（Ａ−１）に含有する置換フェノール骨格が多くなることによる、樹脂組成物における硬化性の低下、ならびに、樹脂硬化物におけるガラス転移温度（Ｔｇ）の低下を抑制することができる。 The total peak intensity of the polymer component (a1) measured by FD-MS is preferably 30% or more and 80% or less with respect to the total peak intensity of the phenol resin (A-1). Further, the ratio P 1 / P 3 between the sum P 1 of peak intensities of the polymer component (a1) and the sum P 3 of peak intensities of the polymer component (a3) is 0.4 or more and 4.0 or less. Some are more preferred. Within these ranges, the resin composition has a good balance of fluidity, curability, glass transition temperature (Tg), flame resistance, and solder crack resistance. If these ranges are equal to or higher than the lower limit, the fluidity and flame resistance in the resin composition are reduced due to the reduced number of substituted phenol skeletons contained in the phenol resin (A-1), and the resistance in electronic component devices is reduced. A decrease in solder cracking property can be suppressed. On the other hand, if these ranges are not more than the upper limit values, a decrease in curability in the resin composition due to an increase in the number of substituted phenol skeletons contained in the phenol resin (A-1), and a glass transition temperature in the resin cured product. A decrease in (Tg) can be suppressed.

フェノール樹脂（Ａ−１）の樹脂粘度は、１５０℃におけるＩＣＩ粘度が０．１ｄＰａ・ｓｅｃ以上、１０．０ｄＰａ・ｓｅｃ以下であることが好ましく、０．３ｄＰａ・ｓｅｃ以上、８．０ｄＰａ・ｓｅｃ以下であることがより好ましく、０．５ｄＰａ・ｓｅｃ以上、６．０ｄＰａ・ｓｅｃ以下であることが特に好ましい。ＩＣＩ粘度の下限値が上記の範囲内の場合、樹脂組成物の硬化性が良好となる。一方、上限値が上記の範囲内の場合、流動性が良好となる。なお、ＩＣＩ粘度は、エム．エス．ティー．エンジニアリング（株）製ＩＣＩコーンプレート粘度計を使用して測定することができる。   The resin viscosity of the phenol resin (A-1) is such that the ICI viscosity at 150 ° C. is preferably 0.1 dPa · sec or more and 10.0 dPa · sec or less, 0.3 dPa · sec or more and 8.0 dPa · sec or less. It is more preferable that it is 0.5 dPa · sec or more and 6.0 dPa · sec or less. When the lower limit value of the ICI viscosity is within the above range, the curability of the resin composition is good. On the other hand, when the upper limit is within the above range, the fluidity is good. The ICI viscosity is M.M. S. tea. It can be measured using an ICI cone plate viscometer manufactured by Engineering Co., Ltd.

フェノール樹脂（Ａ−１）の水酸基当量は、１４５ｇ／ｅｑ以上、１７０ｇ／ｅｑ以下あることが好ましく、１５０ｇ／ｅｑ以上、１７０ｇ／ｅｑ以下であることがより好ましい。エポキシ当量が上記の範囲内の場合、樹脂組成物の流動性、硬化性と耐燃性が良好と
なる。 The hydroxyl equivalent of the phenol resin (A-1) is preferably 145 g / eq or more and 170 g / eq or less, and more preferably 150 g / eq or more and 170 g / eq or less. When the epoxy equivalent is within the above range, the fluidity, curability and flame resistance of the resin composition are good.

フェノール樹脂（Ａ−１）の合成方法の一例として、フェノール、置換フェノール類とベンズアルデヒド類とを酸触媒下、５０〜２００℃で１〜１０時間反応させた後、生成する縮合水及び未反応のフェノール、置換フェノール類を減圧下での蒸留及び洗浄により除去することで得られる。フェノールと置換フェノール類の質量比（フェノール／置換フェノール類）が、０．２以上、５．０以下のとき、フェノール樹脂（Ａ−１）が得られる。   As an example of a method for synthesizing the phenol resin (A-1), phenol, substituted phenols and benzaldehyde are reacted at 50 to 200 ° C. for 1 to 10 hours under an acid catalyst, and then generated condensed water and unreacted water are reacted. It can be obtained by removing phenol and substituted phenols by distillation and washing under reduced pressure. When the mass ratio of phenol and substituted phenol (phenol / substituted phenol) is 0.2 or more and 5.0 or less, the phenol resin (A-1) is obtained.

フェノール樹脂（Ａ−１）の合成で用いることができる酸触媒としては、特に限定されないが、例えば、蟻酸、シュウ酸、ｐ−トルエンスルホン酸、塩酸、硫酸、燐酸、酢酸、ルイス酸などを挙げることができる。   The acid catalyst that can be used in the synthesis of the phenol resin (A-1) is not particularly limited, and examples thereof include formic acid, oxalic acid, p-toluenesulfonic acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, acetic acid, Lewis acid, and the like. be able to.

フェノール樹脂（Ａ−１）の原料となる置換フェノール類としては、アルキル基等の無置換の炭化水素基又はアルコキシ基等の置換炭化水素基で、フェノールのオルト位、メタ位、パラ位の水素原子のいずれか１つが置換されているものであれば、特に限定されない。この条件を満たすものとして、例えば、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ｎ−プロピルフェノール、ｏ−イソプロピルフェノール、ｏ−ｎ−ブチルフェノール、ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、グアイアコール、２−エトキシフェノール等が挙げられる。工業的に入手しやすい観点から、クレゾールの使用が好ましい。これらの置換フェノール類は単独、あるいは２種以上混合して使用することができる。   Substituted phenols used as a raw material for the phenol resin (A-1) include unsubstituted hydrocarbon groups such as alkyl groups or substituted hydrocarbon groups such as alkoxy groups, and hydrogens at the ortho, meta, and para positions of the phenol. There is no particular limitation as long as any one of the atoms is substituted. As what satisfies this condition, for example, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-ethylphenol, m-ethylphenol, p-ethylphenol, on-propylphenol, o-isopropylphenol, o- Examples include n-butylphenol, o-tert-butylphenol, guaiacol, 2-ethoxyphenol and the like. From the viewpoint of easy industrial availability, the use of cresol is preferred. These substituted phenols can be used alone or in admixture of two or more.

フェノール樹脂（Ａ−１）の原料となるベンズアルデヒド類としては、ベンズアルデヒド骨格を有するものであれば、特に限定されない。この条件を満たすものとして、例えば、ベンズアルデヒド、ｏ−トルアルデヒド、ｐ−トルアルデヒド、２−エチルベンズアルデヒド、３−エチルベンズアルデヒド、４−エチルベンズアルデヒド、４−プロピルベンズアルデヒド、４−イソプロピルベンズアルデヒド、４−ブチルベンズアルデヒド、３，４−ジメチルベンズアルデヒド、３，５−ジメチルベンズアルデヒド、２−エトキシベンズアルデヒド、４−エトキシベンズアルデヒド、４−ｎ−ブトキシベンズアルデヒド、４−ｔｅｒｔ−ブトキシベンズアルデヒド等が挙げられる。工業的に入手しやすい観点から、ベンズアルデヒドの使用が好ましい。これらのアルデヒド類は単独、あるいは２種以上混合して使用することができる。   The benzaldehyde used as a raw material for the phenol resin (A-1) is not particularly limited as long as it has a benzaldehyde skeleton. As satisfying this condition, for example, benzaldehyde, o-tolualdehyde, p-tolualdehyde, 2-ethylbenzaldehyde, 3-ethylbenzaldehyde, 4-ethylbenzaldehyde, 4-propylbenzaldehyde, 4-isopropylbenzaldehyde, 4-butylbenzaldehyde 3,4-dimethylbenzaldehyde, 3,5-dimethylbenzaldehyde, 2-ethoxybenzaldehyde, 4-ethoxybenzaldehyde, 4-n-butoxybenzaldehyde, 4-tert-butoxybenzaldehyde and the like. From the viewpoint of industrial availability, benzaldehyde is preferably used. These aldehydes can be used alone or in admixture of two or more.

本発明の封止用樹脂組成物は、上記フェノール樹脂（Ａ−１）を用いることによる効果が損なわれない範囲で、他の硬化剤を併用することができる。併用できる硬化剤としては、特に限定されないが、例えば重付加型の硬化剤、触媒型の硬化剤、縮合型の硬化剤などを挙げることができる。   The sealing resin composition of the present invention can be used in combination with another curing agent as long as the effect of using the phenol resin (A-1) is not impaired. Although it does not specifically limit as a hardening | curing agent which can be used together, For example, a polyaddition type hardening | curing agent, a catalyst type hardening | curing agent, a condensation type hardening | curing agent etc. can be mentioned.

重付加型の硬化剤としては、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、メタキシレンジアミンなどの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン、ｍ−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホンなどの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジドなどを含むポリアミン化合物；ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物；ノボラック型フェノール樹脂、フェノールポリマーなどのポリフェノール化合物；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類などが挙げられる。   Examples of polyaddition type curing agents include aliphatic polyamines such as diethylenetriamine, triethylenetetramine, and metaxylenediamine, aromatic polyamines such as diaminodiphenylmethane, m-phenylenediamine, and diaminodiphenylsulfone, dicyandiamide, and organic acid dihydrazide. Polyamine compounds including: Acids including alicyclic acid anhydrides such as hexahydrophthalic anhydride and methyltetrahydrophthalic anhydride, aromatic acid anhydrides such as trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, and benzophenonetetracarboxylic acid Anhydrides; Polyphenol compounds such as novolak-type phenol resins and phenol polymers; Polymercaptan compounds such as polysulfides, thioesters, and thioethers; Isocyanate prepolymers and blocks Isocyanate compounds such as isocyanate; and organic acids such as carboxylic acid-containing polyester resins.

触媒型の硬化剤としては、例えば、ベンジルジメチルアミン、２，４，６−トリスジメ
チルアミノメチルフェノールなどの３級アミン化合物；２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物；ＢＦ３錯体などのルイス酸などが挙げられる。 Examples of the catalyst-type curing agent include tertiary amine compounds such as benzyldimethylamine and 2,4,6-trisdimethylaminomethylphenol; imidazole compounds such as 2-methylimidazole and 2-ethyl-4-methylimidazole; Examples include Lewis acids such as BF 3 complex.

縮合型の硬化剤としては、例えば、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、レゾール型フェノール樹脂などのフェノール樹脂系硬化剤；メチロール基含有尿素樹脂のような尿素樹脂；メチロール基含有メラミン樹脂のようなメラミン樹脂などが挙げられる。   Examples of the condensation type curing agent include phenol resin-based curing agents such as a phenol aralkyl resin having a phenylene skeleton and a resol type phenol resin; a urea resin such as a methylol group-containing urea resin; and a melamine such as a methylol group-containing melamine resin. Resin etc. are mentioned.

これらの中でも、耐燃性、耐湿性、電気特性、硬化性、保存安定性などのバランスの点からフェノール樹脂系硬化剤が好ましい。フェノール樹脂系硬化剤は、一分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のノボラック型樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂などの変性フェノール樹脂；フェニレン骨格又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦなどのビスフェノール化合物などが挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。これらのうち、硬化性の点から水酸基当量は９０ｇ／ｅｑ以上、２５０ｇ／ｅｑ以下のものが好ましい。このような他のフェノール樹脂を併用する場合において、フェノール樹脂（Ａ−１）の配合割合としては、フェノール樹脂（Ａ）１００質量部に対して、５０質量部以上、１００質量部以下であることが好ましく、６０質量部以上、１００質量部以下であることがより好ましく、７０質量部以上、１００質量部以下であることが特に好ましい。配合割合が上記範囲内であると、良好な流動性と硬化性を保持しつつ、耐熱性、耐燃性、耐半田性を向上させる効果を得ることができる。   Among these, a phenol resin curing agent is preferable from the viewpoint of balance of flame resistance, moisture resistance, electrical characteristics, curability, storage stability, and the like. The phenol resin-based curing agent is a monomer, oligomer, or polymer in general having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule, and its molecular weight and molecular structure are not particularly limited. For example, phenol novolak resin, cresol novolak Novolac resins such as resins; modified phenol resins such as terpene-modified phenol resins and dicyclopentadiene-modified phenol resins; phenol aralkyl resins having a phenylene skeleton or a biphenylene skeleton; and bisphenol compounds such as bisphenol A and bisphenol F. May be used alone or in combination of two or more. Among these, the hydroxyl equivalent is preferably 90 g / eq or more and 250 g / eq or less from the viewpoint of curability. When such other phenol resins are used in combination, the blending ratio of the phenol resin (A-1) is 50 parts by mass or more and 100 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the phenol resin (A). Is preferably 60 parts by mass or more and 100 parts by mass or less, and particularly preferably 70 parts by mass or more and 100 parts by mass or less. When the blending ratio is within the above range, an effect of improving heat resistance, flame resistance, and solder resistance can be obtained while maintaining good fluidity and curability.

フェノール樹脂（Ａ）全体の配合割合の下限値については、特に限定されないが、全樹脂組成物中に、２質量％以上であることが好ましく４質量％以上であることがより好ましい。配合割合の下限値が上記範囲内であると、充分な流動性を得ることができる。また、フェノール樹脂（Ａ）全体の配合割合の上限値についても、特に限定されないが、全樹脂組成物中に、１５質量％以下であることが好ましく、１３質量％以下であることがより好ましい。配合割合の上限値が上記範囲内であると、良好な耐半田性を得ることができる。   Although it does not specifically limit about the lower limit of the compounding ratio of the whole phenol resin (A), It is preferable that it is 2 mass% or more in all the resin compositions, and it is more preferable that it is 4 mass% or more. When the lower limit value of the blending ratio is within the above range, sufficient fluidity can be obtained. Moreover, although it does not specifically limit about the upper limit of the mixture ratio of the whole phenol resin (A), It is preferable that it is 15 mass% or less in all the resin compositions, and it is more preferable that it is 13 mass% or less. When the upper limit of the blending ratio is within the above range, good solder resistance can be obtained.

本発明の封止用樹脂組成物に用いられるエポキシ樹脂（Ｂ）としては、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂；フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂；ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの２量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂；トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂が挙げられるが、これらに限定されない。これらのエポキシ樹脂は、得られる封止用樹脂組成物の耐湿信頼性の観点から、イオン性不純物であるＮａ＋イオンやＣｌ−イオンを極力含まないことが好ましい。また、樹脂組成物の硬化性の観点から、エポキシ樹脂（Ｂ）のエポキシ当量は、１００ｇ／ｅｑ以上、５００ｇ／ｅｑ以下であることが好ましい。 Examples of the epoxy resin (B) used in the sealing resin composition of the present invention include crystalline epoxy resins such as biphenyl type epoxy resins, bisphenol type epoxy resins, and stilbene type epoxy resins; phenol novolac type epoxy resins and cresols. Novolac type epoxy resins such as novolac type epoxy resins; polyfunctional epoxy resins such as triphenolmethane type epoxy resins and alkyl-modified triphenolmethane type epoxy resins; phenol aralkyl type epoxy resins having a phenylene skeleton, phenol aralkyl types having a biphenylene skeleton Aralkyl-type epoxy resins such as epoxy resins; naphthol-type epoxies such as dihydroxynaphthalene-type epoxy resins and epoxy resins obtained by glycidyl etherification of dihydroxynaphthalene dimers Fats; Triazine core-containing epoxy resins such as triglycidyl isocyanurate and monoallyl diglycidyl isocyanurate; Bridged cyclic hydrocarbon compound-modified phenolic epoxy resins such as dicyclopentadiene-modified phenolic epoxy resins, but are not limited thereto Not. These epoxy resins preferably do not contain Na + ions and Cl − ions, which are ionic impurities, as much as possible from the viewpoint of moisture resistance reliability of the resulting sealing resin composition. From the viewpoint of curability of the resin composition, the epoxy equivalent of the epoxy resin (B) is preferably 100 g / eq or more and 500 g / eq or less.

封止用樹脂組成物中のエポキシ樹脂（Ｂ）の下限値は、封止用樹脂組成物の全質量に対して、好ましくは２質量％以上であり、より好ましくは４質量％以上である。下限値が上
記範囲内であると、得られる樹脂組成物は良好な流動性を有する。また、封止用樹脂組成物中のエポキシ樹脂（Ｂ）の上限値は、封止用樹脂組成物の全質量に対して、好ましくは１５質量％以下であり、より好ましくは１３質量％以下である。上限値が上記範囲内であると、得られる樹脂組成物は良好な耐半田性を有する。 The lower limit of the epoxy resin (B) in the encapsulating resin composition is preferably 2% by mass or more, more preferably 4% by mass or more, based on the total mass of the encapsulating resin composition. When the lower limit is within the above range, the resulting resin composition has good fluidity. Moreover, the upper limit of the epoxy resin (B) in the sealing resin composition is preferably 15% by mass or less, more preferably 13% by mass or less, with respect to the total mass of the sealing resin composition. is there. When the upper limit is within the above range, the resulting resin composition has good solder resistance.

なお、フェノール樹脂（Ａ）とエポキシ樹脂（Ｂ）とは、全エポキシ樹脂（Ｂ）のエポキシ基数（ＥＰ）と、全フェノール樹脂（Ａ）のフェノール性水酸基数（ＯＨ）との当量比（ＥＰ）／（ＯＨ）が、０．８以上、１．３以下となるように配合することが好ましい。当量比が上記範囲内であると、得られる樹脂組成物を成形する際、十分な硬化特性を得ることができる。   In addition, phenol resin (A) and epoxy resin (B) are equivalent ratio (EP) of the number of epoxy groups (EP) of all the epoxy resins (B), and the number of phenolic hydroxyl groups (OH) of all the phenol resins (A). ) / (OH) is preferably blended so as to be 0.8 or more and 1.3 or less. When the equivalent ratio is within the above range, sufficient curing characteristics can be obtained when the resulting resin composition is molded.

本発明の封止用樹脂組成物では、無機充填材（Ｃ）を用いる。本発明の封止用樹脂組成物に用いられる無機充填材（Ｃ）としては、特に限定されないが、当該分野で一般的に用いられる無機充填材を使用することができる。例えば、溶融シリカ、球状シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミなどが挙げられる。無機充填材（Ｃ）の粒径は、金型キャビティへの充填性の観点から、０．０１μｍ以上、１５０μｍ以下であることが望ましい。   In the sealing resin composition of the present invention, an inorganic filler (C) is used. Although it does not specifically limit as an inorganic filler (C) used for the resin composition for sealing of this invention, The inorganic filler generally used in the said field | area can be used. Examples thereof include fused silica, spherical silica, crystalline silica, alumina, silicon nitride, and aluminum nitride. The particle size of the inorganic filler (C) is preferably 0.01 μm or more and 150 μm or less from the viewpoint of filling properties into the mold cavity.

封止用樹脂組成物中における無機充填材（Ｃ）の含有量は、特に限定されないが、封止用樹脂組成物の全量に対して、好ましくは７０質量％以上であり、より好ましくは８０質量％以上であり、さらに好ましくは８６質量％以上である。含有量の下限値が上記範囲内であると、得られる封止用樹脂組成物の硬化物の吸湿量を抑えることや、強度の低下を低減でき、したがって良好な耐半田クラック性を有する硬化物を得ることができる。また、封止用樹脂組成物中における無機充填材（Ｃ）の含有量の上限値は、封止用樹脂組成物の全量に対して、好ましくは９３質量％以下であり、より好ましくは９１質量％以下であり、さらに好ましくは９０質量％以下である。含有量の上限値が上記範囲内であると、得られる樹脂組成物は良好な流動性を有するとともに、良好な成形性を備える。なお、後述する、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムなどの金属水酸化物や、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛などの無機系難燃剤を用いる場合には、これらの無機系難燃剤と上記無機充填材（Ｃ）の合計量を上記範囲内とすることが望ましい。   The content of the inorganic filler (C) in the encapsulating resin composition is not particularly limited, but is preferably 70% by mass or more, more preferably 80% by mass with respect to the total amount of the encapsulating resin composition. % Or more, and more preferably 86% by mass or more. When the lower limit value of the content is in the above range, the cured resin having a good solder crack resistance can suppress the moisture absorption amount of the cured resin composition obtained and reduce the decrease in strength. Can be obtained. The upper limit of the content of the inorganic filler (C) in the sealing resin composition is preferably 93% by mass or less, more preferably 91% by mass with respect to the total amount of the sealing resin composition. % Or less, and more preferably 90% by mass or less. When the upper limit value of the content is within the above range, the resulting resin composition has good fluidity and good moldability. In addition, when using inorganic hydroxides, such as metal hydroxides, such as aluminum hydroxide and magnesium hydroxide mentioned later, zinc borate, and zinc molybdate mentioned later, these inorganic flame retardants and said inorganic filler ( The total amount of C) is preferably within the above range.

本発明の封止用樹脂組成物では、硬化促進剤（Ｄ）をさらに用いることができる。硬化促進剤（Ｄ）は、エポキシ樹脂（Ｂ）と硬化剤との架橋反応を促進する作用を有するほか、封止用樹脂組成物の硬化時の流動性と硬化性とのバランスを制御でき、さらには硬化物の硬化特性を変えることもできる。硬化促進剤（Ｄ）の具体例としては、有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物などのリン原子含有硬化促進剤；１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、ベンジルジメチルアミン、２−メチルイミダゾールなどの窒素原子含有硬化促進剤が挙げられ、これらのうち、リン原子含有硬化促進剤が好ましい硬化性を得ることができる。流動性と硬化性とのバランスの観点から、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物よりなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物がより好ましい。流動性という点を重視する場合にはテトラ置換ホスホニウム化合物が特に好ましく、また封止用樹脂組成物の硬化物熱時低弾性率という点を重視する場合にはホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物が特に好ましく、また潜伏的硬化性という点を重視する場合にはホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が特に好ましい。   In the sealing resin composition of the present invention, a curing accelerator (D) can be further used. The curing accelerator (D) has the effect of promoting the crosslinking reaction between the epoxy resin (B) and the curing agent, and can control the balance between fluidity and curability during curing of the sealing resin composition, Furthermore, the curing characteristics of the cured product can be changed. Specific examples of curing accelerators (D) include organic phosphines, tetra-substituted phosphonium compounds, phosphobetaine compounds, adducts of phosphine compounds and quinone compounds, and phosphorus atom-containing curing accelerations such as adducts of phosphonium compounds and silane compounds. Agents: Examples include nitrogen atom-containing curing accelerators such as 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7, benzyldimethylamine, and 2-methylimidazole. Among these, phosphorus atom-containing curing accelerators are preferable. Curability can be obtained. From the viewpoint of the balance between fluidity and curability, at least one kind selected from the group consisting of tetra-substituted phosphonium compounds, phosphobetaine compounds, adducts of phosphine compounds and quinone compounds, and adducts of phosphonium compounds and silane compounds. Compounds are more preferred. Tetra-substituted phosphonium compounds are particularly preferred when emphasizing the point of fluidity, and phosphobetaine compounds, phosphine compounds and quinone compounds when emphasizing the low modulus of heat when cured resin compositions are encapsulated. The adduct of phosphonium compound and silane compound is particularly preferred when importance is attached to the latent curing property.

本発明の封止用樹脂組成物で用いることができる有機ホスフィンとしては、例えばエチルホスフィン、フェニルホスフィンなどの第１ホスフィン、ジメチルホスフィン、ジフェ
ニルホスフィンなどの第２ホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィンなどの第３ホスフィンが挙げられる。 Examples of the organic phosphine that can be used in the sealing resin composition of the present invention include a first phosphine such as ethylphosphine and phenylphosphine, a second phosphine such as dimethylphosphine and diphenylphosphine, trimethylphosphine, triethylphosphine, and tributylphosphine. And tertiary phosphine such as triphenylphosphine.

本発明の封止用樹脂組成物で用いることができるテトラ置換ホスホニウム化合物としては、例えば下記一般式（２）で表される化合物などが挙げられる。   Examples of the tetra-substituted phosphonium compound that can be used in the encapsulating resin composition of the present invention include compounds represented by the following general formula (2).

Figure 2012007086
（ただし、上記一般式（２）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は芳香族基又はアルキル基を表す。Ａはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸のアニオンを表す。ＡＨはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸を表す。ｘ、ｙは１〜３の整数、ｚは０〜３の整数であり、かつｘ＝ｙである。）
Figure 2012007086
 (However, in the said General formula (2), P represents a phosphorus atom. R3, R4, R5, and R6 represent an aromatic group or an alkyl group. A is a functional group chosen from a hydroxyl group, a carboxyl group, and a thiol group. Represents an anion of an aromatic organic acid having at least one of the following: AH is an aromatic organic acid having at least one functional group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group, and a thiol group in the aromatic ring X and y are integers of 1 to 3, z is an integer of 0 to 3, and x = y.

一般式（２）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られるがこれに限定されるものではない。まず、テトラ置換ホスホニウムハライドと芳香族有機酸と塩基を有機溶剤に混ぜ均一に混合し、その溶液系内に芳香族有機酸アニオンを発生させる。次いで水を加えると、一般式（２）で表される化合物を沈殿させることができる。一般式（２）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６がフェニル基であり、かつＡＨはヒドロキシル基を芳香環に有する化合物、すなわちフェノール類であり、かつＡは該フェノール類のアニオンであるのが好ましい。   Although the compound represented by General formula (2) is obtained as follows, for example, it is not limited to this. First, a tetra-substituted phosphonium halide, an aromatic organic acid and a base are mixed in an organic solvent and mixed uniformly to generate an aromatic organic acid anion in the solution system. Subsequently, when water is added, the compound represented by the general formula (2) can be precipitated. In the compound represented by the general formula (2), R3, R4, R5 and R6 bonded to the phosphorus atom are phenyl groups, and AH is a compound having a hydroxyl group in an aromatic ring, that is, phenols, and A Is preferably an anion of the phenol.

本発明の封止用樹脂組成物で用いることができるホスホベタイン化合物としては、例えば下記一般式（３）で表される化合物などが挙げられる。   Examples of the phosphobetaine compound that can be used in the encapsulating resin composition of the present invention include compounds represented by the following general formula (3).

Figure 2012007086
（ただし、上記一般式（３）において、Ｘ１は炭素数１〜３のアルキル基、Ｙ１はヒドロキシル基を表す。ｉは０〜５の整数であり、ｊは０〜４の整数である。）
Figure 2012007086
 (However, in the said General formula (3), X1 represents a C1-C3 alkyl group, Y1 represents a hydroxyl group. I is an integer of 0-5, j is an integer of 0-4.)

一般式（３）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られる。まず、第三ホスフィンであるトリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩とを接触させ、トリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩が有するジアゾニウム基とを置換させる工程を経て得られる。しかしこれに限定されるものではない。   The compound represented by the general formula (3) is obtained, for example, as follows. First, it is obtained through a step of bringing a triaromatic substituted phosphine, which is a third phosphine, into contact with a diazonium salt and replacing the triaromatic substituted phosphine with a diazonium group of the diazonium salt. However, the present invention is not limited to this.

本発明の封止用樹脂組成物で用いることができるホスフィン化合物とキノン化合物との付加物としては、例えば下記一般式（４）で表される化合物などが挙げられる。   Examples of the adduct of a phosphine compound and a quinone compound that can be used in the sealing resin composition of the present invention include compounds represented by the following general formula (4).

Figure 2012007086
（ただし、上記一般式（４）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１０とＲ１１が結合して環状構造となっていてもよい。）
Figure 2012007086
 (However, in the said General formula (4), P represents a phosphorus atom. R7, R8, and R9 represent a C1-C12 alkyl group or a C6-C12 aryl group, and they are mutually the same. R10, R11 and R12 each represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms and may be the same or different from each other, and R10 and R11 are bonded to form a cyclic structure. May be.)

ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるホスフィン化合物としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリス（ベンジル）ホスフィンなどの芳香環に無置換又はアルキル基、アルコキシル基などの置換基が存在するものが好ましく、アルキル基、アルコキシル基などの置換基としては１〜６の炭素数を有するものが挙げられる。入手しやすさの観点からはトリフェニルホスフィンが好ましい。
またホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、ｏ−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもｐ−ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィンとベンゾキノン類の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトンなどのケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。
一般式（４）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ７、Ｒ８及びＲ９がフェニル基であり、かつＲ１０、Ｒ１１及びＲ１２が水素原子である化合物、すなわち１，４−ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物が封止用樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率を低く維持できる点で好ましい。 Examples of the phosphine compound used for the adduct of the phosphine compound and the quinone compound include aromatic compounds such as triphenylphosphine, tris (alkylphenyl) phosphine, tris (alkoxyphenyl) phosphine, trinaphthylphosphine, and tris (benzyl) phosphine. Those having a substituent such as a substituent or an alkyl group and an alkoxyl group are preferred, and examples of the substituent such as an alkyl group and an alkoxyl group include those having 1 to 6 carbon atoms. From the viewpoint of availability, triphenylphosphine is preferable.
In addition, examples of the quinone compound used for the adduct of the phosphine compound and the quinone compound include o-benzoquinone, p-benzoquinone, and anthraquinones. Among them, p-benzoquinone is preferable from the viewpoint of storage stability.
As a method for producing an adduct of a phosphine compound and a quinone compound, the adduct can be obtained by contacting and mixing in a solvent capable of dissolving both organic tertiary phosphine and benzoquinone. As the solvent, ketones such as acetone and methyl ethyl ketone which have low solubility in the adduct are preferable. However, the present invention is not limited to this.
In the compound represented by the general formula (4), R7, R8 and R9 bonded to the phosphorus atom are phenyl groups, and R10, R11 and R12 are hydrogen atoms, that is, 1,4-benzoquinone and triphenyl A compound to which phosphine is added is preferable in that the elastic modulus during heating of the cured product of the encapsulating resin composition can be kept low.

本発明の封止用樹脂組成物で用いることができるホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物としては、例えば下記一般式（５）で表される化合物などが挙げられる。   Examples of the adduct of a phosphonium compound and a silane compound that can be used in the sealing resin composition of the present invention include compounds represented by the following general formula (5).

Figure 2012007086
（ただし、上記一般式（５）において、Ｐはリン原子を表し、Ｓｉは珪素原子を表す。Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６は、それぞれ、芳香環又は複素環を有する有機基、ある
いは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｘ２は、基Ｙ２及びＹ３と結合する有機基である。式中Ｘ３は、基Ｙ４及びＹ５と結合する有機基である。Ｙ２及びＹ３は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ２及びＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ４及びＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ４及びＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ２、及びＸ３は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、及びＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。）
Figure 2012007086
 (In the general formula (5), P represents a phosphorus atom and Si represents a silicon atom. R13, R14, R15 and R16 are each an organic group having an aromatic ring or a heterocyclic ring, or an aliphatic group. X2 is an organic group bonded to the groups Y2 and Y3, where X3 is an organic group bonded to the groups Y4 and Y5. And Y3 represent a group formed by releasing a proton from a proton donating group, and groups Y2 and Y3 in the same molecule are bonded to a silicon atom to form a chelate structure, and Y4 and Y5 are proton donating groups. The group represents a group formed by releasing a proton, and the groups Y4 and Y5 in the same molecule are bonded to a silicon atom to form a chelate structure.X2 and X3 are the same or different from each other. Well, 2, Y3, Y4, and Y5 is .Z1 which may be the same or different from each other is an organic group or an aliphatic group, an aromatic ring or a heterocyclic ring.)

一般式（５）において、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基及びシクロヘキシル基などが挙げられ、これらの中でも、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基などの置換基を有する芳香族基もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。   In the general formula (5), as R13, R14, R15 and R16, for example, phenyl group, methylphenyl group, methoxyphenyl group, hydroxyphenyl group, naphthyl group, hydroxynaphthyl group, benzyl group, methyl group, ethyl group, Examples thereof include n-butyl group, n-octyl group and cyclohexyl group. Among these, aromatic group having a substituent such as phenyl group, methylphenyl group, methoxyphenyl group, hydroxyphenyl group, hydroxynaphthyl group or the like. A substituted aromatic group is more preferred.

また、一般式（５）において、Ｘ２は、Ｙ２及びＹ３と結合する有機基である。同様に、Ｘ３は、基Ｙ４及びＹ５と結合する有機基である。Ｙ２及びＹ３はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ２及びＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様にＹ４及びＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ４及びＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基Ｘ２及びＸ３は互いに同一であっても異なっていてもよく、基Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、及びＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。このような一般式（５）中の−Ｙ２−Ｘ２−Ｙ３−、及び−Ｙ４−Ｘ３−Ｙ５−で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものであり、プロトン供与体としては、例えば、カテコール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２’−ビフェノール、１，１’−ビ−２−ナフトール、サリチル酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、１，２−シクロヘキサンジオール、１，２−プロパンジオール及びグリセリンなどが挙げられるが、これらの中でも、カテコール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。
また、一般式（５）中のＺ１は、芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基及びオクチル基などの脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基及びビフェニル基などの芳香族炭化水素基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基及びビニル基などの反応性置換基などが挙げられるが、これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基及びビフェニル基が一般式（５）の熱安定性が向上するという点で、より好ましい。 Moreover, in General formula (5), X2 is an organic group couple | bonded with Y2 and Y3. Similarly, X3 is an organic group bonded to the groups Y4 and Y5. Y2 and Y3 are groups formed by proton-donating groups releasing protons, and groups Y2 and Y3 in the same molecule are combined with a silicon atom to form a chelate structure. Similarly, Y4 and Y5 are groups formed by proton-donating groups releasing protons, and groups Y4 and Y5 in the same molecule are combined with a silicon atom to form a chelate structure. The groups X2 and X3 may be the same or different from each other, and the groups Y2, Y3, Y4, and Y5 may be the same or different from each other. The groups represented by -Y2-X2-Y3- and -Y4-X3-Y5- in general formula (5) are composed of groups in which a proton donor releases two protons. Examples of proton donors include catechol, pyrogallol, 1,2-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene, 2,2′-biphenol, 1,1′-bi-2-naphthol, and salicylic acid. 1-hydroxy-2-naphthoic acid, 3-hydroxy-2-naphthoic acid, chloranilic acid, tannic acid, 2-hydroxybenzyl alcohol, 1,2-cyclohexanediol, 1,2-propanediol and glycerin. Among these, catechol, 1,2-dihydroxynaphthalene, and 2,3-dihydroxynaphthalene are more preferable.
Z1 in the general formula (5) represents an organic group having an aromatic ring or a heterocyclic ring, or an aliphatic group. Specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, Aliphatic hydrocarbon groups such as hexyl group and octyl group, aromatic hydrocarbon groups such as phenyl group, benzyl group, naphthyl group and biphenyl group, glycidyloxypropyl group, mercaptopropyl group, aminopropyl group and vinyl group Although a reactive substituent etc. are mentioned, Among these, a methyl group, an ethyl group, a phenyl group, a naphthyl group, and a biphenyl group are more preferable at the point that the thermal stability of General formula (5) improves.

ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物の製造方法としては、メタノールを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシランなどのシラン化合物、２，３−ジヒドロキシナフタレンなどのプロトン供与体を加えて溶かし、次に室温攪拌下ナトリウムメトキシド−メタノール溶液を滴下する。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイドなどのテトラ置換ホスホニウムハライドをメタノールに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出する。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が得られる。しかし、これに限定されるものではない。   As a method for producing an adduct of a phosphonium compound and a silane compound, a silane compound such as phenyltrimethoxysilane and a proton donor such as 2,3-dihydroxynaphthalene are added to a flask containing methanol, and then dissolved. Sodium methoxide-methanol solution is added dropwise with stirring. Furthermore, when a solution prepared by dissolving a tetra-substituted phosphonium halide such as tetraphenylphosphonium bromide prepared in methanol in methanol is added dropwise with stirring at room temperature, crystals are precipitated. The precipitated crystals are filtered, washed with water, and vacuum dried to obtain an adduct of a phosphonium compound and a silane compound. However, it is not limited to this.

本発明の封止用樹脂組成物に用いることができる硬化促進剤（Ｄ）の配合割合は、全樹
脂組成物中０．１質量％以上、１質量％以下であることが好ましい。硬化促進剤（Ｄ）の配合量が上記範囲内であると、充分な硬化性、流動性を得ることができる。 The blending ratio of the curing accelerator (D) that can be used in the sealing resin composition of the present invention is preferably 0.1% by mass or more and 1% by mass or less in the total resin composition. When the blending amount of the curing accelerator (D) is within the above range, sufficient curability and fluidity can be obtained.

本発明の封止用樹脂組成物は、さらに、芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｅ）（以下、「化合物（Ｅ）」とも称する。）を用いることができる。化合物（Ｅ）は、これを用いることにより、フェノール樹脂（Ａ）とエポキシ樹脂（Ｂ）との架橋反応を促進させる硬化促進剤（Ｄ）として、潜伏性を有しないリン原子含有硬化促進剤を用いた場合であっても、樹脂配合物の溶融混練中での反応を抑えることができ、安定して封止用樹脂組成物を得ることができる。また、化合物（Ｅ）は、封止用樹脂組成物の溶融粘度を下げ、流動性を向上させる効果も有するものである。化合物（Ｅ）としては、下記一般式（６）で表される単環式化合物又は下記一般式（７）で表される多環式化合物などを用いることができ、これらの化合物は水酸基以外の置換基を有していてもよい。   The encapsulating resin composition of the present invention further includes a compound (E) in which a hydroxyl group is bonded to each of two or more adjacent carbon atoms constituting an aromatic ring (hereinafter also referred to as “compound (E)”). Can be used. By using this compound (E), a phosphorus atom-containing curing accelerator having no latency is used as a curing accelerator (D) that promotes the crosslinking reaction between the phenol resin (A) and the epoxy resin (B). Even if it is used, the reaction during the melt-kneading of the resin compound can be suppressed, and the sealing resin composition can be obtained stably. The compound (E) also has an effect of lowering the melt viscosity of the sealing resin composition and improving fluidity. As the compound (E), a monocyclic compound represented by the following general formula (6) or a polycyclic compound represented by the following general formula (7) can be used. It may have a substituent.

Figure 2012007086
（ただし、上記一般式（６）において、Ｒ１７、Ｒ２１はどちらか一方が水酸基であり、片方が水酸基のとき、他方は水素原子、水酸基、又は水酸基以外の置換基である。Ｒ１８、Ｒ１９、及びＲ２０は水素原子、水酸基又は水酸基以外の置換基である。）
Figure 2012007086
 (However, in the general formula (6), when one of R17 and R21 is a hydroxyl group and one is a hydroxyl group, the other is a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a substituent other than a hydroxyl group. R18, R19, and R20 is a hydrogen atom, a hydroxyl group or a substituent other than a hydroxyl group.)

Figure 2012007086
（ただし、上記一般式（７）において、Ｒ２７、Ｒ２８はどちらか一方が水酸基であり、片方が水酸基のとき他方は水素原子、水酸基又は水酸基以外の置換基である。Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５及びＲ２６は水素原子、水酸基又は水酸基以外の置換基である。）
Figure 2012007086
 (In the general formula (7), one of R27 and R28 is a hydroxyl group, and when one is a hydroxyl group, the other is a hydrogen atom, a hydroxyl group or a substituent other than a hydroxyl group. R22, R23, R24, R25) And R26 is a hydrogen atom, a hydroxyl group or a substituent other than a hydroxyl group.)

一般式（６）で表される単環式化合物は、例えば、カテコール、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステル又はこれらの誘導体等が挙げられる。また、一般式（７）で表される多環式化合物は、例えば、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン及びこれらの誘導体等が挙げられる。これらのうち、流動性と硬化性との制御のしやすさから、芳香環を構成する２個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物が好ましい。また、混練工程での揮発を考慮した場合、母核は低揮発性で秤量安定性の高いナフタレン環である化合物とすることがより好ましい。この場合、化合物（Ｅ）を、具体的には、例えば、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン及びその誘導体などのナフタレン環を有する化合物とすることができる。これらの化合物（Ｅ）は１種類を単独で用いても２種以上を併用してもよい。   Examples of the monocyclic compound represented by the general formula (6) include catechol, pyrogallol, gallic acid, gallic acid ester, and derivatives thereof. Examples of the polycyclic compound represented by the general formula (7) include 1,2-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene, and derivatives thereof. Among these, a compound in which a hydroxyl group is bonded to each of two adjacent carbon atoms constituting an aromatic ring is preferable because of easy control of fluidity and curability. In consideration of volatilization in the kneading step, it is more preferable that the mother nucleus is a compound having a low volatility and a highly stable weighing naphthalene ring. In this case, specifically, the compound (E) can be a compound having a naphthalene ring such as 1,2-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene and derivatives thereof. These compounds (E) may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

化合物（Ｅ）の配合量は、全封止用樹脂組成物中に０．０１質量％以上、１質量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．０３質量％以上、０．８質量％以下、特に好ましくは０．０５質量％以上、０．５質量％以下である。化合物（Ｅ）の配合量の下限値が上記範囲内であると、封止用樹脂組成物の充分な低粘度化と流動性向上効果を得ることができる。また、化合物（Ｅ）の配合量の上限値が上記範囲内であると、封止用樹脂組成物の硬化性及び連続成形性の低下や半田リフロー温度でクラックを引き起こす恐れが少ない。   The compounding amount of the compound (E) is preferably 0.01% by mass or more and 1% by mass or less, more preferably 0.03% by mass or more and 0.8% by mass in the total sealing resin composition. Hereinafter, it is particularly preferably 0.05% by mass or more and 0.5% by mass or less. When the lower limit value of the compounding amount of the compound (E) is within the above range, a sufficient viscosity reduction and fluidity improvement effect of the encapsulating resin composition can be obtained. Further, when the upper limit value of the compounding amount of the compound (E) is within the above range, there is little possibility of causing cracking due to a decrease in curability and continuous moldability of the encapsulating resin composition and a solder reflow temperature.

本発明の封止用樹脂組成物においては、エポキシ樹脂（Ｂ）と無機充填材（Ｃ）との密着性を向上させるため、カップリング剤（Ｆ）をさらに添加することができる。その例としては特に限定されないが、エポキシシラン、アミノシラン、ウレイドシラン、メルカプトシランなどが挙げられ、エポキシ樹脂（Ｂ）と無機充填材（Ｃ）との間で反応又は作用し、エポキシ樹脂（Ｂ）と無機充填材（Ｃ）の界面強度を向上させるものであればよい。また、カップリング剤（Ｆ）は、前述の化合物（Ｅ）と併用することで、樹脂組成物の溶融粘度を下げ、流動性を向上させるという化合物（Ｅ）の効果を高めることもできるものである。   In the sealing resin composition of the present invention, a coupling agent (F) can be further added to improve the adhesion between the epoxy resin (B) and the inorganic filler (C). Examples thereof include, but are not limited to, epoxy silane, amino silane, ureido silane, mercapto silane, and the like, and react or act between the epoxy resin (B) and the inorganic filler (C), and the epoxy resin (B). What is necessary is just to improve the interface intensity | strength of an inorganic filler (C). In addition, the coupling agent (F) can also increase the effect of the compound (E) to lower the melt viscosity of the resin composition and improve the fluidity when used in combination with the aforementioned compound (E). is there.

エポキシシランとしては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランなどが挙げられる。   Examples of the epoxy silane include γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, β- (3,4 epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane. Etc.

また、アミノシランとしては、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−６−（アミノヘキシル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（３−（トリメトキシシリルプロピル）−１，３−ベンゼンジメタナンなどが挙げられる。アミノシランの１級アミノ部位をケトン又はアルデヒドを反応させて保護した潜在性アミノシランカップリング剤として用いてもよい。また、ウレイドシランとしては、例えば、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザンなどが挙げられる。また、メルカプトシランとしては、例えば、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシランのほか、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィドのような熱分解することによってメルカプトシランカップリング剤と同様の機能を発現するシランカップリング剤など、が挙げられる。またこれらのシランカップリング剤は予め加水分解反応させたものを配合してもよい。これらのシランカップリング剤は１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。   Examples of the aminosilane include γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, and N-β (aminoethyl) γ-aminopropyl. Methyldimethoxysilane, N-phenylγ-aminopropyltriethoxysilane, N-phenylγ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltriethoxysilane, N-6- (aminohexyl) 3 -Aminopropyltrimethoxysilane, N- (3- (trimethoxysilylpropyl) -1,3-benzenedimethanane, etc. Potential of protecting the primary amino moiety of aminosilane by reacting with ketone or aldehyde It may be used as an aminosilane coupling agent. Examples of the ureidosilane include γ-ureidopropyltriethoxysilane, hexamethyldisilazane, etc. Examples of the mercaptosilane include γ-mercaptopropyltrimethoxysilane and 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane. A silane coupling agent that exhibits the same function as a mercaptosilane coupling agent by thermal decomposition such as bis (3-triethoxysilylpropyl) tetrasulfide and bis (3-triethoxysilylpropyl) disulfide, These silane coupling agents may be pre-hydrolyzed, and these silane coupling agents may be used alone or in combination of two or more.

本発明の封止用樹脂組成物に用いることができるカップリング剤（Ｆ）の配合割合の下限値としては、全樹脂組成物中０．０１質量％以上が好ましく、より好ましくは０．０５質量％以上、特に好ましくは０．１質量％以上である。カップリング剤（Ｆ）の配合割合の下限値が上記範囲内であれば、エポキシ樹脂（Ｂ）と無機充填材（Ｃ）との界面強度が低下することがなく、電子部品装置における良好な耐半田クラック性を得ることができる。また、カップリング剤（Ｆ）の上限値としては、全樹脂組成物中１．０質量％以下が好ましく、より好ましくは０．８質量％以下、特に好ましくは０．６質量％以下である。カップリング剤（Ｆ）の配合割合の上限値が上記範囲内であれば、エポキシ樹脂（Ｂ）と無機充填材（Ｃ）との界面強度が低下することがなく、電子部品装置における良好な耐半田
クラック性を得ることができる。また、カップリング剤（Ｆ）の配合割合が上記範囲内であれば、樹脂組成物の硬化物の吸水性が増大することがなく、電子部品装置における良好な耐半田クラック性を得ることができる。 The lower limit of the blending ratio of the coupling agent (F) that can be used in the sealing resin composition of the present invention is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass in the total resin composition. % Or more, particularly preferably 0.1% by mass or more. When the lower limit of the blending ratio of the coupling agent (F) is within the above range, the interface strength between the epoxy resin (B) and the inorganic filler (C) does not decrease, and good resistance in electronic component devices is achieved. Solder cracking properties can be obtained. Moreover, as an upper limit of a coupling agent (F), 1.0 mass% or less is preferable in all the resin compositions, More preferably, it is 0.8 mass% or less, Most preferably, it is 0.6 mass% or less. If the upper limit of the blending ratio of the coupling agent (F) is within the above range, the interface strength between the epoxy resin (B) and the inorganic filler (C) does not decrease, and good resistance in electronic component devices is achieved. Solder cracking properties can be obtained. Further, when the blending ratio of the coupling agent (F) is within the above range, the water absorption of the cured product of the resin composition does not increase, and good solder crack resistance in the electronic component device can be obtained. .

本発明の封止用樹脂組成物においては、耐燃性を向上させるため、無機難燃剤（Ｇ）をさらに添加することができる。その例としては、特に限定されるものではないが、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムなどの金属水酸化物や、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛などが挙げられる。これらの無機難燃剤（Ｇ）は、１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。   In the sealing resin composition of the present invention, an inorganic flame retardant (G) can be further added to improve the flame resistance. Examples thereof include, but are not limited to, metal hydroxides such as aluminum hydroxide and magnesium hydroxide, zinc borate, and zinc molybdate. These inorganic flame retardants (G) may be used alone or in combination of two or more.

本発明の封止用樹脂組成物に用いることができる無機難燃剤（Ｇ）の配合割合は、全樹脂組成物中０．５質量％以上、６．０質量％以下であることが好ましい。無機難燃剤（Ｇ）の配合割合が上記範囲内であると、硬化性や特性を損なうことなく、耐燃性を向上させる効果を得ることができる。   The blending ratio of the inorganic flame retardant (G) that can be used in the encapsulating resin composition of the present invention is preferably 0.5% by mass or more and 6.0% by mass or less in the total resin composition. The effect which improves flame resistance can be acquired, without impairing sclerosis | hardenability and a characteristic as the mixture ratio of an inorganic flame retardant (G) is in the said range.

本発明の封止用樹脂組成物においては、ＨＡＳＴ（Ｈｉｇｈｌｙ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｎｄ ｈｕｍｉｄｉｔｙ Ｓｔｒｅｓｓ Ｔｅｓｔ）等の耐湿信頼性を向上させるため、イオントラップ剤（Ｈ）をさらに添加することができる。イオントラップ剤（Ｈ）としては例えば、ハイドロタルサイト類やマグネシウム、アルミニウム、ビスマス、チタン、ジルコニウムから選ばれる元素の含水酸化物等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種以上を併用しても構わない。これらのうちハイドロタルサイト類が好ましい。   In the encapsulating resin composition of the present invention, an ion trap agent (H) can be further added in order to improve moisture resistance reliability such as HAST (High Accelerated Temperature and Humidity Stress Test). Examples of the ion trapping agent (H) include hydrotalcites and hydrated oxides of elements selected from magnesium, aluminum, bismuth, titanium and zirconium. These may be used alone or in combination of two or more. May be used in combination. Of these, hydrotalcites are preferred.

イオントラップ剤（Ｈ）の配合量は、特に制限されないが、封止用樹脂組成物全体の０．０５質量％以上、３質量％以下が好ましく、０．１質量％以上、１質量％以下がより好ましい。配合量が上記範囲内であると、充分なイオン補足作用を発揮し、耐湿信頼性を向上させる効果が得られるとともに、他の材料特性に対する悪影響も少ない。   The compounding amount of the ion trap agent (H) is not particularly limited, but is preferably 0.05% by mass or more and 3% by mass or less, and preferably 0.1% by mass or more and 1% by mass or less of the whole sealing resin composition. More preferred. When the blending amount is within the above range, a sufficient ion scavenging action is exhibited, an effect of improving the moisture resistance reliability is obtained, and an adverse effect on other material properties is small.

本発明の封止用樹脂組成物では、前述した成分以外に、カーボンブラック、ベンガラ、酸化チタンなどの着色剤；カルナバワックスなどの天然ワックス、ポリエチレンワックスなどの合成ワックス、ステアリン酸やステアリン酸亜鉛などの高級脂肪酸及びその金属塩類若しくはパラフィンなどの離型剤；シリコーンオイル、シリコーンゴムなどの低応力添加剤；酸化ビスマス水和物などの無機イオン交換体；燐酸エステル、ホスファゼンなどの非無機系難燃剤などの添加剤を適宜配合してもよい。   In the sealing resin composition of the present invention, in addition to the components described above, colorants such as carbon black, bengara and titanium oxide; natural wax such as carnauba wax; synthetic wax such as polyethylene wax; stearic acid and zinc stearate Release agents such as higher fatty acids and their metal salts or paraffins; low stress additives such as silicone oil and silicone rubber; inorganic ion exchangers such as bismuth oxide hydrate; non-inorganic flame retardants such as phosphate esters and phosphazenes You may mix | blend additives, such as these suitably.

本発明の封止用樹脂組成物は、フェノール樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）及び無機充填材（Ｃ）、ならびに上述のその他の成分などを、例えば、ミキサーなどを用いて常温で均一に混合する。   The sealing resin composition of the present invention is obtained by uniformly mixing the phenol resin (A), the epoxy resin (B), the inorganic filler (C), and the other components described above with a mixer or the like at room temperature. Mix.

その後、必要に応じて、加熱ロール、ニーダー又は押出機などの混練機を用いて溶融混練し、続いて必要に応じて冷却、粉砕することにより、所望の分散度や流動性などに調整することができる。   Then, if necessary, melt kneading using a kneader such as a heating roll, a kneader or an extruder, and then adjusting to a desired degree of dispersion or fluidity by cooling and pulverizing as necessary. Can do.

次に、本発明の電子部品装置について説明する。本発明の封止用樹脂組成物を用いて電子部品装置を製造する方法としては、例えば、素子を搭載したリードフレーム又は回路基板などを金型キャビティ内に設置した後、封止用樹脂組成物をトランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールドなどの成形方法で成形、硬化させることにより、この素子を封止する方法が挙げられる。   Next, the electronic component device of the present invention will be described. As a method of manufacturing an electronic component device using the sealing resin composition of the present invention, for example, after a lead frame or a circuit board on which an element is mounted is placed in a mold cavity, the sealing resin composition There is a method of sealing this element by molding and curing by a molding method such as transfer molding, compression molding, injection molding or the like.

封止される素子としては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリ
スタ、ダイオード、固体撮像素子などが挙げられるが、これらに限定されない。 Examples of the element to be sealed include, but are not limited to, an integrated circuit, a large-scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode, and a solid-state imaging element.

得られる電子部品装置の形態としては、例えば、デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ（ＰＬＣＣ）、クワッド・フラット・パッケージ（ＱＦＰ）、ロー・プロファイル・クワッド・フラット・パッケージ（ＬＱＦＰ）、スモール・アウトライン・パッケージ（ＳＯＰ）、スモール・アウトライン・Ｊリード・パッケージ（ＳＯＪ）、薄型スモール・アウトライン・パッケージ（ＴＳＯＰ）、薄型クワッド・フラット・パッケージ（ＴＱＦＰ）、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）、エレクトリック・コントロール・ユニット（ＥＣＵ）などが挙げられるが、これらに限定されない。   As a form of the obtained electronic component device, for example, dual in-line package (DIP), chip carrier with plastic lead (PLCC), quad flat package (QFP), low profile quad flat package (LQFP), Small Outline Package (SOP), Small Outline J Lead Package (SOJ), Thin Small Outline Package (TSOP), Thin Quad Flat Package (TQFP), Tape Carrier Package (TCP), ball grid array (BGA), chip size package (CSP), electric control unit (ECU), and the like, but are not limited thereto.

封止用樹脂組成物のトランスファーモールドなどの成形方法により素子が封止された電子部品装置は、そのまま、あるいは８０℃から２００℃程度の温度で、１０分から１０時間程度の時間をかけてこの樹脂組成物を完全硬化させた後、電子機器などに搭載される。   An electronic component device in which an element is sealed by a molding method such as transfer molding of a sealing resin composition is used as it is or at a temperature of about 80 ° C. to 200 ° C. for about 10 minutes to 10 hours. After the composition is completely cured, it is mounted on an electronic device or the like.

図１は、本発明に係る封止用樹脂組成物を用いた電子部品装置の一例について、断面構造を示した図である。ダイパッド３上に、ダイボンド材硬化体２を介して素子１が固定されている。素子１の電極パッドとリードフレーム５との間は金線４によって接続されている。素子１は、封止用樹脂組成物の硬化体６によって封止されている。   FIG. 1 is a diagram showing a cross-sectional structure of an example of an electronic component device using a sealing resin composition according to the present invention. The element 1 is fixed on the die pad 3 via the die bond material cured body 2. The electrode pad of the element 1 and the lead frame 5 are connected by a gold wire 4. The element 1 is sealed with a cured body 6 of a sealing resin composition.

図２は、本発明に係る封止用樹脂組成物を用いた片面封止型の電子部品装置の一例について、断面構造を示した図である。基板８の表面に、ソルダーレジスト７の層が形成された積層体のソルダーレジスト７上にダイボンド材硬化体２を介して素子１を固定する。尚、素子と基板との導通をとるため、電極パッドが露出するよう、電極パッド上のソルダーレジスト７は、現像法により除去されている。従って、図２の電子部品装置は、素子１の電極パッドと基板８上の電極パッドとの間は金線４によって接続する設計となっている。封止用樹脂組成物を成形し、封止用樹脂組成物の硬化体６を形成することによって、基板８の素子１が搭載された片面側のみが封止された電子部品装置を得ることができる。基板８上の電極パッドは基板８上の非封止面側の半田ボール９と内部で接合されている。   FIG. 2 is a view showing a cross-sectional structure of an example of a single-side sealed electronic component device using the sealing resin composition according to the present invention. On the surface of the substrate 8, the element 1 is fixed via the die bond material cured body 2 on the solder resist 7 of the laminate in which the layer of the solder resist 7 is formed. Note that the solder resist 7 on the electrode pad is removed by a developing method so that the electrode pad is exposed in order to establish conduction between the element and the substrate. Therefore, the electronic component device of FIG. 2 is designed to connect the electrode pad of the element 1 and the electrode pad on the substrate 8 by the gold wire 4. By molding a sealing resin composition and forming a cured body 6 of the sealing resin composition, it is possible to obtain an electronic component device in which only one side of the substrate 8 on which the element 1 is mounted is sealed. it can. The electrode pads on the substrate 8 are bonded to the solder balls 9 on the non-sealing surface side on the substrate 8 inside.

以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。以下に記載の各成分の配合量は、特に記載しない限り、質量部とする。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail using an Example, this invention is not limited to description of these Examples at all. Unless otherwise specified, the amount of each component described below is part by mass.

フェノール樹脂（Ａ）は、以下のフェノール樹脂１〜７を使用した。
これらのうち、フェノール樹脂１、２がフェノール樹脂（Ａ−１）に該当する。 The following phenol resins 1-7 were used for the phenol resin (A).
Of these, the phenol resins 1 and 2 correspond to the phenol resin (A-1).

フェノール樹脂１：セパラブルフラスコに撹拌装置、温度計、還流冷却器、窒素導入口を装着し、フェノール（関東化学（株）製特級試薬、フェノール、融点４０．９℃、分子量９４、純度９９．３％）７０質量部、オルトクレゾール（関東化学（株）製特級試薬、ｏ−クレゾール、融点３０.０℃、分子量１０８、純度９９．０％）３０質量部、および
ｐ−トルエンスルホン酸一水和物（和光純薬工業（株）製ｐ−トルエンスルホン酸、分子量１９０、純度９９．０％）０．５質量部を秤量した。窒素置換しながら加熱し、溶融の開始に併せて攪拌を開始した。系内が１００℃に達したのを確認してから、ベンズアルデヒド（関東化学製特級、ベンズアルデヒド、分子量１０６、純度９８．０％）３５質量部を３０分かけて添加した。さらに、系内の温度を９０℃から１１０℃の範囲を維持しながら４時間反応させた。上記のベンズアルデヒドの添加開始から反応終了までの間、反応によって系内に発生、または、ベンズアルデヒド添加に伴い系内に混入した水分については
、窒素気流によって系外へ排出した。反応終了後、１５０℃２ｍｍＨｇの減圧条件で未反応の成分を留去し、ついでトルエン２００質量部を添加し、均一溶解させた後、分液漏斗に移し、蒸留水１５０質量部を加えて振とうした後に、水層を棄却する操作（水洗）を洗浄水が中性になるまで繰り返し行った後、油層を１２５℃減圧処理することによってトルエン、残留未反応成分などの揮発成分を留去し、下記式（８）の構造単位Ｘ１又は構造単位Ｚ１を構造単位Ｙ１で連結した構造を有する１以上の重合体成分からなるフェノール樹脂１（水酸基当量１６０ｇ／ｅｑ、軟化点９３℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度０．８０ｄＰａ・ｓｅｃ）を得た。得られたフェノール樹脂１の、ＦＤ−ＭＳ分析を行った結果、重合体成分（ａ１）に相当する、下記式（８）の構造単位Ｘ１と構造単位Ｚ１とを構造単位Ｙ１で連結した構造を有する重合体成分のピーク強度の総和は、フェノール樹脂１全体のピーク強度の総和に対して４４％であった。また、重合体成分（ａ１）に相当する、下記式（８）の構造単位Ｘ１と構造単位Ｚ１とを構造単位Ｙ１で連結した構造を有する重合体成分のピーク強度の総和Ｐ１と、重合体成分（ａ３）に相当する、下記式（８）の構造単位Ｚ１を含まず、構造単位Ｘ１同士を構造単位Ｙ１で連結した構造を有する重合体成分のピーク強度の総和Ｐ３との比Ｐ１／Ｐ３は、０．８１であった。フェノール樹脂１のＦＤ−ＭＳチャートを図３、ＧＰＣチャートを図４に示す。なお、図３において、ｍ／ｚ値が２９０、４７２、４８６、６５４、６６８、６８２、８３６、８５０、８６４、１０１８、１０３２、１０４６、１２００及び１２１４であるものが（ａ１）成分に、ｍ／ｚ値が３０４及び５００であるものが（ａ２）成分に、ｍ／ｚ値が２７６、４５８、６４０、８２２、１００４及び１１８６であるものが（ａ３）成分に、それぞれ該当する。 Phenol resin 1: A separable flask equipped with a stirrer, a thermometer, a reflux condenser, and a nitrogen inlet, phenol (Kanto Chemical Co., Ltd. special grade reagent, phenol, melting point 40.9 ° C., molecular weight 94, purity 99. 3%) 70 parts by mass, ortho-cresol (special grade reagent manufactured by Kanto Chemical Co., Inc., o-cresol, melting point 30.0 ° C., molecular weight 108, purity 99.0%) 30 parts by mass, and p-toluenesulfonic acid monohydrate 0.5 parts by mass of Japanese product (p-toluenesulfonic acid, molecular weight 190, purity 99.0%, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was weighed. Heating was performed while purging with nitrogen, and stirring was started at the start of melting. After confirming that the system reached 100 ° C., 35 parts by mass of benzaldehyde (special grade manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd., benzaldehyde, molecular weight 106, purity 98.0%) was added over 30 minutes. Further, the reaction was carried out for 4 hours while maintaining the temperature in the system in the range of 90 ° C to 110 ° C. From the start of addition of the benzaldehyde to the end of the reaction, water generated in the system by the reaction or mixed into the system due to the addition of benzaldehyde was discharged out of the system by a nitrogen stream. After completion of the reaction, unreacted components were distilled off under reduced pressure conditions of 150 ° C. and 2 mmHg, and then 200 parts by mass of toluene was added and dissolved uniformly, then transferred to a separatory funnel, and 150 parts by mass of distilled water was added and shaken. After that, after repeating the operation of rinsing the water layer (washing) until the washing water becomes neutral, the oil layer is treated under reduced pressure at 125 ° C. to distill off volatile components such as toluene and residual unreacted components. The phenol resin 1 (hydroxyl equivalent: 160 g / eq, softening point: 93 ° C., 150 ° C.) composed of one or more polymer components having a structure in which the structural unit X1 or the structural unit Z1 of the following formula (8) is connected by the structural unit Y1 An ICI viscosity of 0.80 dPa · sec) was obtained. As a result of conducting FD-MS analysis of the obtained phenol resin 1, a structure in which the structural unit X1 of the following formula (8) and the structural unit Z1 corresponding to the polymer component (a1) are connected by the structural unit Y1 is obtained. The total peak intensity of the polymer components was 44% with respect to the total peak intensity of the phenol resin 1 as a whole. Further, a sum P 1 of peak intensities of a polymer component having a structure in which the structural unit X1 of the following formula (8) and the structural unit Z1 are connected by the structural unit Y1 corresponding to the polymer component (a1), and the polymer The ratio P 1 to the sum P 3 of peak intensities of polymer components corresponding to the component (a3), which does not include the structural unit Z1 of the following formula (8) and has the structure in which the structural units X1 are connected to each other by the structural unit Y1 / P 3 was 0.81. The FD-MS chart of the phenol resin 1 is shown in FIG. 3, and the GPC chart is shown in FIG. In FIG. 3, components having m / z values of 290, 472, 486, 654, 668, 682, 836, 850, 864, 1018, 1032, 1046, 1200, and 1214 are m / z components. Those having z values of 304 and 500 correspond to the component (a2), and those having m / z values of 276, 458, 640, 822, 1004, and 1186 correspond to the component (a3).

Figure 2012007086
Figure 2012007086

フェノール樹脂２：セパラブルフラスコに撹拌装置、温度計、還流冷却器、窒素導入口を装着し、フェノール（関東化学（株）製特級試薬、フェノール、融点４０．９℃、分子量９４、純度９９．３％）７０質量部、パラクレゾール（関東化学（株）製特級試薬、ｐ−クレゾール、融点３５.５℃、分子量１０８、純度９９．０％）３０質量部、及びｐ−
トルエンスルホン酸一水和物（和光純薬工業（株）製ｐ−トルエンスルホン酸、分子量１
９０、純度９９．０％）０．５質量部を秤量した。それ以外は、フェノール樹脂１と同様な操作より、下記式（９）の構造単位Ｘ２又は構造単位Ｚ２を構造単位Ｙ２で連結した構造を有する１以上の重合体成分からなるフェノール樹脂２（水酸基当量１６２ｇ／ｅｑ、軟化点９７℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度１．２０ｄＰａ・ｓｅｃ）を得た。得られたフェノール樹脂２の、ＦＤ−ＭＳ分析を行った結果、重合体成分（ａ１）に相当する、下記式（９）の構造単位Ｘ２と構造単位Ｚ２とを構造単位Ｙ２で連結した構造を有する重合体成分のピーク強度の総和は、フェノール樹脂２全体のピーク強度の総和に対して４６％であった。また、重合体成分（ａ１）に相当する、下記式（９）の構造単位Ｘ２と構造単位Ｚ２とを構造単位Ｙ２で連結した構造を有する重合体成分のピーク強度の総和Ｐ１と、重合体成分（ａ３）に相当する、下記式（８）の構造単位Ｚ２を含まず、構造単位Ｘ２同士を構造単位Ｙ２で連結した構造を有する重合体成分のピーク強度の総和Ｐ３との比Ｐ１／Ｐ３は、０．８８であった。 Phenol resin 2: A separable flask equipped with a stirrer, thermometer, reflux condenser and nitrogen inlet, phenol (Kanto Chemical Co., Ltd. special grade reagent, phenol, melting point 40.9 ° C., molecular weight 94, purity 99. 3%) 70 parts by mass, para-cresol (special grade reagent manufactured by Kanto Chemical Co., Inc., p-cresol, melting point 35.5 ° C., molecular weight 108, purity 99.0%) 30 parts by mass, and p-
Toluenesulfonic acid monohydrate (p-toluenesulfonic acid, molecular weight 1 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
90, purity 99.0%) 0.5 parts by weight was weighed. Otherwise, phenol resin 2 (hydroxyl equivalent) comprising one or more polymer components having a structure in which structural unit X2 or structural unit Z2 of the following formula (9) is connected by structural unit Y2 by the same operation as phenol resin 1 162 g / eq, an ICI viscosity of 1.20 dPa · sec at a softening point of 97 ° C. and 150 ° C.). As a result of performing FD-MS analysis of the obtained phenol resin 2, a structure in which the structural unit X2 of the following formula (9) and the structural unit Z2 corresponding to the polymer component (a1) are connected by the structural unit Y2. The sum total of the peak intensity of the polymer component was 46% with respect to the total peak intensity of the phenol resin 2. Further, a sum P 1 of peak intensities of the polymer component having a structure in which the structural unit X2 and the structural unit Z2 of the following formula (9) corresponding to the polymer component (a1) are connected by the structural unit Y2, and the polymer The ratio P 1 of the sum of peak intensities P 3 of the polymer component corresponding to the component (a3), which does not include the structural unit Z2 of the following formula (8) and has the structure in which the structural units X2 are linked together by the structural unit Y2. / P 3 was 0.88.

Figure 2012007086
Figure 2012007086

フェノール樹脂３：セパラブルフラスコに撹拌装置、温度計、還流冷却器、窒素導入口を装着し、フェノール（関東化学（株）製特級試薬、フェノール、融点４０．９℃、分子量９４、純度９９．３％）１００質量部、及びｐ−トルエンスルホン酸一水和物（和光純薬工業（株）製ｐ−トルエンスルホン酸、分子量１９０、純度９９．０％）０．５質量部を秤量した。それ以外は、フェノール樹脂１と同様な操作より、下記式（１０）で表されるフェノール樹脂３（水酸基当量１５５ｇ／ｅｑ、軟化点１０２℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度１．８０ｄＰａ・ｓｅｃ）を得た。尚、フェノール樹脂３は、一般式（１）において構造単位Ｚを含まず、構造単位Ｘ同士を構造単位Ｙで連結した構造を有する重合体成分（ａ３）のみに相当するフェノール樹脂である。

Figure 2012007086
（上記式（１０）において、ｐは０〜８の整数である。） Phenol resin 3: A separable flask equipped with a stirrer, thermometer, reflux condenser, and nitrogen inlet, phenol (special grade reagent manufactured by Kanto Chemical Co., Inc., phenol, melting point 40.9 ° C., molecular weight 94, purity 99. 3%) 100 parts by mass and 0.5 parts by mass of p-toluenesulfonic acid monohydrate (p-toluenesulfonic acid, molecular weight 190, purity 99.0%, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were weighed. Otherwise, phenol resin 3 represented by the following formula (10) (hydroxyl equivalent: 155 g / eq, softening point: 102 ° C., ICI viscosity: 1.80 dPa · sec at 150 ° C.) is obtained by the same operation as phenol resin 1. It was. The phenol resin 3 is a phenol resin corresponding only to the polymer component (a3) having a structure in which the structural unit X is connected to the structural unit Y without including the structural unit Z in the general formula (1).
Figure 2012007086
 (In the above formula (10), p is an integer of 0 to 8.)

フェノール樹脂４：セパラブルフラスコに撹拌装置、温度計、還流冷却器、窒素導入口を装着し、オルトクレゾール（関東化学（株）製特級試薬、ｏ−クレゾール、融点３０.
０℃、分子量１０８、純度９９．０％）１００質量部及びｐ−トルエンスルホン酸一水和物（和光純薬工業（株）製ｐ−トルエンスルホン酸、分子量１９０、純度９９．０％）０．５質量部を秤量した。それ以外は、フェノール樹脂１と同様な操作より、下記式（１１）で表されるフェノール樹脂４（水酸基当量１６６ｇ／ｅｑ、軟化点９５℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度１．００ｄＰａ・ｓｅｃ）を得た。尚、フェノール樹脂４は、一般式（１）において構造単位Ｘを含まず、構造単位Ｚ同士を構造単位Ｙで連結した構造を有する重合体成分（ａ２）のみに相当するフェノール樹脂である。

Figure 2012007086
（ただし、一般式（１１）において、ｑは０〜１０の整数である。） Phenol resin 4: A separable flask equipped with a stirrer, thermometer, reflux condenser, and nitrogen inlet, ortho-cresol (special grade reagent manufactured by Kanto Chemical Co., Inc., o-cresol, melting point 30.
100 parts by mass of 0 ° C., molecular weight 108, purity 99.0%) and p-toluenesulfonic acid monohydrate (p-toluenesulfonic acid, molecular weight 190, purity 99.0%, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) .5 parts by weight were weighed. Otherwise, the phenol resin 4 represented by the following formula (11) (hydroxyl equivalent: 166 g / eq, softening point: 95 ° C., ICI viscosity: 1.00 dPa · sec at 150 ° C.) is obtained by the same operation as the phenol resin 1. It was. In addition, the phenol resin 4 is a phenol resin corresponding only to the polymer component (a2) having a structure in which the structural unit Z is connected to the structural unit Y without including the structural unit X in the general formula (1).
Figure 2012007086
 (However, in General formula (11), q is an integer of 0-10.)

フェノール樹脂５：フェノールノボラック型フェノール樹脂（住友ベークライト（株）製ＰＲ−ＨＦ−３。水酸基当量１０２ｇ／ｅｑ、軟化点８０℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度１．０８ｄＰａ・ｓｅｃ）。   Phenol resin 5: Phenol novolac type phenol resin (PR-HF-3, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd., hydroxyl equivalent weight 102 g / eq, softening point 80 ° C., ICI viscosity 1.08 dPa · sec at 150 ° C.).

フェノール樹脂６：フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型フェノール樹脂（三井化学（株）製ミレックスＸＬＣ−４Ｌ。水酸基当量１６８ｇ／ｅｑ、軟化点６２℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度０．７６ｄＰａ・ｓｅｃ）。   Phenol resin 6: Phenol aralkyl type phenol resin having a phenylene skeleton (Mirex XLC-4L manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., hydroxyl equivalent 168 g / eq, softening point 62 ° C., ICI viscosity 0.76 dPa · sec at 150 ° C.).

フェノール樹脂７：ビフェニル骨格を有するフェノールアラルキル型フェノール樹脂（明和化成（株）製ＭＥＨ−７８５１。水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ、軟化点６７℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度０．６８ｄＰａ・ｓｅｃ）。   Phenol resin 7: Phenol aralkyl-type phenol resin having a biphenyl skeleton (MEH-7851, manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., hydroxyl equivalent: 203 g / eq, softening point: 67 ° C., ICI viscosity: 0.68 dPa · sec at 150 ° C.)

フェノール樹脂１及び２のＦＤ−ＭＳ測定は、次の条件で行った。フェノール樹脂１及び２の試料１０ｍｇに溶剤ジメチルスルホキシド１ｇを加えて十分溶解したのち、ＦＤエミッターに塗布の後、測定に供した。ＦＤ−ＭＳシステムは、イオン化部に日本電子（株
）製のＭＳ−ＦＤ１５Ａを、検出器に日本電子（株）製のＭＳ−７００機種名二重収束型質量分析装置とを接続して用い、検出質量範囲（ｍ／ｚ）５０〜２０００にて測定した。 The FD-MS measurement of the phenol resins 1 and 2 was performed under the following conditions. After adding 1 g of the solvent dimethyl sulfoxide to 10 mg of the phenol resin 1 and 2 samples and sufficiently dissolving them, they were applied to the FD emitter and subjected to measurement. The FD-MS system uses an MS-FD15A manufactured by JEOL Ltd. as the ionization unit and an MS-700 model name double-focusing mass spectrometer manufactured by JEOL Ltd. as the detector. Measurement was performed at a detection mass range (m / z) of 50 to 2,000.

エポキシ樹脂（Ｂ）は、以下のエポキシ樹脂１〜６を使用した。   The following epoxy resins 1-6 were used for the epoxy resin (B).

エポキシ樹脂１：オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製エピクロンＮ６６０。エポキシ当量２１０ｇ／ｅｑ、軟化点６２℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度２．３４ｄＰａ・ｓｅｃ）。   Epoxy resin 1: Orthocresol novolak type epoxy resin (Epiclon N660 manufactured by DIC Corporation. Epoxy equivalent 210 g / eq, softening point 62 ° C., ICI viscosity 2.34 dPa · sec at 150 ° C.).

エポキシ樹脂２：フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製ＮＣ−２０００。エポキシ当量２３８ｇ／ｅｑ、軟化点５２℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度１．１０ｄＰａ・ｓｅｃ）。   Epoxy resin 2: Phenol aralkyl type epoxy resin having a phenylene skeleton (NC-2000 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 238 g / eq, softening point 52 ° C., ICI viscosity 1.10 dPa · sec at 150 ° C.).

エポキシ樹脂３：ビフェニル骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製ＮＣ−３０００。エポキシ当量２７６ｇ／ｅｑ、軟化点５７℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度１．２０ｄＰａ・ｓｅｃ）。   Epoxy resin 3: A phenol aralkyl type epoxy resin having a biphenyl skeleton (NC-3000 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 276 g / eq, softening point 57 ° C., ICI viscosity 1.50 dPa · sec at 150 ° C.).

エポキシ樹脂４：テトラメチレンビフェニル型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製ＹＸ４０００Ｋ。エポキシ当量１８５ｇ／ｅｑ、軟化点１０７℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度０．１１ｄＰａ・ｓｅｃ）。   Epoxy resin 4: Tetramethylene biphenyl type epoxy resin (YX4000K, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation). Epoxy equivalent 185 g / eq, softening point 107 ° C., ICI viscosity 0.11 dPa · sec at 150 ° C.

エポキシ樹脂５：トリフェニルメタン型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製Ｅ−１０３２Ｈ６０。エポキシ当量１７１ｇ／ｅｑ、軟化点５９℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度１．３０ｄＰａ・ｓｅｃ）。   Epoxy resin 5: Triphenylmethane type epoxy resin (E-1032H60 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation). Epoxy equivalent 171 g / eq, softening point 59 ° C., ICI viscosity 1.30 dPa · sec at 150 ° C.

エポキシ樹脂６：セパラブルフラスコに撹拌装置、温度計、還流冷却器、窒素導入口を装着し、フェノール変性キシレン−ホルムアルデヒド樹脂（フドー（株）製ザイスターＧＰ−９０、水酸基当量１９７ｇ／ｅｑ、軟化点８６℃）１００質量部、エピクロルヒドリン（東京化成工業（株）製）２９０質量部を秤量し、９０℃に加熱して溶解させた後、水酸化ナトリウム（固形細粒状、純度９９％試薬）５０質量部を４時間かけて徐々に添加し、さらに１００℃に昇温して３時間反応させた。次にトルエン２００質量部を加えて溶解させた後、蒸留水１５０質量部を加えて振とうし、水層を棄却する操作（水洗）を洗浄水が中性になるまで繰り返し行った後、油層を１２５℃２ｍｍＨｇの減圧条件でエピクロルヒドリンを留去した。得られた固形物にメチルイソブチルケトン２５０質量部を加えて溶解し、７０℃に加熱し、３０質量％水酸化ナトリウム水溶液１３質量部を１時間かけて添加し、さらに１時間反応した後、静置し、水層を棄却した。油層に蒸留水１５０質量部を加えて水洗操作を行い、洗浄水が中性になるまで同様の水洗操作を繰り返し行った後、加熱減圧によってメチルイソブチルケトンを留去し、下記一般式（１２）で表される化合物を含むエポキシ樹脂６（エポキシ当量２７２ｇ/ｅｑ、軟化点６５℃、１５０℃における
ＩＣＩ粘度２．２０ｄＰａ・ｓｅｃ）を得た。

Figure 2012007086
（ただし、一般式（１２）において、ｒは１〜１０の整数である。Ｇはグリシジル基含有
有機基である。） Epoxy resin 6: A separable flask equipped with a stirrer, thermometer, reflux condenser, and nitrogen inlet, phenol-modified xylene-formaldehyde resin (Fuido Co., Ltd., Zyster GP-90, hydroxyl group equivalent 197 g / eq, softening point) 86 ° C) 100 parts by mass, Epichlorohydrin (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 290 parts by mass, heated to 90 ° C to dissolve, and then sodium hydroxide (solid fine particles, purity 99% reagent) 50 parts by mass The portion was gradually added over 4 hours, and the temperature was further raised to 100 ° C. to react for 3 hours. Next, after adding 200 parts by mass of toluene and dissolving, 150 parts by mass of distilled water was added and shaken, and the operation of rinsing the aqueous layer (washing) was repeated until the washing water became neutral, and then the oil layer The epichlorohydrin was distilled off under reduced pressure conditions of 125 ° C. and 2 mmHg. 250 parts by mass of methyl isobutyl ketone was added to the obtained solid and dissolved, heated to 70 ° C., 13 parts by mass of a 30% by mass aqueous sodium hydroxide solution was added over 1 hour, and the reaction was further continued for 1 hour. The water layer was discarded. After 150 parts by mass of distilled water was added to the oil layer and washed with water, the same washing operation was repeated until the washed water became neutral, and then methyl isobutyl ketone was distilled off by heating under reduced pressure. The following general formula (12) The epoxy resin 6 (epoxy equivalent 272g / eq, softening point 65 degreeC, ICI viscosity 2.20dPa * sec in 150 degreeC) containing the compound represented by these was obtained.
Figure 2012007086
 (However, in General formula (12), r is an integer of 1-10. G is a glycidyl group containing organic group.)

無機充填材（Ｃ）としては、電気化学工業（株）製溶融球状シリカＦＢ５６０（平均粒径３０μｍ）８７．７質量％、（株）アドマテックス製合成球状シリカＳＯ−Ｃ２（平均粒径０．５μｍ）５．７質量％、（株）アドマテックス製合成球状シリカＳＯ−Ｃ５（平均粒径３０μｍ）６．６質量％のブレンド（無機充填材１）を使用した。   As the inorganic filler (C), fused spherical silica FB560 (average particle size 30 μm) manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., 87.7% by mass, synthetic spherical silica SO-C2 manufactured by Admatechs Co., Ltd. (average particle size 0. 0). A blend (inorganic filler 1) of 5.7% by mass, 5% by mass, and 6.6% by mass of synthetic spherical silica SO-C5 (average particle size 30 μm) manufactured by Admatechs Co., Ltd. was used.

硬化促進剤（Ｄ）は、以下の硬化促進剤１、２を使用した。
硬化促進剤１：下記式（１３）で表される硬化促進剤

Figure 2012007086
As the curing accelerator (D), the following curing accelerators 1 and 2 were used.
Curing accelerator 1: Curing accelerator represented by the following formula (13)
Figure 2012007086

硬化促進剤２：下記式（１４）で表される硬化促進剤

Figure 2012007086
Curing accelerator 2: Curing accelerator represented by the following formula (14)
Figure 2012007086

カップリング剤（Ｆ）は、以下のシランカップリング剤１〜３を使用した。
シランカップリング剤１：γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−８０３）
シランカップリング剤２：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−４０３）
シランカップリング剤３：Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−５７３） As the coupling agent (F), the following silane coupling agents 1 to 3 were used.
Silane coupling agent 1: γ-mercaptopropyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-803)
Silane coupling agent 2: γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-403)
Silane coupling agent 3: N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-573)

無機難燃剤（Ｇ）は、水酸化アルミニウム（住友化学(株)製、ＣＬ−３０３）を使用した。   As the inorganic flame retardant (G), aluminum hydroxide (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., CL-303) was used.

着色剤は、三菱化学（株）製のカーボンブラック（ＭＡ６００）を使用した。
離型剤は、日興ファイン（株）製のカルナバワックス（ニッコウカルナバ、融点８３℃）を使用した。 Carbon black (MA600) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation was used as the colorant.
As the release agent, carnauba wax (Nikko carnauba, melting point 83 ° C.) manufactured by Nikko Fine Co., Ltd. was used.

（実施例１）
以下の成分をミキサーにて常温で混合し、８０℃〜１００℃の加熱ロールで溶融混練を行い、その後冷却し、次いで粉砕して、封止用樹脂組成物を得た。
フェノール樹脂１ ５．２６質量部
エポキシ樹脂１ ７．２４質量部
無機充填材１ ８６．５質量部
硬化促進剤１ ０．４質量部
シランカップリング剤１ ０．１質量部
シランカップリング剤２ ０．０５質量部
シランカップリング剤３ ０．０５質量部
カーボンブラック ０．３質量部
カルナバワックス ０．１質量部
得られた封止用樹脂組成物を、以下の項目について評価した。評価結果を表１に示す。 Example 1
The following components were mixed at room temperature with a mixer, melt kneaded with a heating roll at 80 ° C. to 100 ° C., then cooled, and then pulverized to obtain a sealing resin composition.
Phenolic resin 1 5.26 parts by mass Epoxy resin 1 7.24 parts by mass Inorganic filler 1 86.5 parts by mass Curing accelerator 1 0.4 parts by mass Silane coupling agent 1 0.1 parts by mass Silane coupling agent 2 0 0.05 part by weight Silane coupling agent 3 0.05 part by weight Carbon black 0.3 part by weight Carnauba wax 0.1 part by weight The obtained sealing resin composition was evaluated for the following items. The evaluation results are shown in Table 1.

スパイラルフロー：低圧トランスファー成形機（コータキ精機（株）製ＫＴＳ−１５）を用いて、ＡＮＳＩ／ＡＳＴＭ Ｄ ３１２３−７２に準じたスパイラルフロー測定用金型に、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、保圧時間１２０秒の条件にて上記で得られた封止用樹脂組成物を注入し、流動長を測定した。スパイラルフローは、流動性のパラメータであり、数値が大きい方が、流動性が良好である。単位はｃｍである。スパイラルフロー値は７０ｃｍ以上であれば、良好な成形性を得ることができる。実施例１で得られた封止用樹脂組成物は、９０ｃｍと高流動性を示した。   Spiral flow: Using a low-pressure transfer molding machine (KTS-15 manufactured by Kotaki Seiki Co., Ltd.), a mold for spiral flow measurement according to ANSI / ASTM D 3123-72, a mold temperature of 175 ° C. and an injection pressure of 6. The sealing resin composition obtained above was injected under the conditions of 9 MPa and a holding time of 120 seconds, and the flow length was measured. The spiral flow is a fluidity parameter, and the larger the value, the better the fluidity. The unit is cm. If the spiral flow value is 70 cm or more, good moldability can be obtained. The sealing resin composition obtained in Example 1 showed a high fluidity of 90 cm.

ガラス転移温度（Ｔｇ）測定：トランスファー成形機（藤和精機（株）製ＴＥＰ−５０−３０）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で、長さ１５ｍｍ、幅４ｍｍ、厚さ３ｍｍの試験片を成形した後、ポストキュアとして１７５℃で４時間加熱処理した。得られた試験片を、熱膨張計（セイコーインスツルメント社製ＴＭＡ−１２０）を用い、５℃／分の昇温速度で昇温して、試験片の伸び率が急激に変化する温度をガラス転移温度として測定した。単位は℃である。また、試験片は後述する耐半田性試験で作製する８０ピンＱＦＰから、長さ５ｍｍ、幅４ｍｍ、厚さ２ｍｍ程度の試験片を切り出して、測定することもできる。ガラス転移温度（Ｔｇ）は、１３０℃以上であれば、半田実装時の熱処理の際に、パッケージクラックを起こす恐れが少ない。実施例１で得られたエポキシ樹脂組成物は、ガラス転移温度１６１℃と、比較的高いガラス転移温度を示した。   Glass transition temperature (Tg) measurement: Using a transfer molding machine (TEP-50-30 manufactured by Towa Seiki Co., Ltd.), under conditions of a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 9.8 MPa, and a curing time of 120 seconds. A test piece having a size of 15 mm, a width of 4 mm, and a thickness of 3 mm was molded, and then heat treated at 175 ° C. for 4 hours as a post cure. Using the thermal dilatometer (TMA-120 manufactured by Seiko Instruments Inc.), the obtained test piece was heated at a rate of temperature increase of 5 ° C./min, and the temperature at which the elongation of the test piece rapidly changed was measured. The glass transition temperature was measured. The unit is ° C. The test piece can be measured by cutting out a test piece having a length of 5 mm, a width of 4 mm, and a thickness of 2 mm from an 80-pin QFP produced in a solder resistance test described later. If the glass transition temperature (Tg) is 130 ° C. or higher, there is little possibility of causing package cracks during heat treatment during solder mounting. The epoxy resin composition obtained in Example 1 exhibited a glass transition temperature of 161 ° C. and a relatively high glass transition temperature.

耐燃性：低圧トランスファー成形機（コータキ精機（株）製ＫＴＳ−３０）を用いて、金型温度１７５℃、注入時間１５秒、硬化時間１２０秒、注入圧力９．８ＭＰａの条件で、封止用樹脂組成物を注入成形して、３．２ｍｍ厚の耐燃試験片を作製し、１７５℃で４時間加熱処理した。得られた試験片について、ＵＬ９４垂直法の規格に則り耐燃試験を行った。表には、Ｆｍａｘ、ΣＦ及び判定後の耐燃ランクを示した。実施例１で得られた封止用樹脂組成物は、Ｆｍａｘ：１０秒、ΣＦ：２５秒、耐燃ランク：Ｖ−０と良好な耐燃性を示した。   Flame resistance: For sealing using a low pressure transfer molding machine (KTS-30 manufactured by Kotaki Seiki Co., Ltd.) under conditions of a mold temperature of 175 ° C., an injection time of 15 seconds, a curing time of 120 seconds, and an injection pressure of 9.8 MPa. The resin composition was injection molded to produce a 3.2 mm thick flame resistant test piece and heat treated at 175 ° C. for 4 hours. About the obtained test piece, the flame resistance test was done according to the specification of UL94 vertical method. The table shows Fmax, ΣF and the fire resistance rank after the determination. The sealing resin composition obtained in Example 1 exhibited good flame resistance such as Fmax: 10 seconds, ΣF: 25 seconds, and fire resistance rank: V-0.

連続成形性：上記で得られた封止用樹脂組成物質量７．５ｇをロータリー式打錠機にて、サイズφ１６ｍｍ打錠型に装填し、打錠圧力６００Ｐａにて打錠してタブレットを得た。タブレットはタブレット供給マガジンに装填し、成形装置内部にセットした。低圧トランスファー自動成形機（サイネックス（株）製ＳＹ−ＣＯＭＰ）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間６０秒の条件で、封止用樹脂組成物のタブレットによりシリコンチップなどを封止して２０８ピンＱＦＰ（Ｃｕ製リードフレーム、パッケージ外寸：２８ｍｍ×２８ｍｍ×３．２ｍｍ厚、パッドサイズ：１５．５ｍｍ×１５．５ｍｍ、チップサイズ１５．０ｍｍ×１５．０ｍｍ×０．３５ｍｍ厚）の電子部品装置を得る成形を、連続で３００ショットまで行った。この際、２５ショット毎に電子部品装置の成形状態（未充填の有無）を確認し、３００ショット以上連続成形できたものを○、２００ショット以上、３００ショット未満のものを△、２００ショット未満のものを×とした。実施例１で得られた封止用樹脂組成物は、３００ショット以上と良好な連続成形性を示した。   Continuous moldability: 7.5 g of the resin composition material for sealing obtained above is loaded into a tablet with a size of φ16 mm using a rotary tableting machine, and tableted at a tableting pressure of 600 Pa to obtain a tablet. It was. The tablet was loaded into a tablet supply magazine and set inside the molding apparatus. Using a low-pressure transfer automatic molding machine (SY-COMP manufactured by Cynex Co., Ltd.), a silicon chip is formed with a tablet of the sealing resin composition under conditions of a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 9.8 MPa, and a curing time of 60 seconds. 208 pin QFP (Cu lead frame, package outer dimensions: 28 mm x 28 mm x 3.2 mm thickness, pad size: 15.5 mm x 15.5 mm, chip size 15.0 mm x 15.0 mm x 0 .35 mm thickness) to obtain an electronic component device was continuously performed up to 300 shots. At this time, the molding state (unfilled / unfilled) of the electronic component device is confirmed every 25 shots, ○ for those that have been continuously molded for 300 shots or more, △ for 200 shots or more and less than 300 shots, and less than 200 shots The thing was set as x. The sealing resin composition obtained in Example 1 exhibited good continuous moldability of 300 shots or more.

耐半田性試験１：低圧トランスファー成形機（第１精工（株）製ＧＰ−ＥＬＦ）を用いて、金型温度１８０℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間１２０秒間の条件で、封止用樹脂組成物を注入して素子（シリコンチップ）が搭載されたリードフレーム（Ｃｕ Ｓｐｏｔ）などを封止成形し、８０ｐＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ、Ｃｕ製リードフレーム、サイズは１４×２０ｍｍ×厚さ２．００ｍｍ、素子は７×７ｍｍ×厚さ０．３５ｍｍ、素子とリードフレームのインナーリード部とは２５μｍ径の金線でボンディングされている。）なる電子部品装置を作製した。１７５℃で４時間加熱処理した電子部品装置６個を、３０℃、相対湿度６０％で１９２時間処理した後、ＩＲリフロー処理（２６０℃、ＪＥＤＥＣ条件に従う）を行った。これらの電子部品装置内部の剥離及びクラックの有無を超音波探傷装置（日立建機ファインテック製ｍｉ−ｓｃｏｐｅ１０）で観察し、剥離又はクラックのいずれか一方でも発生したものを不良とした。不良電子部品装置の個数がｎ個であるとき、ｎ／６と表示した。実施例１で得られた電子部品装置は０／６と良好な信頼性を示した。   Solder resistance test 1: Sealing resin using a low-pressure transfer molding machine (GP-ELF manufactured by Daiichi Seiko Co., Ltd.) under conditions of a mold temperature of 180 ° C., an injection pressure of 7.4 MPa, and a curing time of 120 seconds. A lead frame (Cu Spot) on which an element (silicon chip) is mounted is molded by injecting the composition, and 80 pQFP (Quad Flat Package, Cu lead frame, size is 14 × 20 mm × thickness 2.00 mm) The element was 7 × 7 mm × thickness 0.35 mm, and the element and the inner lead part of the lead frame were bonded with a 25 μm diameter gold wire. Six electronic component devices heated at 175 ° C. for 4 hours were treated at 30 ° C. and 60% relative humidity for 192 hours, and then subjected to IR reflow treatment (260 ° C., according to JEDEC conditions). The presence or absence of peeling and cracks inside these electronic component devices was observed with an ultrasonic flaw detector (mi-scope 10 manufactured by Hitachi Construction Machinery Finetech Co., Ltd.). When the number of defective electronic component devices was n, it was displayed as n / 6. The electronic component device obtained in Example 1 showed a good reliability of 0/6.

耐半田性試験２：上述の耐半田性試験１における１７５℃で４時間加熱処理した電子部品装置６個を３０℃、相対湿度６０％で９６時間処理とした以外は、耐半田性試験１と同様に試験を実施した。実施例１で得られた電子部品装置は０／６と良好な信頼性を示した。   Solder resistance test 2: Solder resistance test 1 except that six electronic component devices heat-treated at 175 ° C. for 4 hours in the above-described solder resistance test 1 were treated at 30 ° C. and relative humidity 60% for 96 hours. A similar test was conducted. The electronic component device obtained in Example 1 showed a good reliability of 0/6.

実施例２〜１２、比較例１〜３
表１の配合に従い、実施例１と同様にして封止用樹脂組成物を製造し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表１に示す。 Examples 2-12, Comparative Examples 1-3
According to the composition in Table 1, a sealing resin composition was produced in the same manner as in Example 1, and evaluated in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 1.

Figure 2012007086
Figure 2012007086

実施例１〜１２は、一般式（１）の構造単位Ｘ又は構造単位Ｚを構造単位Ｙで連結した構造を有する１以上の重合体成分からなり、構造単位Ｘと構造単位Ｚとを構造単位Ｙで連
結した構造を有する重合体成分（ａ１）を含むフェノール樹脂（Ａ−１）と、エポキシ樹脂（Ｂ）と、無機充填材（Ｃ）とを含む樹脂組成物であり、フェノール樹脂（Ａ−１）と様々なエポキシ樹脂とを組み合わせたもの、フェノール樹脂（Ａ−１）の種類を変更したもの、他のフェノール樹脂と併用したもの、硬化促進剤（Ｄ）の種類を変更したもの、無機難燃剤（Ｇ）を添加したものを含むものであるが、いずれにおいても、流動性（スパイラルフロー）、ガラス転移温度、耐燃性、連続成形性及び耐半田性バランスに優れた結果が得られた。 Examples 1-12 consist of 1 or more polymer components which have the structure which connected the structural unit X or the structural unit Z of General formula (1) with the structural unit Y, and the structural unit X and the structural unit Z are structural units. A resin composition comprising a phenol resin (A-1) containing a polymer component (a1) having a structure linked with Y, an epoxy resin (B), and an inorganic filler (C). -1) combined with various epoxy resins, modified phenolic resin (A-1), combined with other phenolic resin, modified accelerator (D), Including any inorganic flame retardant (G) added, in all cases, excellent results were obtained in fluidity (spiral flow), glass transition temperature, flame resistance, continuous formability and solder resistance balance.

一方、フェノール樹脂（Ａ−１）の代わりに、フェノールとベンズアルデヒドとの共縮合重合物を用いた点以外は実施例１と同様にして封止用樹脂組成物を得た比較例１は、耐燃性、耐半田性が著しく劣る結果となった。また、比較例１は、実施例１と比較すると、流動性（スパイラルフロー）も低下する傾向が見られた。また、クレゾールとベンズアルデヒドの共縮合重合物を用いた点以外は実施例４と同様にして封止用樹脂組成物を得た比較例２は、ガラス転移温度、連続成形性、耐半田性が著しく劣る結果となった。さらに、フェノール樹脂（Ａ−１）の代わりに、フェノールとベンズアルデヒドとの共縮合重合物とクレゾールとベンズアルデヒドとの共縮合重合物の混合物を用いた点以外は実施例１と同様にして封止用樹脂組成物を得た比較例３は、耐燃性、連続成形性、耐半田性が劣る結果となった。また、比較例３は、実施例１と比較すると、ガラス転移温度も低下する傾向が見られた。   On the other hand, Comparative Example 1 obtained a sealing resin composition in the same manner as in Example 1 except that a co-condensation polymer of phenol and benzaldehyde was used instead of phenol resin (A-1). As a result, the solderability and solderability were extremely poor. Moreover, compared with Example 1, the tendency for the fluidity (spiral flow) to fall was also seen for the comparative example 1. Further, Comparative Example 2 in which a sealing resin composition was obtained in the same manner as in Example 4 except that a co-condensation polymer of cresol and benzaldehyde was used has a remarkable glass transition temperature, continuous moldability, and solder resistance. The result was inferior. Further, instead of the phenol resin (A-1), sealing was performed in the same manner as in Example 1 except that a mixture of a co-condensation polymer of phenol and benzaldehyde and a co-condensation polymer of cresol and benzaldehyde was used. The comparative example 3 which obtained the resin composition resulted in inferior in flame resistance, continuous moldability, and solder resistance. Moreover, compared with Example 1, the comparative example 3 showed the tendency for a glass transition temperature to also fall.

上記の結果の通り、本願発明のフェノール樹脂（Ａ−１）を用いた樹脂組成物においてのみ、流動性（スパイラルフロー）、ガラス転移温度、連続成形性、耐燃性及び耐半田性のバランスに優れる結果が得られるものであり、従来の技術水準から期待できる範疇を超えた顕著な効果となっている。   As described above, only in the resin composition using the phenol resin (A-1) of the present invention, the balance between fluidity (spiral flow), glass transition temperature, continuous moldability, flame resistance and solder resistance is excellent. The result is obtained, and it is a remarkable effect exceeding the category expected from the conventional technology level.

本発明に従うと、ハロゲン化合物及びアンチモン化合物を使用することなく、良好な耐燃性、連続成形性及び耐半田性を有するとともに、流動性と硬化性に優れた、封止用樹脂組成物を得ることができるため、電子部品装置封止用として好適である。   According to the present invention, a sealing resin composition having good flame resistance, continuous moldability and solder resistance, excellent fluidity and curability without using a halogen compound and an antimony compound is obtained. Therefore, it is suitable for sealing an electronic component device.

１ 素子
２ ダイボンド材硬化体
３ ダイパッド
４ 金線
５ リードフレーム
６ 封止用樹脂組成物の硬化体
７ ソルダーレジスト
８ 基板
９ 半田ボール DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Element 2 Die-bonding material hardening body 3 Die pad 4 Gold wire 5 Lead frame 6 Hardening body of resin composition for sealing 7 Solder resist 8 Substrate 9 Solder ball

Claims (13)

フェノール樹脂（Ａ）と、エポキシ樹脂（Ｂ）と、無機充填材（Ｃ）とを含む封止用樹脂組成物であって、
前記フェノール樹脂（Ａ）が下記一般式（１）：
Figure 2012007086
 （上記一般式（１）において、Ｒ１は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ２は炭素数１〜６の無置換の炭化水素基又は炭素数１〜６の置換炭化水素基である。ａは０〜５の整数である。）
の構造単位Ｘ又は構造単位Ｚを構造単位Ｙで連結した構造を有する１以上の重合体成分からなり、構造単位Ｘと構造単位Ｚとを構造単位Ｙで連結した構造を有する重合体成分（ａ１）を含むフェノール樹脂（Ａ−１）を含む
ことを特徴とする封止用樹脂組成物。 A sealing resin composition comprising a phenol resin (A), an epoxy resin (B), and an inorganic filler (C),
The phenol resin (A) is represented by the following general formula (1):
Figure 2012007086
 (In the above general formula (1), R1 is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms and may be the same or different from each other. R2 is an unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or A substituted hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a is an integer of 0 to 5)
A polymer component having a structure in which the structural unit X or the structural unit Z is connected by the structural unit Y and having a structure in which the structural unit X and the structural unit Z are connected by the structural unit Y (a1 The resin composition for sealing characterized by including the phenol resin (A-1) containing). 前記フェノール樹脂（Ａ−１）が、前記一般式（１）において構造単位Ｘを含まず、構造単位Ｚ同士を構造単位Ｙで連結した構造を有する重合体成分（ａ２）、又は構造単位Ｚを含まず、構造単位Ｘ同士を構造単位Ｙで連結した構造を有する重合体成分（ａ３）をも含むことを特徴とする請求項１に記載の封止用樹脂組成物。   The polymer component (a2) having the structure in which the phenol resin (A-1) does not contain the structural unit X in the general formula (1) and the structural units Z are connected by the structural unit Y, or the structural unit Z 2. The sealing resin composition according to claim 1, further comprising a polymer component (a3) having a structure in which the structural units X are connected by the structural unit Y without being included. ＦＤ−ＭＳで測定される、前記フェノール樹脂（Ａ−１）中における前記重合体成分（ａ１）のピーク強度の総和が、フェノール樹脂（Ａ−１）全体のピーク強度の総和に対して３０％以上、８０％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の封止用樹脂組成物。   The total peak intensity of the polymer component (a1) in the phenol resin (A-1) measured by FD-MS is 30% with respect to the total peak intensity of the phenol resin (A-1) as a whole. Above, it is 80% or less, The resin composition for sealing of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. ＦＤ−ＭＳで測定される、前記フェノール樹脂（Ａ−１）中における前記重合体成分（ａ１）のピーク強度の総和Ｐ１と前記重合体成分（ａ３）のピーク強度の総和Ｐ３との比Ｐ１／Ｐ３が、０．４以上、４．０以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物。 Ratio of the total peak intensity P 1 of the polymer component (a1) and the total peak intensity P 3 of the polymer component (a3) in the phenol resin (A-1) measured by FD-MS P 1 / P 3 is 0.4 or more, no claim 1, characterized in that 4.0 or less to the encapsulating resin composition according to any one of 3. 前記フェノール樹脂（Ａ−１）の１５０℃におけるＩＣＩ粘度が０．１ｄＰａ・ｓｅｃ以上、１０．０ｄＰａ・ｓｅｃ以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物。   The sealing according to any one of claims 1 to 4, wherein the phenol resin (A-1) has an ICI viscosity at 150 ° C of 0.1 dPa · sec or more and 10.0 dPa · sec or less. Resin composition. 前記フェノール樹脂（Ａ−１）が前記フェノール樹脂（Ａ）１００質量部中に５０質量部以上、１００質量部以下の割合で含まれることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物。   The phenol resin (A-1) is contained in a proportion of 50 parts by mass or more and 100 parts by mass or less in 100 parts by mass of the phenol resin (A). The resin composition for sealing as described. 前記無機充填材（Ｃ）の含有割合が樹脂組成物全体に対して７０質量％以上、９３質量％以下であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物。   The content of the inorganic filler (C) is 70% by mass or more and 93% by mass or less with respect to the entire resin composition, for sealing according to any one of claims 1 to 6. Resin composition. 硬化促進剤（Ｄ）をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物。   The resin composition for sealing according to any one of claims 1 to 7, further comprising a curing accelerator (D). 前記硬化促進剤（Ｄ）が、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物からなる群から選択される少なくとも１種の硬化促進剤を含むことを特徴とする請求項８記載の封止用樹脂組成物。   The curing accelerator (D) is at least one curing accelerator selected from the group consisting of tetra-substituted phosphonium compounds, phosphobetaine compounds, adducts of phosphine compounds and quinone compounds, and adducts of phosphonium compounds and silane compounds. The sealing resin composition according to claim 8, comprising an agent. 芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｅ）をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物。   The sealing resin composition according to any one of claims 1 to 9, further comprising a compound (E) in which a hydroxyl group is bonded to each of two or more adjacent carbon atoms constituting an aromatic ring. . カップリング剤（Ｆ）をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物。   The sealing resin composition according to claim 1, further comprising a coupling agent (F). 無機難燃剤（Ｇ）をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物。   The sealing resin composition according to claim 1, further comprising an inorganic flame retardant (G). 請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物の硬化物で素子が封止されていることを特徴とする電子部品装置。   An electronic component device, wherein an element is sealed with a cured product of the sealing resin composition according to claim 1.
JP2010144548A 2010-06-25 2010-06-25 Resin composition for sealing and electronic part device Pending JP2012007086A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010144548A JP2012007086A (en) 2010-06-25 2010-06-25 Resin composition for sealing and electronic part device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010144548A JP2012007086A (en) 2010-06-25 2010-06-25 Resin composition for sealing and electronic part device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012007086A true JP2012007086A (en) 2012-01-12

Family

ID=45537989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010144548A Pending JP2012007086A (en) 2010-06-25 2010-06-25 Resin composition for sealing and electronic part device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012007086A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012224707A (en) * 2011-04-18 2012-11-15 Mitsubishi Chemicals Corp Epoxy resin and method for producing the same
JP2012224706A (en) * 2011-04-18 2012-11-15 Mitsubishi Chemicals Corp Epoxy resin composition
JP5305117B2 (en) * 2011-03-08 2013-10-02 Ｄｉｃ株式会社 Radical curable compound, cured product thereof, and method for producing the compound
WO2016175271A1 (en) * 2015-04-28 2016-11-03 味の素株式会社 Resin composition for sealing and sealing sheet

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005089541A (en) * 2003-09-16 2005-04-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin mixture and epoxy resin composition

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005089541A (en) * 2003-09-16 2005-04-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin mixture and epoxy resin composition

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5305117B2 (en) * 2011-03-08 2013-10-02 Ｄｉｃ株式会社 Radical curable compound, cured product thereof, and method for producing the compound
JP2012224707A (en) * 2011-04-18 2012-11-15 Mitsubishi Chemicals Corp Epoxy resin and method for producing the same
JP2012224706A (en) * 2011-04-18 2012-11-15 Mitsubishi Chemicals Corp Epoxy resin composition
WO2016175271A1 (en) * 2015-04-28 2016-11-03 味の素株式会社 Resin composition for sealing and sealing sheet
JPWO2016175271A1 (en) * 2015-04-28 2018-02-15 味の素株式会社 Sealing resin composition and sealing sheet

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6202114B2 (en) Resin composition for sealing and electronic component device
JP5321057B2 (en) Semiconductor sealing resin composition and semiconductor device
WO2011052157A1 (en) Resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the resin composition
WO2011114687A1 (en) Resin composition for sealing semiconductors, and semiconductor device using same
JP2007002110A (en) Resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device
US8138266B2 (en) Semiconductor-encapsulating resin composition and semiconductor device
JP5228496B2 (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device
JP5494137B2 (en) Semiconductor sealing resin composition and semiconductor device
JP5386836B2 (en) Semiconductor sealing resin composition and semiconductor device
JP2012007086A (en) Resin composition for sealing and electronic part device
JP5573343B2 (en) Semiconductor sealing resin composition and semiconductor device
JP5386837B2 (en) Semiconductor sealing resin composition and semiconductor device
JP5672947B2 (en) Resin composition for sealing and electronic component device
JP5565081B2 (en) Semiconductor sealing resin composition and semiconductor device
JP5651968B2 (en) Semiconductor sealing resin composition and semiconductor device
JP5316282B2 (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device
JP5868573B2 (en) Semiconductor sealing resin composition and semiconductor device
JP2013006943A (en) Sealing resin composition and electronic component device
JP5115098B2 (en) Resin composition and semiconductor device
JP2013006934A (en) Sealing resin composition and electronic component device
JP5573344B2 (en) Resin composition for sealing and electronic component device
JP2011094105A (en) Resin composition for sealing semiconductor, and semiconductor device
JP2007161832A (en) Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device
JP5211737B2 (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device
JP5104252B2 (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130425

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131031

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140304