JP2012004595A - Method of manufacturing light-emitting element module substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光素子モジュール基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting element module substrate.
LED(Light Emitting Diode)などの半導体発光素子が照明に用いられている。例えば、LED素子が、基板に直接実装されるCOB(Chip On Board)方式の発光素子モジュールを用いた照明がある。例えば、特許文献1には、基板と、基板上に配置された複数の発光素子と、蛍光体層と、を備えた発光装置が開示されている。
Semiconductor light emitting elements such as LEDs (Light Emitting Diodes) are used for illumination. For example, there is illumination using a COB (Chip On Board) type light emitting element module in which an LED element is directly mounted on a substrate. For example,
LEDなどの発光素子は、高温において発光効率が低下する。放熱性を高め、高い発光効率を得るために、金属板とその上に設けられた絶縁層との積層板を基板として用いる構成がある。この絶縁層の厚さは、LED素子と金属板との熱伝導性を高めるために、一定以下に設定される。 A light emitting element such as an LED has low luminous efficiency at a high temperature. In order to improve heat dissipation and obtain high luminous efficiency, there is a configuration in which a laminated plate of a metal plate and an insulating layer provided thereon is used as a substrate. The thickness of the insulating layer is set to a certain value or less in order to increase the thermal conductivity between the LED element and the metal plate.
積層板の絶縁層の上には、LED素子が実装される実装部と、LED素子の電気的な接続のためのボンディング部と、を有する金属層が設けられる。この金属層には、高反射率と共に、ボンディング性が高いことが求められている。 A metal layer having a mounting portion on which the LED element is mounted and a bonding portion for electrical connection of the LED element is provided on the insulating layer of the laminate. This metal layer is required to have high bonding properties as well as high reflectivity.
一方、この金属層が基板(積層板)の端部に延在すると、絶縁層が薄いために、基板の端部において、積層板の金属板と、金属層と、における絶縁性が劣化し、所望の動作が得られない。 On the other hand, when this metal layer extends to the end portion of the substrate (laminate plate), the insulating layer is thin, so that the insulating properties of the metal plate of the laminate plate and the metal layer deteriorate at the end portion of the substrate, The desired operation cannot be obtained.
従って、金属層を用いた実装部及びボンディング部には、反射率が高くボンディング性が高いことと同時に、基板の端部と電気的に絶縁されていることが求められる。 Therefore, the mounting portion and the bonding portion using the metal layer are required to have high reflectivity and high bonding property, and at the same time, be electrically insulated from the end portion of the substrate.
本発明は、高反射率かつ高ボンディング性で、端部との電気絶縁性が優れた実装部及びボンディング部を有する発光素子モジュール基板の製造方法を提供する。 The present invention provides a method for manufacturing a light emitting element module substrate having a mounting portion and a bonding portion that have high reflectivity, high bonding properties, and excellent electrical insulation with an end portion.
本発明の実施形態によれば、発光素子モジュール基板の製造方法が提供される。前記発光素子モジュール基板は、ベース金属板と、前記ベース金属板の上に設けられた絶縁層と、を含む積層板と、前記絶縁層の上に設けられた金属層であって、発光素子が実装される実装部と、前記発光素子に電気的に接続される配線がボンディングされるボンディング部と、を有する金属層と、を有する。前記金属層は、前記実装部及び前記ボンディング部の少なくともいずれかの最上層であり電解めっきによって形成された銀層を含み、前記実装部及び前記ボンディング部は、前記積層板の周縁から電気的に遮断されている。前記製造方法においては、前記絶縁層の上に形成され前記実装部及び前記ボンディング部の少なくともいずれかのパターンを有する下地層に接続されためっき用配線部を介して前記銀層を電解めっきにより形成する。前記製造方法においては、さらに、前記めっき用配線部の少なくとも一部を除去する。 According to the embodiment of the present invention, a method for manufacturing a light emitting element module substrate is provided. The light emitting element module substrate is a laminate including a base metal plate, an insulating layer provided on the base metal plate, and a metal layer provided on the insulating layer, wherein the light emitting element is A metal layer having a mounting portion to be mounted and a bonding portion to which a wiring electrically connected to the light emitting element is bonded. The metal layer is an uppermost layer of at least one of the mounting portion and the bonding portion, and includes a silver layer formed by electrolytic plating. The mounting portion and the bonding portion are electrically connected from the periphery of the laminated plate. Blocked. In the manufacturing method, the silver layer is formed by electrolytic plating via a plating wiring portion formed on the insulating layer and connected to a base layer having a pattern of at least one of the mounting portion and the bonding portion. To do. In the manufacturing method, at least a part of the plating wiring portion is further removed.
本発明によれば、高反射率かつ高ボンディング性で、端部との電気絶縁性が優れた実装部及びボンディング部を有する発光素子モジュール基板の製造方法が提供される。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the light emitting element module board | substrate which has a high reflectance and high bonding property, and the mounting part and bonding part which were excellent in the electrical insulation with an edge part is provided.
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
Note that the drawings are schematic or conceptual, and the relationship between the thickness and width of each part, the ratio coefficient of the size between the parts, and the like are not necessarily the same as actual ones. Further, even when the same part is represented, the dimensions and ratio coefficient may be represented differently depending on the drawing.
Further, in the present specification and each drawing, the same reference numerals are given to the same elements as those described above with reference to the previous drawings, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.
(第1の実施の形態)
図1は、第1の実施形態に係る発光素子モジュール基板の構成を例示する模式図である。
すなわち、図1(b)は、本実施形態に係る発光素子モジュール基板110の構成を例示する模式的平面図である。図1(a)は、発光素子モジュール基板110の構成を例示する模式的断面図であり、図1(b)の1A1−1A2線断面図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a schematic view illustrating the configuration of the light emitting element module substrate according to the first embodiment.
That is, FIG. 1B is a schematic plan view illustrating the configuration of the light emitting
図1(a)及び図1(b)に表したように、発光素子モジュール基板110は、積層板10と、金属層20と、を備える。
As illustrated in FIG. 1A and FIG. 1B, the light emitting
積層板10は、ベース金属板11と、ベース金属板11の上に設けられた絶縁層12と、を含む。
The laminated
ベース金属板11には、例えば、アルミニウム、銅及び鉄、並びに、それらの2種以上を含む合金が用いられる。すなわち、ベース金属板11には、発光素子モジュール基板110の放熱性を向上させるために熱伝導性が高い金属が用いられる。ベース金属板11の厚さは、例えば、0.5mm程度以上2mm程度以下とすることができる。ベース金属板11の厚さは、例えば、1mm程度以上1.5mm程度以下とされることが望ましい。なお、本実施形態はこれに限らず、ベース金属板11の厚さは任意である。
For the
絶縁層12には、例えば、エポキシ、フェノール、シアネート及びポリイミドなどの樹脂を用いることができる。絶縁層12には、例えば、ビスマレイミドトリアジン樹脂等からなる熱硬化性樹脂を用いることもできる。
また、絶縁層12には、例えば、これらの樹脂がガラスクロスに含浸されたものを用いても良い。また、絶縁層12には、例えば、これらの樹脂にフィラーが添加されたものを用いても良い。
For the
Further, for example, a glass cloth impregnated with these resins may be used for the
すなわち、発光素子モジュール基板110の放熱性を高くするために、絶縁層12の熱抵抗は低く設定される。絶縁層12の熱抵抗を低減するために、絶縁層12を薄くすること、及び、絶縁層12の熱伝導率を高くすること、などの手法が適用される。
絶縁層12の厚みは、良好な熱伝導性を得るために、例えば、150マイクロメートル(μm)以下に設定される。
That is, in order to increase the heat dissipation of the light emitting
The thickness of the
金属層20は、絶縁層12の上に設けられる。金属層20は、発光素子が実装される実装部25と、発光素子に電気的に接続される配線がボンディングされるボンディング部26と、を有する。ボンディング部26は、例えば、n側ボンディング部26nと、p側ボンディング部26pと、を含むことができる。
The
なお、本具体例では、実装部25が1つ設けられ、n側ボンディング部26nが1つ設けられ、p側ボンディング部26pが1つ設けられているが、実装部25、及び、ボンディング部26(例えばn側ボンディング部26n及びp側ボンディング部26p)の数は任意である。また、実装部25のパターン形、並びに、ボンディング部26(n側ボンディング部26n及びp側ボンディング部26p)のパターン形状は任意である。また、n側ボンディング部26n及びp側ボンディング部26pは、相互に入れ替えが可能である。
発光素子には、例えばLED素子などの半導体発光素子が用いられる。
In this specific example, one
As the light emitting element, for example, a semiconductor light emitting element such as an LED element is used.
金属層20は、実装部25及びボンディング部26の少なくともいずれかの最上層となる銀層23を含む。本具体例では、銀層23は、実装部25及びボンディング部26の両方の最上層となっている。
The
金属層20は、銀層23と絶縁層12との間に設けられた下地層21をさらに含む。また、金属層20は、下地層21と銀層23との間に設けられた中間層22をさらに含むことができる。すなわち、本具体例では、金属層20は、下地層21と、その上に設けられた中間層22と、その上に設けられ金属層20の最上層となる銀層23と、の積層構造を有する。
The
下地層21は、例えば銅(Cu)を含むことができる。すなわち、下地層21には、Cu層を用いることができる。ただし、本実施形態はこれに限らず、下地層21に用いられる材料は任意である。
The
中間層22は、ニッケル(Ni)及びパラジウム(Pd)の少なくともいずれかを含むことができる。すなわち、中間層22には、Ni層、Pd層、及び、NiとPdとを含む層のいずれかを用いることができる。ただし、本実施形態はこれに限らず、中間層22に用いられる材料は任意である。
The
銀層23は、例えば、電解めっきによって形成される。
すなわち、下地層21は、電解めっきの際の電極層として用いられる。中間層22は、バリア層として機能する。中間層22を設けることによって、例えば、長期の動作において下地層21に用いられる材料の成分(例えばCu)が表面の側に移動することが抑制される。なお、中間層22は必要に応じて設けられ、場合によっては省略可能である。
The
That is, the
銀層23が電解めっきによって形成される場合、中間層22には、電解めっきによって形成されたNi層を用いることができる。この場合には、中間層22の主成分はNiであり、中間層22は実質的にリン(P)を含まない。
When the
なお、銀層23が無電解めっきで形成され、中間層22に無電解めっきで形成されたNi層が用いられる場合には、中間層22はNiの他に、リンを含む。例えば、中間層22におけるリンの比率は8%以上10%以下程度(Niの比率が90%以上82%以下程度)である。これは、無電解めっきでNi層を形成する場合には、次亜リン酸の還元作用によるめっき皮膜の析出現象が用いられるためである。
In the case where the
銀層23の厚さは、例えば1μm以上である。これにより、後述するように、銀層23は、高い反射率と、高いボンディング性と、を有することができる。すなわち、本実施形態においては、金属層20は、高い反射率と、高いボンディング性と、を有することができる。
The thickness of the
そして、実装部25及びボンディング部26は、積層板10の周縁10eから電気的に遮断されている。具体的には、実装部25及びボンディング部26は、積層板10の周縁10eから離間しており、実装部25及びボンディング部26と、積層板10の周縁10eと、の距離は、電気的に遮断されるために十分な距離に設定される。
The mounting
なお、図1(a)に表したように、本具体例においては、絶縁層12の上面のうち、金属層20が設けられていない部分には、ソルダーレジスト層40が設けられている。ソルダーレジスト層40には、例えば白色の材料が用いられる。これにより、後述する発光素子の発光光を、ソルダーレジスト層40で効率良く反射でき、効率が向上する。
As shown in FIG. 1A, in this specific example, a solder resist
図2は、第1の実施形態に係る発光素子モジュール基板の使用状態を例示する模式図である。
すなわち、これらの図は、発光素子モジュール基板110にLED素子が実装され、発光素子モジュール210が形成されている状態を例示している。すなわち、図2(b)は、発光素子モジュール210の構成を例示する模式的平面図である。図2(a)は、発光素子モジュール210の構成を例示する模式的断面図であり、図2(b)の2A1−2A2線断面図である。
FIG. 2 is a schematic view illustrating the use state of the light emitting element module substrate according to the first embodiment.
That is, these drawings illustrate a state where the LED element is mounted on the light emitting
図2(a)及び図2(b)に例示したように、発光素子モジュール210は、本実施形態に係る発光素子モジュール基板110と、発光素子モジュール基板110の実装部25に実装された発光素子50と、発光素子50とボンディング部26とを電気的に接続するボンディング配線51(配線)と、を備える。
2A and 2B, the light emitting
発光素子50には、例えばLED素子が用いられる。本具体例では、複数の発光素子50が用いられているが、発光素子50の数は任意である。発光素子50のそれぞれは、例えば、図示しないp側電極及びn側電極を有している。n側電極が、例えば、n側ボンディング部26n、または、他の発光素子50のp側電極に、ボンディング配線51で電気的に接続される。p側電極が、例えば、p側ボンディング部26p、または、他の発光素子50のn側電極に、ボンディング配線51で電気的に接続される。
For example, an LED element is used as the
本具体例では、金属層20には、ボンディング部26に電気的に導通している電源供給部26cがさらに設けられる。電源供給部26cに、例えば、外部からのコネクタを装着し、また、電源供給部26cに、外部からの電源用配線を例えばはんだ付けなどの手法で接続することで、発光素子モジュール基板110の外部から、発光素子50に電力を供給し、発光素子50を発光させる。
In this specific example, the
なお、本具体例では、発光素子モジュール基板110には、取り付け部13が設けられている。取り付け部13により、発光素子モジュール基板110が、後述する照明装置の放熱部材に、例えばネジ止めなどの手法によって取り付けられる。
In this specific example, the light emitting
発光素子モジュール210は、発光素子50の少なくとも一部を覆う波長変換層60をさらに備えることができる。波長変換層60は、発光素子50から放出される発光光を吸収し、発光光の波長とは異なる波長を有する光を放出する。波長変換層60には、例えば蛍光体層を用いることができる。
The light emitting
発光素子50から放出された発光光の一部は、発光素子50の上面の側(積層板10とは反対の側)に進行し、波長変換層60を通過して波長が変換され、発光素子モジュール210の外部に取り出される。
Part of the emitted light emitted from the
発光素子50から放出された発光光の別の一部は、発光素子50の下面の側(積層板10の側)に進行し、金属層20で反射し、波長変換層60に向けて進行し、波長変換層60を通過して波長が変換され、発光素子モジュール210の外部に取り出される。
Another part of the emitted light emitted from the
発光素子モジュール210においては、金属層20の最上層として銀層23が設けられているため、発光素子50から放出された発光光が、金属層20で効率良く反射され、発光効率が高い。
In the light emitting
また、金属層20の最上層として銀層23を用いているため、ボンディング部26とボンディング配線51とのボンディング性が良好である。
In addition, since the
また、実装部25及びボンディング部26は、積層板10の周縁10eから電気的に遮断されている。このため、実装部25及びボンディング部26は、端部と電気的に十分に絶縁される。
Further, the mounting
このように、発光素子モジュール基板110によれば、高反射率かつ高ボンディング性で、端部との電気絶縁性が優れた実装部及びボンディング部を有する発光素子モジュール基板が提供できる。
Thus, according to the light emitting
図3、図4及び図5は、第1の実施形態に係る発光素子モジュール基板の製造方法を例示する工程順模式図である。
すなわち、図3(b)は、発光素子モジュール基板110の製造方法の1つの工程を例示する模式的平面図であり、図3(a)は、図3(b)の3A1−3A2線断面図である。
また、図4(b)は、図3(a)及び図3(b)に例示した工程の後の工程を例示する模式的平面図であり、図4(a)は、図4(b)の4A1−4A2線断面図である。
また、図5(b)は、図4(a)及び図4(b)に例示した工程の後の工程を例示する模式的平面図であり、図5(a)は、図5(b)の5A1−5A2線断面図である。
本具体例は、銀層23が、電解めっきによって形成される例である。そして、これらの図においては、ソルダーレジスト層40は省略されている。
3, 4, and 5 are process order schematic diagrams illustrating the method for manufacturing the light emitting element module substrate according to the first embodiment.
3B is a schematic plan view illustrating one process of the method for manufacturing the light emitting
FIG. 4B is a schematic plan view illustrating a step after the steps illustrated in FIGS. 3A and 3B. FIG. 4A is a schematic plan view of FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line 4A1-4A2.
5B is a schematic plan view illustrating a step after the steps illustrated in FIGS. 4A and 4B. FIG. 5A is a schematic plan view illustrating the step after FIG. FIG. 5 is a sectional view taken along line 5A1-5A2.
In this specific example, the
図3(a)及び図3(b)に表したように、積層板10の絶縁層12の上に、所定の形状を有する下地層21を形成する。下地層21は、実装部25に対応する部分25aと、ボンディング部26に対応する部分26aと、を有する。さらに、下地層21は、実装部25に対応する部分25aに電解めっきを施すための実装部めっき用配線部27と、ボンディング部26に対応する部分26aに電解めっきを施すためのボンディング部めっき用配線部28と、をさらに有する。
As shown in FIGS. 3A and 3B, the
本具体例は、大面積の積層板を用い、その上に最終的な発光素子モジュール基板110を複数並べたパターンで金属層を形成し、その後、金属層及び積層板を分割して複数の発光素子モジュール基板110を一括して製造する例である。ただし、本実施形態は、これに限らず、発光素子モジュール基板110が1つずつ別に形成される方法を採用しても良い。
In this specific example, a metal layer is formed in a pattern in which a plurality of final light emitting
そして、図4(a)及び図4(b)に表したように、下地層21の上に、中間層22を電解めっきにより形成し、さらに、中間層22の上に、銀層23を電解めっきにより形成する。これにより、金属層20の実装部25とボンディング部26とが形成される。なお、既に説明したように、場合によっては、中間層22は省略しても良く、この場合は、下地層21の上に銀層23が電解めっきにより形成される。
Then, as shown in FIGS. 4A and 4B, the
なお、このとき、下地層21の上面及び側面を覆うように、中間層22が形成される。さらに、中間層22の上面及び側面を覆うように、銀層23が形成される。なお、既に説明したように、場合によっては、中間層22は省略しても良く、この場合は、下地層21の上面及び側面を覆うように銀層23が形成される。
At this time, the
そして、例えば、中間層22及び銀層23は、下地層21の実装部めっき用配線部27及びボンディング部めっき用配線部28の部分にも形成される。なお、既に説明したように、場合によっては、中間層22は省略しても良く、この場合は、下地層21の実装部めっき用配線部27及びボンディング部めっき用配線部28の部分に銀層23が形成される。
For example, the
そして、図5(a)及び図5(b)に表したように、例えば、マスクを用いたエッチングにより、実装部めっき用配線部27及びボンディング部めっき用配線部28を除去する。すなわち、実装部めっき用配線部27に対応する下地層21、中間層22及び銀層23を除去し、ボンディング部めっき用配線部28に対応する下地層21、中間層22及び銀層23を除去する。
Then, as shown in FIGS. 5A and 5B, the mounting portion plating
このとき、除去された実装部めっき用配線部27及びボンディング部めっき用配線部28に接続されていた部分の金属層20の端面(端部26e)においては、下地層21及び中間層22が露出する。
At this time, the
すなわち、金属層20のうちの、電解めっきに用いられためっき用配線部の少なくとも一部が除去されている。そして、金属層20の少なくとも一部の側面(この例では、上記の端部26e)において、下地層21が露出する。中間層22が設けられる場合には、金属層20の少なくとも一部の側面において、下地層21及び中間層22が露出する。
That is, at least a part of the wiring portion for plating used for electrolytic plating in the
そして、積層板10を所定の大きさに切断し、さらに、必要に応じて取り付け部13を形成して、発光素子モジュール基板110が作製される。
And the
このように、本実施形態に係る発光素子モジュール基板110においては、金属層20のうちの最上層となる銀層23が、電解めっきによって形成され、金属層20のうちの、電解めっきに用いられためっき用配線部(実装部めっき用配線部27及びボンディング部めっき用配線部28)の少なくとも一部が除去されている。
これにより、実装部25及びボンディング部26は、積層板10の周縁10eから電気的に遮断される。
Thus, in the light emitting
Thereby, the mounting
以下、本実施形態に係る発光素子モジュール基板110の特性に関して説明する。すなわち、金属層20の特に銀層23の特性に関して説明する。
Hereinafter, the characteristics of the light emitting
図6は、第1の実施形態に係る発光素子モジュール基板の特性を例示するグラフ図である。
すなわち、同図は、銀層23の厚さt23と、反射率R23と、の関係の測定結果を例示している。横軸は、銀層23の厚さt23であり、縦軸は、波長が460ナノメートル(nm)のときの銀層23の反射率R23である。この例では、銀層23の下に、厚さが5μmのNiめっき層が設けられている。
FIG. 6 is a graph illustrating characteristics of the light emitting element module substrate according to the first embodiment.
That is, this figure illustrates the measurement result of the relationship between the thickness t23 of the
図6に表したように、例えば、銀層23の厚さt23が0.5μmと小さいと、反射率R23は86%であり、反射率R23は低い。厚さt23が増大するに従って、反射率R23は上昇し、例えば厚さt23が1μmのときには反射率R23は89.5%と高くなる。また、厚さt23が2μmのときには反射率R23は91.6%とさらに高くなる。さらに厚さt23が増大し、3μm程度以上では、反射率R23は約93%で一定となる。
As shown in FIG. 6, for example, when the thickness t23 of the
反射率R23が高いほど光取り出し効率が上昇するので、銀層23の厚さt23は厚いことが望ましい。銀層23の厚さt23は、1μm以上であることが望ましい。これにより、高い反射率R23が得られる。さらに、銀層23の厚さt23は、2μm以上であることが望ましい。これにより、より高い反射率R23が得られる。さらに、銀層23の厚さt23は、3μm以上であることが望ましい。これにより、さらに高く、安定した反射率R23が得られる。
Since the light extraction efficiency increases as the reflectance R23 is higher, it is desirable that the thickness t23 of the
なお、銀層23の形成方法として無電解めっきを用いる方法も考えられるが、無電解めっきによる銀層23の厚さt23は1μm未満であり、例えば0.5μm程度以下である。このため、本実施形態に係る発光素子モジュール基板110においては、1μm以上の厚さを得るために、銀層23の形成においては、電解めっき法が採用される。
In addition, although the method of using electroless plating is also considered as a formation method of the
図7は、第1の実施形態に係る発光素子モジュール基板の特性を例示するグラフ図である。
すなわち、同図は、銀層23の厚さt23が0.5μm及び2.0μmにおける、ボンディング特性の測定結果を例示している。縦軸は、ワイヤプル強度PS(gf)である。同図においては、銀層23の厚さt23が0.5μmときの初期状態i119及び180℃60分の加熱処理後の状態h119、並びに、銀層23の厚さt23が2μmときの初期状態i110及び180℃60分の熱処理後の状態h110、におけるワイヤプル強度PSが例示されている。なお、銀層23の厚さt23が0.5μmの場合は比較例に相当し、銀層23の厚さt23が2μmの場合が本実施形態の一例に相当する。なお、この場合も、銀層23の下に、厚さが5μmのNiめっき層が設けられている。
FIG. 7 is a graph illustrating characteristics of the light emitting element module substrate according to the first embodiment.
That is, this figure illustrates the measurement results of the bonding characteristics when the thickness t23 of the
図7に表したように、銀層23の厚さt23が0.5μmときの初期状態i119においては、ワイヤプル強度PSは約6.5gfであり、小さい。そして、熱処理後の状態h119においては、ワイヤプル強度PSは約3gfであり、大きく減少する。
As shown in FIG. 7, in the initial state i119 when the thickness t23 of the
一方、銀層23の厚さt23が2μmときの初期状態i110においては、ワイヤプル強度PSは約8.2gfであり、厚さt23が0.5μmのときに比べて上昇する。そして、銀層23の厚さt23が2μmの熱処理後の状態h110においては、ワイヤプル強度PSは約8.0gfであり、初期状態i110とほぼ同程度であり、熱処理によるワイヤプル強度の低下は、比較例に比べて非常に小さい。
On the other hand, in the initial state i110 when the thickness t23 of the
このように、銀層23の厚さt23が0.5μmの比較例の場合には、ワイヤプル強度PSは小さく、さらに熱処理によって著しく低くなるのに対し、銀層23の厚さt23が2μmの実施形態においては、ワイヤプル強度PSは非常に大きく、そして、熱処理による低下も抑制される。
As described above, in the case of the comparative example in which the thickness t23 of the
このように、銀層23の厚さt23が厚いと、ワイヤプル強度PSが上昇し、ボンディング性が向上する。このため、銀層23の厚さt23は、1μm以上であることが望ましく、これにより、高いボンディング性が得られる。さらに、銀層23の厚さt23は、2μm以上であることが望ましい。これにより、より高いボンディング性が得られる。
Thus, when the thickness t23 of the
図8は、第1の実施形態に係る発光素子モジュール基板の特性を例示する図である。
すなわち、図8(a)は、積層板10の絶縁層12の上に設けられる導電層20aと積層板10の端との距離を変えたときの耐電圧を測定した結果を例示している。図8(b)は、上記の測定の条件を例示する模式的断面図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating characteristics of the light emitting element module substrate according to the first embodiment.
That is, FIG. 8A illustrates the result of measuring the withstand voltage when the distance between the
図8(b)に表したように、積層板10においては、ベース金属板11と、その上に積層された絶縁層12が設けられている。本測定では、ベース金属板11の厚さは1mmであり、絶縁層12の厚さは80μmである。そして、絶縁層12の上に、導電層20aが設けられる。導電層20aは、金属層20に相当する。本測定では、導電層20aには、厚さが35μmの銅層が用いられている。そして、導電層20aと、積層板10の端(周縁10e)と、の間の距離d20aを変えて、耐電圧BVを測定した。なお、耐電圧BVは、交流に関する耐電圧である。
As shown in FIG. 8B, the
図8(a)は、耐電圧BVの測定結果を例示するグラフ図であり、横軸は、導電層20aと、積層板10の端(周縁10e)と、の間の距離d20aであり、縦軸は、耐電圧BVである。
FIG. 8A is a graph illustrating the measurement result of the withstand voltage BV, and the horizontal axis is the distance d20a between the
図8(a)に表したように、導電層20aと、積層板10の端(周縁10e)と、の間の距離d20aが増大するに従って、耐電圧BVが増大する。例えば、距離d20aが1mmのときは、耐電圧BVは約1.4キロボルト(kV)であり、距離d20aが2mmのときは、耐電圧BVは約2.5kVであり、距離d20aが3mmのときは、耐電圧BVは約3.2kVとなる。
As shown in FIG. 8A, the withstand voltage BV increases as the distance d20a between the
なお、耐電圧BVは、例えば絶縁層12の厚さにも依存する。一般に、絶縁層12の厚さが厚くなると、耐電圧BVは上昇する。しかし、一般に、絶縁層12の厚さが厚くなると、積層板10の熱伝導性が低下し、放熱性が低下する。このため、絶縁層12の厚さは、放熱性を考慮して適切な値に設定される。
The withstand voltage BV also depends on the thickness of the insulating
例えば、既に説明したように、絶縁層12には、発光素子モジュール基板110の放熱性を高くするために、樹脂にフィラーが添加されたものを用いることができる。
樹脂の熱伝導率は、一般的に0.2W/mK程度であるため、絶縁層12においては、樹脂中に、例えばアルミナやBNなどの熱伝導率の高いフィラーを添加したものが用いることができる。これにより、例えば1W/mK以上6W/mK以下程度の熱伝導率を得ることができる。
For example, as already described, the insulating
Since the thermal conductivity of the resin is generally about 0.2 W / mK, the insulating
絶縁層12を薄くしフィラーの濃度を高く設定すると、絶縁層12の熱抵抗は下がるが、それに伴い、発光素子モジュール基板110の耐電圧が下がる傾向がある。従って、照明装置に応用される場合に求められる耐電圧性能を得るために、耐電圧性能と放熱性能とを考慮して、絶縁層12の仕様が適正に設定される。
When the insulating
そして、上記の距離d20aは、設定された絶縁層12の厚さに適合しつつ、必要な耐電圧BVが得られるように適切に設定される。
The distance d20a is appropriately set so as to obtain a necessary withstand voltage BV while conforming to the set thickness of the insulating
本実施形態に係る発光素子モジュール基板110においては、実装部25及びボンディング部26は、積層板10の周縁10eから電気的に遮断されている。すなわち、実装部25及びボンディング部26は、周縁10eから離間する。そして、実装部25及びボンディング部26に電気的に接続された導電層の、積層板10の周縁10eの側の端は、周縁10eから離間する。この導電層の周縁10eの側の端と、周縁10eと、の距離は、例えば、図8(a)に例示した距離d20aと耐電圧BVとの関係に基づいて、設定される。
In the light emitting
以上のように、本実施形態に係る発光素子モジュール基板110においては、金属層20の銀層23は、1μm以上の厚さ(望ましくは2μm以上)に設定されることで、高い反射率と高いボンディング性とが得られる。そして、このような厚い銀層23は、電解めっき法によって形成することができ、この電解めっきに用いられためっき用配線部(実装部めっき用配線部27及びボンディング部めっき用配線部28)の少なくとも一部が除去されることで、実装部25及びボンディング部26が、積層板10の端部(周縁10e)から十分に電気的に遮断される。
As described above, in the light emitting
そして、実装部25及びボンディング部26が、積層板10の端部(周縁10e)から電気的に遮断されることで、例えば1kV以上の耐電圧BVを得ることができる。
And the withstand voltage BV of 1 kV or more can be obtained because the mounting
本実施形態に係る発光素子モジュール基板110においては、実装部25及びボンディング部26が、積層板10の周縁10eから電気的に遮断されていれば、金属層20のパターン形状は任意である。
In the light emitting
図9は、第1の実施形態に係る別の発光素子モジュール基板の構成を例示する模式的平面図である。
図9(a)〜図9(d)に表したように、本実施形態に係る別の発光素子モジュール基板110a〜110dにおいては、電解めっきに用いられためっき用配線部(実装部めっき用配線部27及びボンディング部めっき用配線部28)の少なくとも一部が除去されている。
FIG. 9 is a schematic plan view illustrating the configuration of another light emitting element module substrate according to the first embodiment.
As shown in FIGS. 9A to 9D, in the other light emitting
すなわち、図9(a)に例示した発光素子モジュール基板110aにおいては、めっき用配線部の周縁10eの側の部分が除去されている。そして、めっき用配線部の内側の部分が残存している。これ以外は、発光素子モジュール基板110と同様なので説明を省略する。
That is, in the light emitting
発光素子モジュール基板110aにおいては、残存しているめっき用配線部の一部の、積層板10の周縁10eの側の端部(実装部めっき用配線部27の端部27e、及び、ボンディング部めっき用配線部28の端部28e)は、周縁10eから十分に離間している。これにより、実装部25及びボンディング部26は、積層板10の周縁10eから電気的に遮断される。
In the light emitting
図9(b)に例示した発光素子モジュール基板110bにおいては、めっき用配線部の、周縁10eから遠い内側部が除去され、めっき用配線部が途中で分断されている。そして、めっき用配線部の外側(周縁10eの側)の部分が残存している。これ以外は、発光素子モジュール基板110と同様なので説明を省略する。
In the light emitting
発光素子モジュール基板110bにおいても、めっき用配線部が分断され、めっき用配線部と、実装部25及びボンディング部26と、が電気的に遮断されることによって、実装部25及びボンディング部26は、積層板10の周縁10eから電気的に遮断される。
Also in the light emitting
図9(c)に例示した発光素子モジュール基板110cにおいては、実装部めっき用配線部27の、周縁10eから遠い内側部が除去され、めっき用配線部が途中で分断されている。また、n側ボンディング部26nに接続されているボンディング部めっき用配線部28においては、周縁10eの側の部分が除去されている。また、p側ボンディング部26pに接続されているボンディング部めっき用配線部28においては、周縁10eと内側部との間の途中の部分が除去されている。
In the light emitting
発光素子モジュール基板110cにおいても、めっき用配線部が分断され、めっき用配線部と、実装部25及びボンディング部26と、が電気的に遮断されることによって、実装部25及びボンディング部26は、積層板10の周縁10eから電気的に遮断される。 このように、金属層20のうちの、電解めっきに用いられためっき用配線部の除去される部分は任意である。
Also in the light emitting
図9(d)に例示した発光素子モジュール基板110dにおいては、実装部25のうち、実装部めっき用配線部27に接続されていた部分27fが除去され、実装部めっき用配線部27と実装部25とが分断されている。また、n側ボンディング部26nのうち、ボンディング部めっき用配線部28に接続されていた部分28nfが除去され、ボンディング部めっき用配線部28とn側ボンディング部26nとが分断されている。また、p側ボンディング部26pに接続されていたボンディング部めっき用配線部28が除去され、さらに、p側ボンディング部26pのうち、ボンディング部めっき用配線部28に接続されていた部分28pfが除去されている。このように、実装部25及びボンディング部26の少なくともいずれかの、めっき用配線部に接続されていた部分が除去されても良い。
In the light emitting
発光素子モジュール基板110dにおいても、めっき用配線部と、実装部25及びボンディング部26と、の間が分断され、めっき用配線部と、実装部25及びボンディング部26と、が電気的に遮断されることによって、実装部25及びボンディング部26は、積層板10の周縁10eから電気的に遮断される。
Also in the light emitting
このように、電解めっきに用いられためっき用配線部の除去される部分は任意である。そして、実装部25及びボンディング部26の、めっき用配線部に接続されていた部分であって、除去される部分の位置及び形状は、任意である。
Thus, the part from which the wiring part for plating used for electrolytic plating is removed is arbitrary. And the position and shape of the part which was connected to the wiring part for plating of the mounting
発光素子モジュール基板110a〜110dにおいても、高反射率かつ高ボンディング性で、端部との電気絶縁性が優れた実装部25及びボンディング部26を有する発光素子モジュール基板が得られる。
Also in the light emitting
図10は、第1の実施形態に係る別の発光素子モジュール基板の構成を例示する模式的断面図である。
すなわち、図10は、図9(a)の10A1−10A2線断面図である。
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view illustrating the configuration of another light emitting element module substrate according to the first embodiment.
That is, FIG. 10 is a sectional view taken along line 10A1-10A2 of FIG.
図10に表したように、発光素子モジュール基板110aにおいては、めっき用配線部(例えばボンディング部めっき用配線部28)の周縁10eの側の部分が除去されており、めっき用配線部(例えばボンディング部めっき用配線部28)の内側部が残存している。残存しているめっき用配線部の一部の、積層板10の周縁10eの側の端部(例えばボンディング部めっき用配線部28の端部28e)において、下地層21が露出する。本具体例では、中間層22が設けられており、残存しているめっき用配線部の一部の、積層板10の周縁10eの側の端部(例えばボンディング部めっき用配線部28の端部28e)において、下地層21及び中間層22が露出している。
As shown in FIG. 10, in the light emitting
また、図示しないが、同様に、残存しているめっき用配線部の一部の、積層板10の周縁10eの側の端部(例えば実装部めっき用配線部27の端部27e)において、下地層21が露出する。本具体例では、下地層21及び中間層22が露出する。
Although not shown, similarly, at the end of the remaining part of the plating wiring part on the side of the
このように、発光素子モジュール基板110aにおいては、金属層20の少なくとも一部の側面において、下地層21が露出する。
同様に、発光素子モジュール基板110b〜110dにおいても、金属層20の少なくとも一部の側面において、下地層21が露出する。
Thus, in the light emitting
Similarly, also in the light emitting
このように、本実施形態においては、銀層23が電解めっきによって形成され、金属層20のうちの、電解めっきに用いられためっき用配線部の少なくとも一部が、電解めっきの後に除去されるため、金属層20の少なくとも一部の側面において、下地層21が露出する。
Thus, in this embodiment, the
なお、銀層23を無電解めっき等の手法によって形成した場合には、めっき用配線部が設けられないので、下地層21の上面及び側面は中間層22によって覆われ、中間層22の上面及び側面は銀層23によって覆われる。このため、金属層20の側面において、下地層21は露出しない。
Note that when the
(第2の実施の形態)
本発明の第2の実施形態は、本発明の実施形態に係る発光素子モジュール基板110を用いた発光素子モジュール210である。
本実施形態に係る発光素子モジュール210の構成は、既に図2に関して説明した通りである。すなわち、発光素子モジュール210は、本発明の実施形態に係るいずれかの発光素子モジュール基板(例えば発光素子モジュール基板110、110a〜110dの少なくともいずれか)を備える。以下では、発光素子モジュール基板110が用いられる場合として説明する。
(Second Embodiment)
The second embodiment of the present invention is a light emitting
The configuration of the light emitting
発光素子モジュール210は、図2に関して説明したように、発光素子モジュール基板110の実装部25に実装された発光素子50と、発光素子50とボンディング部26とを電気的に接続するボンディング配線51と、をさらに備える。
As described with reference to FIG. 2, the light emitting
発光素子50には、例えば、窒化物系半導体を用いたLED素子などが用いられる。
ボンディング配線51には、金、銀、アルミニウム及び銅のいずれか、並びに、それらの2つ以上を含む合金などが用いられる。
For the
For the
図11は、第2の実施形態に係る発光素子モジュールの構成を例示する回路図である。 図11に表したように、本実施形態に係る発光素子モジュール210においては、複数の発光素子50が、ボンディング配線51によって直列及び並列に接続されている。本具体例においては、16個の発光素子50が用いられ、4直列及び4並列の回路構成が適用されている。ただし、本実施形態は、これに限らず、発光素子50の数、及び、適用される回路構成は任意である。
FIG. 11 is a circuit diagram illustrating the configuration of the light emitting element module according to the second embodiment. As shown in FIG. 11, in the light emitting
図2に関して説明したように、発光素子モジュール210は、発光素子50の少なくとも一部を覆う波長変換層60をさらに備えることができる。波長変換層60は、発光素子50から放出される発光光を吸収し、発光光の波長とは異なる波長を有する光を放出する。波長変換層60は、例えば塗布などの方法によって形成される。
これにより、例えば、白色光が得られる。ただし、本実施形態はこれに限らず、波長変換層60は必要に応じて設けられ、省略しても良い。
As described with reference to FIG. 2, the light emitting
Thereby, for example, white light is obtained. However, the present embodiment is not limited to this, and the
例えば、LED素子などを用いた照明装置(バックライトなども含む)において白色発光を得る方法としては、例えば、青色、緑色及び赤色をそれぞれ発光する3種類の発光素子50(例えばLED素子)を使用する方法があり、この方法を発光素子モジュール210に適用しても良い。
For example, as a method of obtaining white light emission in an illumination device (including a backlight) using LED elements, for example, three types of light emitting elements 50 (for example, LED elements) that emit blue, green, and red light respectively are used. This method may be applied to the light emitting
また、白色発光を得る方法としては、例えば、青色発光の発光素子50(例えばLED素子)と、黄色及び橙色発光の少なくともいずれかの蛍光体と、を組み合わせる方法があり、この方法を発光素子モジュール210に適用しても良い。 In addition, as a method of obtaining white light emission, for example, there is a method of combining a light emitting element 50 (for example, an LED element) that emits blue light and a phosphor that emits at least one of yellow and orange light. You may apply to 210.
また、白色発光を得る方法としては、例えば、紫外線発光の発光素子50(LED素子)と、例えば、青色、緑色及び赤色をそれぞれ発光する3種類の蛍光体と、を組み合わせる方法があり、この方法を発光素子モジュール210に適用しても良い。
上記のように、蛍光体を用いる場合に、波長変換層60が設けられる。
In addition, as a method of obtaining white light emission, for example, there is a method of combining a light emitting element 50 (LED element) that emits ultraviolet light and, for example, three types of phosphors that emit blue, green, and red, respectively. May be applied to the light emitting
As described above, when the phosphor is used, the
なお、LED素子を用いた照明において、必要な光束に応じて、例えば、発光素子モジュール基板に、複数個のLED素子が搭載される。発光素子モジュール基板に、LED素子を搭載する方法は、例えば、LED素子を含むパッケージを発光素子モジュール基板にはんだ付けなどで実装する方法、及び、LED素子のチップを発光素子モジュール基板に直接ワイヤボンディングなどによって実装する方法(COB構成)などがある。 In illumination using LED elements, for example, a plurality of LED elements are mounted on a light emitting element module substrate in accordance with a required light flux. The method of mounting the LED element on the light emitting element module substrate includes, for example, a method of mounting a package including the LED element on the light emitting element module substrate by soldering, and a wire bonding of the LED element chip directly to the light emitting element module substrate. For example, there is a method of mounting (COB configuration).
本実施形態に係る発光素子モジュール210においては、COB構成を採用することで、前者の手法に比べて、より高い密度でより高い輝度が実現できる。なお、発光素子モジュール210においては、発光素子モジュール基板110上に実装された複数の発光素子50(LED素子)の上に、蛍光体を混合した樹脂を塗布し、波長変換層60が設けられることで、例えば、所望の色温度の照明が実現できる。また、白色だけでなく、任意の色の光が得られる。
In the light emitting
LED素子においては、入力される電気エネルギーのうちの一部が光エネルギーに変化され、他の一部は熱として消費される。このため、LED素子の温度は動作中に上昇する。LED素子が高温になると、例えば、LED素子の劣化が進み寿命が短くなる。さらに、既に説明したように、LED素子は、低温時に発光効率が高く、高温時に発光効率が低下する。このため、LED素子を用いた照明装置においては、熱対策が重要であり、発光素子モジュール基板110において十分に放熱性が高いことが要求される。
In the LED element, a part of the input electric energy is changed to light energy, and the other part is consumed as heat. For this reason, the temperature of the LED element rises during operation. When the LED element reaches a high temperature, for example, the deterioration of the LED element progresses and the life is shortened. Furthermore, as already described, the LED element has high luminous efficiency at low temperatures and low luminous efficiency at high temperatures. For this reason, in the illuminating device using an LED element, heat countermeasures are important, and the light emitting
本発明の実施形態に係る発光素子モジュール基板110及びそれを用いた発光素子モジュール210においては、発光素子50が実装される積層板10に、ベース金属板11を用いることで、高い放熱性を実現でき、高い発光効率と、良好な寿命が実現できる。
In the light emitting
発光素子モジュール210においては、サージ等の電圧によるLED素子の破壊の防止、及び、製品の安全性の面から、基本絶縁に関する性能が十分であることが要求される。例えば、発光素子モジュール210を用いた照明装置においては、例えば、照明装置を組み上げた後に、充電部である点灯回路と、非充電部である器具本体と、に耐電圧を印加し、この電圧に十分耐えることができるかによって基本絶縁に関する性能が評価される。なお、耐電圧の値は照明装置の入力電圧によって異なり、入力電圧が高いほど、高い耐電圧に対する基本絶縁が要求される。例えば、発光素子モジュール210を用いた照明装置においては、一般的に、1kV以上の耐電圧が求められる。
The light emitting
本発明の実施形態に係る発光素子モジュール基板110及び発光素子モジュール210においては、実装部25及びボンディング部26が、積層板10の周縁10eから電気的に遮断されるので、1kV以上の耐電圧が実現できる。
In the light emitting
(第3の実施の形態)
図12は、第3の実施形態に係る照明装置の構成を例示する模式的断面図である。
図12に表したように、本実施形態に係る照明装置310は、本発明の実施形態に係る発光素子モジュール210と、発光素子モジュール210に含まれる発光素子モジュール基板110のベース金属板11に熱的に接続された放熱部材321と、を備える。
放熱部材321には、例えば、アルミダイキャストなどの金属材料が用いられる。
(Third embodiment)
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view illustrating the configuration of the illumination device according to the third embodiment.
As illustrated in FIG. 12, the
For the
なお、放熱部材321へのベース金属板11(積層板10)の取り付けには、例えば、取り付け部13を用いたネジ止めなどの方法が採用できる。ただし、本実施形態はこれに限らず、取り付けの方法は任意である。本実施形態においては、放熱部材321とベース金属板11とが熱的に接続されることで、発光素子50で発生した熱が、ベース金属板11を経由して放熱部材321に効率良く伝達され、放熱性が高い。
In addition, for the attachment of the base metal plate 11 (laminated plate 10) to the
なお、本具体例の照明装置は、電球型の照明装置であるが、照明装置の形態は任意であり、例えば、ダウンライト型及びミニクリプトン型などの形態も採用でき、また、例えば、バックライトやヘッドランプなどの照明装置にも応用できる。 Note that the lighting device of this specific example is a light bulb type lighting device, but the form of the lighting device is arbitrary, and for example, a downlight type or a mini-krypton type can be adopted, and for example, a backlight. It can also be applied to lighting devices such as lamps and headlamps.
本実施形態に係る照明装置310は、本発明の実施形態に係る発光素子モジュール基板110を用いた発光素子モジュール210を採用することで、高反射率かつ高ボンディング性で、端部との電気絶縁性が優れた実装部及びボンディング部を実現でき、高効率、低消費電力、高信頼性、及び、高動作安定性を有する照明装置が実現できる。
The
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、発光素子モジュール基板に含まれる積層板、ベース金属板、絶縁層、金属層、銀層、下地層、中間層、めっき用配線部及びソルダーレジスト層など、発光素子モジュールに含まれる発光素子、配線及び波長変換層など、並びに、照明装置に含まれる放熱部材などの各要素の具体的な構成の、形状、サイズ、材質、配置関係などに関して当業者が各種の変更を加えたものであっても、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
The embodiments of the present invention have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples. For example, a light-emitting element included in a light-emitting element module, such as a laminated plate, a base metal plate, an insulating layer, a metal layer, a silver layer, an underlayer, an intermediate layer, a plating wiring portion, and a solder resist layer included in the light-emitting element module substrate, A person skilled in the art has made various changes regarding the shape, size, material, arrangement relationship, etc. of the specific configuration of each element such as the wiring and wavelength conversion layer and the heat dissipation member included in the lighting device. The present invention is also included in the scope of the present invention as long as the present invention can be carried out in the same manner and the same effects can be obtained by appropriately selecting from a known range.
Moreover, what combined any two or more elements of each specific example in the technically possible range is also included in the scope of the present invention as long as the gist of the present invention is included.
その他、本発明の実施の形態として上述した発光素子モジュール基板、発光素子モジュール及び照明装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての発光素子モジュール基板、発光素子モジュール及び照明装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。 In addition, based on the light emitting element module substrate, the light emitting element module, and the lighting device described above as the embodiment of the present invention, all light emitting element module substrates, light emitting element modules, and illuminations that can be implemented by those skilled in the art with appropriate design changes. An apparatus also belongs to the scope of the present invention as long as it includes the gist of the present invention.
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。 In addition, in the category of the idea of the present invention, those skilled in the art can conceive of various changes and modifications, and it is understood that these changes and modifications also belong to the scope of the present invention. .
10…積層板、 10e…周縁、 11…ベース金属板、 12…絶縁層、 13…取り付け部、 20…金属層、 20a…導電層、 21…下地層、 22…中間層、 23…銀層、 25…実装部、 25a…部分、 26…ボンディング部、 26a…部分、 26c…電源供給部、 26e…端部、 26n…n側ボンディング部、 26p…p側ボンディング部、 27…実装部めっき用配線部、 27e…端部、27f…部分、 28…ボンディング部めっき用配線部、 28e…端部、28nf、28pf…部分 40…ソルダーレジスト層、 50…発光素子、 51…ボンディング配線(配線)、 60…波長変換層、 110、110a〜110d…発光素子モジュール基板、 210…発光素子モジュール、 310…照明装置、 321…放熱部材、 BV…耐電圧、 PS…ワイヤプル強度、 R23…反射率、 d20a…距離、 h110、h119…熱処理後の状態、 i110、i119…初期状態、 t23…厚さ
DESCRIPTION OF
本発明の実施形態によれば、ベース金属板と、前記ベース金属板の上に設けられた絶縁層と、を含む積層板の、所定形状に切断されたときの積層板の周縁よりも内側において前記絶縁層の上に設けられ、発光素子が実装される実装部の下地となる第1下地部、及び、前記発光素子に電気的に接続される配線がボンディングされるボンディング部の下地となる第2下地部と、前記絶縁層の上に設けられ、前記第1下地部に接続され前記周縁に到達する第1めっき用配線部、及び、前記第2下地部に接続され前記周縁に到達する第2めっき用配線部と、を含む下地層の前記第1及び第2めっき用配線部を用いた電解めっきにより前記第1及び第2下地部の上に銀層を形成して前記実装部及び前記ボンディング部を形成する電解めっき工程と、前記第1及び第2めっき用配線部の少なくとも一部を除去して、前記実装部に電気的に接続されている導電領域の前記周縁側の端、及び、前記ボンディング部に電気的に接続されている導電領域の前記周縁側の端を前記電解めっきのときよりも後退させて、前記実装部に電気的に接続されている前記導電領域の前記端と前記ベース金属板の前記周縁上の位置との距離、及び、前記ボンディング部に電気的に接続されている導電領域の前記端と前記ベース金属板の前記周縁上の位置との距離を、前記電解めっきのときよりも増大させる除去工程と、 を備えた発光素子モジュール基板の製造方法が提供される。 According to an embodiment of the present invention, a laminated plate including a base metal plate and an insulating layer provided on the base metal plate is positioned on the inner side of the periphery of the laminated plate when cut into a predetermined shape. A first base portion provided on the insulating layer and serving as a base for a mounting portion on which the light emitting element is mounted, and a first base portion serving as a base for a bonding portion to which a wiring electrically connected to the light emitting element is bonded. A first plating wiring portion provided on the insulating layer and connected to the first base portion and reaching the peripheral edge; and a first wiring portion connected to the second base portion and reaching the peripheral edge. Forming a silver layer on the first and second base parts by electrolytic plating using the first and second plating wiring parts of the base layer including two plating wiring parts, An electroplating step for forming a bonding portion; At least a part of the first and second plating wiring portions is removed and electrically connected to the peripheral edge of the conductive region electrically connected to the mounting portion and the bonding portion. The edge on the peripheral side of the conductive region is retracted from the time of the electrolytic plating, and the end of the conductive region electrically connected to the mounting portion and the position on the peripheral edge of the base metal plate A removal step of increasing the distance and the distance between the end of the conductive region electrically connected to the bonding portion and the position on the peripheral edge of the base metal plate as compared with the case of the electrolytic plating; Provided is a method for manufacturing a light emitting element module substrate.
Claims (8)
前記絶縁層の上に形成され前記実装部及び前記ボンディング部の少なくともいずれかのパターンを有する下地層に接続されためっき用配線部を介して前記銀層を電解めっきにより形成し、
前記めっき用配線部の少なくとも一部を除去する発光素子モジュール基板の製造方法。 A laminate including a base metal plate, an insulating layer provided on the base metal plate, a metal layer provided on the insulating layer, and a mounting portion on which the light emitting element is mounted; A metal layer having a bonding portion to which a wiring electrically connected to the light emitting element is bonded, and the metal layer is an uppermost layer of at least one of the mounting portion and the bonding portion. A method for manufacturing a light emitting element module substrate, comprising a silver layer formed by electrolytic plating, wherein the mounting portion and the bonding portion are electrically cut off from a peripheral edge of the laminate;
Forming the silver layer by electrolytic plating via a wiring portion for plating connected to a base layer having a pattern of at least one of the mounting portion and the bonding portion formed on the insulating layer,
A manufacturing method of a light emitting element module substrate which removes at least a part of the wiring part for plating.
前記銀層の形成は、前記中間層の上に電解めっきで前記銀層を形成することを含む請求項1〜5のいずれか1つに記載の発光素子モジュール基板の製造方法。 Before the formation of the silver layer, an intermediate layer is formed on the base layer formed on the insulating layer by electrolytic plating,
The method of manufacturing a light emitting element module substrate according to claim 1, wherein the formation of the silver layer includes forming the silver layer on the intermediate layer by electrolytic plating.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013153067A (en) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Wiring board, light emitting device, and manufacturing method of wiring board |
JP5902301B2 (en) * | 2012-07-09 | 2016-04-13 | シャープ株式会社 | Light emitting device and lighting device |
US11069846B2 (en) | 2015-05-07 | 2021-07-20 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Ultraviolet ray emitting device having maximized electrode area for improved heat dissipation |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61272978A (en) * | 1985-05-28 | 1986-12-03 | Takiron Co Ltd | Matrix circuit substrate in dot matrix light-emitting display body |
JPH0443698A (en) * | 1990-06-11 | 1992-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Multilayer laminated wiring board |
JP2000151077A (en) * | 1998-11-13 | 2000-05-30 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | Method of producing high density printed wiring board |
JP2002198639A (en) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Printed wiring board, manufacturing method therefor and mounting method of electronic component |
JP2006228856A (en) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Wiring board for packaging light emitting device |
JP2008016674A (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Matsushita Electric Works Ltd | Silver film, manufacturing method thereof, led mounting substrate, and manufacturing method thereof |
JP2008016593A (en) * | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Wiring board for mounting light emitting element |
JP2009081196A (en) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Light emitting module, and manufacturing method thereof |
JP2009170561A (en) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Panasonic Corp | Wiring substrate and its manufacturing method |
WO2009145109A1 (en) * | 2008-05-29 | 2009-12-03 | 電気化学工業株式会社 | Metal base circuit board |
JP2009302127A (en) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Dainippon Printing Co Ltd | Led substrate, led mounting module and method of manufacturing led substrate |
JP2010010558A (en) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Nec Lighting Ltd | Light-emitting device, and method of manufacturing light-emitting device |
-
2011
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61272978A (en) * | 1985-05-28 | 1986-12-03 | Takiron Co Ltd | Matrix circuit substrate in dot matrix light-emitting display body |
JPH0443698A (en) * | 1990-06-11 | 1992-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Multilayer laminated wiring board |
JP2000151077A (en) * | 1998-11-13 | 2000-05-30 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | Method of producing high density printed wiring board |
JP2002198639A (en) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Printed wiring board, manufacturing method therefor and mounting method of electronic component |
JP2006228856A (en) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Wiring board for packaging light emitting device |
JP2008016593A (en) * | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Wiring board for mounting light emitting element |
JP2008016674A (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Matsushita Electric Works Ltd | Silver film, manufacturing method thereof, led mounting substrate, and manufacturing method thereof |
JP2009081196A (en) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Light emitting module, and manufacturing method thereof |
JP2009170561A (en) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Panasonic Corp | Wiring substrate and its manufacturing method |
WO2009145109A1 (en) * | 2008-05-29 | 2009-12-03 | 電気化学工業株式会社 | Metal base circuit board |
JP2009302127A (en) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Dainippon Printing Co Ltd | Led substrate, led mounting module and method of manufacturing led substrate |
JP2010010558A (en) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Nec Lighting Ltd | Light-emitting device, and method of manufacturing light-emitting device |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013153067A (en) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Wiring board, light emitting device, and manufacturing method of wiring board |
JP5902301B2 (en) * | 2012-07-09 | 2016-04-13 | シャープ株式会社 | Light emitting device and lighting device |
US11069846B2 (en) | 2015-05-07 | 2021-07-20 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Ultraviolet ray emitting device having maximized electrode area for improved heat dissipation |
DE112016002072B4 (en) | 2015-05-07 | 2021-09-09 | Seoul Viosys Co., Ltd. | EMISSION DEVICE FOR ULTRAVIOLET RAYS |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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